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CN109065505B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN109065505B CN201810906148.XA CN201810906148A CN109065505B CN 109065505 B CN109065505 B CN 109065505B CN 201810906148 A CN201810906148 A CN 201810906148A CN 109065505 B CN109065505 B CN 109065505B
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法。显示面板具有显示区和弯折区，显示面板包括：柔性膜层；薄膜晶体管开关器件；绝缘层，绝缘层位于弯折区的部分设置有第一通孔，第一通孔贯穿绝缘层；平坦化层，平坦化层位于弯折区的部分填充第一通孔；有机发光二极管显示器件，有机发光二极管显示器件设置于平坦层位于显示区的部分上；封装层；其中，显示面板还包括第一金属构件、第二金属构件和第三金属构件，第一金属构件和第二金属构件设置于绝缘层位于弯折区的部分上，第三金属构件通过第二通孔和第三通孔与第一金属构件和第二金属构件连接。本发明能提高显示面板的弯折能力。

Description

显示面板及其制造方法
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法。
【背景技术】
传统的显示面板一般设置有显示区和弯折区，传统的显示面板在其弯折区处弯折。
上述传统的显示面板中一般设置有若干的膜层，其中，部分膜层是由无机材料制成的。该由无机材料制成的膜层的柔韧性较差，在上述传统的显示面板弯折时，该由无机材料制成的膜层容易断裂，这会影响显示面板的质量和使用寿命。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，其能提高显示面板的弯折能力。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种显示面板，所述显示面板具有显示区和弯折区，所述显示面板包括：柔性膜层；薄膜晶体管开关器件；绝缘层，所述绝缘层位于所述弯折区的部分设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层；平坦化层，所述平坦化层位于所述弯折区的部分填充所述第一通孔；有机发光二极管显示器件，所述有机发光二极管显示器件设置于部分位于所述显示区的所述平坦化层上；封装层；其中，所述显示面板还包括位于所述弯折区的第一金属构件、第二金属构件和第三金属构件，所述第一金属构件和所述第二金属构件设置于位于所述弯折区的所述绝缘层上，所述第三金属构件通过第二通孔和第三通孔与所述第一金属构件和所述第二金属构件连接；所述第一金属构件和所述第二金属构件分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处；所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层。
在上述显示面板中，所述显示面板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述柔性膜层上；所述第一通孔还贯穿所述第一缓冲层，并且所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层上或所述柔性膜层内。
在上述显示面板中，所述柔性膜层包括第一子膜层、第二缓冲层和第二子膜层，所述第二缓冲层设置于所述第一子膜层和所述第二子膜层之间；所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层和所述第二缓冲层。
在上述显示面板中，所述第三金属构件设置于所述平坦化层位于所述弯折区的部分上，并且所述第三金属构件的位置与所述第一通孔的位置对应。
在上述显示面板中，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述弯折区的部分设置于所述第三金属构件上以及所述平坦化层未被所述第三金属构件覆盖的部分上，所述像素界定层位于所述弯折区的部分以及所述平坦化层位于所述弯折区的部分用于防止所述第三金属构件在弯折的过程中断裂。
在上述显示面板中，所述像素界定层位于所述弯折区的部分上设置有结构增强构件，所述结构增强构件所在的位置与所述第三金属构件所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件用于增强所述显示面板在所述弯折区的结构强度。
一种显示面板制造方法，所述显示面板制造方法包括以下步骤：步骤A、形成柔性膜层；步骤B、在所述柔性膜层上设置第一缓冲层、半导体构件、绝缘层、栅极；步骤C、在所述绝缘层位于所述显示面板的弯折区的部分上设置第一通孔，以及在所述绝缘层位于所述显示面板的显示区的部分上设置第五通孔和第六通孔；步骤D、在所述绝缘层位于所述显示区的部分上以及所述第五通孔和所述第六通孔中设置源极和漏极，以及在所述绝缘层位于所述弯折区的部分上设置第一金属构件和第二金属构件；步骤E、在所述绝缘层上以及所述第一通孔中设置平坦化层；步骤F、在所述平坦化层中设置第二通孔、第三通孔和第四通孔；步骤G、在所述平坦化层位于所述弯折区的部分上以及所述第二通孔、所述第三通孔中设置第三金属构件，以及在所述平坦化层位于所述显示区的部分上以及所述第四通孔中设置阳极；步骤H、在所述阳极上设置有机发光材料层和阴极；步骤I、在所述阴极上设置封装层。
在上述显示面板制造方法中，所述第一通孔贯穿所述绝缘层和所述第一缓冲层，并且所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层内。
在上述显示面板制造方法中，所述步骤A包括：步骤a1、形成第一子膜层；步骤a2、在所述第一子膜层上设置第二缓冲层；步骤a3、在所述第二缓冲层上设置第二子膜层；所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层和所述第二缓冲层。
在上述显示面板制造方法中，所述第三金属构件的位置与所述第一通孔的位置对应。
在上述显示面板制造方法中，在所述步骤G之后，所述显示面板制造方法还包括以下步骤：步骤J、在所述阳极、所述第三金属构件以及所述平坦化层除所述阳极和所述第三金属构件外的部分上设置像素界定层；其中，所述像素界定层位于所述弯折区的部分设置于所述第三金属构件上以及所述平坦化层未被所述第三金属构件覆盖的部分上，所述像素界定层位于所述弯折区的部分以及所述平坦化层位于所述弯折区的部分用于防止所述第三金属构件在弯折的过程中断裂。
在上述显示面板制造方法中，所述显示面板制造方法包括以下步骤：步骤K、在所述像素界定层上位于所述弯折区的部分上设置结构增强构件；其中，所述结构增强构件所在的位置与所述第三金属构件所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件用于增强所述显示面板在所述弯折区的结构强度。
在上述显示面板制造方法中，所述第一金属构件和所述第二金属构件分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处；所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层。
在本发明中，由于在所述显示面板的弯折区中设置有贯穿所述绝缘层的所述第一通孔，并且所述平坦化层的至少一部分填充于所述第一通孔中，因此，本发明的技术方案能提高显示面板的弯折能力。此外，由于在所述第一通孔的开口部位的两侧分别设置所述第一金属构件和所述第二金属构件，因此，无需先将所述第一通孔填充，再在所述第一通孔的填充物上设置金属构件，然后再设置所述平坦化层，而只需利用设置于所述弯折区的所述平坦化层的材料填充所述第一通孔，节省了一道工序。设置于所述第一通孔的两侧的所述第一金属构件和所述第二金属构件由于通过设置于所述平坦化层上的所述第三金属构件桥接，因此可以使得所述第一金属构件和所述第二金属构件电性连接。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明的显示面板的第一实施例的示意图。
图2至图6为本发明的显示面板的第一实施例的制造方法的示意图。
图7为本发明的显示面板的第二实施例的示意图。
图8为本发明的显示面板制造方法的流程图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
参考图1至图6，图1为本发明的显示面板的第一实施例的示意图，图2至图6为本发明的显示面板的第一实施例的制造方法的示意图。
本发明的显示面板适用于OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管显示面板)。
本发明的显示面板具有显示区A和弯折区B，所述显示面板包括柔性膜层102、第一缓冲层103、薄膜晶体管开关器件、绝缘层、平坦化层112、有机发光二极管显示器件、封装层120。
所述第一缓冲层103设置于所述柔性膜层102上。
所述薄膜晶体管开关器件设置于所述第一缓冲层103位于所述显示区A的部分上。
所述薄膜晶体管开关器件包括半导体构件104、栅极106、源极108和漏极109，所述半导体构件104设置于所述第一缓冲层103位于所述显示区A的部分上。
所述绝缘层包括第一子绝缘层105和第二子绝缘层107，所述第一子绝缘层105设置于所述半导体构件104上以及所述第一缓冲层103除所述半导体构件104以外的部分上，所述栅极106设置于所述第一子绝缘层105上，所述第二子绝缘层107设置于栅极106上以及所述第一子绝缘层105除所述栅极106以外的部分上。
所述栅极106是通过在所述第一子绝缘层105上设置第一金属层，并对所述第一金属层进行光罩制程来形成的。
所述源极108的一部分和所述漏极109的至少一部分设置于所述绝缘层(所述第二子绝缘层107)上贯穿所述绝缘层的第五通孔和第六通孔中。
所述第五通孔和所述第六通孔设置于所述绝缘层位于所述显示区A的部分上。
进一步地，所述第五通孔和所述第六通孔还贯穿所述半导体构件104。
所述绝缘层位于所述弯折区B的部分设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层。
所述第一通孔与所述第五通孔、所述第六通孔是通过对所述绝缘层进行蚀刻来形成的。其中，所述第一通孔在垂直于所述显示面板的方向上的深度大于所述第五通孔和所述第六通孔在垂直于所述显示面板的方向上的深度。即，针对所述第一通孔的蚀刻量大于针对所述第五通孔的蚀刻量或针对所述第六通孔的蚀刻量。
其中，所述显示面板还包括位于所述弯折区B的第一金属构件110、第二金属构件111和第三金属构件114，所述第一金属构件110和所述第二金属构件111设置于位于所述弯折区B的所述绝缘层(所述绝缘层位于所述弯折区B的部分)上，所述第一金属构件110和所述第二金属构件111分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处。
所述第一金属构件110、所述第二金属构件111、所述源极108和所述漏极109是在同一道光罩制程中形成的。具体地，所述源极108、所述漏极109、所述第一金属构件110和所述第二金属构件111是通过在所述绝缘层(所述第二子绝缘层107)上设置第二金属层，并对所述第二金属层进行光罩制程来形成的。
所述平坦化层112设置于所述绝缘层位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上，所述平坦化层112覆盖所述薄膜晶体管开关器件的至少一部分，所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分填充所述第一通孔。
所述平坦化层112与所述第一金属构件110和所述第二金属构件111对应的位置设置有第二通孔和第三通孔，所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层。所述第三金属构件114设置于所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分上以及所述第二通孔和所述第三通孔中，并且所述第三金属构件114的位置与所述第一通孔的位置对应，所述第三金属构件114通过所述第二通孔和所述第三通孔与所述第一金属构件110和所述第二金属构件111连接。
所述有机发光二极管显示器件设置于部分位于所述显示区A的所述平坦层(所述平坦层位于所述显示区A的部分)上。
所述有机发光二极管显示器件包括阳极113、有机发光层118和阴极119，所述阳极113设置于所述平坦化层112位于所述显示区A的部分上以及贯穿所述平坦化层112的第四通孔中，所述阳极113通过所述第四通孔与所述漏极109连接，所述有机发光层118设置于所述阳极113上，所述阴极119的至少一部分设置于所述有机发光层118上。所述第四通孔设置于所述平坦化层112位于所述显示区A的部分中。
所述封装层120设置于所述有机发光二极管显示器件上以及所述像素定义层115位于所述显示区A的部分上。
所述第三金属构件114与所述阳极113是在同一道光罩制程中形成的。具体地，所述阳极113和所述第三金属构件114是通过在所述平坦化层112上设置第三金属层，并对所述第三金属层进行光罩制程来形成的。
在本实施例中，所述柔性膜层102的材料为聚酰亚胺、树脂等。
所述绝缘层设置于所述第一缓冲层103位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上，所述第一通孔还贯穿所述第一缓冲层103，所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层102上或所述柔性膜层102内，即，所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层102的表面或内部。
所述显示面板还包括像素界定层115，所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分设置于所述第三金属构件114上以及所述平坦化层112未被所述第三金属构件114覆盖的部分上，所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分以及所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分用于防止所述第三金属构件114在弯折的过程中断裂。具体地，包括第二子绝缘层107、第一子绝缘层105、第一缓冲层103、所述柔性膜层102、第一保护板101的第一组合和包括结构增强构件117、所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分、第二保护板121的第二组合将所述第三金属构件114夹在中间，并且，所述第一组合和所述第二组合包覆所述第三金属构件114。在所述显示面板位于所述弯折区B的部分弯折时，所述第一组合和所述第二组合将所述显示面板位于所述弯折区B的部分因弯折而产生的应力分散，因此可以减小或缓冲施加至所述第三金属构件114的应力，从而防止所述第三金属构件114在弯折过程中断裂。
所述像素界定层115位于所述显示区A的部分上设置有凹陷部，所述凹陷部所在的位置与所述阳极113所在的位置对应，所述有机发光层118设置于所述凹陷部中，并且所述有机发光层118与所述阳极113相接触。所述凹陷部用于限定所述有机发光层118的位置。
本实施例的显示面板还包括挡隔构件116，所述挡隔构件116设置于像素界定层115位于所述显示区A的部分上。具体地，所述挡隔构件116位于所述像素界定层115上与所述凹陷部的两侧对应的位置处。
所述阴极119的至少一部分还设置于所述挡隔构件116上。
所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分上设置有结构增强构件117，所述结构增强构件117所在的位置与所述第三金属构件114所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件117用于增强所述显示面板在所述弯折区B的结构强度。
所述结构增强构件117的材料与所述挡隔构件116的材料相同，所述结构增强构件117与所述挡隔构件116是在同一道光罩制程中形成的。
所述封装层120设置于所述像素界定层115位于所述显示区A与所述弯折区B的部分上。具体地，所述封装层120设置于所述阴极119、所述结构增强构件117上以及所述平坦化层112除所述阴极119和所述结构增强构件117以外的部分上。
所述第一通孔和填充于所述第一通孔内的所述平坦化层112的材料用于提高所述显示面板在所述弯折区B的弯折能力。
所述显示面板位于所述弯折区B的部分还设置有第一保护板101和第二保护板121，所述第一保护板101和所述第二保护板121分别设置于所述显示面板位于所述弯折区B的部分的两相对的表面，所述第一保护板101设置于所述柔性膜层102背向所述绝缘层的表面，所述第二保护板121设置于所述结构增强构件117以及所述像素界定层115未被所述结构增强构件117覆盖的表面。
所述第一保护板101和所述第二保护板121用于提高所述显示面板位于所述弯折区B的部分的弯折能力，防止所述显示面板位于所述弯折区B的部分断裂。
参考图7，图7为本发明的显示面板的第二实施例的示意图。本实施例与上述第一实施例相似，不同之处在于：
所述柔性膜层102包括第一子膜层1021、第二缓冲层1022和第二子膜层1023，所述第二缓冲层1022设置于所述第一子膜层1021和所述第二子膜层1023之间。
所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层1023，即，所述第一通孔的底部延伸至所述第二子膜层1023中，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层1023和所述第二缓冲层1022，即，所述第一通孔的底部延伸至所述第二缓冲层1022中。
参考图2至图6以及图8，图2至图6为本发明的显示面板的第一实施例的制造方法的示意图，图8为本发明的显示面板制造方法的流程图。
本发明的显示面板制造方法包括以下步骤：
步骤A(801)、形成柔性膜层102。
步骤B(802)、在所述柔性膜层102上设置第一缓冲层103、半导体构件104、第一子绝缘层105、栅极106以及第二子绝缘层107，其中，第一子绝缘层105和第二子绝缘层107构成绝缘层。
具体地，所述步骤B包括：
步骤b 1、在所述第一缓冲层103上设置所述半导体构件104。
步骤b2、在所述半导体构件104上以及所述第一缓冲层103除所述半导体构件104以外的部分上设置所述第一子绝缘层105。
步骤b3、在所述第一子绝缘层105上设置第一金属层，并对所述第一金属层进行光罩制程，以形成所述栅极106。
步骤b4、在所述栅极106上以及所述第一子绝缘层105除所述栅极106以外的部分上设置第二子绝缘层107。
步骤C(803)、在包括所述第一子绝缘层105和所述第二子绝缘层107的所述绝缘层位于所述弯折区B的部分上设置第一通孔，以及在所述绝缘层位于所述显示区A的部分上设置第五通孔和第六通孔。
具体地，所述步骤C为：
对所述绝缘层位于所述弯折区B的部分和位于所述显示区A的部分进行蚀刻，以形成所述第一通孔、所述第五通孔和所述第六通孔。
其中，所述第一通孔、所述第五通孔和所述第六通孔均贯穿所述绝缘层，所述第一通孔在垂直于所述显示面板的方向上的深度大于所述第五通孔和所述第六通孔在垂直于所述显示面板的方向上的深度。即，针对所述第一通孔的蚀刻量大于针对所述第五通孔的蚀刻量或针对所述第六通孔的蚀刻量。
进一步地，所述第五通孔和所述第六通孔还贯穿所述半导体构件104。
步骤D(804)、在所述绝缘层位于所述显示区A的部分上以及所述第五通孔和所述第六通孔中设置源极108和漏极109，以及在所述绝缘层位于所述弯折区B的部分上设置第一金属构件110和第二金属构件111。
具体地，所述步骤D为：
在所述绝缘层(所述第二子绝缘层107)位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上以及所述第五通孔、所述第六通孔中设置第二金属层，并对所述第二金属层进行光罩制程，以形成所述源极108、所述漏极109、所述第一金属构件110和所述第二金属构件111。
步骤E(805)、在所述绝缘层上以及所述第一通孔中设置平坦化层112。所述平坦化层112设置于所述绝缘层位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上，所述平坦化层112覆盖所述薄膜晶体管开关器件的至少一部分，所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分填充所述第一通孔。
所述第一通孔和填充于所述第一通孔内的所述平坦化层112的材料用于提高所述显示面板在所述弯折区B的弯折能力。
步骤F(806)、在所述平坦化层112中设置第二通孔、第三通孔和第四通孔。
具体地，所述步骤F为：
对所述平坦化层112与所述第一金属构件110、所述第二金属构件111以及所述漏极109对应的部分进行蚀刻，以形成所述第二通孔、所述第三通孔和所述第四通孔。
所述第一金属构件110和所述第二金属构件111分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处。
所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层112。
步骤G(807)、在所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分上以及所述第二通孔、所述第三通孔中设置第三金属构件114，以及在所述平坦化层112位于所述显示区A的部分上以及所述第四通孔中设置阳极113。
其中，所述第三金属构件114的位置与所述第一通孔的位置对应。
具体地，所述步骤G(807)为：
在所述平坦化层112位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上以及所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔中设置第三金属层，并对所述第三金属层进行光罩制程，以形成所述第三金属构件114和所述阳极113。
步骤H(810)、在所述阳极113上设置有机发光材料层和阴极119。所述有机发光层118设置于所述阳极113上，所述阴极119的至少一部分设置于所述有机发光层118上。
步骤I(811)、在所述阴极119上设置封装层120。
所述绝缘层(所述第一子绝缘层105)设置于所述第一缓冲层103位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上，所述第一通孔贯穿所述绝缘层和所述第一缓冲层103，所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层102内。
所述步骤A包括：
步骤a1、形成第一子膜层1021。
步骤a2、在所述第一子膜层1021上设置第二缓冲层1022。
步骤a3、在所述第二缓冲层1022上设置第二子膜层1023。
所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层1023和所述第二缓冲层1022，即，所述第一通孔的底部延伸至所述第二缓冲层1022中。
在所述步骤G(807)之后，所述显示面板制造方法还包括以下步骤：
步骤J(808)、在所述阳极113、所述第三金属构件114以及所述平坦化层112除所述阳极113和所述第三金属构件114外的部分上设置像素界定层115。
其中，所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分设置于所述第三金属构件114上以及所述平坦化层112未被所述第三金属构件114覆盖的部分上，所述像素界定层115位于所述弯折区B的部分以及所述平坦化层112位于所述弯折区B的部分用于防止所述第三金属构件114在弯折的过程中断裂。
所述显示面板制造方法包括以下步骤：
步骤K(809)、在所述像素界定层115上位于所述弯折区B的部分上设置结构增强构件117。
其中，所述结构增强构件117所在的位置与所述第三金属构件114所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件117用于增强所述显示面板在所述弯折区B的结构强度。
在所述步骤J(808)后，所述显示面板制造方法包括以下步骤：
步骤L、在所述像素界定层115位于所述显示区A的部分上设置凹陷部，所述凹陷部所在的位置与所述阳极113所在的位置对应。
所述有机发光层118设置于所述凹陷部中，并且所述有机发光层118与所述阳极113相接触。所述凹陷部用于限定所述有机发光层118的位置。
本实施例的显示面板还包括挡隔构件116，所述挡隔构件116设置于像素界定层115位于所述显示区A的部分上。具体地，所述挡隔构件116位于所述像素界定层115上与所述凹陷部的两侧对应的位置处。所述挡隔构件116和所述结构增强构件117是通过在所述像素界定层115位于所述显示区A和所述弯折区B的部分上设置有机材料层或无机材料层，并对所述有机材料层或所述无机材料层进行光罩制程来形成的。
所述阴极119的至少一部分还设置于所述挡隔构件116上。
所述步骤I(811)为：
所述阴极119、所述结构增强构件117上以及所述平坦化层112除所述阴极119和所述结构增强构件117以外的部分上设置封装层120。
在本发明中，由于在所述显示面板的弯折区B中设置有贯穿所述绝缘层的所述第一通孔，并且所述平坦化层112的至少一部分填充于所述第一通孔中，因此，本发明的技术方案能提高显示面板的弯折能力。此外，由于在所述第一通孔的开口部位的两侧分别设置所述第一金属构件110和所述第二金属构件111，因此，无需先将所述第一通孔填充，再在所述第一通孔的填充物上设置金属构件，然后再设置所述平坦化层112，而只需利用设置于所述弯折区B的所述平坦化层112的材料填充所述第一通孔，节省了一道工序。设置于所述第一通孔的两侧的所述第一金属构件110和所述第二金属构件111由于通过设置于所述平坦化层112上的所述第三金属构件114桥接，因此可以使得所述第一金属构件110和所述第二金属构件111电性连接。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区和弯折区，所述显示面板包括：
柔性膜层；
薄膜晶体管开关器件；
绝缘层，所述绝缘层位于所述弯折区的部分设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层；
平坦化层，所述平坦化层位于所述弯折区的部分填充所述第一通孔；
有机发光二极管显示器件，所述有机发光二极管显示器件设置于部分位于所述显示区的所述平坦化层上；
封装层；
其中，所述显示面板还包括位于所述弯折区的第一金属构件、第二金属构件和第三金属构件，所述第一金属构件和所述第二金属构件设置于位于所述弯折区的所述绝缘层上，所述第三金属构件通过第二通孔和第三通孔与所述第一金属构件和所述第二金属构件连接,所述第一金属构件和所述第二金属构件分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处,所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层；
所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述弯折区的部分设置于所述第三金属构件上以及所述平坦化层未被所述第三金属构件覆盖的部分上，所述像素界定层位于所述弯折区的部分以及所述平坦化层位于所述弯折区的部分用于防止所述第三金属构件在弯折的过程中断裂；
所述像素界定层位于所述弯折区的部分上设置有结构增强构件，所述结构增强构件所在的位置与所述第三金属构件所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件用于增强所述显示面板在所述弯折区的结构强度；
所述显示面板还包括位于所述弯折区的第一保护板和第二保护板，所述第一保护板设置在所述柔性膜层远离像素界定层的一侧，所述第二保护板设置在所述像素界定层远离所述柔性膜层的一侧，且覆盖所述结构增强构件，所述第一保护板和第二保护板用于提高所述显示面板位于所述弯折区的部分的弯折能力，防止所述显示面板位于所述弯折区的部分断裂。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述柔性膜层上；
所述第一通孔还贯穿所述第一缓冲层，并且所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层上或所述柔性膜层内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述柔性膜层包括第一子膜层、第二缓冲层和第二子膜层，所述第二缓冲层设置于所述第一子膜层和所述第二子膜层之间；
所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层和所述第二缓冲层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三金属构件设置于所述平坦化层位于所述弯折区的部分上，并且所述第三金属构件的位置与所述第一通孔的位置对应。
5.一种显示面板制造方法，其特征在于，所述显示面板制造方法包括以下步骤：
步骤A、形成柔性膜层；
步骤B、在所述柔性膜层上设置第一缓冲层、半导体构件、绝缘层、栅极；
步骤C、在所述绝缘层位于所述显示面板的弯折区的部分上设置第一通孔，以及在所述绝缘层位于所述显示面板的显示区的部分上设置第五通孔和第六通孔；
步骤D、在所述绝缘层位于所述显示区的部分上以及所述第五通孔和所述第六通孔中设置源极和漏极，以及在所述绝缘层位于所述弯折区的部分上设置第一金属构件和第二金属构件；
步骤E、在所述绝缘层上以及所述第一通孔中设置平坦化层；
步骤F、在所述平坦化层中设置第二通孔、第三通孔和第四通孔；
步骤G、在所述平坦化层位于所述弯折区的部分上以及所述第二通孔、所述第三通孔中设置第三金属构件，以及在所述平坦化层位于所述显示区的部分上以及所述第四通孔中设置阳极；
步骤H、在所述阳极上设置有机发光材料层和阴极；
步骤I、在所述阴极上设置封装层。
6.根据权利要求5所述的显示面板制造方法，其特征在于，所述第一通孔贯穿所述绝缘层和所述第一缓冲层，并且所述第一通孔的底部延伸至所述柔性膜层内。
7.根据权利要求6所述的显示面板制造方法，其特征在于，所述步骤A包括：
步骤a1、形成第一子膜层；
步骤a2、在所述第一子膜层上设置第二缓冲层；
步骤a3、在所述第二缓冲层上设置第二子膜层；
所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层，或者所述第一通孔还贯穿所述第二子膜层和所述第二缓冲层。
8.根据权利要求5所述的显示面板制造方法，其特征在于，所述第三金属构件的位置与所述第一通孔的位置对应。
9.根据权利要求5所述的显示面板制造方法，其特征在于，在所述步骤G之后，所述显示面板制造方法还包括以下步骤：
步骤J、在所述阳极、所述第三金属构件以及所述平坦化层除所述阳极和所述第三金属构件外的部分上设置像素界定层；
其中，所述像素界定层位于所述弯折区的部分设置于所述第三金属构件上以及所述平坦化层未被所述第三金属构件覆盖的部分上，所述像素界定层位于所述弯折区的部分以及所述平坦化层位于所述弯折区的部分用于防止所述第三金属构件在弯折的过程中断裂。
10.根据权利要求9所述的显示面板制造方法，其特征在于，所述显示面板制造方法包括以下步骤：
步骤K、在所述像素界定层上位于所述弯折区的部分上设置结构增强构件；
其中，所述结构增强构件所在的位置与所述第三金属构件所在的位置和/或所述第一通孔所在的位置对应，所述结构增强构件用于增强所述显示面板在所述弯折区的结构强度。
11.根据权利要求5所述的显示面板制造方法，其特征在于，所述第一金属构件和所述第二金属构件分别位于与所述第一通孔的开口部位的两侧对应的位置处；
所述第二通孔和所述第三通孔均贯穿所述平坦化层。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887956B (zh) * 2019-01-25 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管柔性阵列基板
CN109686867A (zh) * 2019-01-30 2019-04-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109887972A (zh) * 2019-02-27 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
CN111755616A (zh) * 2019-03-27 2020-10-09 陕西坤同半导体科技有限公司 柔性显示屏及其制作方法
CN111755471A (zh) * 2019-03-27 2020-10-09 陕西坤同半导体科技有限公司 可弯折柔性显示装置及其制作方法
CN110429088A (zh) * 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN110544710A (zh) * 2019-08-08 2019-12-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板及显示装置
US11244994B2 (en) * 2019-10-23 2022-02-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel
TW202032226A (zh) * 2020-01-14 2020-09-01 友達光電股份有限公司 軟性電路結構
CN112331691B (zh) * 2020-01-14 2023-06-27 友达光电股份有限公司 折叠显示器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074960A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102127791B1 (ko) * 2013-07-31 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US9356087B1 (en) 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
KR102427672B1 (ko) * 2015-08-11 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102341853B1 (ko) * 2015-08-12 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102303602B1 (ko) * 2015-09-14 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102563454B1 (ko) 2016-04-26 2023-08-03 엘지디스플레이 주식회사 압력 센서 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치
CN106710449A (zh) * 2016-12-09 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示模组及显示装置
CN106783917B (zh) * 2016-12-15 2018-11-20 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示屏结构及其制作方法
CN106601776A (zh) * 2016-12-26 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性amoled显示面板
CN106601778B (zh) * 2016-12-29 2019-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled背板及其制作方法
CN107146810A (zh) * 2017-06-19 2017-09-08 合肥市惠科精密模具有限公司 一种柔性amoled显示面板
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10847596B2 (en) 2017-11-10 2020-11-24 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Bendable display panel and fabricating method thereof
CN107994055B (zh) * 2017-11-10 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折显示面板及其制作方法
KR102606570B1 (ko) * 2017-11-29 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
CN108288637B (zh) * 2018-01-24 2021-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074960A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 三星显示有限公司 显示装置

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