CN108376816A - 从外部面调谐三模滤波器 - Google Patents

Abstract

通过将第一介质谐振器组件的第一面结合到第二介质谐振器组件的第二面将第一介质谐振器组件联结到第二介质谐振器组件。第一面具有通过从第一介质谐振器组件去除第一导电材料的涂层的部分而形成的第一耦合孔口并且第二面具有通过从第二介质谐振器组件去除第二导电材料的涂层的部分而形成的第二耦合孔口。第一耦合孔口和第二耦合孔口在第一面结合到第二面时彼此对齐。平板形第一介质谐振器组件和大体立方体形第二介质谐振器组件形成具有两个端面和四个侧面的线性堆叠。在沿线性堆叠的定向方向上的第一介质谐振器组件的侧面的中心线的点处设置第一孔并基本上在第二介质谐振器组件的侧面的中心设置第二孔以调谐该对联结的介质谐振器组件的谐振频率。

Description

从外部面调谐三模滤波器

技术领域

本发明大体上涉及滤波器组件，并且更具体地涉及介质三模滤波器的调谐。

背景技术

本部分旨在为将要在下面公开的本发明提供背景或上下文。下面的描述可以包括可以追求但并不一定被先前构想、实现或描述的概念。因此，除非下面另外明确指示，否则本部分中描述的内容不是本申请中的描述的现有技术并且不被承认通过包括在本部分中而为现有技术。

通常，介质滤波器由许多谐振结构和能量耦合结构构成，这些谐振结构和能量耦合结构被布置为在其本身和输入和输出端口之间交换射频（RF）能量。这些谐振器到彼此以及到输入和输出端口的互连的图案、这些互连的强度、以及谐振器的谐振频率确定滤波器的响应。

在介质滤波器的设计过程期间，确定部件的布置、制造部件的材料、以及部件的精确维度（dimension），使得如此构成的理想滤波器将执行期望的滤波功能。如果可以制造确切符合该设计的物理滤波器，则该滤波器将确切地按照由设计者所意图的那样执行。

然而，实际上，材料和部件两者的制造的精度和准确度是有限的，从而导致谐振频率和耦合强度的值与期望值的偏差。这些偏差继而导致介质滤波器的响应与由理想滤波器模型所预测的响应不同。通常，与理想响应的偏差足够大而使滤波器超出其设计规范。因此，期望利用一些用于调节谐振器频率和耦合强度的方式来使滤波器响应在设计规范内。

对于其中组合了TE（横电（transverse electric））单模和三模陶瓷填充腔的一类介质滤波器，情况尤其如此。这种类型的滤波器通过对组件的多个面（包括将在组装的滤波器中结合在一起的面）进行修改来调谐。然而，这阻止结合之后的滤波器的完全调谐，因为那时结合面不再是可接近的（accessible）。

如本领域普通技术人员所认识的，三模长方体谐振器可以通过从长方体的三个相互正交的面研磨（lapping）受控量的材料并随后重新镀银（resilver）这些面而被调谐。这允许独立地调节三模长方体谐振器的所有三个模式的频率。单模平板（slab）形的长方体谐振器可以通过将受控量的材料从一个或多个窄面研磨掉随后重新镀银这些面而被调谐。

调谐三模长方体谐振器的替代方法是在三个相互正交的面中钻孔，然后对孔的壁镀银或使孔不被镀银。该方法还允许所有三个模式频率的独立调节。相比而言，单模平板形的长方体谐振器可以通过向一个或两个大的平坦面中钻一个或多个孔来调节。

另一种方法是在至少两个相互正交的面上的银中切割槽。这种方法也允许所有三个频率的独立调节。单模平板形的长方体谐振器也可以通过在一个或多个窄面上切割一个或多个槽来调节，槽被定向成平行于大的面。

然而，如上所述，在组件已经结合在一起之后，滤波器组件不能被调谐，因为在结合之后，没有足够数量的面是可接近的。本发明解决了现有技术中的这种缺陷。

发明内容

本部分包含可能实现的示例，并不意味着限制。

在示例性实施例中，本发明是RF滤波器的一对联结的介质谐振器组件。该对联结的介质谐振器组件包括第一介质谐振器组件和第二介质谐振器组件。

第一介质谐振器组件包括第一介电材料块，第一介电材料块具有第一导电材料的涂层。第一介质谐振器组件是一个维度具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的平板形的长方体。

第二介质谐振器组件包括第二介电材料块，第二介电材料块具有第二导电材料的涂层。第二介质谐振器组件是具有基本相等的量值的三个维度的大体立方体形的长方体。

通过将第一介质谐振器组件的第一面结合到第二介质谐振器组件的第二面而将第一介质谐振器组件联结到第二介质谐振器组件，使得具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的第一介质谐振器组件的维度垂直于第一面和第二面，第一面具有基本相等的量值的维度。

第一面具有通过从第一介电材料块去除第一导电材料的涂层的一部分而形成的第一耦合孔口，并且第二面具有通过从第二介电材料块去除第二导电材料的涂层的一部分而形成的第二耦合孔口。第一耦合孔口和第二耦合孔口在第一面结合到第二面时彼此对齐。

第一介质谐振器组件和第二介质谐振器组件由此形成具有两个端面和四个侧面的线性堆叠。线性堆叠由此定向在与具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的第一介质谐振器组件的一个维度共同的方向上。

在沿线性堆叠的定向的方向上的第一介质谐振器组件的侧面的中心线的点处设置第一孔，并且基本上在第二介质谐振器组件的侧面的中心中设置第二孔，以调谐该对联结的介质谐振器组件的谐振频率。

附图说明

在所附绘图中：

图1是长方体三模介质谐振器组件的透视图；

图2A是薄平板形介质谐振器组件的透视图；

图2B图示了用于图2A中所示的薄平板形介质谐振器组件中的各个孔的标识方案；

图2C是近似立方体形的介质谐振器组件的透视图；

图2D图示了用于图2C中所示的近似立方体形的介质谐振器组件中的各个孔的标识方案；

图3A是本发明的示例性介质滤波器的透视图；

图3B是图3A中所示的示例性介质滤波器的替代实施例的透视图；

图4A是具有用于调节电场耦合强度的耦合孔口和孔的平板形介质谐振器组件的透视图；

图4B是具有用于调节电场耦合强度的耦合孔口和孔的近似立方体形的介质谐振器组件的透视图；

图5A是作为Y方向上的未填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移的曲线图；

图5B是作为Y方向上的填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移的曲线图；

图6A是作为45度对角线方向上的未填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移的曲线图；和

图6B是作为45度对角线方向上的填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移的曲线图。

具体实施方式

如本文使用的词语“示例性”意味着“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其他实施例优选或有利。在本具体实施方式中描述的所有实施例是被提供以使得本领域技术人员能够制作或使用本发明的示例性实施例，而不是限制由权利要求限定的本发明的范围。

根据本发明，钻入长方体三模介质谐振器组件的单个面中的调谐孔的阵列足以使得谐振器组件的所有三个最低阶模式能够被独立地调节。

由可能包括一个或多个三模谐振器组件的长方体介质谐振器组件的线性堆叠构成的滤波器的所有组件的所有带内谐振频率可以通过在组件的一个或多个外表面中钻入调谐孔的阵列而被独立地调节。如果在滤波器的特定应用或使用中需要，则所有的孔可以设置在线性堆叠的单侧上。

当利用长方体的一个或多个外表面附近的孔口实现耦合时，可以在至少一个外表面中钻入额外的孔，以使得介质谐振器组件之间的耦合能够被调节。

然而，当在结合面的中心中设置耦合孔口时，通过中心孔口的耦合不能以这种方式进行调节，因为中心孔口和外表面之间的距离太大而不能使外表面中的孔具有任何影响。

如上所述，一旦滤波器的介质谐振器组件已经结合在一起，则它们的平面接触表面不再是可接近的，由此阻止需要接近这些表面的任何调谐操作。本发明的调谐方法具有如下的优点，即：即使在滤波器的介质谐振器组件已经结合在一起之后，也可以调节所有带内谐振频率以及由靠近介质谐振器组件的外边的孔口产生的所有耦合。

现在转到上面指出的图，图1是具有沿图中所包括的X、Y和Z轴对齐的侧面或面的长方体三模介质谐振器组件10的透视图。介质谐振器组件10包括具有导电材料（诸如银）的涂层的介电材料块。在图1中指示了被给出以促进下面的讨论的轴方向和面标记。

三个最低阶谐振模式通常被称为TE011、TE101和TE110模式；其电场的方向分别平行于X轴、Y轴和Z轴，TE是“横电”的缩写。TE011、TE101和TE110模式可以分别替代地被称为X模式、Y模式和Z模式。

当介质谐振器组件10的三个维度的量值彼此接近时，三个最低阶谐振模式的谐振频率也将彼此接近。在这种情况下，当三个模式频率位于滤波器的通带内时，介质谐振器组件10可以用作三模谐振器。类似地，当介质谐振器组件10的三个维度中的两个的量值彼此接近时，三个最低阶谐振模式中的两个的频率也将彼此接近。这种介质谐振器组件10可以用作双模谐振器。替代地，第三最低阶谐振模式的频率可以是带内频率，在这种情况下，介质谐振器组件10可以用作单模谐振器。最后，当介质谐振器组件10的所有三个维度的量值彼此基本上不同时，所有三个最低阶谐振频率将彼此不同。当这些谐振频率之一是带内的时，这种介质谐振器组件10也可以用作单模谐振器。上述介质谐振器组件10的所有带内谐振频率将需要仔细调节以确保完成的滤波器被调谐。

我们将考虑其中长方体介质谐振器组件10是薄平板形组件的情况，其中其三个维度之一的量值显著小于另外两个。此外，我们将假定该组件具有某个量值使得最低频率谐振模式是带内的，以使得长方体介质谐振器组件10可以用作单模谐振器。参考图1中的面标记，我们将薄平板形组件的薄维度视为X维度，使得面1和面4将近似为正方形，如同立方体的面，而面2、3、5和6将呈窄矩形的形状。针对这种薄平板形组件的感兴趣的单个模式将是TE011模式（X模式）。当将薄平板形组件放置在结合的线性滤波器堆叠中时，只有窄面将是可接近的，也就是面2、3、5和6。作为结果，在薄平板形组件的那些面被结合到其他介质谐振器组件的那些面之后，调谐孔或其他结构不能被放置在面1和4上。

现在我们将考虑另一个长方体介质谐振器组件具有类似量值的三个维度，使得所有三个最低频率谐振模式是带内的。三个感兴趣的谐振模式然后是TE011（X模式）、TE101（Y模式）和TE110（Z模式）。与上述的薄平板形组件一样，当三模长方体介质谐振器组件被放置在线性滤波器堆叠中时，其中面1和面4朝向相邻的介质谐振器组件定向，只有面2、3、5和6将是可接近的。在立方体形组件的那些面被结合到其他介质谐振器组件的那些面之后，调谐孔或其他结构不能被放置在面1或4上。

现在参考图2A至2D，其中图2A是薄平板形介质谐振器组件20的透视图，并且图2C是大体立方体形的介质谐振器组件30的透视图，在薄平板形介质谐振器组件20和大体立方体形介质谐振器组件30的如上面结合图1标识的面6上设置了孔22、32的3×3阵列。图2B和2D图示了用于图2A和2C中的各个孔22、32的标识方案，其分别用于将由于孔的提供而导致的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率中的计算偏移的以下讨论中。

在计算中，薄平板形介质谐振器组件20和大体立方体形介质谐振器组件30两者被假定为由具有45的介电常数的介电材料制成。薄平板形介质谐振器组件20和大体立方体形介质谐振器组件30两者也被假定为具有诸如银的导电材料的涂层。孔22、32的维度在直径方面为1.5mm，并且为1.0mm深。大体立方体形介质谐振器组件30的维度在X、Y和Z方向上分别为17.7mm×18.0mm×18.3mm，而平板形介质谐振器组件20的维度在X、Y和Z方向上分别为4mm×18.0mm×18.3mm。在下面的表1中给出了孔22、32相对于面6的中心的位置：

。

参考图2B和2D将注意到，邻近于角落的孔利用A、C、G和I标识；角落之间和邻近于边的那些孔利用B、D、F和H标识；并且中心处的孔利用E标识。

X模式、Y模式和Z模式的谐振频率中的计算偏移在下面的表2中针对大体立方体形介质谐振器组件30示出，并且在表3中针对平板形介质谐振器组件20示出，以针对填充孔（其中在孔22、32的内表面上设置导电材料的涂层）以及针对未填充孔22、32（其是空气填充的并用金属盖覆盖）两者进行跟随（follow）。

如在前面的表2中可以注意到的，并且如通过使用斜体所指示的，计算揭示了可以使用在位置B和H处的填充孔32来控制X模式，使用在位置D和F处的填充孔32来控制Y模式，并且使用在位置E处的未填充或填充孔32来控制Z模式。孔的这种组合实现了良好的独立控制。角落中的未填充孔32（A、C、G和I）对所有模式的谐振频率具有可忽略不计的影响，并且因此可以用于控制邻近介质谐振器组件之间的耦合，如下面将讨论的。角落中的填充孔32对谐振频率仅具有很小的影响并且可以用于控制邻近的介质谐振器组件之间的耦合，如果注意补偿它们对谐振频率的影响的话。

谐振频率中的计算偏移是针对平板形介质谐振器组件20的下表3中的X模式。

基于表3中提供的结果，所有的孔22增加了X模式的谐振频率，尽管X中心线上的孔（B、E和H）最有效地这样做。

基于上述计算的结果，要用于立方体形介质谐振器组件30的有效的一组调谐孔32是用于调节X模式谐振频率的在位置B和H中的一个或两个处的填充孔32、用于调节Y模式谐振频率的在位置D和F中的一个或两个处的填充孔32、以及用于调节Z模式谐振频率的在位置E处的填充或未填充孔32。这些提供了虽然不完全独立但适度正交的三个自由度。借助于2016年8月3日提交的美国专利申请SN15/227,169（其教导通过引用并入本文）中公开的那种调谐矩阵，计算实现期望的一组谐振频率改变所需的孔深度是直截了当的。计算所需调谐的一种方法是使用从测量的滤波器s参数的耦合矩阵提取。计算的矩阵仅与目标耦合矩阵进行比较，并且所有清楚的偏离通过计算的钻孔调谐进行校正。这种方法也适于耦合调谐。

由于在平板形介质谐振器组件20中仅存在一个要调节的谐振频率（X模式），所以窄面之一上的几乎任何位置处的孔22（A至I）将导致谐振频率偏移。然而，最有效的位置是在面的X中心线上，诸如面6，如针对上表3中的位置B、E和H处的填充孔利用斜体指示的。

如开头所述，其中组合TE（横电）单模和三模陶瓷填充腔的一类介质滤波器在本申请中是感兴趣的。迄今为止这种类型的滤波器在结合之后不能完全调谐，因为结合的面不再是可接近的。

然而，基于上述计算，适于调节这种类型的介质滤波器中的谐振频率的一组孔在图3A中示出。因为所有的孔都位于介质滤波器的单个外侧上，所以介质滤波器可以在组件结合在一起之后进行调谐。使所有的孔都在一侧上在制造期间很大地简化了调谐过程，因为所有的孔都可容易地接近，而没有重新定位介质滤波器的任何需要。

更具体地，图3A是示例性介质滤波器40的透视图，介质滤波器40具有中心大体立方体形介质谐振器组件30，其中具有在每个端部处的两个平板形介质谐振器组件20，由此形成滤波器堆叠。在近似立方体形介质谐振器组件30中，填充有导电材料的孔34设置在类似于图2D中的位置B、D、E、F和H的五个位置处，如上面的表2中概括的计算所建议的。应理解，位置B、D、E、F和H不应被认为是确切的位置，因为它们被定义用于上述的计算。更确切地说，例如，位置E在中心处或附近，而位置B、D、F和H在边的中间处或附近。

类似地，在平板形介质谐振器组件20中的每个中，填充有导电材料的孔24设置在类似于图2B中的位置E的中心位置处，如上面的表3中概括的计算所建议的。再次，应理解，位置E不应被认为是确切的位置，因为它被定义用于上述的计算。更确切地说，例如，位置E在面（面6）的中心处或附近。

图3A中示出的孔24、34可以被识别为对称组。在图3B中的透视图中示出了类似于图3A中所示的介质滤波器但具有一组最少孔24、34、36的示例性介质滤波器50。

更具体地，在示例性介质滤波器50中，近似立方体形介质谐振器组件30，孔34、36设置在类似于图2D中的位置B、E和F的三个位置处，再次如上面的表2中概括的计算所建议的。中心位置（位置E）处的孔36未被填充，而另外两个孔34如上述那样被填充。未填充孔36在中心位置处提供比填充孔34更少的谐振频率偏移，而在位置B和H以及D和F处的两个填充孔34中的一个的使用减少了将由每对中的两个孔一起提供的偏移。

如图3A中的情况那样，平板形介质谐振器组件20中的每个均具有填充有导电材料的孔24，其设置在类似于图2B中的位置E的中心位置处，如上面的表3中概括的计算所建议的，其中未填充孔示出为对谐振频率几乎没有影响。

除了调节谐振频率的能力之外，图2A至2D中所图示的该组孔也允许调节介质谐振器组件之间的电场耦合。然而，为了能够以这种方式调节电场耦合的强度，邻近的介质谐振器组件的平面接触表面上的对齐的耦合孔口必须靠近平面接触表面的角落，因为在介质谐振器组件的外表面上设置的孔离位于平面接触表面的中心中的耦合孔口太远而没有任何影响。

在这方面，现在参考图4A和4B。首先参考图4A（平板形介质谐振器组件20的透视图），耦合孔口26设置在谐振器组件20的平面接触表面（面1或面4）的角落附近，耦合孔口26是其中从谐振器组件20的面去除导电材料的涂层的区域。在角落附近（诸如在位置A、C、G和I处）设置的孔22为了其目的可以是填充的或未填充的。如所示，耦合孔口26可以是正方形的，但也可以以其他形状（诸如圆形）设置。

类似地，参考图4B（大体立方体形介质谐振器组件30的透视图），耦合孔口38设置在谐振器组件30的平面接触表面（面1或面4）的角落附近，耦合孔口38是其中从谐振器组件30的面去除导电材料的涂层的区域。在角落附近（诸如在位置A、C、G和I处）设置的孔32为了其目的可以是填充的或未填充的。如所示，耦合孔口38可以是正方形的，但也可以以其他形状（诸如圆形）设置。

当耦合孔口26、38在角落中时，放置在外表面的角落中的孔22、32非常适于用作耦合调节。参考表2中的角落孔位置（A、C、G和I）所引起的谐振频率偏移，针对未填充孔，谐振频率偏移可以是可忽略不计的，而针对填充孔，谐振频率偏移显著小于针对其他孔位置的那些。因此，由对角落孔的修改所导致的对谐振频率的干扰很小，并且可以通过其他孔来补偿。因此，可以使用角落孔来调节耦合强度。

由于每个孔改变多个量（谐振频率和电场耦合两者），所以将需要使用上面引用的美国专利申请SN15/227,169中公开的那种调谐矩阵来计算实现对所有的谐振频率和电场耦合的期望改变在所有的孔中需要的深度改变。与其中仅讨论谐振频率调节的美国专利申请SN15/227,169中描述的情形不同，在本案中，要调节的量是谐振频率和耦合。

可以通过将角落孔放置在图4A中所示的平板形介质谐振器组件20中或图4B中所示的近似立方体形介质谐振器组件30中来调节耦合。由于立方体中的谐振频率调谐比平板中的那些更关键，所以使用平板中的角落孔来调节耦合将是优选的，因为任何结果所得的频率误差将较不严重。

尽管已经示出了九孔实施例，但所描述的基本方法也将与调谐孔的其他布置一起工作。因此，本发明不限于图2A至2D、3A、3B、4A和4B中所示的3×3孔图案。

针对要调节的耦合的一般要求是孔口靠近结合面（诸如面1或面4）的边，并且调谐孔被放置成靠近该孔口。如上所见，针对要调谐的谐振频率的一般要求取决于所关注的模式，并且将在下面进一步讨论。

放置在面的中间中的某处的填充孔将导致其中电场撞击该面的模式（在孔在面6上的情况下为Z模式）以在谐振频率方面减小，如表2的列7中的E所图示。类似位置中的未填充孔将导致相同模式频率增加，如表2的列4中的E所图示。

由于特定模式而放置在电流流中的填充孔将导致该模式的谐振频率增加。这针对X模式由表2的列5中的B、E和H图示。如可以在图2C和2D中所见的，这些孔在X方向上跨面而布设，并位于Y方向上的中心中。这是X模式电流流的位置。

放置在电流流中的未填充孔将对在孔的位置中具有最小电场的模式（诸如面6上的X模式和Y模式）的谐振频率具有可忽略不计的影响。这通过表2的列2和3中的X模式和Y模式的微小谐振频率偏移来图示。

为了进一步说明当孔的位置改变时的谐振频率偏移的变化，下面示出了示出这些变化的曲线图。它们基于针对具有45的介电常数的17.9mm×18.0mm×18.1mm长方体所执行的计算。孔的尺寸在直径方面为1.0mm，并且为1.0mm深。

图5A示出了作为Y方向上的未填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移，并且图5B示出了作为Y方向上的填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移。因此，孔的位置从图2C和2D中的位置D、E和F变化。X模式、Y模式和Z模式谐振频率偏移在曲线图中被标记。清楚的是，如图5A所示，由于未填充孔而引起的谐振频率偏移几乎完全在Z模式中。还应注意的是，在Z模式的电场最大的情况下，谐振频率偏移针对靠近面（面6）的中心的孔最大。如图5B所示，由于填充孔而引起的谐振频率偏移大部分在Z模式中，尽管针对X模式和Y模式仍然发生显著的偏移。在Z模式的电场最大的情况下，Z模式的谐振频率偏移针对靠近面的中心的孔最大。应注意，Y模式偏移在很大程度上与Y方向上的偏移量无关。这是因为由于流在Y方向上流动，所以孔保持在Y模式的电流流的中间中。通过对照，X模式的谐振频率偏移在中心中是最大的。这是因为Y方向上的位移使孔跨X模式的电流流移动。当偏移量在X方向上时，随着偏移量的谐振频率偏移的变化是类似的，除了交换X模式和Y模式的偏移之外。

图6A示出了作为45度对角线方向上的未填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移，并且图6B示出了作为45度对角线方向上的填充孔与面6的中心的偏移量的函数的X模式、Y模式和Z模式的谐振频率偏移。因此，孔位置从图2C和2D中的位置A、E和I变化。X模式、Y模式和Z模式谐振频率偏移在曲线图中被标记。清楚的是，如图6A所示，由于未填充孔而引起的谐振频率偏移几乎完全在Z模式中。还应注意的是，在Z模式的电场最大的情况下，谐振频率偏移针对靠近面（面6）的中心的孔最大。如图6B所示，由于填充孔而引起的谐振频率偏移大部分在Z模式中，尽管针对X模式和Y模式仍然发生显著的偏移。在Z模式的电场最大的情况下，Z模式的谐振频率偏移针对靠近面的中心的孔最大。X模式和Y模式的谐振频率偏移针对靠近中心的孔也最大，因为这将孔放置在X模式和Y模式电流流中。

为了实现给定的谐振频率偏移，人们可以选择孔直径和深度的某种组合。较大直径孔将不需要像较小直径孔一样深以便产生相同的谐振频率偏移。这给出了选择钻孔直径方面的一些自由。

与诸如以上引用的美国专利申请SN15/227,169中所描述的研磨调谐的情况下可能的偏移相比，根据本方法的可用谐振频率偏移不是非常大，然而它们仍然足够大以在滤波器在结合时接近被调谐时是有用的。

尽管在独立权利要求中阐述了本发明的各个方面，但是本发明的其他方面包括来自所描述的实施例和/或从属权利要求的特征与独立权利要求的特征的其他组合，而不仅仅是在权利要求中明确阐述的组合。

本文还要注意的是，虽然以上描述了本发明的示例实施例，但是这些描述不应在限制性的意义上查看。更确切地说，存在可以在不脱离如所附权利要求中限定的本发明的范围的情况下做出的若干个变型和修改。

Claims (23)

1.RF滤波器的一对联结的介质谐振器组件，所述一对联结的介质谐振器组件包括：

第一介质谐振器组件，包括第一介电材料块，所述第一介电材料块具有第一导电材料的涂层，所述第一介质谐振器组件是一个维度具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的平板形的长方体；和

第二介质谐振器组件，包括第二介电材料块，所述第二介电材料块具有第二导电材料的涂层，所述第二介质谐振器组件是具有基本相等的量值的三个维度的大体立方体形的长方体，

通过将所述第一介质谐振器组件的第一面结合到所述第二介质谐振器组件的第二面而将所述第一介质谐振器组件联结到所述第二介质谐振器组件，使得具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的所述第一介质谐振器组件的所述维度垂直于所述第一面和第二面，所述第一面具有基本相等的量值的维度，所述第一面具有通过从所述第一介电材料块去除所述第一导电材料的涂层的一部分而形成的第一耦合孔口，并且所述第二面具有通过从所述第二介电材料块去除所述第二导电材料的涂层的一部分而形成的第二耦合孔口，所述第一耦合孔口和所述第二耦合孔口在所述第一面结合到所述第二面时彼此对齐，

所述第一介质谐振器组件和所述第二介质谐振器组件由此形成具有两个端面和四个侧面的线性堆叠，所述线性堆叠由此定向在与具有比另外两个维度的基本相等的量值小的量值的所述第一介质谐振器组件的一个维度共同的方向上，

其中在沿线性堆叠的定向的方向上的所述第一介质谐振器组件的侧面的中心线的点处设置第一孔，并且基本上在所述第二介质谐振器组件的侧面的中心中设置第二孔，以调谐所述一对联结的介质谐振器组件的谐振频率。

2.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第一孔和所述第二孔在所述线性堆叠的相同侧面上。

3.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第一孔用金属盖覆盖。

4.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第一孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第一导电材料的涂层进行电接触。

5.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第二孔用金属盖覆盖。

6.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第二孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第二导电材料的涂层进行电接触。

7.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中在所述第二介质谐振器组件的侧面上设置第三孔，所述第三孔邻近于所述第二面并基本上在所述侧面的角落之间的中途，以调谐所述第二介质谐振器组件的第二谐振频率。

8.根据权利要求7所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第二孔和所述第三孔在所述线性堆叠的相同侧面上。

9.根据权利要求7所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第三孔用金属盖覆盖。

10.根据权利要求7所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第三孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第二导电材料的涂层进行电接触。

11.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中在所述第二介质谐振器组件的侧面上设置第四孔，所述第四孔邻近于所述侧面的侧边并基本上在所述侧面的角落之间的中途，以调谐所述第二介质谐振器组件的第三谐振频率。

12.根据权利要求11所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第二孔和所述第四孔在所述线性堆叠的相同侧面上。

13.根据权利要求11所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第四孔用金属盖覆盖。

14.根据权利要求11所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第四孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第二导电材料的涂层进行电接触。

15.根据权利要求1所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第一耦合孔口邻近于所述第一面的角落，并且所述第二耦合孔口邻近于所述第二面的角落。

16.根据权利要求15所述的一对联结的介质谐振器组件，其中在所述第一介质谐振器组件的侧面上设置第五孔，所述第五孔邻近于所述侧面的角落并邻近于与所述第一耦合孔口邻近的所述第一面的角落，以调节所述一对联结的介质谐振器组件的耦合。

17.根据权利要求16所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第一孔和所述第五孔在所述线性堆叠的相同侧面上。

18.根据权利要求16所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第五孔用金属盖覆盖。

19.根据权利要求16所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第五孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第一导电材料的涂层进行电接触。

20.根据权利要求15所述的一对联结的介质谐振器组件，其中在所述第二介质谐振器组件的侧面上设置第六孔，所述第六孔邻近于所述侧面的角落并且邻近于与所述第二耦合孔口邻近的所述第二面的角落，以调节所述一对联结的介质谐振器组件的耦合。

21.根据权利要求20所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第二孔和所述第六孔在所述线性堆叠的相同侧面上。

22.根据权利要求20所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第六孔用金属盖覆盖。

23.根据权利要求20所述的一对联结的介质谐振器组件，其中所述第六孔内衬有导电材料的涂层，从而与所述第二导电材料的涂层进行电接触。