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CN108122946B - 有机发光显示器 - Google Patents

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CN108122946B CN201711041725.5A CN201711041725A CN108122946B CN 108122946 B CN108122946 B CN 108122946B CN 201711041725 A CN201711041725 A CN 201711041725A CN 108122946 B CN108122946 B CN 108122946B
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Abstract

公开了具有镜功能的有机发光显示器。在除了设置有形成在其中的发光器件的发光区之外的所有区域中形成的遮光反射层防止光进入有源层的沟道区域并且当发光器件未工作时反射外部光，因此有机发光显示器可以稳定地实现镜功能。

Description

有机发光显示器
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第P2016-0161363号的权益，其通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及有机发光显示器，更具体地，涉及具有镜功能的有机发光显示器。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的显示装置是信息和通信时代的核心技术，并且已经被开发以满足厚度小、重量轻、便携和高性能的趋势。因此，作为可以减轻重量和体积以弥补阴极射线管(CRT)的缺陷的平板显示器，控制从有机发光层发射的光的量从而显示出图像的有机发光显示器现在备受关注。这种有机发光显示器是自发光显示器，并且具有低功耗、高响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角等优点。
近来，多功能有机发光显示器已经受到关注。特别地，现在需要一种镜式有机发光显示器，其在显示器被驱动时用作产生图像的显示器并且当显示器未被驱动时用作镜。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机发光显示器，其基本上消除了由于相关技术的局限和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有镜功能的有机发光显示器。
本发明的另外的优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将对本领域技术人员在通过以下的研究之后变得明显或者可以从本发明的实践中获悉。本发明的目的和其他优点可以通过在书面说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文所实施和概括性描述的，有机发光显示器包括设置在基板的每个发光区中的发光器件，以及要设置在除了发光区以外的所有区域中的形成在基板上的遮光反射层。
应当理解，本发明的前述一般性描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图并入并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的镜式有机发光显示器的平面图；
图2是示出根据本发明的镜式有机发光显示器的截面图；
图3A和图3B是示出连接至图2中所示的遮光反射层的遮光焊盘的各种实例的截面图；
图4A和图4B是示出图2中所示的镜式有机发光显示器的发光模式和镜模式的截面图；以及
图5A至图5I是示出制造图2中所示的镜式有机发光显示器的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施方案，其实例在附图中示出。
图1是示出根据本发明的有机发光显示器的平面图；并且图2是示出根据本发明的有机发光显示器的截面图。
图1和图2中所示的有机发光显示器包括有源区AA和焊盘区PA。
在焊盘区PA中，形成多个焊盘170，所述多个焊盘170分别向位于有源区域AA中的扫描线SL、数据线DL、低电压(VSS)供给线(未示出)和高电压(VDD)供给线(未示出)提供驱动信号。
每个焊盘170包括第一焊盘电极172、第二焊盘电极174和焊盘盖电极176。
第一焊盘电极172由与在栅极绝缘图案112上的栅电极106和156相同的材料形成，栅电极106和156与第一焊盘电极172具有相同形状。
第二焊盘电极174导电地连接至经由穿过层间绝缘膜116的第一焊盘接触孔178a而露出的第一焊盘电极172。第二焊盘电极174由与在层间绝缘膜116上的源电极和漏电极108、158、110和160相同的材料形成，以与源电极和漏电极108、158、110和160共面。
焊盘盖电极176导电地连接至经由穿过保护膜118的第二焊盘接触孔178b而露出的第二焊盘电极174。此外，如图3A和图3B中所示例性示出的，焊盘盖电极176接触暴露于外部并且设置有安装在其上的驱动集成电路的电路传输膜190或连接至驱动集成电路的电路传输膜190。在此，焊盘盖电极176由具有高耐腐蚀性和高耐酸性的金属形成在保护膜118上，因此即使焊盘盖电极176暴露于外部也可以防止由于外部水分而引起焊盘盖电极176的腐蚀。例如，焊盘盖电极176可以由与阳极132相同的材料形成并且与阳极132共面。也就是说，焊盘盖电极176由具有高耐腐蚀性和高耐酸性的透明导电膜例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。
在有源区域中，多个子像素SP布置成矩阵，因此显示图像。子像素SP包括红色子像素SP、绿色子像素SP、蓝色子像素SP和白色子像素SP，从而形成单位像素。红色、绿色、蓝色和白色子像素SP可以在各个单位像素中以各种顺序布置，并且红色、绿色、蓝色和白色子像素SP的顺序或布置可以根据色感或结构而变化。红色、绿色、蓝色和白色子像素SP中的每一个包括设置在发光区EA中的发光器件130以及用于独立地驱动发光器件130的像素驱动电路。
像素驱动电路包括开关薄膜晶体管TS、驱动薄膜晶体管TD和存储电容器Cst。在此，开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD设置在除了各子像素SP的发光区EA以外的非发光区的电路区中，并且存储电容器Cst设置在每个子像素SP的发光区EA中。
开关薄膜晶体管TS在扫描脉冲被提供给扫描线SL时导通，并且将提供给数据线DL的数据信号提供给存储电容器Cst和驱动薄膜晶体管TD的栅电极156。如图2中所示例性示出的，开关薄膜晶体管Ts包括连接至扫描线SL的第一栅电极106、连接至数据线DL的第一源电极108、连接至第二栅电极156的第一漏电极110、以及第一有源层104。
驱动薄膜晶体管TD根据充载存储电容器Cst的驱动电压来控制从高电压(VDD)供给线提供的电流，并且因此将与驱动电压成比例的电流提供给发光器件130，由此使发光装置130发光。驱动薄膜晶体管TD包括连接至第一漏电极110的第二栅电极156、连接至高电压(VDD)供给线的第二源电极158、连接至发光器件130的第二漏电极160、以及第二有源层154。
在开关薄膜晶体管TS的第一栅电极106与第一有源层104之间以及在驱动薄膜晶体管TD的第二栅电极156与第二有源层154之间置入有与第一栅电极106及第二栅电极156具有相同图案的栅极绝缘图案112的条件下，开关薄膜晶体管TS的第一栅电极106和驱动薄膜晶体管TD的第二栅电极156分别与第一有源层104和第二有源层154交叠。
在第一有源层104和第二有源层154之间置入有栅极绝缘图案112的条件下，第一有源层104和第二有源层154分别与第一栅电极106和第二栅电极156交叠，从而形成在第一源电极108与第一漏电极之间的沟道区以及在第二源电极158与第二漏电极160之间的沟道区。第一有源层104和第二有源层154由包括选自Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf和Zr的至少一种金属的氧化物半导体形成或者由多晶硅或非晶硅形成。
第一源电极108和第二源电极158分别经由穿过层间绝缘膜116形成的第一源极接触孔124S和第二源极接触孔164S连接至第一有源层104和第二有源层154。第一漏电极110和第二漏电极160分别经由穿过层间绝缘膜116形成的第一漏极接触孔124D和第二漏极接触孔164D连接至第一有源层104和第二有源层154。第一源电极108和第二源电极158以及第一漏电极110和第二漏电极160具有依次堆叠透明导电膜162a和不透明导电膜162b的结构。在此，透明导电膜162a由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等材料形成，不透明导电膜162b形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti、Ag-Pb-Cu(APC)或其合金的单层结构或多层结构。
第一漏电极110导电地连接至驱动薄膜晶体管TD的第二栅电极156。第二漏电极160经由穿过保护膜118形成的像素接触孔120露出，从而连接至阳极132。
在第一有源层104与基板101之间以及在第二有源层154与基板101之间形成缓冲膜114。缓冲膜114具有在由玻璃或塑料树脂如聚酰亚胺(PI)形成的基板101上的由氧化硅或氮化硅形成的单层结构或多层结构。缓冲膜114防止由基板101产生的水分或杂质的扩散或调节结晶时的传热速度，从而用于有利于第一有源层104和第二有源层154的结晶。
存储电容器Cst包括存储下电极142和存储上电极144，在存储下电极142和存储上电极144之间置入有层间绝缘膜116的条件下，存储下电极142和存储上电极144彼此交叠。
存储下电极142连接至开关薄膜晶体管TS的第一漏电极110。存储下电极142由与缓冲膜114上的开关薄膜晶体管TS的第一有源层104和驱动薄膜晶体管TD的第二有源层154相同的透明材料形成。
存储上电极144连接至驱动薄膜晶体管TD的第二漏电极160。存储上电极144从层间绝缘膜116上的驱动薄膜晶体管TD的第二漏电极160的透明导电层162a延伸。
如此，存储电容器140的由透明材料形成的存储下电极142和存储上电极144设置在发光区EA中，因此可以提高开口率。
发光器件130包括连接至驱动薄膜晶体管TD的第二漏电极160的阳极132、形成在阳极132上的至少一个发光堆叠体134、以及形成在发光堆叠体上的阴极136。
阳极132设置在平坦化层128上并经由堤部138露出。阳极132导电地连接至经由像素接触孔120露出的驱动薄膜晶体管TD的第二漏电极160。阳极132由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电膜形成，并且使由发光堆叠体134产生的光朝向基板101透射。
发光堆叠体134通过在阳极132上以正常顺序或以相反顺序堆叠空穴相关层、有机发光层和电子相关层来形成。此外，可以提供第一发光堆叠体和第二发光堆叠体，在第一发光堆叠体和第二发光堆叠体之间置入有电荷产生层(CGL)的条件下，第一发光堆叠体和第二发光堆叠体彼此相对。在这种情况下，第一发光堆叠体和第二发光堆叠体中的一个的有机发光层产生蓝光，并且第一发光堆叠体和第二发光堆叠体中的另一个的有机发光层产生黄绿光，从而通过第一发光堆叠体和第二发光堆叠体产生白光。
堤部138露出阳极132，从而提供发光区EA。堤部138可以由不透明材料(例如，黑色材料)形成，以防止相邻子像素SP之间的光学干扰。在这种情况下，堤部138可以由包括彩色颜料、有机黑色颜料和碳中的至少一种的遮光材料形成。
阴极136形成在发光堆叠体134和堤部138的上表面和侧表面上，以在阳极132和阴极136之间置入发光堆叠体134的条件下与阳极132相对。阴极136形成为具有包括反射效率高的不透明导电膜的单层结构，或者形成为具有包括透明导电膜和反射效率高的不透明导电膜的多层结构。透明导电膜由具有比较高的功函数值的材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，并且不透明导电膜形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti、Ag-Pb-Cu(APC)或其合金的单层结构或多层结构。例如，阴极136可以形成为具有依次堆叠有透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜的结构，或者具有依次堆叠有透明导电膜和不透明导电膜的结构。包括反射效率高的不透明导电膜的阴极136使由发光堆叠体134产生的光朝向基板101反射。
滤色器148设置在保护膜118上以与由堤部138提供的发光区EA交叠。红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器148中的一个设置在各个子像素SP中。也就是说，红色(R)滤色器148设置在红色(R)子像素SP中；绿色(G)滤色器148设置在绿色(G)子像素SP中；蓝色(B)滤色器148设置在蓝色(B)子像素SP中。因此，由发光器件130产生的白光通过滤色器148，从而产生对应于滤色器148的颜色的光。滤色器148可以延伸以覆盖开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD。
另外，在没有滤色器148的情况下，每个发光堆叠体134可以产生颜色对应于每个子像素SP的光。也就是说，红色(R)子像素SP的发光堆叠体134可以发射红光；绿色(G)子像素SP的发光堆叠体134可以发射绿光；并且蓝色(B)子像素SP的发光堆叠体134可以发射蓝光。
为了以镜模式操作根据本发明的上述有机发光显示器，提供设置在非发光区中的遮光反射层102，这不影响开口率。
在除了每个子像素SP的发光区EA之外的非发光区中形成遮光反射层102。遮光反射层102与设置在电路区CA中的开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD交叠。此外，遮光反射层102与连接至开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD的扫描线SL、数据线DL、低电压(VSS)供给线和高电压(VDD)供给线交叠，并且与在其中形成有焊盘170的焊盘区PA交叠。因此，遮光反射层102用于反射从外部入射在非发光区上的外部光，以使有机发光显示器在镜模式下操作。
遮光反射层102形成在基板101上，以在在遮光反射层102与有源层104之间以及在遮光反射层102与有源层154之间置入有缓冲膜114的条件下与开关薄膜晶体管TS的有源层104和驱动薄膜晶体管TD的有源层154交叠。因此，遮光反射层102可以阻挡入射到开关薄膜晶体管TS的有源层104和驱动薄膜晶体管TD的有源层154上的外部光。
遮光反射层102由接触基板101的下表面的反射率高于接触缓冲膜114的上表面的反射率的材料形成，或者由接触基板101的下表面和接触缓冲膜114的上表面的反射率高的材料形成。遮光反射层102形成为具有包括选自Mo、Ti、Al、Cu、Cr、Co、W、Ta、Ni、MoTi、CuNx和Cr中的至少一种具有高反射率的材料的单层结构或多层结构。在此，遮光反射层102具有根据遮光反射层102的材料的变化的厚度。
如下面的表1所示，Ti和Mo的反射率随着其厚度增加直到
Figure BDA0001450725100000071
而增加，随后随着其厚度进一步增加到高于
Figure BDA0001450725100000072
而降低。Cu的厚度随着其厚度增加直到
Figure BDA0001450725100000073
而增加，然后随着其厚度进一步增加到高于
Figure BDA0001450725100000074
而降低。ITO/APC/ITO的反射率随着APC的厚度在ITO的厚度固定至
Figure BDA0001450725100000075
的条件下增加到
Figure BDA0001450725100000076
和
Figure BDA0001450725100000077
而增加，并且在APC的厚度增加到
Figure BDA0001450725100000078
或更大时保持在92％或更大。MoTi的反射率随其厚度增加到
Figure BDA0001450725100000079
而增加，然后随着其厚度进一步增加到高于
Figure BDA00014507251000000710
而降低。Al的反射率随着其厚度增加而增加，并且在其厚度增加到
Figure BDA00014507251000000711
或更大时保持在92％或更大。
表1
Figure BDA00014507251000000712
Figure BDA0001450725100000081
因此，由Ti形成的遮光反射层102可以设计为具有
Figure BDA0001450725100000082
至
Figure BDA0001450725100000083
的厚度，由Mo形成的遮光反射层102可以设计为具有
Figure BDA0001450725100000084
至
Figure BDA0001450725100000085
的厚度，由ITO/APC/ITO形成的遮光反射层102可以设计为具有
Figure BDA0001450725100000086
或更大的厚度，由Cu形成的遮光反射层102可以设计为具有
Figure BDA0001450725100000087
至
Figure BDA0001450725100000088
的厚度，由MoTi形成的遮光反射层102可以设计为具有
Figure BDA0001450725100000089
至
Figure BDA00014507251000000810
的厚度，并且由Al形成的遮光反射层102可设计为具有
Figure BDA00014507251000000811
或更大的厚度。
如果设置在基板101上的遮光反射层102保持浮置状态，则与遮光反射层102交叠的开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD的阈值电压改变，因此开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD发生故障。因此，在本发明中，提供给发光器件130的阴极136的基准电压(GND)或低电压(VSS)被提供给遮光反射层102，从而防止开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD发生故障。如果遮光反射层102连接至开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD中的至少之一的电极，则开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD可能通过形成除了发光区EA以外的所有区域中的遮光反射层102而短路。因此，根据本发明的有机发光显示器的遮光反射层102可不连接至开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD中的任一个。
如在图3A和图3B中所示的，为了向遮光反射层102提供基准电压(GND)或低电压(VSS)，提供了连接至遮光反射层102的遮光焊盘180。
图3A中所示的遮光焊盘180从遮光反射层102延伸并通过与遮光反射层102相同的掩模工艺形成。因此，遮光焊盘180由与遮光反射层102相同的材料形成在基板101上以与遮光反射层102共面。遮光焊盘180通过穿过缓冲膜114、层间绝缘膜116和保护膜118的遮光接触孔186露出。
图3B中所示的遮光焊盘180包括遮光下电极182和遮光上电极184。遮光下电极182从遮光反射层102延伸并通过与遮光反射层102相同的掩模工艺形成因此，遮光下电极182由与遮光反射层102相同的材料形成在基板101上，以与遮光反射层102共面。遮光上电极184为通过与焊盘盖电极176相同的掩模工艺形成。因此，遮光上电极184由与保护膜118上的焊盘盖电极176相同的材料形成为与焊盘盖电极176共面。遮光上电极184连接至通过穿过缓冲膜114、层间绝缘膜116和保护膜118的遮光接触孔186露出的遮光下电极182。
图3A或图3B中所示的遮光焊盘180通过导电膜196连接至具有提供基准电压(GND)或低电压(VSS)的信号提供端子194的电路传输膜190。也就是说，如图3A中所示例性示出的，通过遮光接触孔186露出的遮光焊盘180通过导电膜196连接至电路传输膜190。此外，如图3B中所示例性示出的，遮光焊盘180的通过遮光接触孔186连接至遮光下电极182的遮光上电极184通过导电膜196连接至电路传输膜190。
在此，电路传输膜190可以是其上形成连接至焊盘盖电极176的信号提供端子192的电路传输膜，或者电路传输膜190可以与其上形成连接至焊盘盖电极176的信号提供端子192的电路传输膜分开设置。
根据本发明的上述镜式有机发光显示器在其中镜式有机发光显示面板工作以显示图像的发光模式下操作，如图4A中所示例性示出的；并且在其中镜面式有机发光显示面板不工作以实现镜功能的镜模式下操作，如图4B所示例性示出的。
如果有机发光显示器在发光模式下操作，则有机发光器件的阴极136和阳极132之间的发光堆叠体134发光。在此，通过用作反射电极的阴极136，由发光堆叠体134产生的内部光IL朝向对应于观看面的基板101的背表面上的发光区EA发射，从而显示图像。
如果有机发光显示器在镜模式下操作，则有机发光显示面板的电力处于断开状态，并且发光区EA处于黑色状态。因此，如图4B中所示出的，外部光OL被形成在非发光区中的遮光反射层102反射。因此有机发光显示器用作镜。
如此，在根据本发明的有机发光显示器中，防止外部光进入有源层104和154的沟道区的遮光反射层102形成在除了发光区EA之外的所有区域中。因此，当根据本发明的有机发光显示器处于非操作状态时，遮光反射层102用作反射镜，因此，有机发光显示器可以稳定地实现为镜式显示器。
此外，根据本发明的有机发光显示器通过背表面发光结构实现为镜式显示器，因此，与使用前表面发光结构的情况相比，不需要设置有形成在其上的反射层的单独的上板结构，并且不需要偏振片来实现镜模式。因此，根据本发明的有机发光显示器不需要将传统的前表面发光型显示面板和设置有形成在其上的反射层的上板结构接合的工艺以及将偏光板附接到显示面板的工艺，因此可以简化结构和制造工艺并提高生产率。
图5A至图5I是示出制造图2所示的镜式有机发光显示器的方法的截面图。
参照图5A，在基板101上形成遮光反射层102。
更详细地，通过沉积工艺在基板101上形成具有反射性的第一导电层。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对第一导电层进行图案化，从而形成遮光反射层102。
参照图5B，在设置有遮光反射层102的基板101上形成缓冲膜114，并且在缓冲膜114上形成第一有源层104和第二有源层154以及存储下电极142。
更详细地，通过在具有遮光反射层102的基板101的整个表面上沉积诸如SiOx或SiNx的无机绝缘材料而形成具有单层结构或多层结构的缓冲膜114。此后，在设置有缓冲膜114的基板101上沉积半导体层，然后通过光刻工艺和蚀刻工艺进行图案化，从而形成第一有源层104和第二有源层154以及存储下电极142。
参照图5C，在设置有第一有源层104和第二有源层154以及存储下电极142的缓冲膜114上形成栅极绝缘图案112，并且在栅极绝缘图案112上形成第一栅电极106和第二栅电极156以及第一焊盘电极172。
更详细地，在设置有第一有源层104和第二有源层154以及存储下电极142的缓冲膜114上形成栅极绝缘膜，并且通过沉积方法例如溅射在栅极绝缘膜上形成第二导电层。使用诸如SiOx或SiNx的无机绝缘材料作为栅极绝缘膜。第二导电层形成为具有包括选自Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr及其合金的金属的单层结构，或者形成为具有包括选自Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr及其合金的金属的多层结构。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺同时对第二导电层和栅极绝缘膜进行图案化，由此形成第一栅电极106和第二栅电极156以及第一焊盘电极172并且在第一焊盘电极172下形成栅极绝缘图案112。
参照图5D，在设置有第一栅电极106和第二栅电极156以及第一焊盘电极172的基板101上形成具有源极接触孔124S、164S和漏极接触孔124D、164D以及第一焊盘接触孔178a的层间绝缘膜116。
更详细地，通过诸如PECVD的沉积方法在设置有第一栅电极106和第二栅电极156以及第一焊盘电极172的基板101上形成层间绝缘膜116。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺来选择性地图案化层间绝缘膜116和缓冲膜104，从而形成源极和漏极接触孔124S、124D、164S和164D以及第一焊盘接触孔178a。穿过层间绝缘膜116形成源极接触孔124S、164S和漏极接触孔124D、164D以及第一焊盘接触孔178a，从而露出第一有源层104和第二有源层154以及第一焊盘电极172。
参照图5E，在设置有源极接触孔124S、164S和漏极接触孔124D、164D以及第一焊盘接触孔178a的层间绝缘膜116上形成第一源电极108和第二源电极158、第一漏电极110和第二漏电极160、存储上电极144和第二焊盘电极174。
更详细地，通过沉积方法例如溅射在层间绝缘膜116上形成第三导电层。第三导电层形成为具有包括选自Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr及其合金的金属的单层结构，或者形成为具有包括选自Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr及其合金的金属的多层结构。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对第三导电层进行图案化，从而在层间绝缘膜116上形成第一源电极108和第二源电极158、第一漏电极110和第二漏电极160、存储上电极144和第二焊盘电极174。
参照图5F，在设置有第一源电极108和第二源电极158、第一漏电极110和第二漏电极160、存储上电极144和第二焊盘电极174的基板101上形成保护膜118，并且在保护膜118上形成滤色器148。
更详细地，在设置有第一源电极108和第二源电极158、第一漏电极110和第二漏电极160、存储上电极144和第二焊盘电极174的基板101的整个表面上沉积无机绝缘材料例如SiOx或SiNx，从而形成保护膜118。此后，将彩色树脂施加到保护膜118，然后通过光刻工艺进行图案化，从而形成滤色器148。
参照图5G，在设置有滤色器148的基板101上形成具有像素接触孔120和第二焊盘接触孔178b的平坦化层128。
更详细地，将有机膜例如光学丙烯酸树脂施加到设置有滤色器148的基板101的整个表面，从而形成平坦化层128。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对平坦化层128和保护层膜118进行图案化，从而形成像素接触孔120和第二焊盘接触孔178b。
参照图5H，在设置有具有像素接触孔120和第二焊盘接触孔178b的平坦化层128的基板101上形成阳极132和焊盘盖电极176。
更详细地，在设置有具有像素接触孔120和第二焊盘接触孔178b的平坦化层128的基板101的整个表面上沉积第四导电层。使用透明导电膜作为第四导电层。此后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对第四导电层进行图案化，从而形成阳极132和焊盘盖电极176。
参照图5I，在设置有阳极132和焊盘盖电极176的基板101上形成堤部138，然后在其上依次形成有机发光堆叠体134和阴极136。
更详细地，将感光有机膜施加到设置有阳极132和焊盘盖电极176的基板101的整个表面上，然后通过光刻工艺进行图案化，从而形成堤部138。通过使用阴影掩模的沉积工艺，在设置有堤部138的基板101上依次形成发射白光的发光堆叠体134和阴极136。
尽管在上述描述中每个像素驱动电路都包括开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD，但是每个像素驱动电路还可以包括感测薄膜晶体管，其感测驱动薄膜晶体管TD的阈值电压。
根据上面的描述明显的是，在根据本发明的有机发光显示器中，防止外部光进入沟道区的遮光反射层形成在除了发光区之外的所有区域中，并且当有机发光显示器处于非操作状态时用作镜子，从而有机发光显示器可以稳定地实现为镜式显示器。
此外，根据本发明的有机发光显示器实现为使用背表面发光结构的镜式显示器，因而，与使用前表面发光结构的情况相比，不需要设置有形成在其上的反射层的单独的上板结构。因此，根据本发明的有机发光显示器可以简化其结构和制造工艺，从而提高产率。
对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和改变。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变型，只要其在所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (11)

1.一种能够实现为镜模式的有机发光显示器，包括：
设置在基板的每个发光区中的发光器件；和
位于所述基板上的设置在除了所述发光区之外的所有区域中的遮光反射层；以及
其中，在所述有机发光显示器在操作状态的情况下，由所述发光器件产生的内部光朝向所述基板的背表面上的所述发光区发射，以及
其中，在所述有机发光显示器在非操作状态的情况下，所述遮光反射层用作反射镜；以及
其中所述遮光反射层由厚度
Figure FDA0003432805850000011
至
Figure FDA0003432805850000012
的Ti构成，由厚度为
Figure FDA0003432805850000013
至
Figure FDA0003432805850000014
的Mo构成，由厚度为
Figure FDA0003432805850000015
至
Figure FDA0003432805850000016
的Cu形成，由厚度为
Figure FDA0003432805850000017
至
Figure FDA0003432805850000018
的MoTi构成，或者由厚度为
Figure FDA0003432805850000019
至
Figure FDA00034328058500000110
的Al构成；以及
其中所述遮光反射层交叠设置在电路区中的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，并且交叠连接至所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的扫描线、数据线、低电压(VSS)供给线和高电压(VDD)供给线，并且交叠在其中形成有焊盘的焊盘区。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述基板和所述遮光反射层上以覆盖所述遮光反射层的缓冲膜。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中提供给所述发光器件的阴极的基准电压或低电压被提供给所述遮光反射层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示器，还包括：
连接至所述遮光反射层的遮光焊盘；以及
电路传输膜，所述电路传输膜具有信号提供端子，所述信号提供端子将提供给所述发光器件的阴极的所述基准电压或所述低电压提供给所述遮光焊盘。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中：
所述遮光焊盘从所述遮光反射层延伸并经由穿过设置在所述遮光反射层上的多个绝缘膜的遮光接触孔露出；以及
所述遮光焊盘连接至所述电路传输膜。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中所述遮光焊盘包括：
从所述遮光反射层延伸的遮光下电极；
穿过设置在所述遮光下电极上的多个绝缘膜的遮光接触孔；以及
连接至通过所述遮光接触孔露出的所述遮光下电极的遮光上电极，
其中所述遮光焊盘的所述遮光上电极连接至所述电路传输膜。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中：
穿过所述基板入射的外部光被所述遮光反射层反射并且经所述基板的除了所述发光区之外的所有区域发射；以及
由所述发光器件产生的所述内部光被所述发光器件的阴极反射并且经所述基板的所述发光区发射。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述有机发光显示器还包括存储电容器，所述存储电容器包括：
连接至所述开关薄膜晶体管的存储下电极；以及
连接至所述驱动薄膜晶体管的存储上电极，
其中所述存储下电极和所述存储上电极由透明材料构成并且设置在所述发光区中。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器，其中所述存储下电极由与所述驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的有源层相同的材料形成，以及
其中所述存储上电极从所述驱动薄膜晶体管的漏电极的透明导电层延伸。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示器，还包括滤色器，所述滤色器配置为交叠所述发光区以及覆盖所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管中的至少之一。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述遮光反射层具有根据所述遮光反射层的材料而变化的厚度。
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