Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN107748299A - 一种单芯片集成多环境兼容性传感器 - Google Patents

一种单芯片集成多环境兼容性传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN107748299A
CN107748299A CN201710961435.6A CN201710961435A CN107748299A CN 107748299 A CN107748299 A CN 107748299A CN 201710961435 A CN201710961435 A CN 201710961435A CN 107748299 A CN107748299 A CN 107748299A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
silicon
chip integration
processor
environment compatible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710961435.6A
Other languages
English (en)
Inventor
马清
詹望
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henan Convergence Technology Co Ltd
Original Assignee
Henan Convergence Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henan Convergence Technology Co Ltd filed Critical Henan Convergence Technology Co Ltd
Priority to CN201710961435.6A priority Critical patent/CN107748299A/zh
Publication of CN107748299A publication Critical patent/CN107748299A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/186—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer using microstructures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/226—Construction of measuring vessels; Electrodes therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种单芯片集成多环境兼容性传感器，包括封装衬底、硅转接板、处理器以及堆叠内存，硅转接板设置在所述封装衬底的上侧面，硅转接板的端部嵌接有嵌入式硅基器件和嵌入式无源器件；处理器搭载在硅转接板的上侧面，堆叠内存设置在处理器的上侧面，堆叠内存的左侧的处理器上设置有CMOS信号处理电路，CMOS信号处理电路与堆叠内存互连；硅转接板上通过TSV设置有电场传感器、加速度传感器、压力传感器、温度传感器、湿度传感器以及RF芯片，本发明具有集成度高、体积小、兼容性强、可靠性高的优点。

Description

一种单芯片集成多环境兼容性传感器
技术领域
本发明属于无线传感器技术领域，具体涉及一种单芯片集成多环境兼容性传感器。
背景技术
多传感器三维异质集成方法与系统以其独特的优势，成为MEMS及传感器集成系统重要的解决方法，也是未来实现复杂集成系统的重要策略，在民用领域和军事领域正在取代单一传感器系统，成为未来的发展方向。
尽管多传感器三维集成微系统为传感器的发展描绘了未来的方向，多传感器异质集成系统实现了复杂功能，并且一些商用产品已经出现，但是总体上多传感器集成仍处于发展过程中，实现多MEMS 传感器与CMOS 电路的三维集成仍面临巨大的技术挑战：
（1）复杂系统中多传感器自身的工艺兼容性问题：多数传感器的结构、敏感机理和制造方法各不相同，如何通过一次工艺制造多传感器，是实现系统集成所面临的首要问题，亦或采用插入层的方式实现多传感器的集成，但如何提高集成度、减小体积并降低相互干扰仍旧是非常困难的；
（2）MEMS 传感器三维集成工艺兼容性问题，绝大多数MEMS 传感器具有脆弱的悬空微结构，在三维集成过程中很容易被破坏，导致常规三维集成方法对多数MEMS 传感器并不适用；
（3）多传感器三维集成是一个复杂系统，在系统可靠性、器件特性、热力学等基础理论方面有大量问题尚待解决；
（4）微米纳米集成传感器在跨尺度的能量转换过程和机理、被测物理化学量的交叉干扰，以及传感器的应力控制和纳米传感器噪声控制等方面仍旧有很多问题尚未解决。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足而提供一种集成度高、体积小、兼容性强、可靠性高的单芯片集成多环境兼容性传感器。
本发明的技术方案如下：一种单芯片集成多环境兼容性传感器，包括封装衬底（1）、硅转接板（2）、处理器（3）以及堆叠内存（4），所述硅转接板（2）设置在所述封装衬底（1）的上侧面，硅转接板（2）的端部嵌接有嵌入式硅基器件（5）和嵌入式无源器件（6）；所述处理器（3）搭载在硅转接板（2）的上侧面，所述堆叠内存（4）设置在处理器（3）的上侧面，所述堆叠内存（4）的左侧的处理器（3）上设置有CMOS信号处理电路（7），所述CMOS信号处理电路（7）与堆叠内存（4）互连；硅转接板（2）上通过TSV设置有电场传感器（8）、加速度传感器（9）、压力传感器（10）、温度传感器（11）、湿度传感器（12）以及RF芯片（13）。
优选的，所述电场传感器（8）为基于SOI的水平感应式鱼骨结构。
优选的，所述加速度传感器（9）采用SOI衬底较厚的器件层作为质量块和叉指电容。
优选的，所述压力传感器（10）为压阻式，所述压力传感器（10）由承载膜片和设置在承载膜片上的压敏电阻（14）构成，所述承载膜片包括保护层二氧化硅（15）和埋层二氧化硅（16），所述压敏电阻（14）设置在所述保护层二氧化硅（15）的下侧面。
优选的，所述温度传感器（11）采用溅射的Pt电阻，所述Pt电阻的阻值随温度变化的特性为Rt= R0 (1+αt + βt +γt + ⋅⋅⋅)，其结构为折线型结构。
优选的，所述湿度传感器（12）为在两层Pt电极之间加入一层聚酰亚胺构成的三明治结构电容。
优选的，所述三明治结构电容湿度传感器（12）的实现方法为，两层Pt电极采用正胶剥离技术进行图形化，将上层Pt电极正胶剥离后，利用RIE干法刻蚀将Pt电极的形状复制到聚酰亚胺层，形成两层Pt电极夹杂聚酰亚胺层构成的折线状电容。
优选的，所述CMOS信号处理电路（7）与处理器（3）之间通过金属共晶键合和高分子键合进行永久键合。
优选的，所述金属共晶键合为Cu-Sn金属共晶键合，其反应温度为227℃，所述高分子键合采用BCB实现，键合温度为230-250℃。
优选的，所述电场传感器（8）、加速度传感器（9）和压力传感器（10）的周围使用Cu-Sn金属共晶键合在硅转接板（2）上。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：将多传感器集成在一个硅转接板上，构成多环境检测的集成式芯片传感器，减小了常规传感器的体积；通过RF芯片实现集成多环境兼容性传感器与上位机的信号传递；通过金属共晶键合和高分子键合技术对各器件之间进行永久键合，从而提高系统的可靠性并减小应力，同时采用TS技术解决热力学问题。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明中的压力传感器的结构示意图。
图3为本发明的信号流程框图。
其中，1、封装衬底，2、硅转接板，3、处理器，4、堆叠内存，5、嵌入式硅基器件，6、嵌入式无源器件，7、CMOS信号处理电路，8、电场传感器，9、加速度传感器，10、压力传感器，11、温度传感器，12、湿度传感器，13、RF芯片，14、压敏电阻，15、保护层二氧化硅，16、埋层二氧化硅。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1至图3所示，一种单芯片集成多环境兼容性传感器，包括封装衬底1、硅转接板2、处理器3以及堆叠内存4，所述硅转接板2设置在所述封装衬底1的上侧面，硅转接板2的端部嵌接有嵌入式硅基器件5和嵌入式无源器件6；所述处理器3搭载在硅转接板2的上侧面，所述堆叠内存4设置在处理器3的上侧面，所述堆叠内存4的左侧的处理器3上设置有CMOS信号处理电路7，所述CMOS信号处理电路7与堆叠内存4互连；硅转接板2上通过TSV设置有电场传感器8、加速度传感器9、压力传感器10、温度传感器11、湿度传感器12以及RF芯片13。
在本实施例中，所述电场传感器8为基于SOI的水平感应式鱼骨结构，从而实现对屏蔽电极的驱动，利用感应电极感应电荷以产生交变电流，从而实现测量的高分辨率和高灵敏度，并且采用鱼骨结构的热激励驱动结构，对硅梁施加一定频率的电压使其周期性地发热和冷却，进而产生热应力，通过杠杆的放大带动屏蔽电极沿水平方向往复振动；所述加速度传感器9采用SOI衬底较厚的器件层作为质量块和叉指电容，利用深度刻蚀一次制造，并且避免交叉轴干扰；所述压力传感器10为压阻式，所述压力传感器10由承载膜片和设置在承载膜片上的压敏电阻14构成，所述承载膜片包括保护层二氧化硅15和埋层二氧化硅16，所述压敏电阻14设置在所述保护层二氧化硅15的下侧面，压力传感器10采用单晶硅压阻制成基于SOI的压阻式传感器，减小器件内部的残余应力，提高器件的可靠性；所述温度传感器11采用溅射的Pt电阻，所述Pt电阻的阻值随温度变化的特性为Rt= R0 (1+αt + βt +γt + ⋅⋅⋅)，其结构为折线型结构，以便在小面积内获得大阻值，增加测温单元的灵敏度；所述湿度传感器12为在两层Pt电极之间加入一层聚酰亚胺构成的三明治结构电容；所述三明治结构电容湿度传感器12的实现方法为，两层Pt电极采用正胶剥离技术进行图形化，将上层Pt电极正胶剥离后，利用RIE干法刻蚀将Pt电极的形状复制到聚酰亚胺层，形成两层Pt电极夹杂聚酰亚胺层构成的折线状电容，以便在较小的面积内实现较大的电容，并有更多的聚酰亚胺暴露出来提高传湿度传感器12的响应速度；所述CMOS信号处理电路7与处理器3之间通过金属共晶键合和高分子键合进行永久键合；所述金属共晶键合为Cu-Sn金属共晶键合，其反应温度为227℃，所述高分子键合采用BCB实现，键合温度为230-250℃；所述电场传感器8、加速度传感器9和压力传感器10的周围使用Cu-Sn金属共晶键合在硅转接板2上，从而确保各传感器的可靠性。
在本发明中，电场传感器8、加速度传感器9、压力传感器10、温度传感器11、湿度传感器12将检测到的数据经CMOS信号处理电路7转换后发送至处理器3，然后数据通过处理器3传送至堆叠内存4，并通过与处理器3相连通的RF芯片13发送至上位机，通过上位机对监测数据进行观察分析。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种单芯片集成多环境兼容性传感器，包括封装衬底（1）、硅转接板（2）、处理器（3）以及堆叠内存（4），其特征在于：所述硅转接板（2）设置在所述封装衬底（1）的上侧面，硅转接板（2）的端部嵌接有嵌入式硅基器件（5）和嵌入式无源器件（6）；所述处理器（3）搭载在硅转接板（2）的上侧面，所述堆叠内存（4）设置在处理器（3）的上侧面，所述堆叠内存（4）的左侧的处理器（3）上设置有CMOS信号处理电路（7），所述CMOS信号处理电路（7）与堆叠内存（4）互连；硅转接板（2）上通过TSV设置有电场传感器（8）、加速度传感器（9）、压力传感器（10）、温度传感器（11）、湿度传感器（12）以及RF芯片（13）。
2.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述电场传感器（8）为基于SOI的水平感应式鱼骨结构。
3.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述加速度传感器（9）采用SOI衬底较厚的器件层作为质量块和叉指电容。
4.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述压力传感器（10）为压阻式，所述压力传感器（10）由承载膜片和设置在承载膜片上的压敏电阻（14）构成，所述承载膜片包括保护层二氧化硅（15）和埋层二氧化硅（16），所述压敏电阻（14）设置在所述保护层二氧化硅（15）的下侧面。
5.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述温度传感器（11）采用溅射的Pt电阻，所述Pt电阻的阻值随温度变化的特性为Rt = R0 (1+αt + βt +γt + ⋅⋅⋅)，其结构为折线型结构。
6.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述湿度传感器（12）为在两层Pt电极之间加入一层聚酰亚胺构成的三明治结构电容。
7.如权利要求6所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述三明治结构电容湿度传感器（12）的实现方法为，两层Pt电极采用正胶剥离技术进行图形化，将上层Pt电极正胶剥离后，利用RIE干法刻蚀将Pt电极的形状复制到聚酰亚胺层，形成两层Pt电极夹杂聚酰亚胺层构成的折线状电容。
8.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述CMOS信号处理电路（7）与处理器（3）之间通过金属共晶键合和高分子键合进行永久键合。
9.如权利要求8所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述金属共晶键合为Cu-Sn金属共晶键合，其反应温度为227℃，所述高分子键合采用BCB实现，键合温度为230-250℃。
10.如权利要求1所述的一种单芯片集成多环境兼容性传感器，其特征在于：所述电场传感器（8）、加速度传感器（9）和压力传感器（10）的周围使用Cu-Sn金属共晶键合在硅转接板（2）上。
CN201710961435.6A 2017-10-16 2017-10-16 一种单芯片集成多环境兼容性传感器 Pending CN107748299A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710961435.6A CN107748299A (zh) 2017-10-16 2017-10-16 一种单芯片集成多环境兼容性传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710961435.6A CN107748299A (zh) 2017-10-16 2017-10-16 一种单芯片集成多环境兼容性传感器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107748299A true CN107748299A (zh) 2018-03-02

Family

ID=61253510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710961435.6A Pending CN107748299A (zh) 2017-10-16 2017-10-16 一种单芯片集成多环境兼容性传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107748299A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108896218A (zh) * 2018-07-13 2018-11-27 河南汇纳科技有限公司 一种压阻式压力传感器及其制造方法
CN109959826A (zh) * 2019-02-01 2019-07-02 上海交通大学 一种平面结构的电场传感器及其制备方法
CN110006549A (zh) * 2019-03-27 2019-07-12 电子科技大学 一种一体化结构的柔性温湿度传感器及其制备方法
TWI740256B (zh) * 2019-10-31 2021-09-21 國立清華大學 感測裝置及其製作方法
CN114152360A (zh) * 2021-10-27 2022-03-08 贵州航天智慧农业有限公司 一种mems温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺
CN115092880A (zh) * 2022-06-22 2022-09-23 无锡惠贻华普微电子有限公司 一种组合多功能传感器集成方法及系统
CN115219094A (zh) * 2022-07-06 2022-10-21 无锡惠贻华普微电子有限公司 一种防水型压力传感器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1828317A (zh) * 2005-03-03 2006-09-06 中国科学院电子学研究所 热驱动微型电场传感器
CN101519183A (zh) * 2008-01-31 2009-09-02 台湾积体电路制造股份有限公司 具有集成电路管芯的微机电系统封装
CN102130026A (zh) * 2010-12-23 2011-07-20 中国科学院半导体研究所 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法
US20110254160A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSVs with Different Sizes in Interposers for Bonding Dies
CN102439430A (zh) * 2008-11-12 2012-05-02 电子部品研究院 静电容量型湿度传感器以及其制造方法
TW201332075A (zh) * 2011-12-13 2013-08-01 Intel Corp 於晶片封裝體中之矽通孔共振器及其組裝方法
CN104332261A (zh) * 2014-10-15 2015-02-04 陕西易阳科技有限公司 一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法
CN104425485A (zh) * 2013-08-26 2015-03-18 武汉飞恩微电子有限公司 一种硅压阻式压力传感器芯片
US20160060100A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Invensense, Inc. Mems sensor integrated with a flip chip

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1828317A (zh) * 2005-03-03 2006-09-06 中国科学院电子学研究所 热驱动微型电场传感器
CN101519183A (zh) * 2008-01-31 2009-09-02 台湾积体电路制造股份有限公司 具有集成电路管芯的微机电系统封装
CN102439430A (zh) * 2008-11-12 2012-05-02 电子部品研究院 静电容量型湿度传感器以及其制造方法
US20110254160A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSVs with Different Sizes in Interposers for Bonding Dies
CN102130026A (zh) * 2010-12-23 2011-07-20 中国科学院半导体研究所 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法
TW201332075A (zh) * 2011-12-13 2013-08-01 Intel Corp 於晶片封裝體中之矽通孔共振器及其組裝方法
CN104425485A (zh) * 2013-08-26 2015-03-18 武汉飞恩微电子有限公司 一种硅压阻式压力传感器芯片
US20160060100A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Invensense, Inc. Mems sensor integrated with a flip chip
CN104332261A (zh) * 2014-10-15 2015-02-04 陕西易阳科技有限公司 一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
叶天翔: "基于SOI的电场传感器", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (信息科技辑)》 *
朱健: "《RF MEMS器件设计、加工和应用》", 31 December 2012 *
毛奔 等: "《微惯性系统及应用》", 31 July 2013 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108896218A (zh) * 2018-07-13 2018-11-27 河南汇纳科技有限公司 一种压阻式压力传感器及其制造方法
CN109959826A (zh) * 2019-02-01 2019-07-02 上海交通大学 一种平面结构的电场传感器及其制备方法
CN109959826B (zh) * 2019-02-01 2021-03-26 上海交通大学 一种平面结构的电场传感器及其制备方法
CN110006549A (zh) * 2019-03-27 2019-07-12 电子科技大学 一种一体化结构的柔性温湿度传感器及其制备方法
CN110006549B (zh) * 2019-03-27 2021-07-06 电子科技大学 一种一体化结构的柔性温湿度传感器及其制备方法
TWI740256B (zh) * 2019-10-31 2021-09-21 國立清華大學 感測裝置及其製作方法
CN114152360A (zh) * 2021-10-27 2022-03-08 贵州航天智慧农业有限公司 一种mems温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺
CN115092880A (zh) * 2022-06-22 2022-09-23 无锡惠贻华普微电子有限公司 一种组合多功能传感器集成方法及系统
CN115092880B (zh) * 2022-06-22 2024-08-16 无锡惠贻华普微电子有限公司 一种组合多功能传感器集成方法及系统
CN115219094A (zh) * 2022-07-06 2022-10-21 无锡惠贻华普微电子有限公司 一种防水型压力传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107748299A (zh) 一种单芯片集成多环境兼容性传感器
CN101692099B (zh) 具有片上零偏补偿的压阻式双轴微加速度计及制作方法
CN106197774A (zh) 柔性压阻式触觉传感器阵列及其制备方法
CN103063876B (zh) 变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法
CN105137120B (zh) 一种v形梁扭摆式单轴微机械加速度计及其制备方法
CN103777037B (zh) 一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法
CN102853950B (zh) 采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片及其制备方法
CN102393264B (zh) 一种基于纳米压电纤维的压力传感器
CN103499796B (zh) 一种梳齿结构的微机电磁场传感器
CN103728467B (zh) 平行板电容器
TW201008866A (en) Micromechanical sensor element, method for manufacturing micromechanical sensor element and method for operating micromechanical sensor element
CN107917750A (zh) 一种mems热式声粒子传感器
TW200408605A (en) Thermal-bubble micro inertia sensor
CN204129068U (zh) 压电式加速度传感器
CN102879608A (zh) 弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法
CN105716705B (zh) 多重应力集中式mems仿生水听器
CN102072967A (zh) 基于金金键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法
CN103557970A (zh) 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法
CN105606201B (zh) 复合式mems仿生水听器
CN109827654A (zh) 一种空气声质点振速敏感元件及其封装方式
CN102647657A (zh) 单片集成mems压阻超声传感器
CN105300573B (zh) 一种梁膜结构压电传感器及其制作方法
CN108344496A (zh) 压电式mems矢量振动传感器
CN107192849A (zh) 一种基于热对流原理的微机械加速度传感器的设计及其制作方法
CN105399047B (zh) 一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180302