CN107329339A - 阵列基板及曲面液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及曲面液晶显示器。该阵列基板通过在数据线上方设置遮光电极，利用遮光电极控制与所述数据线的位置对应的液晶保持不偏转状态，进而实现遮光效果，同时所述遮光电极与所述第一金属层、第二金属层、以及像素电极均绝缘间隔，即所述遮光电极处于置空状态，相比于现有技术，遮光电极不再与公共电极线电性连接，能够防止水平串扰，提升面板显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及曲面液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一阵列基板(ThinFilmTransistorArray Substrate，TFT Array Substrate)、一彩膜基板(Color FilterSubstrate，CFSubstrate)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片向TFT基板的像素电极和CF基板的公共电极上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
近年来，随着液晶显示技术的发展，各大厂商陆续的推出了曲面(Curved)液晶显示器，曲面液晶显示器相比于普通的液晶显示器具有更好的观看体验，因而受到用户的青睐。传统的平面显示器中是利用黑色矩阵(Black Matrix，BM)来进行遮光，但黑色矩阵位于彩膜基板，当显示器弯曲的时候，可能会发生上下基板错位的问题，这样就会有漏光的风险，在平面状态下正常的面板在曲面状态下就会有各种显示不良产生。为了解决这个问题，现在曲面显示中，数据线上方无黑色矩阵(Data Line BM Less，DBS)技术越来越多的被采用，它是在数据线上方覆盖以氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)的走线，用ITO走线遮挡住数据线，并向该些ITO走线提供阵列基板公共电压，使得面板正常工作时，这些ITO走线的电位始终等于阵列基板公共电压，从而使得与该些ITO走线的位置对应的液晶分子保持不偏转的状态，达到遮光的目的，并且由于这些遮光的ITO走线均位于阵列基板上，因此当面板在做成曲面显示器发生弯曲之后，即使上下基板发生了错位，ITO走线的位置相对数据线也是不会变化的，因此不存在漏光的问题。
但如图1所示，图1为现有的采用DBS技术的阵列基板的等效电路图，该阵列基板包括：多个阵列排布的子像素，每一个子像素均包括开关薄膜晶体管T1、像素电极P、阵列基板公共电极线Acom、以及遮光电极，所述开关薄膜晶体管T1的栅极接入扫描线Gate、源极接入数据线Data，漏极电性连接像素电极P，所述遮光电极与阵列基板公共电极线Acom电性连接，所述像素电极P与阵列基板公共电极线Acom重叠的部分形成存储电容Cst，所述数据线Data与遮光电极重叠的部分形成干扰电容Cdc，此时在面板显示时，数据线Data上的电压变化会通过干扰电容Cdc影响阵列基板公共电压Acom，造成水平串扰(H-crosstalk)等不良现象。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，能够在采用DBS技术的前提下，防止水平串扰，提升面板显示品质。
本发明的目的还在于提供一种曲面液晶显示器，能够在采用DBS技术的前提下，防止水平串扰，提升面板显示品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述衬底基板和第一金属层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二金属层、设于所述第二金属层上的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上的像素电极层；
所述第一金属层包括多条平行间隔排列的扫描线以及与所述扫描线间隔的公共电极线，所述第二金属层包括：多条平行间隔排列的数据线，所述多条扫描线与所述多条数据线相互交叉限定出阵列排布的多个像素单元，所述像素电极层包括：分别对应位于所述多个像素单元内的多个像素电极以及分别对应位于所述多条数据线的上方并将所述数据线遮挡住的多个遮光电极；
所述各个遮光电极与所述第一金属层、第二金属层、以及像素电极均绝缘间隔。
所述衬底基板上还设有阵列排布的多个驱动TFT，每一个驱动TFT均包括：位于第一金属层的栅极、位于第一绝缘层上对应栅极上方的有源层、以及位于第二金属层并与所述有源层的两端接触的源极和漏极。
每一个驱动TFT均对应一个像素单元，每一行驱动TFT的栅极均对应电性连接一条扫描线，每一列驱动TFT的源极均对应电性连接一条数据线，每一个驱动TFT的漏极均对应电性连接其所对应的像素单元的像素电极。
每一个像素电极与所述公共电极线重叠的部分形成有一存储电容。
所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料为氧化硅和氮化硅中的一种或两者的组合。
所述第一金属层与第二金属层的材料为钼、铝、及钛中的一种或多种的组合。
所述像素电极层的材料为ITO。
本发明还提供一种曲面液晶显示器，包括上述的阵列基板。
本发明的有益效果：本发明提供一种阵列基板，该阵列基板通过在数据线上方设置遮光电极，利用遮光电极控制与所述数据线的位置对应的液晶保持不偏转状态，进而实现遮光效果，同时所述遮光电极与所述第一金属层、第二金属层、以及像素电极均绝缘间隔，即所述遮光电极处于置空状态，相比于现有技术，本发明中遮光电极不再与公共电极线电性连接，能够防止水平串扰，提升面板显示品质。本发明还提供一种曲面液晶显示器，能够在采用DBS技术的前提下，防止水平串扰，提升面板显示品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的采用DBS技术的阵列基板的等效电路图；
图2为本发明的阵列基板的俯视结构图；
图3为对应图2中A-A线处的剖面图；
图4为对应图2中B-B线处的剖面图；
图5为本发明的阵列基板的等效电路图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层2、设于所述衬底基板1和第一金属层2上的第一绝缘层3、设于所述第一绝缘层3上的第二金属层4、设于所述第二金属层4上的第二绝缘层5、设于所述第二绝缘层5的像素电极层6。
具体地，所述第一金属层2包括多条平行间隔排列的扫描线21以及与所述扫描线21间隔的公共电极线22，所述第二金属层4包括：多条平行间隔排列的数据线41，所述多条扫描线21与所述多条数据线41相互交叉限定出阵列排布的多个像素单元7，所述像素电极层6包括：分别对应位于所述多个像素单元7内的多个像素电极61以及分别对应位于所述多条数据线41的上方并将所述数据线41遮挡住的多个遮光电极62；所述各个遮光电极62与所述第一金属层2、第二金属层4、以及像素电极61均绝缘间隔。
具体地，所述衬底基板1为透明基板，优选玻璃基板，所述第一绝缘层3和第二绝缘层5的材料为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的一种或两者的组合。所述第一金属层2与第二金属层4的材料为钼、铝、及钛等材料中的一种或多种的组合。优选地，所述像素电极层6的材料为ITO。
具体地，如图2、图4和图5所示，所述衬底基板1上还设有阵列排布的多个驱动TFTT10，每一个驱动TFT T10均包括：位于第一金属层2的栅极23、位于第一绝缘层3上对应栅极23上方的有源层31、以及位于第二金属层4并与所述有源层31的两端接触的源极42和漏极43。
具体地，所述驱动TFT T10可以为氧化物半导体薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管等各种类型的薄膜晶体管。
具体地，如图2和图5所示，每一个驱动TFT T10均对应一个像素单元7，每一行驱动TFT T10的栅极均对应电性连接一条扫描线21，每一列驱动TFT T10的源极42均对应电性连接一条数据线41，每一个驱动TFT T10的漏极均对应电性连接其所对应的像素单元7的像素电极61。
此外，每一个像素电极61与所述阵列基板公共电极线22重叠的部分均形成有一存储电容C10。
需要说明的是，请参阅图1和图5，本发明的阵列基板中所述遮光电极62处于置空(Floating)状态，不与其他任何导线电性连接，也即由遮光电极62和数据线41重叠部分的形成的电容C20，不再与公共电极线22连接，由于电容C20不再与公共电极线22电性连接，因此数据线41的电压变化也无法通过电容C20影响阵列基板公共电压，能够防止水平串扰，提升显示品质。
值得一提的是，本发明的遮光电极62虽然处于置空状态，但仍然会受到面板内的电场的影响，其上仍具有一与阵列基板公共电压的相等的电压，该电压可通过调整面板内的电场分布实现，尤其是调整阵列基板公共电压和彩膜基板公共电压(CF-com)的电压大小来实现，从而使得置空状态的遮光电极62仍具有遮光效果。
此外，由于本发明的遮光电极62设置于数据线41的上方并遮挡所述数据线41，因此，其还可以屏蔽数据线41与像素电极61之间、以及数据线41与彩膜基板上的公共电极之间的电场干扰，避免显示不良。
基于上述的阵列基板，本发明还提供一种曲面液晶显示器，所述曲面液晶显示器包括上述的阵列基板，该曲面液晶显示器既能够利用DBS技术防止漏光，又能够防止因DBS技术带来的水平串扰问题，显示品质高，产品竞争力强。
综上所述，本发明提供一种阵列基板，该阵列基板通过在数据线上方设置遮光电极，利用遮光电极控制与所述数据线的位置对应的液晶保持不偏转状态，进而实现遮光效果，同时所述遮光电极与所述第一金属层、第二金属层、以及像素电极均绝缘间隔，即所述遮光电极处于置空状态，相比于现有技术，本发明中遮光电极不再与公共电极线电性连接，能够防止水平串扰，提升面板显示品质。本发明还提供一种曲面液晶显示器，能够在采用DBS技术的前提下，防止水平串扰，提升面板显示品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述衬底基板(1)和第一金属层(2)上的第一绝缘层(3)、设于所述第一绝缘层(3)上的第二金属层(4)、设于所述第二金属层(4)上的第二绝缘层(5)、设于所述第二绝缘层(5)上的像素电极层(6)；
所述第一金属层(2)包括多条平行间隔排列的扫描线(21)以及与所述扫描线(21)间隔的公共电极线(22)，所述第二金属层(4)包括：多条平行间隔排列的数据线(41)，所述多条扫描线(21)与所述多条数据线(41)相互交叉限定出阵列排布的多个像素单元(7)，所述像素电极层(6)包括：分别对应位于所述多个像素单元(7)内的多个像素电极(61)以及分别对应位于所述多条数据线(41)的上方并将所述数据线(41)遮挡住的多个遮光电极(62)；
所述遮光电极(62)与所述第一金属层(2)、第二金属层(4)、以及像素电极(61)均绝缘。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板(1)上还设有阵列排布的多个驱动TFT(T10)，每一个驱动TFT(T10)均包括：位于第一金属层(2)的栅极(23)、位于第一绝缘层(3)上对应栅极(23)上方的有源层(31)、以及位于第二金属层(4)并与所述有源层(31)的两端接触的源极(42)和漏极(43)。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每一个驱动TFT(T10)均对应一个像素单元(7)，每一行驱动TFT(T10)的栅极均对应电性连接一条扫描线(21)，每一列驱动TFT(T10)的源极(42)均对应电性连接一条数据线(41)，每一个驱动TFT(T10)的漏极均对应电性连接其所对应的像素单元(7)的像素电极(61)。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每一个像素电极(61)与所述公共电极线(22)重叠的部分形成有一存储电容(C10)。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层(3)和第二绝缘层(5)的材料为氧化硅和氮化硅中的一种或两者的组合。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(2)与第二金属层(4)的材料为钼、铝、及钛中的一种或多种的组合。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层(6)的材料为ITO。
8.一种曲面液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
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