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CN101887892B - 像素结构及具有此种像素结构的显示面板 - Google Patents

像素结构及具有此种像素结构的显示面板 Download PDF

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CN101887892B CN2010101984391A CN201010198439A CN101887892B CN 101887892 B CN101887892 B CN 101887892B CN 2010101984391 A CN2010101984391 A CN 2010101984391A CN 201010198439 A CN201010198439 A CN 201010198439A CN 101887892 B CN101887892 B CN 101887892B
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Abstract

一种像素结构及具有此种像素结构的显示面板,该像素结构包括第一及第二扫描线;数据线,不平行于第一及第二扫描线,且一部分的数据线与第一及第二扫描线位于同一膜层;第一绝缘层,覆盖第一及第二扫描线与部分的数据线,且具有位于部分的数据线的两侧的第一凹陷;第二绝缘层,覆盖第一绝缘层;电容电极线,位于第二绝缘层上且覆盖数据线与第一凹陷;第三绝缘层,位于电容电极线上;第一主动元件,与第二扫描线及数据线电连接;第二主动元件,与第一扫描线及第一主动元件电连接;及第一与第二像素电极,位于第三绝缘层上且分别与第一及第二主动元件电连接。本发明可减少像素电极与数据线间寄生电容过大而对像素电极的电荷或信号产生影响的问题。

Description

像素结构及具有此种像素结构的显示面板
技术领域
本发明关于一种像素结构,且特别关于一种液晶显示面板的像素结构。
背景技术
一般而言,液晶显示面板主要是由一主动元件阵列基板、一对向基板以及一夹于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层所构成,其中主动元件阵列基板可分为显示区(display region)与非显示区(non-display region),其中在显示区上配置有以阵列排列的多个像素单元,而每一像素单元包括薄膜晶体管(TFT)以及与薄膜晶体管连接的像素电极(pixel electrode)。此外,在显示区内配置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line),每一个像素单元的薄膜晶体管是与对应的扫描线与数据线电连接。在非显示区内则配置有信号线、源极驱动器(source driver)以及栅极驱动器(gate driver)。
随着液晶显示面板的解析度提升,液晶显示器就必须通过增加栅极驱动器与源极驱动器的使用数目来配合解析度的提升,且因栅极驱动器与源极驱动器的使用数目增加会让非显示区(或称为边框)的面积变大。基于上述理由,液晶显示器的生产成本便随着栅极驱动器、源极驱动器的使用数量而增加,同时边框也越来越大。若能将栅极驱动器和/或源极驱动器的使用数目减少,便可轻易地解决成本无法降低的问题以及做出窄边框,即非显示区面积较小的产品。
发明内容
本发明提供一种像素结构以及具有此种像素结构的显示面板,其可以解决因像素电极与数据线之间的寄生电容过大而对像素电极的电荷或信号产生影响的问题。
本发明提出一种像素结构,此像素结构包括扫描线、数据线、第一绝缘层、第二绝缘层、电容电极线、第三绝缘层、主动元件、像素电极。扫描线以及另一扫描线位于基板上。数据线设置于基板上且不平行于扫描线以及另一扫描线,其中一部分的数据线与扫描线以及另一扫描线位于同一膜层。第一绝缘层覆盖第一扫描线、第二扫描线及所述部分的数据线,其中第一绝缘层具有第一凹陷,其位于所述部分的数据线的两侧。第二绝缘层覆盖第一绝缘层。电容电极线位于第二绝缘层上且覆盖数据线,其中电容电极线更覆盖第一绝缘层的第一凹陷。第三绝缘层位于电容电极线上。主动元件与数据线电连接。像素电极位于第三绝缘层上且与另一像素的主动元件电连接。
本发明另提出一种显示面板,其包括第一基板、第二基板以及显示介质。第一基板具有多个像素结构,且每一像素结构如上所述。第二基板位于第一基板的对向。显示介质位于第一基板与第二基板之间。
基于上述,由于像素结构的第一绝缘层具有第一凹陷且第一凹陷位于部分的数据线的两侧,且电容电极线覆盖第一绝缘层的第一凹陷。因此,电容电极线可以遮蔽数据线,以降低数据线与像素电极之间的寄生电容。如此一来,便可以减少像素电极与数据线之间的寄生电容过大而对像素电极的电荷或信号产生影响的问题。
附图说明
图1是本发明一实施例的像素结构的俯视图。
图2是图1的像素结构省略电容电极线的俯视图。
图3是图1沿着剖面线A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意图。
图4是本发明的另一实施例的像素结构的局部剖面示意图,其对应图1沿着剖面线B-B’处的剖面示意图。
图5是本发明的又一实施例的像素结构的俯视图。
图6是图5沿着剖面线A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意图。
图7是本发明的再一实施例的像素结构的局部剖面示意图,其对应图5沿着剖面线B-B’处的剖面示意图。
图8是本发明一实施例的显示面板的示意图。
附图标号
SL1、SL2:扫描线
DL:数据线
DL-1、DL-2:数据线段
GP:扫描信号传输线
GP-1、GP-2:扫描信号传输线段
T1、T2:主动元件
G1、G2:栅极
CH1、CH2:通道
S1、S2:源极
D1、D2:漏极
CL:电容电极线
C1、C2、C3、C4、C5:接触窗
OP:开口
PE1、PE2:像素电极
R1、R2:凹陷
100、200:基板
102、104、106:绝缘层
300:显示介质
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
目前窄边框形式的液晶显示面板,有一种是于像素上沿栅极线(TrackingGate-line in Pixel,TGP)的布线架构,其目的是减少栅极驱动器的使用数目,相关技术可参考台湾专利申请案申请号第098100467号。但是,此种TGP架构有一个缺点是,当扫描信号传输线在转线处的扫描线信号是开启状态(turn-on)时,像素电极与数据线之间的寄生电容会过大,而对像素电极的电荷或信号产生影响,进而影响液晶显示面板的显示品质。
图1是根据本发明一实施例的像素结构的俯视图。图2是图1的像素结构省略电容电极线的俯视图。图3是图1沿着剖面线A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意图。请参照图1、图2以及图3,本实施例的像素结构包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DL、第一绝缘层102、第二绝缘层104、电容电极线CL、第三绝缘层106、第一主动元件T1、第一像素电极PE1、第二主动元件T2以及第二像素电极PE2。
第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2位于基板100上。第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2两者平行设置,且第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2是直接设置在基板100的表面上。基于导电性的考虑,第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2一般是使用金属材料。因此,第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2又可称为第一金属层。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2也可以使用其他导电材料。
数据线DL设置于基板100上,且数据线DL不平行于第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2设置。特别是,数据线DL有一部分与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2位于同一膜层。根据本实施例,数据线DL包括至少一第一数据线段DL-1以及至少一第二数据线段DL-2。上述的第一数据线段DL-1与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2位于同一膜层,因此上述的第一数据线段DL-1亦属于第一金属层的一部分。特别是,第一数据线段DL-1不与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2电接触。也就是说,第一数据线段DL-1与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2是分离开来的。此外,上述的第二数据线段DL-2跨越第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2。换言之,第二数据线段DL-2与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2之间夹有一绝缘层(例如是第一绝缘层102),以使第二数据线段DL-2与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2电绝缘。另外,根据本实施例,第一数据线段DL-1与第二数据线段DL-2之间是透过接触窗C3而电连接。换言之,接触窗C3是位于第一数据线段DL-1以及第二数据线段DL-2之间的重叠区域的绝缘层(例如是第一绝缘层102)中,以电连接第一数据线段DL-1以及第二数据线段DL-2。基于导电性的考虑,数据线DL一般是使用金属材料,且数据线DL的第二数据线段DL-2又可称为第二金属层。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,数据线DL也可以使用其他导电材料。
倘若本发明的像素结构是应用于窄边框形式的液晶显示面板,则此像素结构可更包括一扫描信号传输线GP。扫描信号传输线GP主要是用来将扫描线的延伸方向转移成与数据线平行的方向,藉以减少栅极驱动器的使用数目。因此,扫描信号传输线GP不平行于第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2设置,且扫描信号传输线GP与第一扫描线SL1电连接。根据本实施例,上述的扫描信号传输线GP包括至少一第一扫描信号传输线段GP1以及至少一第二扫描信号传输线段GP2。第一扫描信号传输线段GP1与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2位于同一膜层。因此上述的第一扫描信号传输线段GP1亦属于第一金属层的一部分。换言之,第一扫描信号传输线段GP1可以与第一扫描线SL1直接连接。此外,上述的第二扫描信号传输线段GP2跨越第二扫描线SL2。换言之,上述的第二扫描信号传输线段GP2与第二扫描线SL2之间夹有一绝缘层(例如是第一绝缘层102),以使第二扫描信号传输线段GP2与第二扫描线SL2电绝缘。另外,根据本实施例,第一扫描信号传输线段GP1与第二扫描信号传输线段GP2之间是透过接触窗C4而电连接。换言之,接触窗C4是位于第一扫描信号传输线段GP1与第二扫描信号传输线段GP2之间的重叠区域的绝缘层(例如是第一绝缘层102)中,以电连接第一扫描信号传输线段GP1与第二扫描信号传输线段GP2。基于导电性的考虑,扫描信号传输线GP一般是使用金属材料,且扫描信号传输线GP的第二扫描信号传输线段GP2又可称为第二金属层。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,扫描信号传输线GP也可以使用其他导电材料。
第一主动元件T1与第二扫描线SL2以及数据线DL电连接。在本实施例中,第一主动元件T1包括栅极G1、通道CH1、源极S1以及漏极D1。栅极G1与第二扫描线SL2电连接。通道CH1位于栅极G1的上方。源极S1以及漏极D1位于通道CH1的上方,且源极S1与数据线DL电连接。
第二主动元件T2与第一扫描线SL1以及第一主动元件T1电连接。在本实施例中,第二主动元件T2包括栅极G2、通道CH2、源极S2以及漏极D2。栅极G2与第一扫描线SL1电连接。通道CH2位于栅极G2的上方。源极S2以及漏极D2位于通道CH2的上方,且源极S2与第一主动元件T1的漏极D1电连接。
上述的第一主动元件T1与第二主动元件T2是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。根据其他实施例,上述的第一主动元件T1与第二主动元件T2是以顶部栅极型薄膜晶体管。
第一绝缘层102覆盖第一扫描线SL1、第二扫描线SL及数据线DL的第一数据线段DL-1。特别是,第一绝缘层102具有第一凹陷R1,其位于数据线DL的第一数据线段DL-1的两侧(如图3所示)。在本实施例中,第一绝缘层102中的的第一凹陷R1举例是暴露出基板100的表面。此外,在第一绝缘层102中还包括接触窗C3以及接触窗C4。如上所述,接触窗C3是位于第一数据线段DL-1以及第二数据线段DL-2之间的重叠区域,以电连接第一数据线段DL-1以及第二数据线段DL-2。接触窗C4是位于第一扫描信号传输线段GP1与第二扫描信号传输线段GP2之间的重叠区域,以电连接第一扫描信号传输线段GP1与第二扫描信号传输线段GP2。由于第一绝缘层102在第一主动元件T1与第二主动元件T2中是覆盖栅极G1、G2,因此第一绝缘层102又可称为栅极绝缘层。
第二绝缘层104覆盖第一绝缘层102。在本实施例中,第二绝缘层104顺应地覆盖在第一绝缘层102的表面上,因此第二绝缘层104在对应第一绝缘层102的第一凹陷R1的上方形成第二凹陷R2。此外,第二绝缘层104更覆盖第一主动元件T1与第二主动元件T2、数据线DL的第二数据线段DL-2以及扫描信号传输线GP的第二扫描信号传输线段GP2,因此第二绝缘层104又可称为保护层。
电容电极线CL位于第二绝缘层104上且覆盖数据线DL。在本实施例中,电容电极线CL是设置在数据线DL上方的第二绝缘层104上以及部分第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2上方的第二绝缘层104上。本实施例的电容电极线CL的布局方式除了可以作为储存电容器的电极线之用之外,其还可以遮蔽液晶显示面板中的扫描线以及数据线附近因液晶分子倾倒所造成的漏光。然而,本发明不限电容电极线CL的布局方式必须是如图1所示的形式。根据其他实施例,电容电极线CL的布局方式也可以是其他种形式。基于导电性的考虑,电容电极线CL一般是使用金属材料。因此,电容电极线CL又可称为第三金属层。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,电容电极线CL也可以使用其他导电材料。
特别是,电容电极线CL更覆盖第一绝缘层102的第一凹陷R1(如图3所示)。更详细来说,电容电极线CL覆盖第二绝缘层104以及其第二凹陷R2的表面,或者是说,部分的电容电极线CL位于第二凹陷R2内。在本实施例中,由于第一绝缘层102具有第一凹陷R1,且第二绝缘层104在对应第一绝缘层102的第一凹陷R1的上方还具有第二凹陷R2,因此位于第二绝缘层104上的电容电极线CL会填入第二凹陷R2,以使数据线DL的第一数据线段DL-1几乎被电容电极线CL包覆或遮蔽住。
第三绝缘层106位于电容电极线CL上。第三绝缘层106亦覆盖第一主动元件T1与第二主动元件T2、数据线DL以及扫描信号传输线GP,因此第三绝缘层106又可称为保护层。
第一像素电极PE1位于第三绝缘层106上且与第一主动元件T1电连接。在本实施例中,第一像素电极PE1与第一主动元件T1之间是透过接触窗C1而电连接。更详细来说,接触窗C1是形成在第二绝缘层104与第三绝缘层106内,并且与第一主动元件T1的漏极D1以及第一像素电极PE1电接触。由于第一像素电极PE1位于共用电极线CL的上方,因此第一像素电极PE1可与共用电极线CL产生电容耦合效应,以构成一储存电容器。
第二像素电极PE2位于第三绝缘层106上且与第二主动元件T2电连接。在本实施例中,第二像素电极PE2与第二主动元件T2之间是透过接触窗C2而电连接。更详细来说,接触窗C2是形成在第二绝缘层104与第三绝缘层106内,并且与第二主动元件T2的漏极D2以及第二像素电极PE2电接触。由于第二像素电极PE2位于共用电极线CL的上方,因此第二像素电极PE2可与共用电极线CL产生电容耦合效应,以构成一储存电容器。
值得一提的是,由于本实施例的像素结构中的第一主动元件T1以及第二主动元件T2是共用一条数据线DL。因此,在第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间则不需设置另一条数据线。因而,在第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间的空隙则可以设置扫描信号传输线GP。
如上所述,由于数据线DL的第一数据线段DL-1几乎被电容电极线CL包覆住,因此电容电极线CL可以作为数据线DL的第一数据线段DL-1与第一像素电极PE1/第二像素电极PE2之间的遮蔽层。一般来说,由于电容电极线CL上会施予共用电压(Vcom),因此,电容电极线CL可以有效地减少数据线DL的第一数据线段DL-1与第一像素电极PE1/第二像素电极PE2之间所产生的寄生电容,进而降低第一像素电极PE1/第二像素电极PE2的电荷或是信号受到上述寄生电容的影响。
在上述图3的实施例中,是在第一绝缘层102中形成第一凹陷R1,且因第二绝缘层104是顺应地覆盖在第一绝缘层102上以使第二绝缘层104在对应第一绝缘层102的第一凹陷R1的上方还具有第二凹陷R2。因此位于第二绝缘层104上的电容电极线CL会填入第二凹陷R2,以使数据线DL的第一数据线段DL-1几乎被电容电极线CL包覆住。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,亦可以直接在第二绝缘层104中形成第二凹陷R2,如图4所示。
图4仅示出图1的像素结构沿着B-B’剖面线的剖面示意图。换言之,此实施例的像素结构与上述实施例相似,不同之处仅在于B-B’剖面线的剖面处。请参照图4,此实施例的第二绝缘层104具有第二凹陷R2,且第二凹陷R2位于第一凹陷R1上方。更详细来说,第一绝缘层102的第一凹陷R1暴露出基板100表面,第二绝缘层104的第二凹陷R2也暴露出基板100的表面,也就是说,第二绝缘层104和第一绝缘层102堆迭在一起的一部分会具有凹陷。因此,形成在第二绝缘层104上的电容电极线CL是顺应地覆盖第二绝缘层104、第一凹陷R1以及第二凹陷R2的表面。因而,电容电极线CL会与基板100的表面接触。
在图4的实施例中,由于电容电极线CL会在第一凹陷R1与第二凹陷R2处与基板100的表面接触,因此数据线DL的第一数据线段DL-1可更进一步地被电容电极线CL完整包覆。因此电容电极线CL可以作为数据线DL的第一数据线段DL-1与第一像素电极PE1/第二像素电极PE2之间的遮蔽层。类似地,由于电容电极线CL上会施予共用电压(Vcom),因此,电容电极线CL可以有效地减少数据线DL的第一数据线段DL-1与第一像素电极PE1/第二像素电极PE2之间所产生的寄生电容,进而降低第一像素电极PE1/第二像素电极PE2的电荷或是信号受到上述寄生电容的影响。
虽然在上述的实施例中都是以图1所示的像素结构为例,然而,本发明不限于此,换言之,在其他实施例中,本发明的像素结构也可以具有其他的布局方式。图5是根据本发明的又一实施例的像素结构的俯视图。图6是图5沿着剖面线A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意图。特别注意的是,图5及图6所示的像素结构的元件与图1及图2所示的像素结构的元件大致相同,因此使用相同的标号来表示相同的元件,且可参照前文中对应于图1的说明,以下仅针对两者之间的主要差异进行说明。请参照图5,本实施例的像素结构包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DL、第一绝缘层102、第二绝缘层104、电容电极线CL、第三绝缘层106、第一主动元件T1、第一像素电极PE1、第二主动元件T2以及第二像素电极PE2。
第一主动元件T1与第二扫描线SL2以及数据线DL电连接。在本实施例中,第一主动元件T1包括栅极G1、通道CH1、源极S1以及漏极D1。栅极G1与第二扫描线SL2电连接。通道CH1位于栅极G1的上方。源极S1以及漏极D1位于通道CH1的上方,且源极S1与数据线DL电连接。
第二主动元件T2与第一扫描线SL1以及第一主动元件T1电连接。在本实施例中,第二主动元件T2包括栅极G2、通道CH2、源极S2以及漏极D2。栅极G2与第一扫描线SL1电连接。通道CH2位于栅极G2的上方。源极S2以及漏极D2位于通道CH2的上方。源极S2透过接触窗C5与第一像素电极PE1电连接,第一像素电极PE1通过接触窗C1与第一主动元件T1的漏极D1电连接,因此第二主动元件T2与第一主动元件T1电连接。
请同时参照图5与图6,在本实施例中,第一像素电极PE1与第一主动元件T1之间是透过接触窗C1而电连接。更详细来说,接触窗C1是形成在第二绝缘层104与第三绝缘层106内,并且与第一主动元件T1的漏极D1以及第一像素电极PE1电接触。第二像素电极PE2与第二主动元件T2之间是透过接触窗C2而电连接。更详细来说,接触窗C2是形成在第二绝缘层104与第三绝缘层106内,并且与第二主动元件T2的漏极D2以及第二像素电极PE2电接触。
在本实施例中,电容电极线CL例如是具有网状结构(mesh structure),且其具有开口OP。电容电极线CL位于第二绝缘层104上且覆盖部分数据线DL。在本实施例中,电容电极线CL是设置在数据线DL上方的第二绝缘层104上以及第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2上方的第二绝缘层104上。特别是,电容电极线CL更覆盖第一绝缘层102的第一凹陷R1(如图6所示)。更详细来说,电容电极线CL覆盖第二绝缘层104以及其第二凹陷R2的表面。在本实施例中,由于第一绝缘层102具有第一凹陷R1,且第二绝缘层104在对应第一绝缘层102的第一凹陷R1的上方还具有第二凹陷R2,因此位于第二绝缘层104上的电容电极线CL会填入第二凹陷R2,以使电容电极线CL包覆住部分数据线DL。此外,根据其他实施例,亦可以直接在第二绝缘层104中形成第二凹陷R2,如图7所示。在图7所示的实施例中,由于电容电极线CL会在第一凹陷R1与第二凹陷R2处与基板100的表面接触,因此数据线DL-1的两侧可更进一步地被电容电极线CL包覆或遮蔽。
如上所述,由于电容电极线CL包覆住部分数据线DL,因此电容电极线CL可以作为数据线DL的第一数据线段DL-1与第一像素电极PE1/第二像素电极PE2之间的遮蔽层。
图8是根据本发明一实施例的显示面板的示意图。请参照图8,本实施例的显示面板包括第一基板100、第二基板200以及位于第一基板100与第二基板200之间的显示介质300。
第一基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。第一基板100上包括设置有像素阵列层150,所述像素阵列层150是由多个像素结构所构成。而像素阵列层150中的像素结构可以是如图1与图3所示的像素结构、图1与图4所示的像素结构、图5与图6所示的像素结构,或者是图5与图7所示的像素结构。第二基板200的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。在一实施例中,第二基板200上可包括设置有电极层(未画出)。电极层为透明导电层,其材质包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。电极层是全面地覆盖于第二基板200上。此外,根据本发明的另一实施例,第二基板200上可更包括设置有彩色滤光阵列(未画出),其包括红、绿、蓝色滤光图案。另外,第二基板200上更可包括设置遮光图案层(未画出),其又可称为黑矩阵,其设置于彩色滤光阵列的图案之间。显示介质300可包括液晶分子或是电泳显示介质。
综上所述,由于本发明的数据线会被电容电极线包覆住,因此电容电极线可以作为数据线与像素电极之间的遮蔽层。此外,因电容电极线上会施予共用电压,因此电容电极线可以有效地减少数据线与像素电极之间所产生的寄生电容,进而降低像素电极的电荷或是信号受到上述寄生电容的影响。因此,使用此种像素结构的显示面板具有较佳的显示品质。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当以权利要求所界定范围为准。

Claims (13)

1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构位于一基板上,所述像素结构包括:
一第一扫描线以及一第二扫描线;
一数据线,其不平行于所述第一扫描线以及所述第二扫描线设置,其中一部分的所述数据线与所述第一扫描线以及所述第二扫描线位于同一膜层;
一第一绝缘层,覆盖所述第一扫描线、所述第二扫描线及所述部分的数据线,其中所述第一绝缘层具有一第一凹陷,其位于所述部分的数据线的两侧;
一第二绝缘层,覆盖所述第一绝缘层;
一电容电极线,位于所述第二绝缘层上且覆盖所述数据线,其中所述电容电极线更覆盖所述第一绝缘层的所述第一凹陷;
一第三绝缘层,位于所述电容电极线上;
一第一主动元件,其与所述第二扫描线以及所述数据线电连接;
一第一像素电极,位于所述第三绝缘层上且与所述第一主动元件电连接;
一第二主动元件,其与所述第一扫描线以及所述第一主动元件电连接;以及
一第二像素电极,位于所述第三绝缘层上且与所述第二主动元件电连接。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一绝缘层的所述第一凹陷暴露出所述基板的表面。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层顺应地覆盖在第一绝缘层的表面上,以使所述第二绝缘层在所述第一凹陷上方形成一第二凹陷。
4.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述电容电极线位于所述第二绝缘层上且覆盖所述数据线以及所述第二凹陷的表面。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层具有一第二凹陷,且所述第二凹陷位于所述第一凹陷上方。
6.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述第一凹陷以及所述第二凹陷暴露出所述基板的表面。
7.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述电容电极线位于所述第二绝缘层上且覆盖所述数据线、所述第一凹陷以及所述第二凹陷的表面。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述数据线包括至少一第一数据线段以及至少一第二数据线段,所述至少一第一数据线段与所述第一扫描线以及所述第二扫描线位于同一膜层且彼此电性不接触,且所述至少一第二数据线段跨越所述第一扫描线以及所述第二扫描线。
9.如权利要求8所述的像素结构,其特征在于,更包括一接触窗,位于所述至少一第一数据线段以及所述至少一第二数据线段之间的重叠区域。
10.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包括一扫描信号传输线,其不平行于所述第一扫描线以及所述第二扫描线设置,且所述扫描信号传输线与所述第一扫描线电连接。
11.如权利要求10所述的像素结构,其特征在于,所述扫描信号传输线包括至少一第一扫描信号传输线段以及至少一第二扫描信号传输线段,所述至少一第一扫描信号传输线段与所述第一扫描线以及所述第二扫描线位于同一膜层,所述至少一第一扫描信号传输线段与所述第一扫描线直接连接,且所述至少一第二扫描信号传输线段跨越所述第二扫描线。
12.如权利要求10所述的像素结构,其特征在于,所述扫描信号传输线位于所述第一像素电极以及所述第二像素电极之间。
13.一种显示面板,其特征在于,包括:
一第一基板,其具有多个像素结构,每一像素结构如权利要求1所述;
一第二基板,位于所述第一基板的对向;以及
一显示介质,位于所述第一基板与所述第二基板之间。
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