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CN107102485B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，包括：基底单元；栅极线，布置在基底单元上；数据线，布置在基底单元上并在与栅极线隔离的同时与栅极线交叉；屏蔽电极，布置在数据线上，并与数据线重叠，并与像素电极和导电条隔离；导电条，布置在与其上布置屏蔽电极的层相同的层上，与屏蔽电极隔离，并平行于数据线延伸。

Description

液晶显示装置
本申请要求于2016年2月23日提交的韩国专利申请第10-2016-0021009号的优先权及其衍生的所有权益，通过引证将其全部内容结合在此。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及液晶显示(“LCD”)装置。
背景技术
液晶显示(“LCD”)装置是目前最广泛使用的显示装置中的一种，通常包括诸如像素电极和共用电极的场生成电极形成在其上的两个基板以及插入在两个基板之间的液晶层。LCD装置通过将电压施加于场生成电极以在液晶层中产生电场来显示图像，电场确定液晶层中液晶分子的方向以调节入射光的偏振。
LCD装置的实例是垂直配向(“VA”)模式LCD装置，该模式是在没有产生电场时将液晶分子配向成使得液晶分子的长轴垂直于上面板和下面板。VA模式LCD装置由于其高对比度和宽参考视角已被重视。
发明内容
为了实现VA模式液晶显示(“LCD”)装置中的宽视角，可以在每一个像素中设置液晶分子的配向方向彼此不同的多个域。
存在一种通过在场生成电极(诸如，像素电极)上限定切口(诸如，狭缝)来在LCD装置的每个像素中形成多个域的方法。根据这个方法，可以通过使用切口的边缘与场生成电极之间产生的边缘场将液晶分子重新配向以提供多个域。
本发明的示例性实施方式提供了通过控制每一个像素电极的边缘处的边缘场以提高透射率的LCD装置。
本发明的示例性实施方式还提供了提高侧面可视性的LCD装置。
然而，本发明的示例性实施方式不限于本文阐述的那些。通过参考以下给出的本发明的详细说明，本发明的以上和其他示例性实施方式对本发明涉及的领域的普通技术人员而言将变得更显而易见。
根据本发明的一示例性实施方式，提供了一种LCD装置。LCD装置包括：基底单元；像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从主干延伸的多个分支；第一导电条，沿着像素电极的第一边缘延伸并且与第一边缘隔离；第一连接器，连接像素电极和第一导电条；以及共用电极，与像素电极重叠，并且具有平面形状。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种LCD装置。LCD装置包括：基底单元；栅极线，布置在基底单元上；数据线，布置在基底单元上并在与栅极线隔离的同时与栅极线交叉；屏蔽电极，布置在数据线上并与数据线重叠，并与像素电极和导电条隔离；导电条，布置在与其上布置屏蔽电极的层相同的层上，与屏蔽电极隔离，并平行于数据线延伸。
根据该示例性实施方式，可以提供具有改善的透射率的LCD装置。
另外，可以提供具有改善的侧面可视性的LCD装置。
从以下的详细描述、附图和权利要求书中，其他特征和示例性实施方式将是显而易见的。
附图说明
图1是根据发明的液晶显示(“LCD”)装置中包括的阵列基板(例如，阵列基板的像素)的示例性实施方式的示意性平面图。
图2是沿着图1的线P-P’截取的示意性截面图。
图3是沿着图1的线Q-Q’截取的示意性截面图。
图4是图1的部分A的放大图。
图5是示出了图1的像素电极和条形导体的示意性平面图。
图6到图27是图1的根据示例性实施方式的LCD装置的条形导体的各种变形的示意性平面图。
图28到图40是图1的LCD装置的示例性实施方式的像素电极和条形导体的各种变形的示意性平面图。
图41是示出了图1的LCD装置的侧面伽马曲线的曲线图。
图42是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的等效电路图。
图43是根据发明的LCD装置中包括的阵列基板(例如，阵列基板的像素)的示例性实施方式的示意性平面图。
图44是沿着图43的线R-R’截取的示意性截面图。
图45是沿着图43的线S-S’截取的示意性截面图。
图46是示出了图43的像素电极和条形导体的示意性平面图。
图47到图49是图42的根据示例性实施方式的LCD装置的像素电极和条形导体的变形的示意性平面图。
具体实施方式
通过参考以下实施方式和附图的详细说明会更加容易理解本发明的特征及其实现方法。然而，本发明可以以多种不同的形式体现，并且不应被解释为局限于本文所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式以使本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本发明的概念，并且本发明将仅由所附权利要求限定。贯穿本说明书，相同的参考标号指相同的元件。
本文所用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不旨在限制本发明。除非上下文另有明确指出，否则如本文中使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包含(comprise)”和/或“包括(comprising)”时，是指存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
将理解，当元件或层相对另一元件或层被称为“在其之上”、“与其连接”或“与其耦接”时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接或耦接至另一元件或层，或者可能存在一个或多个中间元件或层。相反，当元件相对另一元件或层被称为“直接在其之上”、“与其直接连接”或“与其直接耦接”时，则不存在中间元件或者中间层。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项的任意和所有组合。
应当理解的是，尽管本文中可使用术语第一、第二等描述各种元件、部件、区域、层和/或部，然而，这些元件、部件、区域、层和/或部不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或者部与另一区域、层或者部区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或者部可被称为第二元件、部件、区域、层或者部。
为了便于说明，本文中可使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上方”、“上部”等空间关系术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(多个)元件或者(多个)特征的关系。应当理解的是，空间关系术语旨在包括使用或运行中的装置的除图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在…下方”可涵盖上方和下方两个方位。装置可被另行定向(例如，旋转90度或者位于其他方位处)并且应当相应地解释文中所用的空间关系描述符。
考虑到所讨论的测量以及与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文使用的“大约”或“近似”包括在由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内的所述值和平均值。例如，“大约”可以是指在一个或多个标准偏差之内、或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之内。
除非另有明确定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本发明的背景下的含义一致的含义，并且这些术语将不以理想化或过于正式的意思来解释，除非本文明确如此定义。
参照为理想化的实施方式的示意性图示的截面图示，在本文中描述了示例性实施方式。因此，可以预期由于例如制造技术和/或容差所产生的示图中的形状上的变化。因此，在本文中描述的实施方式不应当解释为局限于如在本文中示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的在形状上的偏差。在示例性实施方式中，示出或者描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可以被磨圆。因此，在图中所示出的区域在本质上是示意性的并且其形状并不旨在示出区域的精确形状并且并不旨在限制权利要求的范围。
除非另有明确定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本申请所属领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。应进一步理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不得以理想化或者过度形式化的意义进行解释，除非本文中明确如此定义。
在附图中，由相同的参考标号表示相同或相似部件或元件。
在下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。
图1是根据本发明的示例性实施方式的液晶显示(“LCD”)装置(具体地，阵列基板的像素)中包括的阵列基板的示意性平面图，图2是沿着图1的线P-P’截取的示意性截面图，图3是沿着图1的线Q-Q’截取的示意性截面图，图4是图1的部分A的放大图，图5是示出了图1的像素电极和条形导体的示意性平面图，以及图6到图27是图1的根据示例性实施方式的LCD装置的条形导体的各种变形的示意性平面图。
参考图1至图5，LCD装置1可以包括：阵列基板100；对置基板200，面对阵列基板100；以及液晶层300，布置在阵列基板100与对置基板200之间，并且可以进一步包括一对偏振器(未示出)，这对偏振器分别附接在阵列基板100和对置基板200的外表面上。
在示例性实施方式中，阵列基板100可以是薄膜晶体管(“TFT”)阵列基板，用于驱动液晶分子的开关器件(例如，TFT)布置在薄膜晶体管(“TFT”)阵列基板上，并且对置基板200可以是面对阵列基板100的基板。
液晶层300可以包括多个液晶分子310，液晶分子具有介电各向异性。响应于施加于阵列基板100与对置基板200之间的电场，液晶分子310可以在阵列基板100与对置基板200之间在特定方向上旋转，从而允许或者阻挡光的透射。如本文中使用的，术语“旋转(rotate)”或“旋转(rotation)”可以不仅包括液晶分子310的实际物理旋转，而且还包括液晶分子310由于电场的对准的变化。
在下文中将描述阵列基板100。
第一基底单元SUB1可以包括绝缘基板，并且绝缘基板可以是透明的。在示例性实施方式中，例如，第一基底单元SUB1可以包括玻璃基板、石英基板、或透明树脂基板。在示例性实施方式中，第一基底单元SUB1可包括聚合物或具有高热阻的塑料材料。在示例性实施方式中，第一基底单元SUB1可具有柔性。即，第一基底单元SUB1可以是可通过转动、折叠或者弯曲而变形的基板。在示例性实施方式中，第一基底基板SUB1可具有其中附加层(诸如，绝缘层)层叠在绝缘基板上的结构。
栅极线GLn和栅电极GE可以布置在第一基底单元SUB1上。栅极线GLn可以传输栅极信号，并且可以基本沿第一方向(例如，水平方向)延伸。栅电极GE可以从栅极线GLn突出并且可以连接至栅极线GLn。在示例性实施方式中，栅极线GLn和栅电极GE可以包括铝(Al)基金属(诸如，Al或Al合金)、银(Ag)基金属(诸如，Ag或Ag合金)、铜(Cu)基金属(诸如，Cu或Cu合金)、钼(Mo)基金属(诸如Mo或Mo合金)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。在示例性实施方式中，栅极线GLn和栅电极GE中的每一个可具有单层结构或可具有包括具有不同物理性能的两个导电薄膜的多层结构，其中两个导电薄膜中的一个可以包括低电阻金属，例如，Al基金属、Ag基金属、Cu基金属等，以便减少栅极布线(GLn和GE)中的信号延迟或电压降，并且另一导电薄膜可以包括对于氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)具有优异接触性质的材料，诸如，Mo基金属、Cr、Ti、Ta等。栅极线GLn和栅电极GE中的每一个的多层结构的实例包括Cr下膜和Al上膜的结合以及Al下膜和Mo上膜的结合，但本发明不限于此。即，除了在本文中阐述的那些以外，可以使用各种金属和导体提供栅极线GLn和栅电极GE。
栅极绝缘层GI可以布置在栅极线GLn和栅电极GE上。在示例性实施方式中，例如，栅极绝缘层GI可以包括绝缘材料，例如，无机绝缘材料，诸如，氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。栅极绝缘层GI可具有单层结构或可具有包括具有不同的物理性能的两个绝缘膜的多层结构。
半导体层SM可以布置在栅极绝缘层GI上，并且可以与栅电极GE部分地重叠。在示例性实施方式中，例如，半导体层SM可包括非晶硅、多晶硅、或氧化物半导体。
多个欧姆接触构件(Oha、Ohb以及Ohc)可以布置在半导体层SM上。欧姆接触构件(Oha、Ohb以及Ohc)可以包括：源极欧姆接触构件Oha，布置在将在后面描述的源电极SE的下方；漏极欧姆接触构件Ohb，布置在漏电极DE的下方；以及数据欧姆接触构件Ohc，布置在数据线(DLm和DLm+1)的下方。在示例性实施方式中，例如，欧姆接触构件(Oha、Ohb以及Ohc)可以包括掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅，或硅化物。
在示例性实施方式中，当半导体层SM包括氧化物半导体时，可以不提供欧姆接触构件(Oha、Ohb以及Ohc)。
源电极SE、漏电极DE以及数据线(DLm和DLm+1)可以布置在欧姆接触构件(Oha、Ohb以及Ohc)和栅极绝缘层GI上。数据线(DLm和DLm+1)可以传输数据信号并且可以基本沿第二方向(例如，垂直方向)延伸以与栅极线GLn交叉，第二方向与第一方向相交。为了方便，布置在像素电极PE的左侧上的数据线DLm在下文中将会称为第一数据线DLm，并且布置在像素电极PE的右侧上的数据线DLm+1在下文中将会称为第二数据线DLm+1。
源电极SE可以连接至第一数据线DLm并且可以从第一数据线DLm突出至栅电极GE的顶部。在示例性实施方式中，源电极SE的在栅电极GE上方的一部分可以弯曲成C形状，但本发明不限于此。即，源电极SE的形状可以变化。
漏电极DE面对源电极SE。漏电极DE可以包括基本上平行于源电极SE延伸的条状部和布置在条状部的相对侧上的延伸部。漏电极DE和源电极SE可以接触半导体层SM，并且可以布置在半导体层SM上以彼此隔离。
在示例性实施方式中，数据线(DLm和DLm+1)、源电极SE以及漏电极DE可以包括Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta、或其合金并且可各自具有多层结构，多层结构包括下膜(未示出)和布置在下膜上的低电阻上膜(未示出)，下膜包括难熔金属，但本发明不限于此。
栅电极GE、源电极SE以及漏电极DE可以与半导体层SM一起提供TFT Tr，TFT Tr是开关器件。第一钝化层PA1可以布置在栅电极GE、半导体层SM、源电极SE以及漏电极DE上。第一钝化层PA1可以包括有机绝缘材料或者无机绝缘材料。第一钝化层PA1可以保护TFT Tr并且可以防止将在下面描述的有机层ILA中所包含的材料渗透到半导体层SM中。
有机层ILA可以布置在第一钝化层PA1上。在示例性实施方式中，有机层ILA可具有平坦化第一钝化层PA1的顶部的功能。有机层ILA可包括有机材料。在示例性实施方式中，有机材料可以是光敏有机材料。
在其他示例性实施方式中，可以不提供有机层ILA。在其他示例性实施方式中，有机层ILA可以是滤色器。滤色器可以显示(但不限于)三基色(诸如红色、绿色以及蓝色)中的一个。在可替换的示例性实施方式中，滤色器可以显示青色、紫红色、黄色以及白色(或者发白的颜色)中的一个。在以下描述中，假定有机层ILA是滤色器，但本发明不限于此。
第二钝化层PA2可以布置在有机层ILA上。在示例性实施方式中，第二钝化层PA2可包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。第二钝化层PA2可以防止有机层ILA从下面的层剥落，并且可以抑制液晶层300被来自有机层ILA的有机材料(诸如，溶剂)污染。
暴露漏电极DE的一部分的接触孔CT可以限定在第一钝化层PA1、有机层ILA以及第二钝化层PA2中。
像素电极PE可以布置在第二钝化层PA2上。像素电极PE可以经由接触孔CT通过接触漏电极DE电连接至TFT Tr。在示例性实施方式中，像素电极PE可以包括透明导电材料，例如，ITO、IZO、氧化锌铟锡(“ITZO”)、或掺杂铝的氧化锌(“AZO”)、或反射性金属，诸如，Al、Ag、Cr、或其合金。在示例性实施方式中，例如，像素电极PE的平面形状可以基本上为矩形。
像素电极PE可以包括主干PEa、从主干PEa向外延伸的多个分支PEb以及突起PEc。像素电极PE可以进一步包括分支连接器CNz，该分支连接器连接分支PEb中至少一些的端部。
分支PEa可以包括基本上沿水平方向延伸的水平主干PEah和基本上沿垂直方向延伸的垂直主干PEav，并且可以将像素电极PE划分成多个子区域，例如，多个域。在示例性实施方式中，水平主干PEah和垂直主干PEav可以彼此相交，并且因此主干PEa可以是十字形。在主干PEa设置成十字形的情况下，像素电极PE可以划分成四个子区域，即，四个域。从像素电极PE的一个子区域到另一子区域，分支PEb延伸的方向可以不同。在示例性实施方式中，参考图1和图5，例如，分支PEb可以从主干PEa沿右上方向在右上方的子区域中对角地延伸，并且可以从主干PEa沿右下方向在右下方的子区域中对角地延伸。分支PEb可以从主干PEa沿左上方向在左上方的子区域中对角地延伸，并且可以从主干PEa沿左下方向在左下方的子区域中对角地延伸。在示例性实施方式中，例如，由栅极线GLn延伸的方向和分支PEb限定的角度、由水平主干PEah和分支PEb限定的角度、或者由垂直主干PEav和分支PEb限定的角度可以是大约45度，但本发明不限于此。
尽管未具体地示出，但在其他示例性实施方式中，除本文中阐述的以外，主干PEa可以设置成各种形状，并且像素电极PE可以根据主干PEa的形状分成一个子区域、两个子区域或三个子区域，这将在下面参照图31到图40详细地将描述。
突起PEc可以连接至另一层并且可以从主干PEa或分支PEb向下突出。在示例性实施方式中，突起PEc可以从主干PEa突出，但本发明不限于此。突起PEc经由接触孔CT电连接至漏电极DE。
分支连接器CNz可以在不面对将在下面描述的导电条(Bx和By)的像素电极PE的一侧处连接分支PEb中至少一些的端部。在示例性实施方式中，例如，当分别面对导电条(Bx和By)的像素电极PE的边缘分别定义为第一边缘E1和第二边缘E2时，像素电极PE的上部边缘被定义为第三边缘E3，并且像素电极PE的底部边缘被定义为第四边缘E4，分支连接器CNz可以连接位于第三边缘E3的分支PEb的端部。在可替换的示例性实施方式中，与图1和图5中示出的示例性实施方式不同，可以在第四边缘E4提供另外的分支连接器CNz以连接位于第四边缘E4的分支PEb的端部。在其他示例性实施方式中，可以不提供分支连接器CNz。
如在图1和图5中示出的，面对导电条Bx或By的分支PEb中的一些的端部可彼此不连接。
在可替换的示例性实施方式中，与图1和图5中示出的示例性实施方式不同，面对导电条(Bx和By)的分支PEb的端部可以经由一个或多个另外的分支连接器互相连接，在这样的情况下，导电条(Bx和By)可以面对附加的分支连接器。
图1示出了像素电极PE的水平宽度(即，像素电极PE在栅极线GLn延伸的方向上的宽度)小于像素电极PE的垂直宽度(即，像素电极PE在数据线(DLm和DLm+1)延伸的方向上的宽度)，但本发明不限于此。在其他示例性实施方式中，像素电极PE的水平宽度(即，像素电极PE在栅极线GLn延伸的方向上的宽度)可以大于像素电极PE的垂直宽度(即，像素电极PE在数据线(DLm和DLm+1)延伸的方向上的宽度)。
导电条(Bx和By)和连接器(Cx和Cy)可以布置在第二钝化层PA2上。导电条(Bx和By)可以与像素电极PE物理隔离，并且可以布置在与其上布置像素电极PE的层相同的层上。即，导电条(Bx和By)，与像素电极PE相似，可以直接布置在第二钝化层PA2上，并且因此可以直接接触第二钝化层PA2。
导电条(Bx和By)可以布置为面对像素电极PE的边缘，并且可以在保持距像素电极PE一预定距离的同时与像素电极PE平行地延伸，导电条(Bx和By)是设置成沿垂直方向或水平方向延伸的条的形状的导体。在示例性实施方式中，例如，导电条(Bx和By)可以沿数据线(DLm和DLm+1)延伸的方向(即，在垂直方向上)延伸。为了方便，布置在像素电极PE左边的导电条(Bx和By)中的一个，即，面对像素电极PE的第一边缘E1的导电条Bx，在下文中将称为第一导电条Bx，并且布置在像素电极PE右边并且面对像素电极PE的第二边缘E2的导电条By在下文中将会称为第二导电条By。
导电条(Bx和By)可以不与数据线(DLm和DLm+1)重叠。在示例性实施方式中，例如，第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的第一边缘E1与第一数据线DLm之间并且可以不与第一数据线DLm重叠，并且第二导电条By可以布置在像素电极PE的第二边缘E2与第二数据线DLm+1之间并且可以不与第二数据线DLm+1重叠。
像素电极PE的边缘与导电条(Bx和By)之间的距离可以是均匀的或者可以变化。在示例性实施方式中，当面对像素电极PE的第一边缘E1的第一导电条Bx的边缘被定义为第一内边缘BE1x，第一内边缘BE1x的相对侧上的第一导电条Bx的边缘被定义为第一外边缘BE2x，面对像素电极PE的第二边缘E2的第二导电条By的边缘被定义为第二内边缘BE1y，并且第二内边缘BE1y的相对侧上的第二导电条By的边缘被定义为第二外边缘BE2y时，像素电极PE的第一边缘E1与第一导电条Bx的第一内边缘BE1x之间的距离D可以是均匀的，如在图1和图5中示出的。考虑到LCD装置1的可视性可以控制距离D。在示例性实施方式中，例如，距离D可以为大约2微米(μm)至大约5μm。相似地，例如，像素电极PE的第二边缘E2与第二导电条By的第二内边缘BE1y之间的距离可以是均匀的并且可以为大约2μm至大约5μm。
在示例性实施方式中，可以不提供第一导电条Bx和第二导电条By中的一个。
在示例性实施方式中，例如，导电条(Bx和By)的宽度W可以大于0μm并且可以小于大约10μm。导电条(Bx和By)的宽度W沿着导电条(Bx和By)的纵长方向(或者沿着垂直方向)可以是均匀的或者可以部分地变化。
导电条(Bx和By)的形状不限于如在图1和图5中示出的矩形形状，但可以变化。图6到图27示出了导电条(Bx和By)的各种变型。更具体地，图6到图13示出了导电条(Bx和By)的内边缘(参考图5，BE1x和BE1y)平行于像素电极PE的边缘的各种实例，并且图14到图21示出了导电条(Bx和By)的外边缘(参考图5，BE2x和BE2y)平行于像素电极PE的边缘的各种实例。图22到图27示出了导电条(Bx和By)的内边缘(BE1x和BE1y)和外边缘(BE2x和BE2y)至少部分地不与像素电极PE的边缘平行的各种实例。为了方便，在图6到图27中未示出像素电极PE的详细结构。
在下文中将参考图1到图5并进一步参考图6到图27描述导电条(Bx和By)的各种变型。
图6和图7示出了导电条(Bx和By)为直角三角形的形状的实例。更具体地，参考图6，第一导电条Bx和第二导电条By可以关于穿过像素电极PE的虚构垂直线L1对称，即，可以彼此呈线对称。在可替换的示例性实施方式中，参考图7，第一导电条Bx和第二导电条By可以关于两者都穿过像素电极PE的虚构垂直线L1与虚构水平线L2之间的交点O对称，即，可以彼此点对称。
图8和图9示出了导电条(Bx和By)中的每一个由关于水平线L2对称的两个相同的直角三角形组成的实例。参考图8，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可具有通过以两个相同的直角三角形中形成直角的顶点相接的这种方式将两个相同的直角三角形结合而提供的形状。在可替换的示例性实施方式中，参考图9，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可具有通过以两个相同的直角三角形中形成锐角的顶点相接的这种方式将两个相同的直角三角形结合而提供的形状。在可替换的示例性实施方式中，尽管未示出，第一导电条Bx可具有在图8和图9中示出的两个形状中的一个，并且第二导电条By可具有另一形状。
图10和图11示出了导电条(Bx和By)中的每一个由关于水平线L2对称的两个相同的梯形组成的实例。参考图10和图11，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可具有形成直角的顶点和形成锐角的顶点。更具体地，如在图10中示出的，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可具有通过以两个相同的梯形中形成直角的顶点相接的这种方式将两个相同的梯形结合而提供的形状。在可替换的示例性实施方式中，如在图11中示出的，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可具有通过以两个相同的梯形中形成锐角的顶点相接的这种方式将两个相同的梯形结合而提供的形状。在可替换的示例性实施方式中，尽管未示出，第一导电条Bx可具有在图10和图11中示出的两个形状中的一个，并且第二导电条By可具有另一形状。
图12和图13示出了导电条(Bx和By)为梯形的形状的实例。参考图12，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可以关于虚构垂直线L1对称，即，可以彼此呈线对称。在可替换的示例性实施方式中，参考图13，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可以关于两者都穿过像素电极PE的虚构垂直线L1与虚构水平线L2之间的交点O对称，即，可以彼此呈点对称。
图14和图15示出了导电条(Bx和By)为直角三角形的形状的实例，图16和图17示出了导电条(Bx和By)中的每一个由关于水平线L2对称的两个相同的直角组成的实例，图18和图19示出了导电条(Bx和By)中的每一个由关于水平线L2对称的两个相同的梯形组成，以及图20和图21示出了导电条(Bx和By)为梯形的形状的实例。除了导电条(Bx和By)的外边缘(BE2x和BE2y)平行于像素电极PE的边缘之外，图14到图21的示例性实施方式基本上与图6到图13的示例性实施方式相同。
即，导电条(Bx和By)中的每一个可具有宽度沿着导电条(Bx和By)的纵长方向(或者沿着垂直方向)变化的部分，并且相应部分的形状可以变化。
图22和图23示出了导电条(Bx和By)的内边缘(参考图5，BE1x和BE1y)和外边缘(参考图5，BE2x和BE2y)都不平行于像素电极PE的边缘的实例。参考图22，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可以相对于像素电极PE向外弯曲，即，朝向导电条(Bx和By)的外边缘(BE2x和BE2y)分别面对的方向。在可替换的示例性实施方式中，参考图23，第一导电条Bx和第二导电条By中的每一个可以相对于像素电极PE向内弯曲，即，朝向导电条(Bx和By)的内边缘(BE1x和BE1y)分别面对的方向。在可替换的示例性实施方式中，尽管未示出，第一导电条Bx可具有在图22和图23中示出的两个形状中的一个，并且第二导电条By可具有另一形状。
图24至图27示出了导电条(Bx和By)的内边缘(参考图5，BE1x和BE1y)或者外边缘(参考图5，BE2x和BE2y)部分地平行于像素电极PE的边缘的实例。
参考图24和图25，第一导电条Bx和第二导电条By的连接到连接器(Cx和Cy)的部分(在下文中，条连接部分)可以平行于像素电极PE的边缘。除了条连接部分之外，整个第一导电条Bx和第二导电条By可以相对于像素电极PE向外弯曲，即，朝向导电条(Bx和By)的外边缘(BE2x和BE2y)分别面对的方向，如在图24中示出的。在可替换的示例性实施方式中，除了条连接部分之外，整个第一导电条Bx和第二导电条By可以朝向像素电极PE弯曲，如在图25中示出的。
在可替换的示例性实施方式中，如在图26中示出的，第一导电条Bx和第二导电条By的条连接部分可以相对于像素电极PE向外弯曲，并且第一导电条Bx和第二导电条By的其余部分可以平行于像素电极PE的边缘。在可替换的示例性实施方式中，如在图27中示出的，第一导电条Bx和第二导电条By的条连接部分可以相对于像素电极PE向内弯曲，并且第一导电条Bx和第二导电条By的其余部分可以平行于像素电极PE的边缘。
然而，本发明不限于此，并且导电条(Bx和By)的形状可以变化。
再次参考图1到图5，连接器(Cx和Cy)电连接像素电极PE和导电条(Bx和By)。连接器(Cx和Cy)包括连接第一导电条Bx和像素电极PE的第一连接器Cx以及连接第二导电条By和像素电极PE的第二连接器Cy。然而，本发明不限于此，并且连接器(Cx和Cy)的数量和位置可以变化。
在示例性实施方式中，导电条(Bx和By)和连接器(Cx和Cy)可以包括透明导电材料，例如，ITO、IZO、ITZO、或AZO，或者反射性金属，诸如，Al、Ag、Cr、或其合金。导电条(Bx和By)和连接器(Cx和Cy)可以包括与像素电极PE的材料相同的材料。在示例性实施方式中，可以使用单个掩模通过相同的处理同时提供导电条(Bx和By)、连接器(Cx和Cy)以及像素电极PE。
屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在第二钝化层PA2上。屏蔽电极(SHE1和SHE2)与导电条(Bx和By)和像素电极PE可以物理上隔离并电绝缘。屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在与其上布置导电条(Bx和By)和像素电极PE的层相同的层上。即，屏蔽电极(SHE1和SHE2)，与导电条(Bx和By)和像素电极PE相似，可以直接布置在第二钝化层PA2上，并且因此可以直接接触第二钝化层PA2。屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以包括透明导电材料并且可以包括与导电条(Bx和By)和像素电极PE的材料相同的材料。在示例性实施方式中，屏蔽电极(SHE1和SHE2)、导电条(Bx和By)以及像素电极PE可以使用单个掩模通过相同的处理同时提供。
屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在对应于数据线(DLm和DLm+1)的第二钝化层PA2的部分上，并且可以与数据线(DLm和DLm+1)重叠。即，屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在数据线(DLm和DLm+1)上方，可以与数据线(DLm和DLm+1)绝缘，并且可以沿数据线(DLm和DLm+1)延伸的方向(例如，垂直方向)延伸，与数据线(DLm和DLm+1)重叠。为了方便，与第一数据线DLm重叠的屏蔽电极SHE1在下文中将称为第一屏蔽电极SHE1，并且与第二数据线DLm+1重叠的屏蔽电极SHE2在下文中将称为第二屏蔽电极SHE2。
如在平面图看到的，第一屏蔽电极SHE1在水平方向(即，栅极线GLn延伸的方向)上的宽度可以大于第一数据线DLm在水平方向上的宽度。相似地，如在平面图看到的，第二屏蔽电极SHE2在水平方向(即，栅极线GLn延伸的方向)上的宽度可以大于第二数据线DLm+1在水平方向上的宽度。如在平面图中看到的，第一屏蔽电极SHE1可以覆盖第一数据线DLm，并且第二屏蔽电极SHE2可以覆盖第二数据线DLm+1。
在示例性实施方式中，施加于将在下面描述的共用电极CE的具有与共用电压的电平相同电平的电压可以施加于屏蔽电极(SHE1和SHE2)。在可替换的示例性实施方式中，在其他示例性实施方式中，施加于维持电极线SLn的具有与维持电压的电平相同电平的电压可以施加于屏蔽电极(SHE1和SHE2)。
维持电极线SLn可以进一步布置在第一基底单元SUB1上。维持电极线SLn可以基本上沿与栅极线GLn相同的方向(例如，水平方向)延伸。维持电极线SLn可以包括第一维持电极SLna和第二维持电极SLnb，第一维持电极SLna和第二维持电极SLnb布置为靠近像素电极PE的边缘。第一维持电极SLna和第二维持电极SLnb可以遮住或减少像素电极PE与数据线(DLm和DLm+1)之间的耦合场。
维持电极线SLn可以至少部分地与导电条(Bx和By)重叠。在示例性实施方式中，维持电极线SLn的第一维持电极SLna可以与第一导电条Bx重叠。如在平面图中看到的，第一维持电极SLna可以布置在第一屏蔽电极SHE1与第一导电条Bx之间并且可以通过与第一导电条Bx重叠覆盖第一屏蔽电极SHE1与第一导电条Bx之间的间隙G。与第一导电条Bx重叠的第一维持电极SLna可以与第一屏蔽电极SHE1部分重叠。第一维持电极SLna可以不与像素电极PE重叠，并且具体地，不与像素电极PE的第一边缘E1重叠。
相似地，第二维持电极SLnb可以与第二导电条By重叠，可以与第二屏蔽电极SHE2部分重叠，但可以不与像素电极PE重叠。
在示例性实施方式中，维持电极线SLn可以布置在与其上布置栅极线GLn和栅电极GE的层相同的层上，并且可以包括与栅极线GLn和栅电极GE的材料相同的材料。即，维持电极线SLn可以布置在第一基底单元SUB1与栅极绝缘层GI之间并且可以包括与栅极线GLn的材料相同的材料。在其他示例性实施方式中，维持电极线SLn可以布置在与其上布置数据线(DLm和DLm+1)的层相同的层上，并且可以包括与数据线(DLm和DLm+1)的材料相同的材料。即，维持电极线SLn，与数据线(DLm和DLm+1)相似，可以布置在栅极绝缘层GI与第一钝化层PA1之间并且可以包括与数据线(DLm和DLm+1)的材料相同的材料。为了方便，假定维持电极线SLn布置在与其上布置栅极线GLn的层相同的层上。
在下文中将描述对置基板200。
对置基板200可以包括第二基底单元SUB2、遮光构件BM、滤色器CF、保护层OC以及共用电极CE。
第二基底单元SUB2(与第一基底单元SUB1相似)可以包括透明绝缘基板。在示例性实施方式中，第二基底单元SUB2可包括聚合物或具有高热阻的塑料材料。在示例性实施方式中，第二基底单元SUB2可具有柔性。
遮光构件BM可以布置在第二基底单元SUB2与液晶层300之间，并且具体地，在面对第一基底单元SUB1的第二基底单元SUB2的表面上。在示例性实施方式中，遮光构件BM可具有与栅极线GLn和TFT Tr重叠的部分和与数据线(DLm和DLm+1)重叠的部分BM1。在示例性实施方式中，遮光构件BM可包括遮光颜料(诸如，炭黑)或不透明材料(诸如，Cr)，并且可以进一步包括光敏有机材料。在另一个示例性实施方式中，可以不提供与数据线(DLm和DLm+1)重叠的遮光构件BM的部分BM1。
在示例性实施方式中，滤色器CF可以显示基色(诸如，红色、绿色以及蓝色)中的一个，但本发明不限于此。即，在另一个示例性实施方式中，例如，滤色器CF可以显示青色、紫红色、黄色以及白色中的一个。在示例性实施方式中，在有机层ILA包括彩色颜料的情况下，可以不提供滤色器CF。
保护层OC可以布置在第二基底单元SUB2、遮光构件BM以及滤色器CF上，并且可以覆盖遮光构件BM。保护层OC可以平坦化由遮光构件BM和滤色器CF提供的高度差。在其他示例性实施方式中，根据需要可以不提供保护层OC。
共用电极CE可布置在保护层OC上。在示例性实施方式中，共用电极CE可以包括诸如ITO或IZO的透明导电材料。在示例性实施方式中，共用电极CE可以布置在第二基底单元SUB2的整个表面上。共用电极CE可以布置为平面形状。共用电极CE可以设置为单板以面对像素电极PE。共用电压可以施加于共用电极CE，并且因此，共用电极CE可以与像素电极PE产生电场。像素电极PE可以经由TFT Tr接收数据电压，并且共用电极CE可以接收共用电压，共用电压具有与数据电压不同的电平。因此，可以产生对应于共用电压与数据电压之间的差的电场。液晶层300中液晶分子310的配向可以根据电场强度变化，并且因此，可以控制LCD装置1的透光率。
尽管未示出，配向层可以分别布置在阵列基板100和对置基板200内部。在示例性实施方式中，配向层可以是垂直配向层。
液晶层300可以布置在阵列基板100与对置基板200之间并且可以包括具有负介电各向异性的液晶分子310。液晶分子310可具有预倾角使得它们的长轴基本上平行于像素电极PE的分支PEb的纵长方向，即，像素电极PE的分支PEb延伸的方向。在没有电场的情况下，液晶分子310可以相对于阵列基板100和对置基板200的表面垂直配向。液晶层300可以进一步包括配向剂，配向剂包括反应性介晶，并且由于配向剂，液晶分子310可具有预倾角使得它们的长轴基本上平行于像素电极PE的分支PEb的纵长方向，即，像素电极PE的分支PEb延伸的方向。
在可替换的示例性实施方式中，配向剂可以包括在配向层中。在这种情况下，配向层可具有主链和侧链，并且配向剂可以提供侧链使得液晶分子310可具有负介电各向异性。由于侧链，液晶分子310可具有预倾角使得它们的长轴基本上平行于像素电极PE的分支PEb的纵长方向，即，像素电极PE的分支PEb延伸的方向。
在下文中将描述LCD装置1的操作。
响应于施加于栅极线GLn的栅极信号，TFT Tr(是连接至栅极线GLn的开关器件)导通，并且施加于第一数据线DLm的数据电压经由TFT Tr施加于像素电极PE。然后，像素电极PE与接收共用电压的共用电极CE产生电场。液晶层300的液晶分子310可以响应于电场并且可以配向成使得它们的长轴垂直于电场的方向。
像素电极PE和共用电极CE可以在液晶层300中产生垂直场，并且边缘场可以在分支PEb之中产生。由于边缘场，液晶分子310被配向在特定方向上，并且最终在基本上平行于分支PEb的纵长方向的方向上倾斜。
参考图1到图5，在共用电极CE与分支PEb之间产生的边缘场的水平分量EF1基本上朝向垂直于像素电极PE的边缘区域中的分支PEb的边缘的方向定向，其中分支PEb的端部没有连接在一起。在第一导电条Bx的第一内边缘BE1x与共用电极CE之间产生的边缘场的水平分量EF2基本上朝向垂直于第一导电条Bx的纵长方向的方向定向，该方向几乎与分支PEb产生的边缘场的水平分量EF1的方向相反。分支PEb的边缘产生的边缘场的水平分量EF1和第一导电条Bx的第一内边缘BE1x产生的边缘场的水平分量EF2可以彼此偏移。此外，导电条(Bx和By)可以阻挡外电场。因此，可以防止液晶分子310未对准基本上平行于分支PEb的纵长方向。因此，LCD装置1沿着像素电极PE的边缘的透射率可以提高。
与共用电压的电平相同电平的电压可以施加于屏蔽电极(SHE1和SHE2)。因此，在共用电极CE与屏蔽电极(SHE1和SHE2)之间没有产生电场，或者仅产生弱电场。因此，可减小在邻近数据线(DLm和DLm+1)的区域中液晶分子310未对准的可能性。因此，邻近数据线(DLm和DLm+1)的区域中未对准的液晶分子可能引起的光泄漏可减少，遮光构件BM的区域也可减小，并且LCD装置1的开口率可以改善。
图28到图40是图1的根据示例性实施方式的LCD装置的像素电极和条形导体的各种变形的示意平面图。
参考图1、图5以及图28，除了像素电极PE在其第三边缘E3没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的第三边缘E3的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图28的示例性实施方式与图5的示例性实施方式基本相同。
第三导电条Bz可以连接至第一导电条Bx或第二导电条By。在可替换的示例性实施方式中，如在图28中示出的，第三导电条Bz可以连接至第一导电条Bx和第二导电条By两者，在这样的情况下，可以不提供第一连接器Cx、第二连接器Cy以及第三连接器Cz中的至少一个。
参考图1、图5以及图29，图29的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于导电条(Bx和By)与像素电极PE的边缘之间的距离改变。更具体地，在面对第一导电条Bx的两个任意分支之间，当相对接近水平主干PEah的一个分支被定义为第一分支PEb1并且相对远离水平主干PEah的另一分支被定义为第二分支PEb2时，第一分支PEb1的端部与第一导电条Bx之间的最小距离D1可以小于第二分支PEb2的端部与第一导电条Bx之间的最小距离D2。
即，在图29的示例性实施方式中，像素电极PE的边缘与导电条(Bx和By)之间的距离可以通过改变像素电极PE的平面形状沿着导电条(Bx和By)的纵长方向或者沿着垂直方向改变。因此，可以控制在LCD装置1中产生的纹理。
参考图1、图5、图29以及图30，除了像素电极PE在其第三边缘E3没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的第三边缘E3的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图30的示例性实施方式与图29的示例性实施方式基本相同。
参考图1、图5以及图31，图31的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于像素电极PE被分成单个子区域。更具体地，垂直主干PEav的端部和水平主干PEah的端部可以彼此连接，并且因此主干PEa可具有L形状，例如，逆时针旋转90度的L形状，顺时针旋转90度的L形状，或者旋转180度的L形状。因此，像素电极PE可以分成单个子区域。图31示出了主干PEa处于逆时针旋转90度的L形状的形式的实例。
分支PEb可以从主干PEa沿左上方向延伸。如上所述，分支PEb中的一些分支的端部可以不彼此连接。
面对像素电极PE的第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的左边缘(或者图5的第一边缘E1)上，并且可以经由第一连接器Cx连接至像素电极PE。连接分支PEb的端部的分支连接器CNz可以布置在像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)上。
尽管未示出，面对像素电极PE的第二导电条和连接第二导电条与像素电极PE的第二连接器可以进一步布置在像素电极PE的右边缘(或者图5的第二边缘E2)上。
参考图1、图5、图31以及图32，除了像素电极PE在其上部边缘(或者图5的第三边缘E3)没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图32的示例性实施方式与图31的示例性实施方式基本相同。
参考图1、图5以及图33，图33的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于像素电极PE被分成两个子区域。更具体地，垂直主干PEav的端部和水平主干PEah的端部可以连接至彼此，并且因此，主干PEa可具有逆时针旋转90度的T形状或者顺时针旋转90度的T形状。因此，像素电极PE可以分成两个子区域。图33示出了主干PEa处于顺时针旋转90度的T形状的形式的实例。
分支PEb可以从主干PEa沿左上方向或左下方向延伸。如上所述，分支PEb中的一些分支的端部可以不彼此连接。
面对像素电极PE的第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的左边缘(或者图5的第一边缘E1)上，并且可以经由第一连接器Cx连接至像素电极PE。连接分支PEb的端部的分支连接器CNz可以布置在像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)上。
尽管未示出，面对像素电极PE的第二导电条和连接第二导电条与像素电极PE的第二连接器可以进一步布置在像素电极PE的右边缘(或者图5的第二边缘E2)上。
参考图1、图5、图33以及图34，除了像素电极PE在其上部边缘(或者图5的第三边缘E3)没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图34的示例性实施方式与图33的示例性实施方式基本相同。
参考图1、图5以及图35，图35的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于像素电极PE被分成两个子区域。更具体地，垂直主干PEav的端部和水平主干PEah的端部可以连接至彼此，并且因此，主干PEa可具有T形状或旋转180度的T形状。因此，像素电极PE可以分成两个子区域。图35示出了主干PEa处于旋转180度的T形状的形式的实例。
分支PEb可以从主干PEa沿左上方向或右上方向延伸。如上所述，分支PEb中的一些分支的端部可以不彼此连接。
面对像素电极PE的第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的左边缘(或者图5的第一边缘E1)上，并且可以经由第一连接器Cx连接至像素电极PE。面对像素电极PE的第二导电条By可以布置在像素电极PE的右边缘(或者第二边缘E2)上，并且可以经由第二连接器Cy连接至像素电极PE。
连接分支PEb的端部的分支连接器CNz可以布置在像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)上。
参考图1、图5、图35以及图36，除了像素电极PE在其上部边缘(或者图5的第三边缘E3)没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的上部边缘(或图5的第三边缘E3)的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图36的示例性实施方式与图35的示例性实施方式基本相同。
参考图1、图5以及图37，图37的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于像素电极PE被分成两个子区域。更具体地，垂直主干PEav可以包括第一垂直主干部分PEav1和第二垂直主干部分PEav2。第一垂直主干部分PEav1可以连接至水平主干PEah的一端并且可以向上延伸。第二垂直主干部分PEav2可以连接至水平主干PEah的另一端并且可以向下延伸。因此，主干PEa可以将像素电极PE划分成两个子区域。
分支PEb可以从主干PEa沿左上方向或右下方向延伸。如上所述，分支PEb中的一些分支的端部可以不彼此连接。
面对像素电极PE的第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的左边缘(或者图5的第一边缘E1)上，并且可以经由第一连接器Cx连接至像素电极PE。面对像素电极PE的第二导电条By可以布置在像素电极PE的右边缘(或者第二边缘E2)上，并且可以经由第二连接器Cy连接至像素电极PE。在示例性实施方式中，第一导电条Bx和第二导电条By可以布置为面对分支PEb，而不是面对垂直主干PEav。
在示例性实施方式中，连接分支PEb的端部的分支连接器CNz可以布置在像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)上。
参考图1、图5、图37以及图38，除了像素电极PE在其上部边缘(或者图5的第三边缘E3)没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图38的示例性实施方式与图37的示例性实施方式基本相同。
参考图1、图5以及图39，图39的示例性实施方式与图5的示例性实施方式的不同之处在于像素电极PE被分成三个子区域。更具体地，垂直主干PEav可以包括第一垂直主干部分PEav1和第二垂直主干部分PEav2。在示例性实施方式中，第一垂直主干部分PEav1可以连接至水平主干PEah并且可具有例如T形状或者旋转180度的T形状。第二垂直主干部分PEav2可以连接至水平主干PEah的一端，并且可以沿与第一垂直主干部分PEav1延伸的方向相反的方向延伸。因此，主干PEa可以将像素电极PE划分成三个子区域。
分支PEb可以从主干PEa沿左上方向、右上方向、或右下方向延伸。如上所述，分支PEb中的一些分支的端部可以不彼此连接。
面对像素电极PE的第一导电条Bx可以布置在像素电极PE的左边缘(或者图5的第一边缘E1)上，并且可以经由第一连接器Cx连接至像素电极PE。面对像素电极PE的第二导电条By可以布置在像素电极PE的右边缘(或者第二边缘E2)上，并且可以经由第二连接器Cy连接至像素电极PE。在示例性实施方式中，第一导电条Bx和第二导电条By可以布置为面对分支PEb，而不是面对垂直主干PEav。
连接分支PEb的端部的分支连接器CNz可以布置在像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)上。
参考图1、图5、图39以及图40，除了像素电极PE在其上部边缘(或者图5的第三边缘E3)没有特定分支连接器并且包括面对像素电极PE的上部边缘(或者图5的第三边缘E3)的第三导电条Bz和连接像素电极PE与第三导电条Bz的第三连接器Cz之外，图40的示例性实施方式与图39的示例性实施方式基本相同。
在图31到图40的示例性实施方式中，可按与图29和图30的示例性实施方式相似的方式改变像素电极PE的平面形状使得像素电极PE的边缘与导电条(Bx和By)之间的距离可以改变。
图41是示出了根据本发明的示例性实施方式的LCD装置(具体地，图1的根据示例性实施方式的LCD装置)的侧面伽马曲线的曲线图。参考图41，“Fr”表示正面伽马曲线，“Re”表示根据比较例的LCD装置(不包括导电条)的侧面伽马曲线，并且“Pr”表示LCD装置1的侧面伽马曲线。
如在图41中示出的，包括导电条的LCD装置1的侧面伽马曲线Pr比根据比较例的LCD装置的侧面伽马曲线Re更靠近正面伽马曲线Fr，并且因此，与根据比较例的LCD装置相比，LCD装置1可具有提高的侧面可视性。另外，由于LCD装置1包括导电条，LCD装置1的侧面伽马曲线Pr变得比根据比较例的LCD装置的侧面伽马曲线Re相对平缓。因此，可以防止在LCD装置1的侧面可能发生的快速的颜色变化，因此，可以改善颜色失真。
在图1到图42中，相同的参考标号将分配给相同的元件，并且将省去对其的详细说明。
图42是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的等效电路图。
参考图42，根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素可以包括两个子像素(P1和P2)。像素可以包括传输栅极信号的栅极线GLn、传输数据电压的数据线DLm、向其施加预定维持电压的维持电极线SLn、第一TFT Tr1、第二TFT Tr2以及第三TFT Tr3。
第一TFT Tr1和第二TFT Tr2可以连接至相同的栅极线(即，栅极线GLn)和相同的数据线(即，数据线DLm)。第三TFT Tr3可以连接至与第一TFT Tr1和第二TFT Tr2相同的栅极线，即，栅极线GLn，并且还可以连接至第二TFT Tr2和维持电极线SLn。
连接至第一TFT Tr1的第一液晶电容器Clc1提供在第一子像素P1中，并且连接至第二TFT Tr2的第二液晶电容器Clc2提供在第二子像素P2中。
第一TFT Tr1可以包括在第一子像素P1中，并且第二TFT Tr2和第三TFT Tr3可以包括在第二子像素P2中。
第一TFT Tr1的第一端子可以连接至栅极线GLn，第一TFT Tr1的第二端子可以连接至数据线DLm，并且第一TFT Tr1的第三端子可以连接至第一液晶电容器Clc1。
第一TFT Tr1的第三端子可以连接至第一子像素电极(未示出)，第一子像素电极形成第一液晶电容器Clc1。
第二TFT Tr2的第一端子可以连接至栅极线GLn，第二TFT Tr2的第二端子可以连接至数据线DLm，并且第二TFT Tr2的第三端子可以连接至第二液晶电容器Clc2。
第二TFT Tr2的第三端子可以连接至第二子像素电极(未示出)，第二子像素电极形成第二液晶电容器Clc2。
第三TFT Tr3的第一端子可以连接至栅极线GLn，第三TFT Tr3的第二端子可以连接至维持电极线SLn，并且第三TFT Tr3的第三端子可以连接至第二TFT Tr2的第三端子。
在下文中将描述根据图42的示例性实施方式的LCD装置的操作。响应于施加于栅极线GLn的栅极导通电压，连接至栅极线GLn的第一TFT Tr1、第二TFT Tr2以及第三TFT Tr3可以全部导通，并且第一液晶电容器Clc1和第二液晶电容器Clc2可以充入数据线DLm传输的数据电压。相同的数据电压施加于第一子像素电极和第二子像素电极这两者，并且第一液晶电容器Clc1和第二液晶电容器Clc2可以充入到相同的电平，即，对应于共用电压与数据电压之间的差的电平。
由于第三TFT Tr3处于导通状态，经由数据线DLm传输到第二子像素的数据电压可被第三TFT Tr3分压，第三TFT Tr3串联连接至第二TFT Tr2。数据电压可以根据第二TFTTr2和第三TFT Tr3的沟道的尺寸在第二TFT Tr2与第三TFT Tr3之间划分。因此，即使当相同的数据电压经由数据线DLm传输至第一子像素P1和第二子像素P2时，第一液晶电容器Clc1和第二液晶电容器Clc2可以充入不同的电压。即，第二液晶电容器Clc2充入的电压可以低于第一液晶电容器Clc1充入的电压。
因此，可以通过使第一子像素P1充入的电压和第二子像素P2充入的电压彼此不同而提高LCD装置的侧面可视性。维持电压可以高于共用电压。在示例性实施方式中，例如，当共用电压为大约7伏特(V)时，维持电压可以为大约8V，但本发明不限于此。
在图1到图46中，相同的参考标号将分配给相同的元件，并且将省去对其的详细说明。
图43是包括在根据本发明的示例性实施方式的LCD装置(具体地，图42的根据示例性实施方式的LCD装置)中的阵列基板的示意性平面图，图44是沿图43的线R-R’截取的示意性截面图，图45是沿图43的线S-S’截取的示意性截面图，以及图46是示出了图43的像素电极和条形导体的示意性平面图。
参考图43至图46，LCD装置2可以包括：阵列基板100a；对置基板200a，面对阵列基板100a；以及液晶层300，布置在阵列基板100a与对置基板200a之间，并且可以进一步包括一对偏振器(未示出)，分别附接在阵列基板100a和对置基板200a的外表面上。
在下文中将描述阵列基板100a。
在示例性实施方式中，栅极线GLn可以布置在第一基底单元SUB1上，例如，第一基底单元包括透明玻璃或塑料材料。栅极线GLn基本沿第一方向(例如，水平方向)延伸并且传输栅极信号。
从栅极线GLn突出并且彼此连接的第一栅电极GE1和第二栅电极GE2可以布置在第一基底单元SUB1上。可以布置第三栅电极GE3，第三栅电极也从栅极线GLn突出并且与第一栅电极GE1和第二栅电极GE2隔离。第一栅电极GE1、第二栅电极GE2以及第三栅电极GE3可以全部连接至相同的栅极线(即，栅极线GLn)，并且可以向第一栅电极GE1、第二栅电极GE2以及第三栅电极GE3施加相同的栅极信号。
栅极绝缘层GI可以布置在栅极线GLn和第一栅电极GE1、第二栅电极GE2以及第三栅电极GE3上。在示例性实施方式中，栅极绝缘层GI可包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。栅极绝缘层GI可具有单层结构或者多层结构。
第一半导体层SM1、第二半导体层SM2以及第三半导体层SM3可以布置在栅极绝缘层GI上。更具体地，第一半导体层SM1可以布置在第一栅电极GE1的上方，第二半导体层SM2可以布置在第二栅电极GE2的上方，并且第三半导体层SM3可以布置在第三栅电极GE3的上方。在示例性实施方式中，例如，第一半导体层SM1、第二半导体层SM2以及第三半导体层SM3可包括非晶硅、多晶硅、或氧化物半导体。
多个欧姆接触构件(Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3以及Ohc)可以布置在第一半导体层SM1、第二半导体层SM2以及第三半导体层SM3上。欧姆接触构件(Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3、和Ohc)可以包括：源极欧姆接触构件Oha1、Oha2以及Oha3，分别布置在将在下面描述的第一源电极SE1、第二源电极SE2以及第三源电极SE3下方；漏极欧姆接触构件Ohb1、Ohb2以及Ohb3，分别布置在将在下面描述的第一漏电极DE1、第二漏电极DE2以及第三漏电极DE3下方；以及数据欧姆接触构件Ohc，布置在数据线DLm和DLm+1的下方。在示例性实施方式中，当第一半导体层SM1、第二半导体层SM2以及第三半导体层SM3包括氧化物半导体时，可以不提供欧姆接触构件(Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3以及Ohc)。
数据线(DLm和DLm+1)、第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3以及第三漏电极DE3可以布置在欧姆接触构件(Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3以及Ohc)和栅极绝缘层GI上。
数据线(DLm和DLm+1)可以传输数据电压并且可以基本沿第二方向(例如，垂直方向)延伸以与栅极线GLn相交。
第一源电极SE1设置为从数据线DLm突出至第一栅电极GE1的顶部。在示例性实施方式中，第一源电极SE1的在第一栅电极GE1上方的一部分可以弯曲成C形状，但本发明不限于此。
第一漏电极DE1设置成与第一栅电极GE1上方的第一源电极SE1隔离。第一漏电极DE1和第一源电极SE1可以连接至第一半导体层SM1。
第二源电极SE2设置为从数据线DLm突出至第二栅电极GE2的顶部。在示例性实施方式中，例如，第二源电极SE2的在第二栅电极GE2上方的一部分可以弯曲成C形状，但本发明不限于此。
第二漏电极DE2设置成与第二栅电极GE2上方的第二源电极SE2隔离。第二漏电极DE2和第二源电极SE2可以连接至第二半导体层SM2。
第三源电极SE3连接至第二漏电极DE2并且设置为与第三栅电极GE3的上方的第三漏电极DE3隔离。第三漏电极DE3和第三源电极SE3可以连接至第三半导体层SM3。
第三漏电极DE3设置为在第三栅电极GE3上突出。第三漏电极DE3可以连接至将在下面描述的维持电极线SLn，并且可以接收预定电压(例如，维持电压)。
第一栅电极GE1、第一半导体层SM1、第一源电极SE1以及第一漏电极DE1形成第一TFT(图32的Tr1)。第二栅电极GE2、第二半导体层SM2、第二源电极SE2以及第二漏电极DE2形成第二TFT(图32的Tr2)。第三栅电极GE3、第三半导体层SM3、第三源电极SE3以及第三漏电极DE3形成第三TFT(图32的Tr3)。
第一钝化层PA1可以布置在数据线DLm和DLm+1、第一源电极SE1、第二源电极SE2以及第三源电极SE3和第一漏电极DE1、第二漏电极DE2以及第三漏电极DE3上。第一钝化层PA1可以包括有机绝缘材料或者无机绝缘材料。第一钝化层PA1可以保护第一TFT Tr1、第二TFTTr2以及第三TFT Tr3并且可以防止将在下面描述的有机层ILA中包括的材料渗透到第一半导体层SM1、第二半导体层SM2以及第三半导体层SM3中。
有机层ILA可以布置在第一钝化层PA1上。在示例性实施方式中，有机层ILA可具有平坦化第一钝化层PA1的顶部的功能。有机层ILA可包括有机材料。有机层ILA可以进一步包括彩色颜料。在示例性实施方式中，例如，有机层ILA可包括允许特定颜色波长的光的透射的彩色颜料。即，有机层ILA可以是滤色器。当有机层ILA包括彩色颜料时，有机层ILA可以与数据线DLm和DLm+1上的相邻像素的绝缘层ILA’至少部分重叠。为了方便，在以下描述中，假定有机层ILA是滤色器。
第二钝化层PA2可以布置在有机层ILA上。在示例性实施方式中，第二钝化层PA2可包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。第二钝化层PA2可以防止有机层ILA从下面的层剥落，并且可以抑制液晶层300被来自有机层ILA的有机材料(诸如，溶剂)污染。
暴露第一漏电极DE1的一部分的第一接触孔CT1、暴露第二漏电极DE2的一部分的第二接触孔CT2以及暴露第三漏电极DE3的一部分和将在下面描述的维持电极延伸部SLnp的第三接触孔CT3可以提供在第一钝化层PA1、有机层ILA以及第二钝化层PA2中。
像素电极(PE1和PE2)可以布置在有机层ILA和第二钝化层PA2上。像素电极(PE1和PE2)可以包括第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2。第一子像素电极PE1可以经由第一接触孔CT1连接至第一漏电极DE1，并且第二子像素电极PE2可以经由第二接触孔CT2连接至第二漏电极DE2。
第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2可以分别从第一漏电极DE1和第二漏电极DE2接收数据电压。在示例性实施方式中，第三源电极SE3可以从第二漏电极DE2的对应于第二接触孔CT2的宽部分DE2a延伸。施加于第二漏电极DE2的数据电压的一部分可以被第三源电极SE3分压，并且因此施加于第二子像素电极PE2的第二子像素电压可以低于施加于第一子像素电极PE1的第一子像素电压。这对应于施加于第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2的数据电压具有正极性(+)的情况。当施加于第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2的数据电压具有负极性(-)时，施加于第一子像素电极PE1的第一子像素电压可以低于施加于第二子像素电极PE2的第二子像素电压。
第一子像素电极PE1可以包括第一主干PE1a、从第一主干PE1a向外延伸的多个第一分支PE1b以及连接至第一漏电极DE1的第一突起PE1c，并且可以进一步包括连接第一分支PE1b中至少部分分支的端部的第一分支连接器CZ1。第一主干PE1a可以包括第一水平主干PE1ah和第一垂直主干PE1av。
第一主干PE1a、第一分支PE1b、第一突起PE1c以及第一分支连接器CZ1与图1到图5的它们各自的对应物相同，并且因此，将省去对其的详细说明。
如上所述，参考图33到图36，面对将在下面描述的上导电条B1x或B1y的第一子像素电极PE1的第一分支PE1b中的一些分支的端部可以不彼此连接。在可替换的示例性实施方式中，与图43到图46中示出的示例性实施方式不同，面对上导电条B1x或B1y的第一子像素电极PE1的第一分支PE1b的端部可以经由另外的分支连接器至少部分彼此连接，在这样的情况下，上导电条B1x或B1y可以面对另外的分支连接器。
第二子像素电极PE2可以包括第二主干PE2a、从第二主干PE2a向外延伸的多个第二分支PE2b以及连接至第二漏电极DE2的第二突起PE2c，并且可以进一步包括连接第二分支PE2b中至少一些分支的端部的第二分支连接器CZ2。第二主干PE2a可以包括第二水平主干PE2ah和第二垂直主干PE2av。
第二主干PE2a、第二分支PE2b、第二突起PE2c以及第二分支连接器CZ2与图1到图5的它们各自的对应物相同，并且因此，将省去对其的详细说明。
如上所述，参考图33到图36，面对将在下面描述的下导电条B2x或B2y的第二子像素电极PE2的第二分支PE2b中的一些分支的端部可以不彼此连接。在可替换的示例性实施方式中，与图43到图46中所示出的不同，面对下导电条B2x或B2y的第二子像素电极PE2的第二分支PE2b的端部可以经由另外的分支连接器至少部分彼此连接，在这样的情况下，下导电条B2x或B2y可以面对另外的分支连接器。
上导电条(B1x和B1y)、上连接器(C1x和C1y)、下导电条(B2x和B2y)、下连接器(C2x和C2y)可以布置在第二钝化层PA2上。上导电条(B1x和B1y)可以与第一子像素电极PE1物理隔离并且可以布置在与其上布置第一子像素电极PE1的层相同的层上。相似地，下导电条(B2x和B2y)可以与第二子像素电极PE2物理隔离并且可以布置在与其上布置第二子像素电极PE2的层相同的层上。即，上导电条(B1x和B1y)和下导电条(B2x和B2y)，如同像素电极(PE1和PE2)，可以直接布置在第二钝化层PA2上，并且因此可以直接接触第二钝化层PA2。
上连接器(C1x和C1y)电连接第一子像素电极PE1和上导电条(B1x和B1y)。上连接器(C1x和C1y)可以包括连接第一上导电条B1x和第一子像素电极PE1的第一上连接器C1x，以及连接第二上导电条B1y和第一子像素电极PE1的第二上连接器C1y。
相似地，下连接器(C2x和C2y)电连接第二子像素电极PE2和下导电条(B2x和B2y)。下连接器(C2x和C2y)可以包括连接第一下导电条B2x和第二子像素电极PE2的第一下连接器C2x，以及连接第二下导电条B2y和第二子像素电极PE2的第二下连接器C2y。
对上导电条(B1x和B1y)和下导电条(B2x和B2y)的其余描述与根据图1到图27的示例性实施方式中的任一个的导电条Bx和By的描述基本相同，并且对上连接器(C1x和C1y)和下连接器(C2x和C2y)的其余描述与根据图1到图5的示例性实施方式的连接器(Cx和Cy)的描述基本相同。因此，将省去对上导电条(B1x和B1y)、下导电条(B2x和B2y)、上连接器(C1x和C1y)以及下连接器(C2x和C2y)的更详细的描述。
屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在第二钝化层PA2上。屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以与上导电条(B1x和B1y)、下导电条(B2x和B2y)以及像素电极(PE1和PE2)物理上隔离并电绝缘。屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以布置在与其上布置上导电条(B1x和B1y)、下导电条(B2x和B2y)以及像素电极(PE1和PE2)的层相同的层上，并且可以包括与上导电条(B1x和B1y)、下导电条(B2x和B2y)以及像素电极(PE1和PE2)的材料相同的材料。屏蔽电极(SHE1和SHE2)可以包括与数据线DLm重叠的第一屏蔽电极SHE1，以及与数据线DLm+1重叠的第二屏蔽电极SHE2。
维持电极线SLn可以进一步布置在第一基底单元SUB1上。维持电极线SLn可以基本上沿与栅极线GLn相同的方向(例如，水平方向)延伸。维持电极线SLn可以布置为围绕像素电极(PE1和PE2)的至少一部分。维持电极线SLn可以包括第一维持电极SLna、第二维持电极SLnb以及第三维持电极SLnc，第一维持电极SLna、第二维持电极SLnb以及第三维持电极SLnc布置为围绕第一子像素电极PE1的一部分。维持电极线SLn可以进一步包括从第一维持电极SLna或第二维持电极SLnb延伸的维持电极延伸部SLnp。维持电极线SLn可以进一步包括布置为围绕第二子像素电极PE2的一部分的第四维持电极SLnd、第五维持电极SLne以及第六维持电极SLnf。在示例性实施方式中，如在平面图中示出的，第一维持电极SLna和第五维持电极SLne可以布置在像素电极(PE1和PE2)与数据线DLm之间，并且第二维持电极SLnb和第四维持电极SLnd可以布置在像素电极(PE1和PE2)与数据线DLm+1之间。
在示例性实施方式中，例如，维持电极线SLn可以布置在与其上布置栅极线GLn和第一栅电极GE1、第二栅电极GE2以及第三栅电极GE3的层相同的层上，并且可以包括与栅极线GLn和第一栅电极GE1、第二栅电极GE2以及第三栅电极GE3的材料相同的材料。即，维持电极线SLn可以布置在第一基底单元SUB1与栅极绝缘层GI之间并且可以包括与栅极线GLn的材料相同的材料。
第一维持电极SLna可以覆盖第一上导电条B1x与第一屏蔽电极SHE1之间的间隙G。第一维持电极SLna可以与第一上导电条B1x部分重叠或者还可以与第一屏蔽电极SHE1部分重叠。
相似地，第二维持电极SLnb可以覆盖第二上导电条B1y与第二屏蔽电极SHE2之间的间隙。第二维持电极SLnb可以与第二上导电条B1y部分重叠或者还可以与第二屏蔽电极SHE2部分重叠。
相似地，第五维持电极SLne可以覆盖第一下导电条B2x与第一屏蔽电极SHE1之间的间隙。第五维持电极SLne可以与第一下导电条B2x部分重叠或者还可以与第一屏蔽电极SHE1部分重叠。
相似地，第四维持电极SLnd可以覆盖第二下导电条B2y与第二屏蔽电极SHE2之间的间隙。第四维持电极SLnd可以与第二下导电条B2y部分重叠或者还可以与第二屏蔽电极SHE2部分重叠。
连接图案CP可以布置在第二钝化层PA2上。连接图案CP可以经由第三接触孔CT3电连接维持电极延伸部SLnp和第三漏电极DE3。连接图案CP可以布置在与其上布置像素电极(PE1和PE2)的层相同的层上，并且可以包括与像素电极(PE1和PE2)的材料相同的材料。
在下文中将描述对置基板200a。
对置基板200a可以包括第二基底单元SUB2、遮光构件BM、保护层OC以及共用电极CE。
第二基底单元SUB2(与第一基底单元SUB1相似)可以包括透明绝缘基板。在示例性实施方式中，例如，第二基底单元SUB2可包括聚合物或具有高热阻的塑料材料。在示例性实施方式中，第二基底单元SUB2可具有柔性。
遮光构件BM可以布置在面对第一基底单元SUB1的第二基底单元SUB2的表面上。在示例性实施方式中，遮光构件BM可具有与栅极线GLn和第一TFT Tr1、第二TFT Tr2以及第三TFT Tr3重叠的部分以及与数据线(DLm和DLm+1)重叠的部分BM1。遮光构件BM可包括遮光颜料(诸如，炭黑)或不透明材料(诸如，Cr)，并且可以进一步包括光敏有机材料。可以不提供与数据线(DLm和DLm+1)重叠的遮光构件BM的部分BM1。
保护层OC可以布置在第二基底单元SUB2和遮光构件BM上，并且可以覆盖遮光构件BM。保护层OC可以使由遮光构件BM提供的高度差平坦化。在其他示例性实施方式中，根据需要可以不提供保护层OC。
共用电极CE可布置在保护层OC上。在示例性实施方式中，当不提供保护层OC时，共用电极CE可以布置在第二基底单元SUB2和遮光构件BM上。在示例性实施方式中，共用电极CE包括诸如ITO或IZO的透明导电材料。在示例性实施方式中，共用电极CE可以布置在第二基底单元SUB2的整个表面上。共用电压可以施加于共用电极CE，并且因此，共用电极CE可以与像素电极(PE1和PE2)产生电场。
图47到图49是图42的根据示例性实施方式的LCD装置的像素电极和条形导体的变形的示意性平面图。
图43、图46以及图47，除了第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2中的每一个没有特定分支连接器，第一子像素电极PE1包括布置在第一子像素电极PE1的上部边缘上的第三上导电条B1z以及连接第一子像素电极PE1和第三上导电条B1z的第三上连接器C1z，并且第二子像素电极PE2包括布置在第二子像素电极PE2的下边缘上的第三下导电条B2z以及连接第二子像素电极PE2和第三下导电条B2z的第三下连接器C2z以外，图47的示例性实施方式与图43和图46的示例性实施方式基本相同。
根据第一上导电条B1x和第二上导电条B1y以及第三上导电条B1z如何连接至第一子像素电极PE1，可以不提供第一上连接器C1x和第二上连接器C1y以及第三上连接器C1z中的至少一个，并且根据第一下导电条B2x和第二下导电条B2y以及第三下导电条B2z如何连接至第二子像素电极PE2，可以不提供第一下连接器C2x和第二下连接器C2y以及第三下连接器C2z中的至少一个。
参考图43、图46以及图48，图48的示例性实施方式与图43和图46的示例性实施方式的不同之处在于第一子像素电极PE1的边缘与上导电条B1x和B1y之间的距离可以改变并且第二子像素电极PE2的边缘与下导电条B2x和B2y之间的距离可以改变。第一子像素电极PE1的边缘与上导电条(B1x和B1y)之间的距离或者第二子像素电极PE2的边缘与下导电条(B2x和B2y)之间的距离改变的方式与以上参考图29描述的方式基本相同，并且因此，将省去对其的详细说明。
参考图43、图46、图48以及图49，除了下述以外，图49的示例性实施方式与图48的示例性实施方式基本相同，即，第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2中的每一个没有特定分支连接器，第一子像素电极PE1包括布置在第一子像素电极PE1的上部边缘上的上导电条B1z，以及连接第一子像素电极PE1和第三上导电条B1z的第三上连接器C1z，并且第二子像素电极PE2包括布置在第二子像素电极PE2的下边缘上的第三下导电条B2z，以及连接第二子像素电极PE2和第三下导电条B2z的第三下连接器C2z。
已参考附图描述了本发明的示例性实施方式。然而，本领域中的技术人员将会理解可在基本不偏离本发明的原理的前提下对公开的实施方式做出许多变化和修改。因此，本发明公开的实施方式仅以一般和描述性的意义使用，而不用于限制的目的。

Claims (19)

1.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极；以及
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一导电条和所述像素电极布置在相同的层上，并且包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极的所述第一边缘与所述第一导电条之间的距离为2微米到5微米。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一导电条和第一分支的端部之间的第一最小距离与所述第一导电条和第二分支的端部之间的第二最小距离不同，所述第一分支是所述多个分支中面对所述第一导电条的分支中的一个，所述第二分支是所述多个分支中面对所述第一导电条的所述分支中的另一个。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述多个分支中面对所述第一导电条的分支的端部彼此隔离。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述多个分支中面对所述第二导电条的分支的端部彼此隔离。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括：
栅极线，布置在所述基底单元上，并且沿第一方向延伸；以及
第一数据线，布置在所述基底单元上，与所述栅极线隔离，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，
其中，所述第一导电条沿所述第二方向延伸，并且不与所述像素电极和所述第一数据线重叠。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，进一步包括：
屏蔽电极，布置在所述第一数据线上，并且与所述第一数据线重叠，并且与所述像素电极和所述第一导电条隔离。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述屏蔽电极、所述第一导电条和所述像素电极布置在相同的层上，并且包括相同的材料。
10.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，向所述屏蔽电极和所述共用电极施加相同电平的电压。
11.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极；以及
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状，
其中，所述像素电极的所述第一边缘与所述第一导电条之间的距离沿着所述第一导电条的纵长方向变化。
12.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极；以及
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状，
其中，所述第一导电条包括其宽度沿着所述第一导电条的纵长方向变化的部分。
13.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
分支连接器，连接所述多个分支中不面对所述第一导电条的分支的端部；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极；以及
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状，
其中，所述多个分支中面对所述第一导电条的分支的端部彼此隔离。
14.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状；
栅极线，布置在所述基底单元上，并且沿第一方向延伸；
第一数据线，布置在所述基底单元上，与所述栅极线隔离，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；
第二数据线，布置在所述基底单元上，与所述栅极线隔离，并且沿所述第二方向延伸；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；以及
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极，
其中，所述第一导电条沿所述第二方向延伸，并且不与所述像素电极和所述第一数据线重叠，
其中，所述第二导电条沿所述第二方向延伸，并且不与所述像素电极和所述第二数据线重叠。
15.一种液晶显示装置，包括：
基底单元；
像素电极，布置在所述基底单元上，并且包括主干和从所述主干延伸的多个分支；
第一导电条，沿着所述像素电极的第一边缘延伸并且与所述第一边缘隔离；
第一连接器，连接所述像素电极和所述第一导电条；
第二导电条，沿着所述像素电极的第二边缘延伸，并且与所述第二边缘隔离，所述第二边缘与所述第一边缘相对；
第二连接器，连接所述第二导电条和所述像素电极；
共用电极，与所述像素电极重叠，并且具有平面形状；
栅极线，布置在所述基底单元上，并且沿第一方向延伸；
第一数据线，布置在所述基底单元上，与所述栅极线隔离，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；以及
维持电极线，布置在所述基底单元上，并且与所述第一导电条重叠，
其中，所述第一导电条沿所述第二方向延伸，并且不与所述像素电极和所述第一数据线重叠。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述维持电极线不与所述像素电极的所述第一边缘重叠。
17.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述维持电极线与所述第二导电条重叠。
18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述维持电极线不与所述像素电极的所述第一边缘和所述第二边缘重叠。
19.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述维持电极线布置在与其上布置所述栅极线的层相同的层上，并且包括与所述栅极线的材料相同的材料。
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