CN107078075A - 用于对产品衬底进行涂层的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于对产品衬底(3、3')的凸起(5、5')的、尤其是分立的凸起(5、5')的凸起表面(5o、5o')进行涂层的方法,所述产品衬底(3、3')至少部分地、优选地主要具有被布置在凹陷(7)中的功能单元(6),所述方法具有如下步骤、尤其是如下流程:使所述凸起表面(5o、5o')与被涂覆在载体衬底(1)上的涂层材料(2、2')进行接触。将所述载体衬底(1)与所述凸起表面(5o、5o')分离,使得所述涂层材料(2、2')部分地保留在所述产品衬底(3、3')上。此外,本发明还涉及一种对应的装置。
Description
技术领域
本发明涉及用于对产品衬底进行涂层的按照权利要求1所述的方法和按照权利要求8所述的装置。
背景技术
在半导体产业中,存在用于将非常薄的层(尤其是具有在微米范围内或甚至在纳米范围内的平均厚度的层)涂覆到表面上的各种方法。常使用直接涂层方法,所述直接涂层方法使材料沉积在表面上。例如化学和物理气相沉积、浸渍方法等属于所述直接涂层方法。这些直接涂层方法一般始终将整个表面涂层。
然而,在半导体产业中,存在其中刚好允许不对整个表面进行涂层的无数种方法。为了防止将不要涂层的区域涂层,在现有技术中,仍常使用掩膜技术,例如光刻或压印光刻。然而,在照相工序中常见的是,首先将晶圆的整个表面涂层并且紧接着将其结构化。因而,该工序又造成对表面的完全涂层,所述对表面的完全涂层对于某些应用来说是不容许的。某些应用在任何时间点都不允许与涂层材料发生接触。在其它应用中,与涂层材料的短暂接触是容许的,但是将所述涂层材料从不应被涂层的位置除去呈现出大问题。这样,例如具有一大的高宽比的结构可产生非常强的毛细管效应,所述非常强的毛细管效应使得不可能将涂层材料从所述结构中除去。此外,尤其是由于必须执行相对大量的工序步骤,所以全部类型的掩膜技术都是非常昂贵的并且花费高的。数目增加的工序步骤不仅提高了成本,而且提高了容易出错性。
半导体产业中的另一方案是所谓的微接触印刷(μCP)。一个技术问题在于,必须适配μCP印模(μCP-Stempel)用来将材料转印到要涂层的产品晶圆的结构上。对于每个新类型的产品晶圆来说,必须制造一个新的印模。此外,问题还在于,在第一工序步骤中,必须将μCP印模浸入到要转印的材料中或必须从其后侧用所述材料浸透。然后,使所述μCP印模相对于产品晶圆的凸起结构精确对准。在另一第三工序步骤中,将材料从所述μCP印模转印到产品晶圆的要涂层的区域上。
发明内容
因而,本发明的任务是说明一种方法和装置,利用所述方法和装置,可以用尽可能少的、优选地简单的工序步骤以成本有利的方式和方法实现对产品衬底的部分涂层。所述方法和所述装置可以尽可能普遍使用和/或具有尽可能高的吞吐量(Durchsatz)。
该任务尤其是利用权利要求1和8的特征来解决。在从属权利要求中说明了本发明的有利的扩展方案。由至少两个在说明书、权利要求书和/或附图中所说明的特征构成的全部组合也落入本发明的保护范围内。在所说明的值域的情况下,在所提到的界限之内的值也作为极限值被公开并且能以任意的组合要求保护。
本发明所基于的思路在于通过如下方式扩展这种类型的装置或这种类型的方法:将被涂覆在载体衬底上的涂层材料尤其是通过与产品衬底的接触而至少部分地转印到产品衬底上、尤其是仅仅转印到要涂层的区域上。尤其是,这通过如下方式来解决:在分离载体衬底时,涂层材料的一部分保留在产品衬底上、也就是说尤其是仅仅保留在要涂层的区域上。
本发明尤其是涉及如下方面:用任意的涂层材料(尤其是聚合物、还更优选地是BCB (苯并环丁烯))对载体衬底(尤其是载体膜)进行涂层,而且使用具有凸起的产品衬底(尤其产品晶圆)作为印模并且同时作为最终产品。为此,使载体衬底与产品衬底彼此接触,而且通过另一工序步骤(尤其是通过滚筒引起的力转印)将涂层材料从载体衬底转印到产品衬底的凸起结构上。因此,在该工序步骤中,产品衬底几乎充当印模,但同时也充当要涂层的产品衬底或按照本发明的最终产品。
本发明尤其是涉及一种方法与设备,借助于所述方法与所述设备,可以对有地形的产品衬底(即拥有凸起结构的衬底)进行涂层。在此,本发明所基于的思路尤其在于,通过涂层转印工序将涂层(或涂层材料)转印到所述凸起结构的凸起表面上。事先将该涂层涂覆到载体衬底(尤其是载体膜)上,并且通过施加力(尤其是由运动的滚筒引起的力)而将载体衬底从载体衬底尤其是至少主要地、优选地仅仅转印到所述凸起表面上。
涂层材料优选地是聚合物,尤其是BCB。需要所述聚合物(尤其是BCB),优选地用于使经结构化的表面接合成第二对象(尤其是第二晶圆)或接合成封装单元。
按照本发明的装置和按照本发明的方法的一个重要的优点尤其是在于:可省略或省略一些在现有技术中必需的工序步骤。
按照本发明,尤其是可以省去随后提到的工序步骤中的一个或多个工序步骤:
- 在尤其是与产品衬底不同的印模上吸附材料,
- 对准工序、尤其是以超过500μm、优选地超过100μm、还优选地超过1μm、最优选地超过50 nm、更为最优选地超过1 nm的精确度的对准工序,
- 从印模到产品衬底的转印工序。
作为替代,按照本发明,优选地在载体衬底(尤其是载体膜)上实现对材料涂层的制造,而且尤其是借助于离心上釉设备以最简单的方式和方法来实现对材料涂层的制造。接着,真正的涂层转印工序直接在所述载体膜与所述产品衬底之间发生、也就是说在没有唯一的对准步骤的情况下发生。
产品衬底
按照本发明的方法适合于任何类型的拥有如下凸起的衬底,所述凸起的凸起表面必须被涂层。在此,按照本发明,尤其是通过涂层转印工序对凸起表面进行涂层或上釉。涂层转印工序尤其是防止对与凸起对应的凹陷的表面的涂层或上釉。描述了按照本发明的方法特别适合于的两个不同的产品衬底。
在第一实施方式中,经结构化的产品衬底具有平均厚度t1和包围功能单元(尤其是微系统、如MEMS (微机电系统))的多个凸起。这些凸起用作腔壁,所述腔壁的、尤其是成一行地或在一个平面内延伸的凸起表面应该通过按照本发明的工序来涂层。在产品衬底的所述第一实施方式中,通过不同的工序(尤其是平板印刷工序)在所述产品衬底的表面上产生腔壁。
在第二实施方式中,经结构化的产品衬底具有平均厚度t1'和其中嵌有功能单元(尤其是微系统、如MEMS)的多个凹陷。这些凹陷优选地直接被蚀刻到产品衬底中。通过蚀刻凹陷,同时形成包围这些凹陷的腔壁。
载体衬底
载体衬底的形状是任意的,其中周向轮廓尤其是矩形或方形的。这样的矩形载体衬底的边长尤其是大于10 mm、优选地大于50 mm、还更优选地大于200 mm、最优选地大于300mm。尤其是,所述边长始终大于衬底的表特性的几何形状大小。载体衬底的周向轮廓也可以是圆形的。这样的圆形载体衬底的直径尤其是经工业标准化。载体衬底因而优选地具有1英寸、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸的直径。在特别的实施方式中,载体衬底尤其可以是尤其是被卷起的膜,所述被卷起的膜可在层压装置中张紧。接着,在一定程度上涉及“连续膜”。
在按照本发明的第一实施方式中,载体衬底是载体膜。载体膜的表特性的性质是所述载体膜的可弯曲性。所述可弯曲性最好由(轴向)阻力矩来说明。在假定一矩形横截面具有宽度b和厚度t2的情况下,阻力矩与厚度t2的平方有关。因此,厚度t2越小,阻力矩越小并且(几何)阻力越小。按照本发明的载体衬底尤其是具有小于1000μm、优选地小于500μm、还更优选地小于100μm、最优选地小于50μm、更为最优选地小于10μm的厚度t2。载体膜可以或者被固定或者平地平放在平坦支撑件上,尤其是试样紧固件上,在所述平坦支撑件上也实现对材料的沉积。也可设想的是使载体膜绷紧到框架上。
在按照本发明的第二实施方式中,载体衬底是载体晶圆、尤其是由硅或玻璃构成的载体晶圆。优选地将载体晶圆薄化到厚度t2,在所述厚度t2的情况下,所述载体晶圆可弯曲和变形。按照本发明的载体晶圆优选地具有小于1000μm、优选地小于500μm、还更优选地小于250μm、最优选地小于100μm且还更优选地小于50μm的厚度t2。这样的载体衬底不具有与载体膜相同的柔韧性,但是更有弹性并且由此可以更好地恢复到其原始形状。
按照本发明,在用要转印的涂层材料来涂层或上釉之前,尤其是制备载体衬底,使得可以从载体衬底尽可能容易地又除去在涂层转印工序之后留下的材料,以便将载体衬底供给新的涂层工序。尤其是,调整载体衬底的表面,使得在材料与载体衬底表面之间之附着力最小。优选地,所述附着力通过每单位面积的能量来限定,所述每单位面积的能量对于使两个彼此连接的表面彼此分离是必需的。在此,所述能量以J/m2为单位来说明。在载体衬底与涂层材料之间的每单位面积的能量尤其为小于2.5 J/m2、优选地小于2.0 J/m2、更优选地小于1.5 J/m2、最优选地小于1.0 J/m2、更为最优选地小于0.5 J/m2、最为最优选地小于0.1J/m2。
按照一个优选的按照本发明的实施方式,在涂层材料与载体衬底之间之附着力是低的,使得涂层材料通过其自身的内聚力(自行复原或自行平整)重新被平整,从而对在多个产品衬底上的涂层材料的多次去除是可能的。由此,至少不必每次都清洁并且重新对载体衬底进行涂层。这尤其是可以通过在分离之后的涂层材料的热和/或电和/或磁应力来辅助。为此,尤其是降低黏度,以便在足够高的内聚力的情况下导致材料在适当的温度下的自行平整。尤其是选择小于500℃、优选地小于250℃、还更优选地小于100℃、最优选地小于50℃的温度;还更优选地,自行平整在室温下发生。所述温度尤其为大于15℃。
工序(方法)
在按照本发明的第一工序步骤中,制备如上文所描述地被构造的载体衬底,用于涂层或上釉。将该载体衬底固定在试样紧固件上。该试样紧固件拥有固定装置。这些固定装置尤其可以是真空条带,尤其是由陶瓷制造的、能加载真空并且构造欠压的多孔元件、机械夹箝、静电元件、磁性元件或尤其是能切换的粘性元件。
只要使用真空试样紧固件,所述真空试样紧固件就优选地被构造为使得能产生足够的欠压,以便确保载体衬底与经结构化的试样紧固件的牢固的固定。在真空试样紧固件之内的绝对压强尤其是小于1 bar、优选地小于7.5*10-1mbar、还更优选地小于5.0*10-1mbar、最优选地小于2.5*10-1mbar、更为最优选地小于1*10-1mbar。优选地,可将试样紧固件尤其是加热和/或冷却到超过25℃、优选地超过50℃、还更优选地超过100℃、最优选地超过250℃、更为最优选地超过500℃的温度。试样紧固件可以以能冷却的方式来构造,或可以具有冷却装置。尤其是,可将试样紧固件冷却到低于25℃、优选地低于0℃、还更优选地低于-25℃、最优选地低于-75℃、更为最优选地低于-125℃的温度。特别是当要转印的涂层材料由于冷脆化而更容易从载体衬底脱落时,相对应的冷却才适合。PCT/EP 2014/063687描述了一种方法,其中公开了这样的脆化机制并且就这方面来说对其进行参考。试样紧固件的冷却装置也可以被用于更高效的、更快速的并且特别是更精确地被控制的对经加热的试样紧固件的被提高的温度的降低。试样紧固件可以被用于固定载体衬底和/或经结构化的试样紧固件。
尤其是,与在重新上釉或涂层之前的清洁相关联地,尤其是可以多次使用载体衬底。所述清洁优选地用适合于此的清洁化学物质来实现。该清洁化学物质优选地应具有如下化学特性,所述化学特性彻底除去所述要转印的材料的残余物,而不以化学方式腐蚀载体衬底。尤其是选择如下化学物质中的一个或多个,作为清洁化学物质:
• 水、尤其是蒸馏水,和/或
• 溶剂,尤其是含柠檬的溶剂和/或丙酮和/或PGMEA和/或异丙醇和/或均三甲苯和/或
• 酸和/或
• 碱液。
尤其是附加地,可以物理地通过压缩空气或特殊清洁气体来清洁载体衬底,以便除去颗粒。
如果已经相对应地制备了载体衬底的表面,使得在材料与载体衬底之间之附着力最小,那么清洁更简单。优选地,接着,使用蒸馏水已足以冲掉材料和污物。尤其是,选择不腐蚀表面的清洁化学物质。
在按照本发明的第二工序步骤中,对载体衬底进行涂层或上釉。优选地通过离心上釉工序对载体衬底进行涂层或上釉。也可设想喷雾上釉工序、层压工序和/或浸渍工序。在一个十分特别的按照本发明的实施方式中,尤其是当载体衬底只是已经被使用一次时,载体衬底已经可以用要转印的材料来涂层。这主要在膜中是这种情况。在此,可借助于喷雾上釉、离心上釉、挤压或浸渍涂层对膜进行涂层。
在涂层之后的涂层厚度均质性(尤其是涂层材料的TTV值(英文:total thicknessvariation(总厚度变化)))尤其是小于10μm、优选地小于1μm、还更优选地小于100 nm、最优选地小于10 nm、更为最优选地小于1 nm。通过TTV值描述要转印的材料的层厚度均质性。所述层厚度均质性被理解为在要测量的表面(涂层表面)上的所层流的最大涂层厚度与所测量的最小涂层厚度之间的差。
按照本发明,全部类型的涂层材料都可以被用于进行涂层或上釉。在一优选的实施方式中,使用持久性接合粘合剂,尤其是BCB。按照本发明地可设想的其它涂层材料是:
• 聚合物、尤其是接合粘合剂,优选地
□ 暂时性接合粘合剂,还更优选地HT10.10,和/或
□ 持久性接合粘合剂、尤其是苯并环丁烯(BCB)和/或JSR WPR 5100和/或SU-8和/或光学粘合剂和/或聚酰亚胺基粘合剂,和/或
• 金属,尤其是Au、Ag、Cu、Al、Fe、Ge、As、Sn、Zn、Pt和/或W。
按照本发明优选地使用持久性接合粘合剂。持久性接合粘合剂被理解为用于持久性接合的聚合物。通过接合粘合剂的交联(尤其是通过加热和/或电磁辐射、尤其是UV光)实现持久性接合。
在涂层或上釉到载体衬底上之后,优选地热处理被涂覆的涂层材料,以便排出溶剂。用于排出溶剂的温度尤其是大于25℃、优选地大于50℃、还更优选地大于75℃、最优选地大于100℃、更为最优选地大于125℃和/或小于500℃、优选地小于250℃。
在按照本发明的第三工序步骤中,使载体膜相对于产品衬底进行粗略校准。按照本发明一个重要的优点是可完全省去使用对准设备或进行精细校准。要转印的材料整面地存在于载体衬底上。经结构化的产品衬底的要涂层的凸起在接近载体衬底并且借此接近涂层材料时,始终与载体衬底表面的涂层有涂层材料的区域进行接触。经结构化的产品衬底借此形成配备有凸起的印模。
粗略校准与对准或精细校准之间的差异在于所使用的校准装置的最大对准精度。按照本发明,所述最大对准精度尤其是最大1μm、优选地最大100μm、还更优选地最大500μm、还更优选地最大1 mm、最优选地最大2 mm。因此,优选地,通过按照本发明的工序,可使用借助于机器人或在手动操作的情况下用眼睛使产品衬底相对于载体衬底对准,而不必动用复杂的技术辅助装置(如光学装置或软件)。
在按照本发明的第四工序步骤中,通过接触装置(尤其是层压装置)在涂层材料与要涂层的凸起表面之间进行接触、尤其是均匀的并且立即的接触。
按照本发明的第一实施方式,仅仅通过表面与涂层材料的接触而引起材料转印。
在按照本发明的另一实施方式中,通过力(尤其是施加在整个载体衬底/产品衬底内的面积力、集中于载体衬底/产品衬底的小的面积内的面积力、线力或点力)引起材料转印或至少使材料转印加速。所施加的力尤其是小于10 kN、优选地小于1000 N、还更优选地小于100 N、最优选地小于10 N、更为最优选地小于1 N。相对应地通过力除以面积或线计算压强。相对应地存在表面压强及线压强。在大约200 mm直径的径向对称的、即圆形的产品衬底的整面负载的情况下,在被施加的、整面地承载的力为10 kN时,得到大约31.8 kN/m2或大约3.18 bar的压强,对于被施加的、整面地承载的力为1 N时,得到大约31.8 N/m2或大约0.318 mbar的压强。因而,所施加的压强优选地在4 bar与0.3 mbar之间。
按照本发明的另一实施方式,通过尤其是线性的、移动式的力转印装置(尤其是滚筒)实现在(尤其是在背离所述接触的一侧上的)载体衬底侧和/或产品衬底侧内的力作用。所述力转印装置尤其是以小于100 mm/s、优选地小于50 mm/s、还更优选地小于20 mm/s、最优选地小于10 mm/s、更为最优选地小于1.0 mm/s的进给速度v来移动。在此,压紧力尤其是小于10 kN、优选地小于1000 N、还更优选地小于100 N、最优选地小于10 N、更为最优选地小于1 N。压紧力尤其是沿着横向于进给运动延伸的接触线L起作用。可以N/mm为单位说明压紧压强。在假定载体衬底直径和产品衬底直径为200 mm的情况下,在上面提到的力在所述两个衬底的中心的位置时中,会得到小于50 kN/m、优选地小于5000 N/m、还更优选地小于500 N/m、最优选地小于50 N/m、更为最优选地小于5 N/m的压紧线压强。适合于执行按照本发明的工序的装置在出版物WO2014/037044A1中公开,就这方面来说对其进行参考。
在力作用期间的温度小于500℃、优选地小于300℃、还更优选地小于150℃、最优选地小于50℃、更为最优选地(尤其是在没有加热或冷却的情况下)是室温。在按照本发明的用聚合物涂层的情况下,在力作用期间的温度优选地在聚合物的玻璃化温度之上。
优选地,选择要施加的力或要施加的压强,使得载体衬底没有显著地弯曲,并且涂层材料没有沉积在凹陷中而是仅沉积在凸起表面上。
接触时间尤其是小于60 s、优选地小于30 s、还更优选地小于25 s、最优选地小于10 s、更为最优选地小于2 s。在使用集中到小的面积上的面积力、线力或点力时,接触时间被理解为力转印装置对所述小的面积、所述线或所述点上的停留时间。
在按照本发明的另一工序步骤中,通过分离装置(尤其是脱层装置)将经结构化的产品衬底与载体衬底分离。
根据第一变型方案,通过将载体衬底从经结构化的产品衬底取下或脱层而实现分离。特别是当载体衬底系由于力作用而过于强烈地黏着在经结构化的产品衬底的凸起的表面上的载体膜时,通过取下而引起的脱层是可能的并且是有意义的。由此,使载体膜与经结构化的产品衬底、更精确地从所述凸起的表面的局部的、逐步的分离成为可能。
按照所述分离方法的第二变型方案,通过(尤其是在没有变形的情况下)从经结构化的产品衬底简单地相对地除去载体衬底(或反之也然)而实现分离。针对这样的除去,施加法向力(尤其是法向面积力),优选地施加所述法向力,使得载体衬底和经结构化的产品衬底在取下时都不变形。因而,两个衬底优选地整面地被固定在相对应的试样紧固件、尤其是真空试样紧固件上。
在分离期间的温度尤其是小于500℃、优选地小于300℃、还更优选地小于150℃、最优选地小于50℃、更为最优选地(尤其是在没有加热或冷却的情况下)是室温。在按照本发明的用聚合物涂层的情况下,在分离期间的温度优选地在聚合物的玻璃化温度之下。
在分离之后,涂层材料至少部分地、优选地主要保留在产品衬底的表面凸起上。
接着,在按照本发明的另一工序步骤中,可进行封装。覆盖物、尤其是另一衬底(尤其是晶圆)通过相对应的装置(尤其是晶圆接合器或芯片到晶圆接合器(Chip-to-Wafer-Bonder))被压紧到涂层材料上。在接合过程之后,还可以进行对涂层材料的硬化工序。所述硬化工序优选地是热和/或电磁硬化工序。在热硬化的情况下,温度尤其是大于50℃、优选地大于100℃、还更优选地大于150℃、最优选地大于200℃、更为最优选地大于250℃。在通过电磁辐射(尤其是通过UV光)进行硬化的情况下,电磁辐射尤其是具有在如下范围内的波长,所述范围在10 nm与2000 nm之间、优选地在10 nm与1500 nm之间、更优选地在10 nm与1000 nm之间、最优选地在10 nm与500 nm之间、最优选地在10 nm与400 nm之间。
设备(装置)
在按照本发明的第一实施方式中,按照本发明的装置至少由如下部分组成:
- 用于使载体衬底与经结构化的产品衬底进行接触另一装置或另一模块、尤其是用于利用滚筒、还更优选地用于对所述膜进行层压的层压设备来给载体衬底加应力的另一装置或另一模块,以及
- 用于将载体衬底从经结构化的产品衬底(尤其是脱层装置)除去的装置或模块。
对于按照本发明的实施方式来说,可选地,还会设置用于对载体衬底进行涂层或上釉的装置或模块、尤其是离心上釉装置。然而,在按照本发明的实施方式中,只要载体衬底已经实现由其它的装置或设备涂层,就可以省去这样的模块。
所提到的三个装置可以是一个单个的模块的部分,或者可以是独立的彼此兼容的模块,所述独立的彼此兼容的模块接下来可以单个地被使用或者可以被用作群集(Cluster)的部分。也可设想的是,所提到的三个装置中的每个装置都分别存在于一个独立的模块中,而且沿这些模块的工序链执行按照本发明的工序。
附图说明
本发明的其它优点、特征和细节从对优选的实施例的随后的描述以及依据附图来得到;这些附图中:
图1a示出了按照本发明地经结构化的产品衬底的第一实施方式的示意性的、没有按正确比例的侧视图,
图1b示出了经结构化的产品衬底的第二实施方式的示意性的、没有按正确比例的侧视图,
图2a至图2g示出了按照本发明的方法的实施方式的工序步骤的示意性的、没有按正确比例的侧视图,
图3a示出了第一最终产品(功能单元的封装)的示意性的、没有按正确比例的侧视图,
图3b示出了第二最终产品(功能单元的封装)的示意性的、没有按正确比例的侧视图,以及
图4示出了按照本发明的装置的实施方式的示意图。
在所述附图中,用相同的附图标记表征相同的构件和具有相同功能的构件或在不同的处理状态下的构件。
具体实施方式
图1a示出了产品衬底3的示意性的、没有按正确比例的侧视图,所述产品衬底3由如下部分组成:
- 晶圆4,在所述晶圆4上构造有多个凸起5,
- 功能单元6,所述功能单元6被布置在所述凸起5之间,所述功能单元6应该被封装。
晶圆4具有平均厚度t1。与此对应地,经结构化的产品衬底3的总厚度大于t1。
图1b示出了经结构化的产品衬底3'的示意性的、没有按正确比例的侧视图,所述经结构化的产品衬底3'由如下部分组成:
- 晶圆4'、尤其是通过蚀刻而产生的晶圆4',所述晶圆4'具有多个凸起5,所述多个凸起5通过对凹陷7的蚀刻来形成,
- 功能单元6,所述功能单元6被布置在所述凸起5之间、即被布置在所述凹陷7中,所述功能单元6应该被封装。
晶圆4'具有平均厚度t1'。在该实施方式中,经结构化的产品衬底3'的总厚度尤其是等于厚度t1'。
在图2a中示出了载体衬底制备的按照本发明的第一工序步骤。在此,将载体衬底1以背离载体衬底表面1o的一侧铺设或固定在试样紧固件10上。通过固定装置11 (尤其是在其上可以施加真空的真空条带)来进行固定。也可设想的是以静电、电、粘合、磁或机械方式的固定,所述以静电、电、粘合、磁或机械方式的固定导致载体衬底1相对于试样紧固件10被固定并且保持固定。
在本情况下,载体衬底1是载体膜。在第一工序步骤中,可清洁载体衬底表面1o。这主要当载体衬底表面1o已经在先前的工序步骤中涂层有涂层材料2并且现在应该被重复使用时才是必需的。
图2b示出了按照本发明的第二工序步骤,其中使涂层材料2沉积在载体衬底表面1o上。优选地以离心上釉设备、可替换地以喷雾上釉设备来实现沉积。材料层厚度t3可以非常精确地被设定,而且优选地在微米范围内或还更优选地在纳米范围内。
在按照图2c的按照本发明的第三工序步骤中,实现由具有凸起5的晶圆4组成的经结构化的产品衬底3相对于用涂层材料2来制备的载体衬底1的粗略校准。在此,经结构化的产品衬底3同样通过固定装置11'与试样紧固件10'固定。经结构化的试样紧固件3相对于载体衬底1的精确校准不是必需的,因为所述凸起5的凸起表面5o在每个位置上都处在涂层材料2的部分上并且在随后进行接触时与所述涂层材料2的部分发生接触。
在后续附图中,尽管在实现按照本发明的工序时,更愿意将载体衬底1 (尤其是载体膜)铺设或层压在经结构化的产品衬底3上,但是示出了在其始终在下侧的试样紧固件10上的载体衬底1。此外,还公开了将载体衬底1固定的试样紧固件10尤其是对层压装置的固定装置,所述固定装置固定载体衬底1 (尤其是载体膜)、尤其是将载体衬底1 (尤其是载体膜)绷紧,使得所述载体膜可以被层压到要涂层的经结构化的产品衬底3上。因此,载体衬底1没有正面地被支撑。
在按照图2d的按照本发明的第四工序步骤中,凸起表面5o与涂层材料2进行接触。在所述工序步骤中,可将经结构化的产品衬底3视作一种印模。优选地,通过力(尤其是面积力F)有利于将涂层材料2转印到凸起表面5o上、对将涂层材料2转印到凸起表面5o上进行强化或甚至首先使将涂层材料2转印到凸起表面5o上成为可能。
在按照图2e的按照本发明的一个特别的、尤其是可替换的或附加的工序步骤中,通过使用移动的力转印装置12 (尤其是滚筒)实现更优的材料转印。在此,力转印装置12将力F(尤其是线力)施加到载体衬底1 (尤其是载体膜)的后侧上,而且这样有利于将材料从载体衬底1转印到凸起表面5o上。只要将载体衬底1固定的试样紧固件10足够有弹性以便允许力转印装置12的力转印,按照图2e的按照本发明的工序步骤就可以与按照图2d的按照本发明的工序步骤结合。
在按照图2f的按照本发明的第一分离步骤中,从凸起表面5o取下载体衬底1 (尤其是载体膜)。所述取下从一个或多个尤其是处在外围的位置开始。因而,所述取下尤其是不是整面的。
在按照图2g的按照本发明的第二可替换的分离步骤中,通过法向力(尤其是面积力)使载体衬底1与经结构化的产品衬底3彼此除去。
图3a和3b以最终产品9、9'(功能单元的封装)示出了经结构化的产品衬底3、3'的两种封装可能性。
在按照图3a的实施方式中,通过将以晶圆的形式的覆盖物8接合到按照本发明地转印的涂层材料2'上来实现封装。
在按照图3b的实施方式中示出了最终产品9',其中通过单个的覆盖物8'来实现封装。这些单个的覆盖物8'例如可通过芯片到晶圆接合器来定位和接合。
图4示出了按照本发明的设备16的示意图,所述设备16由涂层装置13、层压装置14(接触装置)和脱层装置15 (分离装置)组成。在该上下文中,层压装置14被理解为如下任何装置,所述装置有能力执行按照本发明地将涂层材料2、2'从载体衬底1涂层转印到凸起表面5o上。尤其是,所述层压装置14被理解为传统的层压装置。然而,也可设想的是使用接合器、尤其是晶圆接合器,所述接合器通过使载体衬底1接近经结构化的产品衬底3来引导载体衬底1。
在该上下文中,脱层装置15被理解为如下任何装置,所述装置有能力执行按照本发明地将载体衬底2从经结构化的产品衬底3 (尤其是凸起表面5o)除去。尤其是,所述脱层装置15被理解为传统的脱层器。
一些层压装置14也可以同时被用作脱层装置15。
没有示出机器人系统、晶圆匣(尤其是FOUPS)或用于处置、操纵或用于装载或卸载必需的衬底所需的全部其它必需的构件。
附图标记列表
1 载体衬底
2、2' 涂层材料
3、3' 产品衬底
4、4' 晶圆
5、5' 凸起
5o、5o' 凸起表面
6 功能单元
7 凹陷
8、8' 覆盖物
9 最终产品
10、10' 试样紧固件
11、11' 固定装置
12 力转印装置
13 涂层装置
14 层压装置
15 脱层装置
16 设备
Claims (8)
1.一种用于对产品衬底(3、3')的凸起(5、5')的、尤其是分立的凸起(5、5')的凸起表面(5o、5o')进行涂层的方法,所述产品衬底(3、3')至少部分地、优选地主要具有被布置在凹陷(7)中的功能单元(6),所述方法具有如下步骤、尤其是如下流程:
- 使所述凸起表面(5o、5o')与被涂覆在载体衬底(1)上的涂层材料(2、2')进行接触,
- 将所述载体衬底(1)与所述凸起表面(5o、5o')分离,使得所述涂层材料(2、2')部分地保留在所述产品衬底(3、3')上。
2.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,保留在所述产品衬底(3、3')上的涂层材料(2、2')至少主要、优选地仅仅保留在所述凸起表面(5o、5o')上。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其特征在于,所述功能单元(6)至少在位于所述凹陷中的部分上没有被注入所述涂层材料(2、2')。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,
其特征在于,将载体膜、尤其是柔韧的载体膜用作载体衬底(1)。
5.根据上述权利要求之一所述的方法,
其特征在于,在所述接触之后和/或在所述接触期间进行力加载,用于将所述涂层材料(2、2')固定在所述凸起表面(5o、5o')上。
6.根据上述权利要求之一所述的方法,
其特征在于,借助于第一力F1和与所述第一力F1相反的第二力F2/F2'来进行所述力加载。
7.根据上述权利要求之一所述的方法,
其特征在于,在所述分离之后,通过将至少一个覆盖物(8、8')借助于所述涂层材料(2、2')接合到所述凸起表面(5o、5o')上来实现对所述功能单元(6)的封装。
8.一种用于对产品衬底(3、3')的凸起(5、5')的、尤其是分立的凸起(5、5')的凸起表面(5o、5o')进行涂层的装置,所述产品衬底(3、3')至少部分地、优选地主要具有被布置在凹陷(7)中的功能单元(6),所述装置具有
- 接触装置,所述接触装置用于使所述凸起表面(5o、5o')与被涂覆在载体衬底(1)上的涂层材料(2、2')进行接触,
- 分离装置,所述分离装置用于将所述载体衬底(1)与所述凸起表面(5o、5o')分离,使得所述涂层材料(2、2')部分地保留在所述产品衬底(3、3')上。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI695427B (zh) * | 2016-11-24 | 2020-06-01 | 聯華電子股份有限公司 | 平坦化晶圓表面的方法 |
TWI770110B (zh) * | 2017-03-30 | 2022-07-11 | 日商日本碍子股份有限公司 | 暫時固定基板及電子元件的暫時固定方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10166794A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 曲面転写方法 |
JPH10211799A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 曲面転写方法及び曲面転写装置 |
CN1571730A (zh) * | 2001-09-05 | 2005-01-26 | Api箔制品有限公司 | 无模铺箔 |
CN101421826A (zh) * | 2006-03-17 | 2009-04-29 | 微量化学公司 | 微电子机械系器件的包装 |
US20100035377A1 (en) * | 2006-12-22 | 2010-02-11 | Cbrite Inc. | Transfer Coating Method |
CN103262668A (zh) * | 2010-11-19 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 金属箔图案层叠体、金属箔起模方法、电路基板及其制造方法、太阳能电池模块 |
CN103730426A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 稳懋半导体股份有限公司 | 气腔式封装结构及方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2032438A (en) * | 1933-05-29 | 1936-03-03 | Standard Products Corp | Separable fastener |
US3990142A (en) * | 1973-10-02 | 1976-11-09 | Jerobee Industries, Inc. | Circuit board, method of making the circuit board and improved die for making said board |
JP2866453B2 (ja) * | 1990-07-04 | 1999-03-08 | ローム株式会社 | エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法 |
FR2672427A1 (fr) * | 1991-02-04 | 1992-08-07 | Schiltz Andre | Procede et dispositif d'insertion de puces dans des logements d'un substrat par film intermediaire. |
JP3085649B2 (ja) | 1996-07-29 | 2000-09-11 | 京セラ株式会社 | 転写シート及びそれを用いた配線基板の製造方法 |
JPH11115394A (ja) | 1997-10-17 | 1999-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 部分転写方法 |
DE60035078T2 (de) * | 1999-01-15 | 2008-01-31 | 3M Innovative Properties Co., St. Paul | Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme |
JP4239352B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2009-03-18 | 株式会社日立製作所 | 電子装置の製造方法 |
JP3542080B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2004-07-14 | リンテック株式会社 | 半導体チップ担持用接着テープ・シート、半導体チップ担持体、半導体チップマウント方法および半導体チップ包装体 |
JP3696131B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2005-09-14 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
JP2003197881A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器 |
JP3812500B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2006-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置とその製造方法、電気光学装置、電子機器 |
WO2004047057A1 (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-03 | Ishikawa Seisakusho,Ltd. | 画素制御素子の選択転写方法、画素制御素子の選択転写方法に使用される画素制御素子の実装装置、画素制御素子転写後の配線形成方法、及び、平面ディスプレイ基板 |
US7001662B2 (en) * | 2003-03-28 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer sheet and wiring board using the same, and method of manufacturing the same |
JP4536367B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-09-01 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法 |
JP4752307B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-08-17 | 大日本印刷株式会社 | 非接触型データキャリア用導電部材とその製造方法及び装置 |
US7591958B2 (en) * | 2004-09-14 | 2009-09-22 | Stmicroelectronics Sa | Thin glass chip for an electronic component and manufacturing method |
US7405924B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate |
US20060082002A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Lintec Corporation | Sheet for circuit substrates and sheet of a circuit substrate for displays |
WO2008010547A1 (fr) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Ruban de découpage de puce liant et procédé de fabrication de puce semi-conductrice |
WO2008053702A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Non-contact ic tag label and method of producing the same |
DE102007001518B4 (de) * | 2007-01-10 | 2016-12-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Häusen eines mikromechanischen oder mikrooptoelektronischen Systems |
MY147133A (en) * | 2007-04-26 | 2012-10-31 | Hitachi Chemical Co Ltd | Process for production of multilayer film |
TW200933759A (en) | 2008-01-18 | 2009-08-01 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaging method using light hardened glue |
JP5063389B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-10-31 | リンテック株式会社 | 回路基板用樹脂シート、回路基板用シート、及びディスプレイ用回路基板 |
JP5879754B2 (ja) | 2011-06-06 | 2016-03-08 | 凸版印刷株式会社 | 回路基板の製造方法 |
US20150107764A1 (en) * | 2012-07-03 | 2015-04-23 | Toray Industries, Inc. | Process for producing adhesive sheet having singulated adhesive layer, process for producing wiring substrate using the adhesive sheet, method of manufacturing semiconductor equipment, and equipment for producing adhesive sheet |
JP2014011421A (ja) | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法、蓋体用基板、電子デバイスおよび電子機器 |
KR20150028960A (ko) | 2012-09-06 | 2015-03-17 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 구조 스탬프 및 구조 스탬프를 엠보싱하기 위한 장치 및 방법 |
WO2015197132A1 (de) | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Erich Thallner | Probenhalter, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats |
-
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-
2015
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10166794A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 曲面転写方法 |
JPH10211799A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 曲面転写方法及び曲面転写装置 |
CN1571730A (zh) * | 2001-09-05 | 2005-01-26 | Api箔制品有限公司 | 无模铺箔 |
CN101421826A (zh) * | 2006-03-17 | 2009-04-29 | 微量化学公司 | 微电子机械系器件的包装 |
US20100035377A1 (en) * | 2006-12-22 | 2010-02-11 | Cbrite Inc. | Transfer Coating Method |
CN103262668A (zh) * | 2010-11-19 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 金属箔图案层叠体、金属箔起模方法、电路基板及其制造方法、太阳能电池模块 |
CN103730426A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 稳懋半导体股份有限公司 | 气腔式封装结构及方法 |
Also Published As
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