CN106898609A - 一种iii‑v cmos型高电子迁移率晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型高电子迁移率晶体管，该型异质结场效应晶体管材料采用MOCVD或MBE设备外延生长，由在高电阻率硅衬底上依次外延生长的第一GaAsSb缓冲层、GaSb沟道层、AlGaSb势垒层、GaSb帽层、第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层、InXAl1‑XAs势垒层及InXGa1‑ XAs帽层构成。本发明可有效地提升p沟道晶体管迁移率，以改进III‑V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率巨大差别的问题，并提供高载流子速度与高驱动电流的宽禁带III‑V族晶体管通道，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应，降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管。
背景技术
根据摩尔定律，“集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍”。大抵而言，若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC，随着制程技术的进步，每隔一年半，IC产出量就可增加一倍，换算为成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸，IC技术每隔一年半推进一个世代。国际上半导体厂商基本都遵循着该项定律。
但是，国际上最大的芯片制造厂商英特尔日前宣布将推迟旗下基于10纳米制造技术的Cannonlake芯片的发布时间，推迟至2017年下半年，而Cannonlake芯片原定的发布日期是2016年。英特尔公司首席执行官Brian Krzanich在电话会议上表示，“由于要用各类相关技术，而每一种技术都有其自身一系列的复杂性和难度，从14纳米到10纳米和从22纳米到14纳米不是一回事。如果想大规模生产，光刻技术会更加困难，而且，完成多样式步骤的数目会不断增加”。英特尔一直以来遵循每两年缩小晶体管体积的时间表，也就是俗称的“摩尔定律”，上述消息令时间表出现裂痕，究其原因是构造芯片变得越来越复杂，功耗越来越难以降低，而且各种短沟道效应难以克服。
因此，半导体技术虽然日益进步，但受制于物理定律，最小尺寸不可能过小，为延续半导体摩尔定律的有效性，采用新的物料来制作处理器晶体管已经刻不容缓。目前已经已有不少研究机构，透过为硅材料整合更高性能的材料，例如采用化合物半导体材料如InGaAs/InP(如砷化铟镓与磷化铟)等，形成所谓的宽禁带III-V沟道的晶体管，可增进p-type迁移率和提供高载流子速度与高驱动电流，这种新的化合物半导体可望超越硅材料本身性能，维持摩尔定律，实现持续等比例缩小。
但该项方案目前也遇到了不少问题，主要存在两方面的挑战，一方面，硅基材料和化合物半导体材料如GaAs/InP等之间存在大的晶格常数差，一直无法克服材料之间原子晶格难以匹配的难题；另一方面，通常Si基晶体管由P沟道晶体管和n沟道晶体管结合构成CMOS结构运用于大规模数字领域，而通常III-V如GaAs器件方面n沟道器件容易实现，而p沟道器件受限于掺杂工程和外延制程，同时p沟道的迁移率远低于n沟道，目前结合n-沟道和p-沟道的GaAs晶体管由于两者迁移率相差太大(6500：300)，无法实现CMOS同样电路结构，极大的阻碍了GaAs器件在数字电路领域的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，该场效应晶体管可以很好地解决现有晶体管在等比例缩小过程中功耗难以降低、短沟道效应难以克服的问题。
为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，包括P沟道晶体管和n沟道晶体管，P沟道晶体管为HFET(异质结场效应晶体管)，n沟道晶体管为InP HEMT(高电子迁移率晶体管)；P沟道晶体管在硅衬底上依次外延生长第一GaAsSb缓冲层、GaSb沟道层及AlGaSb势垒层，AlGaSb势垒层上方生长第一GaSb帽层和第二GaSb帽层，所述GaSb沟道层与AlGaSb势垒层形成二维空穴气；所述第一GaSb帽层上形成有第一漏极，且AlGaSb势垒层上形成有第一栅极，第二GaSb帽层上形成有第一源极；n沟道晶体管在所述第二GaSb帽层上依次外延生长第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层及InXAl1- XAs势垒层，InXAl1-XAs势垒层上方生长第一InXGa1-XAs帽层和第二InXGa1-XAs帽层，所述InGaAs沟道层与InXAl1-XAs势垒层形成二维空穴气，且第一InXGa1-XAs帽层上形成有第二源极，InXAl1-XAs势垒层上形成有第二栅极，第二InXGa1-XAs帽层上形成有第二漏极。本发明n沟道晶体管的外延异质结由InAlAs/InGaAs构成，p沟道晶体管外延异质结由AlGaSb/GaSb构成。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
(1)InP HEMT与常规的GaAs HEMT相比，具有更高的迁移率，同时可以提供更高载流子速度与高驱动电流的III-V族晶体管通道，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应，并能够降低功耗，实现半导体器件尺寸的持续等比例缩小；
(2)AlGaSb势垒层采用p型掺杂形成，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气，可有效提升P沟道晶体管的迁移率，以改进III-V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率差别巨大的问题；
(3)第一GaAsSb缓冲层可用于吸收硅基衬底与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力，过滤掉衬底产生的散射中心，避免产生晶格驰豫，有效克服了后续外延层与硅基衬底之间原子晶格难以匹配的问题；
(4)第二GaAsSb缓冲层可用于吸收P沟道晶体管与后续n沟道晶体管外延层之间因为晶格失配产生的应力，避免产生晶格驰豫。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图1所示，本实施例提供一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，采用MOCVD或MBE设备外延生长，包括P沟道晶体管和n沟道晶体管；P沟道晶体管在硅衬底上依次外延生长第一GaAsSb缓冲层、GaSb沟道层及AlGaSb势垒层，AlGaSb势垒层上方生长第一GaSb帽层和第二GaSb帽层，所述GaSb沟道层与AlGaSb势垒层接触处大概5nm区域形成二维空穴气，如图1中下面一条虚线所示；所述第一GaSb帽层上形成有第一漏极，且AlGaSb势垒层上形成有第一栅极，第二GaSb帽层上形成有第一源极；n沟道晶体管在所述第二GaSb帽层上依次外延生长第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层及InXAl1-XAs势垒层1，InXAl1-XAs势垒层1上方生长第一InXGa1-XAs帽层2和第二InXGa1-XAs帽层3，所述InGaAs沟道层与InXAl1-XAs势垒层1接触处大概5nm区域形成二维空穴气，如图1中上面一条虚线所示；且第一InXGa1-XAs帽层2上形成有第二源极，InXAl1-XAs势垒层1上形成有第二栅极，第二InXGa1-XAs帽层3上形成有第二漏极。
硅衬底为p型Si衬底，其材料为Si、SiC、GaN、蓝宝石或金刚石，主要作为支撑材料。
第一GaAsSb缓冲层，硅衬底到GaSb沟道之间的缓冲层，可用于吸收硅衬底与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力；为梯度结构，As的含量从1逐步降为0，厚度为400～800nm。
GaSb沟道层不掺杂，厚度为50～100nm。
AlGaSb势垒层，用于和栅金属形成肖特基接触；厚度为20nm，Al含量小于30％，采用p型掺杂，体掺杂材料为Be、C或Mg，掺杂剂量为1×1018cm-3～3×1018cm-3。
第一GaSb帽层和第二GaSb帽层，采用MBE在AlGaSb势垒层上生长，用以保护势垒层不被氧化，同时用以降低欧姆接触电阻率；厚度为15～40nm，采用n型掺杂，体掺杂材料为Be、C或Mg，掺杂剂量为5×1018cm-3～2×1019cm-3。
第二GaAsSb缓冲层为梯度结构，P型沟道器件到InGaAs沟道之间的缓冲层，用于吸收P型HFET器件与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力，避免产生晶格驰豫；材料包括GaAs，于650℃高温生长，不掺杂，厚度400～800nm。
InGaAs沟道层不掺杂，厚度为50～100nm。
InXAl1-XAs势垒层1，用于和栅金属形成肖特基接触；厚度为In组分x＝0～0.53。
第一InXGa1-XAs帽层2和第二InXGa1-XAs帽层3，用于为器件制备提供良好的欧姆接触；厚度为In组分x＝0～0.52，采用n型掺杂，掺杂Si的剂量为5×1018cm-3～2×1019cm-3。
以上实施例仅表示本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。
Claims (10)
1.一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括P沟道晶体管和n沟道晶体管；P沟道晶体管在硅衬底上依次外延生长第一GaAsSb缓冲层、GaSb沟道层及AlGaSb势垒层，AlGaSb势垒层上方生长第一GaSb帽层和第二GaSb帽层，所述GaSb沟道层与AlGaSb势垒层形成二维空穴气；所述第一GaSb帽层上形成有第一漏极，且AlGaSb势垒层上形成有第一栅极，第二GaSb帽层上形成有第一源极；n沟道晶体管在所述第二GaSb帽层上依次外延生长第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层及InXAl1-XAs势垒层，InXAl1-XAs势垒层上方生长第一InXGa1-XAs帽层和第二InXGa1-XAs帽层，所述InGaAs沟道层与InXAl1-XAs势垒层形成二维空穴气，且第一InXGa1-XAs帽层上形成有第二源极，InXAl1-XAs势垒层上形成有第二栅极，第二InXGa1-XAs帽层上形成有第二漏极。
2.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述硅衬底为p型Si衬底，其材料为Si、SiC、GaN、蓝宝石或金刚石。
3.根据权利要求1或2所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一GaAsSb缓冲层为梯度结构，As的含量从1逐步降为0，厚度为400～800nm。
4.根据权利要求3所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述GaSb沟道层不掺杂，厚度为50～100nm。
5.根据权利要求3所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述AlGaSb势垒层厚度为20nm，Al含量小于30％，采用p型掺杂，体掺杂材料为Be、C或Mg，掺杂剂量为1×1018cm-3～3×1018cm-3。
6.根据权利要求3所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一GaSb帽层和第二GaSb帽层的厚度为15～40nm，采用n型掺杂，体掺杂材料为Be、C或Mg，掺杂剂量为5×1018cm-3～2×1019cm-3。
7.根据权利要3所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第二GaAsSb缓冲层为梯度结构，材料包括GaAs，于650℃高温生长，不掺杂，厚度为400～800nm。
8.根据权利要求4-7任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述InGaAs沟道层不掺杂，厚度为50～100nm。
9.根据权利要求4-7任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述InXAl1-XAs势垒层的厚度为In组分x＝0～0.53。
10.根据权利要求4-7任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一InXGa1-XAs帽层和第二InXGa1-XAs帽层的厚度为 In组分x＝0～0.52，采用n型掺杂，掺杂Si的剂量为5×1018cm-3～2×1019cm-3。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |