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CN106373979A - 显示设备 - Google Patents

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CN106373979A CN201610584599.7A CN201610584599A CN106373979A CN 106373979 A CN106373979 A CN 106373979A CN 201610584599 A CN201610584599 A CN 201610584599A CN 106373979 A CN106373979 A CN 106373979A
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Abstract

一种能够防止(或保护免受)湿气渗入的显示设备。所述显示设备包括:基底,包括显示区域和围绕显示区域的外围区域;垫单元,位于外围区域上;有机绝缘层,覆盖外围区域的邻近于显示区域的一部分和显示区域;无机绝缘层,当第一区域是有机绝缘层和垫单元之间的部分时,无机绝缘层至少覆盖第一区域。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年7月23日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0104353号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及显示设备,更具体地讲,涉及能够防止或保护免受湿气渗入的显示设备。
背景技术
通常,显示设备可以提供包括静态图像、动态图像、电子装置的操作信息和/或状态的各种类型(种类)的信息和/或为了易于操控电子装置的一个或更多个用户接口等。近来已尝试于通过提供显示设备的柔性而进一步提高显示设备的便携性和使用的便利性。
然而,在现有技术的显示设备中存在的问题在于,当显示设备根据其柔性弯曲时,显示设备可能不会适当地弯曲和/或可能会损坏(诸如显示设备的多种元件之间的分离和/或破裂)。
发明内容
一个或更多个示例性实施例的多个方面涉及能够防止或保护免受湿气渗入的显示设备。
另外的方面将在接下来的描述中部分阐述,并且部分地通过描述将是清楚的,或者可以通过给出的实施例的实施而得知。
根据一个或更多个示例性实施例,一种显示设备,包括:基底,包括显示区域和围绕显示区域的外围区域;垫单元,位于外围区域上;有机绝缘层,覆盖外围区域的邻近于显示区域的一部分和显示区域;无机绝缘层,当第一区域是有机绝缘层和垫单元之间的部分时,无机绝缘层至少覆盖第一区域。
有机绝缘层和无机绝缘层可以位于同一层上。
有机绝缘层和无机绝缘层可以彼此接触。
有机绝缘层的在无机绝缘层的方向上的第一端部表面可以与无机绝缘层的在有机绝缘层方向上的第二端部表面表面接触。
所述显示设备还可以包括:薄膜包封层,在有机绝缘层上并且延伸到有机绝缘层的外部上。
有机绝缘层的除第一端部表面的端部表面可以被薄膜包封层覆盖。
有机绝缘层的端部表面可以与第二端部表面或薄膜包封层接触。
薄膜包封层可以覆盖无机绝缘层的至少一部分。
当第二区域是基底的垫单元被定位的部分时,无机绝缘层可以延伸以覆盖第二区域。
垫单元可以位于无机绝缘层上。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的描述,这些和/或其它方面将变得清楚且更易于理解,在附图中:
图1是根据示例性实施例的显示设备的示意性剖视图;
图2是沿线II-II截取的图1的显示设备的示意性剖视图;
图3是沿线III-III截取的图1的显示设备的示意性剖视图;
图4是根据另一示例性实施例的显示设备的示意性剖视图;
图5是沿线V-V截取的图4的显示设备的示意性剖视图;
图6是沿线VI-VI截取的图4的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将对示例性实施例更详细地做出参考,示例性实施例的示例在附图中示出,在附图中,同样的附图标记始终指示同样的元件。在这点上,给出的示例性实施例可以具有不同形式而不应被解释为局限于在此阐述的描述。因此,下面仅通过参照附图来描述示例性实施例,以解释本描述的多个方面。
由于发明构思可以具有各种各样的修改的实施例,因此在附图中示出示例性实施例并且在发明构思的详细描述中描述示例性实施例。发明构思的优点、特征和方面将通过在下文中阐述的参照附图的实施例的下面描述而变得清楚。然而,发明构思可以以不同形式实施而不应被解释为局限于在此阐述的实施例。
在下文中,将参照附图更详细地描述发明构思的实施例。另外,在本说明书和附图中,同样的附图标记始终指示同样的元件,并因此省略赘述。
将理解的是,尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件,但这些组件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。除非提及相反,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
“包含”、“包括”或“具有”的意思指明性质、区域、固定数量、行为、工艺、元件和/或组件,但不排除其它性质、区域、固定数量、行为、工艺、元件和/或组件。将理解的是,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“邻近于”另一元件或层时,该元件或层可以直接地在所述另一元件或层上,直接连接到、直接结合到或直接邻近于所述另一元件或层,或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。相反,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”,“直接连接到”、“直接结合到”或“紧邻于”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。
为便于解释可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之,由于附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意地示出的,因此下面的实施例不限于此。
在下面的示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的含义解释。例如,x轴、y轴和z轴可以互相垂直或可以代表不互相垂直的不同方向。
当可以不同地实施特定实施例时,可以不同于描述的顺序地执行具体的工艺顺序。例如,可以基本上在相同的时间执行两个连续描述的工艺,或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
图1是根据示例性实施例的显示设备1的示意性剖视图。
参照图1,根据示例性实施例的显示设备1可以包括基底100以及设置在基底100上的垫(pad)单元PAD、有机绝缘层150和无机绝缘层152。
具有柔性或可弯曲性的基底100可以包括各种材料,例如,金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等的塑料材料。然而,根据发明构思的显示设备1的基底100的材料不必要局限于此,并且可以以各种方式修改。
基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。外围区域PA可以包括第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3,第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3按此陈述的顺序围绕且邻近于(接近于)显示区域DA。
显示单元可以设置在基底100的显示区域DA中并且可以包括多个显示器件。多个显示器件可以是例如液晶器件或有机发光器件。显示单元可以包括电连接到多个显示器件的薄膜晶体管。在本实施例中,可以将有机发光器件作为显示器件来提供。
垫单元PAD可以位于基底100的外围区域PA中。垫单元PAD可以位于与显示区域DA的一个端部对应的外围区域PA中,并且可以包括多个垫。即,多个垫可以在一个方向上设置在与显示区域DA的一个端部对应的外围区域PA中以形成垫单元PAD。垫单元PAD可以通过形成在稍后将更详细描述的无机绝缘层152中的开口暴露于外部。柔性印刷电路板(FPCB)可以附着到垫单元PAD上。
如上所述,垫单元PAD可以按照如下方法形成:将多个垫通过开口400(见图2)暴露于外部;将FPCB物理地附着到多个垫上。因此,存在显示区域DA的在垫单元PAD的方向上的端部可能会比显示区域DA的其它端部更易于遭受湿气渗入的问题。在这点上,本实施例的显示设备1提供了解决这个问题的方案。
有机绝缘层150可以设置在基底100的显示区域DA上。有机绝缘层150可以被包括在显示单元中并且可以具有单层或多层结构。有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和外围区域PA的邻近于显示区域DA的一部分。换言之,如图1所示,有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和外围区域PA的邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1。有机绝缘层150可以包括有机绝缘材料,并且可以包括例如丙烯酰类有机物质、苯并环丁烯(BCB)等。
无机绝缘层152可以设置在基底100的外围区域PA上。无机绝缘层152可以与有机绝缘层150设置在同一层上。当第一区域被定义为有机绝缘层150和垫单元PAD之间的区域时,无机绝缘层152可以至少覆盖第一区域。当基底100的垫单元PAD被定位的部分被定义为第二区域时,无机绝缘层152可以在第二区域上延伸以覆盖第二区域。即,无机绝缘层152可以在垫单元PAD被定位的方向上从有机绝缘层150的一个端部设置在垫单元PAD被定位的区域的整个表面中。因此,垫单元PAD可以定位在无机绝缘层152上。
根据本实施例的显示设备1可以具有沿一个方向(x轴方向)形成的弯曲轴A-A。在这点上,由于无机绝缘层152易于破裂(这降低了显示设备1的可弯曲性),因此弯曲轴A-A可以不跨过无机绝缘层152来形成。即,当根据本实施例的显示设备1沿弯曲轴A-A弯曲时,弯曲轴A-A不跨过易于破裂的无机绝缘层152形成,从而确保显示设备1的可弯曲性并且还极度地减少破裂对无机绝缘层152的损坏。
同时,薄膜包封层300可以设置在显示区域DA上。薄膜包封层300可以设置在有机绝缘层150上,并且可以设置在有机绝缘层150上方以覆盖有机发光器件200。由于有机发光器件200易于遭受湿气渗入,因此有机发光器件200可以通过薄膜包封层300来防止(或保护免受)氧和湿气从外部进入到显示单元中。薄膜包封层300可以具有有机层和无机层交替堆叠的多层结构。
用于密封的薄膜包封层300可以完全覆盖显示单元以密封显示单元,并且如图1所示,可以覆盖显示区域DA和邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2。在这点上,薄膜包封层300可以覆盖位于有机绝缘层150和垫单元PAD之间的区域中的无机绝缘层152的至少一部分。
如上所述,薄膜包封层300可以覆盖邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2,因此,除由延伸无机绝缘层152的延伸部分形成的一个端部表面之外的端部表面可以被薄膜包封层300覆盖。换言之,有机绝缘层150的端部表面可以接触无机绝缘层152的端部表面或可以接触薄膜包封层300。
图2是沿线II-II截取的图1的显示设备1的示意性剖视图。
参照图2,基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。外围区域PA可以包括第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3,第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3按此陈述顺序邻近于(或接近于)显示区域DA。
薄膜晶体管TFT和与薄膜晶体管TFT电连接的有机发光器件200可以设置在显示区域DA上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层120(包括非晶硅、多晶硅和/或有机半导体材料)、栅电极140、源电极160s和漏电极160d。将更详细地描述薄膜晶体管TFT和有机发光器件200的大体构造。
由氧化硅、氮化硅等形成的缓冲层110可以设置在基底100上,以使基底100的表面平面化或者防止(或保护免受)杂质渗入到薄膜晶体管TFT的半导体层120中。半导体层120可以设置在缓冲层110上。
栅电极140可以设置在半导体层120上。源电极160s和漏电极160d可以根据施加到栅电极140的信号而电连接。考虑到与相邻层的粘附性、将要堆叠的层的表面平整度以及可操作性,栅电极140可以形成为单层或多层结构,该单层或多层结构包括从例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料。
在这点上,栅极绝缘层130可以设置在半导体层120和栅电极140之间,以确保半导体层120和栅电极140之间绝缘。栅极绝缘层130可以包括绝缘材料,并且可以包括例如无机绝缘材料(诸如氧化硅和/或氮化硅)和/或诸如丙烯酰类有机物质、BCB等的有机绝缘材料。
有机绝缘层150可以设置在栅电极140上。有机绝缘层150可以置于栅电极140与源电极160s和漏电极160d之间,以确保栅电极140与源电极160s和漏电极160d的绝缘。有机绝缘层150可以形成为包括例如丙烯酰类有机物质、BCB等的单层或多层结构。
源电极160s和漏电极160d可以设置在有机绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d可以通过形成于栅极绝缘层130和有机绝缘层150中的接触孔与半导体层120电连接。源电极160s和漏电极160d可以形成为单层或多层结构,该单层或多层结构包括从例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料(考虑到电导率等)。
同时,保护层可以覆盖薄膜晶体管TFT以保护具有上述结构的薄膜晶体管TFT。保护层可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机物质。
同时,平坦化层170可以设置在基底100上。在此情况下,平坦化层170可以是保护层。平坦化层170可以使薄膜晶体管TFT的上表面平面化,并且当有机发光器件200设置在薄膜晶体管TFT上时保护薄膜晶体管TFT和各种组件。平坦化层170可以包括例如丙烯酰类有机物质、BCB等。在这点上,如图2所示,缓冲层110、栅电极140、有机绝缘层150和平坦化层170可以形成在基底100的整个表面上。
同时,像素限定层180可以设置在薄膜晶体管TFT上。像素限定层180可以设置在平坦化层170上并且可以具有开口。像素限定层180可以限定基底100上的像素区域。
像素限定层180可以包括例如有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括丙烯酰类聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺聚合物、丙烯酸酯类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的混合物。
同时,有机发光器件200可以设置在像素限定层180上。有机发光器件200可以包括像素电极210、包括发射层(EML)的中间层220和对电极230。
像素电极210可以是(半)透明电极或反射电极。当像素电极210是(半)透明电极时,像素电极210可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。当像素电极210是反射电极时,像素电极210可以包括具有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的混合物的反射层、以及包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的层。发明构思不限于此。像素电极210可以包括各种材料,并且其结构可以以包括单层或多层的各种形式修改。
中间层220可以设置在由像素限定层180限定的像素区域中。中间层220可以包括根据电信号发射光的发射层EML。除发射层EML之外,中间层220可以形成为单一结构或复合结构,该单一结构或复合结构包括设置在发射层EML和像素电极210之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、以及设置在发射层EML和对电极230之间的电子传输层(ETL)、或者电子注入层。然而,中间层220不限于此,并且可以具有各种合适的结构。
对电极230可以设置在基底100的整个表面上,并且覆盖包括发射层EML的中间层220并面对像素电极210。对电极230可以是(半)透明电极或反射电极。
当对电极230是(半)透明电极时,对电极230可以包括:包括具有小逸出功的金属或金属化合物(诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的混合物)的层;氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)的(半)透明导电层。当对电极230是反射电极时,对电极230可以包括包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的混合物的层。然而,对电极230的结构和材料不限于此,并且可以以各种形式修改。
同时,如上所述,根据本实施例的显示设备1的有机绝缘层150可以设置在显示区域DA上,并且在邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1上延伸。如图2所示,有机绝缘层150可以包括在垫单元PAD的方向上(即,在朝向垫单元PAD的方向上)的第一端部表面150a和除第一端部表面150a之外的端部表面。在本实施例中,显示设备1的显示区域DA具有矩形形状,因此,有机绝缘层150可以包括四个端部表面。如上所述,第一端部表面150a可以位于垫单元PAD的方向上,其它三个端部表面可以形成并定位在其它方向上。
无机绝缘层152可以与有机绝缘层150设置在同一层上。无机绝缘层152可以设置在外围区域PA上。更详细地,无机绝缘层152可以设置在除设置有机绝缘层150的第一外围区域PA1之外的第二外围区域PA2和第三外围区域PA3的一部分上。
无机绝缘层152和有机绝缘层150可以不彼此隔开,而可以连续地设置(例如,彼此邻接),因此无机绝缘层152和有机绝缘层150可以彼此接触。更详细地,有机绝缘层150的在垫单元PAD的方向上(即,在无机绝缘层152的方向上)的第一端部表面150a可以与在有机绝缘层150的方向上(即,在朝向有机绝缘层150的方向上)的第二端部表面152a表面接触。无机绝缘层152可以以与第二端部表面152a相反的关系(即,在背对远离有机绝缘层150的方向上)在垫单元PAD的方向上延伸,并且可以设置为延伸到基底100的边缘上。无机绝缘层152可以设置在定位有垫单元PAD的区域的整个表面上。
连接布线142可以设置在外围区域PA上并且可以设置在有机绝缘层150的下部和无机绝缘层152之下。即,连接布线142可以设置在有机绝缘层150的第一端部表面150a和无机绝缘层152的第二端部表面152a彼此接触的位置之下。在图2中,连接布线142可以设置在第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3上面,但发明构思不限于此。另外,如图2所示,连接布线142可以经由形成于无机绝缘层152中的通孔与垫单元PAD电连接。
同时,薄膜包封层300可以设置在显示区域DA上。另外,薄膜包封层300可以具有一个或更多个有机层和无机层交替堆叠的多层结构。
薄膜包封层300可以形成在显示区域DA的整个表面上并覆盖有机发光器件200,并且可以设置为延伸到邻近于显示区域DA的第二外围区域PA2上。即,薄膜包封层300可以覆盖显示区域DA以及在显示区域DA的外围的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2。因此,薄膜包封层300可以覆盖无机绝缘层152的至少一部分,更详细地,可以覆盖位于第二外围区域PA2上的无机绝缘层152。
图3是沿线III-III截取的图1的显示设备1的示意性剖视图。图3是显示设备1的除垫单元PAD被定位的部分之外的部分的剖视图。因此,现在将描述图2和图3之间的差别。
参照图3,薄膜晶体管TFT和有机发光器件200可以设置在基底100的显示区域DA上。如上所述,有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1。
同时,不同于显示设备1的垫单元PAD被定位的部分的图2的剖视图,无机绝缘层152没有在图3的剖视图中示出。无机绝缘层152可以延伸以覆盖有机绝缘层150和垫单元PAD之间的第一区域以及垫单元PAD被定位的外围区域PA的第二区域,因此无机绝缘层152可以不设置在其它区域中。
即,在图2中,有机绝缘层150的第一端部表面150a和无机绝缘层152的第二端部表面152a可以彼此表面接触,而在图3中,有机绝缘层150的除第一端部表面150a之外的端部表面150b可以不与无机绝缘层152接触。在此情况下,有机绝缘层150的端部表面150b可以被薄膜包封层300覆盖,所述薄膜包封层300被形成为覆盖显示区域DA并且经过第一外围区域PA1在第二外围区域PA2上延伸。薄膜包封层300可以覆盖有机绝缘层150的端部表面150b、在第二外围区域PA2上延伸并且与栅极绝缘层130表面接触。如上所述,除有机绝缘层150的第一端部表面150a之外,未设置有无机绝缘层152的端部表面150b可以被薄膜包封层300覆盖,从而阻挡来自有机绝缘层150的端部表面150b的氧和湿气。
尽管在图3中示出了面对垫单元PAD被定位的部分的部分的横截面,但沿X轴截取的横截面也可以与图3所示的相同。
如上所述,根据本实施例的显示设备1可以包括在垫单元PAD被定位的部分中的无机绝缘层152和在剩余部分中的有机绝缘层150,从而确保显示设备1的可弯曲性,并同时地或同步地提供关于保护免受湿气渗入强的显示设备1。
图4是根据另一示例性实施例的显示设备2的示意性剖视图。
参照图4,根据示例性实施例的显示设备2可以包括基底100以及设置在基底100上的垫单元PAD、有机绝缘层150和无机绝缘层152。
具有柔性或可弯曲性的基底100可以包括各种材料,例如,金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等的塑料材料。然而,根据发明构思的显示设备2的基底100的材料不必要局限于此,并且可以以各种方式修改。基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。外围区域PA可以包括按围绕且邻近于(或接近于)显示区域DA的顺序的第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3。
显示单元可以设置在基底100的显示区域DA中,并且可以包括多个显示器件。多个显示器件可以是例如液晶器件或有机发光器件。显示单元可以包括电连接到多个显示器件的薄膜晶体管。在本实施例中,现在将描述有机发光器件作为显示器件形成的结构。
垫单元PAD可以位于基底100的外围区域PA中。垫单元PAD可以位于与显示区域DA的一个端部对应的外围区域PA中,并且可以包括多个垫。即,多个垫可以在一个方向上设置在与显示区域DA的一个端部对应的外围区域PA中以形成垫单元PAD。垫单元PAD可以通过形成在稍后将描述的无机绝缘层152中的开口暴露于外部。柔性印刷电路板(FPCB)可以附着到垫单元PAD上。
如上所述,垫单元PAD可以按照如下方法形成:将多个垫通过开口暴露于外部;将FPCB物理地附着到多个垫上。因此,存在显示区域DA的在垫单元PAD的方向上的端部可能会比显示区域DA的另一端部更易于遭受湿气渗入的问题。在这点上,本实施例的显示设备2提供了解决这个问题的方案。
有机绝缘层150可以设置在基底100的显示区域DA上。有机绝缘层150可以被包括在显示单元中并且可以具有单层或多层结构。有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和外围区域PA的邻近于显示区域DA的一部分。换言之,如图4所示,有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和外围区域PA的邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1。有机绝缘层150可以包括有机绝缘材料,并且可以包括例如丙烯酰类有机物质、BCB等。
无机绝缘层152可以设置在基底100的外围区域PA上。无机绝缘层152可以与有机绝缘层150设置在同一层上。当第一区域被定义为在有机绝缘层150和垫单元PAD之间的区域时,无机绝缘层152可以至少覆盖第一区域。当基底100的垫单元PAD被定位的部分被定义为第二区域时,无机绝缘层152可以延伸以覆盖第二区域。即,无机绝缘层152可以在垫单元PAD被定位的方向上从有机绝缘层150的一个端部设置在垫单元PAD被定位的区域的整个表面中。因此,垫单元PAD可以定位于无机绝缘层152上。
根据本实施例的显示设备2可以具有沿一个方向(Y轴方向)形成的第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2。第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2可以沿一个方向(Y轴方向)平行地形成。在图4中,第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2可以定位在第一外围区域PA1上(且定位在第一外围区域PA1内),但发明构思不限于此。根据另一示例性实施例,外围区域PA还可以扩展到基底100的边缘,第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2可以定位在显示区域DA上。
在这点上,由于无机绝缘层152易于破裂(这降低显示设备2的可弯曲性),因此第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2可以不跨过无机绝缘层152而形成。即,当根据本实施例的显示设备2沿第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2弯曲时,第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2可以不跨过易于破裂的无机绝缘层152而形成,从而确保显示设备2的可弯曲性并且还极度地减少了破裂对无机绝缘层152的损坏。
因此,如图4所示,无机绝缘层152可以被定位在第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2之间。由于无机绝缘层152的尺寸可以根据定位第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2的位置和方向来调整,因此设置在无机绝缘层152上的垫单元PAD也可以定位在第一弯曲轴B1-B1和第二弯曲轴B2-B2之间,因此,也可以调整形成垫单元PAD的区域。
同时,薄膜包封层300可以设置在显示区域DA上。薄膜包封层300可以设置在有机绝缘层150上,并且可以设置在有机绝缘层150上方并且覆盖有机发光器件200。由于有机发光器件200易于遭受湿气渗入,因此有机发光器件200可以通过薄膜包封层300来防止(或保护免受)氧和湿气从外部进入到显示单元中。薄膜包封层300可以形成为有机层和无机层交替堆叠的多层结构。
薄膜包封层300可以完全覆盖显示单元以用于密封,并且如图4所示,薄膜包封层300可以覆盖显示区域DA和邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2。在这点上,薄膜包封层300可以覆盖位于有机绝缘层150和垫单元PAD之间的区域中的无机绝缘层的至少一部分。
如上所述,薄膜包封层300可以覆盖邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2,因此,除通过延伸无机绝缘层152形成的一个端部表面之外的端部表面可以被薄膜包封层300覆盖。换言之,有机绝缘层150的端部表面可以接触无机绝缘层152的端部表面或可以接触薄膜包封层300。
图5是沿线V-V截取的图4的显示设备2的示意性剖视图。
参照图5,基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。外围区域PA可以包括第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3,第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3以此陈述顺序邻近于显示区域DA。
薄膜晶体管TFT和与薄膜晶体管TFT电连接的有机发光器件200可以设置在显示区域DA上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层120(包括非晶硅、多晶硅和/或有机半导体材料)、栅电极140、源电极160s和漏电极160d。将更详细地描述薄膜晶体管TFT和有机发光器件200的大体构造。
由氧化硅、氮化硅等形成的缓冲层110可以设置在基底100上,以使基底100的表面平面化或者防止(或保护免于)杂质渗入到薄膜晶体管TFT的半导体层120中。半导体层120可以设置在缓冲层110上。
栅电极140可以设置在半导体层120上。源电极160s和漏电极160d可以根据施加到栅电极140的信号而电连接。考虑到与相邻层的粘附性、将要堆叠的层的表面平整度以及可操作性,栅电极104可以形成为单层或多层结构,该单层或多层结构包括从例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料。
在这点上,栅极绝缘层130可以设置在半导体层120和栅电极140之间,以确保半导体层120和栅电极140之间绝缘。栅极绝缘层130可以包括绝缘材料,并且可以包括例如无机绝缘材料(诸如氧化硅和/或氮化硅)和/或有机绝缘材料(诸如丙烯酰类有机物质、BCB等)。
有机绝缘层150可以设置在栅电极140上。有机绝缘层150可以置于栅电极140与源电极160s和漏电极160d之间,以确保栅电极140与源电极160s和漏电极160d的绝缘。有机绝缘层150可以形成为包括例如丙烯酰类有机物质、BCB等的单层或多层结构。
源电极160s和漏电极160d可以设置在有机绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d可以通过形成于栅极绝缘层130中的接触孔与半导体层120电连接。源电极160s和漏电极160d可以形成为单层或多层结构,该单层或多层结构包括从例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料(考虑到电导率等)。
同时,保护层可以覆盖薄膜晶体管TFT以保护具有上述结构的薄膜晶体管TFT。保护层可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机物质。
同时,平坦化层170可以设置在基底100上。在此情况下,平坦化层170可以是保护层。平坦化层170可以使薄膜晶体管TFT的上表面平面化,并且当有机发光器件200设置在薄膜晶体管TFT上时保护薄膜晶体管TFT和各种组件。平坦化层170可以包括例如丙烯酰类有机物质、BCB等。在这点上,如图5所示,缓冲层110、栅电极140、有机绝缘层150和平坦化层170可以形成在基底100的整个表面上。
同时,像素限定层180可以设置在薄膜晶体管TFT上。像素限定层180可以设置在平坦化层170上并且可以具有开口。像素限定层180可以限定基底100上的像素区域。
像素限定层180可以包括例如有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括丙烯酰类聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺聚合物、丙烯酸酯类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的混合物。
同时,有机发光器件200可以设置在像素限定层180上。有机发光器件200可以包括像素电极210、包括发射层(EML)的中间层220和对电极230。
像素电极210可以是(半)透明电极或反射电极。当像素电极210是(半)透明电极时,像素电极210可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。当像素电极210是反射电极时,像素电极210可以包括具有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的混合物的反射层、以及包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的层。发明构思不限于此。像素电极210可以包括各种材料,并且其结构可以以包括单层或多层的各种形式修改。
中间层220可以设置在由像素限定层180限定的像素区域中。中间层220可以包括根据电信号发射光的发射层EML。除发射层EML之外,中间层220可以形成为单一结构或复合结构,该单一结构或复合结构包括设置在发射层EML和像素电极210之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、以及设置在发射层EML和对电极230之间的电子传输层(ETL)、或电子注入层。然而,中间层220不限于此,并且可以具有各种合适的结构。
对电极230可以设置在基底100的整个表面上,以覆盖包括发射层EML的中间层220并面对像素电极210。对电极230可以是(半)透明电极或反射电极。
当对电极230是(半)透明电极时,对电极230可以包括:包括具有小逸出功的金属或金属化合物(诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的混合物)的层;氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的(半)透明导电层。当对电极230是反射电极时,对电极230可以包括包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的混合物的层。然而,对电极230的结构和材料不限于此,并且可以以各种形式修改。
同时,如上所述,根据本实施例的显示设备2的有机绝缘层150可以设置在显示区域DA上,并且在邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1上延伸。如图5所示,有机绝缘层150可以包括在垫单元PAD的方向上(即,在朝向垫单元PAD的方向上)的第一端部表面150a和除第一端部表面150a之外的端部表面。在本实施例中,显示设备2的显示区域DA具有矩形形状,因此,有机绝缘层150可以包括四个端部表面。如上所述,第一端部表面150a可以位于垫单元PAD的方向上,其它三个端部表面可以形成并定位在其它方向上。
无机绝缘层152可以与有机绝缘层150设置在同一层上。无机绝缘层152可以设置在外围区域PA上。更详细地,无机绝缘层152可以设置在除设置有机绝缘层150的第一外围区域PA1之外的第二外围区域PA2和第三外围区域PA3的一部分上。
无机绝缘层152和有机绝缘层150可以不彼此隔开,而可以连续地设置(例如,彼此邻接),因此无机绝缘层152和有机绝缘层150可以彼此接触。更详细地,有机绝缘层150的在垫单元PAD的方向上(即,在无机绝缘层152的方向上)的第一端部表面150a可以与在有机绝缘层150的方向上(即,在朝向有机绝缘层150的方向上)的第二端部表面152a表面接触。无机绝缘层152可以以与第二端部表面152a相反的关系(即,在背对远离有机绝缘层150的方向上)在垫单元PAD的方向上延伸,并且可以设置为延伸到基底100的边缘上。无机绝缘层152可以设置在定位有垫单元PAD的区域的整个表面上。
连接布线142可以设置在外围区域PA上并且可以设置在有机绝缘层150的下部和无机绝缘层152之下。即,连接布线142可以设置在有机绝缘层150的第一端部表面150a和无机绝缘层152的第二端部表面152a彼此接触的位置之下。在图5中,连接布线142可以设置在第一外围区域PA1、第二外围区域PA2和第三外围区域PA3上面,但发明构思不限于此。另外,如图5所示,连接布线142可以经由形成于无机绝缘层152中的通孔与垫单元PAD电连接。
同时,薄膜包封层300可以设置在显示区域DA上。另外,薄膜包封层300可以具有一个或更多个有机层和无机层交替堆叠的多层结构。
薄膜包封层300可以形成在显示区域DA的整个表面上以覆盖有机发光器件200,并且可以设置为延伸到邻近于显示区域DA的第二外围区域PA2上。即,薄膜包封层300可以覆盖显示区域DA以及在显示区域DA的外围的第一外围区域PA1和第二外围区域PA2。因此,薄膜包封层300可以覆盖无机绝缘层152的至少一部分,更详细地,可以覆盖位于第二外围区域PA2上的无机绝缘层152。
图6是沿线VI-VI截取的图4的显示设备2的示意性剖视图。图6是显示设备2的除垫单元PAD被定位的部分之外的部分的剖视图。因此,现在将描述图5和图6之间的差别。
参照图6,薄膜晶体管TFT和有机发光器件200可以设置在基底100的显示区域DA上。如上所述,有机绝缘层150可以覆盖显示区域DA和邻近于显示区域DA的第一外围区域PA1。
同时,不同于显示设备2的垫单元PAD被定位的部分的图5的剖视图,无机绝缘层152没有在图6的剖视图中示出。无机绝缘层152可以延伸以覆盖有机绝缘层150和垫单元PAD之间的第一区域以及垫单元PAD被定位的外围区域PA的第二区域,因此无机绝缘层152可以不设置在其它区域中。
即,在图5中,有机绝缘层150的第一端部表面150a和无机绝缘层152的第二端部表面152a可以彼此表面接触,而在图6中,有机绝缘层150的除第一端部表面150a之外的端部表面150b可以不与无机绝缘层152接触。在此情况下,有机绝缘层150的端部表面150b可以被薄膜包封层300覆盖,所述薄膜包封层300被形成为覆盖显示区域DA并且经过第一外围区域PA1在第二外围区域PA2上延伸。薄膜包封层300可以覆盖有机绝缘层150的端部表面150b、在第二外围区域PA2上延伸并且与栅极绝缘层130表面接触。如上所述,除有机绝缘层150的第一端部表面150a之外,未设置有无机绝缘层152的端部表面150b可以被薄膜包封层300覆盖,从而阻挡来自有机绝缘层150的端部表面150b的氧和湿气。
尽管在图6中示出了面对垫单元PAD被定位的部分的部分的横截面,但沿X轴截取的横截面也可以与图6所示的相同。
如上所述,根据本实施例的显示设备2可以包括在垫单元PAD被定位的部分中的无机绝缘层152和在剩余部分中的有机绝缘层150,从而确保显示设备2的可弯曲性,并同时地或同步地提供关于保护免受湿气渗入强的显示设备2。
如上所述,根据一个或更多个示例性实施例,可以实施具有防止湿气渗入的改善效果的显示设备。然而,发明构思的范围不受该效果限制。
应理解的是,在此描述的示例性实施例应仅以描述性的含义考虑而非出于限制的目的。在每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它示例性实施例中的其它相似的特征或方面。
当诸如“……中的至少一个(种)”、“……中的一个(种)或更多个(种)”、“从……中选择的至少一个(种)”或“从……中选择的一个(种)或更多个(种)”的表述在一列元件(要素)之后时,修饰整列的元件(要素),而不是修饰该列中的个别元件(要素)。此外,当描述本发明的实施例时对“可以(可)”的使用是指“本发明的一个或更多个实施例”。
如这里使用的,术语“基本上”、“大约”和相似术语被用作近似术语且不用作程度术语,并且意在说明本领域的普通技术人员将认可的测量值或计算值的固有偏差。
同样,在此陈述的任何数值范围意在包括包含在陈述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如,“1.0至10.0”的范围意在包括陈述的最小值1.0和陈述的最大值10.0之间(并包括陈述的最小值1.0和陈述的最大值10.0)的所有子范围,即,具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值,诸如,以2.4至7.6为例。在此陈述的任何最大数值限制意在包括所有包含其中的较低数值限制,并且在此说明书中陈述的任何最小值数值限制意在包括包含其中的较高数值限制。因此,申请人保留修改此说明书(包括权利要求)的权利,以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围之内的任何子范围。
如这里使用的,术语“使用”及其变型可以被视为分别与术语“利用”及其变型同义。
根据在此描述的本发明的实施例的显示设备和/或任何其它相关的装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如,显示设备的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或分开的IC芯片上。此外,显示设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施,或者形成在一个基底上。此外,显示设备的各种组件可以是在为了实现在这里描述的各种功能而执行计算机程序指令且与其它系统组件交互的一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令存储在可在使用标准存储器装置的计算装置中实施的存储器(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)中。计算机程序指令也可以被存储在其它非暂时计算机可读介质(诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例)中。另外,本领域的技术人员应认可的是,在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下,各种计算装置的功能可以组合或集成到单一计算装置中,或者特定计算装置的功能可以遍布一个或更多个其它计算装置。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例,但是本领域的普通技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下,可以于此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (14)

1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括显示区域和围绕所述显示区域的外围区域;
垫单元,在所述外围区域上;
有机绝缘层,覆盖所述外围区域的邻近于所述显示区域的一部分和所述显示区域;以及
无机绝缘层,当第一区域是所述有机绝缘层和所述垫单元之间的部分时,所述无机绝缘层至少覆盖所述第一区域。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层和所述无机绝缘层位于同一层上。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层和所述无机绝缘层彼此接触。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层的在所述无机绝缘层的方向上的第一端部表面与所述无机绝缘层的在所述有机绝缘层的方向上的第二端部表面表面接触。
5.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括:薄膜包封层,在所述有机绝缘层上并且延伸到所述有机绝缘层的外部上。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层的除所述第一端部表面的端部表面被所述薄膜包封层覆盖。
7.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层的端部表面与所述第二端部表面或所述薄膜包封层接触。
8.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述薄膜包封层覆盖所述无机绝缘层的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,当第二区域是所述基底的所述垫单元被定位的部分时,所述无机绝缘层延伸以覆盖所述第二区域。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述垫单元被定位在所述无机绝缘层上。
11.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:连接布线,在所述外围区域上,使得所述连接布线被定位在所述无机绝缘层之下且在所述有机绝缘层之下,
其中,所述垫单元经由形成在所述无机绝缘层中的通孔电连接到所述连接布线。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述基底具有在一个方向上延伸的弯曲轴,
其中,所述弯曲轴不跨过所述无机绝缘层延伸。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述弯曲轴包括第一弯曲轴和平行于所述第一弯曲轴的第二弯曲轴,
其中,所述无机绝缘层位于所述第一弯曲轴和所述第二弯曲轴之间。
14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述垫单元在所述无机绝缘层上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427861A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10957268B2 (en) * 2016-08-12 2021-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix substrate and display device
KR102671042B1 (ko) * 2016-09-06 2024-06-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102436659B1 (ko) 2017-12-06 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102512725B1 (ko) * 2018-02-28 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210146475A (ko) * 2020-05-26 2021-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040170927A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
CN102097448A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
US20140061618A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4683688B2 (ja) * 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP2003150109A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd El表示装置の駆動方法とel表示装置およびその製造方法と情報表示装置
KR100637228B1 (ko) * 2005-08-02 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 개선된 패드구조를 갖는 유기발광 표시장치 및 그의제조방법
KR101383924B1 (ko) 2007-04-11 2014-04-14 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법
KR101108162B1 (ko) * 2010-01-11 2012-01-31 서울대학교산학협력단 고해상도 유기 박막 패턴 형성 방법
KR101814775B1 (ko) * 2011-04-13 2018-01-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
KR101954978B1 (ko) 2012-09-06 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR102097150B1 (ko) 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102081932B1 (ko) 2013-03-21 2020-04-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제어 방법
US9614021B2 (en) 2013-07-24 2017-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof
KR102099865B1 (ko) 2013-08-12 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102162884B1 (ko) * 2013-11-26 2020-10-08 엘지디스플레이 주식회사 영상표시장치의 제조방법
KR102177169B1 (ko) * 2013-12-02 2020-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
KR102399574B1 (ko) * 2015-04-03 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040170927A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
CN102097448A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
US20140061618A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427861A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109427861B (zh) * 2017-09-04 2023-04-11 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

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Publication number Publication date
KR20170012738A (ko) 2017-02-03
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