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CN105684070A - 使用半导体发光器件的显示装置 - Google Patents

使用半导体发光器件的显示装置 Download PDF

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CN105684070A CN201480058630.2A CN201480058630A CN105684070A CN 105684070 A CN105684070 A CN 105684070A CN 201480058630 A CN201480058630 A CN 201480058630A CN 105684070 A CN105684070 A CN 105684070A
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Abstract

本公开提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，所述基板具有第一电极和第二电极中的至少一个；导电粘合层，所述导电粘合层被配置成覆盖所述布线基板；以及多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被联接到所述导电粘合层，并且被电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述导电粘合层具有设置在第一区域中的第一导电粘合层和设置在与所述第一区域相邻的第二区域中的第二导电粘合层，使得所述导电粘合层在所述布线基板上被分割成多个区域。

Description

使用半导体发光器件的显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，且更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已开发出具有诸如薄外型、柔性等的优异特性的显示装置。相反，目前商业化的主要显示器的代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。
然而，在LCD的情况下存在诸如响应时间不够快、难以实现柔性的问题，并且在AMOLED的情况下存在诸如寿命短、产率不够好以及低柔性的缺点。
另一方面，发光二极管(LED)是用于将电流转换为光的公知的发光器件，并且自1962年使用GaAsP化合物半导体的红色LED与基于GaP:N的绿色LED一起进行商用起，发光二极管(LED)已被用作用于在包括信息通信装置的电子装置中显示图像的光源。因此，半导体发光器件可以被用于实现柔性显示器，从而提出用于解决所述问题的方案。
而且，另外，可以构思出增强对使用半导体发光器件的柔性显示器的产率的提高的结构。
发明内容
技术问题
本公开的一方面在于提供一种用于提高显示装置的产率的结构，在该显示装置中，半导体发光器件被实现为子像素。
本公开的另一方面在于提供一种显示装置，当将半导体发光器件连接到电极线时，该显示装置具有导电可靠性。
问题的解决方案
为了完成上述任务，根据本公开的一种实施方式的显示装置可以包括：基板，所述基板具有第一电极和第二电极中的至少一个；导电粘合层，所述导电粘合层被配置成覆盖所述布线基板；以及多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被联接到所述导电粘合层，并且被电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述导电粘合层具有设置在第一区域中的第一导电粘合层和设置在与所述第一区域相邻的第二区域中的第二导电粘合层，使得所述导电粘合层在所述布线基板上被分割成多个区域。
根据与本公开有关的一个示例，所述第一导电粘合层与第二导电粘合层之间的边界部分可以被形成在所述多个半导体发光器件之间。所述半导体发光器件可以沿着多个行被设置，并且所述边界部分可以被形成为在所述多个行的至少一部分之间平行于所述行。所述第一电极和所述第二电极可以分别形成有多条线，并且所述第一电极的多条线和所述第二电极的多条线中的任一者可以沿着所述多个行被布置。
所述边界部分可以具有分别形成在所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层上的第一边界部分和第二边界部分，并且所述第一边界部分和所述第二边界部分可以在所述多个半导体发光器件之间彼此接触。
根据与本公开有关的另一示例，所述导电粘合层可以包括联接到所述基板的多个各向异性导电膜(ACF)。所述多个各向异性导电膜可以具有与所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层对应的第一各向异性导电膜和第二各向异性导电膜，并且根据因热压而导致的变形，所述第一各向异性导电膜与所述第二各向异性导电膜之间的边界部分可以彼此接触。所述多个各向异性导电膜可以在所述多个各向异性导电膜被设置成彼此分离的状态下被热压，并且随着树脂因所述热压而流动以填充在所述多个各向异性导电膜之间的间隔，所述边界部分可以彼此接触。
根据与本公开有关的又一示例，所述导电粘合层可以包括联接到所述基板的单个各向异性导电膜(ACF)，并且所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层可以被穿过所述单个各向异性导电膜的通孔分割。所述通孔可以以细长的方式被形成以形成线。所述通孔可以根据所述单个各向异性导电膜因热压而导致的变形而被填充。
根据与本公开有关的再一示例，所述多个半导体发光器件中的至少一部分可以被埋入在所述导电粘合层中，并且所述导电粘合层可以具有不透明树脂以阻挡光通过在所述第一导电粘合层与所述第二导电粘合层之间的边界部分被透射。所述不透明树脂可以包括黑色或白色树脂。
根据与本公开有关的再一示例，所述布线基板可以是柔性聚酰亚胺(PI)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板中的任一种。
根据与本公开有关的再一示例，所述多个区域可以沿着所述第一电极的布置被设置或沿着所述第二电极的布置方向被设置。
另外，根据本公开，公开了一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在包含电极的第一基板上形成多个导电粘合层；允许设置有多个半导体发光器件的第二基板被设置成使得所述电极面向所述半导体发光器件；将所述第一基板热压到所述第二基板，以将所述半导体发光器件联接到所述多个导电粘合层；以及去除所述第二基板，其中，所述多个导电粘合层被设置成彼此分离以具有在所述热压期间能够被扩展的间隔。所述间隔可以通过所述多个导电粘合层因所述热压而导致的扩展而被填充，以允许所述多个导电粘合层的边界部分彼此接触。
发明的有益效果
根据具有上述配置的本公开，半导体发光器件之间的距离可以足够大，并且导电粘合层可以具有柔软性，从而实现可卷曲的显示装置。
另外，根据本公开，导电粘合层可以被分割成多个区域，从而允许在上基板和下基板的电极线的连接期间粘合部分的树脂厚度是均匀的。通过这样，可以提高显示装置的产率，并且确保在线的连接期间的导电可靠性。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的概念图；
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，以及图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的截面图；
图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；
图5A至图5C是示出用于与倒装芯片型半导体发光器件相结合实现颜色的各种形式的概念图；
图6是示出根据本公开的制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图；
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的立体图；
图8是沿图7中的线C-C截取的截面图；
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图；
图10A和图10B是示出根据本公开的在使用半导体发光器件的显示装置中导电粘合层被分割成多个区域的情况和导电粘合层未被分割成多个区域的情况的概念图；
图11A和图11B是示出由于导电粘合层的热粘合性而导致的变形的概念图；
图12A、图12B和图12C是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的实施方式的概念图、平面图和截面图；
图13是示出导电粘合层与显示面板之间的相对大小的概念图；
图14是沿图13中的线B-B截取的截面图；
图15是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的另一实施方式的示图；以及
图16A、图16B和图16C是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的又一实施方式的概念图、平面图和截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本文所公开的实施方式，并且相同或相似的元件用相同的附图标记来指代而不考虑附图的标号，并且将省略对它们的多余描述。用于以下描述中所公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”仅旨在便于本说明书的描述，并且该后缀本身并不给予任何特殊含义或功能。而且，在描述本文公开的实施方式中，当对本发明所涉及的公知技术的具体描述被判断为模糊本发明的要点时，将省略该详细描述。另外，应注意的是，示出附图仅是为了便于解释本发明的概念，且因此，它们不应被解释为由附图限制本文所公开的技术构思。
此外，将理解的是，当诸如层、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者也可以在它们之间插入中间元件。
本文公开的显示装置可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪、板型PC、平板PC、超极本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域技术人员将容易理解，本文公开的配置可以适用于任何可显示装置，即使它是后续将开发的新产品类型。
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的概念图。
根据附图，在显示装置100的控制器中处理的信息可以利用柔性显示器来显示。
柔性显示器可以包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在薄柔性基板上制造的显示器，它在保持现有技术中的平板显示器的显示特性的同时可以像纸张一样被扭曲、弯曲、折叠或卷曲。
在柔性显示器未被扭曲的配置(例如，具有无限曲率半径的配置，以下称作“第一配置”)中，柔性显示器的显示区域变为平面。在第一配置下柔性显示器被外力扭曲的配置(例如，具有有限曲率半径的配置，以下称作“第二配置”)中，其显示区域变为曲面。如附图中所示，在第二配置下显示的信息可以是显示在曲面上的视觉信息。该视觉信息可以通过单独控制以矩阵形式设置的子像素的光发射来实现。子像素表示用于实现一种颜色的最小单元。
柔性显示器的子像素可以通过半导体发光器件来实现。根据本公开，示出发光二极管(LED)作为一种类型的半导体发光器件。发光二极管可以被形成为具有小尺寸，以通过此即使在第二配置下也执行子像素的作用。
以下，将参照附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，并且图3A和图3B是沿图2中的线B-B和线C-C截取的截面图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图，以及图5A至图5C是示出用于与倒装芯片型半导体发光器件相结合来实现颜色的各种形式的概念图。
根据图2、图3A和图3B中的附图，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100作为使用半导体发光器件的显示装置100。然而，以下例示也可以适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置100可以包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140和多个半导体发光器件150。
基板110可以是柔性基板。基板110可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。另外，如果它是柔性材料，则可以使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。而且，基板110可以是透明材料和不透明材料中的任一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，且因此第一电极120可以被布置在基板110上。
根据附图，绝缘层160可以被设置在布置有第一电极120的基板110上，且辅助电极170可以被布置在绝缘层160上。在这种情况下，绝缘层160被沉积在基板110上的配置可以是一体的布线基板。更具体地，可以利用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘和柔性材料将绝缘层160结合到基板110中以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170被布置在绝缘层160上，并且与第一电极120的位置对应地设置。例如，辅助电极170具有点形状，并且可以通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可以通过在通孔中填充导电材料来形成。
参照附图，导电粘合层130可以被形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开可以不必限于此。例如，还可以具有导电粘合层130在没有绝缘层160的情况下被设置在基板110上的结构。在导电粘合层130被设置在基板110上的结构中，导电粘合层130可以执行绝缘层的作用。
导电粘合层130可以是具有粘性和导电性的层，且为此，导电材料和粘合材料可以被混合在导电粘合层130上。而且，导电粘合层130可以具有柔性，从而在显示装置中允许柔性功能。
对于这种示例，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电浆料、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可以允许穿过其厚度的在z方向上的电互连，但是可以被配置为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可以被称为z轴导电层(然而，以下称为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基件相混合的形式的膜，且因此，当对其施加热和压力时，仅其特定部分可以通过各向异性导电介质而具有导电性。以下，对各向异性导电膜施加热和压力，但是其它方法也可以用于各向异性导电膜，以使其部分地具有导电性。所述方法可以包括仅对其施加热和压力中的任一个、UV固化等。
另外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本实施方式中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基件相混合的形式的膜，且因此，当对其施加热和压力时，仅其特定部分可以通过导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以处于以下状态：其中，具有导电材料的芯包含多个被具有聚合物材料的绝缘层涂覆的颗粒，且在这种情况下，它可以在被施加热和压力的部分上破坏绝缘层的同时通过芯而具有导电性。这里，可以使芯变形来实现具有两个表面的层，对象在膜的厚度方向上接触这两个表面。对于更具体的示例，对各向异性导电膜整体施加热和压力，并且通过相对于利用各向异性导电膜粘附的配对对象的高度差来部分地形成z轴方向上的电连接。
对于另一示例，各向异性导电膜可以处于包含多个颗粒的状态，其中，导电材料被涂覆在绝缘芯上。在这种情况下，被施加热和压力的部分可以被转换(加压并粘附)为导电材料，以在膜的厚度方向上具有导电性。对于另一示例，它可以被形成为在膜的厚度方向上具有导电性，其中，导电材料在z方向上穿过绝缘基件。在这种情况下，导电材料可以具有尖的端部。
根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，该固定阵列各向异性导电膜(ACF)被配置成具有导电球被插入到绝缘基件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基件由粘合材料形成，并且导电球被密集地设置在绝缘基件的底部，且当对其施加热和压力时，该基件随导电球一起被改性，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开可以不必限于此，且各向异性导电膜可以全部被允许具有导电球随机地与绝缘基件相混合的形式或者被配置有导电球设置在其中任一层处的多个层的形式(双ACF)等。
作为联接至浆料和导电球的形式的各向异性导电浆料可以是导电球与绝缘和粘合基材相混合的浆料。另外，包含导电颗粒的溶液可以是以包含导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
再参照附图，第二电极140位于绝缘层160处，以与辅助电极170分离。换言之，导电粘合层130被设置在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在设置有辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合层130，并且随后随着施加热和压力半导体发光器件150以倒装芯片的形式与其连接时，半导体发光器件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件可以是倒装芯片型半导体发光器件。
例如，半导体发光器件可以包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153以及在水平方向上与p型电极156分离地设置在n型半导体层153上的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可以通过导电粘合层130电连接到焊接部分179，以及n型电极152可以电连接到第二电极140。
再参照图2、图3A和图3B，辅助电极170可以在一个方向上以细长的方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，辅助电极周围的半导体发光器件的左p型电极和右p型电极可以电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压到导电粘合层130中，且通过这样，仅半导体发光器件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，且其余部分不具有导电性，因为没有对半导体发光器件下推(push-down)。
另外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且荧光层180被形成在该发光阵列上。
发光器件可以包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光器件。各个半导体发光器件150均构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且例如，半导体发光器件按照多行排列，且各行的半导体发光器件可以电连接到多个第一电极中的任一个。
另外，半导体发光器件可以以倒装芯片形式被连接，且因此，半导体发光器件在透明电介质基板上生长。另外，例如，半导体发光器件可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，且因此即使其尺寸较小，也可以配置各个子像素。
根据附图，间隔壁190可以被形成在半导体发光器件150之间。在这种情况下，间隔壁190可以执行将各个子像素彼此分隔的作用，并且与导电粘合层130一起形成为整体。例如，当半导体发光器件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基件可以形成间隔壁。
另外，当各向异性导电膜的基件为黑色时，在没有附加的黑色绝缘体的情况下，间隔壁190可以具有反射特性，同时增大对比度。
对于另一示例，可以用间隔壁190单独地设置反射间隔壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的间隔壁时，它可以具有增强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增大对比度。
荧光层180可以位于半导体发光器件150的外表面处。例如，半导体发光器件150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光层180执行将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光层180可以是构成各个像素的红色荧光层181或绿色荧光层182。
换言之，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体181可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上，以及能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体182可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上。另外，在实现蓝色子像素的位置处可以仅单独地使用蓝色半导体发光器件151。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，一种颜色的荧光体可以沿着第一电极120的各行被沉积。因此，第一电极120上的一行可以是控制一种颜色的电极。换言之，可以依次设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本公开可以不必限于此，且半导体发光器件150可以与量子点(QD)而不是荧光体进行组合来实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
另外，黑底191可以被设置在各个荧光层之间以增强对比度。换言之，黑底191可以增强亮度的对比度。
然而，本公开可以不必限于此，且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可以适用于此。
参照图5A，各个半导体发光器件150可以利用发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件来实现，其中，主要使用氮化镓(GaN)，并且向其添加铟(In)和/或铝(Al)。
在这种情况下，半导体发光器件150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件，以实现各个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)交替被设置，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件来实现一个像素，从而实现全彩色显示。
参照图5B，半导体发光器件可以具有白色发光器件(W)，该白色发光器件(W)针对各个元件被设置有黄色荧光层。在这种情况下，红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可以被设置在白色发光器件(W)上，以实现子像素。另外，在白色发光器件(W)上重复使用红色、绿色和蓝色的彩色滤光器可以被用于实现子像素。
参照图5C，还可以具有这样的结构：其中，红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可以被设置在紫外发光器件(UV)上。这样，半导体发光器件可以被用在直至紫外光(UV)以及可见光的整个区域上，并且可以被延伸至紫外光(UV)可以被用作激励源的半导体发光器件的形式。
再考虑当前示例，半导体发光器件150被布置在导电粘合层130上，以配置显示装置中的子像素。半导体发光器件150可以具有优异的亮度特性，且因此即使其尺寸较小，也可以配置各个子像素。各个半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度可以小于80μm，并且利用矩形或正方形形状的元件来形成。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
另外，即使当边长为10μm的正方形形状的半导体发光器件150被用于子像素时，它也将表现出足够的亮度来实现显示装置。因此，例如，在子像素的一侧的尺寸为600μm且其剩余一侧为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光器件之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光器件的显示装置将通过新型的制造方法来制造。以下，将参照图6来描述该制造方法。
图6是示出根据本公开的制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图。
参照该图，首先，在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。绝缘层160被沉积在第一基板110上，以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140被设置在布线基板处。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以按照彼此垂直的方向被设置。另外，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
例如，导电粘合层130可以通过各向异性导电膜来实现，且为此，各向异性导电膜可以被涂覆在设置有绝缘层160的基板上。
接下来，将设置有多个半导体发光器件150的第二基板112设置为使得半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140，所述多个半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140的位置相对应并且构成各个像素。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
当半导体发光器件以晶片为单位被形成时，其可以具有能够实现显示装置的间隙和尺寸，且因此有效地用于显示装置。
接下来，将布线基板热压到第二基板112。例如，可以通过应用ACF压头来将布线基板和第二基板112热压至彼此。布线基板和第二基板112使用热压而彼此结合。由于通过热压而具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅在半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的部分可以具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件150彼此电连接。此时，半导体发光器件150可以被插入到各向异性导电膜中，从而形成半导体发光器件150之间的间隔壁。
接下来，去除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。
最后，去除第二基板112以将半导体发光器件150暴露于外。可以在联接到半导体发光器件150的布线基板上涂覆硅氧化物(SiOx)等，以形成透明绝缘层(未示出)。
另外，它还可以包括在半导体发光器件150的一个表面上形成荧光层的工艺。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且用于将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
使用上述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可以按照各种形式来修改。对于这种示例，上述显示装置可以适用于垂直半导体发光器件。以下，将参照图5和图6来描述垂直结构。
另外，根据以下修改示例或实施方式，相同或相似的附图标记被指定为与上述示例的相同或相似的配置，且对其的描述将由之前的描述代替。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的立体图。图8是沿图7中的线C-C截取的截面图，以及图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
根据附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示装置。
显示装置可以包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240以及多个半导体发光器件250。
作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。另外，也可以使用任一种，只要它是绝缘和柔性材料。
第一电极220可以位于基板210上，并且利用具有在一个方向上伸长的条形的电极来形成。第一电极220可以被形成为执行数据电极的作用。
导电粘合层230被形成在设置有第一电极220的基板210上。类似于倒装芯片型发光器件被应用的显示装置，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电浆料、包含导电颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出了导电粘合层230由各向异性导电膜实现的情况。
当各向异性导电膜处于第一电极220被设置在基板210上的状态下且随后施加热和压力来将半导体发光器件250与其连接时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光器件250可以优选地被设置在第一电极220上。
当如上所述施加热和压力时，由于各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，所以生成电连接。因此，各向异性导电膜被分割成在其厚度方向上具有导电性的部分231和不具有导电性的部分232。
另外，各向异性导电膜包含粘合成分，且因此导电粘合层230实现在半导体发光器件250与第一电极220之间的机械联接以及电联接。
这样，半导体发光器件250被布置在导电粘合层230上，从而配置显示装置中的单独的子像素。半导体发光器件250可以具有优异的亮度特性，且因此即使其尺寸较小，也可以配置各个子像素。各个半导体发光器件250的尺寸在其一侧长度可以小于80μm，并且由矩形或正方形形状的元件形成。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且电连接到垂直半导体发光器件250的多个第二电极240可以位于垂直半导体发光器件之间。
参照图9，垂直半导体发光器件可以包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256可以通过导电粘合层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可以电连接到第二电极240，这将稍后描述。电极可以在向上/向下的方向上被设置在垂直半导体发光器件250中，从而提供能够减小芯片尺寸的极大优势。
再参照图8，荧光层280可以被形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，并且用于将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的荧光层280可以被设置在其上。在这种情况下，荧光层280可以是构成各个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换言之，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体281可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上，且能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体282可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上。而且，在实现蓝色子像素的位置处，可以仅单独地使用蓝色半导体发光器件251。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。
然而，本公开可以不必限于此，且在倒装芯片型发光器件被应用的显示装置中，如上所述，用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可以适用于此。
再考虑本实施方式，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可以按照多行来设置，并且第二电极240可以位于半导体发光器件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，所以第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。
第二电极240可以被形成为具有在一个方向上伸长的条形的电极，并且被设置在与第一电极垂直的方向上。
另外，第二电极240可以通过从第二电极240突出的连接电极来电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，该n型电极由用于欧姆接触的欧姆电极形成，以及第二电极通过印刷或沉积来覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可以电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据附图，第二电极240可以位于导电粘合层230上。根据情况，可以在形成有半导体发光器件250的基板210上形成包含硅氧化物(SiOx)的透明绝缘层(未示出)。当形成透明绝缘层且随后在其上布置第二电极240时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。另外，第二电极240可以被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极来将第二电极240设置在半导体发光器件250上，则ITO材料具有与n型半导体的粘附性较差的问题。因此，第二电极240可以被布置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优势。因此，n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可以被用作水平电极，而没有被透明材料的选择所限制，从而增强光提取效率。
根据附图，间隔壁290可以被形成在半导体发光器件250之间。换言之，间隔壁290可以被设置在垂直半导体发光器件250之间，以将构成各个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情况下，间隔壁290可以执行将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合层230形成为整体。例如，当半导体发光器件250被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基件可以形成间隔壁。
另外，当各向异性导电膜的基件为黑色时，在没有附加的黑色绝缘体的情况下，间隔壁290可以具有反射特性，同时增大对比度。
对于另一示例，可以用间隔壁290单独地设置反射间隔壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间隔壁290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于在半导体发光器件250之间的导电粘合层230上，则间隔壁290可以位于半导体发光器件250与第二电极240之间。因此，可以使用半导体发光器件250甚至以小尺寸来配置各个子像素，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对足够大，以将第二电极240布置在半导体发光器件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示装置的效果。
另外，根据附图，黑底291可以被设置在各个荧光层之间以增强对比度。换言之，黑底191可以增强亮度的对比度。
如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合层230上，从而构成在显示装置上的各个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，从而甚至以其小尺寸来配置各个子像素。结果，可以实现全彩色显示，其中，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素通过半导体发光器件来实现一个像素。
根据本发明，在使用上述半导体发光器件的显示装置中，可以考虑在半导体发光器件与电极线之间的连接期间能够确保导电可靠性的结构。以下，将描述能够确保导电可靠性的结构。
图10A和图10B是示出根据本公开的在使用半导体发光器件的显示装置中导电粘合层被分割成多个区域的情况和导电粘合层未被分割成多个区域的情况的概念图，以及图11A和图11B是示出由于导电粘合层的热粘合性而导致的变形的概念图。
附图是示意图，其中，在显示装置的布线基板310与使用各向异性导电膜的半导体发光器件350的晶片之间的热压之后的平面图被放大。
参照图10A，生长有半导体发光器件350的生长基板、导电粘合层330以及布线基板310依次被沉积成将布线基板310电连接到半导体发光器件350，并且在该状态下执行热压。根据本示例，导电粘合层330可以是各向异性导电膜。
根据本公开，各向异性导电膜被设置成分割为预定形状的间隔和宽度，并且所设置的膜在布线基板的水平线电极340之间进行匹配。换言之，导电粘合层被分割成多个区域。通过分割而在膜之间形成的间隔(S)执行通道的作用，在该通道中，各向异性导电膜的树脂可以流动并在流动方向(F1)上朝向该间隔移动。
当如图10B所示没有分割时，在被热粘合到通过将水平方向上的电极340与垂直方向上的辅助电极(电极焊盘)370分离而形成的布线基板310时，各向异性导电膜的树脂主要是在左、右方向上流动。另外，在以一对一匹配的方式在布线基板上形成有半导体发光器件350的晶片的情况下，根据半导体发光器件350的排布方向，树脂主要在垂直方向上流动。根据上述结构，它可能会导致以下问题：其中，中央部分处的树脂的流动方向(F2)成为不能向外流动的方向。
另外，当大面积的各向异性导电膜被使用时，它可能会导致以下现象：其中，在粘合表面的中央部分处的树脂不能充分地向外部流动。在各向异性导电膜中包含树脂的情况下，当树脂的运动距离变大时，该树脂在热粘合期间的几秒内被固化，以及在几秒内具有不能充分流动的粘度。因此，阻止树脂流动的因素可以包括由于布线基板上的线或焊盘的复杂形状而成为对树脂流动的障碍、根据大面积的粘合表面的树脂流动的长距离运动路径等。
以此方式，当出现使树脂的流动退化的现象时，导电性并没有均匀地分布在热粘附至其的部分的整个表面上。
如图11A和图11B所示，当利用在显示面板301中的各向异性导电膜331将半导体发光器件连接到布线基板时，各向异性导电膜331的粘合区域与显示面板301的尺寸类似或大于显示面板301的尺寸，并且降低树脂移动性的现象被进一步恶化。
在外面部分的情况下，树脂通过粘合部分的最外部流动以保持合适的粘合厚度，但在中央部分的情况下，树脂的流动是无效的，并且因此与外面部分相比，树脂以相对厚的方式被填充。这导致填充厚度不均匀，从而导致在粘合部分的中央部分与外面部分之间的非均匀导电球接触。
图11B是SEM分析结果，其中，在粘合状态下的大面积面板的横截面被切割。照片的左侧表示中央部分，以及其右侧表示外面部分。在中央部分位于热粘合的大面积上的情况下，由于树脂的非移动性而使得树脂以厚的方式被填充，从而导致导电球在上/下板的电极线/焊盘之间不能连接的现象，并且在外面部分的情况下，树脂向其外部流动以填充合适厚度的树脂，且因此导电球以合适的状态被压在上板与下板之间。换言之，这可能导致在中央部分和外面部分处导电性分布不均匀的现象。
再参照图10A，根据本公开，各向异性导电膜331的中央部分的树脂被人为地引导以流过与其相邻的空间隔，而无需穿过长距离的运动路径。
在这种情况下，树脂按照箭头方向流出，并且空间隔通过用已流进其中的树脂填充而被消除。以此方式，有效地进行了树脂的流动，从而实现了在大面积热粘合期间在整个区域上的均匀树脂填充厚度。通过这样，可以进行对导电球的合适压制以实现均匀导电性。
以下，将描述显示装置的具体结构，在该显示装置中，导电粘合层被分割成多个区域。
图12A、图12B和图12C是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的实施方式的概念图、平面图以及截面图。
根据附图，使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100被例示为使用半导体发光器件的显示装置400。然而，下面的示例也将适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置400可以包括基板410、导电粘合层430以及多个半导体发光器件450。半导体发光器件可以是倒装芯片型发光器件。然而，以下，在概念图和平面图中省略了半导体发光器件。另外，对于与图2至图4中所公开的示例相同或相似的配置，对其的描述将由之前的描述代替，且以下，将围绕不同于之前的部分来对其进行描述。
作为布线基板的基板410可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板以及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板中的任一种。另外，如之前示例所例示，在基板410上形成电极。
根据附图，在基板410上导电粘合层430被分割成多个区域。以下，将基于第一区域和第二区域来进行描述，这两个区域是多个区域的最小单位，但是本公开可以不必限于此，且因此可以分割成更多数量的区域。
导电粘合层430可以包括设置在第一区域中的第一导电粘合层431以及设置在与第一区域相邻的第二区域中的第二导电粘合层432。通过这样，在第一导电粘合层431与第二导电粘合层432之间形成边界部分431a、431b。
根据本示例，显示装置可以通过以下步骤来制造：在包含电极的第一基板上形成多个导电粘合层；允许设置有多个半导体发光器件的第二基板(生长基板)被设置成使得电极面向半导体发光器件，并随后将第一基板热压到第二基板，以将半导体发光器件联接到多个导电粘合层；以及去除第二基板，类似于参照图6描述的工艺。
参照图12A，在形成多个导电粘合层的步骤期间，多个导电粘合层431、432被设置成彼此分离，以具有在热压期间可以被扩展的间隔433。图12C是沿图12B中的线A-A截取的截面图，且参照图12B和图12C，在通过热压来联接以允许在被完成的显示装置中多个导电粘合层431、432的边界部分431a、432a彼此接触的步骤期间，间隔被因热压而导致的多个导电粘合层431、432的扩展所填充。
在这种情况下，在多个半导体发光器件450之间形成多个导电粘合层431、432的边界部分431a、432a。
导电粘合层可以包括联接于基板410的多个各向异性导电膜(ACF)。多个各向异性导电膜可以包括与第一导电粘合层431和第二导电粘合层432对应的第一各向异性导电膜和第二各向异性导电膜。然而，本公开可以不必限于此，且导电粘合层可以是如上所述的各向异性导电浆料、包含导电颗粒的溶液等。
根据附图，半导体发光器件450沿着多行被设置，并且边界部分431a、432a被形成为在所述多行中的至少一部分之间平行于所述行。第一电极420和第二电极440分别由多条线形成，并且第一电极420的多条线和第二电极440的多条线中的任一者沿着所述多行被布置。
第一导电粘合层431和第二导电粘合层432的边界部分431a、432a被设置成形成为与第二电极的多条线平行。换言之，第一导电粘合层431和第二导电粘合层432被设置成使得二者之间的间隔与第二电极平行。
更具体地，水平方向的电极线(第二电极)和它们之间的共用电极焊盘(辅助电极)被形成在基板410(或布线基板)上。导电粘合层上的树脂有效地沿水平方向上的第二电极420流动，且具体地，导电粘合层上的树脂大多可以流过不存在辅助电极470的间隔。根据本示例，各向异性导电膜沿着水平方向被设置成条形，并且不具有膜的被分割的间隔和共用电极的水平线基板与其对齐并粘附到其。
在这种情况下，在被分割的膜之间的边界处形成水平方向的细长的空间隔，并且该空间隔用作树脂可以在其中流动的流动空间。根据包含在其中的水平电极线的数量，可以增大或减小条形膜的宽度，并且随着膜宽度减小以及分割数量增大，树脂的移动性被增强。因此，可以通过合适的分割来实现良好的树脂流动控制。
参照图12C，边界部分可以包括分别形成在第一导电粘合层和第二导电粘合层上的第一边界部分431a和第二边界部分432a，并且根据因热压而产生的变形，第一各向异性导电膜和第二各向异性导电膜的多个导电粘合层431、432的边界部分431a、432a被形成为彼此接触。换言之，多个各向异性导电膜在它们被设置成彼此分离的状态下被热压，并且当树脂因热压而流动以填充多个各向异性导电膜之间的间隔时，边界部分彼此接触。
根据附图，第一边界部分431a和第二边界部分432a被形成为在多个半导体发光器件之间接触。通过这样，当半导体发光器件450向外发光时，折射等将不会有影响。
另外，多个半导体发光器件的至少一部分可以被埋入到导电粘合层中，从而在半导体发光器件450之间形成间隔壁。例如，通过将半导体发光器件450插入到各向异性导电膜中，各向异性导电膜的基件可以形成该间隔壁。此时，半导体发光器件450的三个表面可以被完全埋入到导电粘合层430的上部区域中。以此方式，半导体发光器件450可以被整体埋入，从而使阻挡半导体发光器件450之间的光的效果最大化。
另外，形成间隔壁的导电粘合层430包括不透明树脂，以阻挡通过半导体发光器件450发射的光。换言之，通过第一导电粘合层431和第二导电粘合层432的边界部分431a、432a透射的光被不透明树脂阻挡。为此，不透明树脂可以包括黑色或白色树脂。然而，本公开可以不必限于此，并且对于另一示例，导电粘合层430可以被着色以阻挡半导体发光器件450之间的光。
如上所述，根据本示例，导电粘合层被分割成多个区域，从而允许在上/下板之间的电极线的连接期间粘合部分的树脂厚度是均匀的。以下，将描述本公开的各种其它实施方式。
图13是示出导电粘合层与显示面板之间的相对大小的概念图，并且图14是沿图13中的线B-B截取的截面图，以及图15是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的另一实施方式的示图。
参照图13，在基板上导电粘合层被分割成的多个区域可以沿着第二电极140的排布来设置以及沿着第一电极120的排布方向来设置(参照图3A)。
如附图所示，导电粘合层可以相对于在布线基板上形成的电极线/焊盘的形状和方向来进行分割，且此时，当在布线基板上形成的电极线/焊盘的密度很低时，可以以更加宏观的形式来将它们分割和粘贴。
例如，除了如图13A所示多个导电粘合层430沿着第一电极120被设置的情况之外，多个导电粘合层430可以沿着第二电极140被设置，如图13B所示。
参照图14，多个半导体发光器件550可以构成发光器件阵列，并且荧光层580被形成在该发光器件阵列上。例如，半导体发光器件550是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光层580执行将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的功能。荧光层580可以是构成各个像素的红色荧光层581或绿色荧光层582。另外，黑底591可以被设置在各个荧光层之间以增强对比度。换言之，黑底591可以增强亮度的对比度。
第一导电粘合层531和第二导电粘合层532在对应于黑底591的位置处被分割。以此方式，导电粘合层沿着垂直方向被分割，从而允许导电粘合层的边界部分531a、532a被黑底591覆盖。通过这样，可以对外界隐藏边界部分531a、532a的存在。
另外，参照图13C，导电粘合层630可以被分割成左/右/上/下部分，且因此沿着第一电极120和第二电极140的排布被分别设置有多个部分。另外，如图13D所示，导电粘合层730可以沿着第二电极被分割成更多个。
参照图15，第一导电粘合层831和第二导电粘合层832被穿过单个各向异性导电膜的通孔834分割。通孔834在一个方向上以细长的方式形成以便形成线。换言之，多条通过线被形成在一个各向异性导电膜上，且因此，该通过线执行在之前的实施方式中导电粘合层之间的被分开的间隔的作用。
由于没有电极线和电极焊盘的结构，所以由通孔834在膜内形成的间隔可以执行通道的作用，各向异性导电膜的树脂通过该通道流动和移动。另外，当根据因热压而导致的单个各向异性导电膜的变形来构成通孔834时，在被完成的显示装置中通孔834可以被树脂填充。
此外，显示装置的上述结构也可以适用于垂直半导体发光器件。以下，将参照图16A、图16B和图16C来描述该垂直结构。
图16A、图16B和图16C是示出当导电粘合层被分割成多个区域时的又一实施方式的概念图、平面图以及截面图。
参照附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示装置。
显示装置900可以包括基板910、导电粘合层930以及多个半导体发光器件950。另外，对于与图7至图9中所公开的示例相同或相似的配置，对其的描述将由之前的描述代替，且以下，将围绕不同于之前的部分来对其进行描述。
作为布线基板的基板910可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板以及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板中的任一种。另外，如之前的示例所例示，在基板910上形成电极。
根据附图，在基板910上导电粘合层930被分割成多个区域。以下，将基于第一区域和第二区域来进行描述，这两个区域是多个区域的最小单位，但是本公开可以不必限于此，且因此可以被分割成更多数量的区域。
根据本示例，各向异性导电膜被设置成条形。在这种情况下，各向异性导电膜的树脂流动主要是在与所形成的线的方向平行的方向上形成的。在这种情况下，可以将树脂的运动方向引导至各向异性导电膜被分割成的间隔，即，两个方向，不同于一个方向。
根据包含在其中的半导体发光器件的列数，可以增大或减小各向异性导电膜的宽度。此外，随着各向异性导电膜的宽度减小以及分割数量增大，树脂的移动性可以被增强。
参照图16A，在形成多个导电粘合层的步骤期间，多个各向异性导电膜931、932被设置成彼此分离，以具有在热压期间可以被扩展的间隔933。根据附图，导电粘合层931、932是基于半导体发光器件之间的间隙来分割的。换言之，导电粘合层931、932之间的间隔被设置在半导体发光器件之间，并且它们之间的间隔被布置在平行于第一电极920的方向(垂直于第二电极的方向)上。此时，第二电极940被形成在导电粘合层的上表面上，且因此在形成多个导电粘合层的步骤期间，没有第二电极，并且因此，图16A中未示出第二电极。
图16B示出了完成粘合工艺的显示装置，以及图16C是沿图16B中的线C-C截取的截面图。
参照图16B和图16C，在通过热压来联接以允许在被完成的显示装置中多个导电粘合层931、932的边界部分931a、932a彼此接触的步骤期间，间隔被因热压而导致的多个导电粘合层931、932的扩展所填充。随后，第二电极940被形成为跨过多个导电粘合层931、932的边界部分931a、932a。
根据上述结构，即使是在垂直半导体发光器件被应用的显示装置中，也可以确保导电可靠性。
根据上述实施方式的配置和方法将并不以限制方式应用于使用半导体发光器件的上述显示装置，并且各个实施方式的所有或部分可以选择性地组合并被配置成对其进行各种修改。

Claims (19)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
布线基板，所述布线基板具有第一电极和第二电极中的至少一个；
导电粘合层，所述导电粘合层被配置成覆盖所述布线基板；以及
多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被联接到所述导电粘合层，并且被电连接到所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述导电粘合层具有设置在第一区域中的第一导电粘合层和设置在与所述第一区域相邻的第二区域中的第二导电粘合层，使得所述导电粘合层在所述布线基板上被分割成多个区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电粘合层与第二导电粘合层之间的边界部分被形成在所述多个半导体发光器件之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件沿着多个行被设置，并且
所述边界部分被形成为在所述多个行的至少一部分之间平行于所述行。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极分别形成有多条线，并且所述第一电极的多条线和所述第二电极的多条线中的任一者沿着所述多个行被布置。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述边界部分具有分别形成在所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层上的第一边界部分和第二边界部分，并且所述第一边界部分和所述第二边界部分在所述多个半导体发光器件之间彼此接触。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电粘合层包括联接到所述基板的多个各向异性导电膜(ACF)。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个各向异性导电膜具有与所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层对应的第一各向异性导电膜和第二各向异性导电膜，并且
根据因热压而导致的变形，所述第一各向异性导电膜与所述第二各向异性导电膜之间的边界部分彼此接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个各向异性导电膜在所述多个各向异性导电膜被设置成彼此分离的状态下被热压，并且随着树脂因所述热压而流动以填充所述多个各向异性导电膜之间的间隔，所述边界部分彼此接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电粘合层包括联接到所述基板的单个各向异性导电膜(ACF)，并且
所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层被穿过所述单个各向异性导电膜的通孔分割。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述通孔在一个方向上以细长的方式被形成以形成线。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述通孔根据所述单个各向异性导电膜因热压而导致的变形而被填充。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个半导体发光器件中的至少一部分被埋入在所述导电粘合层中，并且所述导电粘合层具有不透明树脂以阻挡光通过所述第一导电粘合层与所述第二导电粘合层之间的边界部分被透射。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述不透明树脂包括黑色或白色树脂。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述布线基板是柔性聚酰亚胺(PI)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板中的任一种。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个区域沿着所述第一电极的布置被设置或沿着所述第二电极的布置方向被设置。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，荧光层被形成在所述半导体发光器件的一个表面上，并且所述荧光层具有位于各个荧光体之间的黑底，并且
所述第一导电粘合层和所述第二导电粘合层在对应于所述黑底的位置处被分割。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一导电粘合层与所述第二导电粘合层之间的边界部分被所述黑底覆盖。
18.一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在包含电极的第一基板上形成多个导电粘合层；
使得设置有多个半导体发光器件的第二基板能够被设置成使得所述电极面向所述半导体发光器件；
将所述第一基板热压到所述第二基板，以将所述半导体发光器件联接到所述多个导电粘合层；以及
去除所述第二基板，
其中，所述多个导电粘合层被设置成彼此分离以具有在所述热压期间能够被扩展的间隔。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述间隔通过所述多个导电粘合层因所述热压而导致的扩展而被填充，以使得所述多个导电粘合层的边界部分能够彼此接触。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109792817A (zh) * 2016-09-22 2019-05-21 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN110024484A (zh) * 2016-11-25 2019-07-16 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN112735264A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 三星显示有限公司 制造显示装置的方法及由该方法制造的显示装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101688160B1 (ko) * 2015-01-27 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101771461B1 (ko) * 2015-04-24 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10230021B2 (en) 2015-09-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10068888B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-04 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Making semiconductor devices with alignment bonding and substrate removal
WO2017146477A1 (ko) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102689439B1 (ko) 2017-09-04 2024-07-30 서울반도체 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11355549B2 (en) * 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
KR102555234B1 (ko) * 2018-04-27 2023-07-14 주식회사 루멘스 플렉시블 엘이디 조명 장치
JP2020038895A (ja) * 2018-09-03 2020-03-12 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
JP7256939B2 (ja) * 2018-09-03 2023-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3970203A4 (en) * 2019-05-14 2023-05-10 Seoul Viosys Co., Ltd LED CHIP PACKAGE AND METHOD OF MAKING IT
KR20210048290A (ko) * 2019-10-23 2021-05-03 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20220005922A (ko) 2020-07-07 2022-01-14 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
CN113555334B (zh) * 2021-07-20 2024-07-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060007076A1 (en) * 1998-06-16 2006-01-12 Sheats James R Active matrix addressed polymer LED display
JP2007287609A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Optrex Corp 有機ｅｌパネル
KR20100097442A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 제일모직주식회사 이방 전도성 접착 필름 및 그 제조 방법
KR20110034057A (ko) * 2009-09-28 2011-04-05 서울과학기술대학교 산학협력단 전기적 단락을 방지하기 위한 전기적 접합 구조물 및 그 제조방법
JP2011096876A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
US20120161618A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing organic light emitting display panel
TW201230408A (en) * 2010-11-08 2012-07-16 Bridgelux Inc LED-based light source utilizing asymmetric conductors
CN103155128A (zh) * 2010-10-07 2013-06-12 迪睿合电子材料有限公司 多芯片安装用缓冲膜
JP2013196854A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Sharp Corp 蛍光体基板およびこれを備えた表示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060007076A1 (en) * 1998-06-16 2006-01-12 Sheats James R Active matrix addressed polymer LED display
JP2007287609A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Optrex Corp 有機ｅｌパネル
KR20100097442A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 제일모직주식회사 이방 전도성 접착 필름 및 그 제조 방법
KR20110034057A (ko) * 2009-09-28 2011-04-05 서울과학기술대학교 산학협력단 전기적 단락을 방지하기 위한 전기적 접합 구조물 및 그 제조방법
JP2011096876A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
CN103155128A (zh) * 2010-10-07 2013-06-12 迪睿合电子材料有限公司 多芯片安装用缓冲膜
TW201230408A (en) * 2010-11-08 2012-07-16 Bridgelux Inc LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US20120161618A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing organic light emitting display panel
JP2013196854A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Sharp Corp 蛍光体基板およびこれを備えた表示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109792817A (zh) * 2016-09-22 2019-05-21 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
US10902756B2 (en) 2016-09-22 2021-01-26 Lg Electronics Inc. Display apparatus using semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
CN110024484A (zh) * 2016-11-25 2019-07-16 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN110024484B (zh) * 2016-11-25 2022-04-22 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN112735264A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 三星显示有限公司 制造显示装置的方法及由该方法制造的显示装置
CN112735264B (zh) * 2019-10-28 2024-04-26 三星显示有限公司 制造显示装置的方法及由该方法制造的显示装置

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KR101476688B1 (ko) 2014-12-26
US20150116985A1 (en) 2015-04-30
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EP3061082A1 (en) 2016-08-31
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