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CN107210292A - 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 - Google Patents

使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 Download PDF

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CN107210292A CN201580074395.2A CN201580074395A CN107210292A CN 107210292 A CN107210292 A CN 107210292A CN 201580074395 A CN201580074395 A CN 201580074395A CN 107210292 A CN107210292 A CN 107210292A
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Abstract

一种显示装置包括：在布线基板上的多个半导体发光器件；在布线基板上的连接部，该连接部被配置为将所述多个半导体发光器件电连接至布线基板。另外，所述多个半导体发光器件中的每一个包括：第一导电半导体层；与第一导电半导体层交叠的第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一导电电极；以及在第二导电半导体层上的第二导电电极。另外，连接部包括由与第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。

Description

使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的柔性显示装置。
背景技术
显示装置具有诸如低轮廓、柔性等的优异特性。另外，目前商业化的主要显示器的代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。然而，LCD存在诸如响应时间慢、难以实现柔性的问题，AMOLED存在诸如寿命短、产率差以及柔性低的缺点。
另外，发光二极管(LED)自1962年使用GaAsP化合物半导体的红色LED与基于GaP:N的绿色LED一起商用起已经作为用于显示图像的光源用在包括信息通信装置的电子装置中。因此，半导体发光器件可用于实现柔性显示器。
发明内容
技术问题
因此，详细描述的一方面在于提供一种能够简化新型柔性显示装置中的布线工艺的结构和方法。
详细描述的另一方面在于提供一种具有能够减小其厚度的连接布线结构的显示装置。
问题的解决方案
为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的，如本文具体实现和广义描述的，本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括：在布线基板上的多个半导体发光器件；以及在布线基板上的连接部，该连接部被配置为将所述多个半导体发光器件电连接至布线基板。另外，所述多个半导体发光器件中的每一个包括：第一导电半导体层；与第一导电半导体层交叠的第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一导电电极；以及在第二导电半导体层上的第二导电电极。另外，连接部包括由与第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。本发明还提供该显示装置的对应制造方法。
本申请的进一步的适用范围将从下文给出的详细描述而变得更显而易见。然而，应该理解，仅示意性地在指示本发明的优选实施方式的同时给出详细描述和具体示例，因为对于本领域技术人员而言，通过该详细描述，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改将变得显而易见。
本发明的有益效果
根据本发明的显示装置可具有以下优点。
首先，由于当半导体发光器件生长时在晶圆上形成连接至布线基板的连接部，所以可执行布线连接而没有任何弱连接区域。
第二，由于当半导体发光器件生长时连接部一起形成，所以连接部可被实现为柱结构而无需附加工艺。
第三，半导体发光器件与连接部之间的电连接所需的布线基板上的电极线可利用连接部以一定的自由度来布置。
第四，由于半导体发光器件的导电电极连接至连接部，所以布线线路的厚度可减小，并且工艺时间可缩短。
第五，由于第一导电层和第二导电层被层压在半导体层上，可使连接部和布线基板之间的距离与半导体发光器件和布线基板之间的距离相等或相似。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并且构成本说明书的一部分，附图示出示例性实施方式并且与说明书一起用于说明本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的实施方式的概念图；
图2是图1中的部分“A”的放大图；
图3A和图3B是沿着图2中的线“B-B”和“C-C”截取的截面图；
图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；
图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件结合实现颜色的多种形式的概念图；
图6是示出根据本发明的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的截面图；
图7是示出根据本发明的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的另一实施方式的立体图；
图8是沿着图7中的线“D-D”截取的截面图；
图9是示出图8的垂直型半导体发光器件的概念图；
图10A是根据本发明的实施方式的显示装置的立体图；
图10B是示出根据本发明的实施方式的在显示装置的布线基板上布置电极的结构的概念图；
图11A和图11B是示出根据本发明的实施方式的半导体发光器件和连接部的结构的截面图；
图12A和图12B是示出根据本发明的实施方式的半导体发光器件和连接部生长在基板上的结构的概念图；
图13A至图13F和图14A至图14D是示出根据本发明的实施方式的显示装置的制造方法的概念图；
图15是根据本发明的另一实施方式的显示装置的立体图；以及
图16是根据本发明的另一实施方式的显示装置的立体图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述本文公开的实施方式，为相同或相似的元件指定相同的标号，而不管图号，其冗余描述将被省略。用于以下描述中公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”仅是为了容易描述本说明书，后缀本身并不给予任何特殊含义或功能。
另外，应该注意的是，仅示出附图以容易地说明本发明的概念，因此，它们不应被解释为由附图限制本文公开的技术构思。另外，当诸如层、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可直接在所述另一元件上，或者也可在二者之间插入中间元件。
本文公开的显示装置可包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、石板PC、平板PC、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，本文公开的配置可适用于任何可显示装置，即使它是稍后将开发的新产品类型。
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置100的概念图。如图1所示，在显示装置100的控制器中处理的信息可利用柔性显示器来显示。柔性显示器包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷曲显示器。例如，柔性显示器可在薄的柔性基板上制造，其在维持平板显示器的显示特性的同时可像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷曲。
当柔性显示器未翘曲时(例如，具有无限曲率半径的配置，以下称作“第一配置”)，柔性显示器的显示区域变为平面。当在第一配置下柔性显示器由于外力而翘曲时(例如，具有有限曲率半径的配置，以下称作“第二配置”)，其显示区域变为曲面。如图1所示，在第二配置下显示的信息包括显示在曲面上的视觉信息。
该视觉信息可通过分别控制以矩阵形式设置的子像素的光发射来实现。另外，子像素表示用于实现一种颜色的最小单元，并且可通过半导体发光器件来实现。根据本公开的实施方式，示出发光二极管(LED)作为一种半导体发光器件。发光二极管可形成为小尺寸，以即使在第二配置下也起到子像素的作用。
以下，将参照附图更详细地描述利用发光二极管实现的柔性显示器。具体地讲，图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图，图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件结合实现颜色的各种形式的概念图。
图2、图3A和图3B示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100。然而，以下例示也适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
如所示，显示装置100可包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140和多个半导体发光器件150。基板110可以是柔性基板，并且包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，可使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的柔性材料。另外，基板110可以是透明材料和不透明材料中的任一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可被布置在基板110上。如所示，绝缘层160可设置在包括第一电极120的基板110上，辅助电极170可布置在绝缘层160上。在这种情况下，绝缘层160被沉积在基板110上的配置可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可利用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘和柔性材料被并入基板110中以形成单个布线基板。
将第一电极120电连接到半导体发光器件150的辅助电极170被布置在绝缘层160上，并且与第一电极120的位置对应地设置。例如，辅助电极170具有点形状，并且可通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可通过在通孔中填充导电材料来形成。
参照附图，导电粘合层130可形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开不限于此。例如，还可具有在没有绝缘层160的情况下将导电粘合层130设置在基板110上的结构。另外，在导电粘合层130被设置在基板110上的结构中，导电粘合层130可起到绝缘层的作用。
另外，导电粘合层130具有粘附性和导电性，因此，导电材料和粘合材料可被混合在导电粘合层130上。另外，导电粘合层130可具有柔性，从而允许显示装置中的柔性功能。
例如，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合层130允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但是可被配置为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可被称作z轴导电层(以下称作“导电粘合层”)。
各向异性导电膜具有各向异性导电介质与绝缘基件混合的形式，因此，当对其施加热和压力时，仅其特定部分通过各向异性导电介质而具有导电性。以下，对各向异性导电膜施加热和压力，但是其它方法也可用于各向异性导电膜以使其部分地具有导电性。所述方法包括仅对其施加热和压力中的任一个、UV固化等。
另外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本实施方式中，各向异性导电膜具有各向异性导电介质与绝缘基件混合的形式，因此，当对其施加热和压力时，仅其特定部分通过导电球而具有导电性。各向异性导电膜也可以是具有导电材料的芯，其包含被具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒，在这种情况下，它可在被施加热和压力的部分上具有绝缘层的同时通过芯而具有导电性。这里，可使芯变形以实现在膜的厚度方向上具有对象所接触的两个表面的层。
对于更具体的示例，对各向异性导电膜整体施加热和压力，z轴方向上的电连接通过相对于利用各向异性导电膜粘附的配对对象的高度差来部分地形成。在另一示例中，各向异性导电膜可包括多个颗粒，其中导电材料被涂覆在绝缘芯上。在这种情况下，被施加热和压力的部分可被转变为(加压并粘附到)导电材料以在膜的厚度方向上具有导电性。在另一示例中，膜可被形成为在厚度方向上具有导电性，其中导电材料在z方向上穿过绝缘基件。在这种情况下，导电材料可具有尖的端部。
根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，其中导电球被插入绝缘基件的一个表面中。更具体地，绝缘基件包括粘合材料，导电球被密集地设置在绝缘基件的底部，当对其施加热和压力时，基件随导电球一起改性，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开不限于此，各向异性导电膜可包括随机地与绝缘基件混合的导电球或者导电球被设置在任一层的多个层(双ACF)等。各向异性导电糊剂可包括与绝缘和粘合基材混合的导电球。另外，包含导电颗粒的溶液可包括导电颗粒或纳米颗粒。
再参照图3A和图3B，第二电极140位于绝缘层160处并与辅助电极170分离。换言之，导电粘合层130被设置在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。当在设置有辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合层130，然后在施加热和压力的情况下半导体发光器件150以倒装芯片形式连接到导电粘合层130时，半导体发光器件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件150可以是倒装芯片型半导体发光器件。例如，半导体发光器件150可包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、以及在水平方向上与p型电极156分离地设置在n型半导体层153上的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可通过导电粘合层130电连接到焊接部分，n型电极152可电连接到第二电极140。
再参照图2、图3A和图3B，辅助电极170可按照一个方向上的细长方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，辅助电极周围的半导体发光器件的左p型电极和右p型电极可电连接到一个辅助电极。更具体地，半导体发光器件150被压到导电粘合层130中，通过这样，仅半导体发光器件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，剩余部分不具有导电性。
另外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，荧光粉层180形成在该发光阵列上。发光器件可包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光器件。各个半导体发光器件150构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可存在多个第一电极120，并且例如，半导体发光器件150按照多行排列，各行的半导体发光器件150可电连接到多个第一电极中的任一个。
另外，半导体发光器件150可按照倒装芯片形式连接，因此，半导体发光器件在透明介电基板上生长。另外，例如，半导体发光器件150可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此可配置各个子像素，即使其尺寸较小。
根据图3B，间壁190可形成在半导体发光器件150之间。在这种情况下，间壁190将各个子像素彼此分割，并且可与导电粘合层130形成为整体。例如，当半导体发光器件150被插入各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基件可形成间壁。
另外，当各向异性导电膜的基件为黑色时，在没有附加黑色绝缘体的情况下间壁190可具有反射特性，同时增大对比度。在另一示例中，可与间壁190分离地设置反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁190可包括黑色或白色绝缘体。另外，当使用白色绝缘体的间壁时，间壁190可具有增强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增大对比度。
另外，荧光粉层180可设置在半导体发光器件150的外表面。例如，半导体发光器件150可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，因此荧光粉层180起到将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光粉层180还可以是构成各个像素的红色荧光粉层181或绿色荧光粉层182。
换言之，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉181可沉积在蓝色半导体发光器件150上实现红色子像素的位置处，能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉182可沉积在蓝色半导体发光器件150上实现绿色子像素的位置处。另外，在实现蓝色子像素的位置处可仅单独地使用蓝色半导体发光器件150。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地讲，一种颜色的荧光粉可沿着第一电极120的各行沉积。因此，第一电极120上的一行可以是控制一种颜色的电极。换言之，可依次设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本公开不限于此，代替荧光粉，半导体发光器件150可与量子点(QD)组合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。另外，黑色基底191可设置在各个荧光粉层之间以增强对比度。换言之，黑色基底191可增强亮度的对比度。然而，本公开不限于此，实现红色、绿色和蓝色的另一结构也可适用。
参照图5A，各个半导体发光器件150可利用发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件来实现，其中主要使用氮化镓(GaN)，并且添加有铟(In)和或铝(Al)。在这种情况下，半导体发光器件150可分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件，以实现各个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)交替地设置，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5B，半导体发光器件可具有针对各个元件设置有黄色荧光粉层的白色发光器件(W)。在这种情况下，红色荧光粉层181、绿色荧光粉层182和蓝色荧光粉层183可设置在白色发光器件(W)上以实现子像素。另外，以红色、绿色和蓝色在白色发光器件(W)上重复的滤色器可用于实现子像素。
参照图5C，还可具有这样的结构，其中红色荧光粉层181、绿色荧光粉层182和蓝色荧光粉层183可设置在紫外发光器件(UV)上。因此，半导体发光器件可用在直至紫外光(UV)以及可见光的整个区域上，并且可扩展至紫外光(UV)可用作激励源的半导体发光器件的形式。
再考虑当前示例，半导体发光器件150被布置在导电粘合层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此可配置各个子像素，即使其尺寸较小。各个半导体发光器件150的尺寸(其一条边长)可小于80μm，并且利用矩形或正方形形状的元件形成。对于矩形形状的元件，其尺寸可小于20×80μm。
另外，即使当边长为10μm的正方形形状的半导体发光器件150用于子像素时，它也将表现出足够的亮度以实现显示装置。因此，例如，对于子像素的一条边的尺寸为600μm，其剩余一条边为300μm的矩形像素，半导体发光器件之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光器件的显示装置将通过新型的制造方法来制造。以下，将参照图6来描述该制造方法。具体地讲，图6包括示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图。
参照图6，首先，在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。另外，绝缘层160被沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，第一电极120、辅助电极170和第二电极140被设置在布线基板处。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可按照彼此垂直的方向设置。另外，第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。如上面所讨论的，例如，导电粘合层130可以是各向异性导电膜，因此，各向异性导电膜可被涂覆在设置有绝缘层160的基板上。
接下来，将设置有与辅助电极170和第二电极140的位置对应并且构成各个像素的多个半导体发光器件150的第二基板112设置为使得半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140。在这种情况下，作为用于生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。另外，半导体发光器件可在以晶圆为单位形成时具有能够实现显示装置的间隙和尺寸，因此有效地用于显示装置。
接下来，将布线基板热压到第二基板112。例如，可通过应用ACF冲头来将布线基板和第二基板112彼此热压。布线基板和第二基板112利用热压而彼此结合。另外，由于通过热压而具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的部分具有导电性，从而使得电极和半导体发光器件150能够彼此电连接。此时，半导体发光器件150可插入各向异性导电膜中，从而形成半导体发光器件150之间的间壁。
接下来，去除第二基板112。例如，可利用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。最后，去除第二基板112以将半导体发光器件150暴露于外。可在连接至半导体发光器件150的布线基板上涂覆硅氧化物(SiOx)等以形成透明绝缘层。
该方法还可包括在半导体发光器件150的一个表面上形成荧光粉层的工艺。例如，半导体发光器件150可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，用于将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光粉可在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
另外，使用上述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可按照各种形式来修改。例如，上述显示装置可适用于垂直半导体发光器件。以下，将参照图5和图6来描述垂直结构。另外，根据以下修改示例或实施方式，相同或相似的标号被指定给与上述示例相同或相似的配置，其描述将由早前描述代替。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置200的立体图，图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图，图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
如所示，显示装置200可使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件。显示装置200可包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240以及多个半导体发光器件250。另外，作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，也可使用任一种，只要它是绝缘和柔性材料即可。
第一电极220可被设置在基板210上并且利用在一个方向上伸长的条形电极形成。另外，第一电极220可起到数据电极的作用。导电粘合层230形成在设置有第一电极220的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出导电粘合层230由各向异性导电膜实现。
当在将第一电极220设置在基板210上时设置各向异性导电膜，然后施加热和压力以连接半导体发光器件250时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光器件250优选被设置在第一电极220上。当如上所述施加热和压力时，由于各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，生成电连接。因此，各向异性导电膜被分割成在其厚度方向上具有导电性的部分和不具有导电性的部分。
另外，各向异性导电膜包含粘合组分，因此导电粘合层230实现半导体发光器件250与第一电极220之间的机械连接以及电连接。因此，半导体发光器件250被布置在导电粘合层230上，从而配置显示装置中的单独的子像素。半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此可配置各个子像素，即使其尺寸较小。各个半导体发光器件250的尺寸(其一条边长)可小于80μm并且利用矩形或正方形形状的元件形成。对于矩形形状的元件，其尺寸可小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。另外，设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且电连接到垂直半导体发光器件250的多个第二电极240可设置在垂直半导体发光器件之间。
参照图9，垂直半导体发光器件250可包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256可通过导电粘合层230电连接到第一电极220，位于其顶部的n型电极252可电连接到第二电极240(将稍后描述)。电极可在向上/向下方向上设置在垂直半导体发光器件250中，从而有利地减小芯片尺寸。
参照图8，荧光粉层280可形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的荧光粉层280可设置在其上。在这种情况下，荧光粉层180可以是构成各个像素的红色荧光粉281和绿色荧光粉282。
换言之，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉281可沉积在蓝色半导体发光器件250上实现红色子像素的位置处，能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉282可沉积在蓝色半导体发光器件250上实现绿色子像素的位置处。另外，在实现蓝色子像素的位置处可仅单独地使用蓝色半导体发光器件250。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。
然而，本公开不限于此，在应用倒装芯片型发光器件的显示装置中如上所述也可适用实现蓝色、红色和绿色的另一结构。再考虑本实施方式，第二电极240设置在半导体发光器件250之间并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可按照多行设置，第二电极240可设置在半导体发光器件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，所以第二电极240可设置在半导体发光器件250之间。另外，第二电极240可利用在一个方向上伸长的条形电极形成，并且设置在与第一电极垂直的方向上。
另外，第二电极240可通过从第二电极240突出的连接电极来电连接到半导体发光器件250。更具体地讲，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极利用用于欧姆接触的欧姆电极来形成，第二电极通过印刷或沉积而覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据图8，第二电极240可设置在导电粘合层230上。另外，可在包括半导体发光器件250的基板210上形成包含硅氧化物(SiOx)的透明绝缘层。当形成透明绝缘层，然后在其上布置第二电极240时，第二电极240可被布置在透明绝缘层上。另外，第二电极240可被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极来将第二电极240设置在半导体发光器件250上，则ITO材料具有与n型半导体的粘附性较差的问题。因此，第二电极240可被布置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此，n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可用作水平电极，而不受透明材料的选择的限制，从而增强光提取效率。
根据图8，间壁290可形成在半导体发光器件250之间。换言之，间壁290可设置在垂直半导体发光器件250之间以将构成各个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情况下，间壁290将各个子像素彼此分割，并且可与导电粘合层230形成为整体。例如，当半导体发光器件250插入各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基件可形成间壁。
另外，当各向异性导电膜的基件为黑色时，在没有附加黑色绝缘体的情况下，间壁290可具有反射特性，同时增大对比度。在另一示例中，可与间壁290分离地设置反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁290可包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240被精确地设置在半导体发光器件250之间的导电粘合层230上，则间壁290可被设置在半导体发光器件250与第二电极240之间。因此，各个子像素即使小尺寸也可利用半导体发光器件250来配置，并且半导体发光器件250之间的距离可相对足够大以将第二电极240布置在半导体发光器件250之间，从而具有实现HD图像质量的柔性显示装置的效果。
另外，黑色基底291可设置在各个荧光粉层之间以增强对比度。换言之，黑色基底291可增强亮度的对比度。如上所述，半导体发光器件250被设置在导电粘合层230上，从而构成显示装置上的各个像素。半导体发光器件250也具有优异的亮度特性，从而配置各个子像素，即使其尺寸较小。结果，可实现全彩色显示器，其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素通过半导体发光器件实现一个像素。
在上述显示装置中，彼此交叉的布线线路被设置在布线基板上，以使得驱动信号可被发送至半导体发光器件。向一个方向延伸的一些布线线路构成扫描电极。向与所述一个方向垂直的另一方向延伸的其它布线线路构成数据电极。为了将扫描驱动信号和数据驱动信号分别提供给扫描电极和数据电极，用于提供驱动信号的驱动部电连接至布线线路。这种布线结构通过附加布线工艺来实现，并且本发明提供一种能够简化这些布线工艺的结构和方法。
以下，将参照附图更详细地说明根据本发明的实施方式的显示装置的结构。具体地讲，图10A是根据本发明的实施方式的显示装置的立体图，图10B是示出根据本发明的实施方式的电极被布置在显示装置的布线基板上的结构的概念图。
参照图10A和图10B，示出使用半导体发光器件的无源矩阵(PM)型显示装置1000。然而，以下实施方式也适用于使用半导体发光器件的有源矩阵(AM)型显示装置。
根据本发明的实施方式的显示装置1000包括基板(或布线基板)1010、第一电极(或第一布线线路)1020、导电粘合层1030、第二电极(或第二布线线路)1040、多个半导体发光器件1050和连接部1060。在以下描述中，第一电极可被称作“第一布线线路”，第二电极可被称作“第二布线线路”。
布线基板1010(布置有布线线路1020和1040的基板)可包括用于实现柔性显示装置的聚酰亚胺(PI)。布线基板1010可由具有绝缘性质和柔性的任何材料形成。更具体地，第一布线线路1020和第二布线线路1040可分别形成在布线基板1010的一个表面(同一表面)上。
如所示，第一布线线路1020可形成为在一个方向(例如，“F-F”方向)上伸长的条型电极。第一布线线路1020可用作数据电极。第二布线线路1040可被设置在布线基板1010的边缘处，并且可向与第一布线线路1020垂直的方向(例如，“E-E”方向)延伸。第二布线线路1040可用作扫描电极。
另外，第一布线线路1020通过导电粘合层1030电连接至多个半导体发光器件1050。导电粘合层1030形成在第一布线线路1020所在的布线基板1010上。如应用了倒装芯片型半导体发光器件的上述显示装置中一样，导电粘合层1030可被配置为各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。在此实施方式中，导电粘合层1030被配置为各向异性导电膜(ACF)。
在这种情况下，随着第一布线线路1020通过导电粘合层1030电连接至多个半导体发光器件1050，形成第一导电路径，数据驱动信号沿着第一导电路径被施加至多个半导体发光器件1050。通过连接部1060实现第二导电路径，扫描驱动信号沿着第二导电路径被施加至多个半导体发光器件1050。
例如，第二布线线路1040通过导电粘合层1030电连接至连接部1060。连接部1060被配置为将布线基板与多个半导体发光器件电连接，并且被设置为面向第二布线线路1040。当布线基板1010设置有第一布线线路1020和第二布线线路1040时，各向异性导电膜被设置在布线基板1010上。然后，通过对各向异性导电膜施加热和压力来将半导体发光器件1050和连接部1060连接至布线基板1010。
结果，半导体发光器件1050和连接部1060分别电连接至第一布线线路1020和第二布线线路1040。由于各向异性导电膜当被施加热和压力时在厚度方向上部分地具有导电性，所以生成电连接。因此，各向异性导电膜在厚度方向上被分成导电区域和非导电区域。由于各向异性导电膜包含粘合材料，所以导电粘合层1030实现半导体发光器件1050与第一布线线路1020之间以及连接部1060与第二布线线路1040之间的电连接和机械联接。
被配置为将半导体发光器件1050与连接部1060电连接并且被配置为将第二布线线路1040与驱动部电连接的连接线1070可被设置在半导体发光器件1050上。连接线1070可在与第一布线线路1020交叉的方向上将邻近的半导体发光器件1050彼此连接。
更具体地，第一布线线路1020在“F-F”方向上将邻近的半导体发光器件1050彼此电连接。另外，连接线1070在与第一布线线路1020交叉的“E-E”方向上将邻近的半导体发光器件1050彼此电连接。连接部1060与半导体发光器件1050一起生长。
以下，将首先说明连接部1060和半导体发光器件1050的结构。然后，将更详细地说明半导体发光器件、第一布线线路1020、第二布线线路1040、连接部1060、连接线1070和驱动部之间的电连接通路以及实现这种电连接通路的结构。具体地讲，图11A和图11B是示出根据本发明的实施方式的半导体发光器件和连接部的结构的截面图，图12A和图12B是示出根据本发明的实施方式的半导体发光器件和连接部生长在基板上的结构的概念图。
将参照图11A说明半导体发光器件1050的结构。半导体发光器件1050包括第一导电半导体层(例如，p型半导体层)1055以及与第一导电半导体层1055交叠的第二导电半导体层(例如，n型半导体层)1053。另外，半导体发光器件1050包括设置在第一导电半导体层1055和第二导电半导体层1053之间的激活层1054。在这种情况下，第一导电电极1056可被设置在第一导电半导体层1055上，并且第二导电电极1052可被设置在第二导电半导体层1053上。
激活层1054设置有第一表面和第二表面。第一表面被设置为面向第一导电半导体层1055，第二表面被设置为面向第二导电半导体层1053。在这种情况下，第一导电半导体层1055形成在激活层1054的一个表面上。
半导体发光器件1050可包括绝缘部1058，其被形成为覆盖第二导电电极1052。绝缘部1058可被形成为与第二导电电极1052一起覆盖第一导电半导体层1055的部分。在这种情况下，第一导电电极1056可形成在未被绝缘部1058覆盖而暴露于外的第一导电半导体层1055处。
更具体地，第二导电电极1052和激活层1054形成在第二导电半导体层1053的一个表面上，并且它们在一个方向上隔着绝缘部1058彼此间隔开。所述一个方向(水平方向)可以是半导体发光器件的宽度方向，垂直方向可以是半导体发光器件的厚度方向。由于第一导电电极1056和第二导电电极1052通过绝缘部1058彼此间隔开，所以半导体发光器件的n型电极和p型电极彼此绝缘。
参照图12A和图12B，在具有这种结构的半导体发光器件中，第二导电电极1052朝着邻近半导体发光器件延伸以电连接至邻近半导体发光器件。在根据本发明的实施方式的显示装置1000中，布置在各列中的多个半导体发光器件可电连接至驱动部。这可减少用于制造半导体发光器件的工艺以及用于形成扫描电极的附加布线工艺。
在这种情况下，第二导电电极1052电连接至邻近半导体发光器件，然后朝着连接部1060延伸。通过这种结构，连接线1070可与第二导电电极1052一起被沉积或印刷在第二导电半导体层1053上，从而与第二导电电极1052一体地形成。第二导电电极1052可形成为用于欧姆接触的欧姆电极。
参照图11B，当半导体发光器件1050在晶圆上生长时通过一起生长来形成连接部1060。因此，连接部1060将多个半导体发光器件与布线基板电连接。为此，连接部1060设置有第一导电电极1056、第二导电电极1052以及与第二导电半导体层1053对应的多个层。
例如，连接部1060包括半导体层1063、第一导电层1066和第二导电层1062。半导体层1063可由与第二导电半导体层1053(n型半导体层)相同的材料形成。在这种情况下，半导体层1063和第二导电半导体层1053可以是诸如n型氮化镓(n-Gan)的氮化物半导体层，以一起在基板(半导体晶圆)上生长。参照图12A和图12B，半导体层1063和第二导电半导体层1053可按照层压在未掺杂氮化镓(u-Gan)上的n型氮化镓(n-Gan)的形式被设置在生长基板上。未掺杂氮化镓(u-Gan)可稍后被去除。
半导体层1063和第二导电半导体层1053一起在生长基板上生长以具有相同的高度。另外，第一导电层1066由与第一导电电极1056相同的材料形成，第二导电层1062由与第二导电电极1052相同的材料形成。因此，连接部1060可与半导体发光器件1050一起生长。
如所示，第二导电电极1052朝着邻近半导体发光器件延伸以电连接至邻近半导体发光器件。然后，第二导电电极1052连接至第二导电层1062。更具体地，多个半导体发光器件1050被设置为形成发光器件阵列，并且第二导电电极1052设置有通过沿着发光器件阵列延伸而形成线的连接线1070。在这种情况下，连接部1060可被设置在连接线1070的端部。
对于这种结构，第二导电电极1052设置有延伸部1059，延伸部1059延伸以从第二导电半导体层1053的侧表面突出。连接线1070形成在与延伸部1059的延伸方向垂直的方向上，从而将邻近半导体发光器件的延伸部1059彼此电连接。
在连接部1060处，第二导电层1062可设置有突起1069，突起1069可连接至连接线1070。突起1069可通过从半导体层1063的侧表面突出来连接至连接线1070。通过这种结构，第二导电电极1052、连接线1070、第二导电层1062和第一导电层1066可依次彼此连接，从而形成导电路径。
在这种情况下，由与绝缘部1058相同的材料形成的第三绝缘部1068可形成在连接部1060处。第三绝缘部1068可被形成为由与第二导电电极1052对应的第二导电层1062覆盖，并且覆盖与第一导电电极1056对应的第一导电层1066。
另外，第三绝缘部1068可被形成为仅覆盖第二导电层1062的一部分，以使得第一导电层1066的至少部分可直接接触第二导电层1062。另外，第一导电层1066被层压在第三绝缘部1068上以覆盖第三绝缘部1068的侧表面。第一导电层1066的覆盖第三绝缘部1068的侧表面的部分电连接至第二导电层1062。另外，第一导电层1066在被层压在第三绝缘部1068上的状态下电连接至第二导电层1062。另外，绝缘部1058覆盖半导体发光器件中的第二导电电极1052和第一导电半导体层1055的部分。由于两个结构彼此组合，连接部1060具有与半导体发光器件1050相同或相似的高度。
由于上述半导体发光器件和连接部被附接至图10A和图10B的布线基板，半导体发光器件、设置在布线基板上的布线线路以及连接至布线线路的驱动部可彼此电连接。
另外，如果连接部1060和布线基板1010之间的距离显著不同于半导体发光器件1050和布线基板1010之间的距离，则包括在导电粘合层1030中的导电材料(或导电球)在相对远侧不会变形。在这种情况下，如果连接部1060和布线基板1010之间的距离大于半导体发光器件1050和布线基板1010之间的距离，则设置在布线基板1010处的第二布线线路1040和连接部1060不会彼此电连接。
在此实施方式中，连接部形成为第二导电层，并且第三绝缘部和第一导电层依次层压在半导体层上。因此，布置在连接部1060和第二布线线路1040之间的导电材料(或导电球)可与布置在半导体发光器件和第一布线线路1020之间的导电材料(或导电球)一起变形。通过这种结构，第二布线线路1040和连接部1060可彼此电连接。
通过这种层压结构，第一导电电极1056的最远离第二导电半导体层1053的下表面以及第一导电层1066的最远离第二导电半导体层1053的下表面可形成在同一平面(或差不多同一平面)上。第一布线线路1020和第二布线线路1040也可按照相同的厚度形成在布线基板1010上。
因此，布线基板的第一布线线路1020和第一导电电极1056之间的距离以及连接部的第二布线线路1040和第一导电层1066之间的距离可彼此相似，或者可相同。通过这种结构，使用导电粘合层1030的布线基板和半导体发光器件之间的电连接具有可靠性。另外，在本发明的实施方式的显示装置中，可简化布线工艺。
在应用了倒装芯片型半导体发光器件的显示装置中，第一电极和第二电极被设置在同一平面上。这可导致难以实现精细间距。另外，在应用了垂直型半导体发光器件的显示装置中，应该执行用于形成欧姆电极的蚀刻工艺和真空工艺。本发明的实施方式解决了这些问题。
以下，将参照附图更详细地说明包括具有上述结构的半导体发光器件的显示装置的制造方法。具体地讲，图13A至图13F和图14A至图14D是示出根据本发明的实施方式的显示装置的制造方法的概念图。
首先，在生长基板(W，或者半导体晶圆)上生长第二导电半导体层1053、激活层1054和第一导电半导体层1055(参照图13A)。在生长第二导电半导体层1053之后，在第一导电半导体层1052上生长激活层1054，然后在激活层1054上生长第一导电半导体层1055。一旦第二导电半导体层1053、激活层1054和第一导电半导体层1055依次生长，第二导电半导体层1053、激活层1054和第一导电半导体层1055如所示形成层压结构。
生长基板(W)可包括透光材料。例如，生长基板(W)可包括蓝宝石(Al2O3)、GaN、ZnO和AlO中的一种。然而，本发明不限于此。生长基板(W)可形成为由适合于生长半导体材料的材料形成的载体晶圆。另选地，生长基板(W)可由具有优异导热性的材料形成。作为生长基板(W)，不仅可使用导电基板或绝缘基板，而且可使用导热性大于蓝宝石(Al2O3)基板的SiC基板。另选地，生长基板(W)可由Si、GaAs、GaP、InP和Ga2O3中的至少一种形成。另外，作为n型半导体层的第二导电半导体层1053可以是诸如n-Gan的氮化物半导体层。第二导电半导体层1053可包括u-Gan。
接下来，执行蚀刻工艺以用于将p型半导体和n型半导体彼此分离。例如，参照图13B，蚀刻第一导电半导体层1055和激活层1054的至少部分，从而将第一导电半导体层1055分割成多个区域(台面蚀刻)。在这种情况下，在垂直方向上部分地去除激活层1054和第一导电半导体层1055，以使得第二导电半导体层1053暴露于外。
通过蚀刻，多个半导体层形成阵列。在与该阵列间隔开的位置处形成要布置上述连接部的区域。例如，在要布置上述连接部的区域处完全地蚀刻第一导电半导体层1055和激活层1054，以使得仅第二导电半导体层1055留下。
接下来，彼此隔离的多个半导体发光器件通过蚀刻工艺形成在基板上(参照图13C)。在这种情况下，蚀刻周边区域，以使得要布置连接部的区域可在基板上被隔离。要布置连接部的区域是上述半导体层1063，并且由与第二导电半导体层1053相同的材料形成。在这种情况下，第二导电半导体层1053具有n-Gan层1053b被层压在u-Gan层1053a上的结构。可执行蚀刻，直至u-Gan层1053a暴露于外。
接下来，分别将第一导电电极和第二导电电极层压在第一导电半导体层和第二导电半导体层上。然后，在与多个半导体发光器件间隔开的位置处形成连接部(参照图13D至图13F)。在这种情况下，形成多个半导体发光器件和连接部的步骤可包括第一至第三步骤。
第一步骤可以是在与多个半导体发光器件间隔开的位置处形成由与第二导电半导体层相同的材料形成的半导体层(参照图13B)。第二步骤可以是当第二导电电极被层压时通过从第二导电电极延伸来形成第二导电层以与半导体层交叠，使得形成从第二导电半导体层连接至半导体层的导电路径(参照图13D)。第三步骤可以是当第一导电电极被层压时在第二导电层上形成第一导电层(参照图13F)。
更具体地，第一导电电极1056可被层压在第一导电半导体层1055上，第二导电电极1052可被层压在第二导电半导体层1053上。为了实现倒装芯片型半导体发光器件，第一导电电极1056和第二导电电极1052可按照在水平方向上间隔开的方式分别被设置在第一导电半导体层1055和第二导电半导体层1053处。
另外，第二导电电极1052被印刷或沉积在第二导电半导体层1053上。如上所述，第二导电电极1052将布置在发光器件阵列的一个方向(例如，列方向)上的多个半导体发光器件彼此电连接。另外，第二导电电极1052连接至上述连接部。
在这种情况下，第二导电电极1052可被形成为延伸直至半导体层1063。另外，与第二导电电极1052相同的材料可被层压在半导体层1063上，从而形成上述第二导电层1062。由与第二导电电极1052相同的材料形成的电极线可形成在第二导电半导体层1053和半导体层1063(例如，u-Gan暴露于外的部分)之间，以用于第二导电半导体层1053和半导体层1063之间的电连接。
接下来，在形成有第二导电电极1052和第二导电层1062处施加绝缘体，从而形成绝缘部1058(参照图13E)。第二导电电极1052和激活层1054形成在第二导电半导体层1053的一个表面上，并且在水平方向上隔着绝缘部1058彼此间隔开。形成发光器件阵列的多个半导体发光器件可被布置为隔着预定空间远离开邻近半导体发光器件。
形成在半导体发光器件之间的预定空间可被绝缘部1058填充。即，绝缘部1058可通过被设置在半导体发光器件之间来用作屏障。在这种情况下，绝缘部1058可仅被半导体发光器件的阵列区域覆盖。另外，绝缘部1058被形成为不覆盖第一导电半导体层1055的部分，以用于第一导电电极1056和第一导电半导体层1055之间的电连接。
在阵列区域以外的区域处，由与绝缘部1058相同的材料形成的材料可仅被层压在第二导电层1062的部分上。通过这种配置，在连接部1060处形成第三绝缘部1068。接下来，将第一导电电极1056层压在绝缘部1058以及第一导电半导体层1055的未被绝缘部1058覆盖的部分上(参照图13F)。在这种情况下，与第一导电电极1056相同的材料可被层压在第三绝缘部1068以及第二导电层1062的未被第三绝缘部1068覆盖的部分上。结果，可形成上述第一导电层1066。
通过这些工艺，可实现形成在图12A和图12B所示的晶圆上的半导体发光器件和连接部的结构。接下来，连接部连接至布线基板，以使得第二导电电极1052可用作显示装置1000处的扫描电极(参照图14A至图14D)。在这种情况下，布线基板可以是上面参照图10A和图10B提及的布线基板。因此，第一布线线路1020和第二布线线路1040可分别形成在布线基板1010的一个表面(同一表面)上。
首先，在布线基板上形成导电粘合层1030(参照图14A)。即，在第一布线线路1020和第二布线线路1040所在的基板1010上形成导电粘合层1030。如上所述，导电粘合层1030可被配置为各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。在此实施方式中，导电粘合层1030被配置为各向异性导电膜(ACF)。
然后，形成在布线基板1010和生长基板上的半导体发光器件和连接部彼此对准，使得第一布线线路1020和第二布线线路1040分别面向第一导电电极和连接部。然后，对形成在布线基板和生长基板上的半导体发光器件和连接部进行热压(参照图14B)。
例如，可利用ACF冲头来对布线基板和生长基板进行热压。布线基板和生长基板通过热压彼此结合。由于通过热压而具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅在第一布线线路1020和第一导电电极之间以及第二布线线路1040和连接部之间实现导电性。通过这种结构，数据电极、扫描电极和半导体发光器件可彼此电连接。在这种情况下，半导体发光器件和连接部可被插入各向异性导电膜中。结果，可在半导体发光器件1050之间形成间壁。
然后，去除生长基板(参照图14C)。例如，可通过激光剥离(LLO)方法或化学剥离(CLO)方法来去除生长基板。如果需要，可通过在联接有半导体发光器件1050的布线基板上涂覆硅氧化物(SiOx)等来形成透明绝缘层。在这种情况下，第二导电电极1052的延伸部1059、连接线1070和第二导电层1062的突起1063被第二导电半导体层1053的u-Gan层1053a覆盖，以使得它们可免受在激光剥离(LLO)方法期间生成的激光影响。
最后，通过蚀刻工艺去除层压在第二导电电极1052和第二导电层1062上的u-Gan层以及设置在第二导电电极1052和第二导电层1062之间的u-Gan层(参照图14D)。显示装置的制造方法还可包括在半导体发光器件1050的一个表面上形成荧光粉层。例如，半导体发光器件1050可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件。用于将蓝色(B)光转换为单元像素的颜色的红色荧光粉或绿色荧光粉可在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
根据该制造方法，当生长半导体发光器件并形成n电极时，制造连接至布线基板并具有柱状的连接部。这可简化布线工艺。到目前为止，说明了第二导电电极从半导体发光器件的阵列延伸因此连接至连接部的结构。然而，可按照各种方式来修改该结构。例如，可增强从半导体发光器件的第二导电半导体层连接至连接部的半导体层的导电路径。这将参照图15更详细地说明。
具体地讲，图15是根据本发明的另一实施方式的显示装置的立体图。根据此实施方式的水平型半导体发光器件包括形成在激活层1054上的第一导电半导体层1055以及形成在第一导电半导体层1055上的第一导电电极1056。激活层1054形成在第二导电半导体层1053上，并且第二导电电极1057形成在第二导电半导体层1053上。水平型半导体发光器件的结构与上面参照图10A至图12B提及的水平型半导体发光器件相同，因此其详细说明将被省略。
如图15所示，连接线1070通过从半导体发光器件的第二导电电极1052延伸来连接直至连接部1060，从而将半导体发光器件与第二布线线路1040电连接。在这种情况下，连接线1070被导电线1071覆盖。即，导电线1071分别电连接至第二导电电极1057、连接线1070和第二导电层1062。
导电线1071可在与第一布线线路1020垂直的方向上将邻近半导体发光器件1050彼此连接。另外，导电线1071可由透明材料形成，并且可具有导电性。导电线1071也可被配置为透明电极。另外，导电线1071可通过薄膜布线工艺和印刷布线工艺来形成。
更具体地，第一布线线路1020可在图10B的F-F方向上将邻近半导体发光器件1050电连接，并且导电线1071可在与图10B的第一布线线路1020垂直的E-E方向上将邻近半导体发光器件1050电连接。在这种情况下，导电线1071可被形成为完全覆盖连接线1070。
另外，当驱动电流大于基准值时可形成导电线1071，导电线1071可起到连接线1070的辅助作用。在这种情况下，导电线1071可被形成为具有小于布线基板的第二布线线路1040的厚度。这可缩短执行布线工艺所花费的时间。
本发明的导电路径不限于具有上述结构。例如，当没有另外提供连接线1070和导电线1071时，第二导电电极可按照条形形式延伸。延伸的第二导电电极可将邻近半导体发光器件彼此连接，然后可连接至连接部。以下，将参照图16说明这种结构。
具体地讲，图16是根据本发明的另一实施方式的显示装置的立体图。如所示，半导体发光器件的第二导电电极2052被配置为用于将布置在发光器件阵列的一个方向(例如，列方向)上的多个半导体发光器件彼此电连接的电极线。即，第二导电电极2052被配置为电极线，而没有上述实施方式中提供的连接线或导电线。
通过这种结构，布置在发光器件阵列的各列中的多个半导体发光器件2050可共享第二导电电极2052。第二导电电极2052被形成为从一个半导体发光器件延伸到至少一个邻近半导体发光器件，以将各列中彼此相邻的多个半导体发光器件250电连接。
被配置为将布置在列方向上的多个半导体发光器件彼此电连接的第二导电电极2052可用作如上所述的显示装置中的扫描电极。即，第二导电电极2052用作显示装置的扫描电极，并且用作半导体发光器件的n型电极。在这种情况下，作为上述半导体发光器件的p型电极的第一导电电极2056被层压在第二导电半导体层2055上。第一导电半导体层2055也示出在图16中。
如所示，第二导电半导体层2055和第二导电电极2052的至少部分被绝缘部2058覆盖。连接部2060被布置在电极线的端部处，并且通过上述制造方法和布线基板的结构电连接至布线基板的第二布线线路。
在这种情况下，连接部2060具有半导体层2063、第二导电层2062、第三绝缘部2068和第一导电层2066依次彼此层压的结构。第二导电层2062被配置为由第二导电电极2052形成的电极线的部分。第二导电电极2052被形成为直至第二导电层2062没有弯曲线的长条。因此，连接部2060可被设置在从第二导电电极2052连接的线上。关于半导体层2063或第三绝缘部2068和第一导电层2066的说明对应于关于上面参照图10A至图12B提及的连接部的说明。
在根据本发明的实施方式的显示装置中，布置在各列中的多个半导体发光器件可通过第二导电电极2052电连接至驱动部。因此，用于制造半导体发光器件的工艺的数量可减少，并且用于形成扫描电极的附加工艺可被省略。
根据本发明的实施方式的显示装置可具有以下优点。首先，由于当半导体发光器件生长时在晶圆上形成连接至布线基板的连接部，所以可执行布线连接而没有任何弱连接区域。
第二，由于当半导体发光器件生长时连接部一起形成，所以连接部可被实现为柱结构而无需附加工艺。第三，半导体发光器件与连接部之间的电连接所需的布线基板上的电极线可利用连接部以一定的自由度来布置。
第四，由于半导体发光器件的导电电极连接至连接部，所以布线线路的厚度可减小，并且工艺时间可缩短。第五，由于第一导电层和第二导电层被层压在半导体层上，可使连接部和布线基板之间的距离与半导体发光器件和布线基板之间的距离相等或相似。
由于本发明的特征可在不脱离其特性的情况下按照多种形式来具体实现，还应该理解的是，除非另外指明，否则上述实施方式不由以上描述的任何细节限制，而是相反应该在如所附权利要求书中所限定的其范围内广义地解释，因此，落入权利要求的范围或其等同范围内的所有改变和修改因此旨在被所附权利要求书涵盖。

Claims (21)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
在布线基板上的多个半导体发光器件；
在所述布线基板上的连接部，该连接部被配置为将所述多个半导体发光器件电连接至所述布线基板，
其中，所述多个半导体发光器件中的每一个包括：
第一导电半导体层；
与所述第一导电半导体层交叠的第二导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的第一导电电极；以及
在所述第二导电半导体层上的第二导电电极，并且
其中，所述连接部包括由与所述第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与所述第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接部还包括：
由与所述第二导电半导体层相同的材料形成的半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二导电电极朝着邻近的半导体发光器件延伸以电连接至所述邻近的半导体发光器件，并且
其中，所述第二导电电极连接至所述第二导电层。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述半导体层和所述第二导电半导体层一起在基板上生长以具有相同的高度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述半导体层和所述第二导电半导体层被形成为氮化物半导体以一起在所述基板上生长。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电电极的远离所述第二导电半导体层的下表面以及所述第一导电层的远离所述第二导电半导体层的下表面被形成在同一平面上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个半导体发光器件被布置为形成发光器件阵列，
其中，所述第二导电电极沿着所述发光器件阵列的一条线延伸，因此形成电极线，并且
其中，所述连接部被布置在所述电极线的端部。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述布线基板包括布线线路，并且
其中，所述连接部通过导电粘合层电连接至所述布线线路。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，通过所述导电粘合层连接至所述多个半导体发光器件的第一导电电极的第一布线线路被布置在所述布线基板处，
其中，连接至所述连接部的布线线路是第二布线线路，并且
其中，所述第一布线线路和所述第二布线线路被形成在所述布线基板的同一表面上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二布线线路被布置在所述布线基板的边缘处。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个半导体发光器件还包括覆盖所述第二导电电极的绝缘部。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述连接部还包括由与所述半导体发光器件的所述绝缘部相同的材料形成的绝缘部，第三绝缘部由与所述第二导电电极对应的所述第二导电层覆盖并且覆盖与所述第一导电电极对应的所述第一导电层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述连接部的所述绝缘部仅覆盖所述第二导电层的一部分，以使得所述第一导电层的至少部分直接接触所述第二导电层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电电极包括从所述第二导电半导体层的侧表面突出的延伸部。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，连接线被形成在与所述延伸部的延伸方向垂直的方向上，因此将邻近的半导体发光器件的所述延伸部彼此电连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二导电层包括通过从所述半导体层的侧表面突出来连接至所述连接线的突起。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二导电电极、所述连接线、所述第二导电层和所述第一导电层依次彼此连接，因此形成导电路径。
18.根据权利要求17所述的显示装置，该显示装置还包括：
电连接至所述第二导电电极、所述连接线和所述第二导电层的导电线。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述布线基板包括柔性材料，并且
其中，所述多个半导体发光器件中的每一个被配置为发射红色光、绿色光、蓝色光和紫外光中的至少一种。
20.一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上生长第一导电半导体层、激活层和第二导电半导体层；
通过蚀刻工艺在所述基板上形成彼此隔离的多个半导体发光器件，将第一导电电极和第二导电电极分别层压在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上，并且在与所述多个半导体发光器件间隔开的位置处形成连接部；以及
将所述连接部与布线基板连接，
其中，所述连接部包括由与所述第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与所述第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述连接部还包括由与所述第二导电半导体层相同的材料形成的半导体层，并且
其中，形成所述多个半导体发光器件和所述连接部的步骤包括以下步骤：
在与所述多个半导体发光器件间隔开的位置处形成由与所述第二导电半导体层相同的材料形成的所述半导体层；
当所述第二导电电极被层压时，形成所述第二导电层以从所述第二导电电极延伸并与所述半导体层交叠，使得形成从所述第二导电半导体层连接至所述半导体层的导电路径；以及
当所述第一导电电极被层压时，在所述第二导电层上形成所述第一导电层。
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