CN105580273B

CN105580273B - 弹性波装置以及弹性波模块

Info

Publication number: CN105580273B
Application number: CN201480051591.3A
Authority: CN
Inventors: 及川彰
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2013-09-26
Filing date: 2014-09-26
Publication date: 2018-06-12
Anticipated expiration: 2034-09-26
Also published as: WO2015046402A1; US10193528B2; JPWO2015046402A1; CN105580273A; JP5797356B2; US20160248399A1

Abstract

本发明的弹性波装置具备：压电基板(2)；被配置在压电基板(2)上的激励电极(3)；被配置在压电基板(2)上的、与激励电极(3)电连接的电极焊盘(4)；和被配置在压电基板(2)上以使得与激励电极(3)之间配置振动空间(Sp)的罩体(5)，罩体(5)在内部具有与电极焊盘(4)电连接的贯通导体(6)，并且与压电基板(2)对置的面(5A)弯曲成相对于压电基板(2)的上表面(2A)而从与贯通导体(6)相接的位置向激励电极(3)侧靠近。

Description

弹性波装置以及弹性波模块

技术领域

本发明涉及弹性波装置以及弹性波模块。

背景技术

以往，已知一种激励电极形成在压电基板上的弹性波装置(Surface AcousticWave：以下，简称为SAW装置)。该SAW装置利用能够通过激励电极与压电基板的关系来将电信号与声表面波相互变换的特性，而被用作得到特定的频率的滤波器。

在被用于移动电话等移动终端的双工器中，以往，主要使用电介质滤波器，但近年来，开始使用能够高性能且小型轻量化的SAW装置。作为在安装有电容器等的电路基板安装了SAW装置的SAW模块而被搭载于移动终端。在移动终端中，SAW模块具有将从天线部收发的电信号通过双工器滤波成接收信号和发送信号的作用。

近年来，随着移动终端的小型化发展，SAW装置的低高度化变得必须。作为使SAW装置低高度化的构造，已知例如晶圆级封装(Wafer Level Package：以下，简称为WLP)构造(例如，参照日本特开2010-56671号公报)。WLP构造的SAW装置是具有与形成于压电基板的激励电极电连接的贯通导体的罩体被配置于压电基板上的构造。

发明内容

-发明要解决的课题-

但是，由于WLP构造的SAW装置是将罩体侧向下来安装于电路基板的装置，因此对于罩体要求安装时的耐冲击性。

因此，本发明鉴于上述情况而提出，其目的在于，提供一种能够提高罩体的耐冲击性的弹性波装置。

-解决课题的手段-

本发明的弹性波装置具备：压电基板、激励电极、电极焊盘和罩体。激励电极被配置在压电基板上。电极焊盘被配置在压电基板上，与激励电极电连接。罩体被配置在压电基板上，以使得与激励电极之间配置振动空间。罩体在内部具有与电极焊盘电连接的贯通导体，并且该罩体的与压电基板对置的面向激励电极侧靠近地弯曲。

-发明效果-

根据本发明，能够提供一种能够提高罩体的耐冲击性的弹性波装置。

附图说明

图1是本发明的一实施方式所涉及的SAW装置的外观俯视图。

图2是在图1的SAW装置中取下罩体时的俯视图。

图3是将图2的SAW装置的一部分放大的俯视图。

图4相当于在I-I线来将图1的SAW装置切断时的剖面。

图5是将图4的SAW装置的一部分放大的放大剖视图。

图6是在图5中说明机理的图。

图7表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的I-I线进行切断时的剖面放大的图。

图8表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的I-I线进行切断时的剖面放大的图。

图9表示图1的SAW装置的变形例，是将在图1的I-I线进行切断时的剖面放大的图。

图10表示本发明的一实施方式所涉及的SAW模块的剖视图，相当于通过图1的I-I线来切断的剖面。

图11表示图1的SAW装置的变形例，是透视状态的俯视图。

图12表示图1的SAW装置的变形例，是将通过图1的I-I线来切断时的剖面放大的图。

图13是表示制造图12所示的SAW装置的制造工序的每个工序的主要部分的剖视图。

图14表示图1的SAW装置的变形例，是将通过图1的I-I线来切断时的剖面放大的图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的SAW装置。另外，以下的说明中使用的图是示意性的，附图上的尺寸比率等并不一定与现实的部件一致。

<SAW装置的结构>

以下，说明本发明的一实施方式所涉及的SAW装置。本实施方式所涉及的SAW装置1如图1～9、11～14所示，具有：压电基板2、激励电极3、电极焊盘4、罩体5以及贯通导体6。

SAW装置1能够以晶圆级来形成各个结构。SAW装置1在移动终端中，具有对天线部与信号运算电路(例如，IC)交换的电信号进行滤波的功能。

SAW装置1具有多个电极焊盘4，经由其中的任意电极焊盘4来进行信号的输入。被输入的信号通过激励电极3等而被滤波。然后，SAW装置1经由多个电极焊盘4之中的除了输入信号所进入的电极焊盘4以外的电极焊盘4来输出滤波的信号。

压电基板2由钽酸锂单晶、铌酸锂单晶、四硼酸锂单晶等具有压电性的单晶的基板构成。压电基板2例如形成为长方体状，具有矩形形状并且相互平行且平坦的上表面2A以及第2主面2B。压电基板2的大小被适当地设定即可。压电基板2的厚度例如能够设定为0.2mm以上0.5mm以下。压电基板2的一边的长度例如能够设定为0.6mm以上3mm以下。

在压电基板2上设置激励电极3。如图3所示，激励电极3由梳齿状电极构成。在以下的说明中，存在表示为梳齿状电极3的情况。梳齿状电极3的至少2根汇流条电极3a被对置配置，具有在相互的方向上延伸并且两者交叉的电极指3b。多个梳齿状电极3也可以构成通过串联连接或者并联连接等来连接的梯型SAW滤波器。此外，多个梳齿状电极3也可以构成多个激励电极3被排列在一个方向的双模SAW谐振器滤波器。

如图3等所示，电极焊盘4被配置在压电基板2上。电极焊盘4的俯视形状被适当地设定即可。在本实施方式中，电极焊盘4是圆形的。电极焊盘4的数量以及配置位置根据由多个激励电极3构成的滤波器的结构来适当地设定即可。电极焊盘4的宽度例如能够设定为60μm以上100μm以下。

如图3所示，电极焊盘4通过布线7而与激励电极3电连接。布线7在上表面2A上形成为层状，将激励电极3的汇流条电极3a与电极焊盘4电连接。另外，布线7不是必须形成于上表面2A，例如也可以存在隔着绝缘体而立体交叉的部分。

激励电极3、电极焊盘4以及布线7(形成于上表面2A的部分)能够通过相同的制造工序来形成。因此，激励电极3、电极焊盘4以及布线7例如由相同的导电材料构成。作为导电材料，例如能够使用Al-Cu合金等Al合金。此外，激励电极3、电极焊盘4以及布线7例如被设定为相同的膜厚。作为这些的厚度，例如能够设定为100nm以上500nm以下。

针对通过溅射法、蒸镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等薄膜形成法而形成的金属膜，能够通过使用了过微小投影曝光机(步进器，stepper)或者RIE(Reactive Ion Etching，反应离子蚀刻)装置的光刻法，来形成激励电极3、布线7以及电极焊盘4。

也可以在激励电极3、布线7以及电极焊盘4上形成保护膜。保护膜由绝缘性材料构成，例如能够使用氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或者硅(Si)等。保护膜的厚度能够设定为5nm以上50nm以下。

能够利用光刻法对通过CVD法、溅射法等薄膜形成法而形成的膜进行图案化来得到保护膜。通过形成这种保护膜，能够保护激励电极3以及布线7，能够难以被氧化。另外，保护膜被设置为使电极焊盘4的上表面露出。

保护膜也可以形成在上表面2A的整体。在该情况下，后述的密封树脂8被配置在罩体5与保护膜之间即可。由此，由于能够使罩体5与密封树脂8的热膨胀系数的差比密封树脂8与压电基板2的热膨胀系数的差小，因此能够难以由于热膨胀系数的差而进行剥离。其结果，能够提高密封树脂8的紧贴性。

为了提高与后述的凸块(bump)10的紧贴性或者电特性，也可以在电极焊盘4上配置层叠了金属材料的连接电极4’。连接电极4’的厚度例如能够设定为1μm以上2μm以下。这种连接电极4’能够通过剥离(liftoff)法来形成。连接电极4’的材料被适当地选择即可。在使用由铜构成的金属凸块来作为凸块10的情况下，例如能够使用将钛以及铜依次层叠而得到的材料。

罩体5被配置在压电基板2上。罩体5能够通过由陶瓷材料构成的陶瓷基板、或者由有机材料构成的有机基板、或者由感光性材料构成的薄片状的部件等构成。罩体5被配置成在与激励电极3之间形成振动空间Sp。本实施方式中是罩体5由有机基板构成的情况。

构成罩体5的有机基板例如能够使用在由环氧树脂等有机材料构成的基材中配置由玻璃等构成的纤维5a的基板。纤维5a在罩体5的平面方向(xy方向)上延伸。在x方向延伸的纤维5a与在y方向延伸的纤维5a被编织为在俯视下成网眼状。这样通过具有纤维5a，从而在安装SAW装置1时受到的力容易在纤维5a中传播并在平面方向上散开，因此应力被分散，能够提高罩体5的耐冲击性。另外，罩体5也可以不具有纤维5a。

罩体5的厚度例如能够被设定为80μm以上300μm以下。罩体5的平面方向的宽度例如能够设定为0.6mm以上3mm以下。罩体5的弹性率例如能够设定为图4的y方向上的杨氏模量是20Gpa以上40Gpa以下左右。构成罩体5的有机基板可以是单层基板，也可以是多层基板。在多层基板的情况下，例如能够设定为1层的厚度是40μm以上60μm以下。本实施方式是罩体5由1层有机基板形成的情况。

罩体5具有贯通孔5b。贯通孔5b被配置成其外周比后述的第2电极焊盘9的外周小。贯通孔5b可以相对于电极焊盘4垂直，也可以相对于电极焊盘4倾斜。在贯通孔5b倾斜的情况下，能够提高与后述的贯通导体6的紧贴性。

贯通导体6被配置在贯通孔5b内，与电极焊盘4电连接。也就是说，贯通导体6被配置在罩体5的内部。贯通导体6例如能够使用铜、银膏剂或者导电性树脂等。贯通导体6的一部分被配置为从罩体5露出。在使用铜来作为贯通导体6的情况下，能够使用电镀法来形成。在使用银膏剂或者导电性树脂来作为贯通导体6的情况下，能够使用印刷法或者分配(Dispense)法来形成。

如图5所示，在罩体5中，在上表面5A配置第2电极焊盘9，在下表面5B配置外部端子电极11。第2电极焊盘9以及外部端子电极11与贯通导体6电连接。第2电极焊盘9经由凸块10来与电极焊盘4连接。外部端子电极11经由第2凸块110来与电路基板100等连接。第2电极焊盘9以及外部端子电极11例如能够设定为多边形状。此外，第2电极焊盘9以及外部端子电极11能够使用将多个金属材料层叠而成的金属层。

凸块10是使用无电解镀覆法来形成在连接电极4’上的。凸块10例如由铜形成。凸块10的厚度例如能够设定为5μm以上30μm以下。在形成在连接电极4’上的凸块10，承载罩体5。通过凸块10被热压接接合于第2电极焊盘9，罩体5被固定于压电基板2。

具体来讲，在凸块10形成在连接电极4’上之后，例如通过在100℃以上200℃以下的蚁酸环境中放置30分钟来进行还原处理，除去形成在凸块10的表面的氧化膜。在此之后，使第2电极焊盘9与凸块10对置，进行热压接接合来向凸块10施加压力和热。对凸块10的加压通过在减压环境中利用冲压机来将压电基板2的第2主面2B向罩体5侧按压而进行。更具体来讲，对凸块10的一个位置施加例如20gf以上100gf以下的压力，并且温度成为例如200℃以上300℃以下。

在作为凸块10使用由铜构成的金属凸块的情况下，由于与焊料凸块相比，接合强度高，因此，y方向上的直径能够缩小。在如本实施方式这样在振动空间Sp内设置凸块10的构造的情况下，由于能够维持接合强度并且缩小凸块10的直径，因此能够缩小振动空间Sp。

此外，如图5所示，罩体5的与压电基板2对置的面5A(上表面5A)向激励电极3侧弯曲。换言之，相对于压电基板2的上表面2A，从与贯通导体6相接的位置向激励电极3侧弯曲。另外，在第2电极焊盘9被设置于上表面5A的情况下，也可以从与第2电极焊盘9相接的位置向激励电极3侧靠近地进行弯曲。罩体5的弯曲例如相对于压电基板2的上表面2A倾斜即可。或者，只要罩体5的上表面5A不与贯通导体6的厚度方向垂直即可。

在压电基板2与罩体5之间配置密封树脂8。密封树脂8沿着压电基板2的外周配置，由此，振动空间Sp等被气密密封。在本实施方式中，电极焊盘4也被配置在比密封树脂8更靠内侧，并被气密密封。密封树脂8例如由环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者热固化性树脂等构成。在将罩体5固定于压电基板2之前(将第2电极焊盘9固定于凸块10之前)，密封树脂8形成在压电基板2侧即可。

如图10所示，SAW装置1经由第2凸块110而被安装于电路基板100。第2凸块110与外部端子电极11接合。第2凸块110可以是Pb-Sn合金焊料等使用了铅的焊料，也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊料、Sn-Cu合金焊料等无铅焊料。

在本实施方式的SAW装置1中，罩体5的上表面5A从与贯通导体6相接的位置向激励电极3侧弯曲。因此，例如在将SAW装置1安装于电路基板100等时，能够缓和施加于贯通导体6与罩体5之间的应力。具体来讲，如图6所示，在安装时施加于罩体5的应力ST能够通过罩体5弯曲，来缓和应力集中。其结果，能够提高罩体5的耐冲击性，并且，能够提高SAW装置1的可靠性。

此外，由于罩体5成为缓和应力的构造，因此不容易在贯通导体6与罩体5之间形成间隙。因此，若是如本实施方式这样在密封空间的内侧配置电极焊盘4的情况，则能够提高密封空间的气密性。

此外，存在激励电极3的热通过电极焊盘4等而被热传导至贯通导体6的情况，在该情况下，虽然由于贯通导体6与罩体5的热膨胀率的差而导致在罩体5产生热应力，但通过罩体5弯曲，能够缓和热应力集中。换言之，能够提高罩体5的耐热特性，因此能够向激励电极3施加较大的电力，因此能够提高SAW装置1的耐电力特性。

进一步地，通过如本实施方式这样作为罩体5使用有机基板，从而与使用陶瓷基板的情况相比，向罩体5施加冲击时有机基板本身容易变形。因此，能够进一步提高罩体5的机械性耐冲击性。

(SAW装置的变形例1)

如图5等所示，纤维5a也可以与贯通导体6接触。通过纤维5a与贯通导体6接触，从而向罩体5施加的应力也能够容易散开到纤维5a。此外，在纤维5a的热传导率比有机材料的基材的热传导率高的情况下，通过纤维5a与贯通导体6接触，能够容易将贯通导体6的热向纤维5a进行热传导，能够提高贯通导体6的散热性。

此外，纤维5a也可以与罩体5的上表面5A的弯曲同样地，从与贯通导体6相接的位置向激励电极3侧弯曲。由此，能够相对于厚度方向(z方向)以及平面方向(xy方向)提高罩体5的机械性强度。

进一步地，也可以如图7所示，纤维5a的一部分被埋设在贯通导体6内。通过这样埋设纤维5a的一部分，从而纤维5a难以移位，因此能够提高由有机基板构成的罩体5的机械性强度。其结果，罩体5能够难以变形。

(SAW装置的变形例2)

如图8所示，第2电极焊盘9也可以向罩体5侧弯曲。第2电极焊盘9能够使用随着从外周朝向中心方向而弯曲的形状。另外，图8所示的SAW装置1是形成了2层构成罩体5的有机基板的情况，是在层间形成布线导体层6’的情况。布线导体层6’例如由铜箔等导体构成。

这样通过第2电极焊盘9弯曲，能够以曲面相对于凸块10接触，因此能够提高相对于平面方向(xy方向)的接合强度。

此外，图8所示的SAW装置1的位于比第2电极焊盘9更靠外侧的罩体5的部分也可以向压电基板2侧弯曲。也就是说，比第2电极焊盘9更靠外侧的区域的罩体5，与贯通导体6相接的部分向压电基板2侧弯曲。通过这样弯曲，能够进一步缓和罩体5内的应力集中。此外，也可以使比第2电极焊盘9更靠内侧的弯曲率与外侧的弯曲率不同。通过使第2电极焊盘9的内侧的弯曲率比外侧的弯曲率大，能够有效地缓和在罩体5内产生的应力。

(SAW装置的变形例3)

进一步地，如图9所示，罩体5的下表面5B也可以向压电基板2侧弯曲。通过这样使下表面5B向压电基板2侧弯曲，从而在安装于电路基板100时，罩体5能够难以与电路基板100直接接触。

(SAW装置的变形例4)

如图11所示，罩体5也可以具备电路图案12。电路图案12与电极焊盘4电连接，一部分例如形成为螺旋状，或者形成为矩形形状，或者形成为弯曲状。通过这样构成，电路图案12成为具备电感器成分的图案。通过这种电路图案12，能够调整SAW装置1的滤波器特性，或者能够对激励电极3中产生的热进行散热。电路图案12是导体即可，例如能够使用铜等。

电路图案12可以形成在罩体5的上表面5A，也可以例如由形成在图8所示的由多个层构成的有机基板的层间的布线导体层6’构成。图11是通过布线导体层6’来形成电路图案12的情况下的以透视状态来观察罩体5时的俯视图。

通过由布线导体层6’构成电路图案12，能够将电路图案12设置在罩体5的内部。在该情况下，由于电路图案12不露出到外部，因此能够抑制电极劣化。进一步地，由于通过利用贯通导体来连接存在于多个层间的布线导体层6’，能够在多个层形成电路图案12，因此能够提高设计的自由度。

布线导体层6’可以在第2电极焊盘9的内侧延伸，也可以在外侧延伸。在内侧延伸的情况下，能够通过布线导体层6’来维持密封空间，能够加固罩体5。在外侧延伸的情况下，能够抑制产生电路图案12所导致的不必要的寄生电容的可能性。

这种电路图案12也可以与接地电位的电极焊盘12电连接。在该情况下，能够将电路图案12用作为接收滤波器或发送滤波器的整合电路。进一步地，在发送滤波器的并联谐振器与接地之间设置电路图案12的情况下，能够使其作为衰减极调整用的电感器而发挥作用。

(SAW装置的变形例5)

如图12所示，压电基板2也可以在外周部在第2主面2B(以下，也称为下表面2B。)具备阶梯部2C。阶梯部2C构成为阶梯部2C的下表面位于上表面2A侧。也就是说，压电基板2的上表面2A侧没有阶梯地成为同一平面，在下表面2B，在外周部形成厚度变薄的阶梯部2C。这种阶梯部2C在上表面2A，被设置在比形成激励电极3的区域更靠外侧。阶梯部2C在压电基板2中强度比其他部位低。由此，能够使在与罩体5的接合时、将SAW装置1安装于后述的电路基板时压电基板2所产生的应力向阶梯部2C集中而释放。因此，在压电基板2的形成有激励电极3的区域，能够抑制意外地产生应力，得到所希望的振动特性，并且能够抑制破损的产生，提供一种可靠性高的SAW装置1。

若将这种阶梯部2C设置在比上表面2A中形成电极焊盘4的区域更靠外侧，则能够稳定地确保电极焊盘4以及与其连接的贯通导体6的电连接。

构成阶梯部2C的侧面也可以成为在向外侧变宽的锥形状。通过设为这种形状，能够将应力释放到形成激励电极3的区域的外侧。

阶梯部2C中位于上表面2A侧的部分的算数平均粗糙度可以比下表面2B的其它部位大。由此，能够使施加到压电基板2的应力向阶梯部2C中位于上表面2A侧的部分集中。此外，在安装于后述的电路基板100之后，在通过树脂来成型时，能够在树脂难以围绕的阶梯部2C提高与树脂的接合力。

另外，在图12中，密封树脂8形成为包围电极焊盘4。通过设为这种结构，能够使凸块10从激励电极3隔离，能够保护电极焊盘4、凸块10、贯通导体6的电连接。

使用图13来说明这种SAW装置1的制造方法的一个例子。首先，如图13(a)所示，在压电基板晶片220的各区域形成激励电极3、电极焊盘4、密封树脂8和凸块10等。

接下来，如图13(b)所示，在压电基板晶片220的下表面220B形成槽221。槽221形成在与形成密封树脂8的区域对应的部分，以区分每个形成SAW装置1的区域。另外，虽然在该例子中，形成激励电极3等之后形成槽221，但也可以在形成槽221之后形成激励电极3等。

接下来，如图13(c)所示，将压电基板晶片220与罩体集合基板250热压接来进行接合。能够与该接合同时地将压电基板220的凸块10与外罩集合基板250的贯通导体6电连接。

接着，如图13(d)所示，通过沿着槽221利用切割刀片800来进行切割，能够得到图12所示的SAW元件1。通过使得槽221比切割刀片800的宽度宽，并且设为压电基板晶片220的厚度的一半左右，能够减小切割所导致的压电基板晶片220所产生的应力。

(SAW装置的变形例6)

如图14所示，SAW装置1也可以在压电基板2的下表面2B侧具备支撑基板13。若能够支撑基板13与压电基板2接合，并且支撑压电基板，材料就不被限定，例如能够使用比压电基板2高弹性率、低线膨胀系数的材料。作为这种材料，能够示例硅或蓝宝石。

通过设置支撑基板2，能够保护压电基板2防止来自外部的冲击。在将支撑基板13设为较之压电基板2具有低线膨胀系数的材料的情况下，能够抑制周围的温度变化所导致的压电基板2的变形，能够向压电基板2的上表面2A施加应力。由此，能够抑制由于温度变化而导致基于激励电极3的振动特性变动。

压电基板2与支撑基板13也可以通过针对接合面照射离子束或中子束，在常温下使其活性化之后使其直接接触来进行接合。在该情况下，由于在将压电基板2与支撑基板13接合时不施加热或应力，因此能够抑制向压电基板2的意外的应力施加。

并且，也可以在支撑基板13的外周部设置第2阶梯部13C。第2阶梯部13C的下表面位于压电基板2侧。也就是说，支撑基板13的与压电基板2相接的一侧的面没有阶梯地成为一个平面，在下表面13B形成在外周部厚度变薄的阶梯部13C。第2阶梯部13C与阶梯部2C同样地，通过设置在压电基板2的上表面2A之中形成有激励电极3的区域的外侧，能够将应力向振动空间Sp的外侧释放。

另外，在通过所谓的常温接合技术来将支撑基板13与压电基板2接合的情况下，虽然在两者的接合时不产生弯曲，但可能在对罩体5进行热压时由于被加热而产生比压电基板2单体时更大的弯曲。因此，在SAW装置1具备支撑基板13的情况下，需要通过第2阶梯部13C来吸收罩体5接合时的意外的应力。

<SAW模块的结构>

如图10所示，SAW模块150具备：SAW装置1、和具备与SAW装置1的外部端子电极11连接的焊盘120的电路基板100。在电路基板100中，SAW装置1与功率放大器模块或者IC等电连接。SAW装置1经由第2凸块110而被安装于焊盘120。

作为第2凸块110，由熔点比凸块110的熔点低的材料构成。由此，能够抑制由于将SAW装置1安装于电路基板100时的加热而凸块10被溶解。其结果，能够提高SAW模块150的可靠性。

此外，第2凸块110也可以成为比凸块10大的直径(y方向上的直径)。由此，能够抑制SAW装置1的安装错误，并且能够抑制振动空间Sp变大。

-符号说明-

1 弹性波(SAW)装置

2 压电基板

2A 上表面

2B 第2主面

3 激励电极(梳齿状电极)

3a 汇流条电极

3b 电极指

4 电极焊盘

4’ 连接电极

5 罩体

5a 纤维

5b 贯通孔

5A 上表面(与压电基板对置的面)

5B 下表面

6 贯通导体

7 布线

8 密封树脂

9 第2电极焊盘

10 凸块

11 外部端子电极

12 电路图案

13 支撑基板

100 电路基板

110 第2凸块

120 焊盘

150 弹性波(SAW)模块

Claims

1.一种弹性波装置，其特征在于，具备：

压电基板；

激励电极，其被配置在该压电基板上；

电极焊盘，其被配置在所述压电基板上，与所述激励电极电连接；和

罩体，其被配置在所述压电基板上，以使得在所述罩体与所述激励电极之间配置振动空间，

所述罩体在内部具有与所述电极焊盘电连接的贯通导体，并且所述罩体的与所述压电基板对置的面向所述激励电极侧靠近地弯曲，

所述罩体是包含在平面方向上延伸的纤维的有机基板，所述纤维与所述贯通导体接触。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，

所述纤维向所述激励电极侧弯曲。

3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，

所述罩体具有：第2电极焊盘，其被配置在与所述压电基板对置的面，与所述贯通导体电连接，

还具有：凸块，其被配置在所述第2电极焊盘与所述电极焊盘之间。

4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其特征在于，

所述第2电极焊盘向所述罩体侧弯曲。

5.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，

所述压电基板在外周部具有阶梯部。

6.一种弹性波装置，其特征在于，具备：

压电基板；

激励电极，其被配置在该压电基板上；

所述弹性波装置具有：支撑基板，其与所述压电基板的下表面接合，由具有比构成所述压电基板的材料高的弹性率的材料构成，

该支撑基板在外周部具有第2阶梯部。

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的弹性波装置，其特征在于，

所述纤维向所述激励电极侧弯曲。

9.根据权利要求6所述的弹性波装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的弹性波装置，其特征在于，

所述第2电极焊盘向所述罩体侧弯曲。

11.一种弹性波模块，其特征在于，具备：

权利要求1～10的任意一项所述的弹性波装置；和

电路基板，其具备与所述贯通导体电连接的焊盘，

所述弹性波装置经由第2凸块而被安装于所述焊盘。

12.根据权利要求11所述的弹性波模块，其特征在于，

所述第2凸块具有比所述凸块的熔点低的熔点。