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CN104916648A - 一种阵列基板、制备方法及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、制备方法及显示装置 Download PDF

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CN104916648A
CN104916648A CN201510320741.2A CN201510320741A CN104916648A CN 104916648 A CN104916648 A CN 104916648A CN 201510320741 A CN201510320741 A CN 201510320741A CN 104916648 A CN104916648 A CN 104916648A
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严允晟
林允植
崔贤植
李会
田允允
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。一种阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线，还包括：位于像素区域内的像素电极和公共电极，像素电极和公共电极异层设置；屏蔽电极，屏蔽电极至少形成于衬底基板上对应数据线的区域，屏蔽电极与公共电极异层设置，且与像素电极、公共电极无电性连接。本发明实施例用于阵列基板、以及包含该阵列基板的显示装置制造。

Description

一种阵列基板、制备方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、制备方法及显示装置。
背景技术
在阵列基板中，数据线的电压随时间的高低变化引起的瞬时电磁信号通常会影响到像素电极和公共电极电压的稳定性，即数据线产生的电场对像素电极和公共电极产生了串扰，影响了像素电极与公共电极之间的电压差，从而影响了阵列基板的显示画质。
为了尽量减小数据线的串扰引起的画质问题，现有技术通常采用对应数据线区域设置的屏蔽电极来屏蔽数据线的串扰。如图1所示，现有阵列基板可以包括衬底基板01、设置在衬底基板01上数据线02、薄膜晶体管03，与薄膜晶体管03的漏极03a连接的像素电极04，与像素电极04对向设置的公共电极05，与数据线02对应设置的屏蔽电极06。其中，屏蔽电极06与公共电极05同层设置，且电性连接。
在图1所示结构的阵列基板中，当数据线形成的电场对屏蔽电极的电压造成影响使得屏蔽电极的电压不稳时，由于屏蔽电极与公共电极电性连接，因而公共电极的电压也会随着屏蔽电极的变化而一起变化，从而使得整个阵列基板的公共电极电压不稳，进而使得像素电极与公共电极之间的电压差发生变化，从而影响了整个阵列基板的画质。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示装置，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供了一种阵列基板，衬底基板，位于所述衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线，还包括：
位于所述像素区域内的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极异层设置；
屏蔽电极，所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应所述数据线的区域，所述屏蔽电极与所述公共电极异层设置，且与所述像素电极、所述公共电极无电性连接。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置。
结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能实现的方式中，所述公共电极与所述数据线同层设置。
结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能实现的方式中，还包括：公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线同层设置，且所述公共电极线与所述公共电极电性连接。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能实现的方式中，所述公共电极线与所述公共电极电性连接包括：
所述公共电极线与所述公共电极通过金属线电性连接。
结合第一方面的第三或第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述公共电极、所述公共电极线、所述栅线与栅极同层设置。
结合第一方面，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。
结合第一方面，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述屏蔽电极还形成于所述衬底基板上对应所述栅线的区域。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面任一项所述的阵列基板。
第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成第一导电层图案，所述第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极；
形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二导电层图案，所述第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，所述像素电极位于所述像素区域内，所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应数据线的区域，且与所述公共电极无电性连接。
结合第三方面，在第三方面的第一种可能的实现方式中，所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。
结合第三方面，在第三方面的第二种可能的实现方式中，所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的公共电极线，和/或栅线、栅极，和/或用以连接所述公共电极和所述公共电极线的金属线。
结合第三方面的第二种可能的实现方式，在第三方面的第三种可能实现的方式中，所述形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层包括：依次形成覆盖所述第一导电层图案的第一绝缘子层和第二绝缘子层；
在形成所述第一绝缘子层之后，在形成所述第二绝缘子层之前，所述方法还包括：在所述第一绝缘子层上形成第三导电层图案，所述第三导电层图案包括数据线、源极和漏极。
本发明实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示装置，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板中部分结构俯视图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制备方法流程图。
附图标记：
01-衬底基板；02-数据线；03-薄膜晶体管；03a-漏极；03b-源极；03c-栅极；03d-有源层；04-像素电极；05-公共电极；06-屏蔽电极；07-栅绝缘层；08-栅绝缘层；09-过孔；10-栅线；11-公共电极线；12-金属线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要的说明的是，在本发明所有实施例中，同层设置是指：至少两个图案位于同一承载面上。异层设置是指：两个图案位于不同的承载面上，通常两个图案之间间隔有其他层。
实施例一
本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括衬底基板01，位于衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线02，还包括：位于像素区域内的像素电极04和公共电极05，像素电极04和公共电极05异层设置；屏蔽电极06，屏蔽电极06至少形成于衬底基板01上对应数据线02的区域，屏蔽电极06与公共电极05异层设置，且与像素电极04、公共电极05无电性连接。
需要说明的是，上述仅介绍了解决“现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质”的问题的结构。然而，本领域技术人员能够知晓，阵列基板的结构不局限于此，例如在图2所示阵列基板中，阵列基板还可以包括:设置于衬底基板01上的薄膜晶体管03、栅绝缘层07以及绝缘层08。其中，薄膜晶体管03包括设置于衬底基板01上的漏极03a、源极03b、栅极03c和有源层03d。像素电极04通过过孔09与漏极03a电性连接，数据线02与漏极03a、源极03b同层设置，且与源极03b电性连接，公共电极05与像素电极04对向设置，栅线(未在图2中标示)与栅极03c同层设置且电性连接。
当然，图2中所增设的结构也仅是为了更加清楚的描述本发明的方案才绘制的，并不作为本发明请求保护的范围限定。
本发明实施例所涉及到阵列基板可以是高级超维场转换(ADvanced Super Dimension Switch，ADS)型显示装置中的阵列基板；在ADS阵列基板中，公共电极与像素电极设置在同一衬底基板上，且其中一个电极为平板状电极，另一个电极为梳状或带有夹缝的电极。
对于ADS阵列基板而言，可以包括异层设置的像素电极和公共电极，其含义是指：像素电极和公共电极位于不同的承载面上。具体的，如图2所示，公共电极05位于栅绝缘层07之上，像素电极04位于绝缘层08之上。其中，本领域技术人员根据公知常识能够得知，像素电极04和公共电极05是无电性连接的，图2中像素电极04和公共电极05间隔有绝缘层08，绝缘层08可以采用氧化硅、氮化硅及有机材料等绝缘材料，通常，可以把该绝缘层08称为钝化层。
其中，像素电极04和公共电极05中靠近衬底基板的电极是平板状的，远离衬底基板的电极是梳状的，或带有夹缝的电极。如图2所示，靠近衬底基板且位于栅绝缘层之上的公共电极为平板状电极，而远离衬底基板且位于绝缘层之上的像素电极为梳状电极。
上述的无电性连接是指：至少两个导电图案之间不接触。
上述的屏蔽电极至少形成于衬底基板上对应数据线的区域是指，数据线在衬底基板上的正投影所在的区域包含在屏蔽电极在衬底基板上的正投影所在的区域内。
上述阵列基板中，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
需要说明的是，在屏蔽电极与公共电极无电性连接的基础上，若将无电性连接的屏蔽电极和公共电极同层设置，则为了保证开口率，公共电极与屏蔽电极之间的间距通常较小，从而导致公共电极与屏蔽电极容易误接触而电性连接，从而与现有技术一样使得公共电极容易受到数据线的串扰而电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质。本发明实施例将无电性连接的屏蔽电极与公共电极异层设置，可以避免同层设置时容易误接触的问题，从而保证了公共电压的稳定性，保证了阵列基板的显示画质。
可选的，虽然屏蔽电极与公共电极是无电性连接的，但为了避免发生漏光现象，通常在屏蔽电极上施加与公共电极的电压相同的电压信号。
在本发明实施例提供的上述阵列基板中，屏蔽电极与像素电极可以同层设置。其中，屏蔽电极与像素电极同层设置的含义是指：屏蔽电极与像素电极位于同一承载面上。具体的，如图2所示，屏蔽电极06和像素电极04均位于绝缘层08之上。由于同层设置且均为电极的屏蔽电极06和像素电极04可以采用同一材料，例如可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料，因而可以通过同一次构图工艺一起制作完成，具体可以是由同一透明导电膜层经一次构图得到不同图案，该不同图案包括屏蔽电极和像素电极，从而简化了阵列基板的结构以及工艺制备流程。当然，屏蔽电极06和像素电极04还可以同层设置且采用不同材料，在此不做限定。
需要说明的是，为了保证一定的像素电极的覆盖面积及开口率，屏蔽电极与像素电极之间的间距也不能太大，从而屏蔽电极与像素电极之间也可能出现由于误接触从而电性连接的情况。此时，由于受到数据线串扰的影响，与屏蔽电极电性连接的像素电极的电压也会随着屏蔽电压的变化而变化，从而影响该像素单元的画质。但是，由于误接触的情况是偶然发生的，且即便出现误接触也仅会影响像素电极所在像素单元的画质，与将无电性连接的屏蔽电极与公共电极同层设置且出现误接触时影响整个阵列基板的画质相比，将屏蔽电极与像素电极同层设置比将屏蔽电极与公共电极同层设置更能保证阵列基板的画质，因而是更为优化的结构设计。
在现有技术中的阵列基板中，公共电极与数据线通常是异层设置，两者之间会间隔有绝缘层。然而，在本发明实施例中，可选的，公共电极与数据线可以同层设置，具体的，可以参见图2，公共电极05与数据线02均位于栅绝缘层上。这样虽然数据线通常采用Al(铝)、Mo(钼)、Cr(铬)、Cu(铜)、Ti(钛)等金属材料，而公共电极通常采用ITO等材料，即公共电极与数据线所采用的材料通常不同，不能在同一次构图工艺中一起制作完成，但将公共电极与数据线同层设置可以节省异层设置时制作位于公共电极与数据线之间的间隔绝缘层的工艺流程，从而可以简化阵列基板的结构及工艺制备流程。并且，由于减少了公共电极与数据线之间绝缘层的设置，整个阵列基板相对现有技术会变薄，有利于显示装置的轻薄化。当然，在上述阵列基板中，将公共电极与数据线异层设置，也在本发明实施例的保护范围之内。
另外，将屏蔽电极与像素电极同层设置并将公共电极与数据线同层设置还可以增大像素电极与数据线之间的而间距，减小像素电极与数据线之间的耦合电容，从而减小耦合电容对像素电极电压以及显示画质的影响。
进一步地，由于现有技术中的数据线、源极、漏极通常采用相同材料且同层设置，因而在本发明实施例提供的阵列基板中，也可以将源极、漏极与数据线以及公共电极同层设置。
优选地，上述阵列基板中，屏蔽电极的宽度可以大于数据线的宽度，即屏蔽电极在衬底基板上的正投影所在的区域可以大于数据线在衬底基板上的正投影所在的区域，以便屏蔽电极可以更好地屏蔽数据线形成的电场，从而减小数据线的串扰。当然，屏蔽电极的宽度也可以等于数据线的宽度，或者略小于数据线的宽度，但是这样的屏蔽电极对数据线形成的电场的屏蔽效果较差。
进一步地，上述阵列基板中，屏蔽电极还可以形成于衬底基板上对应栅线的区域，即栅线在衬底基板上的正投影所在的区域包含于屏蔽电极在衬底基板上的正投影所在的区域内；也即，栅线在衬底基板上的正投影的边界位于屏蔽电极在衬底基板上的正投影的边界内侧，当然可以有部分边界重合。当屏蔽电极形成于衬底基板上对应栅线的区域时，还可以屏蔽栅线的电压信号随时间变化引起的瞬时电磁信号对像素电极和公共电极电压的干扰。更进一步优选地，屏蔽电极在衬底基板上的正投影所在的区域可以大于数据线和栅线作为整体在衬底基板上的正投影所在区域，也即，数据线和栅线作为整体在衬底基板上的正投影的边界位于屏蔽电极在衬底基板上的正投影的边界内侧，或有部分边界重合，从而可以同时屏蔽数据线以及栅线形成的电场对阵列基板上的其他布线例如公共电极和像素电极的串扰。
本发明实施例提供一种阵列基板，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
实施例二
本发明实施例提供一种阵列基板，如图3所示，包括衬底基板01，位于衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线02，还包括：位于像素区域内的像素电极04和公共电极05，像素电极04和公共电极05异层设置；屏蔽电极06，屏蔽电极06至少形成于衬底基板01上对应数据线02的区域，屏蔽电极06与公共电极05异层设置，且与像素电极04、公共电极05无电性连接。
上述仅介绍了解决“现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质”的问题的结构。然而，本领域技术人员能够知晓，阵列基板的结构不局限于此，例如在图3所示阵列基板中，阵列基板还可以包括:设置于衬底基板01上的薄膜晶体管03、栅绝缘层07以及绝缘层08。其中，薄膜晶体管03包括设置于衬底基板01上的漏极03a、源极03b、栅极03c和有源层03d。像素电极04与漏极03a电性连接，数据线02与漏极03a、源极03b同层设置，且与源极03b电性连接，公共电极05与像素电极04对向设置，栅线(未在图3中标示)与栅极03c同层设置且电性连接。
当然，图3中所增设的结构也仅是为了更加清楚的描述本发明的方案才绘制的，并不作为本发明请求保护的范围限定。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，屏蔽电极与像素电极可以同层设置。
需要说明的是，本发明实施例重点对与实施例一中不相同的部分进行详细描述，对于与实施例一相同的部分的解释可以参见实施例一中的具体描述，这里不再赘述。
可选的，本发明实施例提供的阵列基板还可以包括公共电极线(未在图3中标示)，公共电极与公共电极线同层设置，且公共电极线与公共电极电性连接。在现有技术中的阵列基板中，公共电极与公共电极线通常是异层设置，两者通过之间间隔的绝缘层中的过孔连接。然而，在本发明实施例中，公共电极与公共电极线是同层设置的，其具体含义是指：公共电极与公共电极线位于同一承载面上，例如，公共电极与公共电极线可以均位于衬底基板上，且与衬底基板直接接触。由公知常识可知公共电极需要通过公共电极线为其提供正常工作所需要的电压，因而公共电极必须与公共电极线电性连接。在本发明实施例中，通过将公共电极和公共电极线同层设置，可以使得公共电极与公共电极线之间不需要通过过孔进行连接，从而节省了制作过孔的工艺流程，同时简化了阵列基板的结构。
在同层设置公共电极和公共电极线时，具体的，由于公共电极通常采用ITO等材料，而公共电极线通常采用Al(铝)、Mo(钼)、Cr(铬)、Cu(铜)、Ti(钛)等金属材料，可就是说，公共电极与公共电极线所采用的材料通常不同，通常不在同一次构图工艺中一起制作完成。但与实施例一中将公共电极与数据线同层设计类似，将公共电极与公共电极线同层设置同样可以简化制作阵列的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。当然，在上述阵列基板中，将公共电极与公共电极线异层设置，也在本发明实施例的保护范围之内。
可选地，在本发明实施例中，同层设置的公共电极与公共电极线之间可以通过金属线连接，这样金属线就与公共电极以及公共电极线同层设置。优选地，金属线可以与公共电极线采用同种材料，且与公共电极线一起制作完成。当然，同层设置的公共电极与公共电极之间也可以采用其它方式进行连接，这里通过金属线连接仅是举例说明。
需要说明的是，在实际生产应用中，对应于大尺寸显示产品(例如电视)和小尺寸显示产品(例如手机)，阵列基板也有大尺寸和小尺寸阵列基板。与小尺寸阵列基板相比，大尺寸阵列基板的电阻较大，通过过孔将阵列基板中的公共电极与公共电极线相连将不能保证公共电极电压的稳定性，公共电极通常通过金属线与公共电极线连接，以保证公共电极电压的稳定性，因而大尺寸阵列基板通常采用如图3所示的结构。
进一步地，在本发明实施例提供的阵列基板中，公共电极、公共电极线、栅线与栅极可以同层设置。与实施例一中将公共电极和数据线同层设置类似，可以简化制作阵列的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。
此外，当阵列基板中包括金属线时，还可以将金属线与公共电极、公共电极线、栅线以及栅极同层设置。
示例性的，本发明实施例提供的一种阵列基板中部分结构俯视图，以表明栅极03c、栅线10、公共电极线11、金属线12以及公共电极05的相对位置，示意图可以参见图4，且图2、图3中的栅极03c和公共电极05是沿图4A-A向剖视得到的。另外，其他例如像素电极等结构并未在图4中绘出。
本发明实施例提供一种阵列基板，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例一和实施例二提供的阵列基板。
该显示装置可以为液晶显示器、电子纸、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器等显示器件，以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件，其中的阵列基板的具体实施可以参照上述对阵列基板的描述，这里不再赘述。
上述显示装置中，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
实施例三
本发明实施例提供一种实施例一中阵列基板的制备方法，参见图5，主要步骤可以包括：
101、在衬底基板上形成第一导电层图案，第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极。
其中，衬底基板可以为康宁、旭硝子玻璃、石英玻璃等材质。第一导电层图案通常通过构图工艺形成，所谓的构图工艺可以包括：成膜、曝光、显影等工艺，当然可以进一步包括刻蚀、剥离等工艺。在本发明实施例中，构图工艺并不限于此，只要在衬底基板上能够形成第一导电层图案的工艺均应在本发明实施例的保护范围内。
可选地，在步骤101中，第一导电层图案还可以包括与公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。其中，公共电极通常为透明材料，而数据线、源极和漏极通常为同一金属材料。此时，步骤101可以采用以下任一种方案实现。
方案一、步骤101可以采用一次掩膜构图工艺完成，具体包括：在衬底基板上形成第一导电层，该第一导电层包括：依次形成的透明导电薄膜、金属薄膜。之后，在第一导电层上形成光刻胶、对第一导电层采用半色调或灰度掩膜板进行曝光、显影、刻蚀等工艺，得到第一导电层图案。需要强调的是，采用这种工艺形成的数据线、源极、漏极均包含两层，一层是靠近衬底基板的透明导电图案，另一层是位于透明导电图案上的金属图案。其中，透明导电薄膜可以是ITO等材料，金属薄膜可以是Al、Mo、Cr、Cu、Ti等材料。
方案二、步骤101可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括：(1)在衬底基板上形成透明导电薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案，该公共电极的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了公共电极的衬底基板上形成金属薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到数据线、源极、漏极的图案。之后，再通过剥离工艺将数据线、源极、漏极的图案，以及公共电极的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、数据线、源极、漏极的第一导电层图案。
需要说明的是，在进行步骤(2)时，由于步骤(1)中公共电极的图案上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
另外，采用两次掩膜构图工艺形成第一导电层图案的过程中，所使用的掩膜板可以是普通掩膜板(即仅包括透光、不透光区域的掩膜板)。这种掩膜板相对与半色调或灰度掩膜版的造价相对较低，可以节约成本。
方案三、步骤101可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括：(1)在衬底基板上形成金属薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到数据线、源极、漏极的图案，该数据线、源极、漏极的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了数据线、源极、漏极的图案的衬底基板上形成透明导电薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案。之后，再通过剥离工艺将公共电极的图案，以及数据线、源极、漏极的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、数据线、源极、漏极的图案的第一导电层图案。
与上述方案二同理，在进行步骤(2)时，由于步骤(1)中公共电极上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
在本步骤中，由于形成的第一导电层图案包括同层设置的公共电极、数据线、源极和漏极，因而可以节省将公共电极与数据线、源极和漏极异层设置时需要的绝缘层，从而简化了阵列基板的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。
102、形成覆盖第一导电层图案的绝缘层。
其中，这里的绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅及有机材料等绝缘材料。
103、在绝缘层上形成第二导电层图案，第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，像素电极位于像素区域内，屏蔽电极至少形成于衬底基板上对应数据线的区域，且与公共电极无电性连接。
在本步骤中，形成的第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，即像素电极与屏蔽电极同层设置，因而与像素电极和屏蔽电极异层设置相比，可以简化阵列基板的结构及工艺制备流程。其中，在同层设置像素电极和屏蔽电极时，同为电极的像素电极与屏蔽电极可以为同一材料，因而可以通过同一次构图工艺一起制作完成。
示例性的，通过本发明实施例提供的方法制备获得的阵列基板的结构示意图可以参见图2。其中，步骤102中的绝缘层可以为图2中的绝缘层08，漏极03a与像素电极04通过绝缘层08上的过孔09相连。
进一步地，屏蔽电极的宽度可以大于数据线的宽度，从而能够更好地屏蔽数据线信号的串扰。屏蔽电极还可以形成于衬底基板上对应栅线的区域，以便于屏蔽栅线信号的串扰。
在本发明实施例提供的阵列基板的制备方法中，由于分别形成的第一导电层图案中的公共电极和第二导电层图案中的屏蔽电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
实施例四
本发明实施例提供一种实施例二中阵列基板的制备方法，参见图6，主要步骤可以包括：
201、在衬底基板上形成第一导电层图案，第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极。
可选地，在步骤201中，第一导电层图案还可以包括与公共电极同层设置的公共电极线，和/或栅线、栅极，和/或用以连接公共电极和公共电极线的金属线。其中，公共电极通常为透明导电材料，而公共电极线、栅线、栅极以及金属线通常为同一金属材料。以第一导电层图案包括同层设置的公共电极、公共电极线、栅线、栅极以及金属线为例，步骤201可以采用以下任一种方案实现：
方案一、步骤201可以采用一次掩膜构图工艺完成，具体包括：在衬底基板上形成第一导电层，该第一导电层包括：依次形成的透明导电薄膜、金属薄膜。之后，在第一导电层上形成光刻胶、对第一导电层采用半色调或灰度掩膜板进行曝光、显影、刻蚀等工艺，得到第一导电层图案。需要强调的是，采用这种工艺形成的公共电极线、栅线、栅极以及金属线均包含两层，一层是靠近衬底基板的透明导电图案，另一层是位于透明导电图案上的金属图案。其中，透明导电薄膜可以是ITO等材料，金属薄膜可以是Al、Mo、Cr、Cu、Ti等材料。
方案二、步骤201可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括：(1)在衬底基板上形成透明导电薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案，该公共电极的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了公共电极的衬底基板上形成金属薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案。之后，再通过剥离工艺将公共电极线、栅线、栅极、金属线的图案，以及公共电极的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、公共电极线、栅线、栅极以及金属线的第一导电层图案。
需要说明的是，在进行步骤(2)时，由于步骤(1)中公共电极的图案上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
另外，采用两次掩膜构图工艺形成第一导电层图案的过程中，所使用的掩膜板可以是普通掩膜板(即仅包括透光、不透光区域的掩膜板)。这种掩膜板相对与半色调或灰度掩膜版的造价相对较低，可以节约成本。
方案三、步骤201可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括：(1)在衬底基板上形成金属薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案，该公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案的衬底基板上形成透明导电薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案。之后，再通过剥离工艺将公共电极的图案，以及公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、公共电极线、栅线、栅极以及金属线的图案的第一导电层图案。
与上述方案二同理，在进行步骤(2)时，由于步骤(1)中公共电极上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
在本步骤中，形成的第一导电层图案中包括同层设置的公共电极和公共电极线，和/或栅线、栅极，和/或用以连接公共电极和公共电极线的金属线，其中，公共电极与公共电极线同层设置可以使得同层设置的公共电极和公共电极线不需要通过过孔进行连接，从而简化了阵列基板的结构；而将公共电极和公共电极线，和/或栅线、栅极，和/或用以连接公共电极和公共电极线的金属线同层设置，可以节省异层设置时需要的绝缘层，进一步简化了结构和工艺制作流程，且有利于显示装置的轻薄化。
202、形成覆盖第一导电层图案的第一绝缘子层。
其中，这里的第一绝缘子层主要可以用于将第一导电层图案与其他导电图案绝缘，可以采用氧化硅、氮化硅及有机材料等绝缘材料。
203、在第一绝缘子层上形成第三导电层图案，第三导电层图案包括数据线、源极和漏极。
其中，第三导电层图案中同层设置的数据线、源极和漏极可以为同种材料，因而可以通过同一次构图工艺一起制作完成。
204、形成覆盖第三导电层图案的第二绝缘子层。
其中，这里的第二绝缘子层主要可以用于将第三导电层图案与第二导电层图案绝缘，可以采用氧化硅、氮化硅及有机材料等绝缘材料。
205、在第二绝缘子层上形成第二导电层图案，第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，像素电极位于像素区域内，屏蔽电极至少形成于衬底基板上对应数据线的区域，且与公共电极无电性连接。
其中，第二导电层图案中同层设置的公共电极和屏蔽电极可以为同种材料，因而可以通过同一次构图工艺一起制作完成。
示例性的，根据本发明实施例提供的制备方法制备获得的阵列基板的结构示意图可以参见图3，其中，第一绝缘层可以为图3中的栅绝缘层07，第二绝缘子层可以为图2中的绝缘层08，像素电极通过第二绝缘子层上的过孔09与漏极03a相连。
在本发明实施例提供的阵列基板的制备方法中，由于分别形成的第一导电层图案中的公共电极和第二导电层图案中的屏蔽电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线，其特征在于，还包括：
位于所述像素区域内的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极异层设置；
屏蔽电极，所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应所述数据线的区域，所述屏蔽电极与所述公共电极异层设置，且与所述像素电极、所述公共电极无电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述数据线同层设置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线同层设置，且所述公共电极线与所述公共电极电性连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述公共电极电性连接包括：
所述公共电极线与所述公共电极通过金属线电性连接。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极、所述公共电极线、所述栅线与栅极同层设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极还形成于所述衬底基板上对应所述栅线的区域。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一导电层图案，所述第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极；
形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二导电层图案，所述第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，所述像素电极位于所述像素区域内，所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应数据线的区域，且与所述公共电极无电性连接。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的公共电极线，和/或栅线、栅极，和/或用以连接所述公共电极和所述公共电极线的金属线。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层包括：依次形成覆盖所述第一导电层图案的第一绝缘子层和第二绝缘子层；
在形成所述第一绝缘子层之后，在形成所述第二绝缘子层之前，所述方法还包括：在所述第一绝缘子层上形成第三导电层图案，所述第三导电层图案包括数据线、源极和漏极。
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