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CN104834136A - 薄膜晶体管基板及显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管基板及显示装置 Download PDF

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CN104834136A
CN104834136A CN201510177213.6A CN201510177213A CN104834136A CN 104834136 A CN104834136 A CN 104834136A CN 201510177213 A CN201510177213 A CN 201510177213A CN 104834136 A CN104834136 A CN 104834136A
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thin film
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余文强
王明宗
柳智忠
郑亦秀
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Century Technology Shenzhen Corp Ltd
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Abstract

一种显示装置,该显示装置包括薄膜晶体管基板及与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板,该薄膜晶体管基板包括薄膜晶体管、第一公共电极线及存储电容线,该第一公共电极线设置于该显示装置的周边区中,该存储电容线位于该显示装置的显示区,该第一公共电极线及该存储电容线与该薄膜晶体管的栅极位于同一层中,且该第一公共电极线与该存储电容线直接连接。将周边区中靠近显示区的第一公共电极线与存储电容线制作于同一层中,减少桥接,降低线路桥接带来的阻抗和耦合电容,提高显示效果。

Description

薄膜晶体管基板及显示装置
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及显示装置。
背景技术
显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点,近年来得到了广泛的应用,已越来越多的走进人们的生活、工作中。显示装置通常包括层叠设置的薄膜晶体管基板、对向基板及夹于二者之间的液晶层。现行的显示装置,一般薄膜晶体基板上设置有多条纵横交错的扫描线及数据线交叉的电路、存储电容线及公共电极线,在周边区中的公共电极线与显示区中的存储电容线是制作于不同层中。
然而,由于公共电极线与存储电容线制作在不同层中,为了通过公共电极线向存储电容线中通入电压,公共电极线与存储电容线想要电连接需要通过导电材料进行桥接,工序复杂,且桥接的过程会增加导线之间的阻抗,甚至产生耦合电容。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种显示装置。
一种显示装置,该显示装置包括薄膜晶体管基板及与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板,该薄膜晶体管基板包括第一基底、薄膜晶体管、第一公共电极线及存储电容线,该薄膜晶体管、该第一公共电极线及该存储电容线设置于该第一基底上,该第一公共电极线设置于该显示装置的周边区中并靠近该显示装置的显示区,该存储电容线设置于该显示装置的显示区中,该第一公共电极线及该存储电容线与该薄膜晶体管的栅极位于同一层中,且该第一公共电极线与该存储电容线直接连接。
相较于现有技术,本发明的显示装置,将周边区中靠近显示区的第一公共电极线与存储电容线制作于同一层中,减少桥接,降低线路桥接带来的阻抗和耦合电容,提高显示效果。
附图说明
图1为本发明一较佳实施方式所提供的显示装置的示意图。
图2为图1中所示薄膜晶体管基板的平面示意图。
图3为图1中沿III-III所示的剖面示意图。
图4为图1中沿IV-IV所示的剖面示意图。
主要元件符号说明
显示装置 10、20
薄膜晶体管基板 11、21
对向基板 12、22
液晶层 13、23
粘结层 14、24
显示区 101
周边区 102
数据驱动电路 15
扫描驱动电路 16
供电电路 17
存储电容线 110、210
扫描线 111
数据线 112
薄膜晶体管 113、213
公共电极线 114、214
第一基底 115、215
像素区 116
像素电极 117、217
存储电容 1171
公共电极层 119、219
液晶电容 1172
第一公共电极线 1141、2141
第二公共电极线 1142、2142
栅极 1131、2131
栅极绝缘层 1132、2132
沟道层 1133、2133
源极 1134、2134
漏极 1135、2135
钝化层 118、218
接触孔 1181、2181
导电粒子 241
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,图1为本发明一较佳实施方式所提供的显示装置10的示意图。该显示装置10包括薄膜晶体管基板11、对向基板12、液晶层13(图3示)及粘结层14,该薄膜晶体管基板11与该对向基板12彼此相对设置,该液晶层13夹设于该薄膜晶体管基板11与该对向基板12之间,该粘结层位于该薄膜晶体管基板11及该对向基板12之间,用于粘结固定该薄膜晶体管基板及该对向基板12,该粘结层14呈一矩形框,并与该薄膜晶体管基板11及该对向基板12共同围成一收容空间,该液晶层13收容于上述收容空间中。该显示装置还包括位于该显示装置10中央位置的显示区101及呈具有四条边的矩形框状并围绕该显示区101的周边区102。本实施方式中,该粘结层14为一呈矩形框状的胶框。
请参同时阅图2,图2为图1所示的显示装置10的等效电路示意图。该显示装置还包括数据驱动电路15、扫描驱动电路16、供电电路17。该扫描驱动电路16用于接收该时序信号,并在该时序信号的控制下提供一系列扫描信号至该显示装置10。该数据驱动电路15用于接收该数据信号、时序信号及该极性反转控制信号,并在该显示装置10被扫描时输出多个灰阶电压至该显示装置10,该供电电路17用于向该显示装置10提供公共电压。
该薄膜晶体管基板11包括多条存储电容线110、多条扫描线111、多条数据线112、薄膜晶体管113、公共电极线114及第一基底115,该存储电容线110、该扫描线111、该数据线112、该薄膜晶体管113及该公共电极线114设置于该第一基底115上。多条该扫描线111彼此平行设置并沿第一方向延伸,其一端用于与扫描驱动电路16相连接,用于向该薄膜晶体管113传送扫描信号,多条该数据线112彼此平行设置并沿第二方向延伸,其一端用于与数据驱动电路15相连接,用于向该薄膜晶体管113传送数据信号,该扫描线111与该数据线112交叉设置,从而定义出像素区116,该薄膜晶体管113设置于该像素区116中,该薄膜晶体管113位于该扫描线111与该数据线112的交叉处,并分别与该扫描线111及该数据线112电连接。多条该存储电容线110彼此平行设置并沿第一方向延伸,该存储电容线110与该扫描线111平行设置,该存储电容线110与该公共电极线114电连接。本实施方式中,该第一方向与该第二方向垂直,但并不局限于此,在其他实施方式中,第一方向与第二方向也可以不垂直。
该薄膜晶体管基板11还包括像素电极117(图3示),该像素电极117也设置于该像素区116中,并与该薄膜晶体管113电性连接,该像素电极117与该存储电容线110之间形成存储电容1171,该像素电极117与该显示装置10的公共电极层119(图3示)之间形成液晶电容1172。
该公共电极线114对应设置于该周边区102中,该公共电极线包括第一公共电极线1141及第二公共电极线1142,该第一公共电极线1141及该第二公共电极线1142设置于该第一基底115上并对应位于该周边区102中,该第一公共电极线1141呈一口字形,并围绕该扫描线111、该数据线112及该薄膜晶体管113所形成的显示功能区,该第二公共电极线1142呈一门字形并位于该第一基底115的边缘与该第一公共电极线1141之间,该第二公共电极线1142位于该第一公共电极线1141远离该扫描线111及该数据线112的一侧,该存储电容线110与该第一公共电极线1141连接。
请同时参阅图3,图3为图1中III-III处所示的剖面示意图。该薄膜晶体管113包括栅极1131、栅极绝缘层1132、沟道层1133、源极1134及漏极1135,该栅极1131设置于该第一基底115上,该栅极绝缘层1132覆盖该第一公共电极线1141、该存储电容线110、该栅极1131及该第一基底115,该沟道层1133设置于该栅极绝缘层1132上并对应位于该栅极1131上方,该源极1134及该漏极1135相对设置于该沟道层1133的两端,该第二公共电极线1142位于该栅极绝缘层1132的上方。该像素电极117设置于该栅极绝缘层1132上并与该漏极1135电性连接。该薄膜晶体管基板11还包括钝化层118及公共电极层119,该钝化层118覆盖该薄膜晶体管113及该第二公共电极线1142,具体的,该钝化层118覆盖该第二公共电极线1142该栅极绝缘层1132、该沟道层1133、该源极1134、该漏极1135及该像素电极117,该公共电极层119设置于该钝化层118上并覆盖该钝化层118。本实施方式中,该像素电极117及该公共电极层119的材质相同,均采用透明导电材料氧化铟锡,但并不局限于此,在其他实施方式中,该像素电极117及该公共电极层119的也可以不同并选用其他的透明导电材料,如氧化铟锌等。
该第一公共电极线1141位于该栅极绝缘层1132与该第一基底115之间,该第一公共电极线1141与该栅极1131处于同一层,并与该栅极1131在同一道制程工序中使用相同材料制作而成。该第二公共电极线1142位于该栅极绝缘层1132及该钝化层118之间,该钝化层118包括接触孔1181,该接触孔1181位于该第二公共电极线1142上方以暴露出该第二公共电极线1142,该公共电极层119通过该接触孔1181与该第二公共电极线1142连接,该第二公共电极线1142用于向该公共电极层119传递公共电压,该第二公共电极线1142与该源极1134及该漏极1135处于同一层,并与该源极1134及该漏极1135在同一道制程工序中使用相同材料制作而成。该存储电容线110同样位于该栅极绝缘层1132与该第一基底115之间,该存储电容线110与该第一公共电极线1141及该栅极1131处于同一层,并与该栅极11731及该第一公共电极线1141在同一道制程工序中使用相同材料制作而成,该第一公共电极线1141用于向该存储电容线110传递公共电压。
请参阅图4,图4为本发明第二实施方式的显示装置20的剖面示意图。该显示装置20包括薄膜晶体管基板21、对向基板22、液晶层23及粘结层24,该薄膜晶体管基板21与该对向基板22彼此相对设置,该液晶层23夹设于该薄膜晶体管基板21与该对向基板22之间,该粘结层位于该薄膜晶体管基板21及该对向基板22之间,用于粘结固定该薄膜晶体管基板及该对向基板22,该粘结层24呈一矩形框,并与该薄膜晶体管基板21及该对向基板22共同围成一收容空间,该液晶层23收容于上述收容空间中。本实施方式中,该粘结层24为一呈矩形框状的胶框。
该薄膜晶体管基板21包括存储电容线210、薄膜晶体管213、公共电极线214、第一基底215及像素电极217。该存储电容线210、该薄膜晶体管213、该公共电极线214及该像素电极217设置于该第一基底215上。
该薄膜晶体管213包括栅极2131、栅极绝缘层2132、沟道层2133、源极2134及漏极2135,该栅极2131设置于该第一基底215上,该栅极绝缘层2132覆盖该栅极2131及该第一基底215,该沟道层2133设置于该栅极绝缘层2132上并对应位于该栅极2131上方,该源极2134及该漏极2135相对设置于该沟道层2133的两端。该像素电极217设置于该栅极绝缘层2132上并与该漏极2135电性连接。
该薄膜晶体管基板21还包括钝化层218及公共电极层219,该钝化层218覆盖该薄膜晶体管213,具体的,该钝化层218覆盖该栅极绝缘层2132、该沟道层2133、该源极2134、该漏极2135及该像素电极217。该公共电极层219设置于该对向基板22,并位于该对向基板22靠近该液晶层23的一侧。本实施方式中,该像素电极217及该公共电极层219的材质相同,均采用透明导电材料氧化铟锡,但并不局限于此,在其他实施方式中,该像素电极217及该公共电极层219的也可以不同并选用其他的透明导电材料,如氧化铟锌等。
该公共电极线214包括第一公共电极线2141及第二公共电极线2142,该第一公共电极线2141及该第二公共电极线2142设置于该第一基底215上。具体的,该第一公共电极线2141位于该栅极绝缘层2132与该第一基底215之间,该第一公共电极线2141与该栅极2131处于同一层,并与该栅极2131在同一道制程工序中使用相同材料制作而成。该第二公共电极线2142位于该栅极绝缘层2132及该钝化层218之间,该钝化层218包括接触孔2181,该接触孔2181位于该第二公共电极线2142上方以暴露出该第二公共电极线2142,该第二公共电极线2142用于向该公共电极层219传递公共电压,该第二公共电极线2142与该源极2134及该漏极2135处于同一层,并与该源极2134及该漏极2135在同一道制程工序中使用相同材料制作而成。该存储电容线210同样位于该栅极绝缘层2132与该第一基底215之间,该存储电容线210与该第一公共电极线2141及该栅极2131位于同一层,并与该栅极2131及该第一公共电极线2141在同一道制程工序中使用相同材料制作而成,该第一公共电极线2141用于向该存储电容线210传递公共电压。
该粘结层24中包括导电粒子241,该导电粒子241对应位于该接触孔2181上方,该第二公共电极线2142通过该导电粒子241与该公共电极层219电连接,并向该公共电极层219传递公共电压。
本发明的显示装置,将周边区中靠近显示区的第一公共电极线与存储电容线制作于同一层中,减少桥接,降低线路桥接带来的阻抗和耦合电容,提高显示效果。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种显示装置,该显示装置包括薄膜晶体管基板及与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板,该薄膜晶体管基板包括第一基底、薄膜晶体管、第一公共电极线及存储电容线,该薄膜晶体管、该第一公共电极线及该存储电容线设置于该第一基底上,该第一公共电极线设置于该显示装置的周边区中,该存储电容线设置于该显示装置的显示区中,其特征在于,该第一公共电极线及该存储电容线与该薄膜晶体管的栅极位于同一层中,且该第一公共电极线与该存储电容线直接连接。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该显示装置还包括第二公共电极线,该第二公共电极线设置于该第一基底上并位于该周边区中。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该第二公共电极线位于该第一公共电极线与该第一基底的边缘之间。
4.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该第二公共电极线与该薄膜晶体管的源极及漏极位于同一层中。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一公共电极线及该存储电容线与该栅极使用相同材料并在同一道制程工序中制作而成。
6.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,该第二公共电极线与该源极及该漏极使用相同材料并在同一道制程工序中制作而成。
7.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该对向基板包括第二基底及公共电极层,该公共电极层设置于该第二基底上,该公共电极层与该第二公共电极线电性连接。
8.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该薄膜晶体管基板还包括公共电极层,该公共电极层覆盖该薄膜晶体管,该公共电极层与该第二公共电极线通过一导电粒子电性连接。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该薄膜晶体管基板还包括沿第一方向延伸的扫描线、沿第二方向延伸的数据线、扫描驱动电路及数据驱动电路,该扫描线的一端与该扫描驱动电路连接,该数据线的一端与该数据驱动电路连接,该扫描线未与该扫描驱动电路连接的一端及该数据线位于该数据驱动电路连接的一端与该第一公共电极线在该第一基底上的投影不重叠。
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