Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

AT305376B - Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial

Info

Publication number
AT305376B
AT305376B AT291870A AT291870A AT305376B AT 305376 B AT305376 B AT 305376B AT 291870 A AT291870 A AT 291870A AT 291870 A AT291870 A AT 291870A AT 305376 B AT305376 B AT 305376B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
production
semiconductor material
hollow bodies
bodies
hollow
Prior art date
Application number
AT291870A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT305376B publication Critical patent/AT305376B/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
AT291870A 1969-04-02 1970-03-31 Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial AT305376B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691917016 DE1917016B2 (de) 1969-04-02 1969-04-02 Verfahren zur herstellung von hohlkoerpern aus halbleiter material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT305376B true AT305376B (de) 1973-02-26

Family

ID=5730194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT291870A AT305376B (de) 1969-04-02 1970-03-31 Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3751539A (de)
JP (1) JPS5010529B1 (de)
AT (1) AT305376B (de)
BE (1) BE748409A (de)
CH (1) CH509825A (de)
DE (1) DE1917016B2 (de)
FR (1) FR2038160A1 (de)
GB (1) GB1278361A (de)
NL (1) NL7002013A (de)
SE (1) SE364450B (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3950479A (en) * 1969-04-02 1976-04-13 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing hollow semiconductor bodies
US3865647A (en) * 1970-09-30 1975-02-11 Siemens Ag Method for precipitation of semiconductor material
US3979490A (en) * 1970-12-09 1976-09-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for the manufacture of tubular bodies of semiconductor material
BE789719A (fr) * 1972-05-16 1973-02-01 Siemens Ag Procede et dispositif de fabrication de corps creux en matiere semi-conductrice, en particulier des tubes en silicium
US4035460A (en) * 1972-05-16 1977-07-12 Siemens Aktiengesellschaft Shaped bodies and production of semiconductor material
US4034705A (en) * 1972-05-16 1977-07-12 Siemens Aktiengesellschaft Shaped bodies and production of semiconductor material
DE2229229A1 (de) * 1972-06-15 1974-01-10 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern
DE2253498A1 (de) * 1972-10-31 1974-05-02 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial
DE2322952C3 (de) * 1973-05-07 1979-04-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen
DE2340225A1 (de) * 1973-08-08 1975-02-20 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von aus halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren hohlkoerpern
DE2358053C3 (de) * 1973-11-21 1981-07-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2541215C3 (de) * 1975-09-16 1978-08-03 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von Siliciumhohlkörpern
DE2618293A1 (de) * 1976-04-27 1977-11-17 Papst Motoren Kg Kollektorloser gleichstrommotor
DE2740129A1 (de) * 1976-09-18 1978-03-23 Claude John Lancelot Hunt Verfahren und vorrichtung zur metallbedampfung
DE2847632A1 (de) * 1977-11-19 1979-05-23 Claude John Lancelot Hunt Vakuummetallisierungsvorrichtung
DE2800507A1 (de) * 1978-01-05 1979-07-19 Wacker Chemitronic Verfahren zum gasdichten verbinden hochreiner siliciumformteile
DE2908288B1 (de) * 1979-03-03 1980-01-17 Heraeus Schott Quarzschmelze Glocke aus Quarzglas fuer halbleitertechnologische Zwecke
US4332751A (en) * 1980-03-13 1982-06-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for fabricating thin films of pyrolytic carbon
US5110531A (en) * 1982-12-27 1992-05-05 Sri International Process and apparatus for casting multiple silicon wafer articles
DE3336712A1 (de) * 1983-10-08 1985-04-25 Siegfried 7970 Leutkirch Marzari Dunstrohr-entlueftungseinrichtung
US5181964A (en) * 1990-06-13 1993-01-26 International Business Machines Corporation Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor
CN101218175A (zh) * 2005-04-10 2008-07-09 瑞科硅公司 多晶硅的制备

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5010529B1 (de) 1975-04-22
DE1917016A1 (de) 1971-01-28
SE364450B (de) 1974-02-25
FR2038160A1 (de) 1971-01-08
US3751539A (en) 1973-08-07
DE1917016B2 (de) 1972-01-05
NL7002013A (de) 1970-10-06
CH509825A (de) 1971-07-15
BE748409A (fr) 1970-10-02
GB1278361A (en) 1972-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT305376B (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial
AT292998B (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus thermoplastischem Kunststoff
CH534710A (de) Verfahren zur Herstellung von Formkörpern
CH537213A (de) Verfahren zur Herstellung von eingekapselten Stoffen
CH544093A (de) Verfahren zur Herstellung von O-Acyl-lysergolen
AT316852B (de) Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus vernetzbaren Thermoplasten
AT300371B (de) Verfahren zur Herstellung von Polyurethanen
AT305417B (de) Verfahren zur Herstellung von Schaltkreisen
CH531026A (de) Verfahren zur Herstellung von Formkörpern
CH543553A (de) Verfahren zur Herstellung von Poly-amid-imid-estern
CH522956A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiter-Anordnung
AT322848B (de) Verfahren zur herstellung von formkörpern aus polyamiden
AT306715B (de) Verfahren zur Herstellung von ω-Lactamen
AT277581B (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Polyamiden
AT306105B (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial
AT297930B (de) Verfahren zur Herstellung von modifizierten Allergenmaterialien
AT300840B (de) Verfahren zur Herstellung von Organo-H-silanen
CH544808A (de) Verfahren zur Herstellung von Negamycin
CH543487A (de) Verfahren zur Herstellung von Adamantylharnstoffen
CH557314A (de) Verfahren zur herstellung von alkanonen aus olefinen.
CH522012A (de) Verfahren zur Herstellung von Polyurethanen
CH494087A (de) Verfahren zur Herstellung von Lochkörpern
CH497425A (de) Verfahren zur Herstellung von B-Picolin
CH504530A (de) Verfahren zur Herstellung von Cytidin-diphosphat-cholin
CH544758A (de) Verfahren zur Herstellung von Lysergolen