TUGAS ELEKTRONIKA DASAR 1

FET DAN MOSFET

DISUSUN OLEH

NAMA : JUDEANTO EDY

NIM : 16505040

KELAS :A

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MANADO
 A. PENGERTIAN FET

Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah komponen Elektronika aktif yang
menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect Transistor
(FET) dalam bahasa Indonesia disebut dengan Transistor Efek Medan. Dikatakan Field Effect atau
Efek Medan karena pengoperasian Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik)
yang terdapat pada Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong
dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain
(D) dan Source (S). FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan
operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada
transistor dwikutub BJT).

B. FUNGSI FET

Fungsinya adalah untuk menaikkan tegangan atau menurunkan tegangan.

biasanya digunakan pada rangkaian power supply jenis switching untuk menghasilkan tegangan
tinggi untuk menggerakkan trafo.

Gambar Symbol FET

 C. KELEBIHAN DAN KEKURANGAN FET
a. Kelebihan FET (Field Effect Transistor)
Dibandingkan dengan BJT, FET memiliki beberapa kelebihan diantaranya adalah:

1. hambatan dalam input sangat besar, yaitu sekitar ~ 106 untuk JFET (Junction
FET) dan ~ 108 untuk MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
2. noisenya kecil, karena karena pembawa muatan pada FET tidak melewati hubungan
p-n sama sekali.
3. densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk rangkaian integrasi lebih padat
4. lebih stabil terhadap suhu

b. Kekurangan FET (Field Effect Transistor)

Disamping itu kekurangan FET dibandingkan dengan BJT adalah:

1. kecepatan switchingnya lebih rendah/lambat

2. tidak mampu menanggani daya besar, walaupun saat ini sudah ada FET yang
mampu bekerja untuk daya besar.

D. KARAKTERISTIK FET
Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir sama
dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar terdapat beberapa
perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa
dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET
arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga
resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.

Transistor efek medan,FET,field effect transistor,transistor FET,teori FET,teori transistor

efek medan,definisi FET,definisi field effect transistor,pengertian transistor FET,karakteristik
FET,jenis FET,keluarga FET,keunggulan FET Disamping itu, FET lebih stabil terhadap
temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar,
sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran
pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari
pada transistor bipolar. Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan
kata lain penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang
lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar.

E. PENGERTIAN MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan
semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari
ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N
(NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon ini yang akan digunakan sebagai
landasan (substrat) penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor
ini dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silicon yang
sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri kanal, sehingga transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi daya yang rendah.

Simbol Transistor MOSFET Mode Depletion

(a). N-Channel Depletion (b). P-Channel Depletion
MOSFET pada dasarnya terdiri dari 2 tipe yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.
a. MOSFET TIPE N
MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS. Berikut dibawah
ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe N.

b. MOSFET TIPE P

MOSFET tipe P biasanya disebut dengan PMOSFET atau pMOS. Dibawah ini
Gambar MOSFET TIPE N beserta symbolnya
adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.

Gambar MOSFET TIPE P beserta symbolnya

F. KARAKTERISTIK MOSFET

Grafik karakteristik MOSFET (NMOS) arus ID sebagai fungsi VDS dengan parametr VGS
ditunjukkan dalam Gambar 5. Pada MOSFET terdapat tiga daerah operasi yaitu daerah cut-off,
linear dan saturasi. Pada daerah cut-off, tegangan gerbang lebih kecil dari tegangan ambang,
sehingga tidak terbentuk saluran, dan arus tidak dapat mengalir (ID = 0). Pada daerah linear, pada
awalnya gerbang diberi tegangan hingga terbentuk saluran. Apabila drain diberi tegangan yang
kecil, maka elektron akan mengalir dari source menuju drain atau arus akan mengalir dari drain
ke source. Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu tahanan, sehingga arus drain
(ID) akan sebanding dengan tegangan drain.

Apabila tegangan drain tersu ditingkatkan hingga tegangan pada gate menjadi netral, lapisan
inversi saluran pada sisi drain akan hilang, dan mencapai suatu titik yang disebut titik pinch-off.
Pada titik pinch-off ini merupakan permulaan dari daerah kerja saturasi. Apabila melebihi titik ini,
peningkatan tegangan drain tidak akan mengubah arus drain, sehingga arus drain tetap (konstan).

Grafik karakteristik MOSFET arus ID sebagai gungsi VDS dengan parameter VGS

G. KEGUNAAN MOSFET
MOSFET tipe pengosongan dapat digunakan sebagai penguat penyangga (bufferamplifier) yang
hamper ideal karena gerbangnya terisolasi sehingga sehingga resistansimasuk mendekati tak
terhingga. Selanjutnya, MOSFET mempunyai sifat-sifat derau rendahyang amat baik. Beberapa
MOSFET merupakan alat gerbang-dual (dual-gate). Hal ini berarti bahwa alat ini mempunyai dua
gerbang terpisah. Salah satu penggunaan alat seperti ini adalahuntuk membangun penguat
kaskode. Biasanya penguat kaskode digunakan dalam rangkaian-rangkaian RF.MOSFET tipe
peningkatan telah membuat pengaruh yang paling besar padarangkaian-rangkaian digital. Salah
satu alasannya ialah karena kebutuhan daya yang rendah.Alasan lainnya ialah karena luas ruangan
dibutuhkan pada sebuah serpihan (chip) kecil.Dengan kata lain pabrik dapat meletakkan lebih
banyak transistor MOS pada sebuah serpihandaripada transistor bipolar. Inilah alasannya mengapa
MOSFET digunakan pada perpaduaskala-bear untuk mikroprosesor, memori, dan alat-alat lain
yang membutuhkan ribuantransistor pada sebuah sebuah serpihan.
Kegunaan umum mosfet pada rangkaian elektronika:
1. Sebagai Penguat, Contoh : Amplifier Audio
2. Sebagai Pembangkit, Contoh : Pada Pemancar Radio
3. Sebagai Saklar, Contoh : Pada Rangkain Inverter DC-AC
4. Sebagai Pencampur , Contoh : Pada rangkain Mixer Radio.

DAFTAR PUSTAKA

http://www.sandielektronik.com/2014/06/transistor-fet.html (diakses pada tanggal 24 oktober

2017 pukul 16.34)

https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan(diakses pada tanggal 24

oktober 2017 pukul 16.36)

http://teknikelektronika.com/pengertian-field-effect-transistor-fet-dan-jenis-jenisnya/(diakses
pada tanggal 24 oktober 2017 pukul 16.45)

http://elkatechno.blogspot.co.id/2016/12/penjelasan-dan-karakteristik-field.html(diakses pada
tanggal 24 oktober 2017 pukul 16.48)

http://elektronika-dasar.web.id/tag/karakteristik-fet/ (diakses pada tanggal 24 oktober 2017 pukul

16.490029
http://hasanbasri93.blogspot.co.id/2014/01/pengertian-field-effect-transistor-dan.html (diakses
pada tanggal 24 oktober 2017 pukul 15.13)