Examen Electronique Industrielle Variante 11
Examen Electronique Industrielle Variante 11
Examen Electronique Industrielle Variante 11
Exercice 1
Le condensateur étant chargé à 5 V, on ferme ensuite K. 56 k
Au bout de combien de temps la tension UC = 2 V. K C
UC
Quelle est la valeur de IC en ce moment. 470 nF
Exercice 2
Soit le montage suivant ci-dessous (à t = 0, UC = 5 V) :
R
47 k
E C
UC
100 nF
Calculer les valeurs de Uc aux instants : t1, t2, t3, t4, t5. Compléter le chronogramme de Uc.
Exercice 3
On désire effectuer la remise à 0 d’un circuit, lors de la mise sous tension.
Vdd
Pour cela, on utilise le montage ci-dessous.
Le circuit intégré est en technologie CMOS. R
10 k
Le courant entrant dans l’entrée RESET est nul.
RESET Circuit intégré
L’entrée RESET est active au niveau logique bas. CMOS
Exercice 4
Un transistor NPN est alimenté sous une tension 9 V.
On donne : RV = 50 , VCE_sat = 0,2 V, VBE = 0,7 V
200 < < 300 et la tension de commande VOH = 5 V.
On prend un coefficient de sécurité de 2, pour
être sur que le transistor sera bien saturé.
Calculer la valeur de la résistance Rb ?
Attention : la tension VCE_sat est proche de 0 mais pas nulle
(VCE_sat 0,2 V).
Exercice 6
5V
Les caractéristiques du transistor bipolaire utilisé sont :
RC
VBE_sat = 0,7 V ; VCE_sat = 0,2 V ; 70 < < 300
On suppose IC 0 lorsque le transistor est bloqué. La LED présente
une tension VF de l’ordre de 1,8 V.
IC
La tension de commande « e » est une tension carrée 0V / 5V. RB
IB
En déduire la valeur que doit présenter RC pour que le courant dans
Circuit TTL
la LED soit de l’ordre de 10 mA lorsque le transistor est saturé. e
Déterminer la valeur limite de RB qui permet de saturer le transistor,
de manière certaine, avec un coefficient de sursaturation supérieur
ou égal à 2.
Exercice 7
De façon à commander en tout ou rien une charge résistive de 10 sous 300 V, 300 V
on veut mettre en œuvre le transistor MOS ci-contre.
Lorsque le transistor MOS fonctionne en zone ohmique (VDS = RDS x ID), R = 10
il se comporte comme une résistance RDS 0,1 .
ID
Calculer dans ce cas, les valeurs de ID et de VDS. D
G VDS
VGS S
Exercice 1 : Corrigé
dU C i
Dans ce cas : 0 U C U R et donc : 0 U C RC
dt
t
t
UC C
La solution de cette équation est : UC E e RC
5 e RC
UR
t
R
On cherche alors : 2 5 e RC
Exercice 2 : Corrigé
t
Dans le cas général, U C A B e RC
t
à t0 = 0 : on a la tension UC(t0) = E = 5 V et donc U C 5 e RC
( équation de la décharge)
3
-2.10
47.103.100.109
t1
de t0 à t1 = 2 ms : on a la tension U C(t1) 5 e RC
5 e 3,267 V
Exercice 5 : Corrigé
1. Lorsque que Ve sera à 0 V, IB = 0 A, le transistor sera bloqué, le relais (une bobine) ne sera pas
actif.
2. Quand Ve sera à 10V il faut que le transistor conduise pour que le relais soit actif.
On part de la sortie : IC = Irelais = 55 mA
Calcul de IB : comme IC = β × IB alors IB = IC / β = 55.10-3 / 150 = 3,67.10-4 A
On applique un coefficient de sursaturation de 2 : IBsat=2 × 3,67.10-4 = 7,33.10-4 A
Équation de la maille d'entrée: VBE+VRb-Ve=0 c'est-à-dire VBE+(Rb × IBsat) - Ve = 0
Exercice 6 : Corrigé
Lorsque le transistor est saturé : e 5 V , VBE sat 0,7 V , VCE sat 0 et VF 1,8 V , donc
VRc 5 1,8 0 3,2 V avec I c 10 mA .
3,2
On en déduit que RC 320
0,01
I
Pour que le transistor soit saturé, il faut I B C .
Pour que la relation soit toujours vérifiée, quelque soit 70 300 , il faut considérer le cas le plus
défavorable :
I
Il faut prendre I B C .
min
4,3 4,3
Loi d’Ohm : I B 286 A R B R B 15 k
RB 286.10 6
Exercice 7 : Corrigé
300 V
iD VGS = constante
R = 10
ID
D 29,7A
RDS
G 0,1 VDS
0 vDS
VGS S
V DS R DS .I D 2,97 V .