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    Génie Electrique UNB

    TD 3 d’électronique : Transistor bipolaire


    Exercice 1
    On considère le circuit électrique suivant :

    On notera RE = RE1 + RE2 et RB = R1 // R2 .


    Le transistor a les paramètres suivants : h11 = 1 K Ω, h21 = 100 et h12 = h22 = 0.
    Les résistances ont les valeurs suivantes : RE = 1 K Ω, R1 = 180 K Ω, R2 = 15 K Ω et RC =
    RL = 4,7 K Ω.
    On donne : Vcc = 20 V , CE = 220 µF et C1 = C2 = 100 µF .

    1. Représenter le schéma équivalent du transistor seul.


    2. la fréquence d’étude étant f0 = 1 KHz, calculer les modules des impédances des condensateurs
    C1 , C2 et C3 à cette fréquence.
    3. Établir le schéma équivalent de l’étage complet.
    4. Calculer l’amplification en tension Av , l’amplification en courant Ai ainsi que l’impédance
    d’entrée Ze et de sortie Zs .
    5. Le condensateur CE est à présent branché au point E1 .
    a. Donner le nouveau schéma équivalent de l’étage complet.

    Exercice 2
    Dans le montage de la figure ci-dessous, le transistor bipolaire T utilisé est défini par ses
    paramètres hybrides en émetteur commun suivants : r = 1 kΩ ; β = 100 ; γ = 0 ; et ρ = ∞.
    Pour le point de fonctionnement choisi, on a relevé les valeurs suivantes : IC o = 10 mA ; VC E0
    = 5 V ; IB0 = 100 µA ; VBE0 = 0,7 V . La tension aux bornes de la résistance RE est égale à
    2 V et le courant Ip qui traverse la résistance R2 est égale à 10IB0 . Le montage est alimenté
    sous une tension continu de 12 V. En régime alternatif, les impédances des condensateurs sont
    supposées négligeables. On donne aussi : Rg = 1 kΩ et Ru = 500 Ω.
    1-Déterminez les résistances de polarisation du montage. Déterminer la droite de charge en
    continu. On supposera que IC 0 » IB0
    2-Faites le schéma équivalent du montage en régime dynamique.
    3- Calculez les amplifications en courant et en tension du montage.
    4-Calculez les impédances d’entrée et de sortie du montage.

    1
    Exercice 3
    On considère le montage amplificateur suivant dans lequel le transistor
    utilisé est défini par les paramètres suivants : h11 = 100Ω et β = 150.
    A. Etude statique
    Le point de repos est défini par : IC0 = 75mA, VCE0 = 7,5V, VBE0 = 0,7V
    et Vcc=15V.
    1) Calculer la résistance RE
    2) Calculer les résistances RB1 et RB2 en admettant que le courant Ip
    traversant RB1 est Ip = 10IB0
    B. Etude dynamique
    On utilise le montage en régime dynamique petits signaux et on néglige
    l’influence des condensateurs à la fréquence de fonctionnement.
    1) Donner le schéma équivalent du montage amplificateur
    2) Calculer l’amplification en courant Ai = is/ie (RL = 100Ω)
    3) Calculer la résistance d’entrée du montage vue des bornes B et M.
    C. Etude statique
    On associe le transistor T ci‐dessus à un transistor T’ (figure ci‐
    contre) dont les paramètres sont : h’11 = 5,7kΩ et β’ = 100.
    1) Calculer les résistances R’B1 et R’B2 afin que le point de repos de
    T
    soit inchangé. On admettra que I’p = 10I’B0 (I’p: courant traversant
    R’B1) et VB’E’ = 0,7V.
    D. Etude dynamique
    Les hypothèses de fonctionnement sont les mêmes qu’en B).
    1) Donner le schéma équivalent du montage.
    2) Calculer la résistance d’entrée du montage vue des bornes B’ et
    M.
    3) Calculer la résistance de sortie du montage
    4) Calculer l’amplification en courant A’i = is/ie.
    Conclusions sur la nature de ce montage amplificateur ?

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