Este documento describe los diferentes tipos de memoria en computadoras, incluyendo memorias de solo lectura (ROM, PROM, EPROM, EEPROM), memorias de lectura y escritura volátiles (SRAM, DRAM), y las diferentes configuraciones de DRAM como SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. También cubre módulos de memoria como SIMM, DIMM y SODIMM, y las tendencias actuales hacia memorias más rápidas y de menor consumo.
0 calificaciones0% encontró este documento útil (0 votos)
5 vistas22 páginas
Este documento describe los diferentes tipos de memoria en computadoras, incluyendo memorias de solo lectura (ROM, PROM, EPROM, EEPROM), memorias de lectura y escritura volátiles (SRAM, DRAM), y las diferentes configuraciones de DRAM como SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. También cubre módulos de memoria como SIMM, DIMM y SODIMM, y las tendencias actuales hacia memorias más rápidas y de menor consumo.
Este documento describe los diferentes tipos de memoria en computadoras, incluyendo memorias de solo lectura (ROM, PROM, EPROM, EEPROM), memorias de lectura y escritura volátiles (SRAM, DRAM), y las diferentes configuraciones de DRAM como SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. También cubre módulos de memoria como SIMM, DIMM y SODIMM, y las tendencias actuales hacia memorias más rápidas y de menor consumo.
Este documento describe los diferentes tipos de memoria en computadoras, incluyendo memorias de solo lectura (ROM, PROM, EPROM, EEPROM), memorias de lectura y escritura volátiles (SRAM, DRAM), y las diferentes configuraciones de DRAM como SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. También cubre módulos de memoria como SIMM, DIMM y SODIMM, y las tendencias actuales hacia memorias más rápidas y de menor consumo.
Descargue como PPTX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
Descargar como pptx, pdf o txt
Está en la página 1de 22
TIPOS DE MEMORIA
Las distintas memorias, de las cuales veremos sus
características y funcionamiento a continuación, se clasifican atendiendo a la posibilidad de Lectura / Escritura de la memoria: SOLO LECTURA (Programables): No volátiles, no pierden la información en ausencia de alimentación. ROM: READ ONLY MEMORY. PROGRAMADA POR MÁSCARA. PROM. PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY. Sólo se puede programar una vez, fundiendo sus fusibles (es decir, el proceso es irreversible). EPROM: EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). EEPROM: ELECTRICALLY ERASABLE PROM). Memorias EPROM, con posibilidad de borrado eléctrico. TIPOS DE MEMORIA LECTURA Y ESCRITURA: Volátiles, pierden la información en ausencia de alimentación. RAM: RANDOM ACCESS MEMORY: SRAM: estáticas. Empleadas en las memorias caché. DRAM: dinámicas. Memoria principal RAM. CARACTERÍSTICAS Y FUNCIONAMIENTO Un parámetro de gran importancia de las memorias accesibles por dirección es la velocidad de respuesta ante la petición de un dato o instrucción. Usualmente se utilizan los siguientes parámetros relacionados con la velocidad: Ciclo de reloj: frecuencia que marca los tiempos y la velocidad de funcionamiento de la circuitería interna de la memoria. Habitualmente medido en MHz o GHz. Tiempo de ciclo, tc. Es el tiempo mínimo entre dos lecturas sucesivas. Dependerá del ciclo de reloj que emplee la unidad de memoria. CARACTERÍSTICAS Y FUNCIONAMIENTO Ancho de banda, AB. Es el número de palabras que se transfieren entre memoria y la CPU por unidad de tiempo: Se mide habitualmente en Mb/s o Gb/s. Tiempo de acceso, ta. Es el tiempo máximo que se tarda en leer (tiempo de acceso de lectura) o escribir (tiempo de acceso de escritura) el contenido de una posición de memoria. Latencia CAS: número de ciclos de reloj a partir del tiempo que la petición de datos es enviada a la posición de memoria actual hasta que los datos sean transmitidos del módulo. MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) PURAS (ROM). Sus características principales son: Sólo permiten lectura. La información que poseen se graba en el proceso de fabricación Son de acceso aleatorio Permanentes (NO VOLATILES). MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY): La PROM sólo se puede programar una vez, fundiendo sus fusibles (es decir, el proceso es irreversible). Los datos los define el usuario. Económicas en baja producción. La programación es rápida, usando un dispositivo llamado programador. MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE ROM). Memorias PROM, programables eléctricamente. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. El dispositivo puede borrarse y programarse muchas veces. Las EPROMs son más caras que las ROMs para bajos volúmenes de producción. MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE PROM). Memorias EPROM, posibilidad de borrado eléctrico. El tiempo de borrado es inferior al de las EPROMs. No se necesitan rayos ultravioleta para borrar. Basta la tensión eléctrica. La programación y el borrado repetidos de celdas causan daños a las capas aislantes. MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM) Las EEPROMs de tipo FLASH permiten borrar toda la matriz de celdas simultáneamente (en un “flash”), usando campos de menor intensidad, por lo que solventan algunos problemas de las EEPROM convencionales. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) SRAM (Memoria de acceso aleatorio estática), se implementan con biestables, mantienen los datos mientras se les suministra corriente. Sus principales características son: Permiten operaciones de lectura y escritura. Direccionamiento aleatorio. Volátiles, pero no necesitan refresco. Más caras y de mayor tamaño que las DRAM. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM (Memoria de acceso aleatorio dinámica), usa tecnología MOS y CMOS haciendo uso de condensadores, necesitan refresco para que conserven la información. Sus principales características son: Permiten operaciones de lectura y escritura. Direccionamiento aleatorio. Volátiles y requieren refresco. Más económicas y de mayor tamaño que las SRAM. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM Presentan una velocidad de evolución vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas configuraciones: FPM (Fast Page Mode, Modo de búsqueda rápida), obsoleta, acelera la búsqueda de los datos en memoria, elimina la búsqueda del RAS en lecturas múltiples de la misma fila de datos EDO (Extended Data Output, Salida de datos extendida), obsoleta, mejora entre 5-20% con respecto a la FPM. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM Presentan una velocidad de evolución vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas configuraciones: SDRAM (DRAM Sincronizada). se producen cambios en el diseño con respecto a FPM o EDO, trabajan a la misma velocidad que el bus del procesador, ya que utilizan una entrada de reloj para sincronizarse con el bus de datos. RDRAM, La RAMBus o RDRAM fue un paso revolucionario de la SDRAM, tecnología propietaria de Rambus con alto coste de fabricación. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM Presentan una velocidad de evolución vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas configuraciones: DDR SDRAM, DDR son las siglas para Doble Tasa de Transferencia de Datos, y es la memoria que evoluciona de la SDRAM. DDR2, mejoran sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM Presentan una velocidad de evolución vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas configuraciones: DDR3, hace transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las versiones DDR2. Disminución global del consumo eléctrico. DDR4, ventajas en comparación con DDR2 y DDR3, tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos, con menor voltaje. MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA (RAM) DRAM Presentan una velocidad de evolución vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas configuraciones: GDDR, utilizado en las tarjetas gráficas de alto rendimiento, última versión GDDR5 VRAM (RAM Video), diseñadas para construir memorias de refresco de terminales gráficos. Pueden ser accedidas simultáneamente por el monitor y el hardware de la placa grafica (RAMDAC). SGRAM (RAM síncrona para gráficos), basada en SDRAM, acelera algunas funciones. MODULOS DE MEMORIA Comercialmente las memorias se suministran en pequeñas tarjetas de circuito impreso denominados módulos de memoria, que agrupan varios circuitos integrados y que se insertan directamente en las regletas de conectores de las placas bases comerciales. MODULOS DE MEMORIA Las pastillas de memoria se suelen emplear empaquetadas en módulos: MODULOS DE MEMORIA Las pastillas de memoria se suelen emplear empaquetadas en módulos: SIMM (Single Inline Memory Module). Que puede contener 8 chips de 32 o 64 Mbits cada uno totalizando un módulo con una capacidad total de 32 o 64 MBytes, respectivamente. Hay versiones con conectores de 30 o 72 contactos, según sea de 8 o 32 bits el ancho de la palabra. (DRAM – FPM). MODULOS DE MEMORIA Las pastillas de memoria se suelen emplear empaquetadas en módulos: DIMM (Dual Inline Memory Module). Los contactos están por las dos superficies de la tarjeta. Es capaz de leer datos de 64 bits. Estos módulos se utilizan con los primeros chips SDRAM, existiendo en la actualidad módulos DIMM de 184 y 240 contactos para las memorias SDRAM de tipo DDR, DDR2 y DDR3, respectivamente. MODULOS DE MEMORIA Las pastillas de memoria se suelen emplear empaquetadas en módulos: SODIMM (Small Outline – DIMM) son módulos miniaturizados que realizan funciones análogas a las anteriores y que han sido ideados para portátiles y pequeños equipos. RIMM (Rambus In Line Memory Module), con 232 pines, pero con asignación de pines distinta, y se usa con módulos de las memorias RDRAM. Incluyen un radiador metálico para disipar mejor el calor. TENDENCIAS ACTUALES La principal evolución supuso el sincronizar con el reloj sus operaciones, llegando a operar a altas frecuencias (2-3 GHz). En la actualidad las DDR3 y DDR4 y sus variantes especificas en gráficos GDDR5 son las más utilizadas, consiguiendo alto rendimiento con tensiones cada vez más bajas de poco más de un voltio. En los procesadores se implementan memorias cache por cada núcleo dividida en zona de instrucciones y de datos. Además, se incluyen cache de mayor tamaño compartida que agiliza el rendimiento.