Nature">
Trabajo de Quimica
Trabajo de Quimica
Trabajo de Quimica
DE PIURA
Facultad De Ingeniería De Minas
Escuela De Ingeniería De Minas
PARTICIPANTES
PROFESOR
• El característico brillo metálico es también una consecuencia de la existencia de electrones libres que
pueden absorber y emitir luz de diversas frecuencias.
TEORÍA DE BANDAS
Un tratamiento mucho más riguroso del enlace metálico se hace aplicando la ecuación de Schrödinguer a la
distribución de red descrita más arriba. Al hacerlo la dificultad mayor estriba en calcular la energía potencial del
conjunto.
El resultado final es que existen zonas en las que la distribución de energía es aproximadamente continua.
(llamadas bandas) y zonas con valores de energía prohibidos.
• En los conductores la última banda no está completamente llena, así electrones con una ligerísima excitación (la
zona prohibida, o banda gap, es muy estrecha) pueden ocupar esa zona adquiriendo la movilidad propia de los
conductores.
• En los aislantes la banda vacía más próxima (banda de conducción) tiene una energía muy alta, ya que
está separada por un banda gap muy extensa. Solamente podrán saltar electrones si se les comunica
una energía considerable (voltajes elevados). Estamos en presencia de un aislante.
• En los semiconductores (intrínsecos) la banda de conducción está próxima en energía a la banda de
valencia (última ocupada). Los electrones necesitan una excitación moderada para acceder a la banda
de conducción.
También existen los llamados semiconductores extrínsecos los cuales tienen propiedades conductoras debido a los
defectos que presentan en la red metálica. Estos defectos son, a menudo, impurezas (en muchas ocasiones
introducidas a propósito).
El semiconductor más característico es el silicio. Cuando en la red de silicio se introducen impurezas de fósforo (la
operación de introducir impurezas se denomina "dopado"), los átomos de fósforo ocupan algunos de los lugares de
los de silicio en la red, pero el electrón que tienen en exceso (cinco electrones en la capa de valencia por cuatro del
silicio) permanece deslocalizado confiriendo al silicio dopado propiedades semiconductoras.