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Práctica Polarización Por Divisor de Tensión

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POLARIZACIN POR DIVISOR DE TENSIN

Resumen y objetivo: Analizar los efectos de variar


correspondiente a un transistor que est polarizado mediante
divisor de tensin.

En este caso los clculos correspondientes al circuito


simulado en esta actividad son los siguientes:

I. TEORA
En los circuitos de polarizacin de un transistor
comnmente la corriente de polarizacin y el voltaje son
funciones de la ganancia de corriente b del transistor. Sin
embargo, como b es sensible a la temperatura, sobre todo
si se trata de transistores de silicio, y como el valor real
de beta en general no est muy bien definido, conviene
desarrollar un circuito de polarizacin que dependa
menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta
del transistor. La configuracin de polarizacin por
medio del divisor de voltaje, como el que se muestra en
la

Comencemos hallando Ic:


Luego encontramos IE y VE:
Hallando Vcc:
Ahora hallando VCE:
Encontremos VB:

figura 1, es el circuito que buscamos.


Si se analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los
cambios en beta es muy pequea. Si los parmetros del
circuito se seleccionan apropiadamente, los niveles
resultantes de ICQ y VCEQ son casi totalmente
independientes de beta. Recuerde que el nivel fijo de ICQ
y VCEQ define un punto Q. El nivel de IBQ cambiar con el
cambio en beta, pero el punto de operacin en las
caractersticas definido por ICQ y VCEQ puede permanecer
fijo si se emplean los parmetros de circuito correctos.
Las ecuaciones para obtener ICQ y VCEQ.

Por ltimo hallando R1:

II. SIMULACIN
Con los valores conocidos y los encontrados mediante el uso
de las ecuaciones correspondientes a la polarizacin de un
transistor mediante divisor de voltaje procedimos a simular el
circuito mostrado en la figura 2 en ORCAD.

III. RESULTADOS EXPERIMENTALES


Debido a que en esta prctica solo se realiz con
procedimiento de simulacin, por esta ocasin no hay
resultados de experimentos.
IV. ANLISIS DE RESULTADOS

Primero utilizamos el valor de = 100 obteniendo los


siguientes resultados, mostrados en la figura 3.
Posteriormente se procedi a realizar un cambio en , donde el
nuevo valor correspondiente a este parmetro es = 259,
obteniendo los resultados mostrados en la figura 4.

Uno de los objetivos principales de esta prctica, era el de


familiarizarse con el software de simulacin de la compaa de
Orcad. Este simulador permite hacer y analizar diseos con
transistores del tipo BJT y cambiarle sus propiedades
particulares como el valor de ; esto para fines demostrativos.
As pues se comenz entonces el diseo de un circuito con
este tipo de transistor en su configuracin de divisor de
tensin, para el cual ya se haba hecho el anlisis analticoterico y se obtuvieron resultados con un valor de dado.
Seguido de esto, se cambi el valor de por otro diferente y se
registraron los valores obtenidos.
Se encontr primero en el anlisis terico que los resultados,
tanto en voltajes de salida, como en corrientes de mallas, los
resultados no variaban por mucho. Quiz en el orden de
centsimas despus del punto decimal. Lo anterior comprueba
entonces lo establecido por la teora, que afirma que en esta
configuracin de polarizacin por divisor de tensin; un
cambio en no altera por mucho los valores en los resultados.
Lo cual vuelve esta configuracin muy til para la
implementacin prctica.

V. CONCLUSIONES
Las diferentes configuraciones en el transistor de tipo BJT
ofrecen a su vez una amplia variedad de opciones en base a la
aplicacin en que se est trabajando. Notablemente es claro
que entre estas configuraciones resalta la de divisor de tensin,
que ofrece un diseo sencillo, de fcil anlisis y adems con
una variacin (casi despreciable) de alrededor del 10% o
menos al cambiar los valores nominales de .
Se esperaba, y fue este el caso; comprobar los resultados que
ya se haban obtenido del clculo analtico. Al comparar los
valores tericos con los nuevos obtenidos por medio de la
simulacin, se demostr lo afirmado por la teora del libro de
texto.

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