MANEJO DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS

C. IDENTIFICACIÓN DE LOS MATERIALES Y ELEMENTOS QUE PERMITAN

AHORRAR ENERGÍA.

• Sistemas eléctricos y electrónicos ecológicos.

Un sistema eléctrico se diseña con la finalidad de que la energía eléctrica llegue a

los lugares a donde se necesite sean hogares, instituciones, calles, etcétera, para
que en ellos se puedan utilizar todos los instrumentos necesarios que requieran de
dicha energía. Por lo tanto, es un medio que se usa para distribuir la energía
generada en grandes centrales eléctricas, y transportada por líneas interconectadas
entre sí con una estructura de malla.

Un ejemplo de un sistema eléctrico ecológico son las celdas fotovoltaicas, pues la

utilización de paneles solares con fotoceldas servirá para producir energía
fotovoltaica y reducir los costos de energía eléctrica. La generación de energía
eléctrica (AC/DC) se obtiene a través de la transformación de la energía solar
usando celdas solares que se conectan formando un arreglo que se conecta a un
controlador de carga.

Esta energía se puede almacenar en baterías, se usa de forma directa o se

transforma a corriente alterna. Este es un servicio que disminuye la dependencia
hacia CFE reduciendo hasta un 20% el costo de la energía eléctrica.

Muchas personas no son capaces de vivir sin sus computadoras y laptops y por tal
razón necesitan cargadores portátiles que usen la energía solar y la conviertan en
energía para los aparatos y otros artículos electrónicos. Los cargadores solares son
portátiles y pueden ser usados en cualquier lugar. Una buena marca es SolarGorilla.
Es buena para usar con tablets, laptops e incluso teléfonos.

Por otro lado, las centrales nucleares son métodos muy rentables de generar
electricidad, pero debe recordarse que esta forma de producción es un método que
puede destruir nuestra naturaleza.
Las plantas de energía nuclear deben enfriarse a medida que alcanzan
temperaturas muy altas. Para su operación de enfriamiento, se deben seleccionar
lugares cercanos al suministro de agua. Sin embargo, pese a que es la fuente de
energía más rentable y limpia, sigue siendo una especie de tabú, pues siempre se
referencia a lo ocurrido en Chernobyl.

• Controles.

Es fundamental para lograr la optimización de los costos energéticos disponer de

los medios de ajustes necesarios para adaptar los parámetros de funcionamiento
de los equipos de modo de lograr una mejora en tiempo y forma en cuanto a sus
condiciones de funcionamiento.

La optimización del suministro requiere conocer en las instalaciones eléctricas de

cierta envergadura cómo están repartidos los consumos a lo largo del tiempo, cuáles
son las solicitaciones de cada carga, los factores de potencia más desfavorable y
las causas que pueden provocar un bajo rendimiento de la instalación. Todo ello,
requiere la instrumentación adecuada para la medida, registro y tratamiento de
datos, empleándose generalmente los denominados adquisidores de datos, que
consisten en un equipo multifunción de técnica digital, específicamente diseñado
para medir simultáneamente varias magnitudes de una determinada instalación
eléctrica.

Sin embargo, en grandes edificios no cabe la menor duda que es indispensable la

adopción de un sistema de gestión integral del tipo inteligente que posibilite la
operación y regulación, con un óptimo programa orientado hacia la reducción del
consumo energético, así como una disminución de los costos de mantenimiento,
siendo dichos datos útiles para definir las reales necesidades del servicio,
correcciones y posibles mejoras al funcionamiento.

De esa manera, puede disponerse de un control directo de cada uno de los

parámetros, proporcionando en tiempo real la información de lo que está pasando
en el edificio, para tomar decisiones de ahorro energético, tales como selección de
las condiciones interiores de confort en aire acondicionado, el control de la
iluminación, bombas de agua, grupos electrógenos, etc.

Un sistema de control inteligente tiene por objeto además de lograr el confort y

seguridad de funcionamiento, la economía de operación y la forma de lograr estos
objetivos es censar y comandar la totalidad de las instalaciones desde un centro de
gestión, debiéndose prever que, ante la posibilidad de fallas en las comunicaciones
de datos de un sector del edificio, éste funcione inteligentemente en forma
autónoma, por lo que a esos sistemas se les suele definir como inteligencia
distribuida.

El sistema de control y monitoreo se utiliza para controlar y administrar el edificio, lo

que permite realizar una gestión coordinada con la totalidad de las instalaciones,
ofreciendo la capacidad de integrar múltiples funciones incluyendo control y
supervisión de los equipos, registro de alarmas y almacenaje de datos históricos,
así como el control y almacenamiento de datos de los consumos eléctricos,
calculando las sumas totales en periodos de tiempo, ya sea en forma diaria,
semanal o mensual.

El sistema permite verificar los estados de cargas eléctricas y su distribución en

forma racional, eliminando consumos innecesarios, efectuando el ciclado y rotación
de cargas y el secuenciamiento de equipos. Por otra parte, puede atenuar o eliminar
los niveles de iluminación según sea el aporte de iluminación natural externa en
áreas con ingreso de luz natural, manteniendo niveles de iluminación constantes a
bajo costo.

Pueden ajustar automáticamente el uso operativo del edificio a las estaciones

anuales y el sistema con los datos de los consumos de electricidad, puede
establecer una conducta de operación propia del edificio y de esta forma, permite
optimizar aún más los consumos energéticos. Además, puede registrar con
intervalos de tiempo determinados la tendencia del consumo del edificio y verificar
cuándo se generó el pico máximo de consumo, para evitar que no se pase de un
límite máximo y producir el recorte, pero además se puede controlar el factor de
potencia en forma permanente.
 • Fuentes.

Las energías renovables son aquellas que están disponibles de forma inagotable en
la naturaleza y que además generan menos problemas ambientales. Hay muchas y
muy diferentes, pero un futuro energéticamente sostenible no pasa por fomentar
una sola de ellas, sino que se tienen que compatibilizar los usos de todas para que
unas suplan las carencias de otras.

A partir de ahora, analizaremos algunas de las medidas para minimizar el gasto

energético o consumo eléctrico propiamente:

1. Variadores de Frecuencia, su instalación es recomendable tanto en bombas

sumergibles como secas, supone un ahorro energético mínimo del 10-15%, además
de alargar la vida útil de los motores de las bombas al realizar arranques más
suaves. Si además se emplean los variadores para reducir las alturas de los chorros
de la fuente ornamental, se consiguen ahorros mayores, al funcionar los motores de
las bombas por debajo de su frecuencia nominal y consumir así menos energía.

2. Iluminación LED, frente a la tradicional de lámparas halógenas. Las ventajas de

este sistema de iluminación son hoy en día ya bien conocidas: mucho menor
consumo eléctrico, mayor duración prevista de las lámparas, etc.

3. Calcular la instalación de forma que las pérdidas de carga sean mínimas, y así
evitar instalar mayores potencias de bombeo para vencer dichas pérdidas.
Asimismo, es muy importante de cara a la eficiencia energética, calcular las bombas
de agua para que funcionen dentro de zonas de buen rendimiento y que no trabajen
ni forzadas ni sobredimensionadas en exceso.

4. El diseño de las rejillas de aspiración de las bombas (secas o sumergibles) así

como el correcto mantenimiento de las fuentes ornamentales, afecta directamente
al rendimiento de las bombas, ya que una bomba que trabaja forzada por suciedad
en la aspiración está consumiendo más energía que la que debería. Las rejillas
siempre deben dimensionarse para tener bajas velocidades de paso de agua por
las mismas.
5. Incluir en el cuadro de control de la fuente ornamental, un Reloj Astronómico que
determina las horas de salida y puesta de Sol, según la ubicación geográfica. De
esta forma se produce un ahorro energético en cuanto al encendido de la
Iluminación de la fuente ornamental.

D. DESCRIPCIÓN DE SEMICONDUCTORES EN LA CONSTRUCCIÓN DEL

DIODO.

• Características de operación.

Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente como un

interruptor unidireccional para la corriente. Permite que la corriente fluya en una
dirección, pero no permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.

Se usa el Silicio con el objetivo de hacerlo un elemento activo, lo cual, para lograr
eso, deberá doparse. Es decir, se añadirán impurezas a los materiales de
fabricación del diodo y es aquí donde ocurre la unión tipo PN.

En un material tipo P encontramos escasez de electrones. También estará presente

un material tipo N que tiene un exceso de ellos. Teniendo en cuenta que esos
elementos tienen faltantes, ambos se unen para generar un comportamiento
electrónico.

Los diodos también se conocen como rectificadores porque cambian corriente

alterna (CA) a corriente continua (CC) pulsante. Los diodos se clasifican según su
tipo, voltaje y capacidad de corriente.
Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo (terminal positivo) y un
cátodo (terminal negativo). La mayoría de los diodos permiten que la corriente fluya
solo cuando se aplica tensión al ánodo positivo.

• Polarización directa.

Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal

negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en
"Polarización Directa". La conexión en polarización directa tendría esta forma:

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los
electrones libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de
la unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir
hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra
por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón
libre. En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia.
Se desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el
extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

• Polarización inversa.

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, la

terminal negativa de la batería conectada al lado p y el positivo al n, esta conexión
se denomina "Polarización Inversa". En la siguiente figura se muestra una conexión
en inversa:

El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la
z.c.e. (zona de carga espacial) se ensancha.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión

deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa
aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unión. A
mayor la tensión inversa aplicada mayor será la z.c.e.
Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía térmica
crea continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que halla pequeñas
concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se
recombina con los mayoritarios pero los que están en la z.c.e. pueden vivir lo
suficiente para cruzar la unión y tenemos así una pequeña corriente.

La zona de deplexión empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la

izquierda, se crea así una la "Corriente Inversa de Saturación"(IS) que depende de
la temperatura.

Además, hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las
impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente
depende de la tensión de la pila (V ó VP).

Entonces la corriente en inversa (I o IR) será la suma de esas dos corrientes:

 • Encapsulados.

A la envoltura que recubre y provee a los semiconductores, de la rigidez necesaria

y el aislamiento del medio. le llamamos encapsulado, estos en este caso pueden
ser (transistores, diodos, circuitos integrados, triacs, etc). Su material envolvente de
construcción puede ser de varias maneras como plástico, cerámico o metálico.

Las funciones principales de los encapsulados son entre otras la de excluir las
influencias ambientales evitando las influencias externas y protegiendo los
fenómenos externos como humedad, polvo, golpes, campos magnéticos, etcétera.
Otra de sus funciones es la de permitir su conectividad eléctrica, permitiendo la
fijación de sus terminales conductores, también tienen como misión la de disipar el
calor que generan los semiconductores.

Algunos tipos de encapsulados son:

− Encapsulados CI (Circuitos integrados):

o De inserción: DIP, SIP, PGA
o Montaje superficial: SOP, TSOP, BGA, LGA, QFP, SOJ
− Encapsulados DI (Discretos):
o De inserción: SP-8, TO-33, TO92, TO220
o De montaje superficial: SC-62, SC-72, SC-74, SC-75, HVSON, XSOF,
MLP.

• Parámetros técnicos.

Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen propiedades que les
diferencia de los demás semiconductores. Es necesario conocer estas las hojas de
datos y las necesidades de diseño así lo requieren. En estos apuntes se presentarán
las características más importantes desde el punto de vista práctico.

Valores nominales de tensión:

− VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.

− VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.
 − VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.
− VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.
− VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.

Valores nominales de corriente:

− IF = Corriente directa.
− IR = Corriente inversa.
− IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.
− IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente
eficaz que el diodo es capaz de soportar.
− IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.
− AV= Average (promedio) RMS= Root Mean Square (raíz de la media
cuadrática)

Valores nominales de temperatura:

− Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de

almacenamiento.
− Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los
semiconductores.

Estudiaremos la hoja de características del diodo 1N4001, un diodo rectificador

empleado en fuentes de alimentación (circuitos que convierten una tensión alterna
en una tensión continua). La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos
que tienen las mismas características con polarización directa, pero en polarización
inversa sus características son distintas. Primeramente, analizaremos las
"Limitaciones máximas" que son estas:
Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento.
Lo importante es saber que la tensión de ruptura para el diodo es de 50 V,
independientemente de cómo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la
avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva.

Un dato interesante es la corriente media con polarización directa, que aparece así
en la hoja de características:

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarización directa cuando se
le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente con polarización
directa para el cual el diodo se quema debido a una disipación excesiva de potencia.
Un diseño fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con
polarización directa sea menor de 0.5 A en cualquier condición de funcionamiento.

Los estudios de las averías de los dispositivos muestran que la vida de éstos es
tanto más corta cuanto más cerca trabajen de las limitaciones máximas. Por esta
razón, algunos diseñadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1, para
1N4001 será de 0.1 A o menos.

Otro dato importante es la caída de tensión con polarización directa:

Estos valores están medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantáneo
en la especificación. El 1N4001 tiene una caída de tensión típica con polarización
directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de
25 ºC.
En esta tabla está la corriente con polarización inversa a la tensión continua indicada
(50 V para un 1N4001).

Esta corriente inversa incluye la corriente producida térmicamente y la corriente de

fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la
hora del diseño, ya que un diseño basado en una corriente inversa de 0,05 mA
trabajará muy bien a 25 ºC con un 1N4001 típico, pero puede fallar si tiene que
funcionar en medios donde la temperatura de la unión alcance los 100 ºC.

• Diodo como rectificador.

Un diodo rectificador es un dispositivo semiconductor que permite el flujo de la

corriente eléctrica en una sola dirección. Parecido a un interruptor, se distingue por
su curva de 2 partes: por debajo o por encima del diferencial de potencia. El diodo
rectificador es capaz de conducir valores de corriente que varían desde varios
miliamperios hasta unos pocos kiloamperios y voltajes hasta unos pocos kilovoltios.

Este componente electrónico está diseñado para dejar pasar la mitad positiva o
negativa de la señal de corriente alterna (AC) usando la rectificación. A menudo,
dicho proceso está presente en la creación de fuentes de poder donde hace falta
transformar la AC en corriente directa (DC), función esencial para la estabilidad del
circuito.

Existen varios tipos de rectificadores, entre ellos:

− Rectificadores de media onda: rectificadores que sólo permiten el paso de la

mitad de la señal de CA de la entrada a la salida.
− Rectificadores de onda completa: rectificadores que utilizan toda la señal, lo
que requiere el uso adicional de un transformador.
 − Rectificación de medio ciclo positivo: aquellos en los que un diodo superior
con polaridad positiva conduce la corriente mientras que uno inferior con
polaridad negativa la bloquea.
− Rectificación de medio ciclo negativo: aquellos en los que el diodo superior
está bloqueado y el inferior está abierto.

El diodo rectificador presenta una curva característica que muestra las bases de su
funcionamiento. En ese diagrama distinguimos 2 elementos esenciales:

− Polarización directa

Esto sucede cuando se conecta este semiconductor a una fuente de tensión en

donde el potencial positivo está en contacto con el ánodo y el negativo con el cátodo.
Esta configuración directa de tensión permite que este componente electrónico
conduzca el flujo de corriente.

− Polarización inversa

Esta condición ocurre al unir el diodo rectificador con los polos de una batería. Así,
el cátodo queda conectado al terminal positivo y el ánodo al negativo. Este genera
la transmisión de corriente de baja potencia, que se conoce como de saturación
inversa o fugas.
A medida que se eleva la temperatura, esta corriente también crece. Si la tensión
aplicada está por debajo del valor conocido como tensión de ruptura, se genera un
flujo de energía independiente. Esto puede hacer que la corriente suba de forma
rápida y con pequeños picos de tensión.

E. Descripción de semiconductores en la construcción del transistor.

• Funcionamiento.

En la imagen de más abajo vemos a la izquierda un transistor real y a la derecha el

símbolo usado en los circuitos electrónicos. Siempre tienen 3 patillas y se llaman
emisor, base y colector. En el caso de la figura, la 1 sería el emisor, la 2 el colector
y la 3 la base.

Por cada patilla podemos tener una corriente, a las que llamaremos:

− Ib o IB = la corriente o intensidad por la base

− Ic o IC = corriente o intensidad por el colector
− Ie o IE = corriente o intensidad por el emisor

El funcionamiento del transistor es muy sencillo: Si no hay corriente de base Ib, no

hay corriente entre el colector y el emisor (Ic-e).
Cuando le llega una corriente muy pequeña por la base Ib, tenemos una corriente
entre el colector y el emisor (Ic-e) que será mayor que la Ib. Podemos considerar la
Ib como una corriente de entrada y la Ic-e como una de salida, entonces, cuando le
llega una corriente muy pequeña de entrada por la base, obtenemos una corriente
mucho mayor de salida (entre colector y emisor).

Según este funcionamiento se puede utilizar para 2 cosas básicamente, es decir,

tiene dos funciones:

− Función 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una pequeña

señal de mando. Es decir, funciona como interruptor.
− Función 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales.

• Regiones de operación.

Un transistor puede tener 3 estados o zonas de trabajo posibles dentro de un

circuito:

o Corte.

En esta región la corriente de colector y la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). El

voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del
circuito. Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm.
Se dice que el transistor no está conduciendo. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0).

o Saturación.

En esta región la corriente de colector y la corriente de emisor son máximas, (Ic =

Ie = I máxima).
La magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como inducir una corriente de colector ß veces más grande.
(hay que recordar que Ic = ß x Ib).

o Operación.

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia
de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

• Encapsulados.

Son las diferentes formas y tamaños que se utilizan para proteger los materiales
internos de un transistor, estas presentaciones dependen mucho de que aplicación
se va a utilizar el transistor ya sea para potencia o para tratamiento de señales,
actualmente existe una forma sencilla de identificar qué tipo de transistor es el que
se está utilizando, solo es cuestión de ubicar el código que tiene impreso y buscarlo
en internet para encontrar todos los datos relacionados a ese modelo.
A pesar de que existe una gran variedad en cuanto a encapsulados podemos
clasificarlos de dos formas: metálicos y plásticos, ya que existen muchos modelos
que son casi idénticos y lo único que cambia es su capacidad de trabajo. Los más
comunes son los siguientes:

− Transistores metálicos

Los encapsulados metálicos tienen como característica principal el poder trabajar

con potencias elevadas. También existe la posibilidad de colocar varios transistores
en un mismo encapsulado como es el caso del TO-8 y finalmente encontramos los
que están diseñados para ser utilizados como amplificadores de señales con una
potencia mayor: TO-5, TO-18, TO-39, TO-46, TO-52 y TO-72.

− Encapsulados cuadrados

En cuanto a forma prácticamente son iguales a los cuadrados que utilizan plástico,
solo que en esta presentación son metálicos y están completamente sellados para
proteger a los semiconductores de la humedad y agentes externos, al ser
completamente de metal consiguen mayor disipación de calor comparados con los
de plástico.

− Transistores plásticos

A pesar de que este tipo de encapsulados son los que menos potencia pueden
manejar son los más populares ya que son los más baratos y se pueden utilizar para
amplificar pequeñas señales o como interruptores. Los más populares y utilizados
son los de medio circulo como los TO-92 o los TO-226, pero cuando la potencia
supera a los primeros se pasa a los que tienen forma cuadra, ya que estos pueden
manejar una mayor potencia gracias a que se les puede colocar un disipador de
calor en la pestaña que tienen (TO-126, TO-202, TO-218 y TO-220).

− Transistores SMD

Con el avance de la tecnología cada vez se pueden crear encapsulados más

pequeños, esto beneficia a los creadores de circuitos ya que pueden reducir el
tamaño de sus placas impresas utilizando estos dispositivos llamados SMD.
 • Parámetros técnicos.

Las características técnicas del transistor son:

− Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el

dispositivo, generalmente por medio de la generación de calor en el
componente.
− Tensión colector-base (Ucb): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Base)
− Tensión colector-emisor (Uce): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Emisor)
− Tensión emisor-base (Ueb): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Emisor - Base)
− Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el
colector.
− Corriente colector-base (Icb): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Base)
− Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas
del transistor (Colector - Emisor)
− Corriente emisor-base (Ieb): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Emisor - Base)
− Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura límite de uso del
transistor.

Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parámetro h:
Este circuito equivalente de un transistor de unión bipolar permite un fácil análisis
del comportamiento del circuito. Como se muestra, el término "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo
emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de:

− x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.

− Terminal 1 = Base
− Terminal 2 = Colector
− Terminal 3 = Emisor
− Iin = Corriente de Base (Ib)
− Io = Corriente de Colector (Ic)
− Vin = Tensión Base-Emisor (VBE)
− Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)

Y los parámetros h están dados por:

− hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la

resistencia del emisor re).
− hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en
el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente
despreciado (se considera cero).
− hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es
generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua
(βDC) en las hojas de datos.
− hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es
usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para
convertirlo a impedancia.

Los parámetros más importantes para considerar a la hora de escoger un transistor

de esta familia son la corriente máxima continua de colector cuando actúa como
interruptor cerrado (IC), la tensión que soporta entre colector y emisor como
interruptor abierto (VCE) y el parámetro β (que representa la ganancia de corriente).
 • Transistor como amplificador.

La corriente de colector IC más grande, es proporcional a la corriente de base IB de

acuerdo con la relación IC =βIB, o de manera más precisa es proporcional al voltaje
base-emisor VBE. La pequeña corriente de base controla la mayor corriente de
colector, logrando una amplificación de corriente.

A veces es útil la analogía con una válvula. La corriente más pequeña en la base
actúa como una "válvula", controlando la corriente mayor del colector al emisor. Una
variación en la corriente de base en forma de "señal", se reproduce con una mayor
amplitud sobre la corriente de colector-emisor, lográndose con ello una amplificación
de dicha señal.

En este otro caso, la corriente de colector IC más grande, es proporcional a la

corriente de base IB de acuerdo con la relación IC =βIB, o de manera más precisa
es proporcional al voltaje base-emisor VBE. La pequeña corriente de base controla
la mayor corriente de colector, logrando una amplificación de corriente.
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