El Transistor Bipolar de Juntura BJT
El Transistor Bipolar de Juntura BJT
El Transistor Bipolar de Juntura BJT
1. OBJETIVO DE EXPERIENCIA
VALORES TEORICOS
VCG 6.536 V
VEG 926.136 mv
VCE 5.609 va
IC 1.6431 mA
IB 10.88 up
IE 1.6538 mA
β 151
4.2 Determine los valores y graficar la recta de carga, además el valor de la potencia
4.3) Determinar el β del transistor y comprobar la ley de corrientes
4.4) Realizar la experiencia usando el programa MULTICIN 12. De la polarización
empleado los amperios y voltímetros necesarios
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA BJT, COMO AMPLIFICADOR DE SEÑALES SEGUNDA PARTE
1. Objetivo de la experiencia
Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)
2. Procedimiento:
2.1 Armar el circuito