H. J. Kwon, E. Seo, C. Y. Lee, Y. H. Seo, G. H. Han, H. R. Kim, J. H. Lee, M. S. Jang, S. G. Do, S. H. Cho, J. K. Park, S. Y. Doo, J. B. Shin, S. H. Jung, H. J. Kim, I. H. Im, B. R. Cho, J. W. Lee, J. Y. Lee, K. H. Yu, H. K. Kim, C. H. Jeon, H. S. Park, S. S. Kim, S. H. Lee, J. W. Park, S. S. Lee, B. T. Lim, J. y. Park, Y. S. Park, H. J. Kwon, S. J. Bae, J. H. Choi, K. I. Park, S. J. Jang, and G. Y. Jin. 2017. 23.4 An extremely low-standby-power 3.733Gb/s/pin 2Gb LPDDR4 SDRAM for wearable devices. In 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). 394–395. https://doi.org/10.1109/ISSCC.2017.7870427