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1.
Reduction of implantation shadowing effect by dual-wavelength exposure photo process / Gu, Yiming ; Chou, Dyiann ; Lee Sang Yun ; Roche, William ; Sturtevant, John
As transistor engineering continues to well below 100 nm length devices, ion implantation process tolerances are making these formerly "non-critical" lithography levels more and more difficult. In order to minimize the channeling effect and to obtain a controllable profile of dopant, an angle implantation is often required. [...]
2003 - Published in : Proc. SPIE: 5039 (2003) , pp. 1312-1318

Voir aussi: noms d'auteurs similaires
50 Gu, Y
1 Gu, Y D
26 Gu, Y F
3 Gu, Y J
20 Gu, Y Q
144 Gu, Y T
16 Gu, Y.
1 Gu, Y.D.
10 Gu, Y.T.
2 Gu, YT
1 Gu, Yan Jan
1 Gu, Yan Jun
1 Gu, Yangling
58 Gu, Yanxi
7 Gu, Yi
1 Gu, Yikun
3 Gu, Ying
17 Gu, Ying-Qiu
5 Gu, Yingfei
5 Gu, Yong-Jian
1 Gu, Yong-Xian
1 Gu, Yonggen
1 Gu, Yonggeng
1 Gu, Yongwei
1 Gu, Yu
10 Gu, Yuantao
1 Gu, Yuantong
1 Gu, Yuchao
1 Gu, Yumei
1 Gu, Yun-Jun
4 Gu, Yun-Ting
1 Gu, Yunan
4 Gu, Yunhong
2 Gu, Yuxiang
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