14 - Disp Eletrônico - IfBA - Transistor - Polarização FET
14 - Disp Eletrônico - IfBA - Transistor - Polarização FET
14 - Disp Eletrônico - IfBA - Transistor - Polarização FET
VGS VG VS VG VGS VS 2V
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao com VGS constante)
Polarize o circuito no ponto quiescente em que VDD= 25V; VDSQ=15V;
VGSQ=-1V.
Dados do transistor obtido de forma experimental:Vpo= -3,5V e IDSS=5mA.
2
V
iD iDSS 1 GS
VP
2
1
iD 51 2,55mA
3,5
Calculo do RD:
VDD VDSQ 25 15
RD RD 3920
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Exemplo (Polarizao com VGS constante)
Polarize o JFET BF245A, alimentado por uma fonte VDD=25V, no
seguinte ponto quiescente: IDq=1mA, VDSq=15V e VGSq=-1V;
VDD VDSQ 25 15
RD RD 10 K
I DQ 1mA
VPo 2V
# Observe que:
VGS VG VS 0 RS I D
VGS RS I D
1 - POLARIZAPO DO J - FET
A relao entre IDq e VRS ser dada pela curva de transcondutncia
do componente: VGS
2
iDq iDSS 1
VGS RS I D VPo
2 2
V 1
iD iDSS 1 GS iD 51 2,55mA
VP 3,5
VGSQ (1)
RS RS 392
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAPO DO J - FET
Outra forma para determinar RS, sem a curva de
transcondutncia, utilizando os valores de mximo e mnimo
dos valores de IDss e de Vpo, ou seja:
VP max VP min
RS max RS min
I Dss max I Dss min
VGS VG VRS
Como VGS deve ser negativo, ento:
VGS VG VRS 0 VRS VG
1 - POLARIZAPO DO J - FET
O dimensionamento de RD e RS tendo os valores do ponto
quiescente ID, VDS e VGS dado pelas formulas:
VDD VDSq VRS VR 2 VGSq
RD RS
I Dq I Dq
Tenso VDSq:
VDSQ VDD VSS ( RD RS ) I DQ
1,5 150 I D
2
I D K VGS VT
2
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
O dimensionamento de RD tendo os valores do ponto quiescente
ID, VDS e VGS dado pela frmula:
VDD VDSq
RD
I Dq
VGS=0: VDD
ID
RD
Equao da curva de transferncia:
I D K VGS VT
2
Equao do VDSq:
VDSQ VGS
3 P. DO MOSFET - INTENSIFICAO
Exemplo (Polarizao Realimentao de Dreno)
Determine VGSq, IDq, e VDS do circuito ao lado:
Identifique o circuito: Realimentao de Dreno, ento:
VGS VDS VGS VDD RD I D
Encontrar K, usando a equao:
I D (ligado ) 6mA
K K 0,240mA / V 2
V
GS ( ligado ) VT
2
8 32
Rf
VCC VGS 0V rd A 1 Volume _ const.
rd
4 APLICAES - FET
4.1.2 Circuito Temporizador com J-FET
um circuito simples que temporiza o tempo de acendimento de
uma lmpada.
1) Capacitor carregado (-9V), J-FET e Lmpada desligados.
2) Aperta a chave; descarrega Capacitor, J-FET atinge IDss; e Lmpada acende;
3) Capacitor Carrega; Atinge Vpo; desliga J-FET e Lmpada.
Temporizao (Tempo de Carregamento de C):
R C VDD
t (VPO ) RC ln
VDD VPO
4 APLICAES - FET
4.1.3 Circuito de Chaveamento com J-FET
um circuito que funciona como chave eletrnica (on-off) mas que
necessita alimentar VGS com tenso negativa:
4 APLICAES - FET
4.1.4 Chave de Sinal Com J-FET
Para o JFET funcionar como chave, ele deve funcionar nas regies de
corte e triodo (equivalente a saturao do BJT).
O corte do transistor obtm-se quando:
VGS VPO VGS off ID 0A VDS VDD VS 0V
Regio de Triodo, colocando VGS =0V e R>> RDS(on):
VGS=0, maior inclinao, menor RDS(on).
R>>RDS(on), maior queda em R; ID<Idss.
VGS 0; VR VDS (on ) VDD VDS ( on ) VR VR
Quando configurado para chave de sinal,
qualquer sinal aplicado por VDD, o sinal ser
apresentado na sada Vs sempre que VGS=0V.
R RDS (on) VR VDS (on)
4 APLICAES - FET
4.1.4 Multiplex Analgico
um circuito que permite conectar vrios sinais ao mesmo tempo
para que seja transmitido individualmente por um nico meio, aps
selecionado no terminal VG1,VG2,VG3e VG4.
4 APLICAES - FET
4.2 APLICAES COM MOSFET
4.2.1 Circuitos Digitais.
Os MOSFETs so bastante utilizados na fabricao de Circuitos
Integrados (Portas Lgicas, Registradores, Memria, e outros)
Uma aplicao o chaveamento, que pode ser visto como uma chave
inversora. Com os resistores ocupam muito espao no CI, em vez
desse, utiliza-se um MOSFET com resistor.
4 APLICAES - FET
O circuito ao lado uma porta NAND: