EPROM
EPROM (ang. Erasable PROM) – rodzaj pamięci cyfrowej w postaci układu scalonego, przechowującej zawartość także po odłączeniu zasilania. Wykorzystuje specjalnie skonstruowany tranzystor MOS z dwiema bramkami: sterującą, normalnie połączoną elektrycznie z resztą układu i bramką pamiętającą, odizolowaną od reszty układu.
Pamięć EPROM programowana jest przy pomocy urządzenia elektronicznego, które podaje na dren tranzystora napięcie wyższe niż normalnie używane w obwodach elektronicznych (nazwane Vpp (ang. programming voltage) i wynosi zwykle 25V np. Texas Instruments TMS2708[1], 21V np. Texas Instruments TMS2732A[2] lub 12,5V np. STMicroelectronics M27C64A[3], w układach cyfrowych stosuje się napięcia 3,3-5 V), zdolne do chwilowego przebicia warstwy izolacyjnej wokół bramki pamiętającej. Programowanie układu polega na przebiciu cienkiej warstwy izolatora i wpuszczeniu do bramki pamiętającej określonego ładunku elektrycznego. Jego obecność na stałe zatyka tranzystor, niezależnie od stanu drugiej bramki. Skasowanie pamięci polega na odprowadzeniu ładunku z bramki.
Raz zapisana, pamięć EPROM może zostać skasowana jedynie przez wystawienie jej na działanie silnego światła (UV-EPROM) ultrafioletowego (wymagana długość fali: 253,7 nm), które jonizuje izolator umożliwiając odpłynięcie zgromadzonego ładunku lub elektrycznie (EEPROM). Pamięci EPROM wielokrotnego programowania można rozpoznać po przeźroczystym okienku ze szkła kwarcowego na górze układu, przez które widać kość krzemową i które umożliwia dostęp światła ultrafioletowego w razie konieczności skasowania. Istnieją wersje jednokrotnego programowania (OTP), które nie posiadają okienka kasowania, a układ krzemowy jest zamontowany w obudowie z tworzywa sztucznego. Istotną cechą tego rozwiązania jest znacznie niższa cena układu wynikająca z niższego kosztu samej obudowy.
Pamięć EPROM przechowuje dane przez około dziesięć do dwudziestu lat. Pozwala na około tysiąc cykli zapisu i dowolną liczbę cykli odczytu. Aby ochronić pamięć przed przypadkowym skasowaniem, okienko musi być zawsze zasłonięte.
W starszych płytach głównych pamięć EPROM wykorzystywana była do zapisu BIOS-u płyty. Okienko kości EPROM zakrywane było etykietką z nazwą producenta BIOS-u, numerem wersji i notką o prawach autorskich.
| Typ EPROMu | Rok | Rozmiar – bity | Rozmiar – bajty | Długość (hex) | Ostatni adres (hex) |
|---|---|---|---|---|---|
| 1702, 1702A | 1971 | 2 Kbit | 256 | 100 | FF |
| 2704 | 1975 | 4 Kbit | 512 | 200 | 1FF |
| 2708 | 1975 | 8 Kbit | 1 KB | 400 | 3FF |
| 2716, 27C16, TMS2716, 2516 | 1977 | 16 Kbit | 2 KB | 800 | 7FF |
| 2732, 27C32, 2532 | 1979 | 32 Kbit | 4 KB | 1000 | FFF |
| 2764, 27C64, 2564 | 64 Kbit | 8 KB | 2000 | 1FFF | |
| 27128, 27C128 | 128 Kbit | 16 KB | 4000 | 3FFF | |
| 27256, 27C256 | 256 Kbit | 32 KB | 8000 | 7FFF | |
| 27512, 27C512 | 512 Kbit | 64 KB | 10000 | FFFF | |
| 27C010, 27C100 | 1 Mbit | 128 KB | 20000 | 1FFFF | |
| 27C020 | 2 Mbit | 256 KB | 40000 | 3FFFF | |
| 27C040, 27C400, 27C4001 | 4 Mbit | 512 KB | 80000 | 7FFFF | |
| 27C080 | 8 Mbit | 1 MB | 100000 | FFFFF | |
| 27C160 | 16 Mbit | 2 MB | 200000 | 1FFFFF | |
| 27C320, 27C322 | 32 Mbit | 4 MB | 400000 | 3FFFFF |
EPROMy serii 1702 były wykonywane w technologii PMOS, serie 27x zawierające w nazwie C, są wykonane w technologii CMOS, a te bez litery C w technologii NMOS.
Zobacz też
[edytuj | edytuj kod]Przypisy
[edytuj | edytuj kod]- ↑ Datasheet Archive TMS2708 datasheet download [online], www.datasheetarchive.com [dostęp 2022-11-05].
- ↑ Datasheet Archive TMS2732-45JL datasheet download [online], www.datasheetarchive.com [dostęp 2022-11-05].
- ↑ Datasheet Archive 27C64-150 datasheet download [online], www.datasheetarchive.com [dostęp 2022-11-05].
