WO2023200354A1 - Термоэлектрический светодиод - Google Patents
Термоэлектрический светодиод Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023200354A1 WO2023200354A1 PCT/RU2022/000120 RU2022000120W WO2023200354A1 WO 2023200354 A1 WO2023200354 A1 WO 2023200354A1 RU 2022000120 W RU2022000120 W RU 2022000120W WO 2023200354 A1 WO2023200354 A1 WO 2023200354A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- semiconductor
- graded
- work function
- gap semiconductor
- gap
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
Definitions
- the invention relates to semiconductor LEDs configured to remove heat.
- Light-emitting diodes are widely used in optical display devices, traffic lights, communication systems, lighting devices and medical equipment.
- a source of infrared radiation is known from the prior art (RU 2154324 C1), including a emitting surface, a recombination region, a passive layer transparent to radiation from the active region, made in the form of a graded-gap material
- the disadvantage of the known source is the low radiation power, which is caused by self-absorption of radiation leaving the recombination region, as well as poor heat removal.
- the objective of the claimed invention is to develop a semiconductor structure of a thermoelectric LED that would remove the generated heat.
- the technical result of the invention is the reduction, absence or negative heat generation during operation of a thermoelectric LED and, as a consequence, eliminating the possibility of overheating of the LED and its failure.
- thermoelectric LED to dissipate energy into the environment in the form of photons.
- the thermoelectric LED contains a graded-gap semiconductor grown on the base with a decreasing work function in the direction of growth of the epitaxial structure over the entire range of compositions and an epitaxial layer of a direct-gap semiconductor grown on the graded-gap semiconductor, wherein the base contains a semiconductor material With n-type conductivity with a work function equal to or close to the work function of the adjacent layer of semiconductor material of a graded-gap semiconductor; a graded-gap semiconductor has n-type conductivity, and a direct-gap semiconductor layer has p-type conductivity and forms a p-n junction between layers of semiconductors, Moreover, on two opposite sides of the thermoelectric LED there are contacts with the possibility of attaching connecting wires to them for inclusion in the electrical circuit; one of the contacts, on the side of the direct-gap semiconductor layer, is translucent.
- the thermoelectric LED contains a graded-gap semiconductor grown on the base with a decreasing work function in the direction of growth of the epitaxial structure throughout the composition range and an epitaxial layer of a direct-gap semiconductor grown on the graded-gap semiconductor, wherein the base contains a semiconductor material with a p-type conductivity with a work function equal to or close to the work function of the adjacent semiconductor material layer of a graded-gap semiconductor, a graded-gap semiconductor is a graded-gap p-n structure with smooth doping from p type to n type, and a direct-gap semiconductor layer has a conductivity p -type and forms a p-n junction between layers of semiconductors, while on two opposite sides of the thermoelectric LED there are contacts with the possibility of attaching connecting wires to them for inclusion in the electrical circuit, one of the contacts, on the side of the direct-gap semiconductor layer, is translucent
- the work function of the first connecting conductor is the same as or as close as possible to the work function of the semiconductor material of the base, and the work function of the second connecting conductor is the same or as close as possible to the work function of the semiconductor material of the structure adjacent to the conductor through the contact.
- the base is a substrate made of semiconductor material.
- the base is a metal structure with semiconductor material deposited thereon.
- the metal layer of the structure is the contact.
- the base is a structure comprising a metal layer coated with a varying structure from a metal to a semiconductor material.
- the metal layer of the structure is the contact.
- thermoelectric LED the structure of which is schematically illustrated in FIG. 1. Arrows indicate the possible direction of radiation.
- the main element of the thermoelectric LED is a graded-gap semiconductor (2) grown on the base (1) with a decreasing work function in the direction of growth of the epitaxial structure throughout the entire range of compositions and grown on the graded-gap semiconductor, on top, of an epitaxial layer of direct-gap semiconductor (3), which forms a heterojunction between layers.
- the base (1) contains an n-type semiconductor material with a work function equal to or close to the work function of an adjacent graded-gap semiconductor semiconductor material layer.
- Varigap semiconductor (2) has n-type conductivity.
- the growth of the graded-gap semiconductor structure begins with a semiconductor that has a large work function (the same or as close as possible to the work function of the base material), and ends with a semiconductor that has a lower work function compared to the first layer.
- An epitaxial layer of semiconductor (3) is grown on top, which has hole-type conductivity (p-type conductivity) with a higher work function and the formation of a heterojunction between the layers.
- the structure of such a LED may look like this: an InAs base with n-type conductivity, a graded-gap semiconductor with n-type conductivity InAs -GaAs, a layer of direct-gap GaAs semiconductor with p-type conductivity.
- the base (1) contains a p-type semiconductor material with a work function equal to or close to the work function of an adjacent graded-gap semiconductor semiconductor material layer.
- a graded-gap semiconductor is a graded-gap p-n structure with smooth doping from the p type at the point of contact with the base (1) to the n type in the opposite region.
- the growth of the graded-gap semiconductor structure begins with a semiconductor that has a large work function (the same or as close as possible to the work function of the base material), and ends with a semiconductor that has a lower work function compared to the first layer.
- An epitaxial layer of semiconductor (3) is grown on top, which has hole-type conductivity (p-type conductivity) with a higher work function and the formation of a heterojunction between the layers.
- the structure of such an LED may look like this: an InAs base with p-type conductivity, a graded-gap semiconductor with smooth doping from p type at the point of contact with the base to n type in the opposite InAs-GaAs region, a layer of direct-gap GaAs semiconductor with p-type conductivity .
- the main materials of semiconductor emitters are gallium arsenide (GaAs) and ternary compounds based on it (GaAIAs and GaAsP) belong to direct-gap semiconductors , i.e. to those in which direct optical zone-to-zone transitions are allowed. Each recombination of a charge carrier during such a transition is accompanied by the emission of a photon.
- Direct-gap semiconductors are semiconductors in which the transition of an electron between the conduction band and the valence band is not accompanied by a change in momentum (direct transition), and in which, during recombination, the probability of photon emission is higher than the probability of the appearance of a phonon.
- Variband semiconductors can be produced by gas-phase epitaxy.
- Varigap semiconductor (2) may consist of two or more semiconductor materials.
- a substrate (1) is used, made of a semiconductor material of electronic conductivity type or hole conductivity type, depending on the option of growing the semiconductor structure of the LED.
- a metal base with a layer of semiconductor material of the corresponding type of conductivity deposited on it can also be used.
- the application of semiconductor material can be carried out using known technological methods: sputtering, diffusion, deposition and others.
- the base is a structure comprising a metal layer coated thereon with a varying structure from a metal to a semiconductor material of the appropriate type.
- thermoelectric LED Both sides of the thermoelectric LED are made with contacts (4) with the ability to connect connecting wires to them to connect the thermoelectric LED to the electrical circuit.
- One of the contacts is made translucent, and the other has varying degrees of transparency for the unhindered transmission of generated photons.
- the contacts (4) if a substrate made of semiconductor material is used as the base, the contacts can be ohmic and represent permanently connected horizontally oriented plates to the external surfaces of the graded-gap semiconductor.
- the base is the contact.
- the metal layer acts as a contact.
- thermoelectric LED To make an electrical connection of the thermoelectric LED to an external electrical circuit, a connecting conductor is attached to each contact.
- the first connecting conductor is connected to the first contact of the thermoelectric LED, located at the end of the thermoelectric LED, and the second connecting conductor is connected to the second contact, located at the other end of the thermoelectric LED.
- thermoelectric LED works as follows.
- the contacts of connecting conductors A and B are connected, for example, to a current-voltage converter, forming an electrical circuit.
- the thermoelectric LED is supplied with direct current.
- the electron under the influence of an external field, moves to the region of the graded-gap semiconductor with a lower work function. Since the work function decreases monotonically, in order to occupy a place with a lower work function, the electron needs to receive energy from the outside; it draws part of this energy from the applied external field, and part from the thermal vibration of the crystal lattice (phonons).
- the electron having entered the region of the p-n junction, recombines in the region of a direct-gap semiconductor with p-type conductivity, generating a photon of the corresponding energy, which, in turn, leaves the structure of the thermoelectric LED. Then the electron, under the influence of an external field, passes through the valence band of the direct-gap semiconductor of p-type conductivity and the contact enters conductor B.
- the work function of conductor B is selected in such a way as to best match the work function of the contact and the work function of the direct-gap semiconductor of p-type conductivity.
- the sum of the energies of the electron in wire B and the energy of the photon is greater than the energy of the electron in wire A. As a result, a cooling effect occurs.
- LED structures were grown and studied based on a new active region design in which a graded-gap semiconductor was grown on basis in such a way that the work function changes in the direction of growth of the epitaxial structure over the entire range of compositions, and a layer of direct-gap semiconductor material is grown on a given semiconductor.
- This design has been shown to provide a cooling effect when current of a certain polarity is passed through it.
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Термоэлектрический светодиод содержит выращенный на основании (1) варизонный полупроводник (2) с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника (3). Причем в первом варианте основание содержит полупроводниковый материал с проводимостью п-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода, примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонного полупроводника, варизонный полупроводник имеет проводимость n-типа, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между СЛОЯМИ полупроводников. Во втором варианте основание содержит полупроводниковый материал с проводимостью p-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода, примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонного полупроводника, варизонный полупроводник является варизонной р-п-структурой с плавным легированием от р типа к п типу, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между слоями полупроводников. С двух противоположных сторон термоэлектрического светодиода выполнены контакты, один из которых полупрозрачный. Использование изобретения позволяет устранить перегрев и выход из строя светодиода за счет рассеяния энергии в окружающую среду.
Description
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СВЕТОДИОД
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Изобретение относится к относится к полупроводниковым светодиодам, выполненных с возможностью отвода тепла. Светоизлучающие диоды широко используются в оптических устройствах отображения информации, светофорах, системах связи, осветительных устройствах и медицинском оборудовании.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Из уровня техники известен источник инфракрасного излучения (RU 2154324 С1 ), включающий излучающую поверхность, область рекомбинации, пассивный слой, прозрачный для излучения активной области, выполненный в виде варизонного материала
А В с увеличивающейся к излучающей поверхности шириной запрещенной зоны п-типа проводимости и расположенный между областью рекомбинации и излучающей поверхностью, теплоотводящую поверхность, выполненную за счет стыковки поверхности, через которую осуществляется связь (освещение) с внешним источником излучения, со слоем компаунда, находящегося в контакте с поверхностью возбуждающего источника.
Недостатком известного источника является малая мощность излучения, что вызвано самопоглощением излучения, покидающего область рекомбинации, а также плохой теплоотвод.
Таким образом, существует потребность в выполнении дополнительной работы, направленной на оптимизацию слоёв структуры полупроводникового светодиода для организации отвода выделяемого тепла.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей заявленного изобретения является разработка полупроводниковой структуры термоэлектрического светодиода, которая бы отводила выделяемое тепло.
Техническим результатом изобретения является уменьшение, отсутствие или отрицательное тепловыделение во время работы термоэлектрического светодиода и, как следствие, устранение возможности перегрева светодиода и выхода его из строя.
Применение термоэлектрического светодиода для рассеяния энергии в окружающую среду в виде фотонов.
Указанный технический результат достигается за счет того, что согласно первому варианту осуществления изобретения термоэлектрический светодиод содержит выращенный на основании варизонный полупроводник с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника, причем основание содержит полупроводниковый материал с
проводимостью n-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонной полупроводника, варизонный полупроводник имеет проводимость n-типа, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между слоями полупроводников, при этом с двух противоположных сторон термоэлектрического светодиода выполнены контакты с возможностью прикрепления к ним соединительных проводов для включения в электрическую цепь, один из контактов, со стороны слоя прямозонного полупроводника, - полупрозрачный.
Указанный технический результат достигается за счет того, что согласно второму варианту осуществления изобретения термоэлектрический светодиод содержит выращенный на основании варизонный полупроводник с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника, причем основание содержит полупроводниковый материал с проводимостью p-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонной полупроводника, варизонный полупроводник является варизонной р-п-структурой с плавным легированием от р типа к п типу, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между слоями полупроводников, при этом с двух противоположных сторон термоэлектрического светодиода выполнены контакты с возможностью прикрепления к ним соединительных проводов для включения в электрическую цепь, один из контактов, со стороны слоя прямозонного полупроводника, - полупрозрачный.
В некоторых вариантах осуществления изобретения работа выхода первого соединительного проводника совпадает или максимально приближена к работе выхода полупроводникового материала основания, а работа выхода второго соединительного проводника совпадает или максимально приближена к работе выхода полупроводникового материала структуры, примыкающей к проводнику через контакт.
В некоторых вариантах осуществления изобретения основание является подложкой, выполненной из полупроводникового материала.
В некоторых вариантах осуществления изобретения основание является металлической структурой с нанесённым полупроводниковым материалом на нее. В этом случае металлический слой структуры является контактом.
В некоторых вариантах осуществления изобретения основание является структурой, содержащее металлический слой с нанесенным на него меняющейся структурой от металла до полупроводникового материала. В этом случае металлический слой структуры является контактом.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение относится к термоэлектрическому светодиоду, конструкция которого схематично изображена на фиг. 1. Стрелками указано возможное направление излучения. В изображенном варианте осуществления изобретения основным элементном термоэлектрического светодиода является выращенный на основании (1) варизонный полупроводник (2) с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике, поверх, эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника (3), который образует гетеропереход между слоями.
В одном из вариантов осуществления изобретения основание (1) содержит полупроводниковый материал с проводимостью n-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонной полупроводника. Варизонный полупроводник (2) имеет проводимость п-типа. Рост структуры варизонного полупроводника начинается с полупроводника, имеющего большую работу выхода (совпадает или максимально приближена с работой выхода материала основания), а заканчивается полупроводником, имеющим меньшую работу выхода по сравнению с первым слоем. Поверх выращивается эпитаксиальный слой полупроводника (3), который имеет проводимость дырочного типа (проводимость p-типа) с большей работой выхода и с образованием гетероперехода между слоями. Например, структура такого светодиода может выглядеть следующим образом: основание InAs с проводимостью n-типа, варизонный полупроводник с проводимостью n-типа InAs -GaAs, слой прямозонного полупроводника GaAs с проводимостью р-типа.
В другом варианте осуществления изобретения основание (1) содержит полупроводниковый материал с проводимостью p-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонной полупроводника. Варизонный полупроводник является варизонной р-п- структурой с плавным легированием от р типа в месте контакта с основанием (1) к п типу в противоположной области. Рост структуры варизонного полупроводника начинается с полупроводника, имеющего большую работу выхода (совпадает или максимально приближена с работой выхода материала основания), а заканчивается полупроводником, имеющим меньшую работу выхода по сравнению с первым слоем. Поверх выращивается эпитаксиальный слой полупроводника (3), который имеет проводимость дырочного типа (проводимость p-типа) с большей работой выхода и с образованием гетероперехода между слоями. Например, структура такого светодиода может выглядеть следующим образом: основание InAs с проводимостью p-типа, варизонный полупроводник с плавным легированием от р типа в месте контакта с основанием к п типу в противоположной области InAs -GaAs, слой прямозонного полупроводника GaAs с проводимостью р-типа.
Для изготовления светодиодов используют прямозонные полупроводники GaAs, GaP, GaAs1-xPx, Gaxln1-xAs, GaxAI1-xAs, GaN и др. Основные материалы полупроводниковых излучателей арсенид галлия (GaAs) и тройные соединения на его основе (GaAIAs и GaAsP) относятся к прямозонным полупроводникам, т.е. к таким, в которых разрешены прямые оптические переходы «зона - зона». Каждая рекомбинация носителя заряда при таком переходе сопровождается излучением фотона. Прямозонные полупроводники - полупроводники, в которых переход электрона между зоной проводимости и валентной зоной не сопровождается изменением импульса (прямой переход), и в которых при рекомбинации вероятность излучения кванта выше, чем вероятность появления фонона.
Варизонные полупроводники могут быть произведены методом газофазной, эпитаксии. Варизонный полупроводник (2) может состоять из двух и более полупроводниковых материалов.
В качестве основания в одном из вариантов осуществления изобретения используется подложка (1), выполненная из полупроводникового материала электронного типа проводимости или дырочного типа проводимости в зависимости от варианта выращивания полупроводниковой структуры светодиода.
В качестве основания в другом варианте осуществления изобретения также может быть использовано металлическое основание с нанесенным на него слоем полупроводникового материала соответствующего типа проводимости. Нанесение полупроводникового материала может быть осуществлено с помощью известных технологических методов напылением, диффузией, осаждением и другими.
В другом варианте осуществления изобретения основание является структурой, содержащее металлический слой с нанесенным на него меняющейся структурой от металла до полупроводникового материала соответствующего типа.
Обе стороны термоэлектрического светодиода выполнены с контактами (4) с возможностью подключения к ним соединительных проводов для включения термоэлектрического светодиода в электрическую цепь.
Один из контактов выполнен полупрозрачным, а другой - имеет различную степень прозрачности для беспрепятственного пропускания сгенерированных фотонов.
В изображенных вариантах выполнения контакты (4), в случае использования в качестве основания подложки из полупроводникового материала, контакты могут являться омическими и представляют собой неразъёмное соединенные с внешними поверхностями варизонного полупроводника горизонтально ориентированные пластины.
В случае использования в качестве основания металлического слоя с нанесенным на него полупроводниковым слоем. В этом случае основание является контактом.
В случае использования в качестве основания структуры, содержащей металлический слой с нанесенным на него меняющейся структурой от металла до полупроводникового материала, металлический слой выступает в качестве контакта.
Пример контактов:
1) Контакт к InGaAs - титан, индий
Контакт к GaAs - Au, Pt, Pd, Ni.
2) Контакт к GaAs - титан, индий
Контакт к AIGaAs - Pt, Pd, Ni.
Для выполнения электрического соединения термоэлектрического светодиода к внешней электрической цепи к каждому контакту присоединен соединительный проводник. К первому контакту термоэлектрического светодиода, расположенного на торце со стороны основания, подключен первый соединительный проводник, ко второму контакту, расположенному на другом торце термоэлектрического светодиода, подключен второй соединительный проводник.
Термоэлектрический светодиод работает следующим образом. Контакты соединительных проводников А и Б подсоединяют, например, к преобразователю ток- напряжение, образуя электрическую цепь. На термоэлектрический светодиод подаётся постоянный ток.
Электрон из проводника А через контакт и основание попадает в варизонный полупроводник в область с большей работой выхода (большая работа выхода варизонной области максимально приближена к работе выхода полупроводникового материала основания). Электрон под воздействием внешнего поля движется в область варизонного полупроводника с меньшей работой выхода. Поскольку работа выхода монотонно уменьшается, электрону для занятия места с меньшей работой выхода необходимо получить энергию извне, часть этой энергии он черпает из приложенного внешнего поля, а часть из теплового колебания кристаллической решётки (фононы).
Дальше электрон, попав в область р-n- перехода рекомбинирует в области прямозонного полупроводника с проводимостью p-типа с генерацией фотона соответствующей энергии, который, в свою очередь покидает структуру термоэлектрического светодиода. Дальше электрон под действием внешнего поля через валентную зону прямозонного полупроводника p-типа проводимости и контакт попадает в проводник Б. Работа выхода проводника Б подобрана таким образом, чтобы максимально соответствовать работе выхода контакта и работе выхода прямозонного полупроводника p-типа проводимости. Сумма энергий электрона в проводе Б и энергии фотона больше, чем энергия электрона в проводнике А. В результате возникает эффект охлаждения.
Таким образом, была выращены и исследована светодиодные структуры на основе нового дизайна активной области, в которой варизонный полупроводник выращивался на
основании таким образом, чтобы работа выхода менялась в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов, причем на данном полупроводнике выращивался слой прямозонного полупроводникового материала. Было показано, что данный дизайн обеспечивает эффект охлаждения при пропускании через нее тока определенной полярности.
Изобретение было раскрыто выше со ссылкой на конкретный вариант его осуществления. Для специалистов могут быть очевидны и иные варианты осуществления изобретения, не меняющие его сущности, как оно раскрыта в настоящем описании. Соответственно, изобретение следует считать ограниченным по объему только нижеследующей формулой изобретения.
Claims
1. Термоэлектрический светодиод, содержащий выращенный на основании варизонный полупроводник с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника, причем основание содержит полупроводниковый материал с проводимостью n-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонного полупроводника, варизонный полупроводник имеет проводимость n-типа, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между слоями полупроводников, при этом с двух противоположных сторон термоэлектрического светодиода выполнены контакты с возможностью прикрепления к ним соединительных проводников для включения в электрическую цепь, один из контактов, со стороны слоя прямозонного полупроводника, - полупрозрачный.
2. Термоэлектрический светодиод, содержащий выращенный на основании варизонный полупроводник с уменьшающейся работой выхода в направлении роста эпитаксиальной структуры во всем интервале составов и выращенный на варизонном полупроводнике эпитаксиальный слой прямозонного полупроводника, причем основание содержит полупроводниковый материал с проводимостью p-типа с работой выхода, равной или близкой к работе выхода примыкающего к нему слоя полупроводникового материала варизонного полупроводника, варизонный полупроводник является варизонной р-п-структурой с плавным легированием от р типа к п типу, а слой прямозонного полупроводника имеет проводимость p-типа и образует р-n переход между слоями полупроводников, при этом с двух противоположных сторон термоэлектрического светодиода выполнены контакты с возможностью прикрепления к ним соединительных проводников для включения в электрическую цепь, один из контактов, со стороны слоя прямозонного полупроводника, - полупрозрачный.
3. Термоэлектрический светодиод по п.1 или по п. 2, характеризующийся тем, что работа выхода первого соединительного проводника совпадает или максимально приближена к работе выхода полупроводникового материала основания, а работа выхода второго соединительного проводника совпадает или максимально приближена к работе выхода полупроводникового материала структуры, примыкающей к проводнику через контакт.
4. Термоэлектрический светодиод по п.1 или по п. 2, характеризующийся тем, что основание является подложкой, выполненной из полупроводникового материала.
5. Термоэлектрический светодиод по п.1 или по п. 2, характеризующийся тем, что основание является металлической структурой с нанесённым полупроводниковым материалом на нее.
6. Термоэлектрический светодиод по п.5, характеризующийся тем, что металлический слой структуры является контактом.
7. Термоэлектрический светодиод по п.1 или по п. 2, характеризующийся тем, что основание является структурой, содержащее металлический слой с нанесенным на него меняющейся структурой от металла до полупроводникового материала.
8. Термоэлектрический светодиод по п.7, характеризующийся тем, что металлический слой структуры является контактом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2022/000120 WO2023200354A1 (ru) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | Термоэлектрический светодиод |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2022/000120 WO2023200354A1 (ru) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | Термоэлектрический светодиод |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2023200354A1 true WO2023200354A1 (ru) | 2023-10-19 |
Family
ID=88330091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2022/000120 WO2023200354A1 (ru) | 2022-04-15 | 2022-04-15 | Термоэлектрический светодиод |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2023200354A1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1428141A1 (ru) * | 1986-09-09 | 1995-05-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Светоизлучающий диод |
| RU2154324C1 (ru) * | 1999-04-27 | 2000-08-10 | Матвеев Борис Анатольевич | Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты) |
| WO2015181657A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | The Silanna Group Pty Limited | Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices |
| US20160111618A1 (en) * | 2014-05-07 | 2016-04-21 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Optoelectronic device including improved thermal management |
-
2022
- 2022-04-15 WO PCT/RU2022/000120 patent/WO2023200354A1/ru active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1428141A1 (ru) * | 1986-09-09 | 1995-05-10 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Светоизлучающий диод |
| RU2154324C1 (ru) * | 1999-04-27 | 2000-08-10 | Матвеев Борис Анатольевич | Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты) |
| US20160111618A1 (en) * | 2014-05-07 | 2016-04-21 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Optoelectronic device including improved thermal management |
| WO2015181657A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | The Silanna Group Pty Limited | Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101218687B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| US6987281B2 (en) | Group III nitride contact structures for light emitting devices | |
| TWI597862B (zh) | 具阻障層的光電半導體元件 | |
| US10971649B2 (en) | Semiconductor device and light emitting device package comprising same | |
| KR20120040550A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20170263820A1 (en) | Light-emitting device | |
| KR20140061827A (ko) | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| KR20080031469A (ko) | 발광 다이오드 및 발광 다이오드 램프 | |
| KR100475414B1 (ko) | 산화아연 박막상에서의 피-엔 접합 형성방법 및 피-엔접합 박막 | |
| KR20070117238A (ko) | 반도체 발광 트랜지스터 | |
| RU2838852C2 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| RU2838850C2 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| WO2023200354A1 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| KR20180016906A (ko) | 반도체 소자 및 이를 갖는 발광소자 패키지 | |
| RU2838848C2 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| WO2023200353A1 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| WO2023200355A1 (ru) | Термоэлектрический светодиод | |
| KR101761310B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP3633018B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR101007086B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI639252B (zh) | 具阻障層的光電半導體元件 | |
| CN104425664B (zh) | 具阻障层的光电半导体元件 | |
| KR20170137393A (ko) | 반도체 소자 및 이를 갖는 발광소자 패키지 | |
| KR102035630B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR20180080592A (ko) | 반도체 소자 및 이를 갖는 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22937599 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2024134278 Country of ref document: RU |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 22937599 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWG | Wipo information: grant in national office |
Ref document number: 2024134278 Country of ref document: RU |