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WO2023031530A1 - Puce photonique pourvue d'un ou deux modulateurs mach zehnder - Google Patents

Puce photonique pourvue d'un ou deux modulateurs mach zehnder Download PDF

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WO2023031530A1
WO2023031530A1 PCT/FR2022/051427 FR2022051427W WO2023031530A1 WO 2023031530 A1 WO2023031530 A1 WO 2023031530A1 FR 2022051427 W FR2022051427 W FR 2022051427W WO 2023031530 A1 WO2023031530 A1 WO 2023031530A1
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WO
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radiation
optical
output
input
branch
Prior art date
Application number
PCT/FR2022/051427
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English (en)
Inventor
Sylvie Menezo
Original Assignee
Scintil Photonics
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Filing date
Publication date
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Priority to US18/684,977 priority Critical patent/US20240369896A1/en
Priority to JP2024513485A priority patent/JP2024531514A/ja
Priority to EP22754483.0A priority patent/EP4396629A1/fr
Priority to CN202280058384.5A priority patent/CN117916653A/zh
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
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    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/70—Semiconductor optical amplifier [SOA] used in a device covered by G02F

Definitions

  • the present invention relates to the field of photonics and more particularly integrated photonic chips.
  • the invention relates to a photonic chip provided with a Mach Zehnder modulator and for which the insertion losses are compensated by two optical amplifiers with semiconductor materials.
  • the optical amplifiers with semiconductor materials are arranged in such a way as to limit the negative effects relating to the amplification of an intensity modulated optical signal.
  • Figure 1 represents a Mach Zehnder 1 device known from the state of the art.
  • the Mach Zehnder 1 device notably comprises two modulation branches, called first branch 2 and second branch 3, connected by one of their ends by an optical input 4 and by the other of their ends by an optical output 5.
  • the two modulation branches 2 and 3 are arranged so that a light radiation injected at the level of the optical input 4 is divided into a first radiation and a second radiation guided, respectively, by the first branch 2 and the second branch 3, and so that said first radiation and said second radiation are recombined at the optical output.
  • the device is also provided with two phase modulators, called first modulator 6 and second modulator 7 intended to impose a phase shift, respectively, on the first radiation and on the second radiation before their recombination at the level of the optical output 5.
  • first modulator 6 and second modulator 7 intended to impose a phase shift, respectively, on the first radiation and on the second radiation before their recombination at the level of the optical output 5.
  • the modification of the phase of one and/or the other of the first and second radiation makes it possible in particular to modulate the intensity of the recombined radiation at the output of the Mach Zehnder device.
  • Mach Zehnder 1 device is subject to losses, and more particularly to losses linked to the losses of the phase modulators 6 and 7, which reduce its performance.
  • the optical gain G of an optical amplifier with semiconductor materials is not linear. More particularly, the optical gain G decreases when the optical power injected at the input of said amplifier increases so that the power delivered at the output of the optical amplifier with semiconductor materials cannot exceed a saturation power. This nonlinear behavior thus gives rise to distortions of the intensity modulated signal amplified by the SOA.
  • an object of the present invention is to provide a photonic chip provided with at least one Mach Zehnder modulator whose optical signal can be amplified without imposing distortion of the modulated signal.
  • a photonic chip comprising: - a support substrate provided with a front face;
  • each of the two modulation branches comprises a modulation section formed by a waveguide, called modulation waveguide, and a modulation element, advantageously the modulation element comprises at least one electrode , the modulation element being configured to modulate the phase of a radiation capable of being guided by the modulation waveguide, the second branch also comprising a phase shift module configured to impose a fixed phase shift on a light radiation capable to be guided by said second branch.
  • the Mach Zehnder modulator or modulators comprise a single Mach Zehnder modulator, the first branch and the second branch of the single Mach Zehnder modulator being connected, by one of their ends, by the optical input and , by the other of their ends, by the optical output so that the first radiation and the second radiation are guided, respectively, by the first branch and by the second branch.
  • the at least two semiconductor material optical amplifiers comprise a first amplifier and a second amplifier arranged respectively on the first branch and on the second branch, the first amplifier and the second amplifier being configured to amplify, respectively, the first radiation and the second radiation.
  • the semiconductor material amplifier of a modulation branch is arranged downstream of the modulation section of the modulation branch considered.
  • the semiconductor material amplifier of a modulation branch is arranged upstream of the modulation section of the modulation branch considered.
  • the Mach Zehnder modulator(s) comprises two Mach Zehnder modulators called, respectively, modulator I and modulator Q so that the photonic chip forms an IQ modulator, the first branch and the second branch of the modulator I being connected, by one of their ends, by an intermediate optical input called input I, and, by the other of their ends, by an intermediate optical output called output I, the first branch and the second branch of the modulator Q being connected, by one of their ends, by another intermediate optical input called Q input, and, by the other of their ends, by another intermediate optical output called Q output.
  • said photonic chip comprises a radiation splitter and a radiation combiner, the radiation splitter comprising two waveguides called, respectively, input guide I and input guide Q, the waveguide input I and the input Q guide connecting the optical input with, respectively, the input I and the input Q, so that the first radiation and the second radiation are injected at the level of, respectively, the input I and the Q input, the radiation combiner comprising two waveguides called, respectively, output guide I and output guide Q, the output guide I and the output guide Q connecting the optical output with, respectively, the output I and output Q.
  • the at least two semiconductor material optical amplifiers comprise a first amplifier I, a second amplifier I, a first amplifier Q and a second amplifier Q, the first amplifier I, the second amplifier I are arranged respectively on the first branch and on the second branch of the modulator I, while the first amplifier Q and the second Q amplifier are arranged respectively on the first branch and on the second branch of the Q modulator.
  • the semiconductor material optical amplifier of a modulation branch of a Mach Zehnder modulator is arranged between the modulation section of the modulation branch considered and the intermediate optical output of said Mach Zehnder modulator.
  • the semiconductor material optical amplifier of a modulation branch of a Mach Zehnder modulator is arranged between the modulation section of the modulation branch in question and the intermediate optical input of said Mach Zehnder modulator .
  • the at least two semiconductor material optical amplifiers comprise an I amplifier and a Q amplifier carried, respectively, by the I output guide and the Q output guide.
  • said photonic chip further comprises another phase shift module configured to impose another fixed phase shift on light radiation between the output Q and the optical output.
  • the modulation waveguide comprises silicon, advantageously doped silicon, even more advantageously a PN junction along the silicon waveguide.
  • the at least two semiconductor material optical amplifiers comprise a waveguide made of III-V semiconductor materials.
  • FIG.1 is a schematic representation of a Mach Zehnder 1 device known from the state of the art
  • Figure 2 is a schematic representation of a Mach Zehnder device that can be implemented in the context of the present invention
  • Figure 3 is a schematic representation of a support substrate on one face of which rests the waveguide layer, and according to a section plane perpendicular to the front face;
  • FIG.4 is a schematic representation of a photonic chip according to a first variant of a first embodiment of the present invention, the photonic chip according to this first embodiment comprises in particular a single Mach Zehnder modulator and two optical amplifiers with semiconductor materials;
  • FIG.5 is a schematic representation of a photonic chip according to a second variant of the first embodiment of the present invention, the photonic chip according to this first embodiment comprises in particular a single Mach Zehnder modulator and two amplifiers semiconductor material optics;
  • FIG.6 is a schematic representation of a photonic chip according to a first variant of a second embodiment of the present invention, the photonic chip according to this second embodiment comprises in particular two Mach Zehnder modulators and four semiconductor material optical amplifiers;
  • FIG.7 is a schematic representation of a photonic chip according to a second variant of a second embodiment of the present invention, the photonic chip according to this second embodiment comprises in particular two Mach Zehnder modulators and four semiconductor material optical amplifiers;
  • Figure 8 shows the photonic chip of Figure 7 associated with an intermediate module
  • FIG.9 is a schematic representation of a photonic chip according to a third embodiment of the present invention, the photonic chip according to this third embodiment realization includes in particular two Mach Zehnder modulators and two optical amplifiers with semiconductor materials.
  • the present invention relates to a photonic chip, and more particularly a photonic chip provided with one or two Mach Zehnder modulators formed on and/or in a layer, called the waveguide layer, resting on a front face of a support substrate.
  • the Mach Zehnder modulator or modulators are arranged between an optical input and an optical output, so that a light radiation injected at the level of the optical input is divided into a first radiation and a second radiation intended to be guided by the Mach Zehnder modulator(s), and are then recombined at the optical output.
  • the photonic chip comprises at least two optical amplifiers with semiconductor materials arranged to separately amplify the first radiation and the second radiation before their recombination at the optical output.
  • FIG. 2 is a schematic representation of a Mach Zehnder 100 modulator capable of being implemented within the framework of the present invention.
  • the Mach Zehnder modulator 100 can be formed on or in a layer, called the waveguide layer 200 resting on a front face 310 of a support substrate 300 (FIG. 3).
  • the support substrate 300 can comprise any type of material, and more particularly a semiconductor material.
  • the semiconductor material may comprise silicon, or a III-V semiconductor.
  • the support substrate 300 may comprise a piezoelectric material and in particular lithium niobate (LiNbCh).
  • the waveguide layer 200 can comprise a dielectric material, for example silicon dioxide.
  • a Mach Zehnder modulator comprises two modulation branches called, respectively, first branch 101 and second branch 102.
  • the first branch 101 and the second branch 102 are connected, by one of their ends, by an intermediate optical input 103, and, by the other of their ends, by an intermediate optical output 104.
  • first branch 101 and the second branch 102 each comprise a waveguide called, respectively, first waveguide 101a and second waveguide 102a.
  • the first branch 101 and the second branch 102 each comprise a modulation section called, respectively, first modulation section 105 and second modulation section 106.
  • the modulation section of a given modulation branch is configured to modulate the phase of a light radiation likely to be guided by the modulation branch considered.
  • a modulation section of a modulation branch may in particular comprise a section of the waveguide of said branch, called modulation waveguide, and an electrode intended to impose an electric potential on said modulation waveguide.
  • a modulation section is in particular configured so that an electric potential imposed by the electrode on the modulation waveguide modifies the refractive index of the modulation waveguide considered.
  • This index modification makes it possible to impose a phase shift on light radiation likely to be guided by the modulation section considered.
  • the modulating waveguide may comprise a doped silicon guide, and more particularly a silicon waveguide accommodating a PN junction.
  • Such a waveguide has a refractive index capable of being modulated as a function of an electric potential which is imposed on it.
  • Document [3] cited at the end of the description provides an example that those skilled in the art can implement in the context of the present invention. However, the invention is not limited to these aspects alone, and those skilled in the art may consider other solutions.
  • the first modulation waveguide 108 and the second modulation waveguide 110 can comprise a III-V semiconductor or even LiNbCL, for example transferred by bonding onto the substrate .
  • the modulation waveguide and the electrode of the first modulation section 105 called, respectively, first modulation guide 108 and first electrode 109, make it possible to impose a phase modulation, called first phase shift, on a radiation light guided by the first hip 101.
  • This first phase shift is notably modulated by the electric potential, called first potential, imposed by the first electrode 109.
  • the modulation waveguide and the electrode of the second modulation section 106 make it possible to impose a phase modulation, called second phase shift, at light radiation guided by the second hip 102.
  • This second phase shift is notably modulated by the electric potential, called second potential, imposed by the second electrode 111.
  • the first potential and the second potential can be equal to, respectively, u(t)/2 and -u(t)/2.
  • the phase shift imposed by the first modulation section 105 and by the second modulation section 106 are equal to, respectively, Mu(t)/2 and ⁇ Mu(t)/2 (M is an efficiency factor of a modulator).
  • the second branch 102 can also comprise a phase shift module 107 configured to impose a fixed phase shift O on light radiation likely to be guided by said second branch 102 which is added to the phase shift -Mu(t)/2.
  • a light radiation, of intensity Pin, injected at the intermediate optical input 103 is divided into two radiations intended to be guided, respectively, by the first branch 101 and the second branch 102.
  • the radiation guided by the first branch 101 undergoes a phase shift equal to Mu(t)/2
  • the radiation guided by the second branch 102 undergoes a phase shift equal to -Mu(t)/2 + O.
  • These two radiations guided by, respectively, the first branch 101 and the second branch 102 are then recombined at the intermediate optical output 104 to form an output radiation of intensity Pout.
  • a modulation branch of a Mach Zehnder modulator forms an optical path devoid of branching.
  • light radiation injected at the intermediate optical input of a Mach Zehnder modulator only undergoes a single division.
  • the Mach Zehnder modulator 100 described above is integrated in a photonic chip 10 which is the subject of the present invention. More particularly, the photonic chip 10 according to the present invention comprises one or two Mach Zehnder 100 modulators whose modulation branches are arranged between an optical input 112 and an optical output 113 so that a light radiation injected at the level of the input optical is divided into a first radiation and a second radiation intended to be guided by the Mach Zehnder 100 modulator(s), and are then recombined at the optical output.
  • the photonic chip 10 comprises at least two optical amplifiers with semiconductor materials arranged to separately amplify the first radiation and the second radiation before their recombination at the optical output.
  • Figure 4 is a schematic representation of a photonic chip 10 according to a first variant of a first embodiment of the present invention and implementing a Mach Zehnder 100 modulator as described before.
  • the photonic chip 10 comprises a single Mach Zehnder modulator 100 and for which the fixed phase shift O is equal to r/2.
  • the optical input 112 and the optical output 113 coincide, respectively, with the intermediate optical input 103 and the intermediate optical output 104.
  • radiation injected, for example by a laser source 400, at the level of the input optical 112 is divided into a first radiation and a second radiation.
  • the first radiation is then guided in the first branch 101 to have a phase shift equal to Mu(t)/2 imposed.
  • the second radiation is guided in the second branch 102 and is imposed a phase shift equal to ⁇ Mu(t)/2+n/2.
  • the photonic chip 10 further comprises two optical amplifiers with semi-conductor materials called, respectively, first amplifier 114 and second amplifier 115 that are substantially identical.
  • the first amplifier 114 is arranged on the first branch 101, while the second amplifier 115 is arranged on the second branch 102.
  • the first amplifier 114 and the second amplifier 115 are thus arranged to amplify according to a gain G, respectively, the first radiation and the second radiation.
  • an optical amplifier with semiconductor materials into a waveguide is described in document [1] cited at the end of the description.
  • such an optical amplifier using semiconductor materials can comprise a multi quantum well formed from layers of InGaAsP.
  • this optical amplifier with semiconductor materials can form a hybrid waveguide coupled with the waveguide of the modulation branch.
  • This coupling may involve a transition section, and in particular a tapered waveguide (“tapped waveguide” according to Anglo-Saxon terminology). More particularly, the coupling can be adiabatic as described in document [4] cited at the end of the description.
  • an optical amplifier with semiconductor materials can be glued or formed by epitaxy on a waveguide, and in particular a silicon waveguide.
  • the optical amplifier with semiconductor materials of a modulation branch is arranged downstream of the modulation section of the modulation branch considered.
  • the first amplifier 114 is placed between the first modulation section 105 and the intermediate optical output 103
  • the second amplifier 115 is placed between the second modulation section 106 and the intermediate optical output 104.
  • Figure 5 illustrates a second variant of the first embodiment of the present invention.
  • the optical amplifier with semiconductor materials of a modulation branch is arranged upstream of the modulation section of the modulation branch considered.
  • the first amplifier 114 is arranged between the intermediate optical input 103 and the first modulation section 105, while that the second amplifier is arranged between the intermediate optical input 103 and the second modulation section 106.
  • optical amplifiers with semiconductor materials makes it possible to amplify light radiation modulated in phase only, and not in intensity as described in document [1] cited at the end of the description. .
  • this arrangement makes it possible to limit, or even prevent, the effects of non-linearity of optical amplifiers with semiconductor materials.
  • the present invention also relates to a second embodiment.
  • Figure 6 illustrates a first variant of the second embodiment.
  • the photonic chip according to this second embodiment comprises two Mach Zehnder 100 modulators called, respectively, identical I modulator 100a and Q modulator 100b so that the photonic chip 10 forms an IQ modulator.
  • the I modulator 100a and the Q modulation 100b essentially repeat the architecture of the Mach Zehnder 100 modulator of the first variant of the first embodiment.
  • first branch 101a and the second branch 102a of the modulator I 100a are connected, by one of their ends, by the intermediate optical input called input I 103a, and by the other of their ends, by the intermediate optical output, said exit I 104a.
  • first branch 101b and the second branch 102b of the Q modulator 100b are connected, by one of their ends, by the intermediate optical input called Q input 103b, and by the other of their ends, by the optical output intermediate, called output Q 104b.
  • the first branch 101a and the second branch 102a of modulator I also comprise, respectively, the first modulation section 105a and second modulation section 106a.
  • the first branch 101b and the second branch 102b of the Q modulator also comprise, respectively, the first modulation section 105b and the second modulation section 106b.
  • the second branch 102a and the second branch 102b each comprise a phase shift module, called, respectively, I module 107a and Q module 107b.
  • the I module 107a and the Q module 107b are configured to impose a phase shift O equal to n.
  • the photonic chip 10 further comprises four optical amplifiers with semiconductor materials called first I amplifier 114a, second I amplifier 115a, first Q amplifier 114b and second Q amplifier 115b.
  • first amplifier I 114a, the second amplifier I 115a are arranged respectively on the first branch 101a and on the second branch 102a of the modulator I 100a.
  • first Q amplifier 114b and the second Q amplifier 115b are arranged respectively on the first branch 101b and on the second branch 102b of the Q modulator 100b.
  • the semiconductor material optical amplifier of a modulation branch of a Mach Zehnder modulator is arranged between the modulation section of the modulation branch considered and the output intermediate optics of said Mach Zehnder modulator.
  • the first I amplifier 114a is arranged between the first modulation section 105a and the I output 104a.
  • the second I amplifier 115a is arranged between the second modulation section 106a and the I output 104a.
  • the first Q amplifier 114b is disposed between the first modulation section 105b and the Q output 104b.
  • the second Q amplifier 115b is disposed between the second modulation section 106b and the Q output 104b.
  • the photonic chip 10 includes a radiation splitter 116 and a radiation combiner 117.
  • the radiation splitter 116 comprises two waveguides called, respectively, the I input guide 116a and the Q input guide 116b.
  • the I input guide 116a connects the optical input 112 with the I input 103a, of the I modulator 110a.
  • the Q input guide 116b connects the optical input 112 with the Q input 103b, of the I modulator 110b.
  • the radiation combiner 117 comprises two waveguides called, respectively, output guide I 117a and output guide Q 117b.
  • the output guide I 117a connects the optical output 113 with the output I 104a.
  • the Q output guide 117b connects the optical output 113 with the Q output 104b of the Q modulator 100b.
  • the photonic chip can include another phase shift module 118 configured to impose another fixed phase shift O′ equal to /2 on light radiation between the Q output 104b and the optical output 113.
  • a light radiation injected at the level of the optical input 112, for example by the laser 400 is divided into two radiations called first radiation and second radiation injected at the level of, respectively, the input I and the input Q.
  • the first radiation is modulated by the I modulator, to form a first modulated radiation
  • the second radiation is modulated by the Q modulator to form a second modulated radiation.
  • the radiation combiner 117 then combines the first modulated radiation and the second modulated radiation into an output radiation.
  • optical amplifiers with semiconductor materials makes it possible to amplify light radiation modulated in phase only, and not in intensity as described in document [1] cited at the end of the description. In other words, this arrangement makes it possible to limit, or even prevent, the effects of non-linearity of optical amplifiers with semiconductor materials.
  • the second embodiment also comprises a second variant illustrated in FIG. 7 which differs from the first variant in that the semiconductor material optical amplifier of a modulation branch of a Mach Zehnder modulator is arranged between the section modulation of the modulation branch considered and the intermediate optical input of said Mach Zehnder modulator.
  • the first amplifier I 114a is arranged between the input I 103a and the first modulation section 105a.
  • the second I amplifier 115a is disposed between the I input 103a and the second modulation section 106a.
  • the first Q amplifier 114b is disposed between the Q input 103b and the first modulation section 105b.
  • the second Q amplifier 115b is disposed between the Q input 103b and the second modulation section 106b.
  • the arrangement relating to this second variant is particularly advantageous when the light radiation likely to be injected at the level of the optical input 112 has a reduced intensity.
  • an intermediate module 500 (FIG. 8) can be interposed between the source 400 and the optical input 112.
  • the intermediate module 500 comprises a first radiation splitter 501, a second radiation splitter 502, a local oscillator 503, and a TM 504 modulator.
  • the first radiation splitter 501 is configured to divide light radiation, emitted by the laser, into two first intermediate radiation. One of these two radiations is injected into the local oscillator 503, while the second oscillator receives the other of these first two intermediate radiations. The latter is in turn divided by the second radiation splitter 502 into two second intermediate radiations. One of these two second intermediate radiations is injected into the TM modulator 504, while the optical input 112 receives the other of these two second intermediate radiations.
  • the losses in the radiation splitters are significant.
  • the implementation of the four optical amplifiers with semiconductor materials is therefore particularly advantageous.
  • optical amplifiers with semiconductor materials makes it possible to amplify light radiation modulated in phase only, and not in intensity as described in document [1] cited at the end of the description. In other words, this arrangement makes it possible to limit, or even to prevent the effects of non-linearity of optical amplifiers with semiconductor materials.
  • FIG. 9 represents the photonic chip 10 according to a third embodiment of the present invention.
  • This third embodiment differs from the first variant of the second embodiment in that said chip comprises only two optical amplifiers with semiconductor materials called, respectively, amplifier I 114c and a Q amplifier 115c, and carried, respectively, by the I output guide 117a and the Q output guide 117b.
  • This third embodiment is advantageous when the I modulator and the Q modulator are used only as phase modulators to produce a so-called ‘phase shift keying’ constellation.
  • the light rays, at the level of the I output 104a and of the Q output 104b, are not modulated in intensity.

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Abstract

L'invention concerne un puce photonique (10) comprenant : - une couche guide d'onde; - un ou deux modulateurs Mach Zehnder (100) formés sur et/ou dans la couche guide d'onde, comprenant une première branche (101) et une deuxième branche (102), les branches étant disposées entre une entrée optique (112) et une sortie optique (113), de sorte qu'un rayonnement lumineux injecté au niveau de l'entrée optique (112) soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement, ensuite recombinés au niveau de la sortie optique (113), chaque branche de modulation étant configurée pour moduler la phase d'un rayonnement lumineux; la puce photonique comprend au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi- conducteurs (114, 115) agencés pour amplifier séparément le premier rayonnement et le deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique (113).

Description

DESCRIPTION
TITRE : PUCE PHOTONIQUE POURVUE D’UN OU DEUX MODULATEURS MACH
ZEHNDER
DOMAINE DE L’INVENTION
La présente invention se rapporte au domaine de la photonique et plus particulièrement des puces photoniques intégrées.
Notamment, l’invention concerne une puce photonique pourvue d’un modulateur Mach Zehnder et pour lequel les pertes d’insertion sont compensées par deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs.
Selon la présente invention, les amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs sont agencés de manière limiter les effets négatifs relatifs à l’amplification d’un signal optique modulé en intensité.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION
La figure 1 représente un dispositif Mach Zehnder 1 connu de l’état de la technique. Le dispositif Mach Zehnder 1 comprend notamment deux branches de modulation, dites première branche 2 et deuxième branche 3, reliées par l’une de leur extrémité par une entrée optique 4 et par l’autre de leur extrémité par une sortie optique 5.
Notamment, les deux branches de modulation 2 et 3 sont agencées de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique 4 soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement guidés, respectivement, par la première branche 2 et la deuxième branche 3, et de sorte que ledit premier rayonnement et ledit deuxième rayonnement soient recombinés au niveau de la sortie optique.
Le dispositif est également pourvu de deux modulateurs de phase, dit premier modulateur 6 et deuxième modulateur 7 destinés à imposer un déphasage, respectivement, au premier rayonnement et au deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique 5. La modification de la phase de l’un et/ou l’autre du premier et du deuxième rayonnement permet notamment de moduler l’intensité du rayonnement recombiné en sortie du dispositif Mach Zehnder.
Néanmoins, un tel dispositif Mach Zehnder 1 est sujet à des pertes, et plus particulièrement à des pertes liées aux pertes des modulateurs de phase 6 et 7, qui en réduisent les performances.
Aussi, afin de pallier ce problème, il est considéré d’adjoindre au dispositif Mach Zehnder un amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs (« Semiconductor Optical Amplifïcator » ou « SOA » selon la terminologie Anglo-Saxonne) afin d’amplifier le rayonnement recombiné. A cet égard, le document [1] cité à la fin de la description divulgue un dispositif Mach Zehnder pourvu d’un amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs disposé en aval de la sortie optique 5 dudit dispositif.
Toutefois, cet agencement n’est pas satisfaisant. En effet, et tel qu’indiqué dans le document [2] cité à la fin de la description, le gain optique G d’un amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs n’est pas linéaire. Plus particulièrement, le gain optique G diminue lorsque la puissance optique injectée en entrée dudit amplificateur croit de sorte que la puissance délivrée en sortie de l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteur ne peut excéder une puissance de saturation. Ce comportement non linéaire donne ainsi lieu à des distorsions du signal modulé en intensité amplifié par le SOA. Par ailleurs, par effet de couplage ‘amplitude/ phase’ connu et quantifié par l’homme du métier par le ‘facteur de Henry’ dans les composants à semi-conducteurs III-V SOAs ou lasers, les fortes variations d’intensité optique donnent lieu à des variations de phase, et par voie de conséquence, altèrent également un signal modulé en intensité et en phase, en distordant également la modulation de phase.
Ainsi, un but de la présente invention est de proposer une puce photonique pourvue d’au moins un modulateur Mach Zehnder dont le signal optique peut être amplifié sans pour autant imposer une distorsion du signal modulé.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION
Le but de l’invention est atteint par une puce photonique comprenant : - un substrat support pourvu d’une face avant ;
- une couche guide d’onde reposant sur la face avant ;
- un ou deux modulateurs Mach Zehnder formés sur et/ou dans la couche guide d’onde, comprenant chacun deux branches de modulation, dites première branche et deuxième branche, les branches de modulation étant disposées entre une entrée optique et une sortie optique, de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement destinés à être guidés par le ou les modulateurs Mach Zehnder, et soient ensuite recombinés au niveau de la sortie optique, chaque branche de modulation étant configurée pour moduler la phase d’un rayonnement lumineux que ladite branche de modulation est susceptible de guider ; la puce photonique étant remarquable en ce qu’elle comprend au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs agencés pour amplifier séparément le premier rayonnement et le deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique.
Selon un mode de réalisation, chacune des deux branches de modulation comprend une section de modulation formée par un guide d’onde, dit guide d’onde de modulation, et un élément de modulation, avantageusement l’élément de modulation comprend au moins une électrode, l’élément de modulation étant configuré pour moduler la phase d’un rayonnement susceptible d’être guidé par le guide d’onde de modulation, la deuxième branche comprenant également un module de déphasage configuré pour imposer un déphasage fixe à un rayonnement lumineux susceptible d’être guidé par ladite deuxième branche.
Selon un mode de réalisation, le ou les modulateurs Mach Zehnder comprend un unique modulateur Mach Zehnder, la première branche et la deuxième branche de l’unique modulateur Mach Zehnder étant reliées, par l’une de leurs extrémités, par l’entrée optique et, par l’autre de leurs extrémités, par la sortie optique de sorte que le premier rayonnement et le deuxième rayonnement soient guidés, respectivement, par la première branche et par la deuxième branche.
Selon un mode de réalisation, les au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs comprennent un premier amplificateur et un deuxième amplificateur disposés respectivement sur la première branche et sur la deuxième branche, le premier amplificateur et le deuxième amplificateur étant configurés pour amplifier, respectivement, le premier rayonnement et le deuxième rayonnement.
Selon un mode de réalisation, l’amplificateur à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation est disposé en aval de la section de modulation de la branche de modulation considérée.
Selon un mode de réalisation, l’amplificateur à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation est disposé en amont de la section de modulation de la branche de modulation considérée.
Selon un mode de réalisation, le ou les modulateur Mach Zehnder comprend deux modulateurs Mach Zehnder dits, respectivement, modulateur I et modulateur Q de sorte que la puce photonique forme un modulateur IQ, la première branche et la deuxième branche du modulateur I étant reliées, par une de leurs extrémités, par une entrée optique intermédiaire dite entrée I, et, par l’autre de leurs extrémités, par une sortie optique intermédiaire dite sortie I, la première branche et la deuxième branche du modulateur Q étant reliées, par une de leurs extrémités, par une autre entrée optique intermédiaire dite entrée Q, et, par l’autre de leurs extrémités, par une autre sortie optique intermédiaire dite sortie Q.
Selon un mode de réalisation, ladite puce photonique comprend un diviseur de rayonnement et un combineur de rayonnement, le diviseur de rayonnement comprenant deux guides d’onde dits, respectivement, guide d’entrée I et guide d’entrée Q, le guide d’entrée I et le guide d’entrée Q reliant l’entrée optique avec, respectivement, l’entrée I et l’entrée Q, de sorte que le premier rayonnement et le deuxième rayonnement soient injectés au niveau de, respectivement, l’entrée I et l’entrée Q, le combineur de rayonnement comprenant deux guides d’onde dits, respectivement, guide de sortie I et guide de sortie Q, le guide de sortie I et le guide de sortie Q reliant la sortie optique avec, respectivement, la sortie I et la sortie Q.
Selon un mode de réalisation, les au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs comprennent un premier amplificateur I, un deuxième amplificateur I, un premier amplificateur Q et un deuxième amplificateur Q, le premier amplificateur I, le deuxième amplificateur I sont disposés respectivement sur la première branche et sur la deuxième branche du modulateur I, tandis que le premier amplificateur Q et le deuxième amplificateur Q sont disposés respectivement sur la première branche et sur la deuxième branche du modulateur Q.
Selon un mode de réalisation, l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation d’un modulateur Mach Zehnder est disposé entre la section de modulation de la branche de modulation considérée et la sortie optique intermédiaire dudit modulateur Mach Zehnder.
Selon un mode de réalisation, l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation d’un modulateur Mach Zehnder est disposé entre la section de modulation de la branche de modulation considérée et l’entrée optique intermédiaire dudit modulateur Mach Zehnder.
Selon un mode de réalisation, les au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs comprennent un amplificateur I et un amplificateur Q portés, respectivement, par le guide de sortie I et le guide de sortie Q.
Selon un mode de réalisation, ladite puce photonique comprend en outre un autre module de déphasage configuré pour imposer un autre déphasage fixe à un rayonnement lumineux entre la sortie Q et la sortie optique.
Selon un mode de réalisation, le guide d’onde de modulation comprend du silicium, avantageusement du silicium dopé, encore plus avantageusement une jonction PN le long du guide d’onde en Silicium.
Selon un mode de réalisation, les au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteur comprend un guide d’onde fait de matériaux semi-conducteurs III-V.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : [Fig.1] La figure 1 est une représentation schématique d’un dispositif Mach Zehnder 1 connu de l’état de la technique ;
[Fig.2] La figure 2 est une représentation schématique d’un dispositif Mach Zehnder susceptible d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention ;
[Fig.3] La figure 3 est une représentation schématique d’un substrat support sur une face duquel repose la couche guide d’onde, et selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant ;
[Fig.4] La figure 4 est une représentation schématique d’un puce photonique selon une première variante d’un premier mode de réalisation de la présente invention, le puce photonique selon ce premier mode de réalisation comprend notamment un unique modulateur Mach Zehnder et deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs ;
[Fig.5] La figure 5 est une représentation schématique d’un puce photonique selon une deuxième variante du premier mode de réalisation de la présente invention, le puce photonique selon ce premier mode de réalisation comprend notamment un unique modulateur Mach Zehnder et deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs ;
[Fig.6] La figure 6 est une représentation schématique d’un puce photonique selon une première variante d’un deuxième mode de réalisation de la présente invention, le puce photonique selon ce deuxième mode de réalisation comprend notamment deux modulateurs Mach Zehnder et quatre amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs ;
[Fig.7] La figure 7 est une représentation schématique d’un puce photonique selon une deuxième variante d’un deuxième mode de réalisation de la présente invention, le puce photonique selon ce deuxième mode de réalisation comprend notamment deux modulateurs Mach Zehnder et quatre amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs ;
[Fig.8] La figure 8 représente la puce photonique de la figure 7 associée à un module intermédiaire ;
[Fig.9] La figure 9 est une représentation schématique d’un puce photonique selon un troisième mode de réalisation de la présente invention, le puce photonique selon ce troisième mode de réalisation comprend notamment deux modulateurs Mach Zehnder et deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION
La présente invention concerne une puce photonique, et plus particulièrement une puce photonique pourvue d’un ou deux modulateurs Mach Zehnder formés sur et/ou dans une couche, dite couche guide d’onde, reposant sur une face avant d’un substrat support.
Selon la présente invention, le ou les modulateurs Mach Zehnder sont disposés entre une entrée optique et une sortie optique, de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement destinés à être guidés par le ou les modulateurs Mach Zehnder, et soient ensuite recombinés au niveau de la sortie optique.
La puce photonique comprend au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs agencés pour amplifier séparément le premier rayonnement et le deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique.
La figure 2 est une représentation schématique d’un modulateur Mach Zehnder 100 susceptible d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention.
Notamment, le modulateur Mach Zehnder 100 peut être formé sur ou dans une couche, dite couche guide d’onde 200 reposant sur une face avant 310 d’un substrat support 300 (figure 3).
Le substrat support 300 peut comprendre tout type de matériaux, et plus particulièrement un matériau semi-conducteur. Notamment, le matériau semi-conducteur peut comprendre du silicium, ou un semi-conducteur III-V. De manière alternative, le substrat support 300 peut comprendre un matériau piézoélectrique et notamment du niobate de lithium (LiNbCh).
La couche guide d’onde 200 peut comprendre un matériau diélectrique, par exemple du dioxyde de silicium. Selon les termes de la présente invention, un modulateur Mach Zehnder comprend deux branches de modulation dites, respectivement, première branche 101 et deuxième branche 102.
La première branche 101 et la deuxième branche 102 sont reliées, par une de leurs extrémités, par une entrée optique intermédiaire 103, et, par l’autre de leurs extrémités, par une sortie optique intermédiaire 104.
Plus particulièrement, la première branche 101 et la deuxième branche 102 comprennent chacune un guide d’onde dits, respectivement, premier guide d’onde 101a et deuxième guide d’onde 102a. La première branche 101 et la deuxième branche 102 comprennent chacune une section de modulation dites, respectivement, première section de modulation 105 et deuxième section de modulation 106.
La section de modulation d’une branche de modulation donnée est configurée pour moduler la phase d’un rayonnement lumineux susceptible d’être guidé par la branche de modulation considérée.
Une section de modulation d’une branche de modulation peut notamment comprendre une section du guide d’onde de ladite branche, dite guide d’onde de modulation, et une électrode destinée à imposer un potentiel électrique audit guide d’onde de modulation.
Une section de modulation est notamment configurée pour qu’un potentiel électrique imposé par l’électrode au guide d’onde de modulation modifie l’indice de réfraction du guide d’onde de modulation considéré. Cette modification d’indice permet d’imposer un déphasage à un rayonnement lumineux susceptible d’être guidé par la section de modulation considérée. A cet égard, le guide d’onde de modulation peut comprendre un guide en silicium dopé, et plus particulièrement un guide d’onde en silicium accommodant une jonction PN. Un tel guide d’onde présente un indice de réfraction susceptible d’être modulé en fonction d’un potentiel électrique qui lui est imposé. Le document [3] cité à la fin de la description en fournit un exemple que l’homme du métier pourra mettre en œuvre dans le cadre de la présente invention. L’invention n’est toutefois pas limitée à ces seuls aspects, et l’homme du métier pourra envisager d’autres solutions. Notamment, et à titre d’exemple, le premier guide d’onde de modulation 108 et le deuxième guide d’onde de modulation 110 peuvent comprendre un semi-conducteur III-V ou encore du LiNbCL, par exemple reporté par collage sur le substrat. Ainsi, le guide d’onde de modulation et l’électrode de la première section de modulation 105 dits, respectivement, premier guide de modulation 108 et première électrode 109, permettent d’imposer une modulation de phase, dit premier déphasage, à un rayonnement lumineux guidé par la première hanche 101. Ce premier déphasage est notamment modulé par le potentiel électrique, dit premier potentiel, imposé par la première électrode 109.
De manière équivalente, le guide d’onde de modulation et l’électrode de la deuxième section de modulation 106 dits, respectivement, deuxième guide de modulation 110 et deuxième électrode 111, permettent d’imposer une modulation de phase, dit deuxième déphasage, à un rayonnement lumineux guidé par la deuxième hanche 102. Ce deuxième déphasage est notamment modulé par le potentiel électrique, dit deuxième potentiel, imposé par la deuxième électrode 111.
Selon la présente invention, le premier potentiel et le deuxième potentiel peuvent être égaux à, respectivement, u(t)/2 et -u(t)/2. Dans ces conditions, le déphasage imposé par la première section de modulation 105 et par la deuxième section de modulation 106 sont égaux à, respectivement, Mu(t)/2 et -Mu(t)/2 (M est un facteur d’efficacité d’un modulateur).
La deuxième branche 102 peut également comprendre un module de déphasage 107 configuré pour imposer un déphasage fixe O à un rayonnement lumineux susceptible d’être guidé par ladite deuxième branche 102 venant s’ajouter au déphasage -Mu(t)/2.
Ainsi, un rayonnement lumineux, d’intensité Pin, injecté au niveau de l’entrée optique intermédiaire 103 est divisé en deux rayonnements destinés à être guidés, respectivement, par la première branche 101 et la deuxième branche 102. Le rayonnement guidé par la première branche 101 subit un déphasage égal à Mu(t)/2, tandis que le rayonnement guidé par la deuxième branche 102 subit un déphasage égal à -Mu(t)/2 + O. Ces deux rayonnements guidés par, respectivement, la première branche 101 et la deuxième branche 102, sont ensuite recombinés au niveau de la sortie optique intermédiaire 104 pour former un rayonnement de sortie d’intensité Pout.
Pour un déphasage fixe O égal à Tt/2, Pout suit la loi suivante :
Figure imgf000012_0001
Il est entendu, sans qu’il soit nécessaire de le préciser, qu’une branche modulation d’un modulateur Mach Zehnder selon les termes de la présente invention, forme un chemin optique dépourvu de ramification. En d’autres termes, un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique intermédiaire d’un modulateur Mach Zehnder ne subit qu’une unique division.
Le modulateur Mach Zehnder 100 décrit ci-avant est intégré dans une puce photonique 10 objet de la présente invention. Plus particulièrement, la puce photonique 10 selon la présente invention comprend un ou deux modulateurs Mach Zehnder 100 dont les branches de modulation sont disposées entre une entrée optique 112 et une sortie optique 113 de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement destinés à être guidés par le ou les modulateurs Mach Zehnder 100, et soient ensuite recombinés au niveau de la sortie optique.
La puce photonique 10 comprend au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs agencés pour amplifier séparément le premier rayonnement et le deuxième rayonnement avant leur recombinaison au niveau de la sortie optique.
La figure 4 est une représentation schématique d’une puce photonique 10 selon une première variante d'un premier mode de réalisation de la présente invention et mettant en œuvre un modulateur Mach Zehnder 100 tel que décrit avant.
En particulier, la puce photonique 10, selon ce premier mode de réalisation, comprend un unique modulateur Mach Zehnder 100 et pour lequel le déphasage fixe O est égal à r/2. Notamment, l’entrée optique 112 et la sortie optique 113 sont confondues, respectivement, avec l’entrée optique intermédiaire 103 et la sortie optique intermédiaire 104. Ainsi un rayonnement injecté, par exemple par une source laser 400, au niveau de l’entrée optique 112 est divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement. Le premier rayonnement est alors guidé dans la première branche 101 pour se voir imposer un déphasage égal à Mu(t)/2. De manière équivalente, le deuxième rayonnement est guidé dans la deuxième branche 102 et se voit imposer un déphasage égal à -Mu(t)/2 + n/2. La puce photonique 10 comprend en outre deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs dits, respectivement, premier amplificateur 114 et deuxième amplificateur 115 sensiblement identiques.
Le premier amplificateur 114 est disposé sur la première branche 101, tandis que le deuxième amplificateur 115 est disposé sur la deuxième branche 102. Le premier amplificateur 114 et le deuxième amplificateur 115 sont ainsi agencés pour amplifier selon un gain G, respectivement, le premier rayonnement et le deuxième rayonnement.
L’intégration d’un amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs à un guide d’onde est décrite dans le document [1] cité à la fin de la description. Notamment, un tel amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs peut comprendre un multi puit quantique formé de couches de InGaAsP. Plus particulièrement, cet amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs peut former un guide d’onde hybride couplé avec le guide d’onde de la branche de modulation. Ce couplage peut faire intervenir une section de transition, et notamment un guide d’onde effilé (« tappered waveguide » selon la terminologie Anglo- Saxonne). Plus particulièrement, le couplage peut être adiabatique tel que décrit dans le document [4] cité à la fin de la description.
Par ailleurs, un amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs peut être collé ou formé par épitaxie sur un guide d’onde, et notamment un guide d’onde de silicium.
Selon la première variante, l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation est disposé en aval de la section de modulation de la branche de modulation considérée. En d’autres termes, le premier amplificateur 114 est disposé entre la première section de modulation 105 et la sortie optique intermédiaire 103, tandis que le deuxième amplificateur 115 est disposé entre la deuxième section de modulation 106 et la sortie optique intermédiaire 104.
La figure 5 illustre une deuxième variante du premier mode de réalisation de la présente invention. Selon cette deuxième variante, l’amplificateur optique à matériaux semi- conducteurs d’une branche de modulation est disposé en amont de la section de modulation de la branche de modulation considérée. En d’autres termes, le premier amplificateur 114 est disposé entre l’entrée optique intermédiaire 103 et la première section de modulation 105, tandis que le deuxième amplificateur est disposé entre l’entrée optique intermédiaire 103 et la deuxième section de modulation 106.
L’agencement des amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs selon ce premier mode de réalisation permet d’amplifier des rayonnements lumineux modulés en phase uniquement, et non pas en intensité tel que décrit dans le document [1] cité à la fin de la description. En d’autres termes, cet agencement permet de limiter, voire de prévenir, les effets de non linéarité des amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs.
La présente invention concerne également un deuxième mode de réalisation. A cet égard, la figure 6 illustre une première variante du deuxième mode de réalisation.
La puce photonique selon ce deuxième mode de réalisation comprend deux modulateurs Mach Zehnder 100 dits, respectivement, modulateur I 100a et modulateur Q 100b identiques de sorte que la puce photonique 10 forme un modulateur IQ.
Le modulateur I 100a et le modulation Q 100b reprennent pour l’essentiel l’architecture du modulateur Mach Zehnder 100 de la première variante du premier mode de réalisation.
Notamment, la première branche 101a et la deuxième branche 102a du modulateur I 100a sont reliées, par une de leurs extrémités, par l’entrée optique intermédiaire dite entrée I 103a, et par l’autre de leurs extrémités, par la sortie optique intermédiaire, dite sortie I 104a. De manière équivalente, la première branche 101b et la deuxième branche 102b du modulateur Q 100b sont reliées, par une de leurs extrémités, par l’entrée optique intermédiaire dite entrée Q 103b, et par l’autre de leurs extrémités, par la sortie optique intermédiaire, dite sortie Q 104b.
La première branche 101a et la deuxième branche 102a du modulateur I comprennent également, respectivement, la première section de modulation 105 a et deuxième section de modulation 106a.
De manière équivalente, la première branche 101b et la deuxième branche 102b du modulateur Q comprennent également, respectivement, la première section de modulation 105b et deuxième section de modulation 106b. La deuxième branche 102a et la deuxième branche 102b comprennent chacune un module de déphasage, dits, respectivement, module I 107a et module Q 107b. Notamment, le module I 107a et le module Q 107b sont configurés pour imposer un déphasage O égal à n.
La puce photonique 10 comprend en outre quatre amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs dits premier amplificateur I 114a, deuxième amplificateur I 115a, premier amplificateur Q 114b et deuxième amplificateur Q 115b. En particulier, le premier amplificateur I 114a, le deuxième amplificateur I 115a sont disposés respectivement sur la première branche 101a et sur la deuxième branche 102a du modulateur I 100a. De manière équivalente, le premier amplificateur Q 114b et le deuxième amplificateur Q 115b sont disposés respectivement sur la première branche 101b et sur la deuxième branche 102b du modulateur Q 100b.
Plus particulièrement, selon la première variante du deuxième mode de réalisation, l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation d’un modulateur Mach Zehnder est disposé entre la section de modulation de la branche de modulation considérée et la sortie optique intermédiaire dudit modulateur Mach Zehnder.
Ainsi, le premier amplificateur I 114a est disposé entre la première section de modulation 105a et la sortie I 104a.
Le deuxième amplificateur I 115a est disposé entre la deuxième section de modulation 106a et la sortie I 104a.
Le premier amplificateur Q 114b est disposé entre la première section de modulation 105b et la sortie Q 104b.
Le deuxième amplificateur Q 115b est disposé entre la deuxième section de modulation 106b et la sortie Q 104b.
La puce photonique 10 comprend un diviseur de rayonnement 116 et un combineur de rayonnement 117.
En particulier, le diviseur de rayonnement 116 comprend deux guides d’onde dits, respectivement, guide d’entrée I 116a et guide d’entrée Q 116b. Le guide d’entrée I 116a relie l’entrée optique 112 avec l’entrée I 103a, du modulateur I 110a. De manière équivalente, le guide d’entrée Q 116b relie l’entrée optique 112 avec l’entrée Q 103b, du modulateur I 110b. Le combineur de rayonnement 117 comprenant deux guides d’onde dits, respectivement, guide de sortie 1 117a et guide de sortie Q 117b. Le guide de sortie I 117a relie la sortie optique 113 avec la sortie I 104a. Le guide de sortie Q 117b relie la sortie optique 113 avec la sortie Q 104b, du modulateur Q 100b.
La puce photonique peut comprendre un autre module de déphasage 118 configuré pour imposer un autre déphasage O’ fixe égal à /2 à un rayonnement lumineux entre la sortie Q 104b et la sortie optique 113.
Ainsi, un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique 112, par exemple par le laser 400, est divisé en deux rayonnements dits premier rayonnement et deuxième rayonnement injectés au niveau de, respectivement, l’entrée I et l’entrée Q. Le premier rayonnement est modulé par le modulateur I, pour former un premier rayonnement modulé, tandis que le deuxième rayonnement est modulé par le modulateur Q pour former un deuxième rayonnement modulé.
Le combineur de rayonnement 117 combine ensuite le premier rayonnement modulé et le deuxième rayonnement modulé en un rayonnement de sortie.
L’agencement des amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs selon cette première variante du deuxième mode de réalisation permet d’amplifier des rayonnements lumineux modulés en phase uniquement, et non pas en intensité tel que décrit dans le document [1] cité à la fin de la description. En d’autres termes, cet agencement permet de limiter, voire de prévenir, les effets de non linéarité des amplificateurs optiques à matériaux semi- conducteurs.
Le deuxième mode de réalisation comprend également une deuxième variante illustrée à la figure 7 qui diffère de la première variante en ce que l’amplificateur optique à matériaux semi-conducteurs d’une branche de modulation d’un modulateur Mach Zehnder est disposé entre la section de modulation de la branche de modulation considérée et l’entrée optique intermédiaire dudit modulateur Mach Zehnder.
Ainsi, le premier amplificateur 1 114a est disposé entre l’entrée 1 103a et la première section de modulation 105a. Le deuxième amplificateur I 115a est disposé entre l’entrée I 103a et la deuxième section de modulation 106a.
Le premier amplificateur Q 114b est disposé entre l’entrée Q 103b et la première section de modulation 105b.
Le deuxième amplificateur Q 115b est disposé entre l’entrée Q 103b et la deuxième section de modulation 106b.
L’agencement relatif à cette deuxième variante est particulièrement avantageux dès lors le rayonnement lumineux susceptible d’être injectée au niveau de l’entrée optique 112 présente une intensité réduite.
Notamment, un module intermédiaire 500 (figure 8) peut venir s’interposer entre la source 400 et l’entrée optique 112. Notamment, le module intermédiaire 500 comprend un premier diviseur de rayonnement 501 , un deuxième diviseur de rayonnement 502, un oscillateur local 503, et un modulateur TM 504.
Le premier diviseur de rayonnement 501 est configuré pour diviser un rayonnement lumineux, émis par le laser, en deux premiers rayonnement intermédiaires. L’un de ces deux rayonnements est injecté dans l’oscillateur local 503, tandis que le deuxième oscillateur reçoit l’autre de ces deux premiers rayonnements intermédiaire. Ce dernier est à son tour divisé par le deuxième diviseur de rayonnement 502 en deux deuxièmes rayonnements intermédiaires. L’un de ces deux deuxièmes rayonnements intermédiaires est injecté dans le modulateur TM 504, tandis que l’entrée optique 112 reçoit l’autre de ces deux deuxièmes rayonnements intermédiaires.
Selon cette configuration, les pertes dans les diviseurs de rayonnement sont importantes. La mise en œuvre des quatre amplificateurs optiques à matériaux semi- conducteurs est donc particulièrement avantageuse.
L’agencement des amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs selon cette deuxième variante du deuxième mode de réalisation permet d’amplifier des rayonnements lumineux modulés en phase uniquement, et non pas en intensité tel que décrit dans le document [1] cité à la fin de la description. En d’autres termes, cet agencement permet de limiter, voire de prévenir, les effets de non linéarité des amplificateurs optiques à matériaux semi- conducteurs.
La figure 9 représente la puce photonique 10 selon un troisième mode de réalisation de la présente invention.
Ce troisième mode de réalisation diffère de la première variante du deuxième mode de réalisation en ce que ladite puce ne comprend que deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteur dits, respectivement, amplificateur I 114c et un amplificateur Q 115c, et portés, respectivement, par le guide de sortie I 117a et le guide de sortie Q 117b.
Ce troisième mode de réalisation est avantageux lorsque le modulateur I et le modulateur Q sont utilisés uniquement en modulateurs de phase pour produire une constellation dite ‘phase shift keying’. Selon cette configuration, les rayonnements lumineux, au niveau de la sortie I 104a et de la sortie Q 104b, ne sont pas modulés en intensité. Chacun des deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteur dits, respectivement, amplificateur 1 114c et un amplificateur Q 115c, et portés, respectivement, par le guide de sortie I 117a et le guide de sortie Q 117b, n’amplifient qu’un rayonnement modulé en phase.
Bien sûr, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention tel que défini par les revendications.
REFERENCES
[1] T. Hiraki et al., "Membrane InGaAsP Mach-Zehnder Modulator Integrated With Optical Amplifier on Si Platform" J. Lightwave Technol. 38, 3030-3036 (2020);
[2] R. Bonk et al., "Linear semiconductor optical amplifiers for amplification of advanced modulation formats" Opt. Express 20, 9657-9672 (2012);
[3] Reed, G et al., “Silicon optical modulators ' Nature Photon 4, 518-526 (2010);
[4] S. Menezo et al., "Back-Side-On-BOX heterogeneous laser integration for fully integrated photonic circuits on silicon" 45th European Conference on Optical Communication (ECOC 2019), 2019, pp. 1-3.

Claims

REVENDICATIONS Puce photonique (10) comprenant :
- un substrat support (300) pourvu d’une face avant (310) ;
- une couche guide d’onde (200) reposant sur la face avant ;
- deux uniques modulateurs Mach Zehnder (100a, 100b) dits, respectivement, modulateur I (100a) et modulateur Q (100b) de sorte que la puce photonique forme un modulateur IQ, les deux modulateurs Mach Zehnder étant formés sur et/ou dans la couche guide d’onde, comprennent chacun deux branches de modulation, dites première branche (101a, 101b) et deuxième branche (102a, 102b) disposées entre entrée optique (112) et une sortie optique (113) de sorte qu’un rayonnement lumineux injecté au niveau de l’entrée optique (112) soit divisé en un premier rayonnement et un deuxième rayonnement destinés à être modulés par, respectivement, le modulateur I (110a) et le modulateur Q (100b) et soient ensuite recombinés au niveau de la sortie optique (113), chacune des deux branches de modulation d’un modulateur Mach-Zehnder comprend une section de modulation (105a, 105b, 106a, 106b) formée par un guide d’onde, dit guide d’onde de modulation, et un élément de modulation, l’élément de modulation étant configuré pour moduler la phase d’un rayonnement susceptible d’être guidé par le guide d’onde de modulation, la deuxième branche (102a, 102b) comprenant également un module de déphasage (107a, 107b) configuré pour imposer un déphasage fixe à un rayonnement lumineux susceptible d’être guidé par ladite deuxième branche (102a, 102b), la première branche (101a) et la deuxième branche (102a) du modulateur I (100a) étant reliées, par une de leurs extrémités, par une entrée optique intermédiaire dite entrée I (103a), et, par l’autre de leurs extrémités, par une sortie optique intermédiaire dite sortie I (104a), la première branche (101b) et la deuxième branche (102b) du modulateur Q (100b) étant reliées, par une de leurs extrémités, par une autre entrée optique intermédiaire dite entrée Q (103b), et, par l’autre de leurs extrémités, par une autre sortie optique intermédiaire dite sortie Q (104b) ; la puce photonique comprend également un diviseur de rayonnement (116) et un combineur de rayonnement (117), le diviseur de rayonnement comprenant deux guides d’onde dits, respectivement, guide d’entrée I (116a) et guide d’entrée Q (116b), le guide d’entrée I et le guide d’entrée Q reliant l’entrée optique (112) avec, respectivement, l’entrée I et l’entrée Q, de sorte que le premier rayonnement et le deuxième rayonnement soient injectés au niveau de, respectivement, l’entrée I et l’entrée Q, le combineur de rayonnement comprenant deux guides d’onde dits, respectivement, guide de sortie I et guide de sortie Q, le guide de sortie I (117a) et le guide de sortie Q (117b) reliant une sortie optique (113) avec, respectivement, la sortie I et la sortie Q ; la puce photonique comprend deux uniques amplificateurs optiques à matériaux semi- conducteurs (114c, 115c) dits, respectivement, amplificateur I et amplificateur Q portés, respectivement, par le guide de sortie I et le guide de sortie Q. Puce photonique selon la revendication 1, dans laquelle ladite puce photonique comprend en outre un autre module de déphasage configuré pour imposer un autre déphasage fixe à un rayonnement lumineux entre la sortie Q et la sortie optique (113). Puce photonique selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le guide d’onde de modulation comprend du silicium, avantageusement du silicium dopé, encore plus avantageusement une jonction PN le long du guide d’onde en Silicium. Puce photonique selon la revendication 3, dans laquelle les au moins deux amplificateurs optiques à matériaux semi-conducteurs comprend un guide d’onde fait de matériaux semi-conducteurs III-V. Puce photonique selon l’une des revendications 1 à 4, dans laquelle ladite puce photonique comprend en outre un module intermédiaire (500) s’interposant entre une source (400) de rayonnement lumineux et l’entrée optique (112), le module intermédiaire (500) comprend un premier diviseur de rayonnement (501), une deuxième diviseur de rayonnement (502), un oscillateur local (503) et un modulateur TM (504). Puce photonique selon la revendication 5, dans laquelle le premier diviseur de rayonnement est configuré pour diviser un rayonnement lumineux, émis par la source (400), en deux premiers rayonnement intermédiaires, l’un de ces deux rayonnements étant injecté dans l’oscillateur local 503 tandis que le deuxième diviseur de rayonnement reçoit l’autre de ces deux premiers rayonnements intermédiaires. Puce photonique selon la revendication 6, dans laquelle le deuxième diviseur de rayonnement est configuré pour diviser l’autre de ces deux premiers rayonnements intermédiaires en un rayonnement injecté dans le modulateur TM (504) et un rayonnement injecté au niveau de l’entrée optique 112.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0795778A1 (fr) * 1996-03-15 1997-09-17 France Telecom Dispositif optique non-linéaire de traitement de signaux optiques
US9344196B1 (en) * 2009-05-28 2016-05-17 Freedom Photonics, Llc. Integrated interferometric optical transmitter
US20160357086A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Jds Uniphase Corporation Optical modulator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0795778A1 (fr) * 1996-03-15 1997-09-17 France Telecom Dispositif optique non-linéaire de traitement de signaux optiques
US9344196B1 (en) * 2009-05-28 2016-05-17 Freedom Photonics, Llc. Integrated interferometric optical transmitter
US20160357086A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Jds Uniphase Corporation Optical modulator

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BONK R ET AL: "Linear semiconductor optical amplifiers for amplification of advanced modulation formats", OPTICS EXPRESS OPTICAL SOCIETY OF AMERICA USA, vol. 20, no. 9, 23 April 2012 (2012-04-23), pages 9657 - 9672, XP002806171, ISSN: 1094-4087, DOI: 10.1364/OE.20.009657 *
DATABASE INSPEC [online] THE INSTITUTION OF ELECTRICAL ENGINEERS, STEVENAGE, GB; 23 April 2012 (2012-04-23), BONK R ET AL: "Linear semiconductor optical amplifiers for amplification of advanced modulation formats", XP002807722, Database accession no. 12734845 *
G. T. REED ET AL: "Silicon optical modulators", NATURE PHOTONICS, vol. 4, no. 8, 1 August 2010 (2010-08-01), London, pages 518 - 526, XP055334361, ISSN: 1749-4885, DOI: 10.1038/nphoton.2010.179 *
HIRAKI TATSUROU ET AL: "Membrane InGaAsP Mach-Zehnder Modulator Integrated With Optical Amplifier on Si Platform", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, IEEE, USA, vol. 38, no. 11, 2 March 2020 (2020-03-02), pages 3030 - 3036, XP011790451, ISSN: 0733-8724, [retrieved on 20200527], DOI: 10.1109/JLT.2020.2977426 *
OPTICS EXPRESS OPTICAL SOCIETY OF AMERICA USA, vol. 20, no. 9, 23 April 2012 (2012-04-23), pages 9657 - 9672, ISSN: 1094-4087, DOI: 10.1364/OE.20.009657 *
R. BONK ET AL.: "Linear semiconductor optical amplifiers for amplification of advanced modulation formats", OPT. EXPRESS, vol. 20, 2012, pages 9657 - 9672, XP002806171, DOI: 10.1364/OE.20.009657
REED, G ET AL.: "Silicon optical modulators", NATURE PHOTON, vol. 4, 2010, pages 518 - 526, XP055334361, DOI: 10.1038/nphoton.2010.179
S. MENEZO ET AL.: "Back-Side-On-BOX heterogeneous laser intégration for fiully integrated photonic circuits on silicon", 45TH EUROPEAN CONFÉRENCE ON OPTICAL COMMUNICATION (ECOC 2019, 2019, pages 1 - 3
T. HIRAKI ET AL.: "Membrane InGaAsP Mach-Zehnder Modulator Integrated With Optical Amplifier on Si Platform", J. LIGHTWAVE TECHNOL., vol. 38, 2020, pages 3030 - 3036, XP011790451, DOI: 10.1109/JLT.2020.2977426

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