WO2021130806A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

動作安定性に優れた表示装置を提供する。表示装置は、第１基板と、第２基板と、導電性流体とを備えている。第１基板は、第１絶縁板と、スイッチング素子とを有する。スイッチング素子は、第１絶縁板の上に形成されている。第２基板は、第２絶縁板と、第１電極と、発光層と、第２電極とを有する。第２絶縁板は、第１絶縁板と対向している。第１電極は、第２絶縁板の上に形成されている。発光層は、第１電極の上に形成されている。第２電極は、発光層の上に形成されている。第２電極は、スイッチング素子と対向している。導電性流体は、第１基板と第２基板との間に配されている。導電性流体は、スイッチング素子と第２電極とを電気的に接続している。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。

　例えば、特許文献１には、デュアルパネルタイプの表示装置が開示されている。特許文献１に記載の表示装置は、第１基板と、第２基板とを備えている。第１基板は、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有するＴＦＴ基板である。第２基板は、第１電極と、第１電極の上に形成された発光層と、発光層の上に形成された第２電極とを有する。すなわち、特許文献１に記載の表示装置では、第１電極、第２電極及び発光層は、ＴＦＴが形成された第１基板ではない、第２基板側に設けられている。特許文献１に記載された表示装置では、第１基板に設けられたＴＦＴと、第２基板に設けられた第２電極とは、電気的連結パターンにより相互に電気的に接続されている。

特開２００７－３２９１３８号公報

　上述のように、特許文献１に記載の表示装置では、第１基板に設けられたＴＦＴと、第２基板に設けられた第２電極とが電気的連結パターンにより電気的に接続されている。このため、例えば、特許文献１に記載の表示装置に応力が付加するなどして表示装置が変形した場合などにおいては、電気的連結パターンと、ＴＦＴ及び第２電極のうちの少なくとも一方とが離れてしまう場合がある。従って、特許文献１に記載の表示装置は、接続信頼性が低い。よって、特許文献１に記載の表示装置には、動作安定性が低いという問題がある。

　本開示の主な目的は、動作安定性に優れた表示装置を提供することにある。

　本発明の一形態の表示装置は、第１基板と、第２基板と、導電性流体とを備えている。第１基板は、第１絶縁板と、スイッチング素子とを有する。スイッチング素子は、第１絶縁板の上に形成されている。第２基板は、第２絶縁板と、第１電極と、発光層と、第２電極とを有する。第２絶縁板は、第１絶縁板と対向している。第１電極は、第２絶縁板の上に形成されている。発光層は、第１電極の上に形成されている。第２電極は、発光層の上に形成されている。第２電極は、スイッチング素子と対向している。導電性流体は、第１基板と第２基板との間に配されている。導電性流体は、スイッチング素子と第２電極とを電気的に接続している。

第１実施形態に係る表示装置の模式的断面図である。 第２実施形態に係る表示装置の模式的断面図である。 第３実施形態に係る表示装置の模式的断面図である。 第４実施形態に係る表示装置の模式的断面図である。 第５実施形態に係る表示装置の模式的断面図である。

　以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

　（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態に係る表示装置１の模式的断面図である。

　表示装置１は、複数の画素Ｐを有する。複数の画素Ｐは、マトリクス状に配列されている。

　図１に示すように、表示装置１は、第１基板１０と、第２基板２０とを有する。第１基板１０と、第２基板２０とは、互いに対向している。

　（第１基板１０）
　第１基板１０は、後に詳述するように、スイッチング素子１２を有する基板である。本実施形態では、第１基板１０は、スイッチング素子１２として、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する。このため、第１基板１０は、ＴＦＴ基板と呼ばれることもある。

　第１基板１０は、第１絶縁板１１を有する。第１絶縁板１１は、第２基板２０側の主面１１ａが絶縁性を有する基板である。第１絶縁板１１は、例えば、全体が絶縁材料により構成されていてもよいし、導電基板と、導電基板の上に形成された絶縁層とにより構成されていてもよい。第１絶縁板１１は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等により構成することができる。

　第１絶縁板１１の主面１１ａの上には、スイッチング素子１２が形成されている。具体的には、第１絶縁板１１の主面１１ａの上には、複数のスイッチング素子１２がマトリクス状に形成されている。スイッチング素子１２は、複数の画素Ｐのそれぞれに対して少なくともひとつ設けられている。図１に示す例では、複数の画素Ｐのそれぞれにひとつのスイッチング素子１２が設けられている。

　複数のスイッチング素子１２のそれぞれは、ゲート電極１２ａと、ゲート絶縁膜１２ｂと、ソース電極１２ｃと、チャネル層１２ｄと、ドレイン電極１２ｅとを有する。

　ゲート電極１２ａは、第１絶縁板１１の主面１１ａの上に形成されている。ゲート電極１２ａは、主面１１ａ上に形成されたゲートライン（第１信号線）１３に電気的に接続されている。ゲートライン１３は、主面１１ａ上に複数形成されている。複数のゲートライン１３のそれぞれは、一の方向（図１において紙面に対して垂直な方向）に沿って延びている。複数のゲートライン１３は、一の方向に対して垂直な他の方向に沿って相互に間隔をおいて配置されている。

　ゲート電極１２ａ及びゲートライン１３の上には、ゲート絶縁膜（層間絶縁膜）１２ｂが形成されている。ゲート絶縁膜１２ｂの上に、チャネル層１２ｄが形成されている。チャネル層１２ｄは、ゲート電極１２ａを覆うように形成されている。

　チャネル層１２ｄの一部分の上には、ソース電極１２ｃが形成されている。ソース電極１２ｃは、チャネル層１２ｄ及びゲート絶縁膜１２ｂを介してゲート電極１２ａと対向している部分を有する。ソース電極１２ｃは、ソースライン（第２信号線）１４に電気的に接続されている。ソースライン１４は、ゲート絶縁膜１２ｂ及びチャネル層１２ｄの上に複数形成されている。複数のソースライン１４のそれぞれは、ゲートライン１３の延びる方向に対して交差した方向（典型的には、直交した方向）に沿って延びている。複数のソースライン１４は、ゲートライン１３の延びる方向に沿って相互に間隔をおいて配置されている。

　チャネル層１２ｄのソース電極１２ｃが設けられた部分以外の部分のうちの一部の上には、ドレイン電極１２ｅが形成されている。ドレイン電極１２ｅとソース電極１２ｃとは、相互に離れて設けられている。

　チャネル層１２ｄのソース電極１２ｃ及びドレイン電極１２ｅからの露出部、ソース電極１２ｃ及びドレイン電極１２ｅの一部の上には、絶縁部材（絶縁膜）１２ｆが形成されている。この絶縁部材１２ｆにより、チャネル層１２ｄのソース電極１２ｃ及びドレイン電極１２ｅからの露出部、ソース電極１２ｃ及びドレイン電極１２ｅの一部が覆われている。ドレイン電極１２ｅの一部は、絶縁部材１２ｆから露出している。

　このように、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂ、ソース電極１２ｃ、チャネル層１２ｄ及びドレイン電極１２ｅを含む複数のスイッチング素子１２が相互に間隔を置いて配されている。

　複数のスイッチング素子１２のそれぞれにおいて、ドレイン電極１２ｅの絶縁部材１２ｆからの露出部の上には、導電部材１５が形成されている。導電部材１５は、スイッチング素子１２に電気的に接続されている。導電部材１５は、ドレイン電極１２ｅから第２基板２０側に向かって延びている。

　導電部材１５は、例えば、導電材料により構成することができる。具体的には、導電部材１５は、例えば、アルミニウム、銅等の金属、導電材を含む導電性樹脂等により形成することができる。導電部材１５は、例えば、絶縁材料により形成された本体と、その本体の少なくとも一部の上に設けられた導電層により構成されていてもよい。

　（第２基板２０）
　第２基板２０は、第１基板１０と対向している。具体的には、第２基板２０は、第１基板１０の複数のスイッチング素子１２が形成された側の面と対向するように配置されている。

　第２基板２０は、第２絶縁板２１を有する。第２絶縁板２１は、第１基板１０側の主面２１ａが絶縁性を有する基板である。第２絶縁板２１は、例えば、全体が絶縁材料により構成されていてもよいし、導電基板と、導電基板の上に形成された絶縁層とにより構成されていてもよい。第２絶縁板２１は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等により構成することができる。

　第２絶縁板２１の主面２１ａの上には、第１電極２２が形成されている。本実施形態では、主面２１ａの上に、ひとつの第１電極２２が形成されている。第１電極２２は、複数の画素Ｐに跨がって形成されている。すなわち、第１電極２２は、複数の画素Ｐに対して共通に設けられている。第１電極２２は、透光性を有することが好ましい。第１電極２２は、例えば、透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）により形成することができる。

　第１電極２２の上には、発光層２４が形成されている。具体的には、第１電極２２の上に、複数の発光層２４が形成されている。複数の発光層２４は、複数の画素Ｐのそれぞれにひとつの発光層２４が位置するように設けられている。

　発光層２４は、電圧が印加された際に発光するエレクトロルミネッセンス層である。発光層２４は、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）層であってもよいし、量子ドットを含むＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ　ｄｏｔｓ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）層であってもよい。以下、本実施形態では、発光層２４がＯＬＥＤ層である例について説明する。

　発光層２４の上には、第２電極２６が形成されている。第２電極２６は、第１基板１０のスイッチング素子１２と対向している。詳細には、第２電極２６は、スイッチング素子１２のドレイン電極１２ｅの露出部と対向している。さらに詳細には、第２電極２６は、ドレイン電極１２ｅの露出部に接続された導電部材１５の先端部と対向している。この第２電極２６と第１電極２２とにより発光層２４に対して、正孔や電子等の電荷の注入が行われる。本実施形態では、第１電極２２が、発光層２４に対して正孔を注入する陽極であり、第２電極２６が、発光層２４に対して電子を注入する陰極である。

　表示装置１は、発光層２４からの光が第２基板２０側から出射するように構成されている。このため、発光層２４に対して第１基板１０側に位置している第２電極２６は、発光層２４から出射する光の反射率が高い反射電極であることが好ましい。この場合、第２電極２６は、例えば、金属層を含むことが好ましい。

　発光層２４と第１電極２２との間には、少なくとも一層の電荷輸送層が配されていることが好ましい。具体的には、発光層２４と第１電極２２との間には、正孔輸送層及び正孔注入層のうちの少なくとも一方が配されていることが好ましい。本実施形態では、発光層２４と第１電極２２との間には、正孔輸送層２３が配されている。正孔輸送層２３は、第１電極２２から注入される正孔の発光層２４への輸送効率（正孔輸送効率）を向上する層である。もっとも、本発明は、この構成に限定されない。第１電極と発光層とが直接接触していてもよい。

　発光層２４と第２電極２６との間には、少なくとも一層の電荷輸送層が配されていることが好ましい。具体的には、発光層２４と第２電極２６との間には、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一方が配されていることが好ましい。本実施形態では、発光層２４と第２電極２６との間には、電子輸送層２５が配されている。電子輸送層２５は、第２電極２６から注入される電子の発光層２４への輸送効率（電子輸送効率）を向上する層である。

　第２電極２６の上には、絶縁体（絶縁膜）２７が形成されている。この絶縁体２７により、第２電極２６の一部を除いた部分が覆われている。具体的には、絶縁体２７には、開口２７ａが形成されており、その開口２７ａから第２電極２６が露出している。第２電極２６の露出部２６ａを除いた部分は、絶縁体２７により覆われている。第１基板１０と第２基板２０とが互いに対向する方向である対向方向において、露出部２６ａは、例えば導電部材１５の少なくとも一部に対向するように設けられる。

　上記正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、第２電極２６及び絶縁体（絶縁膜）２７は、複数の画素Ｐのそれぞれに対して設けられている。一の画素Ｐを構成している正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、第２電極２６及び絶縁体２７と、一の画素Ｐと隣接する他の画素Ｐを構成している正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、第２電極２６及び絶縁体２７との間には、絶縁部材（バンク）２８が配されている。絶縁部材２８は、第１電極２２の上に形成されている。絶縁部材２８は、第１電極２２から、第２電極２６よりも第１基板１０側に突出している。この絶縁部材２８により、一の画素Ｐを構成している正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、第２電極２６及び絶縁体２７と、一の画素Ｐと隣接する他の画素Ｐを構成している正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、第２電極２６及び絶縁体２７とが分離されている。

　なお、絶縁部材２８の先端部と、導電部材１５の先端部とは、表示装置１の光出射面１Ａの面方向において重なっている。すなわち、導電部材１５は、絶縁部材２８の第１基板１０側の先端よりも第２基板２０側に至っている。

　（第１基板１０と第２基板２０との接合態様）
　第１基板１０と第２基板２０とは、スイッチング素子１２と第２電極２６とが対向するように、相互に間隔を置いて配されている。第２基板２０に属する第２絶縁板２１の主面２１ａ上には、封止部材２９が形成されている。封止部材２９は、複数の画素Ｐを包囲するように額縁状に形成されている。封止部材２９の先端部と第１基板１０とは、接合材３０により接合されている。このため、第１基板１０と第２基板２０との間には、封止部材２９により包囲された内部空間Ｓが形成されている。

　第１基板１０と第２基板２０との間には、導電性流体４０が配されている。具体的には、導電性流体４０は、内部空間Ｓに充填されている。すなわち、封止部材２９は、第１基板１０と第２基板２０とを接続しており、導電性流体４０の周囲を囲っている。

　ここで、「導電性流体」とは、導電性を有する流体のことである。「導電性を有する」とは、電気抵抗率が、１０^８Ωcm以下であることをいう。「流体」には、液体、気体、ゾル、ゲル等が少なくとも含まれる。

　導電性流体４０は、導電性液体であることが好ましい。好ましく用いられる導電性流体４０の例としては、例えば、液体金属、イオン液体、導電性粒子が分散した液体である導電性粒子分散液、導電性グリース等が挙げられる。なお、「液体金属」は、融点が常温（２５℃）以下である金属を意味する。液体金属の具体例としては、例えば、水銀、ガリンスタン（ガリウム・インジウム・スズ合金）等のガリウム合金等が挙げられる。イオン液体の具体例としては、例えば、１－アリール－３－オクチルイミダゾリウムビス（フルオロスルフォニル）イミド等のイミダゾリウム系イオン液体、１－メチル－１－プロピルピロリジニウムビス（フルオロスルフォニル）イミド等のピロリジニウム系イオン液体、１－メチル－１－プロピルピペリジニウムビス（フルオロスルフォニル）イミド等のピペリジニウム系イオン液体、アンモニウム系イオン液体、ホスホニウム系イオン液体等が挙げられる。導電性粒子分散液の具体例としては、例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン、グラファイト等の黒鉛粒子、金粒子、銀粒子等の導電性粒子が、水、アルコール（例えば、エタノール、イソプロピルアルコール）、ヘキサン、トルエン、Ｎ－メチルピロリドン、メチルエチルケトン等の液体に分散した分散液等が挙げられる。導電性グリースの具体例としては、例えば、伝導性粒子とシリコーングリースとの混合物等が挙げられる。

　導電性流体４０は、例えば、増粘剤やゲル化剤を含んでいてもよい。

　表示装置１では、スイッチング素子１２と第２電極２６とが、導電性流体４０によって電気的に接続されている。このため、例えば、表示装置１に応力が付加し、表示装置１が変型した場合であっても、スイッチング素子１２と第２電極２６との電気的接続が導電性流体４０によって確実に維持される。よって、表示装置１では、スイッチング素子１２と第２電極２６との接続信頼性が高い。従って、表示装置１は、優れた動作安定性を有する。

　例えば、スイッチング素子と第２電極とを固体の導電材により電気的に接続した場合、表示装置に応力が付加した際に、固体の導電材と、スイッチング素子及び第２電極の少なくとも一方とが接触することにより、スイッチング素子や第２電極が破損する虞がある。それに対して、表示装置１では、スイッチング素子１２や第２電極２６が、他の部材と接触することにより破損することが効果的に抑制されている。従って、表示装置１は、より優れた動作安定性を有する。

　表示装置１は、導電性流体４０により、各画素Ｐを構成しているスイッチング素子１２と第２電極２６とが電気的に接続され、一の画素Ｐに含まれるスイッチング素子１２と、他の画素Ｐに含まれる第２電極２６とが電気的に接続されないように構成されていることが好ましい。この場合、画素Ｐ間のクロストークの発生を抑制することができるためである。

　なお、「電気的に接続されない」とは、スイッチング素子１２と第２電極２６との間の電気抵抗率が、スイッチング素子１２からの電気信号が第２電極２６に実質的に入力されない程度の電気抵抗率であることを意味する。

　隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生をより効果的に抑制する観点からは、表示装置１は、一の画素Ｐのスイッチング素子１２がオンされた状態のときに、一の画素Ｐと隣接する他の画素Ｐのスイッチング素子１２がオンされない（オフ状態とされる）ように駆動されるように構成されていることが好ましい。表示装置１は、例えば、一の画素Ｐのスイッチング素子１２がオンされた状態のときに、一の画素Ｐと隣接する他の画素Ｐのスイッチング素子１２がオフ状態となるように複数のスイッチング素子１２を制御する制御部を備えていることが好ましい。

　隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生を抑制する観点からは、各画素Ｐ内における、スイッチング素子１２（詳細には、スイッチング素子１２のドレイン電極１２ｅ）と、第２電極２６との間の電気抵抗率が低いことが好ましい。

　上記観点から、スイッチング素子１２に電気的に接続されており、スイッチング素子１２から第２電極２６側に突出する導電部材１５が設けられていることが好ましい。隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生をより効果的に抑制する観点からは、導電部材１５の電気抵抗率が、導電性流体４０の電気抵抗率以下であることが好ましい。

　上述のように、隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生を抑制する観点からは、一の画素Ｐ内におけるスイッチング素子１２と第２電極２６との間の電気抵抗率を低くすることが重要である。それに加え、一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐの第２電極２６との間の電気抵抗率を高くすることが好ましい。この観点から、一の画素Ｐの発光層２４及び第２電極２６と、他の画素Ｐの発光層２４及び第２電極２６とを分離する絶縁部材２８が設けられていることが好ましい。さらに、絶縁部材２８が、第２電極２６よりも第１基板１０側に突出していることが好ましい。さらには、第２電極２６の上に、導電部材１５と対向している部分を露出させる絶縁体２７を形成することが好ましい。

　一の画素Ｐ内におけるスイッチング素子１２と第２電極２６との間の電気抵抗率を低くし、かつ、一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐの第２電極２６との間の電気抵抗率を高くする観点から、Ｌｐに対するＬｏの比（Ｌｏ／Ｌｐ）が１／２±１０％の範囲内であることが好ましい。

　但し、
　Ｌｐ：一の画素Ｐの第２電極２６の図心と、一の画素Ｐと隣接している他の画素Ｐの第２電極２６の図心との間の距離、
　Ｌｏ：一の画素Ｐの第２電極２６の絶縁体２７からの露出部２６ａと、一の画素Ｐと隣接している他の画素Ｐの第２電極２６の絶縁体２７からの露出部２６ａとの間の距離（最短距離）、
である。

　また、一の画素Ｐ内におけるスイッチング素子１２と第２電極２６との間の電気抵抗率を低くし、かつ、一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐの第２電極２６との間の電気抵抗率を高くする観点から、導電部材１５のそれぞれが、絶縁部材２８の第１基板１０側の先端よりも第２基板２０側に至っていることが好ましい。この場合、導電部材１５と第２電極２６との間の導電パスを短くしつつ、一の画素Ｐの導電部材１５と、他の画素Ｐの第２電極２６との間の導電パスを長くできるためである。

　上記観点からは、絶縁部材２８と第１基板１０との間の距離を極力短くすることが好ましく、絶縁部材２８を第１基板１０と接触するように設けることがさらに好ましい。特に、この場合においては、絶縁部材２８の第１基板１０側の頂部が少なくとも弾性体により構成されていることが好ましい。この場合、絶縁部材２８と第１基板１０との接触による損傷を抑制することができるためである。

　一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐの第２電極２６との間の抵抗は、一の画素Ｐ内におけるスイッチング素子１２と第２電極２６との間の抵抗の３×１０^４倍以上であることが好ましい。

　なお、絶縁部材２８の全体を弾性体により構成してもよいし、例えば、金属等からなる本体と、本体の上に形成されており、弾性体からなる弾性部とにより絶縁部材２８を構成してもよい。なお、本発明において、「弾性体」とは、ヤング率が１０ＧＰａ以下であるものを意味する。弾性体のヤング率は、１ＧＰａ以下であることが好ましい。

　好ましく用いられる弾性体の具体例としては、例えば、ゴム等のエラストマー等が挙げられる。

　（表示装置１の製造方法）
　表示装置１の製造方法は、特に限定されない。表示装置１は、例えば、以下のように、ＯＤＦ（ワン・ドロップ・フィル）工法を用いて製造することができる。

　具体的には、まず、第１基板１０と第２基板２０とを作製する。次に、第１基板１０及び第２基板２０のうちの少なくとも一方の上に導電性液体４０を配する。好ましくは、第２基板２０の上に導電性液体４０を配する。導電性液体４０の配置方法は、特に限定されない。例えば、第２基板２０の複数箇所の上に、導電性液体４０を滴下してもよい。滴下した導電性液体４０が均一に広がりやすくする観点から、絶縁部材２８に他の部分よりも低い部分を設けておくことが好ましい。すなわち、絶縁部材２８は、相対的に低い部分と、相対的に高い部分とを有することが好ましい。

　その後、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせることにより、表示装置１を製造することができる。なお、第１基板１０と第２基板２０との貼り合わせは、減圧雰囲気中で行うことが好ましい。そうすることにより、内部空間Ｓ中に気泡が残存することを抑制することができる。

　以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

　（第２実施形態）
　図２は、第２実施形態に係る表示装置１ａの模式的断面図である。

　第２実施形態に係る表示装置１ａは、別の絶縁部材４１を供えている点で、第１実施形態に係る表示装置１と異なる。

　絶縁部材４１は、一の画素Ｐの導電部材１５と第２電極２６とが対向している部分と、一の画素Ｐに隣接した他の画素Ｐの導電部材１５と第２電極２６とが対向している部分との間に位置している。絶縁部材４１は、第１基板１０から、絶縁部材２８の第１基板１０側の先端よりも第２基板２０側に突出している。

　表示装置１ａでは、上記のような絶縁部材４１が設けられている。このため、一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐと隣接した他の画素Ｐの第２電極２６との間の導電パスを長くできると共に、導電パスの横断面積を小さくすることができる。よって、隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生をより効果的に抑制することができる。

　隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生をより効果的に抑制する観点からは、絶縁部材（別の絶縁部材）４１と絶縁部材２８とが接触していることが好ましい。

　なお、本実施形態では、絶縁部材４１は、絶縁部材１２ｆと一体に形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。絶縁部材(別の絶縁部材)４１は、例えば、絶縁部材１２ｆと別体に形成されていてもよい。

　絶縁部材４１、１２ｆ、２８の少なくともひとつは、有機絶縁体により構成された有機絶縁部材であることが好ましい。有機絶縁体の具体例としては、例えば、樹脂や、ゴム等の重合体等が挙げられる。

　（第３実施形態）
　図３は、第３実施形態に係る表示装置１ｂの模式的断面図である。

　第３実施形態に係る表示装置１ｂは、以下の点で第２実施形態に係る表示装置１ａと異なる。すなわち、表示装置１ｂでは、絶縁部材４１に凹部４１ａが形成されている。凹部４１ａは、絶縁部材４１の頂部に形成されている。凹部４１ａは、第１絶縁板１１側に向かって凹んでいる。絶縁体２７は、凹部４１ａに位置する部分を有する。詳細には、絶縁体２７は、第１基板１０側に向かって突出する凸部２７ｂを有する。凸部２７ｂの一部が凹部４１ａ内に位置している。

　このように、第３実施形態に係る表示装置１ｂでは、絶縁体２７が、絶縁部材４１に形成された凹部４１ａ内に位置する部分を有する。このため、一の画素Ｐのスイッチング素子１２と、一の画素Ｐと隣接した他の画素Ｐの第２電極２６との間の導電パスを長く、かつ、導電パスの横断面積を小さい。従って、隣接する画素Ｐ間のクロストークの発生がより効果的に抑制されている。

　なお、本実施形態では、絶縁体２７と絶縁部材４１とは、相互に離れて設けられている。但し、本発明は、この構成に限定されない。絶縁体２７と絶縁部材４１とは、例えば、接触していてもよい。

　上記第１～第３実施形態においては、第２電極２６の上に絶縁体２７が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第２電極の上に絶縁体が形成されていなくてもよい。

　（第４実施形態）
　図４は、第４実施形態に係る表示装置１ｃの模式的断面図である。

　第１～第３実施形態に係る表示装置１、１ａ、１ｃのそれぞれでは、絶縁部材２８が第２電極２６よりも第１基板１０側に突出している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。

　図４に示すように、例えば、第４実施形態に係る表示装置１ｃのように、絶縁部材２８は、第２電極２６よりも第１基板１０側に突出していなくてもよい。

　また、絶縁部材２８と絶縁体２７とが一体に形成されていてもよい。

　（第５実施形態）
　図５は、第５実施形態に係る表示装置１ｄの模式的断面図である。

　第１～第４実施形態に係る表示装置１、１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれでは、ゲートライン１３及びソースライン１４の少なくとも一方を封止部材２９の外側に引き出す引き出し配線４３が第１絶縁板１１上に形成されている一方、第１電極２２を封止部材２９の外側に引き出す引き出し配線４４が第２絶縁板２１上に形成されている例について説明した。

　第５実施形態に係る表示装置１ｄでは、第１絶縁板の封止部材２９の外側に位置する部分の上に引き出し配線４５がさらに設けられている。引き出し配線４５は、引き出し配線４４と電気的に接続されている。具体的には、引き出し配線４５は、引き出し配線４４の上に形成された接続部材４６及び導電性接着層４７を介して引き出し配線４４と電気的に接続されている。

　表示装置１ｄでは、ゲートライン１３及びソースライン１４の少なくとも一方に電気的に接続された引き出し配線４３と、第１電極２２に電気的に接続された引き出し配線４５とが同じ第１絶縁板１１上に形成されている。このため、例えば、第１絶縁板１１に対してひとつの外部端子を接続することにより、引き出し配線４３及び引き出し配線４５を外部装置に電気的に接続することができる。

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ　表示装置
１０　第１基板
１１　第１絶縁板
１２　スイッチング素子
１２ｆ　絶縁部材
１３　ゲートライン
１４　ソースライン
１５　導電部材
２０　第２基板
２１　第２絶縁板
２２　第１電極
２３　正孔輸送層
２４　発光層
２５　電子輸送層
２６　第２電極
２７　絶縁体
２８　絶縁部材
２９　封止部材
４０　導電性流体
４１　絶縁部材
４３、４４、４５　引き出し配線

Claims (14)

1. 　第１絶縁板と、前記第１絶縁板の上に形成されたスイッチング素子とを有する第１基板と、
   　前記第１絶縁板と対向している第２絶縁板と、前記第２絶縁板の上に形成された第１電極と、前記第１電極の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成されており、前記スイッチング素子と対向している第２電極とを有する第２基板と、
   　前記第１基板と前記第２基板との間に配されており、前記スイッチング素子と前記第２電極とを電気的に接続している導電性流体と、
   を備える、表示装置。
2. 　前記第１基板は、前記スイッチング素子を複数有し、
   　前記複数のスイッチング素子は、互いに隣り合う一のスイッチング素子及び他のスイッチング素子を含み、
   　前記第２基板は、前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極をそれぞれ複数有し、
   　前記複数の発光層は、互いに隣り合う一の発光層及び他の発光層を含み、
   　前記複数の第２電極は、前記一の発光層の上に形成された一の第２電極と、前記他の発光層の上に形成された他の第２電極と、を含み、
   　前記導電性流体により、前記一のスイッチング素子と前記一の第２電極とが電気的に接続されており、前記他のスイッチング素子と前記他の第２電極とが電気的に接続されている、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 　前記第１基板は、
   　前記一のスイッチング素子に電気的に接続されており、前記一のスイッチング素子から前記一の第２電極側に突出する第１導電部材と、
   　前記他のスイッチング素子に電気的に接続されており、前記他のスイッチング素子から前記他の第２電極側に突出する第２導電部材と、
   をさらに有する、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 　前記第２基板は、前記一の発光層及び前記一の第２電極と、前記他の発光層及び前記他の第２電極とを分離する絶縁部材をさらに有する、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 　前記絶縁部材は、前記第２電極よりも前記第１基板側に突出している、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 　前記絶縁部材の前記第１基板側の頂部が弾性体により構成されている、
   請求項４または５に記載の表示装置。
7. 　前記絶縁部材が前記第１基板と接触している、
   請求項４～６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 　前記第１導電部材及び前記第２導電部材のそれぞれは、前記絶縁部材の前記第１基板側の先端よりも前記第２基板側に至っている、
   請求項４～７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 　前記第１導電部材は、前記一の第２電極の一部に対向するように設けられており、
   　前記第２基板は、
   　前記一の第２電極の上に形成されており、前記一の第２電極のうち、前記第１基板と前記第２基板との対向方向において前記第１導電部材と対向する部分の一部を露出させる一の絶縁体と、
   　前記他の第２電極の上に形成されており、前記他の第２電極のうち、前記第１基板と前記第２基板との対向方向において前記第２導電部材と対向する部分の一部を露出させる他の絶縁体と、
   をさらに有する、
   請求項４～８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 　前記一の第２電極の図心と前記他の第２電極の図心との間の距離に対する、前記一の第２電極の前記一の絶縁体から露出している部分と前記他の第２電極の前記他の絶縁体から露出している部分との間の距離の比が、１／２±１０％の範囲内にある、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 　前記第１導電部材と前記一の第２電極とが対向している部分と、前記第２導電部材と前記他の第２電極とが対向している部分との間に位置し、前記第１基板から、前記絶縁部材の前記第１基板側の先端よりも前記第２基板側に突出する別の絶縁部材をさらに備える、
    請求項４～１０のいずれか一項に記載の表示装置。
12. 　前記第１導電部材と前記一の第２電極とが対向している部分と、前記第２導電部材と前記他の第２電極とが対向している部分との間に位置し、前記第１基板から、前記絶縁部材の前記第１基板側の先端よりも前記第２基板側に突出する別の絶縁部材をさらに備え、
    　前記別の絶縁部材に前記第１基板側に凹む凹部が形成されており、
    　前記絶縁体は、前記凹部に位置する部分を有する、
    請求項９または１０に記載の表示装置。
13. 　前記第１基板は、前記第１絶縁板の上に形成されており、前記スイッチング素子に電気的に接続された信号線をさらに有し、
    　前記第１基板と前記第２基板とを接続しており、前記導電性流体の周囲を囲う封止部材をさらに備え、
    　前記第２基板は、
    　前記第２絶縁板の前記封止部材よりも外側に位置する部分の上に形成され、前記第１電極に電気的に接続された第１引き出し配線をさらに有し、
    　前記第１基板は、
    　前記第１絶縁板の前記封止部材よりも外側に位置する部分の上に形成されており、前記信号線に電気的に接続された第２引き出し配線と、
    　前記第１引き出し電極に電気的に接続された第３引き出し配線と、
    をさらに有する、
    請求項１～１２のいずれか一項に記載の表示装置。
14. 　前記導電性流体は、液体金属、イオン液体、導電粒子分散液、及び、導電性グリースからなる群から選ばれた少なくとも１種を含む、
    請求項１～１３のいずれか一項に記載の表示装置。

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