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WO2021122321A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

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Publication number
WO2021122321A1
WO2021122321A1 PCT/EP2020/085573 EP2020085573W WO2021122321A1 WO 2021122321 A1 WO2021122321 A1 WO 2021122321A1 EP 2020085573 W EP2020085573 W EP 2020085573W WO 2021122321 A1 WO2021122321 A1 WO 2021122321A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
optoelectronic semiconductor
semiconductor component
particles
casing
matrix material
Prior art date
Application number
PCT/EP2020/085573
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christian Betthausen
Olivier LERAY
Muyuan LI
Benjamin Gruber
Michael STEYER
Alexander Linkov
Stefan Handl
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US17/757,579 priority Critical patent/US20220416133A1/en
Priority to CN202080087763.8A priority patent/CN114762134A/zh
Publication of WO2021122321A1 publication Critical patent/WO2021122321A1/de

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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component and a method for operating an optoelectronic semiconductor component are specified.
  • Optoelectronic semiconductor components such as light-emitting diodes, or LEDs for short, are often embedded in a casing.
  • silicone for the cover it has been shown that age-related shrinkage of the silicone can lead to delamination of the cover from the semiconductor chip and / or from a leadframe of the semiconductor component. As a result, among other things, the corrosion resistance and the brightness of the semiconductor component can be impaired.
  • One object is to specify a semiconductor component which is characterized by good aging behavior while having good optoelectronic properties.
  • An optoelectronic semiconductor component with at least one optoelectronic semiconductor chip is specified.
  • the optoelectronic semiconductor component can also have more than one optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip is provided for generating and / or receiving radiation, for example for radiation in the ultraviolet, visible or infrared spectral range.
  • the semiconductor chip in particular an active region thereof, has a III-V compound semiconductor material.
  • III-V compound semiconductor materials are used to generate radiation in the ultraviolet (Al x In y Gai- xy N) over the visible (Al x In y Gai- xy N, in particular for blue to green radiation, or Al x In y Gai- xy P, especially for yellow to red radiation) into the infrared (Al x In y Gai- xy As) spectral range is particularly suitable.
  • the optoelectronic semiconductor component has a casing in which the semiconductor chip is embedded. For example, in places the casing directly adjoins the optoelectronic semiconductor chip.
  • the casing is produced, for example, by a casting process.
  • a casting method is generally understood to mean a method with which a molding compound according to a can be configured and cured if necessary.
  • the term “casting process” encompasses casting (molding), film assisted molding (film assisted molding), injection molding (injection molding), transfer molding (transfer molding) and compression molding (compression molding).
  • the envelope has a matrix material.
  • the matrix material is expediently transparent to the radiation to be generated and / or received by the optoelectronic semiconductor chip during operation.
  • the particularly transparent matrix material can, for example, siloxanes, epoxides, acrylates, methyl methacrylates, imides, carbonates, olefins, styrenes, urethanes or derivatives thereof in the form of monomers,
  • the matrix material can comprise or be an epoxy resin, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene, polycarbonate, polyacrylate, polyurethane, a silicone or a silicone resin such as polysiloxane or mixtures thereof.
  • the matrix material has a silicone or consists of a silicone.
  • the casing is designed such that cavities are formed during operation of the optoelectronic semiconductor component.
  • the cavities are arranged completely within the envelope.
  • the cavities arise in particular only when the optoelectronic semiconductor component is in operation.
  • the cavities are not yet present in the casing.
  • the number of cavities can increase at least in a specific operating period as the operating time of the optoelectronic semiconductor component increases.
  • the optoelectronic semiconductor component has an optoelectronic semiconductor chip and a casing with a matrix material, the semiconductor chip being embedded in the casing and the casing being designed such that cavities are formed during operation of the optoelectronic semiconductor component are arranged within the envelope.
  • the envelope is thus specifically designed so that cavities are created in the envelope when the semiconductor component is in operation.
  • the cavities are completely enclosed by the material of the casing and do not extend to an outer surface of the casing. In other words, the cavities do not form any paths via which, for example, air and / or moisture can reach the semiconductor chip.
  • the outer surface of the casing is, for example, an interface between the casing and another part of the semiconductor component, for example the semiconductor chip and / or the housing body and / or the lead frame of the housing body. Furthermore, the outer surface of the envelope can close off the semiconductor component in places. That is to say that the outer surface of the casing is also an outer surface of the semiconductor component in places. It has been shown that such enclosed cavities lead to delamination forces, which can lead to the detachment of the casing from the semiconductor chip or another part of the semiconductor component, being reduced. In other words, the cavities have the effect that tension in the casing is relieved and delamination forces are reduced.
  • the casing is formed in such a way that aging-related shrinkage of the matrix material causes the formation of the cavities.
  • the material composition of the sheath is designed in such a way that the cavities arise during operation of the optoelectronic semiconductor component.
  • the casing remains adhered to the semiconductor chip and / or the other parts of the optoelectronic semiconductor component adjoining the casing during operation of the optoelectronic semiconductor component even if the matrix material shrinks due to aging.
  • the risk of cracks forming at the interface between the casing and the semiconductor chip and / or other parts of the semiconductor component is avoided or at least reduced.
  • the particles are introduced into the matrix material of the envelope as crack nuclei, so that the cavities are formed on at least some of the crack nuclei during operation of the optoelectronic semiconductor component. So the particles serve as the starting point for that Formation of the cavities, for example in the form of microcracks.
  • the cavities have an extension of at most 100 gm or at most 50 gm in a direction of maximum extent. Alternatively or additionally, the cavities have an extension of at least 5 ⁇ m or at least 10 ⁇ m along a direction of maximum extension.
  • the particles are permeable to the radiation to be generated and / or received by the optoelectronic semiconductor chip.
  • the particles do not absorb the radiation or at least only to a negligible proportion.
  • the particles are optically inactive. This means in particular that the particles are not intended to shape the spatial and / or spectral emission characteristic of the optoelectronic semiconductor component.
  • the particles are not diffusers and not phosphors.
  • the casing with such particles has essentially the same optical properties as a casing without such particles.
  • the particles are formed by a material whose refractive index is matched to a refractive index of the matrix material.
  • the refractive index of the material of the particles preferably deviates by at most 10%, particularly preferably by at most 5%, from the refractive index of the matrix material.
  • the refractive indices refer to the refractive index of the materials at room temperature.
  • At least some of the particles have an angular basic shape.
  • the particles are therefore not completely rotationally symmetrical. It has been shown that edges of the particles act particularly efficiently as crack nuclei. For example, a maximum extension of at least some of the particles along one direction is at least 10% larger than a diameter of an ideal spherical particle with the same volume.
  • the particles have an average diameter between 5 ⁇ m and 30 ⁇ m inclusive. In the case of non-spherical particles, the maximum extent is seen as the diameter. The diameter of the particles is therefore large compared to a wavelength of maximum intensity of the radiation to be generated and / or to be received.
  • the particles are present in the envelope with a proportion between 3% by weight and 30% by weight inclusive, in particular with a proportion between 5% by weight and 25% by weight inclusive . If the proportion of particles is too low, the cavities are not created with sufficient density in the envelope. If the proportion is too high, the particles cause the viscosity of the material of the envelope to increase too much, which makes processing in the production of the optoelectronic semiconductor component more difficult.
  • the matrix material is a silicone.
  • the matrix material is preferably a so-called high-index silicone with a refractive index between 1.52 and 1.6 inclusive, in particular between 1.54 and 1.56 inclusive.
  • Refractive index difference between the optoelectronic semiconductor chip and the cladding can be reduced. This improves the optical coupling of the optoelectronic semiconductor chip to the casing. In the case of a radiation-generating optoelectronic semiconductor chip, the coupling-out efficiency is thus improved.
  • high-index silicone shows a greater tendency to delamination than low-index silicone.
  • a sheath based on high-index silicone as the matrix material can also be reliably designed in such a way that a high level of aging stability can be achieved.
  • a high aging stability and a good optical coupling of the semiconductor chip to the casing can therefore be combined.
  • a low-index silicone can also be used, for example a silicone with a refractive index between 1.4 and 1.5 inclusive, in particular between 1.45 and 1.48 inclusive.
  • the matrix material has a refractive index of between 1.4 and 1.6 inclusive.
  • the matrix material has a polymer material or a hybrid material.
  • the envelope has a phosphor in addition to the particles.
  • the luminescent material is intended to convert the primary radiation generated by the optoelectronic semiconductor chip completely or partially into secondary radiation with a wavelength range that is at least partially different from the primary radiation.
  • the primary radiation is in the blue or ultraviolet spectral range and the secondary radiation is in the red, yellow, green or blue spectral range.
  • the optoelectronic semiconductor component emits mixed light that appears white to the human eye as a whole.
  • the phosphor can have one or more of the following materials: Garnets of the rare earths and the alkaline earth metals, for example YAG: Ce 3+ , nitrides, nitridosilicates, sions, sialons, aluminates, oxides, halophosphates, orthosilicates, sulfides, vanadates and chlorosilicates.
  • the phosphor can additionally or alternatively comprise an organic material which can be selected from a group comprising perylenes, benzopyrenes, coumarins, rhodamines, and azo dyes.
  • the envelope can have suitable mixtures and / or combinations of the luminescent substances mentioned. As a result, it can be possible, for example, that, as described above, the envelope absorbs in a blue first wavelength range and emits in a second wavelength range which has green and red wavelengths and / or yellow wavelength ranges.
  • an optoelectronic semiconductor component having an optoelectronic semiconductor chip and a casing with a matrix material is provided, the semiconductor chip being embedded in the casing.
  • the optoelectronic semiconductor component is operated in such a way that cavities are formed which are arranged completely within the casing.
  • the optoelectronic semiconductor component is therefore operated in a targeted manner in such a way that the cavities are formed in the casing. This expediently takes place during regular operation of the optoelectronic semiconductor component. It is therefore not necessary to provide a separate manufacturing step or an additional operating mode for this.
  • the risk of delamination of the envelope during operation can be avoided or at least reduced by the formation of the cavities, in particular without to lower the power consumption of the optoelectronic semiconductor component at least over time.
  • An optoelectronic semiconductor component with one or more features of the optoelectronic semiconductor component described above is particularly suitable for the operating method. Features described in connection with the optoelectronic semiconductor component can therefore also be used for the operating method and vice versa.
  • FIGS. 1A and 1B show an exemplary embodiment for a semiconductor component and an operating method of a semiconductor component on the basis of representations in a schematic sectional view immediately after manufacture (FIG. 1A) and after a predetermined operating time (FIG. 1B);
  • FIG. 2A shows a scanning electron microscope image of a reference sample with a delaminated reference coating;
  • FIG. 2B shows a scanning electron microscope image of a section through a semiconductor component described above with a casing with cavities;
  • the optoelectronic semiconductor component in accordance with the exemplary embodiment shown in FIG. 1A has an optoelectronic semiconductor chip 2, which is in the form of an LED semiconductor chip, for example.
  • the optoelectronic semiconductor chip 2 is embedded in a casing 3.
  • the semiconductor chip 2 is located in a cavity of a housing body 6 and is electrically external via a leadframe 61 contactable.
  • the described configuration of the casing 3 is, however, basically suitable for any type of housing in which an optoelectronic semiconductor chip is embedded in a casing 3 that is particularly transparent to radiation.
  • the casing 3 is designed in such a way that cavities 5 are formed during operation of the optoelectronic semiconductor component, which cavities are arranged completely within the casing 3. This is shown schematically in FIG. 1B.
  • the semiconductor component 1 is therefore operated in a targeted manner in such a way that the cavities 5 are formed in the casing 3, in particular in the form of microcracks.
  • FIGS. 2A and 2B This is clear from the scanning electron microscope images shown in FIGS. 2A and 2B.
  • age-related shrinkage of the reference cover can lead to the reference cover 39 becoming detached from the semiconductor chip 2 in places. This can be seen in FIG. 2A at points to which the arrows 91 point.
  • the optical coupling of the optoelectronic semiconductor chip 2 to the casing 3 can also be impaired by such a gap, which also leads to a reduction in brightness.
  • FIGS. 4A and 4B show the results of simulations of the delamination tension that occurs.
  • a cover with a cross section of 150 gm x 250 gm was used as the basis for this. Furthermore, an age-related shrinkage of 4.5% was assumed for the casing 3. For a conventional homogeneous coating, i.e. a reference coating without cavities, this results in a delamination tension of 0.154 MPa.
  • FIGS. 4A and 4B show simulations in which, instead of a homogeneous, conventional covering, six cavities (FIG. 4A) or 18 cavities (FIG. 4B) were assumed, the cavities each having a length of 20 ⁇ m. According to the simulation results, for the case of six cavities a reduced delamination stress of 0.139 MPa and for the case with 18 cavities an even more reduced delamination stress of 0.109 MPa. The simulations therefore show that the cavities have a positive effect on the delamination stress and thus promote the aging stability of the semiconductor component 1 overall.
  • a matrix material 31 for example, which has a silicone or consists of a silicone, is suitable for the casing 3.
  • a high-index silicone is suitable, for example with a refractive index between 1.54 and 1.56.
  • another of the matrix materials mentioned in the general part of the description can also be used.
  • Particles 4 can be introduced into the matrix material 31 of the envelope, which serve as crack nuclei and promote the formation of cavities in the envelope.
  • the particles 4 are preferably formed by a material which does not differ, or only differs slightly, from the refractive index of the matrix material 31 with regard to its refractive index.
  • the refractive indices preferably differ from one another by at most 10%, particularly preferably by at most 5%.
  • the particles contain an oxide, such as silicon dioxide.
  • an acrylate for example polymethyl methacrylate (PMMA), an imide, for example polymetacrylmethylimide (PMMI), or a glass is suitable for the particles.
  • the particles 4 preferably have an average diameter between 5 ⁇ m and 30 ⁇ m inclusive.
  • particles 4 with an angular basic shape act particularly efficiently as crack nuclei for the formation of cavities 5 in the casing 3.
  • spherical particles can also be used.
  • the particles 4 are preferably present in the casing 3 in a proportion of at least 3% by weight, preferably at least 5% by weight. This reliably ensures that sufficient cavities 5 are formed in the casing 3 due to the aging-related shrinkage of the matrix material.
  • the particles 4 are expediently present in the envelope in a proportion of at most 30%, in particular at most 25% by weight. This ensures that the casing is not too viscous during the manufacture of the semiconductor component 1.
  • a luminescent substance 35 can also be arranged in the casing 3, so that the semiconductor component 1 as a whole generates mixed radiation, for example mixed light that appears white to the human eye.
  • the described configuration of the casing 3 is particularly suitable for optoelectronic semiconductor components 1 in which high light outputs are required in continuous wave operation, as a result of which comparatively high temperatures occur in the casing 3.
  • optoelectronic semiconductor components 1 there is an increased risk of delamination effects due to aging-related shrinkage of the matrix material.
  • a high aging stability of the semiconductor component, in particular with regard to brightness and color location of the emitted radiation can be achieved without the power consumption of the optoelectronic semiconductor component having to be reduced.
  • the described casing is suitable for all types of optoelectronic semiconductor components, in particular also for optoelectronic semiconductor chips 2, which are provided for receiving radiation.

Landscapes

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einer Umhüllung (3) mit einem Matrixmaterial (31) angegeben, wobei der Halbleiterchip in die Umhüllung eingebettet ist und wobei die Umhüllung so ausgebildet ist, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements Hohlräume (5) ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterbauelements angegeben.

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM
BETREIBEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Es werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
Optoelektronische Halbleiterbauelemente, wie beispielsweise Leuchtdioden, kurz LEDs, werden oftmals in eine Umhüllung eingebettet. Bei der Verwendung von Silikon für die Umhüllung hat sich gezeigt, dass ein alterungsbedingtes Schrumpfen des Silikons zu einer Delaminierung der Umhüllung von dem Halbleiterchip und/oder von einem Leiterrahmen des Halbleiterbauelements führen kann. Dadurch können unter anderem die Korrosionsbeständigkeit und die Helligkeit des Halbleiterbauelements beeinträchtigt werden.
Eine Aufgabe ist es, ein Halbleiterbauelement anzugeben, das sich bei guten optoelektronischen Eigenschaften durch ein gutes Alterungsverhalten auszeichnet.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches Halbleiterbauelement beziehungsweise durch ein Betriebsverfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann auch mehr als einen optoelektronischen Halbleiterchip aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip ist zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehen, beispielsweise für Strahlung im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich .
Beispielsweise weist der Halbleiterchip, insbesondere ein aktiver Bereich davon, ein III-V-Verbindungs- Halbleitermaterial auf. III-V-Verbindungs- Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Alx Iny Gai-x-y N) über den sichtbaren (Alx Iny Gai-x-y N, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Alx Iny Gai-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Alx Iny Gai-x-y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1, insbesondere mit x f 1, y f 1, x F 0 und/oder y F 0. Mit III-V-Verbindungs- Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der
Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Umhüllung auf, in die der Halbleiterchip eingebettet ist. Die Umhüllung grenzt beispielsweise stellenweise unmittelbar an den optoelektronischen Halbleiterchip an.
Die Umhüllung ist beispielsweise durch ein Gießverfahren hergestellt. Unter einem Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Gießverfahren" Gießen (molding), Folien assistiertes Gießen (film assisted molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding) .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die Umhüllung ein Matrixmaterial auf. Das Matrixmaterial ist zweckmäßigerweise für die von dem optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb zu erzeugende und/oder empfangende Strahlung durchlässig.
Das insbesondere transparente Matrixmaterial kann beispielsweise Siloxane, Epoxide, Acrylate, Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Olefine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren,
Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise kann das Matrixmaterial ein Epoxidharz, Polymethylmethacrylat (PMMA), Polystyrol, Polycarbonat, Polyacrylat, Polyurethan, ein Silikon oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus umfassen oder sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Matrixmaterial ein Silikon auf oder besteht aus einem Silikon.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Umhüllung so ausgebildet, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements Hohlräume ausbilden. Die Hohlräume sind vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet. Die Hohlräume entstehen insbesondere erst im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements. Unmittelbar nach der Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Hohlräume in der Umhüllung also noch nicht vorhanden. Insbesondere kann die Anzahl der Hohlräume zumindest in einem bestimmten Betriebszeitraum mit zunehmender Betriebsdauer des optoelektronischen Halbleiterbauelements zunehmen.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das optoelektronische Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip und eine Umhüllung mit einem Matrixmaterial auf, wobei der Halbleiterchip in die Umhüllung eingebettet ist und wobei die Umhüllung so ausgebildet ist, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements Hohlräume ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet sind.
Die Umhüllung ist also gezielt so ausgebildet, dass im Betrieb des Halbleiterbauelements Hohlräume in der Umhüllung entstehen. Die Hohlräume sind vollständig vom Material der Umhüllung umschlossen und erstrecken sich nicht bis zu einer Außenfläche der Umhüllung. Mit anderen Worten bilden die Hohlräume keine Pfade, über die beispielsweise Luft und/oder Feuchtigkeit zum Halbleiterchip gelangen kann.
Die Außenfläche der Umhüllung ist beispielsweise eine Grenzfläche der Umhüllung zu einem anderen Teil des Halbleiterbauelements, beispielsweise zum Halbleiterchip und/oder zum Gehäusekörper und/oder zum Leiterrahmen des Gehäusekörpers. Weiterhin kann die Außenfläche der Umhüllung das Halbleiterbauelement stellenweise abschließen. Das heißt, die Außenfläche der Umhüllung ist stellenweise auch eine Außenfläche des Halbleiterbauelements. Es hat sich gezeigt, dass derartige umschlossene Hohlräume dazu führen, dass sich Delaminationskräfte, die zum Ablösen der Umhüllung von dem Halbleiterchip oder einem anderen Teil des Halbleiterbauelements führen können, verringert werden. Mit anderen Worten bewirken die Hohlräume, dass Verspannungen in der Umhüllung abgebaut und Delaminationskräfte verringert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Umhüllung so ausgebildet, dass ein alterungsbedingtes Schrumpfen des Matrixmaterials die Ausbildung der Hohlräume bewirkt. Insbesondere ist die Materialzusammensetzung der Umhüllung so ausgebildet, dass die Hohlräume im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements entstehen.
Dadurch kann erreicht werden, dass die Umhüllung an dem Halbleiterchip und/oder den übrigen an die Umhüllung angrenzenden Teilen des optoelektronischen Halbleiterbauelements im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements auch haften bleibt, wenn das Matrixmaterial alterungsbedingt schrumpft. Die Gefahr, dass sich an der Grenzfläche zwischen der Umhüllung und dem Halbleiterchip und/oder anderen Teilen des Halbleiterbauelements Risse ausbilden, ist vermieden oder zumindest verringert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind in das Matrixmaterial der Umhüllung Partikel als Risskeime eingebracht, sodass sich die Hohlräume im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements zumindest an einigen der Risskeime ausbilden. Die Partikel dienen also als Ausgangspunkt für die Ausbildung der Hohlräume, etwa in Form von Mikrorissen. Beispielsweise weisen die Hohlräume entlang einer Richtung maximaler Ausdehnung eine Ausdehnung von höchstens 100 gm oder höchstens 50 gm auf. Alternativ oder zusätzlich weisen die Hohlräume entlang einer Richtung maximaler Ausdehnung eine Ausdehnung von mindestens 5 pm oder mindestens 10 pm auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Partikel für die von dem optoelektronischen Halbleiterchip zu erzeugende und/oder zu empfangende Strahlung durchlässig. Insbesondere absorbieren die Partikel die Strahlung nicht oder zumindest nur zu einem vernachlässigbaren Anteil.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Partikel optisch inaktiv. Dies bedeutet insbesondere, dass die Partikel nicht dafür vorgesehen sind, die räumliche und/oder spektrale Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Halbleiterbauelements zu formen. Insbesondere sind die Partikel keine Diffusoren und keine Leuchtstoffe. Mit anderen Worten hat die Umhüllung mit solchen Partikeln im Wesentlichen dieselben optischen Eigenschaften wie eine Umhüllung ohne solche Partikel.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Partikel durch ein Material gebildet, das bezüglich seines Brechungsindizes an einen Brechungsindex des Matrixmaterials angepasst ist.
Vorzugsweise weicht der Brechungsindex des Materials der Partikel um höchstens 10 %, besonders bevorzugt um höchstens 5 % vom Brechungsindex des Matrixmaterials ab. Je geringer der Brechungsindexunterschied zwischen dem Material der Partikel und dem Matrixmaterial ist, desto geringer sind optische Grenzflächeneffekte wie beispielsweise Brechungseffekte .
Im Zweifel beziehen sich die Brechungsindizes jeweils auf den Brechungsindex der Materialien bei Raumtemperatur.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weisen zumindest einige der Partikel eine kantige Grundform auf. Die Partikel sind also nicht vollständig rotationssymmetrisch. Es hat sich gezeigt, dass Kanten der Partikel besonders effizient als Risskeime wirken. Beispielsweise ist eine maximale Ausdehnung von zumindest einigen der Partikel entlang einer Richtung um mindestens 10 % größer als ein Durchmesser eines idealen sphärischen Partikels mit demselben Volumen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weisen die Partikel einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 5 gm und einschließlich 30 gm auf. Bei nicht-sphärischen Partikeln wird hierbei die maximale Ausdehnung als Durchmesser angesehen. Der Durchmesser der Partikel ist also groß im Vergleich zu einer Wellenlänge maximaler Intensität der zu erzeugenden und/oder zum empfangenden Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Partikel mit einem Anteil zwischen einschließlich 3 Gew.-% und einschließlich 30 Gew.- %, insbesondere mit einem Anteil zwischen einschließlich 5 Gew.-% und einschließlich 25 Gew.-% in der Umhüllung vorhanden. Bei einem zu geringen Anteil an Partikeln werden die Hohlräume nicht mit ausreichender Dichte in der Umhüllung erzeugt. Bei einem zu hohen Anteil bewirken die Partikel eine zu starke Erhöhung der Viskosität des Materials der Umhüllung, wodurch die Verarbeitung bei der Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements erschwert wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist das Matrixmaterial ein Silikon. Vorzugsweise ist das Matrixmaterial ein sogenanntes hochbrechendes Silikon mit einem Brechungsindex zwischen einschließlich 1,52 und einschließlich 1,6, insbesondere zwischen einschließlich 1,54 und einschließlich 1,56.
Durch ein hochbrechendes Silikon kann der
Brechungsindexunterschied zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und der Umhüllung verringert werden. Dadurch verbessert sich die optische Ankopplung des optoelektronischen Halbleiterchips an die Umhüllung. Für den Fall eines strahlungserzeugenden optoelektronischen Halbleiterchips verbessert sich somit die Auskoppeleffizienz.
Grundsätzlich zeigt jedoch hochbrechendes Silikon eine stärkere Neigung zur Delamination als niedrigbrechendes Silikon .
Mit der vorliegend beschriebenen Ausgestaltung der Umhüllung kann jedoch auch eine Umhüllung basierend auf hochbrechendem Silikon als Matrixmaterial zuverlässig so ausgebildet werden, dass eine hohe Alterungsstabilität erzielt werden kann. Eine hohe Alterungsstabilität und eine gute optische Ankopplung des Halbleiterchips an die Umhüllung können also vereint werden. Grundsätzlich kann jedoch auch ein niedrigbrechendes Silikon Anwendung finden, beispielsweise ein Silikon mit einem Brechungsindex zwischen einschließlich 1,4 und einschließlich 1,5, insbesondere zwischen einschließlich 1,45 und einschließlich 1,48.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Matrixmaterial einen Brechungsindex von zwischen einschließlich 1,4 und einschließlich 1,6 auf. Beispielsweise weist das Matrixmaterial ein Polymer-Material oder ein Hybrid-Material auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die Umhüllung zusätzlich zu den Partikeln einen Leuchtstoff auf. Der Leuchtstoff ist dafür vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte Primärstrahlung vollständig oder teilweise in Sekundärstrahlung mit einem zumindest teilweise von der Primärstrahlung verschiedenen Wellenlängenbereich umzuwandeln. Beispielsweise liegen die Primärstrahlung im blauen oder ultravioletten Spektralbereich und die Sekundärstrahlung im roten, gelben, grünen oder blauen Spektralbereich. Beispielsweise strahlt das optoelektronische Halbleiterbauelement insgesamt für das menschliche Auge weiß erscheinendes Mischlicht ab.
Der Leuchtstoff kann dabei einen oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: Granate der Seltenen Erden und der Erdalkalimetalle, beispielsweise YAG:Ce3+, Nitride, Nitridosilikate, Sione, Sialone, Aluminate, Oxide, Halophosphate, Orthosilikate, Sulfide, Vanadate und Chlorosilikate . Weiterhin kann der Leuchtstoff zusätzlich oder alternativ ein organisches Material umfassen, das aus einer Gruppe ausgewählt sein kann, die Perylene, Benzopyrene, Coumarine, Rhodamine und Azo-Farbstoffe umfasst. Die Umhüllung kann geeignete Mischungen und/oder Kombinationen der genannten Leuchtstoffe aufweisen. Dadurch kann es beispielsweise möglich sein, dass, wie oben beschrieben, die Umhüllung in einem blauen ersten Wellenlängenbereich absorbiert und in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert, der grüne und rote Wellenlängen und/oder gelbe Wellenlängenbereiche aufweist.
Weiterhin wird ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip und einer Umhüllung mit einem Matrixmaterial bereitgestellt, wobei der Halbleiterchip in die Umhüllung eingebettet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement wird so betrieben, dass sich Hohlräume ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet sind.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement wird also gezielt so betrieben, dass sich in der Umhüllung die Hohlräume ausbilden. Dies erfolgt zweckmäßigerweise im regulären Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements. Es ist also nicht erforderlich, hierfür einen separaten Herstellungsschritt oder einen zusätzlichen Betriebsmodus vorzusehen. Die Gefahr einer Delamination der Umhüllung während des Betriebs kann durch die Ausbildung der Hohlräume vermieden oder zumindest reduziert werden, insbesondere ohne die Leistungsaufnahme des optoelektronischen Halbleiterbauelements zumindest im zeitlichen Mittel abzusenken .
Für das Betriebsverfahren eignet sich insbesondere ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem oder mehreren Merkmalen des vorstehend beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements. Im Zusammenhang mit dem optoelektronischen Halbleiterbauelement beschriebene Merkmale können daher auch für das Betriebsverfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Die Figuren 1A und 1B ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement und ein Betriebsverfahren eines Halbleiterbauelements anhand von Darstellungen in schematischer Schnittansicht unmittelbar nach der Herstellung (Figur 1A) und nach einer vorgegebenen Betriebsdauer (Figur 1B); die Figur 2A eine Rasterelektronenmikroskopieaufnahme einer Referenzprobe mit delaminierter Referenzumhüllung;
Figur 2B eine Rasterelektronenmikroskopieaufnahme eines Schnitts durch ein vorstehend beschriebenes Halbleiterbauelement mit einer Umhüllung mit Hohlräumen; die Figuren 3A und 3B Messergebnisse von Messungen des normierten Lichtstroms LN in Prozent, normiert auf den Lichtstrom zur Zeit t=0 (auch als Lumen Maintenance / Fp) in Figur 3A und der Veränderung des Farborts (auch color shift) D ' in pts gegenüber dem Zeitpunkt t=0 in Figur 3B an vorstehend beschriebenen Halbleiterbauelementen und an Referenzproben in Abhängigkeit von der Betriebsdauer t in Stunden; und die Figuren 4A und 4B Simulationsergebnisse der Delaminationsverspannung unter Annahme einer Umhüllung mit sechs Hohlräumen (Figur 4A) beziehungsweise 18 Hohlräumen (Figur 4B).
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement gemäß dem in Figur 1A gezeigten Ausführungsbeispiel weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 2 auf, der beispielsweise als ein LED-Halbleiterchip ausgebildet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 ist in eine Umhüllung 3 eingebettet.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel befindet sich der Halbleiterchip 2 in einer Kavität eines Gehäusekörpers 6 und ist über einen Leiterrahmen 61 extern elektrisch kontaktierbar. Die beschriebene Ausgestaltung der Umhüllung 3 eignet sich jedoch grundsätzlich für jede Art von Gehäusen, bei denen ein optoelektronischer Halbleiterchip in eine insbesondere strahlungsdurchlässige Umhüllung 3 eingebettet ist.
Die Umhüllung 3 ist so ausgebildet, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements Hohlräume 5 ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung 3 angeordnet sind. Dies ist in Figur 1B schematisch dargestellt. Das Halbleiterbauelement 1 wird also gezielt so betrieben, dass sich die Hohlräume 5 in der Umhüllung 3 ausbilden, insbesondere in Form von Mikrorissen.
Mittels der Hohlräume 5 kann erzielt werden, dass sich Verspannungen, die zu einer Delamination der Umhüllung 3 von dem Halbleiterchip 2 oder Teilen des Gehäusekörpers 6, beispielsweise des Leiterrahmens 61, führen könnten, verringert werden.
Dies wird anhand der in den Figuren 2A und 2B gezeigten Rasterelektronenmikroskopieaufnahmen deutlich. Bei einer konventionellen Referenzumhüllung 39 kann ein alterungsbedingtes Schrumpfen der Referenzumhüllung dazu führen, dass sich die Referenzumhüllung 39 stellenweise von dem Halbleiterchip 2 ablöst. Dies ist in Figur 2A an Stellen zu sehen, auf die die Pfeile 91 zeigen.
Im Unterschied hierzu bewirken in der Umhüllung 3 die Hohlräume 5, auf welche die Pfeile 95 in Figur 2B zeigen, dass die Umhüllung 3 mit dem Halbleiterchip 2 und dem Gehäusekörper 6 fest verbunden bleibt. Spalte zwischen der Umhüllung 3 und einem Halbleiterchip 2 können beispielsweise aufgrund von Korrosionseffekten zu einer Verringerung der Helligkeit der von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 1 abgestrahlten Strahlung führen. Auch die optische Ankopplung des optoelektronischen Halbleiterchips 2 an die Umhüllung 3 kann durch einen solchen Spalt beeinträchtigt werden, was ebenfalls zur Verringerung der Helligkeit führt.
Weiterhin kann dies auch eine Farbortverschiebung der vom Halbleiterbauelement insgesamt abgestrahlten Strahlung bewirken. Dies ist in den Figuren 3A und 3B gezeigt. Die Messungen belegen, dass der Helligkeitsabfall für Halbleiterbauelemente mit der vorstehend beschriebenen Umhüllung, dargestellt durch die Kurven 7, deutlich geringer ist als für die Referenzkurven 8. Auch die Veränderung des Farborts ist, wie in Figur 3B gezeigt, für die Referenzkurven 8 deutlich größer.
In den Figuren 4A und 4B sind Ergebnisse von Simulationen der auftretenden Delaminationsverspannung gezeigt. Hierfür wurde eine Umhüllung mit einem Querschnitt von 150 gm x 250 gm zugrunde gelegt. Weiterhin wurde für die Umhüllung 3 eine alterungsbedingte Schrumpfung von 4,5 % angesetzt. Für eine konventionelle homogene Umhüllung, also eine Referenzumhüllung ohne Hohlräume, ergibt sich dadurch eine Delaminationsverspannung von 0,154 MPa.
Die Figuren 4A und 4B zeigen Simulationen, bei denen anstelle einer homogenen, konventionellen Umhüllung sechs Hohlräume (Figur 4A) beziehungsweise 18 Hohlräume (Figur 4B) angenommen wurden, wobei die Hohlräume jeweils eine Länge von 20 pm aufweisen. Gemäß den Simulationsergebnissen ergibt sich für den Fall von sechs Hohlräumen eine reduzierte Delaminationsverspannung von 0,139 MPa und für den Fall mit 18 Hohlräumen eine noch stärker reduzierte Delaminationsverspannung von 0,109 MPa. Die Simulationen belegen also, dass die Hohlräume einen positiven Effekt auf die Delaminationsverspannung haben und somit die Alterungsstabilität des Halbleiterbauelements 1 insgesamt fördern .
Für die Umhüllung 3 eignet sich beispielsweise ein Matrixmaterial 31, welches ein Silikon aufweist oder aus einem Silikon besteht. Insbesondere eignet sich ein hochbrechendes Silikon, beispielsweise mit einem Brechungsindex zwischen 1,54 und 1,56. Grundsätzlich kann aber auch ein anderes der im allgemeinen Teil der Beschreibung genannten Matrixmaterialien Anwendung finden.
In das Matrixmaterial 31 der Umhüllung können Partikel 4 eingebracht werden, welche als Risskeime dienen und die Ausbildung von Hohlräumen in der Umhüllung fördern. Für die Partikel eignen sich grundsätzlich alle Materialien, die für die von dem optoelektronischen Halbleiterchip zu erzeugende oder zu empfangende Strahlung durchlässig sind. Vorzugsweise sind die Partikel 4 durch ein Material gebildet, das sich hinsichtlich seines Brechungsindizes nicht oder nur geringfügig vom Brechungsindex des Matrixmaterials 31 unterscheidet. Vorzugsweise unterscheiden sich die Brechungsindizes um höchstens 10 %, besonders bevorzugt um höchstens 5 %, voneinander. Beispielsweise enthalten die Partikel ein Oxid, etwa Siliziumdioxid. Alternativ eignet sich für die Partikel beispielsweise ein Acrylat, etwa Polymethylmetacrylat (PMMA), ein Imid, beispielsweise Polymetacrylmethylimid (PMMI), oder ein Glas.
Vorzugsweise weisen die Partikel 4 einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 5 gm und einschließlich 30 gm auf.
Weiterhin hat sich gezeigt, dass Partikel 4 mit einer kantigen Grundform besonders effizient als Risskeime für die Ausbildung von Hohlräumen 5 in der Umhüllung 3 wirken. Grundsätzlich können jedoch auch sphärische Partikel Anwendung finden.
Vorzugsweise sind die Partikel 4 mit einem Anteil von mindestens 3 Gew.-%, bevorzugt mindestens 5 Gew.-%, in der Umhüllung 3 vorhanden. Dadurch wird zuverlässig gewährleistet, dass sich aufgrund des alterungsbedingten Schrumpfens des Matrixmaterials ausreichend Hohlräume 5 in der Umhüllung 3 ausbilden.
Zweckmäßigerweise sind die Partikel 4 mit einem Anteil von höchstens 30 %, insbesondere höchstens 25 Gew.-%, in der Umhüllung vorhanden. Dadurch wird gewährleistet, dass die Umhüllung bei der Herstellung des Halbleiterbauelements 1 nicht zu zähflüssig ist.
Zusätzlich kann in der Umhüllung 3 auch ein Leuchtstoff 35 angeordnet sein, sodass das Halbleiterbauelement 1 insgesamt eine Mischstrahlung, beispielsweise für das menschliche Auge weiß erscheinendes Mischlicht, erzeugt. Die beschriebene Ausgestaltung der Umhüllung 3 eignet sich insbesondere für optoelektronische Halbleiterbauelemente 1, bei denen hohe Lichtleistungen im Dauerstrich-Betrieb erforderlich sind, wodurch vergleichsweise hohe Temperaturen in der Umhüllung 3 auftreten. Dadurch besteht bei solchen optoelektronischen Halbleiterbauelementen 1 eine erhöhte Gefahr von Delaminationseffekten aufgrund von alterungsbedingtem Schrumpfen des Matrixmaterials. Bei solchen optoelektronischen Halbleiterbauelementen 1 kann eine hohe Alterungsstabilität des Halbleiterbauelements, insbesondere hinsichtlich Helligkeit und Farbort der abgestrahlten Strahlung, erzielt werden, ohne dass die Leistungsaufnahme des optoelektronischen Halbleiterbauelements reduziert werden muss.
Grundsätzlich eignet sich die beschriebene Umhüllung jedoch für alle Arten von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, insbesondere auch für optoelektronische Halbleiterchips 2, die zum Empfangen von Strahlung vorgesehen sind.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019 134 904.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauelement
2 Halbleiterchip 3 Umhüllung
31 Matrixmaterial
35 Leuchtstoff
39 Referenzumhüllung 4 Partikel 5 Hohlraum
6 Gehäusekörper
61 Leiterrahmen
7 Messkurve
8 Referenzkurve 91 Pfeil
95 Pfeil

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einer Umhüllung (3) mit einem Matrixmaterial (31), wobei der Halbleiterchip in die Umhüllung eingebettet ist, wobei in das Matrixmaterial der Umhüllung optisch inaktive Partikel (4) als Risskeime eingebracht sind, und wobei die Umhüllung so ausgebildet ist, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements zumindest an einigen der Risskeime Hohlräume (5) ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet sind.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Umhüllung so ausgebildet ist, dass ein alterungsbedingtes Schrumpfen des Matrixmaterials die Ausbildung der Hohlräume bewirkt.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Partikel für eine von dem optoelektronischen Halbleiterchip zu erzeugende oder empfangende Strahlung durchlässig sind.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Partikel durch ein Material gebildet sind, das bezüglich des Brechungsindizes an einen Brechungsindex des Matrixmaterials angepasst ist.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Brechungsindex des Materials der Partikel um höchstens 10 % vom Brechungsindex des Matrixmaterials abweicht.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Brechungsindex des Materials der Partikel um höchstens 5 % vom Brechungsindex des Matrixmaterials abweicht.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest einige der Partikel eine kantige Grundform aufweisen.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Partikel einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 5 gm und einschließlich 30 gm aufweisen.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Partikel mit einem Anteil zwischen einschließlich 3 Gew.-% und einschließlich 30 Gew.-% in der Umhüllung vorhanden sind.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Partikel mit einem Anteil zwischen einschließlich 5 Gew.-% und einschließlich 25 Gew.-% in der Umhüllung vorhanden sind.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Matrixmaterial ein Silikon ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Matrixmaterial einen Brechungsindex von zwischen einschließlich 1,4 und einschließlich 1,6 aufweist.
13. Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den Schritten: a) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einer Umhüllung (3) mit einem Matrixmaterial (31), wobei der Halbleiterchip in die Umhüllung eingebettet ist, und wobei in das Matrixmaterial der Umhüllung optisch inaktive Partikel (4) als Risskeime eingebracht sind,; und b) Betreiben des optoelektronischen Halbleiterbauelements, so dass sich zumindest an einigen der Risskeime Hohlräume (5) ausbilden, die vollständig innerhalb der Umhüllung angeordnet sind.
14. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem das optoelektronische Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 ausgebildet ist.
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