Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

WO2019087700A1 - 撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法 - Google Patents

撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019087700A1
WO2019087700A1 PCT/JP2018/037546 JP2018037546W WO2019087700A1 WO 2019087700 A1 WO2019087700 A1 WO 2019087700A1 JP 2018037546 W JP2018037546 W JP 2018037546W WO 2019087700 A1 WO2019087700 A1 WO 2019087700A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
imaging device
imaging
wiring substrate
top surface
protrusion
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/037546
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
渋江　人志
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority to JP2019550950A priority Critical patent/JPWO2019087700A1/ja
Priority to US16/758,394 priority patent/US11605662B2/en
Priority to EP18873433.9A priority patent/EP3706171A4/en
Publication of WO2019087700A1 publication Critical patent/WO2019087700A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10156—Shape being other than a cuboid at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

Definitions

  • the present disclosure relates to an imaging device, an imaging device, an electronic device, and a method of manufacturing an imaging device.
  • the packaging including an imaging device is also required to be smaller and thinner and having more terminals.
  • a flip chip mounting method in which a chip-like imaging device (hereinafter sometimes simply referred to as a chip) is bonded to a wiring substrate such as an interposer substrate (for example, JP-A-2011-18766). See the official gazette).
  • the chip and the wiring substrate are in a state of being electrically bonded, and then a process of applying a sealing material to the periphery of the chip is performed.
  • the sealing material is applied to the peripheral portion of the imaging device, so that the solute and the solvent that constitute the sealing material become gaps It is thought that it penetrates to cause problems to the photoelectric conversion part.
  • the above problem can be avoided by securing a sufficient distance from the end of the image pickup device to the photoelectric conversion unit, the size of the image pickup device and the wiring substrate is increased, which causes an increase in cost. It becomes.
  • an object of the present disclosure is to provide an imaging device capable of reducing penetration of a solute and a solvent that constitute a sealing material without expanding the size, an imaging device including such an imaging device, and such an imaging device.
  • An object of the present invention is to provide an electronic device provided and a method of manufacturing such an imaging device.
  • An imaging device for achieving the above object is: An imaging device flip-chip mounted on a wiring substrate, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom surface side of the imaging device protrudes relative to the top surface side. It is an imaging element.
  • An imaging device for achieving the above object is: It has a wiring board and an imaging device, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom side of the imaging device protrudes relative to the top surface side, The imaging device is flip-chip mounted on the wiring substrate so that the top surface faces the wiring substrate. The outer periphery of the imaging device on the wiring substrate is sealed by a sealing material, It is an imaging device.
  • a method of manufacturing an imaging device for achieving the above object is: Forming a pseudo wafer in a state in which the bottom surface of the imaging device is disposed on the same plane and a resin material layer having a thickness smaller than the thickness of the imaging device is disposed between the imaging device and the imaging device; Performing dicing on the pseudo wafer by performing dicing with a width narrower than the width between the imaging device and the imaging device; Have It is a manufacturing method of an image sensor.
  • a method of manufacturing an imaging device according to the present disclosure for achieving the above object is Forming a plurality of imaging devices on a semiconductor wafer; From the top surface side of the imaging device, thinning the semiconductor wafer between the imaging device and the imaging device with a predetermined width; A step of singulating by dicing the portion of the thinned semiconductor wafer with a width smaller than a predetermined width; Have It is a manufacturing method of an image sensor.
  • An electronic device for achieving the above object is: An electronic apparatus comprising an imaging device in which an imaging element is flip-chip mounted on a wiring substrate, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom side of the imaging device protrudes relative to the top surface side, The imaging device is flip-chip mounted on the wiring substrate so that the top surface faces the wiring substrate. The outer periphery of the imaging device on the wiring substrate is sealed by a sealing material, It is an electronic device.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are schematic perspective views for explaining an imaging device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1A shows a perspective view of the imaging device as viewed from the bottom side.
  • FIG. 1B is a perspective view of the imaging device as viewed from the top side.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on a wiring substrate.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on a wiring substrate, following FIG. 2.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on the wiring substrate, following FIG. 3.
  • FIG. 1A shows a perspective view of the imaging device as viewed from the bottom side.
  • FIG. 1B is a perspective view of the imaging device as viewed from the top side.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting the imaging device of the reference
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of an imaging device provided with an imaging device flip-chip mounted.
  • FIG. 5B is an enlarged view of a portion indicated by reference numeral A in FIG. 5A.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting an imaging device on a wiring substrate.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of an imaging device provided with an imaging device flip-chip mounted.
  • FIG. 7B is an enlarged view of a portion indicated by reference numeral B in FIG. 7A.
  • FIG. 8A and FIG. 8B are schematic cross-sectional views for explaining a configuration example of the side surface portion of the imaging device.
  • FIG. 8A shows a structure in which the portion of the protrusion (side surface) 12A is formed of a material different from the portion of the side surface 12B.
  • FIG. 8B shows a structure in which the portion of the protrusion (side surface) 12A is formed of the same material as the portion of the side surface 12B.
  • FIG. 9 is a schematic enlarged view for explaining the thickness and protrusion width of the protrusion.
  • FIG. 10A and FIG. 10B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view for explaining a pseudo wafer which can be obtained by the process shown in FIG. 10B.
  • FIG. 12A and 12B are schematic partial cross-sectional views for describing the method for manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 10B.
  • 13A and 13B are schematic partial cross-sectional views for describing the method for manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 12B.
  • FIG. 14A and FIG. 14B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 13B.
  • FIG. 15 is a schematic perspective view for explaining a pseudo wafer which can be obtained by the process shown in FIG. 14B.
  • FIG. 16 is a schematic partial cross-sectional view for describing the method for manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 14B.
  • FIG. 17A and FIG. 17B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 16.
  • FIG. 18A and FIG. 18B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method for manufacturing an imaging device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a schematic perspective view for illustrating a semiconductor wafer obtainable by the step shown in FIG. 18B.
  • FIG. 20A and FIG. 20B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the imaging device according to the third embodiment of the present disclosure, following FIG. 18B.
  • FIGS. 21A and 21B are schematic partial cross-sectional views for describing the method for manufacturing the imaging device according to the third embodiment of the present disclosure, following FIG. 20B.
  • FIG. 20B is schematic partial cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the imaging device according to the second embodiment of the present disclosure, following FIG. 20B.
  • FIG. 22A and FIG. 22B are schematic partial cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the imaging device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system.
  • FIG. 24 is an explanatory view showing an example of installation positions of the outside-vehicle information detection unit and the imaging unit.
  • an imaging device an imaging device, an electronic device, and a method of manufacturing an imaging device according to the present disclosure
  • An imaging device an imaging device according to the present disclosure, an imaging device used for an imaging device or an electronic apparatus according to the present disclosure, and an imaging device manufactured by a method for manufacturing an imaging device according to the present disclosure
  • the protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom surface side of the imaging device protrudes relative to the top surface side.
  • a photoelectric conversion unit may be provided on the top surface of the imaging device.
  • the protrusion may be configured to be a part of a semiconductor substrate that configures the imaging device.
  • the protrusion may be made of a material different from that of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device.
  • the projection can be made of a resin material.
  • the resin material is preferably made of a thermosetting resin material (for example, a thermosetting resin composed of an epoxy resin or an acrylic resin).
  • the thickness of the protrusion is preferably 1/2 or less of the thickness of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device. Moreover, it is preferable that the protrusion width of a projection part is 1/4 or less of the thickness of the semiconductor substrate which comprises an image pick-up element.
  • the imaging device has a wiring board and an imaging device, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom side of the imaging device protrudes relative to the top surface side,
  • the imaging device is flip-chip mounted on the wiring substrate so that the top surface faces the wiring substrate.
  • the outer periphery of the imaging element on the wiring substrate is sealed by a sealing material.
  • the top surface of the imaging device can be configured to be provided with the photoelectric conversion unit.
  • a light receiving window can be provided in a portion of the wiring substrate facing the photoelectric conversion unit.
  • the light receiving window may be a simple opening or may be provided with a seal glass or the like.
  • the material constituting the sealing material used in the present disclosure is not particularly limited as long as the implementation of the present disclosure is not hindered.
  • a thermosetting resin or a resin that is cured by ultraviolet irradiation can be used, and an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, and the like can be exemplified.
  • the resin may contain an insulating filler.
  • the method of manufacturing an imaging device is Forming a pseudo wafer in a state in which the bottom surface of the imaging device is disposed on the same plane and a resin material layer having a thickness smaller than the thickness of the imaging device is disposed between the imaging device and the imaging device; Performing dicing on the pseudo wafer by performing dicing with a width narrower than the width between the imaging device and the imaging device; Have.
  • the resin material layer is preferably made of a thermosetting resin (for example, a thermosetting resin composed of an epoxy resin or an acrylic resin).
  • the method of manufacturing an imaging device is Forming a plurality of imaging devices on a semiconductor wafer; From the top surface side of the imaging device, thinning the semiconductor wafer between the imaging device and the imaging device with a predetermined width; A step of singulating by dicing the portion of the thinned semiconductor wafer with a width smaller than a predetermined width; Have.
  • the imaging device and the imaging device are thinned by a predetermined width using a dicing blade of a predetermined width, and singulated using a dicing blade having a width smaller than the predetermined width.
  • the imaging device and the imaging device may be thinned by a predetermined width using an etching technique, and singulation may be performed using a dicing blade having a width smaller than the predetermined width.
  • an imaging system such as a digital still camera and a digital video camera
  • a mobile phone provided with an imaging function
  • other devices provided with an imaging function. It can be illustrated.
  • the first embodiment relates to an imaging device according to the present disclosure and an imaging device according to the present disclosure.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are schematic perspective views for explaining an imaging device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1A shows a perspective view of the imaging device as viewed from the bottom side.
  • FIG. 1B is a perspective view of the imaging device as viewed from the top side.
  • FIG. 1A and FIG. 1B various components provided in the imaging device 10 are shown exaggerated.
  • the imaging device 10 is an imaging device flip-chip mounted on a wiring substrate.
  • a projection is provided on the side surface of the imaging element 10 so that the bottom surface 11 side protrudes to the top surface 13 side.
  • the side surface 12 of the imaging device 10 is configured of the side surface 12A on the bottom surface 11 side and the side surface 12B on the top surface 13 side.
  • the part of side 12A which protrudes to side 12B constitutes a projection part.
  • the side surface 12A may be referred to as a protrusion 12A.
  • the protrusion 12A is provided over the entire circumference of the imaging device 10.
  • the top surface 13 of the imaging device 10 is provided with an electrode 15 made of a solder bump or the like and a photoelectric conversion unit 14.
  • the photoelectric conversion unit 14 includes, for example, a photoelectric conversion element including a photodiode (Photo Diode: PD) or the like, a floating diffusion region (FD) to which the photoelectrically converted charge is transferred, a plurality of transistors, and the like.
  • the combined pixels are arranged in a two-dimensional matrix.
  • the imaging device 10 may be configured to capture a monochrome image, or may be configured to capture a color image.
  • a color filter is usually disposed on the light incident surface side of the photoelectric conversion unit 14.
  • color imaging is performed using a group of photoelectric conversion elements corresponding to [red, green, green, blue].
  • FIG. 2 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on a wiring substrate.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on a wiring substrate, following FIG. 2.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting the imaging device of the reference example on the wiring substrate, following FIG. 3.
  • the imaging device 90 of the reference example has the same configuration as the imaging device 10 shown in FIG. 1 except that the side surface 92 is a flat surface having no protrusion.
  • the imaging element 90 is disposed such that the top surface 93 faces the wiring substrate 20 (see FIG. 2).
  • a light receiving window 21 is provided in a portion of the wiring substrate 20 facing the photoelectric conversion unit 14.
  • Reference numeral 22 is an electrode provided on the wiring substrate 20.
  • the imaging element 90 and the wiring substrate 20 are electrically connected in a state in which the imaging element 90 and the wiring substrate 20 are disposed to face each other.
  • the electrical connection method may be appropriately selected from known methods such as a pressure welding method, an ultrasonic bonding method, a reflow method and the like used for flip chip connection.
  • the electrode 15 of the imaging element 90 is formed of a solder bump, and reflow processing is performed in a state where the imaging element 90 is mounted on the wiring substrate 20. By melting the solder bumps, the electrodes 15 of the imaging device 90 and the electrodes 22 of the wiring substrate 20 can be electrically connected (see FIG. 3).
  • a sealing material 30 made of a liquid resin material is applied to the outer periphery of the imaging element 90 (see FIG. 4). After that, by performing a curing process, it is possible to obtain an imaging device 900 provided with the imaging element 90 of the reference example.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of an imaging device provided with an imaging device flip-chip mounted.
  • FIG. 5B is an enlarged view of a portion indicated by reference numeral A in FIG. 5A.
  • the imaging device 10 is an imaging device flip-chip mounted on a wiring substrate. Further, on the side surface of the imaging device 10, a protrusion 12A is provided so that the bottom surface side of the imaging device 10 protrudes to the top surface side. The outer periphery of the imaging element 10 on the wiring substrate is sealed by the sealing material, but the liquid sealing material applied around the imaging element 10 flows so as to be attracted to the protrusion 12A on the side surface. As a result, it is difficult for the solute and the solvent that constitute the sealing material to penetrate into the gap.
  • this will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view for explaining the process of flip-chip mounting an imaging device on a wiring substrate.
  • the steps of making the imaging element 10 and the wiring substrate 20 face each other and then electrically connect them are the same as the steps described with reference to FIGS. 2 and 3 for the reference example, so the description will be omitted.
  • a sealing material 30 made of a liquid resin material is applied to the outer periphery of the imaging device 10 (see FIG. 6 and for convenience of illustration, sealing). It shows a state in which a part of the stopper 30 is cut away).
  • an imaging device 100 provided with the imaging element 10 can be obtained.
  • the imaging device 100 As described above, the imaging device 100 according to the second embodiment
  • the circuit board 20 and the imaging device 10 are provided.
  • a protrusion 12A is provided on the side surface of the imaging element 10 so that the bottom surface 11 side of the imaging element 10 protrudes to the top surface 13 side
  • the imaging element 10 is flip-chip mounted on the wiring substrate 20 so that the top surface 13 faces the wiring substrate 20,
  • the outer periphery of the imaging element 10 on the wiring substrate 20 is sealed by a sealing material 30. It is an imaging device.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of an imaging device provided with an imaging device flip-chip mounted.
  • FIG. 7B is an enlarged view of a portion indicated by reference numeral B in FIG. 7A.
  • FIG. 8A and FIG. 8B are schematic cross-sectional views for explaining a configuration example of the side surface portion of the imaging device.
  • FIG. 8A shows a structure in which the portion of the protrusion (side surface) 12A is formed of a material different from the portion of the side surface 12B.
  • a configuration in which a protrusion 12A made of a resin material is formed on the side surface of the semiconductor substrate constituting the imaging device 10 corresponds to this.
  • the resin material is preferably made of an epoxy resin or an acrylic resin.
  • FIG. 8B shows a structure in which the portion of the protrusion (side surface) 12A is formed of the same material as the portion of the side surface 12B.
  • the configuration in which the protrusion 12A is formed of a part of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device 10 corresponds to this.
  • FIG. 9 is a schematic enlarged view for explaining the thickness and protrusion width of the protrusion.
  • the thickness of the protrusion 12A is preferably 1/2 or less of the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device 10. Therefore, in FIG. 9, it is preferable that PT ⁇ WT / 2.
  • the protrusion width of the protrusion part 12A is 1/4 or less of the thickness of the semiconductor substrate which comprises an image pick-up element. Therefore, in FIG. 9, it is preferable that there is a relationship of PW ⁇ WT / 4.
  • the second embodiment relates to a method of manufacturing an imaging device.
  • the second embodiment is Forming a pseudo wafer in a state in which the bottom surface of the imaging device is disposed on the same plane and a resin material layer having a thickness smaller than the thickness of the imaging device is disposed between the imaging device and the imaging device; Performing dicing on the pseudo wafer by performing dicing with a width narrower than the width between the imaging device and the imaging device;
  • the present invention relates to a method of manufacturing an imaging device having the
  • the support substrate 40 is prepared, and the peelable adhesive layer 41 is formed thereon (see FIG. 10A).
  • the planar shape of the support 40 is, for example, a disk having a diameter of about 300 mm.
  • a metal substrate, a glass substrate, a semiconductor substrate, a ceramic substrate, or the like can be used.
  • the imaging element 10A whose side surface is a plane is prepared, and is disposed at a predetermined interval so that the top surface side faces the adhesive layer 41 (see FIG. 10B).
  • the imaging device 10A has a configuration in which the projection 12A is omitted from the imaging device 10 shown in FIG. 8A, for example.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view for explaining a pseudo wafer which can be obtained by the process shown in FIG. 10B.
  • FIG. 11 the dimensions and the arrangement of the imaging device are exaggerated. The same applies to FIG. 15 described later.
  • the support substrate 50 is prepared, and the peelable adhesive layer 51 is formed thereon (see FIG. 12A).
  • the planar shape of the support 50 is, for example, a disk having a diameter of about 300 mm.
  • a metal substrate, a glass substrate, a semiconductor substrate, a ceramic substrate, or the like can be used as the support 50.
  • a resin material layer 52 made of a thermosetting resin material is formed on the adhesive layer 51.
  • the method of forming the resin material layer is not particularly limited. For example, it can be applied by various printing methods such as spin coating, spray coating, and printing. From the viewpoint of affinity with the semiconductor substrate, the resin material layer 52 is preferably made of an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the display element 10A on the pseudo wafer obtained by [Step-200] is mounted on the resin material layer 52.
  • the pseudo wafer is disposed so that the bottom surface of the imaging element 10A on the support 40 faces the resin material layer 52 (see FIG. 13A), and then the display element 10A is mounted on the resin material layer 52 by applying pressure (see FIG. See FIG. 13B).
  • the resin material layer 52 is located between the imaging device 10A and the imaging device 10A.
  • the coating thickness of the resin material layer 52 in FIG. 12B may be set so that the thickness of the resin material layer 52 is thinner than that of the imaging device 10A in this state.
  • FIG. 14A is cured (see FIG. 14A).
  • the resin material layer 52 is finely hatched to indicate that it is after curing.
  • the adhesive layer 41 is peeled off (see FIG. 14B).
  • FIG. 15 is a schematic perspective view for explaining a pseudo wafer which can be obtained by the process shown in FIG. 14B.
  • the pseudo wafer is formed in a state in which the bottom surface of the imaging device is disposed on the same plane, and the resin material layer having a thickness smaller than the thickness of the imaging device is disposed between the imaging device and the imaging device. be able to.
  • Step-240 (see FIG. 16 and FIGS. 17A and 17B) After that, dicing is performed on the pseudo wafer which can be obtained by the process shown in FIG. 14B with a width narrower than the width between the imaging device 10A and the imaging device 10A (see FIGS. 16 and 17).
  • the insulating layer 52 is disposed as a protrusion on the bottom surface side of the side surface (see FIG. 17B).
  • the third embodiment also relates to a method of manufacturing an imaging device.
  • the third embodiment is Forming a plurality of imaging devices on a semiconductor wafer; From the top surface side of the imaging device, thinning the semiconductor wafer between the imaging device and the imaging device with a predetermined width; A step of singulating by dicing the portion of the thinned semiconductor wafer with a width smaller than a predetermined width; Have The present invention relates to a method of manufacturing an imaging device.
  • the distance between the imaging device and the imaging device is reduced by a predetermined width by using a dicing blade of a predetermined width, and the dicing blade with a width smaller than the predetermined width is used. It is characterized in that individualization is performed.
  • FIG. 18 is a schematic perspective view for illustrating a semiconductor wafer obtainable by the step shown in FIG. 19B.
  • Step-310 the semiconductor wafer 60 between the imaging element 10B and the imaging element 10B is thinned by a predetermined width from the top surface side (photoelectric conversion unit side) of the imaging element 10B formed on the semiconductor wafer 60. More specifically, the thickness between the imaging element 10B and the imaging element 10B is reduced to a predetermined width using a dicing blade having a predetermined width (see FIGS. 20A and 20B).
  • Step-320 (see FIGS. 21A and 21B) Thereafter, singulation is performed using a dicing blade narrower than a predetermined width (see FIGS. 21A and 21B).
  • the imaging device 10 in which the projection made of a part of the semiconductor substrate constituting the imaging device is provided on the side surface.
  • the fourth embodiment also relates to a method of manufacturing an imaging device.
  • an imaging element and an imaging element are thinned by a predetermined width using a dicing blade having a predetermined width, and individualized using a dicing blade having a width smaller than the predetermined width. It was broken up.
  • the thickness between the imaging device and the imaging device is reduced to a predetermined width by using an etching technique, and singulation is performed using a dicing blade having a width smaller than the predetermined width.
  • Step-400 A plurality of imaging elements are formed on the semiconductor substrate at predetermined intervals by a process similar to [Step-300] described in the third embodiment (see FIG. 18B).
  • Step-410 Next, thinning is performed with a predetermined width between the imaging device and the imaging device using an etching technique. Specifically, a mask 70 in which a portion to be thinned is opened is formed (see FIG. 22A), and then etching processing such as RIE is performed to perform thinning (see FIG. 22B).
  • Step-420 Thereafter, singulation is performed in the same step as Step-320 described in the third embodiment.
  • the imaging device 10 in which the projection made of a part of the semiconductor substrate constituting the imaging device is provided on the side surface.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure is any type of movement, such as automobiles, electric vehicles, hybrid electric vehicles, motorcycles, bicycles, personal mobility, airplanes, drones, ships, robots, construction machines, agricultural machines (tractors), etc. It may be realized as a device mounted on the body.
  • FIG. 23 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system 7000 that is an example of a mobile control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • Vehicle control system 7000 comprises a plurality of electronic control units connected via communication network 7010.
  • the vehicle control system 7000 includes a drive system control unit 7100, a body system control unit 7200, a battery control unit 7300, an external information detection unit 7400, an in-vehicle information detection unit 7500, and an integrated control unit 7600. .
  • the communication network 7010 connecting the plurality of control units is, for example, an arbitrary standard such as CAN (Controller Area Network), LIN (Local Interconnect Network), LAN (Local Area Network), or FlexRay (registered trademark). It may be an in-vehicle communication network.
  • CAN Controller Area Network
  • LIN Local Interconnect Network
  • LAN Local Area Network
  • FlexRay registered trademark
  • Each control unit includes a microcomputer that performs arithmetic processing in accordance with various programs, a storage unit that stores programs executed by the microcomputer or parameters used in various arithmetic operations, and drive circuits that drive devices to be controlled. Equipped with Each control unit is provided with a network I / F for communicating with other control units via the communication network 7010, and by wired communication or wireless communication with an apparatus or sensor inside or outside the vehicle. A communication I / F for performing communication is provided. In FIG.
  • a microcomputer 7610 As a functional configuration of the integrated control unit 7600, a microcomputer 7610, a general-purpose communication I / F 7620, a dedicated communication I / F 7630, a positioning unit 7640, a beacon receiving unit 7650, an in-vehicle device I / F 7660, an audio image output unit 7670, An in-vehicle network I / F 7680 and a storage unit 7690 are illustrated.
  • the other control units also include a microcomputer, a communication I / F, a storage unit, and the like.
  • Drive system control unit 7100 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • drive system control unit 7100 includes a drive force generation device for generating a drive force of a vehicle such as an internal combustion engine or a drive motor, a drive force transmission mechanism for transmitting the drive force to the wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control mechanism such as a steering mechanism that adjusts and a braking device that generates a braking force of the vehicle.
  • the drive system control unit 7100 may have a function as a control device such as an ABS (Antilock Brake System) or an ESC (Electronic Stability Control).
  • Vehicle state detection unit 7110 is connected to drive system control unit 7100.
  • the vehicle state detection unit 7110 may be, for example, a gyro sensor that detects an angular velocity of an axial rotational movement of a vehicle body, an acceleration sensor that detects an acceleration of the vehicle, or an operation amount of an accelerator pedal, an operation amount of a brake pedal, and steering of a steering wheel. At least one of the sensors for detecting the angle, the engine speed, the rotational speed of the wheel, etc. is included.
  • Drive system control unit 7100 performs arithmetic processing using a signal input from vehicle state detection unit 7110 to control an internal combustion engine, a drive motor, an electric power steering device, a brake device, and the like.
  • Body system control unit 7200 controls the operation of various devices equipped on the vehicle body according to various programs.
  • the body control unit 7200 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device of various lamps such as a head lamp, a back lamp, a brake lamp, a blinker or a fog lamp.
  • the body system control unit 7200 may receive radio waves or signals of various switches transmitted from a portable device substituting a key.
  • Body system control unit 7200 receives the input of these radio waves or signals, and controls a door lock device, a power window device, a lamp and the like of the vehicle.
  • the battery control unit 7300 controls the secondary battery 7310 which is a power supply source of the drive motor according to various programs. For example, information such as the battery temperature, the battery output voltage, or the remaining capacity of the battery is input to the battery control unit 7300 from the battery device provided with the secondary battery 7310. The battery control unit 7300 performs arithmetic processing using these signals, and performs temperature adjustment control of the secondary battery 7310 or control of a cooling device or the like provided in the battery device.
  • Outside-vehicle information detection unit 7400 detects information outside the vehicle equipped with vehicle control system 7000.
  • the imaging unit 7410 and the external information detection unit 7420 is connected to the external information detection unit 7400.
  • the imaging unit 7410 includes at least one of a time-of-flight (ToF) camera, a stereo camera, a monocular camera, an infrared camera, and another camera.
  • ToF time-of-flight
  • an environment sensor for detecting the current weather or weather, or another vehicle, an obstacle or a pedestrian around the vehicle equipped with the vehicle control system 7000 is detected in the outside-vehicle information detection unit 7420, for example.
  • the ambient information detection sensors at least one of the ambient information detection sensors.
  • the environment sensor may be, for example, at least one of a raindrop sensor that detects wet weather, a fog sensor that detects fog, a sunshine sensor that detects sunshine intensity, and a snow sensor that detects snowfall.
  • the ambient information detection sensor may be at least one of an ultrasonic sensor, a radar device, and a light detection and ranging (LIDAR) device.
  • the imaging unit 7410 and the external information detection unit 7420 may be provided as independent sensors or devices, or may be provided as an integrated device of a plurality of sensors or devices.
  • FIG. 24 shows an example of installation positions of the imaging unit 7410 and the external information detection unit 7420.
  • the imaging units 7910, 7912, 7914, 7916, 7918 are provided at, for example, at least one of the front nose of the vehicle 7900, the side mirror, the rear bumper, the back door, and the upper portion of the windshield of the vehicle interior.
  • An imaging unit 7910 provided in the front nose and an imaging unit 7918 provided in the upper part of the windshield in the vehicle cabin mainly acquire an image in front of the vehicle 7900.
  • the imaging units 7912 and 7914 provided in the side mirror mainly acquire an image of the side of the vehicle 7900.
  • An imaging unit 7916 provided in the rear bumper or back door mainly acquires an image behind the vehicle 7900.
  • the imaging unit 7918 provided on the upper part of the windshield in the passenger compartment is mainly used to detect a leading vehicle or a pedestrian, an obstacle, a traffic light, a traffic sign, a lane, or the like.
  • FIG. 24 illustrates an example of the imaging range of each of the imaging units 7910, 7912, 7914, and 7916.
  • the imaging range a indicates the imaging range of the imaging unit 7910 provided on the front nose
  • the imaging ranges b and c indicate the imaging ranges of the imaging units 7912 and 7914 provided on the side mirrors
  • the imaging range d indicates The imaging range of the imaging part 7916 provided in the rear bumper or the back door is shown.
  • a bird's-eye view of the vehicle 7900 as viewed from above can be obtained.
  • the external information detection units 7920, 7922, 7924, 7926, 7928, and 7930 provided on the front, rear, sides, and corners of the vehicle 7900 and above the windshield of the vehicle interior may be, for example, ultrasonic sensors or radar devices.
  • the external information detection units 7920, 7926, 7930 provided on the front nose of the vehicle 7900, the rear bumper, the back door, and the upper part of the windshield of the vehicle interior may be, for example, a LIDAR device.
  • These outside-of-vehicle information detection units 7920 to 7930 are mainly used for detecting a preceding vehicle, a pedestrian, an obstacle or the like.
  • the out-of-vehicle information detection unit 7400 causes the imaging unit 7410 to capture an image outside the vehicle, and receives the captured image data. Further, the external information detection unit 7400 receives detection information from the external information detection unit 7420 connected. When the out-of-vehicle information detection unit 7420 is an ultrasonic sensor, a radar device, or a LIDAR device, the out-of-vehicle information detection unit 7400 transmits ultrasonic waves or electromagnetic waves and receives information on the received reflected waves.
  • the external information detection unit 7400 may perform object detection processing or distance detection processing of a person, a car, an obstacle, a sign, a character on a road surface, or the like based on the received information.
  • the external information detection unit 7400 may perform environment recognition processing for recognizing rainfall, fog, road surface conditions and the like based on the received information.
  • the external information detection unit 7400 may calculate the distance to an object outside the vehicle based on the received information.
  • the external information detection unit 7400 may perform image recognition processing or distance detection processing for recognizing a person, a car, an obstacle, a sign, a character on a road surface, or the like based on the received image data.
  • the external information detection unit 7400 performs processing such as distortion correction or alignment on the received image data, and combines the image data captured by different imaging units 7410 to generate an overhead image or a panoramic image. It is also good.
  • the external information detection unit 7400 may perform viewpoint conversion processing using image data captured by different imaging units 7410.
  • An in-vehicle information detection unit 7500 detects information in the vehicle.
  • a driver state detection unit 7510 that detects a state of a driver is connected to the in-vehicle information detection unit 7500.
  • the driver state detection unit 7510 may include a camera for imaging the driver, a biometric sensor for detecting the driver's biological information, a microphone for collecting sound in the vehicle interior, and the like.
  • the biological sensor is provided, for example, on a seat or a steering wheel, and detects biological information of an occupant sitting on a seat or a driver who grips the steering wheel.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 may calculate the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 7510, or determine whether the driver does not go to sleep You may The in-vehicle information detection unit 7500 may perform processing such as noise canceling processing on the collected audio signal.
  • the integrated control unit 7600 controls the overall operation in the vehicle control system 7000 in accordance with various programs.
  • An input unit 7800 is connected to the integrated control unit 7600.
  • the input unit 7800 is realized by, for example, a device such as a touch panel, a button, a microphone, a switch or a lever, which can be input operated by the passenger.
  • the integrated control unit 7600 may receive data obtained by speech recognition of speech input by the microphone.
  • the input unit 7800 may be, for example, a remote control device using infrared rays or other radio waves, or an external connection device such as a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant) corresponding to the operation of the vehicle control system 7000.
  • PDA Personal Digital Assistant
  • the input unit 7800 may be, for example, a camera, in which case the passenger can input information by gesture. Alternatively, data obtained by detecting the movement of the wearable device worn by the passenger may be input. Furthermore, the input unit 7800 may include, for example, an input control circuit that generates an input signal based on the information input by the passenger or the like using the above-described input unit 7800 and outputs the generated signal to the integrated control unit 7600. The passenger or the like operates the input unit 7800 to input various data to the vehicle control system 7000 and instruct processing operations.
  • the storage unit 7690 may include a ROM (Read Only Memory) that stores various programs executed by the microcomputer, and a RAM (Random Access Memory) that stores various parameters, calculation results, sensor values, and the like.
  • the storage unit 7690 may be realized by a magnetic storage device such as a hard disk drive (HDD), a semiconductor storage device, an optical storage device, a magneto-optical storage device, or the like.
  • HDD hard disk drive
  • semiconductor storage device an optical storage device
  • magneto-optical storage device or the like.
  • the general-purpose communication I / F 7620 is a general-purpose communication I / F that mediates communication with various devices existing in the external environment 7750.
  • General-purpose communication I / F 7620 is a cellular communication protocol such as GSM (registered trademark) (Global System of Mobile communications), WiMAX (registered trademark), LTE (registered trademark) (Long Term Evolution) or LTE-A (LTE-Advanced).
  • GSM Global System of Mobile communications
  • WiMAX registered trademark
  • LTE registered trademark
  • LTE-A Long Term Evolution-Advanced
  • other wireless communication protocols such as wireless LAN (also referred to as Wi-Fi (registered trademark)), Bluetooth (registered trademark), etc. may be implemented.
  • the general-purpose communication I / F 7620 is connected to, for example, an apparatus (for example, an application server or control server) existing on an external network (for example, the Internet, a cloud network, or an operator-specific network) via a base station or access point
  • an apparatus for example, an application server or control server
  • an external network for example, the Internet, a cloud network, or an operator-specific network
  • the general-purpose communication I / F 7620 is a terminal (for example, a driver, a pedestrian or a shop terminal, or an MTC (Machine Type Communication) terminal) existing near the vehicle using, for example, P2P (Peer To Peer) technology. It may be connected with
  • the dedicated communication I / F 7630 is a communication I / F that supports a communication protocol designed for use in a vehicle.
  • the dedicated communication I / F 7630 may be a standard protocol such as WAVE (Wireless Access in Vehicle Environment), DSRC (Dedicated Short Range Communications), or cellular communication protocol, which is a combination of lower layer IEEE 802.11p and upper layer IEEE 1609, for example. May be implemented.
  • the dedicated communication I / F 7630 is typically used for Vehicle to Vehicle communication, Vehicle to Infrastructure communication, Vehicle to Home communication, and Vehicle to Pedestrian. 2.) Perform V2X communication, a concept that includes one or more of the communication.
  • the positioning unit 7640 receives a GNSS signal (for example, a GPS signal from a Global Positioning System (GPS) satellite) from, for example, a Global Navigation Satellite System (GNSS) satellite and executes positioning, thereby performing latitude, longitude, and altitude of the vehicle.
  • Generate location information including Positioning section 7640 may specify the current position by exchanging signals with the wireless access point, or may acquire position information from a terminal such as a mobile phone having a positioning function, a PHS, or a smartphone.
  • the beacon receiving unit 7650 receives, for example, radio waves or electromagnetic waves transmitted from a radio station or the like installed on a road, and acquires information such as the current position, traffic jams, closing times or required time.
  • the function of the beacon reception unit 7650 may be included in the above-described dedicated communication I / F 7630.
  • An in-vehicle apparatus I / F 7660 is a communication interface that mediates the connection between the microcomputer 7610 and various in-vehicle apparatuses 7760 existing in the vehicle.
  • the in-car device I / F 7660 may establish a wireless connection using a wireless communication protocol such as wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), NFC (Near Field Communication), or WUSB (Wireless USB).
  • a wireless communication protocol such as wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), NFC (Near Field Communication), or WUSB (Wireless USB).
  • the in-vehicle device I / F 7660 is connected via a connection terminal (not shown) (and, if necessary, a cable) via USB (Universal Serial Bus), HDMI (High-Definition Multimedia Interface), or MHL (Mobile)
  • USB Universal Serial Bus
  • HDMI High-Definition Multimedia Interface
  • MHL Mobile
  • the in-vehicle device 7760 may include, for example, at least one of a mobile device or wearable device owned by a passenger, or an information device carried in or attached to a vehicle. Further, the in-vehicle device 7760 may include a navigation device for performing a route search to any destination.
  • the in-vehicle device I / F 7660 exchanges control signals or data signals with these in-vehicle devices 7760.
  • the in-vehicle network I / F 7680 is an interface that mediates communication between the microcomputer 7610 and the communication network 7010.
  • the in-vehicle network I / F 7680 transmits and receives signals and the like in accordance with a predetermined protocol supported by the communication network 7010.
  • the microcomputer 7610 of the integrated control unit 7600 is connected via at least one of a general-purpose communication I / F 7620, a dedicated communication I / F 7630, a positioning unit 7640, a beacon reception unit 7650, an in-vehicle device I / F 7660 and an in-vehicle network I / F 7680.
  • the vehicle control system 7000 is controlled in accordance with various programs based on the information acquired. For example, the microcomputer 7610 calculates a control target value of the driving force generation device, the steering mechanism or the braking device based on the acquired information inside and outside the vehicle, and outputs a control command to the driving system control unit 7100. It is also good.
  • the microcomputer 7610 realizes the function of an advanced driver assistance system (ADAS) including collision avoidance or shock mitigation of a vehicle, follow-up traveling based on an inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance traveling, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. Cooperative control for the purpose of In addition, the microcomputer 7610 automatically runs without using the driver's operation by controlling the driving force generating device, the steering mechanism, the braking device, etc. based on the acquired information of the surroundings of the vehicle. Coordinated control may be performed for the purpose of driving and the like.
  • ADAS advanced driver assistance system
  • the microcomputer 7610 is information acquired via at least one of a general-purpose communication I / F 7620, a dedicated communication I / F 7630, a positioning unit 7640, a beacon reception unit 7650, an in-vehicle device I / F 7660, and an in-vehicle network I / F 7680. Based on the above, three-dimensional distance information between the vehicle and an object such as a surrounding structure or a person may be generated, and local map information including the peripheral information of the current position of the vehicle may be created. Further, the microcomputer 7610 may predict a danger such as a collision of a vehicle or a pedestrian or the like approaching a road or the like on the basis of the acquired information, and may generate a signal for warning.
  • the warning signal may be, for example, a signal for generating a warning sound or lighting a warning lamp.
  • the audio image output unit 7670 transmits an output signal of at least one of audio and image to an output device capable of visually or aurally notifying information to a passenger or the outside of a vehicle.
  • an audio speaker 7710, a display unit 7720, and an instrument panel 7730 are illustrated as output devices.
  • the display unit 7720 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • the display portion 7720 may have an AR (Augmented Reality) display function.
  • the output device may be another device such as a headphone, a wearable device such as a glasses-type display worn by a passenger, a projector, or a lamp other than these devices.
  • the display device may obtain information obtained from various processes performed by the microcomputer 7610 or information received from another control unit in various formats such as text, images, tables, graphs, etc. Display visually.
  • the audio output device converts an audio signal composed of reproduced audio data or audio data into an analog signal and outputs it in an auditory manner.
  • At least two control units connected via the communication network 7010 may be integrated as one control unit.
  • each control unit may be configured by a plurality of control units.
  • the vehicle control system 7000 may comprise another control unit not shown.
  • part or all of the functions of any control unit may be provided to another control unit. That is, as long as transmission and reception of information are performed via the communication network 7010, predetermined arithmetic processing may be performed by any control unit.
  • a sensor or device connected to any control unit is connected to another control unit, a plurality of control units may mutually transmit and receive detection information via the communication network 7010. .
  • the technique according to the present disclosure may be applied to, for example, the imaging unit of the external information detection unit in the configuration described above.
  • the technology of the present disclosure can also be configured as follows.
  • A1 An imaging device flip-chip mounted on a wiring substrate, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom surface side of the imaging device protrudes relative to the top surface side. Image sensor.
  • a photoelectric conversion unit is provided on the top surface of the imaging device.
  • A3] The projection is a part of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device, The imaging device according to the above [A1] or [A2].
  • A4 The projection is made of a material different from the semiconductor substrate that constitutes the imaging device.
  • the protrusions are made of resin material, The imaging device according to the above [A4].
  • the resin material is made of a thermosetting resin material
  • the thickness of the protrusion is not more than half the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • the protrusion width of the protrusion is not more than 1/4 of the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • [B1] It has a wiring board and an imaging device, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom side of the imaging device protrudes relative to the top surface side, The imaging device is flip-chip mounted on the wiring substrate so that the top surface faces the wiring substrate. The outer periphery of the imaging device on the wiring substrate is sealed by a sealing material, Imaging device.
  • a photoelectric conversion unit is provided on the top surface of the imaging device. The imaging device according to the above [B1].
  • a light receiving window is provided in a portion of the wiring substrate facing the photoelectric conversion unit, The imaging device according to the above [B1] or [B2].
  • the projection is a part of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device, The imaging device according to any one of the above [B1] to [B3].
  • the projection is made of a material different from the semiconductor substrate that constitutes the imaging device.
  • the protrusions are made of resin material, The imaging device according to the above [B5].
  • the resin material is made of a thermosetting resin material The imaging device according to the above [B6].
  • the thickness of the protrusion is not more than half the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • the protrusion width of the protrusion is not more than 1/4 of the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • [C1] Forming a pseudo wafer in a state in which the bottom surface of the imaging device is disposed on the same plane and a resin material layer having a thickness smaller than the thickness of the imaging device is disposed between the imaging device and the imaging device; Performing dicing on the pseudo wafer by performing dicing with a width narrower than the width between the imaging device and the imaging device; Have Method of manufacturing an imaging device.
  • the resin material layer is made of a thermosetting resin material The manufacturing method of the image pick-up element as described in said [C1].
  • [D1] Forming a plurality of imaging devices on a semiconductor wafer; From the top surface side of the imaging device, thinning the semiconductor wafer between the imaging device and the imaging device with a predetermined width; A step of singulating by dicing the portion of the thinned semiconductor wafer with a width smaller than a predetermined width; Have Method of manufacturing an imaging device.
  • the imaging device and the imaging device are thinned by a predetermined width using a dicing blade of a predetermined width, and singulated using a dicing blade having a width smaller than the predetermined width.
  • the manufacturing method of the image pick-up element as described in said [D1].
  • [D3] Thin the space between the imaging device and the imaging device with a predetermined width by using an etching technique, and singulate it using a dicing blade whose width is smaller than the predetermined width.
  • An electronic apparatus comprising an imaging device in which an imaging element is flip-chip mounted on a wiring substrate, A protrusion is provided on the side surface of the imaging device such that the bottom side of the imaging device protrudes relative to the top surface side, The imaging device is flip-chip mounted on the wiring substrate so that the top surface faces the wiring substrate. The outer periphery of the imaging device on the wiring substrate is sealed by a sealing material, Electronics.
  • a photoelectric conversion unit is provided on the top surface of the imaging device. The electronic device according to the above [E1].
  • a light receiving window is provided in a portion of the wiring substrate facing the photoelectric conversion unit, The electronic device as described in said [E1] or [E2].
  • the projection is a part of the semiconductor substrate that constitutes the imaging device, The electronic device according to any one of the above [E1] to [E3].
  • the projection is made of a material different from the semiconductor substrate that constitutes the imaging device.
  • the protrusions are made of resin material, The electronic device as described in said [E5].
  • the resin material is made of a thermosetting resin material The electronic device as described in the above [E6].
  • the thickness of the protrusion is not more than half the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • the protrusion width of the protrusion is not more than 1/4 of the thickness of the semiconductor substrate constituting the imaging device.
  • imaging device 10A, 90 ... imaging device, 10B ... formation region of imaging device, 11 ... bottom surface of imaging device, 12, 92 ... side surface of imaging device, 12A ... side surface on the bottom surface side Projection part), 12B: side surface on the upper surface side, 13: top surface of imaging device, 14: photoelectric conversion unit, 14: electrode of imaging device (solder bump), 20: wiring substrate , 21: light receiving window, 22: electrode of wiring board, 30: sealing material, 40: supporting substrate, 41: adhesive layer (peeling layer), 50: supporting substrate, 51: adhesive layer (peeling layer) 52: resin material layer 60: semiconductor wafer (semiconductor substrate) 70: mask 100, 900: imaging device DG: dicing blade

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本開示に係る撮像素子は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、その側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている。そして、本開示に係る撮像装置にあっては、撮像素子の天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている。封止材の付着場所が突起部側に促され、これによって、封止材を構成する溶質や溶媒の浸透を軽減することができる。

Description

撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法
　本開示は、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法に関する。
　電子機器の小型化や薄型化に伴い、撮像素子を含むパッケージについても、小型薄型化や多端子化が要求されている。このため、チップ状の撮像素子（以下、単に、チップと称する場合がある）を、インターポーザー基板などの配線基板に接合するフリップチップ実装方式が提案されている（例えば、特開２０１１－１８７６６号公報参照）。
　フリップチップ実装方式では、通常、チップと配線基板とが電気的に接合された状態とし、次いで、チップの周辺部に封止材を塗布するといった工程を行なう。
特開２０１１－１８７６６号公報
　撮像素子の光電変換部を配線基板側に対向させた状態でフリップチップ実装を行なう場合、撮像素子の周辺部に封止材が塗布されることによって、封止材を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透して光電変換部にまで及び支障を来たすといったことが考えられる。撮像素子の端部から光電変換部までの距離を充分に確保するといったことで上述の問題は回避することができるが、撮像素子や配線基板のサイズの拡大を招くことになり、コストアップの要因となる。
　従って、本開示の目的は、サイズを拡大することなく、封止材を構成する溶質や溶媒の浸透を軽減することができる撮像素子、係る撮像素子を備えた撮像装置、及び、係る撮像装置を備えた電子機器、並びに、係る撮像装置の製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子は、
　配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
撮像素子である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る撮像装置は、
　配線基板と撮像素子とを備えており、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
撮像装置である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子の製造方法は、
　撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
　疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法である。
　あるいは又、上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子の製造方法は、
　半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
　撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
　薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
　配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
電子機器である。
図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の第１の実施形態に係る撮像素子を説明するための模式的な斜視図である。図１Ａは、撮像素子を底面側から眺めたときの斜視図を示す。図１Ｂは、撮像素子を天面側から眺めたときの斜視図を示す。 図２は、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。 図３は、図２に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。 図４は、図３に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。 図５Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図５Ｂは、図５Ａにおいて符号Ａで示す部分の拡大図である。 図６は、撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。 図７Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図７Ｂは、図７Ａにおいて符号Ｂで示す部分の拡大図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、撮像素子の側面部の構成例を説明するための模式的な断面図である。図８Ａは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分とは異なる材料で形成されている構造を示す。図８Ｂは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分と共通の材料で形成されている構造を示す。 図９は、突起部の厚さ及び突出幅を説明するための、模式的な拡大図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１１は、図１０Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１０Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１５は、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。 図１６は、図１４Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１６に引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図１９は、図１８Ｂに示す工程によって得ることができる半導体ウエハを説明するための模式的な斜視図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１８Ｂに引き続き、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、図２０Ｂに引き続き、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図２２Ａ及び図２２Ｂは、本開示の第４の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。 図２３は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 図２４は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
　１．本開示に係る、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法、全般に関する説明
　２．第１の実施形態
　３．第２の実施形態
　４．第３の実施形態
　５．第４の実施形態
　６．第５の実施形態：応用例
　７．その他
［本開示に係る、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法、全般に関する説明］
　本開示に係る撮像素子、本開示に係る撮像装置や電子機器に用いられる撮像素子、及び、本開示に係る撮像素子の製造方法により製造される撮像素子（以下、これらを単に、本開示の撮像素子と呼ぶ場合がある）にあっては、上述したように、撮像素子の側面に、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている。
　本開示に係る撮像素子において、撮像素子の天面には光電変換部が設けられている構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示に係る撮像素子において、突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る構成とすることができる。
　あるいは又、突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る構成とすることができる。この場合において、突起部は、樹脂材料から成る構成とすることができる。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などから成る熱硬化性の樹脂）から構成とすることが好ましい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る撮像素子において、突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下であることが好ましい。また、突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下であることが好ましい。
　上述したように、本開示に係る撮像装置は、
　配線基板と撮像素子とを備えており、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている。
　本開示に係る撮像装置にあっては、上述したように、撮像素子の天面には光電変換部が設けられている構成とすることができる。この場合において、光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている構成とすることができる。受光窓は単なる開口であってもよいし、シールガラスなどが設けられていても良い。
　本開示に用いられる封止材を構成する材料は、本開示の実施に支障がない限り、特に限定するものではない。例えば、熱硬化性樹脂や、紫外線照射によって硬化する樹脂を用いることができ、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂などを例示することができる。尚、樹脂には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。
　上述したように、本開示に係る撮像素子の製造方法は、
　撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
　疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などから成る熱硬化性の樹脂）から構成とすることが好ましい。
　あるいは又、本開示に係る撮像素子の製造方法は、
　半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
　撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
　薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する。
　この場合において、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう構成とすることができる。あるいは又、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう構成とすることもできる。
　撮像素子の画素（ピクセル）の値として、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
　また、本開示の撮像装置を備えた電子機器として、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器を例示することができる。
　本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。
［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示に係る撮像素子、及び、本開示に係る撮像装置に関する。
　図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の第１の実施形態に係る撮像素子を説明するための模式的な斜視図である。図１Ａは、撮像素子を底面側から眺めたときの斜視図を示す。図１Ｂは、撮像素子を天面側から眺めたときの斜視図を示す。
　尚、図示および説明の都合上、図１Ａ及び図１Ｂにあっては、撮像素子１０に設けられる各種構成要素を誇張して示した。
　撮像素子１０は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子である。撮像素子１０の側面には、底面１１側が天面１３側に対して突出するように、突起部が設けられている。より具体的には、撮像素子１０の側面１２は、底面１１側の側面１２Ａと天面１３側の側面１２Ｂから構成されている。そして、側面１２Ｂに対して突出する側面１２Ａの部分が、突起部を構成する。以下、側面１２Ａを突起部１２Ａと表す場合がある。突起部１２Ａは、撮像素子１０の全周に亘って設けられている。
　撮像素子１０の天面１３には、ハンダバンプ等から成る電極１５や光電変換部１４が設けられている。光電変換部１４は、例えば、フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）などから成る光電変換素子、光電変換された電荷が転送される浮遊拡散領域（Floating Diffusion region：ＦＤ）、及び、複数のトランジスタなどを組み合わせて成る画素が、二次元マトリクス状に配置されて構成されている。
　撮像素子１０は、モノクロ画像を撮像する構成であってもよいし、カラー画像を撮像する構成であってもよい。カラー画像を撮像する構成の場合、通常、光電変換部１４の光入射面側に、カラーフィルタが配置される。例えば、Ｂａｙｅｒ配列のカラー画像を撮像する場合、［赤，緑，緑，青］に対応する光電変換素子の群を用いてカラー撮像を行う。
　ここで、本開示の理解を助けるため、図２ないし図４を参照して、撮像素子の側面が平面である参考例の撮像素子を備えた撮像装置の製造工程を説明する。その後、参考例の課題について、図５を参照して説明する。
　図２は、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。図３は、図２に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。図４は、図３に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
　参考例の撮像素子９０は、側面９２が突起部を有さない平面であることが相違する他は、図１に示す撮像素子１０と同様の構成である。フリップチップ実装の際、先ず、撮像素子９０は、天面９３が配線基板２０と対向するように配置される（図２を参照）。配線基板２０において、光電変換部１４と対向する部分には、受光窓２１が設けられている。符号２２は、配線基板２０に設けられた電極である。
　撮像素子９０と配線基板２０とが対向するように配置された状態で、撮像素子９０と配線基板２０とを電気的に接続する。電気的に接続する方法は、フリップチップ接続に用いられている圧接工法、超音波接合工法、リフロー工法などといった周知の工法から適宜選択して使用すればよい。例えば、撮像素子９０の電極１５をハンダバンプから構成し、配線基板２０上に撮像素子９０が載置された状態でリフロー処理を施す。ハンダバンプが溶融することによって、撮像素子９０の電極１５と配線基板２０の電極２２とを電気的に接続することができる（図３を参照）。
　撮像素子９０と配線基板２０とが電気的に接続された後、撮像素子９０の外周に液状の樹脂材料から成る封止材３０を塗布する（図４を参照）。その後、硬化処理を行なうことによって、参考例の撮像素子９０を備えた撮像装置９００を得ることができる。
　引き続き、参考例の課題について説明する。図５Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図５Ｂは、図５Ａにおいて符号Ａで示す部分の拡大図である。
　図５Ｂに示すように、撮像素子９０の外周に液状の封止材３０を塗布する際に、封止材３０を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透する。符号３１は浸透した溶質や溶媒を示す。これらが光電変換部１４にまで及ぶと、撮像に際して支障を来たす。撮像素子９０の端部から光電変換部１４までの距離を充分に確保するといったことで上述の問題は回避することができるが、撮像素子や配線基板のサイズの拡大を招く。
　以上、参考例の課題について説明した。
　上述したように、第１の実施形態に係る撮像素子１０は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子である。そして、撮像素子１０の側面には、撮像素子１０の底面側が天面側に対して突出するように、突起部１２Ａが設けられている。配線基板上の撮像素子１０の外周は封止材によって封止されるが、撮像素子１０の周囲に塗布される液状の封止材は、側面の突起部１２Ａに引き寄せられるように流動するので、結果として、封止材を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透し難くなる。以下、図６及び図７を参照して詳しく説明する。
　図６は、撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
　撮像素子１０と配線基板２０とを対向させ、次いで、電気的に接続させる工程は、参考例について図２と図３を参照して説明した工程と同様であるので、説明を省略する。撮像素子１０と配線基板２０とが電気的に接続された後、撮像素子１０の外周に液状の樹脂材料から成る封止材３０を塗布する（図６を参照、尚、図示の都合上、封止材３０の一部を切り欠いた状態を示した）。その後、硬化処理を行なうことによって、撮像素子１０を備えた撮像装置１００を得ることができる。
　以上説明したように、第２の実施形態に係る撮像装置１００は、
　配線基板２０と撮像素子１０とを備えており、
　撮像素子１０の側面には、撮像素子１０の底面１１側が天面１３側に対して突出するように、突起部１２Ａが設けられており、
　撮像素子１０は、天面１３が配線基板２０と対向するように配線基板２０上にフリップチップ実装されており、
　配線基板２０上の撮像素子１０の外周は封止材３０によって封止されている、
撮像装置である。
　図７Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図７Ｂは、図７Ａにおいて符号Ｂで示す部分の拡大図である。
　図７Ｂに示すように、撮像素子１０の周囲に塗布される液状の封止材３０は、側面の突起部１２Ａに引き寄せられるように流動するので、結果として、封止材３０を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透し難くなる。従って、撮像素子や配線基板のサイズを拡大することなく、封止材３０を構成する溶質や溶媒が光電変換部１４に及ぶ程度を軽減することができる。
　引き続き、突起部１２Ａを構成する材料について説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、撮像素子の側面部の構成例を説明するための模式的な断面図である。
　図８Ａは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分とは異なる材料で形成されている構造を示す。例えば、撮像素子１０を構成する半導体基板の側面に、樹脂材料から成る突起部１２Ａが形成されているといった構成が該当する。このような場合、半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料は、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂から成る構成とすることが好ましい。
　図８Ｂは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分と共通の材料で形成されている構造を示す。例えば、突起部１２Ａは、撮像素子１０を構成する半導体基板の一部から成るといった構成が該当する。
　引き続き、突起部１２Ａの突出幅や厚さについて説明する。図９は、突起部の厚さ及び突出幅を説明するための、模式的な拡大図である。
　突起部１２Ａの厚さは、撮像素子１０を構成する半導体基板の厚さの１／２以下であることが好ましい。従って、図９において、ＰＴ＜ＷＴ／２といった関係にあることが好ましい。
　また、突起部１２Ａの突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下であることが好ましい。従って、図９において、ＰＷ＜ＷＴ／４といった関係にあることが好ましい。
［第２の実施形態］
　第２の実施形態は、撮像素子の製造方法に関する。
　より詳しくは、第２の実施形態は、
　撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
　疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する撮像素子の製造方法に関する。
　以下、図１０ないし図１７を参照して、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。
　　［工程－２００］（図１０Ａ及び図１０Ｂ、並びに、図１１、参照）
　支持基板４０を準備し、その上に、剥離可能な粘着層４１を形成する（図１０Ａ参照）。支持体４０の平面形状は、例えば直径３００ミリメートル程度の円板状である。支持体４０には、金属基板、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板などを用いることができる。
　次いで、側面が平面である撮像素子１０Ａを準備し、天面側が粘着層４１に対向するように、所定の間隔で配置する（図１０Ｂ参照）。尚、撮像素子１０Ａは、例えば、図８Ａに示す撮像素子１０から突起部１２Ａを省いたといった構成である。
　図１１は、図１０Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。尚、図示の都合上、図１１においては、撮像素子の寸法や配置を誇張して示した。後述する図１５においても同様である。
　　［工程－２１０］（図１２Ａ及び図１２Ｂ、参照）
　支持基板５０を準備し、その上に、剥離可能な粘着層５１を形成する（図１２Ａ参照）。支持体５０の平面形状は、例えば直径３００ミリメートル程度の円板状である。支持体５０には、金属基板、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板などを用いることができる。
　次いで、粘着層５１の上に、熱硬化性の樹脂材料から成る樹脂材料層５２を形成する。樹脂材料層を形成する方法は特に限定するものではない。例えば、スピンコート法、スプレーコート法、印刷法などの各種印刷法で塗布することができる。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料層５２は、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂から成る構成とすることが好ましい。
　　［工程－２２０］（図１３Ａ及び図１３Ｂ、参照）
　その後、［工程－２００］によって得られた疑似ウエハ上の表示素子１０Ａを樹脂材料層５２上に搭載する。先ず。支持体４０上の撮像素子１０Ａの底面が樹脂材料層５２と対向するように疑似ウエハを配置し（図１３Ａ参照）、次いで、押圧を加えて表示素子１０Ａを樹脂材料層５２上に搭載する（図１３Ｂ参照）。
　図１３Ｂに示すように、撮像素子１０Ａと撮像素子１０Ａとの間には樹脂材料層５２が位置する。この状態において樹脂材料層５２の厚さが撮像素子１０Ａより薄くなるように、図１２Ｂにおける樹脂材料層５２の塗布厚さを設定すればよい。
　　［工程－２３０］（図１４Ａ及び図１４Ｂ、並びに、図１５、参照）
　次いで、樹脂材料層５２に硬化処理を施す（図１４Ａ参照）。硬化後であることを示すために、樹脂材料層５２には細かいハッチングを付した。その後、粘着層４１を剥離する（図１４Ｂ参照）。図１５は、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。
　以上の工程によって、撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成することができる。
　　［工程－２４０］（図１６、並びに、図１７Ａ及び図１７Ｂ、参照）
　その後、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハに対して、撮像素子１０Ａと撮像素子１０Ａとの間の幅よりも狭い幅でダイシングを行う（図１６及び図１７参照）。個片化された撮像素子１０にあっては、側面の底面側に絶縁層５２が突起部として配置されている（図１７Ｂ参照）。
　以上の工程によって、樹脂材料層からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。
［第３の実施形態］
　第３の実施形態も、撮像素子の製造方法に関する。
　第３の実施形態は、
　半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
　撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
　薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法に関する。
　そして、第３の実施形態にあっては、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なうことを特徴とする。
　以下、図１８ないし図２１を参照して、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。
　　［工程－３００］（図１８Ａ及び図１８Ｂ、並びに、図１９、参照）
　半導体ウエハ６０を準備し（図１８Ａ参照）、所定の間隔を空けて、複数の撮像素子を半導体基板に形成する（図１８Ｂ参照）。撮像素子に対応する部分を符号１０Ｂで示す。図１８は、図１９Ｂに示す工程によって得ることができる半導体ウエハを説明するための模式的な斜視図である。
　　［工程－３１０］（図２０Ａ及び図２０Ｂ、参照）
　次いで、半導体ウエハ６０に形成された撮像素子１０Ｂの天面側（光電変換部側）から、撮像素子１０Ｂと撮像素子１０Ｂとの間の半導体ウエハ６０を所定の幅で薄肉化する。より具体的には、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子１０Ｂと撮像素子１０Ｂとの間を所定の幅で薄肉化する（図２０Ａ及び図２０Ｂ参照）。
　　［工程－３２０］（図２１Ａ及び図２１Ｂ、参照）
　その後、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう（図２１Ａ及び図２１Ｂ参照）。
　以上の工程によって、撮像素子を構成する半導体基板の一部からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。
［第４の実施形態］
　第４の実施形態も、撮像素子の製造方法に関する。
　第３の実施形態にあっては、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なった。これに対して、第４の実施形態では、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう。
　以下、図２２を参照して、本開示の第４の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。
　　［工程－４００］
　第３の実施形態において説明した［工程－３００］と同様の工程によって、所定の間隔を空けて、複数の撮像素子を半導体基板に形成する（図１８Ｂ参照）。
　　［工程－４１０］（図２２Ａ及び図２２Ｂ、参照）
　次いで、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化を行う。具体的には、薄肉化を行う部分が開口したマスク７０を形成し（図２２Ａ参照）、次いで、ＲＩＥなどのエッチング処理を施し、薄肉化を行う（図２２Ｂ参照）。
　　［工程－４２０］
　その後、第３の実施形態において説明した［工程－３２０］と同様の工程によって、個片化を行う。
　以上の工程によって、撮像素子を構成する半導体基板の一部からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。
［第５の実施形態：応用例］
　本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図２３は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２３に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller　Area　Network）、ＬＩＮ（Local　Interconnect　Network）、ＬＡＮ（Local　Area　Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
　各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図２３では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
　駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock　Brake　System）又はＥＳＣ（Electronic　Stability　Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
　駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
　ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
　車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time　Of　Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
　環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light　Detection　and　Ranging、Laser　Imaging　Detection　and　Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
　ここで、図２４は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２４には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
　図２３に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
　また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
　車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
　統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal　Digital　Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
　記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read　Only　Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random　Access　Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard　Disc　Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
　汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global　System　of　Mobile　communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long　Term　Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer　To　Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine　Type　Communication）端末）と接続してもよい。
　専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless　Access　in　Vehicle　Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated　Short　Range　Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle　to　Vehicle）通信、路車間（Vehicle　to　Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle　to　Home）の通信及び歩車間（Vehicle　to　Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
　測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global　Navigation　Satellite　System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global　Positioning　System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
　ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
　車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near　Field　Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless　USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal　Serial　Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition　Multimedia　Interface）、又はＭＨＬ（Mobile　High-definition　Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
　車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
　統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced　Driver　Assistance　System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
　マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
　音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２３の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented　Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
　なお、図２３に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
　本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、車外情報検出ユニットの撮像部に適用され得る。
［その他］
　以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
　尚、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［Ａ１］
　配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
撮像素子。
［Ａ２］
　撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ａ１］に記載の撮像素子。
［Ａ３］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の撮像素子。
［Ａ４］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の撮像素子。
［Ａ５］
　突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ａ４］に記載の撮像素子。
［Ａ６］
　樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ａ５］に記載の撮像素子。
［Ａ７］
　突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ａ１］ないし［Ａ６］のいずれかに記載の撮像素子。
［Ａ８］
　突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ａ１］ないし［Ａ７］のいずれかに記載の撮像素子。
［Ｂ１］
　配線基板と撮像素子とを備えており、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
撮像装置。
［Ｂ２］
　撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ｂ１］に記載の撮像装置。
［Ｂ３］
　光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
上記［Ｂ１］または［Ｂ２］に記載の撮像装置。
［Ｂ４］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ３］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ５］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ６］
　突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ｂ５］に記載の撮像装置。
［Ｂ７］
　樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｂ６］に記載の撮像装置。
［Ｂ８］
　突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ７］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ９］
　突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ８］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｃ１］
　撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
　疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
［Ｃ２］
　樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｃ１］に記載の撮像素子の製造方法。
［Ｄ１］
　半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
　撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
　薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
［Ｄ２］
　所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
上記［Ｄ１］に記載の撮像素子の製造方法。
［Ｄ３］
　エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
上記［Ｄ１］に記載の撮像素子の製造方法。
［Ｅ１］
　配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
電子機器。
［Ｅ２］
　撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ｅ１］に記載の電子機器。
［Ｅ３］
　光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
上記［Ｅ１］または［Ｅ２］に記載の電子機器。
［Ｅ４］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ５］
　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ６］
　突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ｅ５］に記載の電子機器。
［Ｅ７］
　樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｅ６］に記載の電子機器。
［Ｅ８］
　突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ９］
　突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ８］のいずれかに記載の電子機器。
１０，１０Ａ，９０・・・撮像素子、１０Ｂ・・・撮像素子の形成領域、１１・・・撮像素子の底面、１２，９２・・・撮像素子の側面、１２Ａ・・・底面側の側面（突起部）、１２Ｂ・・・天面側の側面、１３・・・撮像素子の天面、１４・・・光電変換部、１４・・・撮像素子の電極（ハンダバンプ）、２０・・・配線基板、２１・・・受光窓、２２・・・配線基板の電極、３０・・・封止材、４０・・・支持基板、４１・・・粘着層（剥離層）、５０・・・支持基板、５１・・・粘着層（剥離層）、５２・・・樹脂材料層、６０・・・半導体ウエハ（半導体基板）、７０・・・マスク、１００，９００・・・撮像装置、ＤＧ・・・ダイシングブレード

Claims (17)

  1. 　配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
    　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
    撮像素子。
  2. 　撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
    請求項１に記載の撮像素子。
  3. 　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
    請求項１に記載の撮像素子。
  4. 　突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
    請求項１に記載の撮像素子。
  5. 　突起部は、樹脂材料から成る、
    請求項４に記載の撮像素子。
  6. 　樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
    請求項５に記載の撮像素子。
  7. 　突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
    請求項１に記載の撮像素子。
  8. 　突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
    請求項１に記載の撮像素子。
  9. 　配線基板と撮像素子とを備えており、
    　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
    　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
    　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
    撮像装置。
  10. 　撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
    請求項９に記載の撮像装置。
  11. 　光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
    請求項１０に記載の撮像装置。
  12. 　撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
    　疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
    を有する、
    撮像素子の製造方法。
  13. 　樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
    請求項１２に記載の撮像素子の製造方法。
  14. 　半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
    　撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
    　薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
    を有する、
    撮像素子の製造方法。
  15. 　所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
    請求項１４に記載の撮像素子の製造方法。
  16. 　エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
    請求項１４に記載の撮像素子の製造方法。
  17. 　配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
    　撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
    　撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
    　配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
    電子機器。
PCT/JP2018/037546 2017-01-11 2018-10-09 撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法 WO2019087700A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019550950A JPWO2019087700A1 (ja) 2017-11-01 2018-10-09 撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法
US16/758,394 US11605662B2 (en) 2017-01-11 2018-10-09 Imaging element, imaging device, electronic device, and method of manufacturing imaging element
EP18873433.9A EP3706171A4 (en) 2017-11-01 2018-10-09 IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND IMAGING ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-212206 2017-01-11
JP2017212206 2017-11-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019087700A1 true WO2019087700A1 (ja) 2019-05-09

Family

ID=66333321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/037546 WO2019087700A1 (ja) 2017-01-11 2018-10-09 撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11605662B2 (ja)
EP (1) EP3706171A4 (ja)
JP (1) JPWO2019087700A1 (ja)
WO (1) WO2019087700A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023162713A1 (ja) * 2022-02-22 2023-08-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555278A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Sony Corp 半導体装置
JP2001250843A (ja) * 1999-12-28 2001-09-14 Sony Corp 半導体素子及び半導体素子製造方法
JP2010087081A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2011018766A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Olympus Corp 撮像ユニット
WO2012133760A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 ボンドテック株式会社 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板
WO2013179767A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049124A (en) * 1997-12-10 2000-04-11 Intel Corporation Semiconductor package
US6214650B1 (en) * 2000-02-01 2001-04-10 Lockheed Martin Corporation Method and apparatus for sealing a ball grid array package and circuit card interconnection
US20030111720A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Tan Lan Chu Stacked die semiconductor device
US20040238925A1 (en) * 2003-05-23 2004-12-02 Paul Morganelli Pre-applied thermoplastic reinforcement for electronic components
US20040232530A1 (en) * 2003-05-23 2004-11-25 Paul Morganelli Pre-applied thermoplastic reinforcement for electronic components
SG153627A1 (en) * 2003-10-31 2009-07-29 Micron Technology Inc Reduced footprint packaged microelectronic components and methods for manufacturing such microelectronic components
US7682879B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-23 Seagate Technology Llc Edge coating a microelectronic device
US20070290378A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 International Business Machines Corporation Novel reworkable underfills for ceramic mcm c4 protection
US7838424B2 (en) * 2007-07-03 2010-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Enhanced reliability of wafer-level chip-scale packaging (WLCSP) die separation using dry etching
WO2009118925A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
US20090271375A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Combination treatment selection methods and systems
JP4621778B2 (ja) * 2009-01-29 2011-01-26 株式会社東芝 電子機器及び回路基板
US20110108997A1 (en) * 2009-04-24 2011-05-12 Panasonic Corporation Mounting method and mounting structure for semiconductor package component
US8350383B2 (en) * 2009-07-16 2013-01-08 International Business Machines Corporation IC chip package having IC chip with overhang and/or BGA blocking underfill material flow and related methods
US9064881B2 (en) * 2010-11-11 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protecting flip-chip package using pre-applied fillet
US8772929B2 (en) * 2011-11-16 2014-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package for three dimensional integrated circuit
EP2858105A4 (en) 2012-05-30 2016-05-18 Olympus Corp IMAGING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMAGING UNIT
US9508623B2 (en) * 2014-06-08 2016-11-29 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices
JP2017120800A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 富士通株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法及び電子機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555278A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Sony Corp 半導体装置
JP2001250843A (ja) * 1999-12-28 2001-09-14 Sony Corp 半導体素子及び半導体素子製造方法
JP2010087081A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2011018766A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Olympus Corp 撮像ユニット
WO2012133760A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 ボンドテック株式会社 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板
WO2013179767A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3706171A4

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023162713A1 (ja) * 2022-02-22 2023-08-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3706171A4 (en) 2021-04-21
US11605662B2 (en) 2023-03-14
JPWO2019087700A1 (ja) 2020-12-03
US20200343290A1 (en) 2020-10-29
EP3706171A1 (en) 2020-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7379425B2 (ja) 固体撮像装置、および電子装置
CN107851656B (zh) 摄像装置和测距系统
JP7134952B2 (ja) 撮像素子、及び、撮像素子を備えた電子機器
US11942494B2 (en) Imaging device
WO2019073801A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20230275058A1 (en) Electronic substrate and electronic apparatus
WO2022249734A1 (ja) 撮像装置および電子機器
WO2019087700A1 (ja) 撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法
US11101309B2 (en) Imaging element, method for manufacturing imaging element, and electronic device
WO2022176731A1 (ja) 半導体装置
WO2022270110A1 (ja) 撮像装置および電子機器
WO2022102549A1 (ja) 固体撮像装置
WO2024057471A1 (ja) 光電変換素子、固体撮像素子、測距システム
WO2023248346A1 (ja) 撮像装置
WO2024075492A1 (ja) 固体撮像装置及び比較装置
WO2023188831A1 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2023229018A1 (ja) 光検出装置
WO2022014383A1 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
WO2022209377A1 (ja) 半導体装置、電子機器及び半導体装置の制御方法
JP2024073899A (ja) 撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18873433

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019550950

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018873433

Country of ref document: EP

Effective date: 20200602