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WO2018179116A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ表示装置 Download PDF

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WO2018179116A1
WO2018179116A1 PCT/JP2017/012805 JP2017012805W WO2018179116A1 WO 2018179116 A1 WO2018179116 A1 WO 2018179116A1 JP 2017012805 W JP2017012805 W JP 2017012805W WO 2018179116 A1 WO2018179116 A1 WO 2018179116A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
hole transport
transport layer
individual hole
organic
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/012805
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智晃 城
伸一 川戸
学 二星
優人 塚本
裕士 今田
時由 梅田
柏 張
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US16/066,695 priority Critical patent/US20190363138A1/en
Priority to PCT/JP2017/012805 priority patent/WO2018179116A1/ja
Priority to JP2019508408A priority patent/JPWO2018179116A1/ja
Publication of WO2018179116A1 publication Critical patent/WO2018179116A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device.
  • Patent Document 1 the light emitting layer individually disposed in each sub-pixel, the hole injection layer disposed so as to be common to each sub-pixel, and each of the above-described each between the light-emitting layer and the hole injection layer.
  • a configuration in which an intermediate layer common to sub-pixels is arranged is described. According to Patent Document 1, this intermediate layer makes it easy to adjust various band gaps and values of lowest orbit (LUMO: Lowest Unoccupied Molecular Orbital) and highest occupied orbit (HOMO: Highest Occupied Molecular Orbital). Has been.
  • LEO lowest Unoccupied Molecular Orbital
  • HOMO Highest Occupied Molecular Orbital
  • the light emitting layer arranged in each sub-pixel has a different energy level value for at least one of the lowest empty orbit (LUMO) and the highest occupied orbit (HOMO) for each emission color.
  • LUMO lowest empty orbit
  • HOMO highest occupied orbit
  • the present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to obtain an organic EL display device capable of efficiently injecting holes from a hole injection layer to a light emitting layer.
  • an organic EL display device includes an organic EL display device in which pixels having a plurality of subpixels that emit light of different colors are arranged in a matrix in a display region A light-emitting layer that is individually disposed in each sub-pixel and emits light of a different color for each sub-pixel, and an anode and a cathode that are electrodes opposed to each other with the light-emitting layer interposed therebetween, A common hole transport layer common to each of the sub-pixels is disposed between the anode and the light-emitting layer. Further, in each of the sub-pixels, between the common hole transport layer and the light-emitting layer.
  • the individual hole transport layers are individually arranged, and the value of the energy level of the lowest empty orbit of the individual hole transport layer is higher than the value of the energy level of the lowest empty orbit of the common hole transport layer. Small, the lowest air gauge of the light emitting layer in the sub-pixel It is larger than the value of the energy level of.
  • an organic EL display device capable of efficiently injecting holes from the hole injection layer to the light emitting layer.
  • Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3, 6 and 7.
  • FIG. 1 is a diagrammatic representation of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating the configuration of the organic EL display device 1 according to the first embodiment of the invention. 1 is a cross-sectional view taken along line L1-L2 shown in FIG.
  • the organic EL display device 1 includes a plurality of pixels 2 arranged in a matrix in the display area 1a.
  • the number of pixels 2 is omitted for convenience of illustration.
  • each pixel 2 (that is, one pixel) has sub-pixels 3 that emit light of different colors.
  • each pixel 2 includes, as subpixels 3, a red subpixel 3R that emits red light, a green subpixel 3G that emits green light, and a blue subpixel 3B that emits blue light.
  • the organic EL display device 1 can display a full-color image in the display area 1a.
  • the red subpixel 3R, the green subpixel 3G, and the blue subpixel 3B are arranged in a straight line (has a stripe shape). Further, it has a pixel array called an RGB stripe array.
  • each sub-pixel 3 includes a light-emitting layer 27 that emits light of a different color for each sub-pixel 3, and an anode 20 and a cathode 34 that are electrodes opposed to each other with the light-emitting layer 27 interposed therebetween. And are arranged.
  • a common hole transport layer 25 common to each subpixel 3 is disposed between the anode 20 and the light emitting layer 27.
  • an individual hole transport layer 26 that is individually disposed in each subpixel 3 is disposed between the common hole transport layer 25 and the light emitting layer 27.
  • the blue sub-pixel 3B has a blue organic EL element 5B, which is an organic EL element 5 whose emission color is blue
  • the green sub-pixel 3G has a green organic EL, which is an organic EL element 5 whose emission color is green.
  • the element 5G is arranged, and the red sub-pixel 3R is arranged with a red organic EL element 5R which is an organic EL element 5 whose emission color is red.
  • the organic EL element 5 includes an anode 20, a cathode 34, and an organic EL layer 30 including layers between the anode 20 and the cathode 34.
  • an anode 20, an edge cover 23, an organic EL layer 30, a cathode 34, a circular polarization filter 35, and a sealing layer 40 are formed on a TFT (Thin Film Transistor) substrate 10. It has the structure which was made.
  • the organic EL display device 1 includes a drive circuit (not shown) for driving each subpixel 3.
  • the organic EL display device 1 may further have a touch panel on the sealing layer 40.
  • the plurality of organic EL elements 5 of each color described above are provided on the TFT substrate 10.
  • the plurality of organic EL elements 5 that emit light of each color are enclosed between the TFT substrate 10 and the sealing layer 40.
  • the organic EL display device 1 according to the present embodiment is a top emission type display device that extracts light from the sealing layer 40 side. This will be described in more detail below.
  • the TFT substrate 10 is a circuit substrate on which a TFT circuit including the TFT 12 and the wiring 13 is formed.
  • the TFT substrate 10 has a configuration in which a support 11, a TFT 12 and a wiring 13, a passivation film 14, and an interlayer insulating film 15 are laminated in this order.
  • the support 11 is made of a transparent insulating material such as a plastic film or a glass substrate.
  • the TFT 12 is a driving transistor for supplying a driving current to the organic EL layer 30.
  • the TFT 12 is formed in each pixel 3 on the support 11 or via another layer.
  • the TFT 12 includes a semiconductor layer, a gate electrode, a drain electrode, and a source electrode.
  • a wiring 13 including a gate wiring connected to the gate electrode of the TFT 12 and a source wiring connected to the source electrode of the TFT 12 is formed on the support 11.
  • the gate wiring and the source wiring intersect so as to be orthogonal to each other.
  • a region surrounded by the gate wiring and the source wiring is the sub-pixel 3.
  • the light emission intensity of each sub-pixel 3 is determined by scanning and selection by the wiring 13 and the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 displays an image by selectively emitting each organic EL element 5 with a desired luminance using the TFT 12.
  • the passivation film 14 protects the TFT 12 by preventing peeling of the metal film in the TFT 12.
  • the passivation film 14 is formed on the support 11 or via another layer, and covers the TFT 12.
  • the passivation film 14 is an inorganic insulating film made of silicon nitride, silicon oxide, or the like.
  • the interlayer insulating film 15 flattens the unevenness on the passivation film 14.
  • the interlayer insulating film 15 is formed on the passivation film 14.
  • the interlayer insulating film 15 is an organic insulating film made of a photosensitive resin such as acrylic or polyimide.
  • Each organic EL element 5 includes an anode 20, an organic EL layer 30, and a cathode 34.
  • the organic EL layer 30 is sandwiched between the anode 20 and the cathode 34.
  • the layers provided between the anode 20 and the cathode 34 are collectively referred to as an organic EL layer 30.
  • the anode 20, the organic EL layer 30, and the cathode 34 are laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • the anode 20 is individually patterned in an island shape for each sub-pixel 3, and the end of the anode 20 is covered with an edge cover 23.
  • Each anode 20 is connected to the TFT 12 through a contact hole provided in the passivation film 14 and the interlayer insulating film 15.
  • the edge cover 23 is disposed so as to divide adjacent subpixels 3.
  • the edge cover 23 is an insulating layer and is made of, for example, a photosensitive resin.
  • the edge cover 23 is formed so as to cover the end of the anode 20.
  • the edge cover 23 prevents the electrode concentration and the organic EL layer 30 from being thinned and short-circuiting with the cathode 34 at the end of the anode 20.
  • the edge cover 23 also functions as a pixel separation film so that current does not leak to adjacent subpixels 3.
  • the cathode 34 is a common electrode provided in common to the sub-pixels 3.
  • the cathode 34 is provided in common to the sub-pixels 3 in all the pixels 2.
  • the present embodiment is not limited to this, and the cathode 34 may be provided for each subpixel 3.
  • a circular polarizing filter 35 is provided on the cathode 34 so as to cover the cathode 34.
  • a sealing layer 40 that covers the circular polarizing filter 35 is provided on the circular polarizing filter 35.
  • the circular polarization filter 35 may be provided as necessary.
  • the sealing layer 40 protects the cathode 34 that is the upper electrode, and prevents oxygen and moisture from entering the organic EL elements 5 from the outside.
  • the sealing layer 40 is provided so as to cover the cathodes 34 in all the organic EL elements 5.
  • the anode 20 and the cathode 34 are a pair of electrodes.
  • the anode may have a function as an electrode for injecting holes (h + ) into the organic EL layer 30.
  • the cathode only needs to have a function as an electrode for injecting electrons (e ⁇ ) into the organic EL layer 30.
  • the shape, structure, size and the like of the anode and the cathode are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic EL element 5.
  • the anode 20 is patterned and disposed on the TFT substrate 10, and the organic EL layer 30 is interposed between the anode 20 and the cathode 34 are all formed.
  • the cathode is provided in common to the sub-pixel 3 in the pixel 2 will be described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the anode 20 may be a cathode and the cathode 34 may be an anode.
  • the stacking order or carrier mobility (carrier transportability, that is, hole transportability and electron transportability) of each functional layer constituting the organic EL layer 30 is reversed.
  • the materials constituting the anode 20 and the cathode 34 are also reversed.
  • the electrode material that can be used as the anode and the cathode is not particularly limited, and for example, a known electrode material can be used.
  • anode examples include metals such as gold (Au), platinum (Pt), and nickel (Ni), and indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), indium zinc oxide (IZO), and gallium added.
  • Transparent electrode materials such as zinc oxide (GZO) can be used.
  • the cathode a material having a small work function is preferable for the purpose of injecting electrons into the light emitting layer 34.
  • the cathode include metals such as lithium (Li), calcium (Ca), cerium (Ce), barium (Ba), and aluminum (Al), or Ag (silver) -Mg (magnesium) containing these metals.
  • An alloy such as an alloy or an Al—Li alloy can be used.
  • the thicknesses of the anode and the cathode are not particularly limited, and can be set in the same manner as in the past.
  • the anode 20 has a configuration in which a reflective electrode 21 and a translucent electrode 22 are laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • the anode 20 may have a single layer structure made of a reflective electrode material.
  • a black electrode material such as tantalum (Ta) or carbon (C), Al, Ag, gold (Au), an Al—Li alloy, an Al—neodymium (Nd) alloy, or Al—silicon ( Examples thereof include reflective metal electrode materials such as Si) alloys.
  • the translucent electrode material for example, the above-described transparent electrode material or the like may be used, or a translucent electrode material such as Ag made into a thin film may be used.
  • the reflective electrode 21 is independently formed with the same film thickness for each subpixel 3 so as to be connected to the drain electrode of the TFT 12 in each subpixel 3.
  • the translucent electrode 22 is also independently formed with the same film thickness for each sub-pixel 3.
  • the translucent electrode 22 is formed in each subpixel 3 by the same manufacturing process.
  • the organic EL layer 30 includes, as a functional layer, from the anode 20 side, a hole injection layer 24 (HIL), a common hole transport layer 25 (HTL), a blue individual hole transport layer 26B (HTL-B), and green.
  • HIL hole injection layer 24
  • HTL common hole transport layer 25
  • HTL-B blue individual hole transport layer 26B
  • EIL electron injection layer 33
  • optical adjustment is performed between the anode 20 and the light emitting layer 27 or between the anode 20 and the cathode 34 for each organic EL element 5, that is, for each subpixel 3.
  • a high-definition image can be displayed.
  • the anode 20 and the light-emitting layer 27 or the anode 20 and the cathode 34 are changed. make optical adjustments between
  • the hole injection layer 24, the common hole transport layer 25, the hole blocking layer 31, the electron transport layer 32, and the electron injection layer 33 span the plurality of pixels 2 as a common layer common to the plurality of pixels 2. Is formed. Therefore, the hole injection layer 24, the common hole transport layer 25, the hole blocking layer 31, the electron transport layer 32, and the electron injection layer 33 are formed in common for the sub-pixels 3B, 3G, and 3R.
  • the blue light emitting layer 27B, the green light emitting layer 27G, and the red light emitting layer 27R are collectively referred to as the light emitting layer 27. Called.
  • Functional layers other than the common hole transport layer 25, the individual hole transport layer 26, and the light emitting layer 27 are not essential layers as the organic EL layer 30, and may be appropriately formed according to the required characteristics of the organic EL element 5. Good. Below, each said functional layer is demonstrated.
  • the hole injection layer 24 is a layer that includes a hole injecting material and has a function of increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer 27.
  • the hole injection layer 24 is formed in common for each sub-pixel 3, and is formed on the anode 20 and the edge cover 23.
  • the common hole transport layer 25 includes a hole transport material and has a function of increasing the efficiency of transporting holes injected from the anode 20 and transported through the hole injection layer 24 to the light emitting layer 27. .
  • the hole injection layer 24 and the common hole transport layer 25 may be formed as independent layers, or may be integrated as a hole injection layer / hole transport layer. Further, both the hole injection layer 24 and the common hole transport layer 25 are not necessarily provided, and only the common hole transport layer 25 may be provided.
  • the hole injection layer 24 and the common hole transport layer 25 are configured such that the HOMO-LUMO energy gap is smaller in the common hole transport layer 25.
  • the HOMO-LUMO energy gap will be described later with reference to FIG.
  • Examples of the constituent material of the hole injection layer 24 and the common hole transport layer 25 include naphthalene, anthracene, azatriphenylene, fluorenone, hydrazone, stilbene, triphenylene, benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, Chain or heterocyclic conjugated monomers such as oxadiazole, oxazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, and derivatives thereof, thiophene compounds, polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, aniline compounds , Oligomers, or polymers.
  • N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine ⁇ -NPD
  • HAT-CN 2,3,6,7,10,11-hexacyano- 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene
  • mCP 1,3-bis (carbazol-9-yl) benzene
  • TAPC di- [4- (N, N-ditolyl- Amino) -phenyl] cyclohexane
  • DPAS 9,10-diphenylanthracene-2-sulfonate
  • hole injection layer 24 and the common hole transport layer 25 may be an intrinsic hole injectable material or an intrinsic hole transportable material that is not doped with impurities, or for the purpose of increasing conductivity.
  • An impurity may be doped.
  • the electron injection layer 33 is a layer that includes an electron injecting material and has a function of increasing the efficiency of electron injection into the light emitting layer 27.
  • the electron transport layer 32 is a layer that includes an electron transport material and has a function of increasing the efficiency of transporting electrons to the light emitting layer 27.
  • the electron injection layer 33 and the electron transport layer 32 are formed in common for each subpixel 3.
  • the electron transport layer 32 is formed on each light emitting layer 27 and the common hole transport layer 25.
  • the electron injection layer 33 is formed on the electron transport layer 32.
  • the electron injection layer 33 and the electron transport layer 32 may be formed as independent layers, or may be integrated as an electron injection layer / electron transport layer. Further, both the electron injection layer 33 and the electron transport layer 32 are not necessarily provided, and only one of them, for example, only the electron transport layer 32 may be provided. Both may not be provided.
  • Known materials can be used for the electron injection layer 33 and the electron transport layer 32.
  • Examples of the constituent material of the electron injection layer 33 and the electron transport layer 32 include quinoline, perylene, phenanthroline, bisstyryl, pyrazine, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, and derivatives and metal complexes thereof, lithium fluoride (LiF) ) And the like.
  • DPEPO bis [(2-diphenylphosphoryl) phenyl] ether
  • Bphen 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • mCBP 3,3′-bis (9H-carbazole-9 -Yl) biphenyl
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,3,5-tris
  • TPBI 1,
  • the sealing layer 40 is formed on the circular polarization filter 35.
  • the sealing layer 40 seals the entire display area.
  • the sealing layer 40 prevents the organic EL layer 30 from being deteriorated by moisture or oxygen that has entered from the outside by thin-film sealing (TFE: Thin Film Encapsulation) of the organic EL layer 30.
  • the sealing layer 40 can have a three-layer structure in which an inorganic layer, an organic layer, and an inorganic layer are stacked in this order.
  • the material for the organic layer include organic insulating materials (resin materials) such as polysiloxane, silicon oxide carbide (SiOC), acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the material for the inorganic layer include inorganic insulating materials such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, and Al 2 O 3 .
  • the structure of the sealing layer 40 is not limited to the three-layer structure described above.
  • a blue individual hole transport layer 26B which is the individual hole transport layer 26, is formed on the common hole transport layer 25, and blue light is emitted on the blue individual hole transport layer 26B.
  • a blue light emitting layer 27B is formed.
  • a green individual hole transport layer 26G which is an individual hole transport layer 26, is formed on the common hole transport layer 25, and green light is emitted on the green individual hole transport layer 26G.
  • a green light emitting layer 27G is formed.
  • a red individual hole transport layer 26R which is the individual hole transport layer 26, is formed on the common hole transport layer 25, and red light is emitted on the red individual hole transport layer 26R.
  • a red light emitting layer 27R is formed.
  • the holes injected from the anode 20 into the light emitting layer 27 and the electrons injected from the cathode 34 into the light emitting layer 27 are recombined in the light emitting layer 27 to form excitons.
  • the formed excitons emit light when deactivated from the excited state to the ground state.
  • the blue light emitting layer 27B emits blue light
  • the green light emitting layer 27G emits green light
  • the red light emitting layer 27R emits red light.
  • the energy required for this recombination is different between the blue light emitting layer 27B, the green light emitting layer 27G, and the red light emitting layer 27R. For this reason, simply providing the common hole transport layer 25 common to each of the blue light emitting layer 27B, the green light emitting layer 27G, and the red light emitting layer 27R, the blue light emitting layer 27B and the green light emitting layer 27G are provided. In addition, holes cannot be injected according to the individual materials and characteristics of the red light emitting layer 27R.
  • the holes that are not injected into the light emitting layer 27 stay in the common hole transport layer 25. As a result, no recombination occurs in the light emitting layer 27, so that electrons injected from the electron transport layer 32 into the light emitting layer 27 are reduced, and the remaining electrons stay in the electron transport layer 32.
  • each sub-pixel 3 in addition to the common hole transport layer 25 and between the common hole transport layer 25 and the light emitting layer 27, individually.
  • An individual hole transport layer 26 is formed.
  • FIG. 3 is a diagram showing a HOMO-LUMO energy gap in the sub-pixel of the organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the value of each energy level shown in FIG. 3 is defined as follows. In the present embodiment, the value of each energy level is a negative value.
  • HIL hole injection layer 24
  • HIL-H The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the hole injection layer 24 (HIL) is HIL-L, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HIL-H.
  • HTL-L The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the common hole transport layer 25 (HTL) is HTL-L, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HTL-H.
  • HTL-R The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the red individual hole transport layer 26R (HTL-R) is HTL-L, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HTL-H. .
  • EML-R energy level of the lowest empty orbit
  • HOMO energy level of the highest occupied orbit
  • the value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the green individual hole transport layer 26G (HTL-G) is HTL-GL
  • the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HTL-GH.
  • the value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the green light emitting layer 27G (EML-G) is EML-GL
  • the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is EML-GH.
  • HTL-BL The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the blue individual hole transport layer 26B (HTL-B) is HTL-BL, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HTL-BH. .
  • EML-B The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the blue light emitting layer 27B (EML-B) is EML-BL, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is EML-BH.
  • the difference between the energy level value of the lowest unoccupied orbit (LUMO) and the energy level value of the highest occupied orbit (HOMO) is referred to as the HOMO-LUMO energy gap.
  • HIL and HTL have a smaller HTL-L value than HIL-L and a larger HTL-H value than HIL-H.
  • HTL has a smaller HOMO-LUMO energy gap.
  • EML-BL is smaller than that of HTL-L
  • EML-BH is larger than that of HTL-H
  • EML-B has a smaller HOMO-LUMO energy gap.
  • EML-G In EML-B and EML-G, the value of EML-GL is smaller than that of EML-BL, and the value of EML-GH is larger than that of HTL-BH. In EML-B and EML-G, EML-G has a smaller HOMO-LUMO energy gap.
  • EML-RL is smaller than that of EML-GL
  • EML-RH is larger than that of HTL-GH.
  • EML-R has a smaller HOMO-LUMO energy gap.
  • the individual hole transport layer 26 formed in each subpixel 3 is configured as follows.
  • HTL-BL is larger than EML-BL and smaller than HIL-L
  • HTL-BH is smaller than EML-BH and larger than HIL-H.
  • HTL-GL is larger than EML-GL and smaller than HTL-BL
  • HTL-GH is smaller than EML-GH and larger than HIL-BH.
  • HTL-RL is larger than EML-RL and smaller than HTL-GL
  • HTL-RH is smaller than EML-RH and larger than HIL-GH.
  • HOMO side can be expressed as follows.
  • the individual hole transport layer 26 is formed so as to satisfy the above (Formula 1) and the above (Formula 2).
  • the value of the lowest empty orbit energy level (LUMO) (HTL-BL, HTL-GL, HTL-RL) of the individual hole transport layer 26 is the lowest empty orbit (LUMO) of the common hole transport layer 25.
  • the value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) is smaller than the value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the common hole transport layer 25, and the subpixel 3
  • the individual hole transport layers 26 that are larger than the value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the light emitting layer 27 are individually arranged. Thereby, holes can be efficiently injected into the light emitting layer 27 for each sub-pixel 3. For this reason, the light emitting layer 27 can emit light efficiently for each sub-pixel 3.
  • the energy level values (HIL-BH, HIL-GH, HIL-RH) of the highest occupied orbital (HOMO) of the individual hole transport layer 26 are the same as those of the common hole transport layer 25.
  • the value of the energy level (EML) of the highest occupied orbit (HOMO) of the light emitting layers 27B, 27G, and 27R in the sub-pixel 3 is larger than the value of the energy level (HTL-H) of the highest occupied orbit (HOMO).
  • -BH, EML-GH, EML-RH Thereby, holes can be efficiently injected into the light emitting layer 27 for each sub-pixel 3. For this reason, the light emitting layer 27 can emit light efficiently for each sub-pixel 3.
  • the blue individual hole transport layer 26B has the largest HOMO-LUMO energy gap.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the blue individual hole transport layer 26B is larger than the HOMO-LUMO energy gap of each of the green individual hole transport layer 26G and the red individual hole transport layer 26R.
  • the blue light emitting layer 27B can be efficiently injected.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26R is the smallest.
  • each of the red light emitting layer 27R and the blue light emitting layer 27B has an efficiency. Holes can be injected well.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the green individual hole transport layer 26G is larger than the HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26R and smaller than the HOMO-LUMO energy gap of the blue individual hole transport layer 26B. Thereby, holes can be efficiently injected into the green light emitting layer 27G.
  • the blue individual hole transport layer 26B has the smallest film thickness t1.
  • the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26B is the thickest.
  • each of the green light emitting layer 27G and the red light emitting layer 27R can efficiently emit light. Can do.
  • the film thickness t2 of the green individual hole transport layer 26G is thinner than the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26R and thicker than the film thickness t1 of the blue individual hole transport layer 26B. Thereby, holes can be efficiently injected into the green light emitting layer 27G.
  • the individual hole transport layer 26 can be formed by patterning in each sub-pixel 3 by separate deposition after forming the common hole transport layer 25. That is, the individual hole transport layer 26 forms a rank pattern individually for each of the sub-pixels 3B, 3G, and 3R using a mask or the like.
  • blue individual hole transport layer 26B examples include HAT-CN and CuPc.
  • Examples of the green individual hole transport layer 26G include ⁇ -NPD.
  • red individual hole transport layer 26R examples include PCzPA.
  • blue light emitting layer 27B As the blue light emitting layer 27B, TAPC, TAZ, and the like can be given.
  • Examples of the green light emitting layer 27G include ⁇ -NPD and BCP.
  • red light emitting layer 27R examples include TPD and TPBI.
  • the film thickness t1 of the blue individual hole transport layer 26B is about 10 nm as an example.
  • the film thickness t2 of the green individual hole transport layer 26G is, for example, about 50 nm.
  • the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26R is, for example, about 100 nm.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the HOMO-LUMO energy gap in the light emitting layer of the organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • a mixed host in which a hole transport host material and an electron transport host material are mixed has a low energy level of the lowest unoccupied orbit (LUMO) and the highest coverage.
  • the value of the energy level of the occupied orbit (HOMO) increases. That is, a mixed host having a small HOMO-LUMO energy gap can be obtained by mixing a hole transport host material and an electron transport host material.
  • the light emitting layer 27 having a small HOMO-LUMO energy gap can be obtained. Thereby, it becomes easy to obtain the light emitting layer 27 that satisfies the above-described (Formula 1) and (Formula 2).
  • An example of such a hole transport host material is ⁇ -NPD.
  • An example of such an electron transport host material is BCP.
  • each of the red light emitting layer 27R and the green light emitting layer 27G includes a mixed host
  • the light emitting layer 27B may be configured not to include a mixed host.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the HOMO-LUMO energy gap of HTL, HTL ′, and EML of the organic EL display device 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • HTL′-L The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the individual hole transport layer 26 (HTL ′) is HTL′-L, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is HTL′-H. .
  • EML-L The value of the energy level of the lowest empty orbit (LUMO) of the light emitting layer 27 (EML) is EML-L, and the value of the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) is EML-H.
  • the individual hole transport layer 26 (HTL ′) has no problem as long as electrons can be prevented from entering the hole transport layer 26 (HTL) from the light emitting layer 27 (EML).
  • Embodiment 2 of the present invention will be described below with reference to FIGS. 4 and 5.
  • members having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of an organic EL display device 1A according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the green individual hole transport layer 26G is changed to the green individual hole transport layer 26GA, and the red individual hole transport layer 26R is changed to the red individual positive layer.
  • the structure is changed to the hole transport layer 26RA.
  • Other configurations of the organic EL display device 1A are the same as those of the organic EL display device 1.
  • FIG. 5 is a diagram showing a HOMO-LUMO energy gap in the sub-pixel of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • the organic EL display device 1A has a configuration in which the following (Expression 3) and (Expression 4) are satisfied.
  • the HOMO side can be expressed as follows.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26RA is equal to the HOMO-LUMO energy gap of the green individual hole transport layer 26GA.
  • the film thickness t2 of the green individual hole transport layer 26GA is equal to the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26RA.
  • the red individual hole transport layer 26R and the green individual hole transport layer 26G can be made of the same material. Thereby, production efficiency can be improved.
  • Examples of the material for the green individual hole transport layer 26GA include CuPc and TPD.
  • Examples of the material of the red individual hole transport layer 26RA include TAPC, ⁇ -NPD, and the like.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration of an organic EL display device 1B according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the organic EL display device 1B has a configuration in which the green individual hole transport layer 26GA and the red individual hole transport layer 26RA are changed to a common common individual hole transport layer 26RG in the organic EL display device 1A (see FIG. 4). It is. Other configurations of the organic EL display device 1B are the same as those of the organic EL display device 1A.
  • the common individual hole transport layer 26RG includes the green sub-pixel 3G and the red sub-pixel 3R across the green sub-pixel 3G and the red sub-pixel 3R, which are sub-pixels other than the blue sub-pixel 3B among the plurality of sub-pixels 3. Are the individual hole transport layers 26 arranged in common. In the blue subpixel 3B, a blue individual hole transport layer 26B different from the common individual hole transport layer 26RG is disposed as the individual hole transport layer 26.
  • the common individual hole transport layer 26RG has a HOMO-LUMO energy gap larger than that of the light emitting layer included in the plurality of subpixels in which the common individual hole transport layer 26RG is disposed. Make it bigger.
  • the common individual hole transport layer 26RG is configured so that the LUMO side has a value of energy level larger than that of EML-GL and the HOMO side has a value of energy level smaller than that of EML-GH.
  • the film thickness t2 of the common individual hole transport layer 26RG disposed in the green subpixel 3G is equal to the film thickness t3 of the common individual hole transport layer 26RG disposed in the red subpixel 3R.
  • the individual hole transport layers arranged in the other sub-pixels can be formed of the same material. Thereby, production efficiency can be improved.
  • the film thicknesses t2 and t3 are larger than the film thickness t1 of the blue individual hole transport layer 26B.
  • the organic EL display devices 1 and 1A include organic EL display devices 1 and 1A in which pixels 2 having a plurality of sub-pixels 3 that emit light of different colors are arranged in a matrix in the display region 1.
  • a light emitting layer 27 that is individually disposed in each of the sub-pixels 3 and emits light of a different color for each of the sub-pixels 3 and an anode 20 that is an electrode disposed so as to face each other with the light-emitting layer 27 interposed therebetween.
  • a common hole transport layer 25 common to the subpixels 3 is disposed between the cathode 34, the anode 20, and the light emitting layer 27.
  • the common positive transport layer 25 is disposed.
  • An individual hole transport layer 26 is disposed for each subpixel 3 between the hole transport layer 25 and the light emitting layer 27, and the minimum of the individual hole transport layer 26 is provided for each subpixel 3.
  • the value of the energy level of the empty orbit (LUMO) (HTL-BL, (TL-GL, HTL-RL) is smaller than the value (HTL-L) of the lowest empty orbit (LUMO) energy level of the common hole transport layer 25, and the light emitting layers 27B and 27G in the subpixel 3 -It is characterized by being larger than the energy level values (EML-BL, EML-GL, EML-RL) of the lowest empty orbit (LUMO) of 27R.
  • the value of the energy level of the lowest empty orbit is smaller than the value of the energy level of the lowest empty orbit of the common hole transport layer, and the lowest empty orbit of the light emitting layer in the subpixel.
  • Individual hole transport layers larger than the value of the energy level of are individually arranged. Thereby, holes can be efficiently injected into the light emitting layer for each sub-pixel. For this reason, a light emitting layer can be light-emitted efficiently for every subpixel.
  • the organic EL display devices 1 and 1A according to Aspect 2 of the present invention are the values of the energy level of the highest occupied orbital (HOMO) of the individual hole transport layer 26 in each of the subpixels 3 in the Aspect 1.
  • HIL-BH, HIL-GH, HIL-RH is larger than the energy level value (HTL-H) of the highest occupied orbital (HOMO) of the common hole transport layer 25, and the above-mentioned in the subpixel 3 It is preferably smaller than the energy level values (EML-BH, EML-GH, EML-RH) of the highest occupied orbit (HOMO) of the light emitting layers 27B, 27G, and 27R.
  • holes can be efficiently injected into the light emitting layer for each sub-pixel. For this reason, a light emitting layer can be light-emitted efficiently for every subpixel.
  • the thickness of the individual hole transport layer 26 is different for each of the sub-pixels 3, so that the anode 20 and the light emitting layer 27 It is preferable that optical adjustment be performed between the anode 20 and the cathode 34.
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to aspect 4 of the present invention are the above-described aspects 1 to 3,
  • the pixel 2 may include, as the plurality of subpixels 3, a blue subpixel 3B in which a blue light emitting layer 27B that is the light emitting layer 27 that emits blue light is disposed.
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to Aspect 5 of the present invention are the values of the lowest empty orbit (LUMO) energy level and the highest occupied orbit (HOMO) energy level according to Aspect 4 described above.
  • LUMO lowest empty orbit
  • HOMO highest occupied orbit
  • the energy gap may be the largest. According to the above configuration, holes can be efficiently injected into the blue light emitting layer.
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to aspect 6 of the present invention are the individual hole transport layers 26 arranged in the blue subpixel 3 B among the plurality of subpixels 3 in the aspect 5.
  • the film thickness t1 of the blue individual hole transport layer 26B may be the thinnest.
  • the pixel has the red light emitting layer that is the light emitting layer emitting red light as the plurality of subpixels.
  • the red subpixel may be provided.
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to Aspect 8 of the present invention are the same as those in Aspect 7, except that the difference between the energy level value of the lowest unoccupied orbit and the energy level value of the highest occupied orbit is HOMO.
  • -LUMO energy gap among the plurality of subpixels 3, the HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26R which is the individual hole transport layer 26 disposed in the red subpixel 3R is the largest. It may be small. With the above configuration, holes can be efficiently injected into the red light emitting layer.
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to the ninth aspect of the present invention are the individual hole transport layer 26 disposed in the red subpixel 3 R among the plurality of subpixels 3 in the seventh or eighth aspect.
  • the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26 may be the thickest.
  • the pixel 2 is the light emitting layer 27 that emits green light as the plurality of subpixels 3 in the seventh or eighth aspect. You may have the green subpixel 3R by which the layer 27 is arrange
  • the organic EL display devices 1, 1 A, and 1 B according to Aspect 11 of the present invention are the same as those in Aspect 10 except that the difference between the energy level value of the lowest unoccupied orbit and the energy level value of the highest occupied orbit is HOMO.
  • -LUMO energy gap among the plurality of subpixels 3, the HOMO-LUMO energy gap of the green individual hole transport layer 26G, which is the individual hole transport layer 26 disposed in the green subpixel 3G, It may be larger than the HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26R which is the individual hole transport layer 26R disposed in the red subpixel 3R.
  • the organic EL display device 1 according to the aspect 12 of the present invention is the green individual hole which is the individual hole transport layer 26 disposed in the green subpixel 3G among the plurality of subpixels 3 in the aspect 10.
  • the film thickness t2 of the transport layer 26G may be smaller than the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26R that is the individual hole transport layer 26 disposed in the red subpixel 3R.
  • the organic EL display devices 1A and 1B according to the thirteenth aspect of the present invention provide the difference between the energy level value of the lowest unoccupied orbit and the energy level value of the highest occupied orbit according to the tenth aspect in HOMO-LUMO.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the green individual hole transport layer 26G which is the individual hole transport layer 26 disposed in the green subpixel 3G
  • the red color The HOMO-LUMO energy gap of the red individual hole transport layer 26R which is the individual hole transport layer 26R arranged in the sub-pixel 3R may be equal.
  • the said red separate hole transport layer and the said green separate hole transport layer can be comprised with the same material. Thereby, production efficiency can be improved.
  • the organic EL display devices 1A and 1B according to aspect 14 of the present invention are the individual hole transport layers 26 arranged in the green subpixel 3G among the plurality of subpixels 3 in the aspect 10 or 13.
  • the film thickness t2 of the green individual hole transport layer 26G may be equal to the film thickness t3 of the red individual hole transport layer 26R which is the individual hole transport layer 26 disposed in the red subpixel 3R.
  • the red individual hole transport layer and the green individual hole transport layer can be composed of the same material. Thereby, production efficiency can be improved.
  • the organic EL display device 1B according to aspect 15 of the present invention is the above-described individual hole transport layer disposed in any one of the plurality of subpixels 3 other than the blue subpixel 3B. 26 may be arranged in common across the plurality of other sub-pixels. According to the said structure, the separate hole transport layer arrange

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Abstract

各副画素（３）において、共通正孔輸送層（３１）と発光層（２７）との間に、個別に個別正孔輸送層（２６）が配置されており、個別正孔輸送層（２６）のＬＵＭＯのエネルギー準位の値は、共通正孔輸送層（３１）のＬＵＭＯのエネルギー準位の値よりも小さく、副画素（３）における発光層（２７）のＬＵＭＯのエネルギー準位の値よりも大きい。これにより、発光層へ効率よく正孔の注入が可能である。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
　特許文献１においては、各副画素に個別に配置された発光層と、各副画素に共通するよう配置された正孔注入層と、上記発光層と上記正孔注入層との間に上記各副画素に共通する中間層とを配置する構成が記載されている。特許文献１によると、この中間層により、多様なバンドギャップと、最低空軌道（ＬＵＭＯ：Lowest Unoccupied Molecular Orbital)、最高被占軌道（ＨＯＭＯ：Highest Occupied Molecular Orbital)の値の調節が容易であるとされている。
日本国公開特許公報「特開２００５‐１８３４０４号公報」
　各副画素に配置された発光層は、発光色毎に、最低空軌道（ＬＵＭＯ)と、最高被占軌道（ＨＯＭＯ)とのうち少なくとも一方のエネルギー準位の値は異なる。
　このため、特許文献１のように、各副画素に共通する中間層を設けただけだと、副画素における発光層毎に効率よく正孔を注入できない場合がある。正孔が効率よく発光層に注入されないと、発光層の発光効率が低下する。
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、正孔注入層から発光層へ効率よく正孔の注入が可能な有機ＥＬ表示装置を得ることである。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、異なる色の光を発光する複数の副画素を有する画素が表示領域にマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置であって、上記各副画素に個別に配置され、上記副画素毎に異なる色の光を発光する発光層と、上記発光層を介在させて対向配置された電極である陽極および陰極と、上記陽極と上記発光層との間に、上記各副画素に共通する共通正孔輸送層が配置されており、さらに、上記各副画素において、上記共通正孔輸送層と上記発光層との間に、個別に個別正孔輸送層が配置されており、上記個別正孔輸送層の最低空軌道のエネルギー準位の値は、上記共通正孔輸送層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも小さく、当該副画素における上記発光層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも大きいことを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、正孔注入層から発光層へ効率よく正孔の注入が可能な有機ＥＬ表示装置を得るという効果を奏する。
本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す平面図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の副画素におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを表す図である。 本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを表す図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の発光層におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを説明する図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置のＨＴＬ、ＨＴＬ’、ＥＭＬのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを説明する図である。 本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施形態１について、図１～図３、図６および図７に基づいて説明する。
　（有機ＥＬ表示装置１の概略構成）
　図２は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を表す平面図である。図１は、図２に示すＬ１‐Ｌ２線断面図である。
　図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示領域１ａに、マトリクス状に配置された複数の画素２を備えている。なお、図２では、図示の便宜上、画素２の数を省略している。
　図１および図２に示すように、各画素２（すなわち、１画素）は、異なる色の光を発光する副画素３を有する。本実施形態においては、各画素２は、副画素３として、赤色光を発光する赤色副画素３Ｒと、緑色光を発光する緑色副画素３Ｇと、青色光を発光する青色副画素３Ｂとを有する。これにより、有機ＥＬ表示装置１は、表示領域１ａに、フルカラー画像を表示することができる。なお、図２に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、赤色副画素３Ｒと、緑色副画素３Ｇと、青色副画素３Ｂとがそれぞれ直線状（がストライプ状）に配列された、ＲＧＢストライプ配列と称される画素配列を有する。
　図１に示すように、各副画素３には、副画素３毎に異なる色の光を発光する発光層２７と、発光層２７を介在させて対向配置された電極である陽極２０および陰極３４とが配置されている。
　さらに、陽極２０と発光層２７との間に、各副画素３に共通する共通正孔輸送層２５が配置されている。加えて、各副画素３において、共通正孔輸送層２５と発光層２７との間に、各副画素３それぞれに個別に配置された個別正孔輸送層２６が配置されている。
　青色副画素３Ｂには、発光色が青色の有機ＥＬ素子５である青色有機ＥＬ素子５Ｂが配置されており、緑色副画素３Ｇには、発光色が緑色の有機ＥＬ素子５である緑色有機ＥＬ素子５Ｇが配置されており、赤色副画素３Ｒには、発光色が赤色の有機ＥＬ素子５である赤色有機ＥＬ素子５Ｒが配置されている。有機ＥＬ素子５は、陽極２０と、陰極３４と、陽極２０及び陰極３４間の各層からなる有機ＥＬ層３０とにより構成されている。
　有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１０上に、陽極２０と、エッジカバー２３と、有機ＥＬ層３０と、陰極３４と、円偏光フィルタ３５と、封止層４０とが形成された構成を有している。有機ＥＬ表示装置１は、各副画素３を駆動させるための図示しない駆動回路を備えている。有機ＥＬ表示装置１は、さらに、封止層４０上にタッチパネルを有していてもよい。
　ＴＦＴ基板１０上には、上述した複数の各色の有機ＥＬ素子５が、それぞれ設けられている。
　これら各色に発光する複数の有機ＥＬ素子５は、ＴＦＴ基板１０および封止層４０の間に封入されている。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、封止層４０側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。以下に、より詳細に説明する。
　（ＴＦＴ基板１０の構成）
　ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２および配線１３を含むＴＦＴ回路が形成された回路基板である。ＴＦＴ基板１０には、支持体１１と、ＴＦＴ１２および配線１３と、パッシベーション膜１４と、層間絶縁膜１５とがこの順に積層された構成を有している。
　支持体１１は、プラスチックフィルム、またはガラス基板などの透明な絶縁性の材料からなる。
　ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ層３０に駆動電流を供給するための駆動用トランジスタである。ＴＦＴ１２は、支持体１１上又は他の層を介して、各画素３に形成されている。ＴＦＴ１２は、図示しないが、半導体層、ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極を有している。
　配線１３は、支持体１１には、ＴＦＴ１２のゲート電極に接続されたゲート配線と、ＴＦＴ１２のソース電極に接続されたソース配線とを含む配線１３が形成されている。ＴＦＴ基板１０の基板面に対し垂直方向から見たときに、ゲート配線とソース配線とは、直交するように交差している。ゲート配線とソース配線とによって囲まれた領域が副画素３である。
　各副画素３の発光強度は、配線１３およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各有機ＥＬ素子５を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像を表示する。
　パッシベーション膜１４は、ＴＦＴ１２における金属膜の剥離を防止し、ＴＦＴ１２を保護する。パッシベーション膜１４は支持体１１上又は他の層を介して形成されており、ＴＦＴ１２を覆っている。パッシベーション膜１４は、窒化シリコンや酸化シリコンなどからなる無機絶縁性膜である。
　層間絶縁膜１５は、パッシベーション膜１４上の凹凸を平坦化する。層間絶縁膜１５はパッシベーション膜１４上に形成されている。層間絶縁膜１５はアクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂からなる有機絶縁膜である。
　（有機ＥＬ素子５の構成）
　各有機ＥＬ素子５は、陽極２０、有機ＥＬ層３０、陰極３４を備えている。有機ＥＬ層３０は、陽極２０と陰極３４とに挟持されている。本実施形態では、陽極２０と陰極３４との間に設けられた層を総称して有機ＥＬ層３０と称する。陽極２０、有機ＥＬ層３０、陰極３４は、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層されている。
　陽極２０は、副画素３毎に島状に個別にパターン形成されており、陽極２０の端部は、エッジカバー２３に覆われている。各陽極２０は、パッシベーション膜１４および層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１２と接続されている。
　エッジカバー２３は、隣接する副画素３を区切るように配置されている。エッジカバー２３は絶縁層であり、例えば感光性樹脂で構成されている。エッジカバー２３は、陽極２０の端部を覆うように形成されている。エッジカバー２３は、陽極２０の端部で、電極集中や有機ＥＬ層３０が薄くなって陰極３４と短絡することを防止する。また、エッジカバー２３は、隣り合う副画素３に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
　陰極３４は、各副画素３に共通に設けられた共通電極である。陰極３４は、全ての画素２における副画素３に共通して設けられている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３毎に陰極３４が個別に設けられていてもよい。
　陰極３４上には、陰極３４を覆うように円偏光フィルタ３５が設けられている。そして円偏光フィルタ３５上には円偏光フィルタ３５を覆う封止層４０が設けられている。円偏光フィルタ３５は必要に応じて設ければよい。
　封止層４０は、上側電極である陰極３４を保護し、酸素や水分が外部から各有機ＥＬ素子５内に浸入することを阻止する。なお、封止層４０は、全ての有機ＥＬ素子５における陰極３４を覆うように設けられている。
　（陽極２０および陰極３４）
　陽極２０および陰極３４は、対の電極である。陽極は、有機ＥＬ層３０に正孔（ｈ＋）を注入する電極としての機能を有していればよい。また、陰極は、有機ＥＬ層３０に電子（ｅ－）を注入する電極としての機能を有していればよい。
　陽極および陰極の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子５の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
　本実施形態では、図１に示すように、陽極２０が、パターン化されてＴＦＴ基板１０上に配置されており、陽極２０との間に有機ＥＬ層３０を介在させて、陰極３４が、全ての画素２における副画素３に共通して設けられた陰極である場合を例に挙げて説明する。
　しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、陽極２０が陰極であり、陰極３４が陽極であってもよい。この場合、有機ＥＬ層３０を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア移動度（キャリア輸送性、つまり、正孔輸送性と電子輸送性と）が反転する。同様に、陽極２０および陰極３４を構成する材料も反転する。
　陽極および陰極として用いることができる電極材料としては、特に限定されるものではなく、例えば公知の電極材料を用いることができる。
　陽極としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の金属、並びに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明電極材料等が利用できる。
　陰極としては、発光層３４に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、またはこれらの金属を含有するＡｇ（銀）－Ｍｇ（マグネシウム）合金、Ａｌ－Ｌｉ合金等の合金等が利用できる。
　なお、陽極および陰極の厚みは、特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。
　陽極２０は、ＴＦＴ基板１０側から、反射電極２１、透光性電極２２が、この順に積層された構成を有している。なお、陽極２０は、反射電極材料からなる単層構造であってもよい。
　反射電極材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）または炭素（Ｃ）等の黒色電極材料、Ａｌ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ａｌ－Ｌｉ合金、Ａｌ－ネオジウム（Ｎｄ）合金、またはＡｌ－シリコン（Ｓｉ）合金等の反射性金属電極材料等が挙げられる。
　透光性電極材料としては、例えば、上述した透明電極材料等を用いてもよいし、薄膜にしたＡｇ等の半透明の電極材料を用いてもよい。
　反射電極２１は、各副画素３におけるＴＦＴ１２のドレイン電極と接続されるように、副画素３毎に同じ膜厚で独立して形成されている。
　透光性電極２２も、副画素３毎に同じ膜厚で独立して形成されている。透光性電極２２は、同一の製造プロセスにて各副画素３に形成する。
　（有機ＥＬ層３０）
　有機ＥＬ層３０は、機能層として、陽極２０側から、正孔注入層２４（ＨＩＬ）と、共通正孔輸送層２５（ＨＴＬ）と、青色個別正孔輸送層２６Ｂ（ＨＴＬ‐Ｂ）・緑色個別正孔輸送層２６Ｇ（ＨＴＬ‐Ｇ）・赤色個別正孔輸送層２６Ｒ（ＨＴＬ‐Ｒ）と、青色発光層２７Ｂ（ＥＭＬ‐Ｂ）・緑色発光層２７Ｇ（ＥＭＬ‐Ｇ）・赤色発光層２７Ｒ（ＥＭＬ‐Ｒ）と、正孔遮断層３１（ＨＢＬ）と、電子輸送層３２（ＥＴＬ）と、電子注入層３３（ＥＩＬ）とが、この順に積層された構成を有している。
　有機ＥＬ表示装置１においては、有機ＥＬ素子５毎、すなわち、副画素３毎に、陽極２０と発光層２７との間または陽極２０と陰極３４との間で光学調整がされている。これにより、高精細な画像の表示が可能である。本実施軽形態においては、有機ＥＬ素子５毎、すなわち、副画素３毎に、個別正孔輸送層２６の膜厚を変えることで、陽極２０と発光層２７との間または陽極２０と陰極３４との間で光学調整を行う。
　正孔注入層２４、共通正孔輸送層２５、正孔遮断層３１、電子輸送層３２、電子注入層３３は、複数の画素２に共通する共通層として、複数の画素２に跨がって形成されている。このため、正孔注入層２４、共通正孔輸送層２５、正孔遮断層３１、電子輸送層３２、電子注入層３３は、副画素３Ｂ・３Ｇ・３Ｒに共通して形成されている。
　以下、青色個別正孔輸送層２６Ｂと、緑色個別正孔輸送層２６Ｇと、赤色個別正孔輸送層２６Ｒとを区別する必要がない場合には、これら青色個別正孔輸送層２６Ｂと、緑色個別正孔輸送層２６Ｇと、赤色個別正孔輸送層２６Ｒを総称して単に個別正孔輸送層２６（ＨＴＬ）と称する。
　また、青色発光層２７Ｂと、緑色発光層２７Ｇ、赤色発光層２７Ｒを区別する必要がない場合には、これら青色発光層２７Ｂ、緑色発光層２７Ｇ、赤色発光層２７Ｒを総称して単に発光層２７と称する。
　共通正孔輸送層２５、個別正孔輸送層２６および発光層２７以外の機能層は、有機ＥＬ層３０として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子５の特性に応じて適宜形成すればよい。以下に、上記各機能層について説明する。
　＜正孔注入層２４（ＨＩＬ）および共通正孔輸送層２５（ＨＴＬ）＞
　正孔注入層２４は、正孔注入性材料を含み、発光層２７への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔注入層２４は各副画素３に共通して形成されており、陽極２０上およびエッジカバー２３上に形成されている。また、共通正孔輸送層２５は正孔輸送性材料を含み、陽極２０から注入され、正孔注入層２４を介して輸送されてきた正孔を発光層２７へ輸送する効率を高める機能を有する。
　正孔注入層２４と共通正孔輸送層２５とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、正孔注入層兼正孔輸送層として一体化されていてもよい。また、正孔注入層２４と共通正孔輸送層２５とが両方設けられている必要はなく、共通正孔輸送層２５のみが設けられていてもよい。
　正孔注入層２４、共通正孔輸送層２５の材料には、以下に挙げるような既知の材料を用いることができる。但し、後述するように、正孔注入層２４と、共通正孔輸送層２５とは、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが、共通正孔輸送層２５の方が小さくなるように構成されている。なお、このＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップについては、図３を用いて後述する。
　正孔注入層２４および共通正孔輸送層２５の構成材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリル－アミノ）－フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、９，１０－ジフェニルアントラセン－２－スルフォネート（ＤＰＡＳ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（４－（ジ（３－トリル）アミノ）フェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、イリジウム（III）トリス［Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンズイミダゾル－２－イリデン－Ｃ２，Ｃ２’］（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）３）、４，４’，４”－トリス－（Ｎ－カルバゾリル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、２，２－ビス（ｐ－トリメリットオキシフェニル）プロパン酸無水物（ＢＴＰＤ）、ビス［４－（ｐ，ｐ－ジトリルアミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）等が用いられる。
　なお、正孔注入層２４、共通正孔輸送層２５は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
　＜電子輸送層３２および電子注入層３３＞
　電子注入層３３は、電子注入性材料を含み、発光層２７への電子注入効率を高める機能を有する層である。また、電子輸送層３２は、電子輸送性材料を含み、発光層２７への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
　電子注入層３３および電子輸送層３２は、各副画素３に共通して形成されている。電子輸送層３２は各発光層２７および共通正孔輸送層２５上に形成されている。電子注入層３３は、電子輸送層３２上に形成されている。
　なお、電子注入層３３と電子輸送層３２とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、電子注入層兼電子輸送層として一体化されていてもよい。また、電子注入層３３と電子輸送層３２とが両方設けられている必要もなく、一方のみ、例えば電子輸送層３２のみが設けられていてもよい。両方とも設けられていなくても構わない。
　電子注入層３３、電子輸送層３２は、既知の材料を用いることができる。
　電子注入層３３、電子輸送層３２の構成材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
　より具体的には、例えば、ビス［（２－ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、３，３’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾル－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０－フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＬｉＦ等が挙げられる。
　＜封止層４０＞
　封止層４０は、円偏光フィルタ３５上に形成されている。封止層４０は、表示領域の全面を封止する。封止層４０は、有機ＥＬ層３０を薄膜封止（TFE：Thin Film Encapsulation）することで、外部から浸入した水分や酸素によって有機ＥＬ層３０が劣化するのを防止する。
　封止層４０は、一例として、無機層、有機層、および無機層がこの順に積層された３層構造とすることができる。上記有機層の材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機絶縁材料（樹脂材料）が挙げられる。上記無機層の材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、Ａｌ２Ｏ３等の無機絶縁材料が挙げられる。なお、封止層４０の構造は、上述した３層構造に限定されるものではない。
　＜個別正孔輸送層２６・発光層２７＞
　各副画素３おいて、共通正孔輸送層２５上に島状の個別正孔輸送層２６が形成されており、個別正孔輸送層２６上に発光層２７が形成されている。
　青色副画素３Ｂにおいては、共通正孔輸送層２５上に、個別正孔輸送層２６である青色個別正孔輸送層２６Ｂが形成されており、青色個別正孔輸送層２６Ｂ上に青色光を発光する青色発光層２７Ｂが形成されている。緑色副画素３Ｇにおいては、共通正孔輸送層２５上に、個別正孔輸送層２６である緑色個別正孔輸送層２６Ｇが形成されており、緑色個別正孔輸送層２６Ｇ上に緑色光を発光する緑色発光層２７Ｇが形成されている。赤色副画素３Ｒにおいては、共通正孔輸送層２５上に、個別正孔輸送層２６である赤色個別正孔輸送層２６Ｒが形成されており、赤色個別正孔輸送層２６Ｒ上に赤色光を発光する赤色発光層２７Ｒが形成されている。
　陽極２０から発光層２７注入された正孔と、陰極３４から発光層２７注入された電子とは、発光層２７において再結合されることによって、励起子が形成される。形成された励起子は励起状態から基底状態へと失活する際に光を放出する。これにより、青色発光層２７Ｂは青色光を発光し、緑色発光層２７Ｇは緑色光を発光し、赤色発光層２７Ｒは赤色光を発光する。
　ここで、この再結合に要するエネルギーは、青色発光層２７Ｂと、緑色発光層２７Ｇと、赤色発光層２７Ｒとでは異なる。このため、単に、青色発光層２７Ｂと、緑色発光層２７Ｇと、赤色発光層２７Ｒとのそれぞれに共通する共通正孔輸送層２５を設けただけだと、青色発光層２７Ｂと、緑色発光層２７Ｇと、赤色発光層２７Ｒとのそれぞれの個別の材料および特性に応じて正孔を注入することができない。
　発光層２７に注入されなかった正孔は共通正孔輸送層２５内に滞留してしまうことになる。この分、発光層２７において再結合されなくなるため、電子輸送層３２から発光層２７へ注入される電子も減少し、あまった電子は電子輸送層３２に滞留することになる。
　そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、各副画素３において、共通正孔輸送層２５と発光層２７との間に、共通正孔輸送層２５に加えて、さらに、個別に個別正孔輸送層２６が形成されている。
　図３は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の副画素におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを表す図である。図３に示す各エネルギー準位の値を以下のように定義する。なお、本実施形態においては、各エネルギー準位の値は負の値であるものとする。
　正孔注入層２４（ＨＩＬ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＩＬ‐Ｌとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＩＬ‐Ｈとする。
　共通正孔輸送層２５（ＨＴＬ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐Ｌとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐Ｈとする。
　赤色個別正孔輸送層２６Ｒ（ＨＴＬ‐Ｒ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐Ｌとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐Ｈとする。
　赤色発光層２７Ｒ（ＥＭＬ‐Ｒ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＲＬとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＲＨとする。
　緑色個別正孔輸送層２６Ｇ（ＨＴＬ‐Ｇ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐ＧＬとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐ＧＨとする。
　緑色発光層２７Ｇ（ＥＭＬ‐Ｇ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＧＬとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＧＨとする。
　青色個別正孔輸送層２６Ｂ（ＨＴＬ‐Ｂ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐ＢＬとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ‐ＢＨとする。
　青色発光層２７Ｂ（ＥＭＬ‐Ｂ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＢＬとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐ＢＨとする。
　また、最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値と、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップと称する。
　ＨＩＬとＨＴＬとでは、ＨＩＬ‐ＬよりもＨＴＬ‐Ｌの値が小さく、ＨＩＬ‐ＨよりもＨＴＬ‐Ｈの値が大きい。ＨＩＬとＨＴＬとでは、ＨＴＬの方がＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい。
　ＨＴＬとＥＭＬ‐Ｂとでは、ＨＴＬ‐ＬよりもＥＭＬ‐ＢＬの値が小さく、ＨＴＬ‐ＨよりもＥＭＬ‐ＢＨの値が大きい。ＨＴＬとＥＭＬ‐Ｂとでは、ＥＭＬ‐Ｂの方がＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい。
　ＥＭＬ‐ＢとＥＭＬ‐Ｇとでは、ＥＭＬ‐ＢＬよりもＥＭＬ‐ＧＬの値が小さく、ＨＴＬ‐ＢＨよりもＥＭＬ‐ＧＨの値が大きい。ＥＭＬ‐ＢとＥＭＬ‐Ｇとでは、ＥＭＬ‐Ｇの方がＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい。
　ＥＭＬ‐ＧとＥＭＬ‐Ｒとでは、ＥＭＬ‐ＧＬよりもＥＭＬ‐ＲＬの値が小さく、ＨＴＬ‐ＧＨよりもＥＭＬ‐ＲＨの値が大きい。ＥＭＬ‐ＧとＥＭＬ‐Ｒとでは、ＥＭＬ‐Ｒの方がＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい。
　そして、各副画素３に形成された個別正孔輸送層２６は以下のように構成されている。
　ＨＴＬ‐Ｂは、ＨＴＬ‐ＢＬがＥＭＬ－ＢＬより大きくＨＩＬ‐Ｌよりも小さくなっており、ＨＴＬ‐ＢＨがＥＭＬ－ＢＨより小さくＨＩＬ‐Ｈよりも大きくなっている。
　ＨＴＬ‐Ｇは、ＨＴＬ‐ＧＬがＥＭＬ－ＧＬより大きくＨＴＬ‐ＢＬよりも小さくなっており、ＨＴＬ‐ＧＨがＥＭＬ－ＧＨより小さくＨＩＬ‐ＢＨよりも大きくなっている。
　ＨＴＬ‐Ｒは、ＨＴＬ‐ＲＬがＥＭＬ－ＲＬより大きくＨＴＬ‐ＧＬよりも小さくなっており、ＨＴＬ‐ＲＨがＥＭＬ－ＲＨより小さくＨＩＬ‐ＧＨよりも大きくなっている。
　ＨＯＭＯ側を式で表すと以下のように表すことができる。
　｜ＨＩＬ‐Ｈ｜＞｜ＨＴＬ‐Ｈ｜＞｜ＨＴＬ‐ＢＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＢＨ｜＞｜ＨＴＬ‐ＧＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＧＨ｜＞｜ＨＴＬ‐ＲＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＲＨ｜・・・（式１）
　ＬＵＭＯ側を式で表すと以下のように表すことができる。
　｜ＨＩＬ‐Ｌ｜＜｜ＨＴＬ‐Ｌ｜＜｜ＨＴＬ‐ＢＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＢＬ｜＜｜ＨＴＬ‐ＧＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＧＬ｜＜｜ＨＴＬ‐ＲＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＲＬ｜・・・（式２）
　有機ＥＬ表示装置１では、上記（式１）かつ上記（式２）を満たすように、個別正孔輸送層２６が形成されている。
　このように、個別正孔輸送層２６の最低空軌道のエネルギー準位（ＬＵＭＯ）の値（ＨＴＬ－ＢＬ，ＨＴＬ－ＧＬ，ＨＴＬ－ＲＬ）は、共通正孔輸送層２５の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＴＬ‐Ｌ）よりも小さく、副画素３における発光層２７Ｂ・２７Ｇ・２７Ｒの最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値（ＥＭＬ－ＢＬ，ＥＭＬ－ＧＬ，ＥＭＬ－ＲＬ）よりも大きい。
　これにより、各副画素３において、最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値が、共通正孔輸送層２５の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値よりも小さく、当該副画素３における発光層２７の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値よりも大きい個別正孔輸送層２６が、個別に配置されている。これにより、副画素３毎に、正孔を効率よく発光層２７へ注入することができる。このため、副画素３毎に発光層２７を効率よく発光させることができる。
　そして、各副画素３において、個別正孔輸送層２６の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＩＬ‐ＢＨ，ＨＩＬ‐ＧＨ，ＨＩＬ‐ＲＨ）は、共通正孔輸送層２５の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＴＬ‐Ｈ）よりも大きく、当該副画素３における発光層２７Ｂ・２７Ｇ・２７Ｒの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＥＭＬ‐ＢＨ，ＥＭＬ‐ＧＨ，ＥＭＬ‐ＲＨ）よりも小さい。これにより、副画素３毎に、正孔を効率よく発光層２７へ注入することができる。このため、副画素３毎に発光層２７を効率よく発光させることができる。
　また、画素２における副画素３に配置された個別正孔輸送層２６のうち、青色個別正孔輸送層２６ＢのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も大きい。
　具体的には、青色個別正孔輸送層２６ＢのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップは、緑色個別正孔輸送層２６Ｇおよび赤色個別正孔輸送層２６ＲそれぞれのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップよりも大きいため、正孔を、青色発光層２７Ｂに効率よく注入することができる。
　さらに、画素２における副画素３に配置された個別正孔輸送層２６のうち、赤色個別正孔輸送層２６ＲのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も小さい。
　具体的には、赤色個別正孔輸送層２６ＲのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップは、緑色個別正孔輸送層２６ＧのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップよりも小さいため、赤色発光層２７Ｒ及び青色発光層２７Ｂそれぞれに効率よく正孔を注入することができる。
　そして、緑色個別正孔輸送層２６ＧのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップは、赤色個別正孔輸送層２６ＲのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップより大きく、青色個別正孔輸送層２６ＢのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップより小さい。これにより、緑色発光層２７Ｇに効率よく正孔を注入することができる。
　加えて、画素２における副画素３に配置された個別正孔輸送層２６のうち、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１が最も薄い。
　具体的には、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１と、緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２と、赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３とのうち、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１が一番薄いため、青色発光層２７Ｂを効率よく発光させることができる。
　さらに、画素２における副画素３に配置された個別正孔輸送層２６のうち、赤色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ３が最も厚い。
　具体的には、赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３は、緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２よりも厚いため、緑色発光層２７Ｇおよび赤色発光層２７Ｒそれぞれを効率よく発光させることができる。
　そして、緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２は、赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３より薄く、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１より厚い。これにより、緑色発光層２７Ｇに効率よく正孔を注入することができる。
　この個別正孔輸送層２６は、共通正孔輸送層２５を成膜した後、塗り分け蒸着により、各副画素３内にパターニングして形成することができる。すなわち、個別正孔輸送層２６は、マスク等を用いて、副画素３Ｂ・３Ｇ・３Ｒそれぞれ個別に順位パターン形成していく。
　なお、共通正孔輸送層２５と個別正孔輸送層２６とのうち、共通正孔輸送層２５を省略して、個別正孔輸送層２６だけを設ける構成とすることは好ましくない。これは、個別正孔輸送層２６は３色分、順にパターン形成する必要があるところ、共通正孔輸送層２５をパターン形成するために要する時間が３倍かかってしまい、生産効率の低下を招くためである。
　上記（式１）および（式２）を成り立たせるための、発光層２７および個別正孔輸送層２６としては以下の材料を挙げることができる。
　青色個別正孔輸送層２６Ｂとしては、ＨＡＴ‐ＣＮ、ＣｕＰｃなどを挙げることができる。
　緑色個別正孔輸送層２６Ｇとしては、α‐ＮＰＤなどを挙げることができる。
　赤色個別正孔輸送層２６Ｒとしては、ＰＣｚＰＡなどを挙げることができる。
　青色発光層２７Ｂとしては、ＴＡＰＣ、ＴＡＺなどを挙げることができる。
　緑色発光層２７Ｇとしては、α―ＮＰＤ、ＢＣＰなどを挙げることができる。
　赤色発光層２７Ｒとしては、ＴＰＤ、ＴＰＢＩなどを挙げることができる。
　また、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１としては一例として１０ｎｍ程度である。緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２としては一例として５０ｎｍ程度である。赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３としては一例として１００ｎｍ程度である。
　図６は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の発光層におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを説明する図である。
　正孔輸送系のホスト材料と、電子輸送系のホスト材料とを混合させた混合ホストは、図６に示すように、最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値が小さく、また、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値が大きくなる。すなわち、正孔輸送系のホスト材料と、電子輸送系のホスト材料とを混合させることで、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい混合ホストを得ることができる。この混合ホストを、発光層２７に含ませることで、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さい発光層２７を得ることができる。これにより、上述した（式１）および（式２）を満たす発光層２７を得やすくなる。
　このような正孔輸送系のホスト材料の一例としてα―ＮＰＤを挙げることができる。また、このような電子輸送系のホスト材料の一例としてＢＣＰを挙げることができる。
　なお、赤色発光層２７Ｒ、緑色発光層２７Ｇおよび青色発光層２７Ｂの全ての発光層に混合ホストを含ませる必要はなく、例えば、赤色発光層２７Ｒおよび緑色発光層２７Ｇそれぞれは混合ホストを含み、青色発光層２７Ｂは混合ホストを含まない構成であってもよい。
　図７は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１のＨＴＬ、ＨＴＬ’、ＥＭＬのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを説明する図である。
　個別正孔輸送層２６（ＨＴＬ’）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ’‐Ｌとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＨＴＬ’‐Ｈとする。
　発光層２７（ＥＭＬ）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐Ｌとし、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値をＥＭＬ‐Ｈとする。
　個別正孔輸送層２６（ＨＴＬ’）は、発光層２７（ＥＭＬ）から正孔輸送層２６（ＨＴＬ）へ電子が侵入することを防ぐことができれば問題ない。
　このため、ＨＴＬ‐Ｌ≧ＨＴＬ’‐Ｌであっても問題はない。
　また、ＨＴＬ‐Ｌ＞＞ＥＭＬ‐Ｌであれば、ＨＴＬ’‐Ｌはどの程度の値でも問題はない。
　〔実施形態２〕
　本発明の実施形態２について、図４および図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図４は、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１Ａの構成を表す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１Ａは、有機ＥＬ表示装置１（図１参照）のうち、緑色個別正孔輸送層２６Ｇを緑色個別正孔輸送層２６ＧＡへ変更し、赤色個別正孔輸送層２６Ｒを赤色個別正孔輸送層２６ＲＡへ変更した構成である。有機ＥＬ表示装置１Ａの他の構成は、有機ＥＬ表示装置１と同様である。
　図５は、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の副画素におけるＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップを表す図である。
　図４および図５に示すように、有機ＥＬ表示装置１Ａは、以下の（式３）かつ（式４）が成り立つ構成を有する。
　すなわち、ＨＯＭＯ側を式で表すと以下のように表すことができる。
　｜ＨＩＬ‐Ｈ｜＞｜ＨＴＬ‐Ｈ｜＞｜ＨＴＬ‐ＢＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＢＨ｜＞｜ＨＴＬ‐ＧＨ｜＝｜ＨＴＬ‐ＲＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＧＨ｜＞｜ＥＭＬ‐ＲＨ｜・・・（式３）
　ＬＵＭＯ側を式で表すと以下のように表すことができる。
　｜ＨＩＬ‐Ｌ｜＜｜ＨＴＬ‐Ｌ｜＜｜ＨＴＬ‐ＢＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＢＬ｜＜｜ＨＴＬ‐ＧＬ｜＝｜ＨＴＬ‐ＲＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＧＬ｜＜｜ＥＭＬ‐ＲＬ｜・・・（式４）
　このように、赤色個別正孔輸送層２６ＲＡのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップと、緑色個別正孔輸送層２６ＧＡのＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとが等しい。
　また、緑色個別正孔輸送層２６ＧＡの膜厚ｔ２は、赤色個別正孔輸送層２６ＲＡの膜厚ｔ３と等しい。
　これにより、赤色個別正孔輸送層２６Ｒと、緑色個別正孔輸送層２６Ｇとを同じ材料により構成することができる。これにより生産効率を向上させることができる。
　緑色個別正孔輸送層２６ＧＡの材料としては、ＣｕＰｃ、ＴＰＤなどを挙げることができる。
　赤色個別正孔輸送層２６ＲＡの材料としては、ＴＡＰＣ、α―ＮＰＤなどを挙げることができる。
　〔実施形態３〕
　本発明の実施形態３について、図８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図８は、本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂの構成を表す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１Ｂは、有機ＥＬ表示装置１Ａ（図４参照）のうち、緑色個別正孔輸送層２６ＧＡおよび赤色個別正孔輸送層２６ＲＡを、共通の共通個別正孔輸送層２６ＲＧへ変更した構成である。有機ＥＬ表示装置１Ｂの他の構成は、有機ＥＬ表示装置１Ａと同様である。
　共通個別正孔輸送層２６ＲＧは、複数の副画素３のうち、青色副画素３Ｂ以外の他副画素である緑色副画素３Ｇおよび赤色副画素３Ｒに跨って、緑色副画素３Ｇおよび赤色副画素３Ｒに共通に配置された個別正孔輸送層２６である。なお、青色副画素３Ｂには、個別正孔輸送層２６として、共通個別正孔輸送層２６ＲＧとは異なる青色個別正孔輸送層２６Ｂが配置されている。
　共通個別正孔輸送層２６ＲＧとしては、共通個別正孔輸送層２６ＲＧが配置されている複数の副画素に含まれる発光層のうちＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが大きい発光層よりもＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが大きくなるようにする。本実施形態では、共通個別正孔輸送層２６ＲＧは、ＬＵＭＯ側は、ＥＭＬ‐ＧＬよりも大きく、ＨＯＭＯ側は、ＥＭＬ‐ＧＨよりも小さいエネルギー準位の値を有するよう構成する。
　緑色副画素３Ｇに配置された共通個別正孔輸送層２６ＲＧの膜厚ｔ２と、赤色副画素３Ｒに配置された共通個別正孔輸送層２６ＲＧの膜厚ｔ３とは等しい。
　上記構成によると、上記他副画素に配置された個別正孔輸送層を同じ材料により構成することができる。これにより生産効率を向上させることができる。
　なお、膜厚ｔ２・ｔ３は、青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１よりも大きい。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａは、異なる色の光を発光する複数の副画素３を有する画素２が表示領域１にマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置１・１Ａであって、上記各副画素３に個別に配置され、上記副画素３毎に異なる色の光を発光する発光層２７と、上記発光層２７を介在させて対向配置された電極である陽極２０および陰極３４と、上記陽極２０と上記発光層２７との間に、上記各副画素３に共通する共通正孔輸送層２５が配置されており、さらに、上記各副画素３において、上記共通正孔輸送層２５と上記発光層２７との間に、当該副画素３毎に個別に個別正孔輸送層２６が配置されており、上記副画素３毎に、上記個別正孔輸送層２６の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＴＬ－ＢＬ，ＨＴＬ－ＧＬ，ＨＴＬ－ＲＬ）は、上記共通正孔輸送層２５の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＴＬ‐Ｌ）よりも小さく、当該副画素３における上記発光層２７Ｂ・２７Ｇ・２７Ｒの最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値（ＥＭＬ－ＢＬ，ＥＭＬ－ＧＬ，ＥＭＬ－ＲＬ）よりも大きいことを特徴とする。
　上記構成によると、各副画素において、最低空軌道のエネルギー準位の値が、共通正孔輸送層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも小さく、当該副画素における発光層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも大きい個別正孔輸送層が、個別に配置されている。これにより、副画素毎に、正孔を効率よく発光層へ注入することができる。このため、副画素毎に発光層を効率よく発光させることができる。
　本発明の態様２に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａは、上記態様１において、上記各副画素３において、上記個別正孔輸送層２６の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＩＬ‐ＢＨ，ＨＩＬ‐ＧＨ，ＨＩＬ‐ＲＨ）は、上記共通正孔輸送層２５の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＨＴＬ‐Ｈ）よりも大きく、当該副画素３における上記発光層２７Ｂ・２７Ｇ・２７Ｒの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値（ＥＭＬ‐ＢＨ，ＥＭＬ‐ＧＨ，ＥＭＬ‐ＲＨ）よりも小さいことが好ましい。
　上記構成によると、副画素毎に、正孔を効率よく発光層へ注入することができる。このため、副画素毎に発光層を効率よく発光させることができる。
　本発明の態様３に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記副画素３毎に、上記個別正孔輸送層２６の膜厚が異なることで、上記陽極２０と上記発光層２７との間または上記陽極２０と上記陰極３４との間で光学調整がされていることが好ましい。上記構成により、高精細な画像の表示が可能である。
　本発明の態様４に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様１～３において、
　上記画素２は上記複数の副画素３として、青色光を発光する上記発光層２７である青色発光層２７Ｂが配置された青色副画素３Ｂを有してもよい。
　本発明の態様５に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様４において、最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の値と、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素のうち、青色副画素３Ｂに配置された上記個別正孔輸送層２６である青色個別正孔輸送層２６Ｂの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も大きくてもよい。上記構成によると、正孔を、上記青色発光層に効率よく注入することができる。
　本発明の態様６に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様５において、上記複数の副画素３のうち、上記青色副画素３Ｂに配置された上記個別正孔輸送層２６である青色個別正孔輸送層２６Ｂの膜厚ｔ１が最も薄くてもよい。上記構成により、青色発光層に効率よく正孔を注入することができる。
　本発明の態様７に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様１～６において、上記画素は上記複数の副画素として、赤色光を発光する上記発光層である赤色発光層が配置された赤色副画素を有してもよい。
　本発明の態様８に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様７において、最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素３のうち、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６である赤色個別正孔輸送層２６Ｒの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も小さくてもよい。上記構成により、赤色発光層に効率よく正孔を注入することができる。
　本発明の態様９に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様７または８において、上記複数の副画素３のうち、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６である赤色個別正孔輸送層２６の膜厚ｔ３が最も厚くてもよい。上記構成により、赤色発光層に効率よく正孔を注入することができる。
　本発明の態様１０に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様７または８において、上記画素２は上記複数の副画素３として、緑色光を発光する上記発光層２７である緑色発光層２７が配置された緑色副画素３Ｒを有してもよい。
　本発明の態様１１に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａ・１Ｂは、上記態様１０において、最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素３のうち、上記緑色副画素３Ｇに配置された上記個別正孔輸送層２６である緑色個別正孔輸送層２６Ｇの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップは、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６Ｒである赤色個別正孔輸送層２６Ｒの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップよりも大きくてもよい。上記構成により、赤色発光層および緑色発光層に効率よく正孔を注入することができる。
　本発明の態様１２に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１０において、上記複数の副画素３のうち、上記緑色副画素３Ｇに配置された上記個別正孔輸送層２６である緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２は、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６である赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３よりも薄くてもよい。上記構成により、赤色発光層および緑色発光層に効率よく正孔を注入することができる。
　本発明の態様１３に係る有機ＥＬ表示装置１Ａ・１Ｂは、上記態様１０において、最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素３のうち、上記緑色副画素３Ｇに配置された上記個別正孔輸送層２６である緑色個別正孔輸送層２６Ｇの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップと、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６Ｒである赤色個別正孔輸送層２６Ｒの上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとが等しくてもよい。上記構成によると、上記赤色個別正孔輸送層と、上記緑色個別正孔輸送層とを同じ材料により構成することができる。これにより生産効率を向上させることができる。
　本発明の態様１４に係る有機ＥＬ表示装置１Ａ・１Ｂは、上記態様１０または１３において、上記複数の副画素３のうち、上記緑色副画素３Ｇに配置された上記個別正孔輸送層２６である緑色個別正孔輸送層２６Ｇの膜厚ｔ２と、上記赤色副画素３Ｒに配置された上記個別正孔輸送層２６である赤色個別正孔輸送層２６Ｒの膜厚ｔ３とが等しくてもよい。
　上記構成によると、上記赤色個別正孔輸送層と、上記緑色個別正孔輸送層とを同じ材料により構成することができる。これにより生産効率を向上させることができる。
　本発明の態様１５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂは、上記態様４～６において、上記複数の副画素３のうち、上記青色副画素３Ｂ以外の他副画素に配置された上記個別正孔輸送層２６は、複数の上記他副画素に跨って共通に配置されていてもよい。上記構成によると、上記他副画素に配置された個別正孔輸送層を同じ材料により構成することができる。これにより生産効率を向上させることができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１ａ　表示領域
１・１Ａ・１Ｂ　有機ＥＬ表示装置
３　副画素
３Ｂ　青色副画素
３Ｇ　緑色副画素
３Ｒ　赤色副画素
５　有機ＥＬ素子
５Ｂ　青色有機ＥＬ素子
５Ｇ　緑色有機ＥＬ素子
５Ｒ　赤色有機ＥＬ素子
１０　ＴＦＴ基板
１１　支持体
１２　ＴＦＴ
１３　配線
１４　パッシベーション膜
１５　層間絶縁膜
２０　陽極
２１　反射電極
２２　透光性電極
２３　エッジカバー
２４　正孔注入層
２５　共通正孔輸送層
２５　正孔輸送層
２６　個別正孔輸送層
２６Ｂ　青色個別正孔輸送層（個別正孔輸送層）
２６Ｇ、２６ＧＡ　緑色個別正孔輸送層（個別正孔輸送層）
２６Ｒ、２６ＲＡ　赤色個別正孔輸送層（個別正孔輸送層）
２６ＲＧ　共通個別正孔輸送層（個別正孔輸送層）
２７　発光層
２７Ｂ　青色発光層
２７Ｇ　緑色発光層
２７Ｒ　赤色発光層
３０　有機ＥＬ層
３１　正孔遮断層
３２　電子輸送層
３３　電子注入層
３４　陰極
３５　円偏光フィルタ
４０　封止層

Claims (15)

  1. 　異なる色の光を発光する複数の副画素を有する画素が表示領域にマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置であって、
    　上記各副画素に個別に配置され、上記副画素毎に異なる色の光を発光する発光層と、
    　上記発光層を介在させて対向配置された電極である陽極および陰極と、
    　上記陽極と上記発光層との間に、上記各副画素に共通する共通正孔輸送層が配置されており、
    　さらに、上記各副画素において、上記共通正孔輸送層と上記発光層との間に、当該副画素毎に個別に個別正孔輸送層が配置されており、
    　上記副画素毎に、上記個別正孔輸送層の最低空軌道のエネルギー準位の値は、上記共通正孔輸送層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも小さく、当該副画素における上記発光層の最低空軌道のエネルギー準位の値よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 　上記各副画素において、上記個別正孔輸送層の最高被占軌道のエネルギー準位の値は、上記共通正孔輸送層の最高被占軌道のエネルギー準位の値よりも大きく、当該副画素における上記発光層の最高被占軌道のエネルギー準位の値よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　上記副画素毎に、上記個別正孔輸送層の膜厚が異なることで、上記陽極と上記発光層との間または上記陽極と上記陰極との間で光学調整がされていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　上記画素は上記複数の副画素として、青色光を発光する上記発光層である青色発光層が配置された青色副画素を有することを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素のうち、上記青色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である青色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も大きいことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　上記複数の副画素のうち、上記青色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である青色個別正孔輸送層の膜厚が最も薄いことを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　上記画素は上記複数の副画素として、赤色光を発光する上記発光層である赤色発光層が配置された赤色副画素を有することを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素のうち、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップが最も小さいことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　上記複数の副画素のうち、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の膜厚が最も厚いことを特徴とする請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　上記画素は上記複数の副画素として、緑色光を発光する上記発光層である緑色発光層が配置された緑色副画素を有することを特徴とする請求項７～９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素のうち、上記緑色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である緑色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップは、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
  12. 　上記複数の副画素のうち、上記緑色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である緑色個別正孔輸送層の膜厚は、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１０または１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  13. 　最低空軌道のエネルギー準位の値と、最高被占軌道のエネルギー準位の値との差を、ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとすると、上記複数の副画素のうち、上記緑色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である緑色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップと、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の上記ＨＯＭＯ‐ＬＵＭＯエネルギーギャップとが等しいことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
  14. 　上記複数の副画素のうち、上記緑色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である緑色個別正孔輸送層の膜厚と、上記赤色副画素に配置された上記個別正孔輸送層である赤色個別正孔輸送層の膜厚とが等しいことを特徴とする請求項１０または１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  15. 　上記複数の副画素のうち、上記青色副画素以外の他副画素に配置された上記個別正孔輸送層は、複数の上記他副画素に跨って共通に配置されていることを特徴とする請求項４～６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
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