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WO2018033248A2 - Verfahren zum montieren von halbleiterchips und vorrichtung zum übertragen von halbleiterchips - Google Patents

Verfahren zum montieren von halbleiterchips und vorrichtung zum übertragen von halbleiterchips Download PDF

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WO2018033248A2
WO2018033248A2 PCT/EP2017/000990 EP2017000990W WO2018033248A2 WO 2018033248 A2 WO2018033248 A2 WO 2018033248A2 EP 2017000990 W EP2017000990 W EP 2017000990W WO 2018033248 A2 WO2018033248 A2 WO 2018033248A2
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WO
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transfer unit
semiconductor chips
carrier
sections
portions
Prior art date
Application number
PCT/EP2017/000990
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English (en)
French (fr)
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WO2018033248A3 (de
Inventor
Juergen Moosburger
Frank Singer
Nikolaus Gmeinwieser
Original Assignee
Osram Opto Semconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semconductors Gmbh
Publication of WO2018033248A2 publication Critical patent/WO2018033248A2/de
Publication of WO2018033248A3 publication Critical patent/WO2018033248A3/de

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Definitions

  • the invention relates to a method for mounting semiconductor chips and a device for transmitting semiconductor chips.
  • Semiconductor chips are generally arranged in aferverbund on a support after their production. For various end products, it is necessary for the semiconductor chips arranged on the carrier to be transferred to another carrier.
  • methods are known in which the semiconductor chips are detached from the carrier by means of a gripper and placed on the further carrier (so-called pick-and-place method). In this case, a single semiconductor chip is always transmitted simultaneously.
  • pick-and-place method When the number of semiconductor chips to be transferred is very large, for example for outdoor display devices, the prior art method is too lengthy. A method is needed in which a large number of semiconductor chips can be transferred quickly from one carrier to another carrier.
  • An object of the invention is to provide such a faster method for transferring semiconductor chips and a device for transferring semiconductor chips. This object is achieved with the method for mounting semiconductor chips and the device for transmitting semiconductor chips of the independent patent claims.
  • the semiconductor chips are transferred from a first carrier to a first carrier Transferred transfer unit.
  • the transfer unit has a receiving area.
  • the transfer of the semiconductor chip from the first carrier to the transfer unit is carried out by rolling the receiving area of the transfer unit on the first carrier.
  • the transfer unit and the first carrier are arranged there, that during the rolling of the receiving area of the transfer unit on the first carrier a plurality of semiconductor chips can be transferred simultaneously from the first carrier to the transfer unit.
  • the semiconductor chips picked up by the transfer unit are transported from the receiving area to a delivery area of the transfer unit.
  • the semiconductor chips are transferred from the transfer unit to a second carrier.
  • the transfer of the semiconductor chips from the transfer unit to the second carrier takes place by means of a rolling of the delivery area of the transfer unit on the second carrier.
  • the transfer unit and the second carrier are each arranged such that a plurality of semiconductor chips can be simultaneously transferred from the transfer unit to the second carrier by the rolling of the delivery area of the transfer unit on the second carrier.
  • the transfer unit may comprise a roller and / or a guided over rollers belt, wherein the roller or the belt on the first and second carrier rolled who can.
  • the transfer unit has a first partial transfer unit. and a second partial transfer unit.
  • the recording area is on the ers formed partial transfer unit
  • the delivery area is formed on the second partial transfer unit.
  • the method includes the step of transferring the semiconductor chips from the first partial transfer unit to the second partial transfer unit. This transfer takes place in turn by a rolling, in this case the first partial transfer unit on the second partial transfer unit or vice versa. This is advantageous if the rolling on the first carrier for receiving the semiconductor chips requires a different material of the transfer unit than the rolling of the transfer unit for discharging the semiconductor chips on the second carrier.
  • the two partial transfer units can be made of different or the same materials. The material selection for the
  • Part transfer units can be adapted to the receiving or dispensing step.
  • the semiconductor chips are turned over from the first partial transfer unit to the second partial transfer unit during transfer.
  • the use of partial transfer units additionally makes it possible for the semiconductor chips to be turned and thus to be present on the second carrier after the transfer process in a different orientation than the first carrier.
  • the semiconductor chips on the first carrier with the side facing away from the carrier, which adjoins the second carrier after transfer.
  • adhesive or solder can be applied to the semiconductor chips when they are arranged on the first carrier. After transfer, the adhesive or solder is arranged between the semiconductor chips and the second carrier and can enable a mechanical fixation between the second carrier and the semiconductor chips.
  • first sections and second sections of the transfer unit are prepared differently.
  • the semiconductor chips are only transferred to the first sections of the transfer unit.
  • the preparation In this case, the first sections and the second sections are formed in such a way that the semiconductor chips adhere to the transfer unit only in the first sections.
  • a semiconductor chip is transmitted per first section. It is also possible that the sections are prepared so that a plurality of semiconductor chips are transmitted per first section.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises applying a surface charge to the transfer unit and removing the surface charge by irradiation with electromagnetic radiation in the first sections or in the second sections.
  • the semiconductor chips adhere either to the areas of the transfer unit charged with the surface charge or to the points of the transfer unit which are not charged with the surface charge. Depending on which of these locations the semiconductor chips adhere, the selective removal of the surface charge by means of electromagnetic radiation in the first or in the second sections is to be carried out.
  • the method comprises the refparie- "rung of the portions of the transfer unit applying an adhesive layer on the transfer unit and the change in
  • Stickiness of the adhesive layer in the first sections or in the second sections by irradiation with electromagnetic radiation may be either enhancement or reduction in tack, depending on whether the irradiation is in the first sections or in the second sections and which adhesive is used for the adhesive layer.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises a change in a thickness of a material layer of the transfer unit by irradiation of the first sections or the second sections of the transfer unit with electromagnetic radiation.
  • the irradiation of the first sections or the second sections takes place sequentially one after the other.
  • the other sections are not irradiated.
  • the irradiation of the first or the second portions takes place before the transfer unit is rolled on the first carrier.
  • the irradiation is carried out by means of a laser.
  • the laser is directed by means of a scanner mirror, that is a rotating or oscillating mirror on the first sections or the second sections.
  • a plurality of first sections or a plurality of second sections are irradiated simultaneously. This can be done for example by a pixel-shaped array of radiation sources, whereby a reduction of the mechanically movable components can be achieved. The fact that fewer mechanically movable components are provided, the process is simplified. The preparation of the first or second sections can now be done at the speed with which the radiation sources can be switched.
  • a surface of the transfer unit is displaced in the first sections or the second sections such that the first sections are raised in the receiving area relative to the second sections.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises a change in a thickness of a material layer of the transfer unit by a mechanical action in the first or second sections.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises a mechanical action on the transfer unit, whereby the first sections of the transfer unit have a different position relative to the normals of the receiving area than the second sections of the transfer unit.
  • semiconductor chips are transmitted only in the first sections of the transfer unit from the first carrier to the transfer unit.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises applying an adhesive layer to the transfer unit and changing the tackiness of the adhesive layer by heating the first sections or the second sections of the transfer unit.
  • a selective transfer of semiconductor chips can be achieved only in the first sections.
  • the selective heating can be done, for example, with heating elements, whereby a simple construction of the transfer unit is achieved.
  • the selective heating can be done by irradiation with light or infrared radiation, for example by a laser.
  • the preparation of the sections of the transfer unit comprises applying an adhesive layer in the first sections of the transfer unit by means of a movable nozzle.
  • the adhesive layer can be made in the first sections by means of a plurality of immovable nozzles.
  • the immovable nozzles can, for example, be arranged next to each other in such a way that the transfer unit can be prepared with first and second sections.
  • the method comprises the additional steps of preselecting the semiconductor chips to be mounted on the first carrier and preparing the first and second sections of the transfer unit based on this pre-selection of the semiconductor chips to be mounted.
  • the pre-selection of the semiconductor chips to be mounted can take place on the basis of properties of the semiconductor chips.
  • the preselection of the semiconductor chips is made on the basis of a quality of the semiconductor chips determined by means of a sensor.
  • the quality of the semiconductor chips relates to technical data of the semiconductor chips, such as a wavelength, an at least existing emission power, a power consumption of the semiconductor chip for a given emission power, or other technical parameters of the semiconductor chips.
  • the quality may include a quality state of the semiconductor chip determined by means of an optical sensor. For example, semiconductor chips with mechanical defects (cracks, scratches) can be detected by the optical sensor.
  • the quality of the semiconductor chips is already determined in the wafer composite of the semiconductor chips, that is to say before the production wafer is singulated into individual chips.
  • the quality of the semiconductor chips can be stored in a memory. The subsequent preparation of the first and second sections of the transfer unit can then take place on the basis of the stored qualities in the memory of the semiconductor chips.
  • the implementation of the method for mounting the semiconductor chips does not have to take place immediately after the production of the semiconductor chips and the determination of the quality of the semiconductor chips.
  • a spatial orientation of the semiconductor chips is detected by means of a sensor.
  • the first and second sections of the transfer unit are prepared on the basis of the determined spatial orientation of the semiconductor chips. This makes it possible, for example, for the semiconductor chips to be sprinkled onto the first carrier and then the first and second sections of the transfer unit to be prepared such that only semiconductor chips which are in the correct orientation on the first carrier are transferred to the second carrier by the method , This simplifies the provision of the semiconductor chips on the first carrier since they do not have to be placed in a specific orientation on the first carrier.
  • the method is carried out several times in succession. It is possible to transmit both identical to the first embodiment of the method identical semiconductor chips as well as different semiconductor chips. For example, for the manufacture of display devices, three different semiconductor chips with three different embodiments of the method could be transferred to provide red, green and blue pixels on the display device. It will then be transmitted red, green and blue radiating optoelectronic semiconductor chips.
  • gaps between existing semiconductor chips are filled on the second carrier in further embodiments of the method. This is advantageous, for example, if in the first embodiment of the method semiconductor chips were not transmitted due to their reduced quality. The resulting gaps on the second carrier can now be filled in a second embodiment of the method selectively with the semiconductor chips.
  • semiconductor chips are transferred from further first carriers to the second carrier.
  • the further first carriers may contain identical or different semiconductor chips.
  • the transfer unit is regenerated after mounting the semiconductor chips. This means that the steps necessary for the preparation of the first or second sections of the transfer unit are reversed and the transfer unit is returned to its original state. This transferred back to the initial state transfer unit is now available for a further application of the method.
  • the method comprises the additional steps of recognizing a first marking on the first carrier, recognizing a second marking on the transfer unit and aligning the first carrier and the transfer unit to each other using the first and the second mark. This is advantageous if exact positions of the semiconductor chips on the transfer unit are necessary in order subsequently to transfer the semiconductor chips to exact positions of the second carrier.
  • the method comprises the additional step of recognizing a third mark on the second carrier and aligning the second Carrier and the transfer unit to each other based on the second and the third mark.
  • the positional safety of the transferred semiconductor chips is increased by these method steps, whereby the semiconductor chips can be placed on exact positions on the second carrier. This is particularly advantageous if the method is to be performed multiple times and can thus be ensured that the semiconductor chips are placed in gaps between already transferred semiconductor chips.
  • this method is advantageous if on the second carrier already tracks or other electrical contacting possibilities are provided, and the semiconductor chips are to be aligned with these contacting possibilities.
  • the transfer unit is stopped during the execution of the method.
  • the first carrier is replaced by another first carrier.
  • the transfer block is stopped and the first carrier is changed in its position during the stop. This can be used, for example, if the semiconductor chips are arranged on the first carrier with a smaller spacing than should be the distance of the semiconductor chips on the second carrier.
  • the transfer unit is at least partially moved backwards after the stop. This can be used, for example, to remove semiconductor chips by means of a first dividing unit from the first carrier and to transfer them to a second partial transfer unit. Subsequently, the second part transfer unit is moved backward. Subsequently, further semiconductor chips can be picked up by the same or a further first carrier by means of the first partial transfer unit, and be placed between the already present on the second sub-transfer unit semiconductor chips. After optional further stops and returns of the second partial transfer unit, all the semiconductor chips which are located on the second partial transfer unit are then transferred to the second carrier.
  • An apparatus for transferring semiconductor chips has a transfer unit.
  • the transfer unit has a receiving area and a delivery area.
  • the transfer unit is adapted to be rolled on a carrier to receive and deliver semiconductor chips.
  • the transfer unit is moved in a receiving area on a support to receive semiconductor chips and rolled in a delivery area on a support to deliver semiconductor chips.
  • a plurality of semiconductor chips can be transferred simultaneously from a first to a second carrier.
  • the transfer unit has a cylindrical roller.
  • the receiving area and the discharge area are arranged on a lateral surface of the roller.
  • Such a roller represents a simple transfer unit for a device for transferring semiconductor chips, since only this roller has to be mechanically moved in order to transfer semiconductor chips which are picked up onto the roller in the receiving area and released from the roller in the delivery area from a first carrier second carrier to transfer.
  • the transfer unit has a belt guided over several rollers.
  • the receiving area and the delivery area are arranged on the band. This is advantageous if the receiving area and the delivery area should be arranged further apart from each other than would be possible with a simple roller.
  • the transfer unit has two partial transfer units.
  • the subtransfer units in turn comprise a cylindrical roller and / or a belt guided over a plurality of rollers.
  • the subtransfer units can therefore comprise both two rollers, two belts guided over several rollers or one roller and one belt each.
  • the device additionally has a preparation unit.
  • This preparation unit is set up to structure a surface of the transfer unit. This structuring is particularly advantageous if, as a result, the adhesion of semiconductor chips to the transfer unit is configured differently in different sections of the transfer unit such that semiconductor chips adhere to the transfer unit in first sections of the transfer unit and do not adhere to the transfer unit in second sections of the transfer unit. As a result, semiconductor chips can be selectively transferred from the first to the second carrier by means of this device.
  • the preparation unit has a device for applying a surface charge and a device for selectively removing the surface charge.
  • the preparation unit has a device for applying an adhesive layer. Furthermore, the preparation unit has a device for selectively changing the stickiness of the adhesive layer. Due to the selectively altered stickiness can In turn, it can be achieved that individual semiconductor chips can be transmitted selectively by means of the transfer unit and that no semiconductor chips are transferred at other locations.
  • the preparation unit has a radiation source and optics for selectively irradiating the transfer unit. This is particularly advantageous if the removal of the surface charge or the change in tack can be achieved by means of electromagnetic radiation.
  • the preparation unit has a movable nozzle for applying adhesive.
  • This nozzle can be operated pulsed to either apply an adhesive layer in different sections of the transfer unit or apply no adhesive layer. As a result, in turn, a selective selection of the semiconductor chips to be transmitted can be achieved.
  • the preparation unit has a device for spatially displacing a surface of the transfer unit.
  • the surface of the transfer unit can be spatially displaced in individual sections, whereby, as the transfer unit rolls on a carrier, the transfer unit in these displaced or in the non-shifted sections is in mechanical contact with the semiconductor chips arranged on the carrier and in the other sections each not in contact with the semiconductor chips. This results in a selective selection of the semiconductor chips to be transmitted.
  • the device for spatially displacing the surface comprises a piezoelectric crystal and / or a hydraulic stamp and / or a pneumatic stamp and / or an electric stamp and / or an electromagnetic stamp.
  • the device additionally has a sensor, wherein this sensor is set up to determine a quality of the semiconductor chips. The operation of the pre paration unit can then take place on the basis of this quality of the semiconductor chips determined by the sensor, wherein the transfer unit can be prepared in such a way that semiconductor chips whose determined quality is sufficient are selected by the transfer.
  • the device has a further sensor with which an orientation of semiconductor chips can be determined.
  • the preparation unit is then set up to prepare the transfer unit based on the determined orientation of semiconductor chips.
  • the device has a further transfer unit. This further transfer unit has a further receiving region and a further delivery region and is likewise set up, rolled on a carrier and thereby picking up and delivering semiconductor chips.
  • the second sub-transfer unit is identical for each transfer unit.
  • the semiconductor chips are then transferred to the respective first sub-transfer units, then transferred from this respective first sub-transfer unit to a common second sub-transfer unit and transferred from the second sub-transfer unit to a second carrier.
  • FIG. 2 shows a further apparatus for transferring semiconductor chips with partial transfer units
  • FIG. 6 shows a device for transferring semiconductor chips with a belt guided by rollers
  • FIG. 10 shows a device for transferring semiconductor chips with a movable nozzle for adhesive
  • Fig. 11 is a receiving area of a device for
  • FIG. 13 shows an apparatus for transmitting semiconductor chips with two source carriers
  • FIG. 15 shows a delivery region of a device for transferring semiconductor chips
  • 16 is a plan view of a portion of an apparatus for transferring semiconductor chips.
  • FIG. 1 shows a cross section through a device 100 for transmitting semiconductor chips 110.
  • the semiconductor chips 110 are arranged on a first carrier 120.
  • the semiconductor Chips 110 are to be transmitted from the first carrier 120 to a second carrier 130.
  • the semiconductor chips 110 may be arranged in the wafer composite or already isolated on the first carrier 120. If the semiconductor chips 110 are present in the wafer composite on the first carrier, it may be provided that predetermined breaking points for the individual semiconductor chips 110 are present in the wafer composite. If the semiconductor chips 110 are already arranged in isolated fashion on the first carrier 120, the semiconductor chips 110 may be arranged with or without gaps on the first carrier 120. It can be provided that the semiconductor chips 110 are already arranged on the first carrier 120 at the intervals with which they are subsequently to be transferred to the second carrier 130.
  • the semiconductor chips 110 may be fixed on the first carrier by an adhesion force.
  • the adhesive force can be caused by an adhesive.
  • an adhesion force due to an electrical charge of the semiconductor chips 110 and / or the first carrier 120 is conceivable.
  • the first carrier 120 may be rigid and comprise, for example, a wafer or a wafer.
  • the first carrier 120 may also include a foil.
  • the semiconductor chips 110 can then be arranged on the foil.
  • the film can be an adhesive film.
  • the second carrier 130 may include a panel to be populated, a lead frame, a wafer, a metal core board, a benefit, a PCB carrier, a circuit board, or a foil.
  • the semiconductor chips 120 may be, for example, optoelectronic semiconductor chips, in particular, for example LED chips.
  • the semiconductor chips 120 can be light-emitting diode chips which are suitable for producing a display device, in particular a video wall module, a display or an electronic traffic sign.
  • the semiconductor chips 110 are formed such that the semiconductor chips 110 are thin and have a low weight compared to other semiconductor chips suitable for the intended use.
  • the device 100 for transferring the semiconductor chips 110 comprises a transfer unit 140, which comprises a cylindrical roller 143 with a lateral surface 148.
  • the transfer unit 140 is set up to receive the semiconductor chips 110 from the first carrier 120 and to transfer them to the second carrier 130.
  • the roller 143 rotates about its axis of symmetry.
  • the first carrier 120 moves in a lateral direction relative to the roller 143.
  • FIG. 1 it is illustrated in FIG. 1 how the said components move during the transfer of the semiconductor chips 110.
  • the first carrier 120 moves relative to the roller 143 so that the movement speed of the bezel surface 148 coincides with the speed of the first carrier 120.
  • An upright portion 146 of the cylindrical roller 143 is rolled on the first carrier 120, whereby the semiconductor chips 110 are received on the cylindrical roller 143 and then on the lateral surface 148 of the roller 143 are.
  • the semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120 come into mechanical contact with the lateral surface 148 of the roller 143.
  • the semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120 come into mechanical contact with the lateral surface 148 of the roller 143.
  • Dissolved semiconductor chips 110 from the first carrier 120 and transferred to the roller 143 By the rotation of the roller 143, the semiconductor chips 110 received by the first carrier 120 are conveyed from the receiving area 146 to a discharge area 147 of the roller 143.
  • the second carrier 130 On a side of the roller 143 opposite the first carrier 120, the second carrier 130 is arranged, which moves relative to the lateral surface 148 at a speed corresponding to the speed of movement of the lateral surface 148.
  • the movement of the second carrier 130 is again indicated in Fig. 1 by an arrow.
  • the semiconductor chips 110 are released from the lateral surface 148 and transferred to the second carrier 130.
  • the semiconductor chips 110 arranged on the lateral surface 148 of the roller 143 come into mechanical contact with the second carrier 130. In this case, the semiconductor chips 110 are released from the roller 143 and onto the second carrier 130 transfer.
  • the device 100 thus makes it possible to carry out a method for mounting semiconductor chips 110, in which semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the transfer unit 140 by passing the receiving region 146 of the roller 143 of the transfer unit 140 on the first carrier 120. Subsequently, the semiconductor chips 110 received by the transfer unit 140 are transported by the rotation of the roller 143 from the receiving region 146 to the delivery region 147. Then, the semiconductor chips 110 are transferred from the transfer unit 140 to the second carrier 130 by rolling the delivery area 147 of the roller 143 of the transfer unit 140 on the second carrier 130.
  • the receiving region 146 is formed at any time by the part of the lateral surface 148, which is being rolled on the first carrier 120.
  • the delivery area 147 is to each Time of the part of the lateral surface 148, which is being rolled on the second carrier 130.
  • the lateral surface 148 is guided past the first carrier 120 and the second carrier 130 at the speed of the first carrier 120 and the second carrier 130, respectively.
  • the adhesive force of the semiconductor chips 110 on the first carrier 120 is smaller than the adhesion force of the semiconductor chips 110 on the lateral surface 148 of the cylindrical roller 143
  • the adhesive force of the semiconductor chips 110 on the second carrier 130 is greater than the adhesion force of the semiconductor chips 110 on the lateral surface 148 of the cylindrical roller 143.
  • the semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120 already have a solder material or an adhesive or another bonding material with which they can subsequently be attached to the second carrier 130.
  • the solder material, the adhesive or the other bonding material it is expedient for the solder material, the adhesive or the other bonding material to be arranged on the side of the semiconductor chips 110 which, after the transfer of the semiconductor chips 110 to the second carrier 130, faces the second carrier 130.
  • the second carrier 130 is formed as a foil, it may be provided that the foil with the semiconductor chips 110 is placed on a printed circuit board or another carrier after the semiconductor chips 110 have been transferred to the foil such that the semiconductor chips 110 are arranged between the film and the circuit board or the other carrier. The film can then be removed from the semiconductor chips 110, the semiconductor chips 110 remaining on the printed circuit board or the other carrier.
  • FIG. 2 shows a cross section through a further device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130.
  • the first carrier 120 and the second carrier 130 correspond to the carriers of FIG. 1.
  • a transfer unit 140 of the other Device 100 of FIG. 2 is constructed of a first part transfer unit 141 and a second part transfer unit 142.
  • the first partial transfer unit 141 corresponds to the transfer unit 140 of FIG. 1, since it likewise comprises a cylindrical roller 143 with a lateral surface 148.
  • the roller 143 rotates about its axis of symmetry.
  • the first carrier 120 moves in a lateral direction relative to the roller 143. Arrows indicate the movement of said components during the transfer of the semiconductor chips 110.
  • the first carrier 120 moves relative to the roller 143 so that the movement speed of the lateral surface 148 coincides with the speed of the first carrier 120.
  • the second part transfer unit 142 comprises a belt 144 guided over rollers 145 in a closed path.
  • the directions of movement of the first carrier 120, the roller 143, the belt 144, the rollers 145 and the second carrier 130 are indicated by arrows in FIG.
  • the belt 144 moves at a speed relative to the roller 143 of the first part transfer unit 141, which corresponds to the speed of the lateral surface 148 of the roller 143.
  • the moving speed of the tape 144 coincides with the moving speed of the second carrier 130.
  • the receiving region 146 of the lateral surface 148 of the roller 143 is rolled on the first carrier 120, whereby the semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the lateral surface 148 and are then located on the lateral surface 148.
  • the semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120 come into mechanical contact with the lateral surface 148 of the roller 143. In this case, the semiconductor chips 110 are detached from the first carrier 120 and transferred to the roller 143 ,
  • the semiconductor chips 110 received by the first carrier 120 are conveyed from the receiving region 146 to a transfer region 149 of the roller 143.
  • the transfer region 149 of the roller 143 is rolled on the belt 144.
  • the semiconductor chips 110 are transferred from the roller 143 to the belt 144 and thus from the first partial transfer unit 141 to the second partial transfer unit 142.
  • the semiconductor chips 110 received on the belt 144 are conveyed to a discharge area 147.
  • the delivery region 147 is rolled on the second carrier 130, the semiconductor chips 110 being transferred to the second carrier 130.
  • the semiconductor chips 110 are thus transferred from the first carrier 120 to the first partial transfer unit 141, from there to the second partial transfer unit 142 and from there to the second carrier 130.
  • the device 100 illustrated in FIG. 2 thus makes it possible to carry out a method for mounting semiconductor chips 110, in which semiconductor chips 110 are produced from the first carrier.
  • ger 120 are transferred to the transfer unit 140 by the receiving portion 146 of the roller 143 of the first part transfer unit 141 on the first carrier 120 is passed.
  • the semiconductor chips 110 are transferred from the first sub-transfer unit 141 to the second sub-transfer unit 142 by passing a transfer area 149 of the roller 143 of the first sub-transfer unit 141 on the belt 144 of the second sub-transfer unit 142.
  • the roller 143 By the rotation of the roller 143, the transfer of the semiconductor chips 110 from the first part transfer unit 141 to the second part transfer unit 142, and the movement of the belt 144, the semiconductor chips 110 are transported from the receiving area 146 to the discharge area 147 of the transfer unit 140. Then, the semiconductor chips 110 are transferred from the transfer unit 140 to the second carrier 130 by passing the delivery area 147 of the belt 144 of the second transfer unit 142 on the second carrier 130.
  • the semiconductor chips 110 may also be provided that only a few semiconductor chips 110 are removed from the first carrier 120. In this case, the reception of the semiconductor chips 110 by the first partial transfer unit 141 may be completed before the first semiconductor chips 110 reach the delivery area 147 of the second partial transfer unit 142.
  • the semiconductor chips 110 are in the method described with reference to FIG. 2 when transmitting from the first
  • Part transfer unit 141 is turned to the second part transfer unit 142.
  • the side of the semiconductor chips 110 originally facing away from the first carrier 120 forms the side of the semiconductor chips 110 facing the second carrier 130 after the transfer of the semiconductor chips 110 to the second carrier 130.
  • an intended adhesive or a possibly provided solder is to be applied to the semiconductor chips 110 on the first carrier 120 this can be done on the exposed side of the semiconductor chips 110.
  • an adhesive force of the semiconductor chips 110 on the first carrier 120 is reduced before the rolling of the transfer unit 140 on the first carrier 120, for example by heating the first carrier 120 or by irradiating the first carrier 120 Carrier 120 with visible light or UV radiation.
  • the semiconductor chips 110 are better adhered to the transfer unit 140 than to the first carrier 120, whereby the transfer of the semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the transfer unit 140 is improved.
  • Transfer unit 140 on the second carrier 130 an adhesive force of the semiconductor chips 110 is reduced to the transfer unit 140, for example by heating the transfer unit 140 or by irradiating the transfer unit 140 with visible light or UV radiation.
  • the semiconductor chips 110 adhere better to the second carrier 130 than to the transfer unit 140, thereby improving the transfer of the semiconductor chips 110 from the transfer unit 140 to the second carrier 130.
  • a reduction in adhesive force between the first sub-transfer unit 141 and the semiconductor chips 110 may also be achieved, for example, by heating the first sub-transfer unit 141 or by irradiating the first sub-transfer unit 141 with visible light or UV radiation, thereby transferring the semiconductor chips 110 are improved from the first part transfer unit 141 to the second part transfer unit 142 during the rolling of the first part transfer unit 141 at the second part transfer unit 142.
  • FIG 3 shows a plan view of a section of the lateral surface 148 of the cylindrical roller 143 of the preceding FIGS. Ren.
  • first portions 151 and second portions 152 are formed on the lateral surface.
  • the first sections 151 and the second sections 152 of the lateral surface 148 of the transfer unit 140 are prepared differently. Examples of various methods for preparing sections 151, 152 are explained in the following examples. The preparation is performed in such a way that semiconductor chips 110 can be transferred only to the first sections 151 and not to the second sections 152. This can be achieved by the adhesion force of the semiconductor chips 110 at the first sections 151 and the second sections 152 being different. Such different adhesive forces may occur, for example, due to charges, adhesive layers or mechanical displacement of a surface of the transfer unit 140.
  • FIG. 3 Shown in Fig. 3 are square first and second portions 151, 152 which are not adjacent to each other.
  • Other geometric shapes of the first and second sections 151, 152 are conceivable, for example, rectangles, diamonds, circles, ovals, triangles, hexagons and hexagons.
  • Fig. 4 shows the section of the lateral surface 148 of the roller
  • the first sections 151 and the second sections 152 can also be prepared on a belt 144 guided over rollers 145, which forms part of a transfer unit 140.
  • the different preparation of the first sections 151 and the second sections 152 of FIGS. 3 and 4 can take place on the basis of a preselection of the semiconductor chips 110 on the first carrier 120.
  • the pickup area 146 on the first carrier rolls only the preselected semiconductor chips 110 are transferred to the transfer unit 140, since the semiconductor chips 110 only adhere to the pre-selected first sections 151 of the transfer unit 140.
  • the adhesion between the semiconductor chips 110 and the second sections 152 is so small that no semiconductor chips 110 are transferred to the second sections 152 prepared on the basis of the preselection of the semiconductor chips 110 during the wiping of the receiving area 146 on the first carrier 120.
  • the pre-selection of the semiconductor chips 110 which are transmitted from the first carrier 120 to the first sections 151, can be carried out on the basis of a quality of the semiconductor chips 110 determined in a preceding method step, as will be described below.
  • an adhesive force with which the semiconductor chips 110 adhere to the first carrier 120 is selectively changed, for example by selectively heating the first carrier 120 or by selectively irradiating the first carrier 120 with visible light or UV radiation.
  • the change can be a reduction or an increase in the adhesive force.
  • different semiconductor chips 110 adhere differently to the first carrier 120.
  • the semiconductor chips 110 adhere less strongly to the first carrier 120 than to second locations of the first carrier 120.
  • the adhesion force of the semiconductor chips 110 at the first locations of the first carrier 120 is less than the adhesion force between semiconductor chips 110 and Transfer unit 140.
  • the adhesive force of the semiconductor chips 110 at the second locations of the first carrier 120 is greater than the adhesion between the semiconductor chips 110 and the transfer unit 140.
  • the semiconductor chips 110 are transferred from the first locations of the first carrier 120 to the transfer unit 140 due to the greater adhesive force between the semiconductor chips 110 and the transfer unit 140, while the semiconductor chips 110, are arranged at the second locations of the first carrier 120, remain on the first carrier 120 due to the greater adhesive force between the semiconductor chip 110 and the first carrier 120.
  • a selective transmission of the semiconductor chip 110 to the transfer unit is made possible.
  • first locations of the first carrier 120 and first portions 151 of the transfer unit 140 which were produced analogously to FIGS. 3 and 4, to oppose each other during the rolling of the transfer unit 140 on the first carrier 120, thereby selectively transferring the transfer unit 140
  • Semiconductor chips 110 on the transfer unit 140 is further improved.
  • FIG. 5 shows a cross section through a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130, which in principle corresponds in construction and function to the device 100 of FIG.
  • the device 100 comprises a preparation unit 160, which is provided to prepare first sections 151 and second sections 152, as shown in FIGS. 3 and 4.
  • the preparation unit 160 comprises a device 161 for applying a surface charge and a device 162 for selectively removing the surface charge.
  • the surface charge selective removal device 162 is formed as a laser and a laser beam 167 may be directed by the surface charge selective removal device 162 onto the shell surface 148 of the roller.
  • the laser beam 167 can be directed to different locations of the lateral surface 148. In this case, the laser beam 167 does not impinge on the entire lateral surface 148, but is directed only to partial regions of the lateral surface 148.
  • the semiconductor chips 110 may adhere to the transfer unit 140 either in partial areas with surface charge or partial areas without surface charge. Depending on which partial areas the semiconductor chips 110 adhere, these are the first sections 151, which are set up for the transmission of the semiconductor chips 110.
  • the semiconductor chips 110 can adhere to the subregions of the transfer unit 140, which furthermore have surface charge.
  • the laser beam 167 is directed to the second portions 152 to remove the surface charge in the second portions 152.
  • the semiconductor chips 110 adhere in the subregions of the transfer unit 140 in which there is no surface charge.
  • the laser beam 167 is directed to the first portions 151 to remove the surface charge in the first portions 151.
  • the semiconductor chips 110 then adhere to the first sections 151 of the transfer unit 140.
  • the selective removal of the surface charge by means of the laser beam 167 thus results in an arrangement of first and second sections 151, 152 analogous to FIGS. 3 and 4.
  • gaps in the first carrier 120 on the second carrier 130 result during the transfer process of the semiconductor chips 110 Locations where the lateral surface 148 has exhibited a second portion 152 during the transfer process.
  • Some semiconductor chips 110 disposed on the first carrier 120 may be omitted and left on the first carrier 120.
  • the semiconductor chips 110 have a layer or a region that can be electrostatically charged.
  • the adhesion of the semiconductor chips 110 to the transfer unit 140 can be improved, in particular if the surface charge on the transfer unit 140 in the first sections 151 and the electrostatic charge of the semiconductor chips 110 have different signs.
  • Between first portions 151 of the transfer unit 140 without surface charge and the semiconductor chips 110 then exists an electrical attraction between the first portions 151 of the transfer unit 140 and the semiconductor chips 110, so that the semiconductor chips 110 adhere to the first portions 151 of the transfer unit 140.
  • Cases are the semiconductor chips 110 selectively on the first portions 151 of the transfer unit 140 when passing the Aufauminzen receiving portion 146 of the transfer unit 140 on the first carrier 120.
  • FIG. 6 shows a cross section through a further exemplary embodiment of a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130.
  • the transfer unit 140 in this case has a belt 144 guided over a plurality of rollers 145.
  • the belt 144 is not guided on a closed track. Instead, a supply roll 153, the tape 144 as consumables for the over-. transfer process available. After the tape 144 the
  • Transfer unit 140 has passed through, the tape 144 is wound on a take-up reel 154.
  • Arrows indicate the directions of rotation of the rollers 145 and the direction of movement of the belt 144, the relative speeds of belt 144, first carrier 120 and second carrier 130 again coinciding.
  • the use of a guided on a closed loop belt is possible.
  • a receiving region 146 of the belt 144 is rolled on a first carrier 120.
  • the receiving region 146 is thus at any time the part of the belt 144, which is being rolled on the first carrier 120.
  • the belt 144 is moved past the first carrier 120 at the speed of the first carrier 120.
  • semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the band 144, the band 144 being part of the transfer unit 140. Subsequently, the semiconductor chips 110 are transported by a movement of the tape 144 from the receiving area 146 to a delivery area.
  • the delivery area 147 of the belt 144 is rolled on a second carrier 130.
  • the delivery area 147 is thus at any time the part of the belt 144, which is currently on the second Carrier 130 is passed.
  • the belt 144 is guided past the second carrier 130 at the speed of the second carrier 130.
  • semiconductor chips 110 are transferred from the belt 144 to the second carrier 130.
  • the device 100 of FIG. 6 also has a preparation unit 160, which is set up to selectively charge the band 144. This can be done, for example, analogously to FIG. 5 by means of a device 161 for applying a surface charge and a subsequent selective removal of the surface charge by means of illumination. All components necessary for this purpose can be integrated into the preparation unit 160.
  • the preparation unit 160 again prepares first and second sections 151, 152 on the belt 144, with the semiconductor chips 110 being transmitted exclusively in the first sections 151.
  • the preparation of the sections 151, 152 takes place analogously to FIGS. 3 and 4 and can take place on the first carrier 120 on the basis of a preselection of the semiconductor chips 110.
  • the pickup area 146 on the first carrier rolls only the preselected semiconductor chips 110 are transferred to the transfer unit 140, since the semiconductor chips 110 only adhere to the pre-selected first sections 151 of the transfer unit 140.
  • the adhesion between the semiconductor chips 110 and the second sections 152 is so small that, during the rolling of the receiving region 146 on the first carrier 120, no semiconductor chips 110 are transferred to the second sections 152 prepared on the basis of the preselection of the semiconductor chips 110.
  • the pre-selection of the semiconductor chips 110 which are transmitted from the first carrier 120 to the first sections 151, can be carried out on the basis of a quality of the semiconductor chips 110 determined in a preceding method step, as will be described below.
  • the device 100 shown in FIG. 6 makes it possible to carry out a method for mounting semiconductor chips 110, in which semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the transfer unit 140 by rolling the receiving region 146 of the belt 144 of the transfer unit 140 on the first carrier 120 , Subsequently, the semiconductor chips 110 received by the transfer unit 140 are transported by the movement of the belt 144 from the receiving region 146 to the delivery region 147. Then, the semiconductor chips 110 are transferred from the transfer unit 140 to the second carrier 130 by rolling the delivery area 147 of the belt 144 of the transfer unit 140 on the second carrier 130.
  • the preparation unit 160 is set up to apply an adhesive layer to the transfer unit 140 and subsequently to change a stickiness of the adhesive layer in the first or in the second sections 151, 152 by irradiation with electromagnetic radiation relative to one another. This is done in such a way that the tackiness in the first sections 151 is greater than the tackiness in the second sections 152.
  • an adhesive layer is applied to the transfer unit 140 and then the tackiness of this adhesive layer is selectively changed.
  • the preparation unit 160 is set up to change a thickness of a material layer of the transfer unit 140 by electromagnetic radiation. This can occur, for example, in that a material layer of the transfer unit 140 swells and only the swollen areas of the material layer in the receiving area 146 come into mechanical contact with the semiconductor chips 110 on the first carrier 120. Swollen areas thus form the first sections 151. Thus, only the semiconductor chips adjacent to the swollen material layer are transmitted. In the places where the material layer is not swollen is the transfer unit 140 does not come into mechanical contact with the semiconductor chips 110 so that no semiconductor chips 110 are received. Thus, the non-swollen areas form the second sections 152.
  • the preparation unit 160 is configured to sequentially prepare the individual first portions 151 and the individual second portions 152, respectively. This can be done for example by means of a laser and a rotating or tilting mirror, wherein the laser is switched on and off and can be selected by the movement of the mirror and the switching on and off of the laser on which portions 151, 152 of the laser beam impinges.
  • multiple first sections 151 and multiple second sections 152 are prepared simultaneously. This can be done, for example, in that a plurality of light sources are arranged in an array, and a plurality of light sources are operated in parallel at the same time in order to irradiate the transfer unit 140 with electromagnetic radiation.
  • a surface of the transfer unit 140 in the first sections 151 and the second sections 152 is displaced by the preparation in such a way that the first sections 151 in the receiving area 146 are raised relative to the second sections 152.
  • This can be done, for example, by means of a mechanical displacement respectively.
  • only the raised first portions 151 mechanically contact the semiconductor chips 110 on the first carrier 120.
  • a thickness of a material layer of the transfer unit 140 during the preparation is changed by a mechanical action in the first sections 151 or in the second sections 152, whereby in turn only the first sections in the receiving area 146 with the semiconductor chips 110 on the first Carrier 120 come into mechanical contact.
  • This can be done for example by a mechanical forming process such as forging, pressing or upsetting, or by a mechanical separation process such as milling or planing.
  • FIGS. 7 and 8 show cross sections through a further exemplary embodiment for a subregion of a transfer unit 140 in the region of the receiving region 146.
  • the transfer unit 140 comprises a belt 144 guided over rollers 145. Only a partial region of the belt 144 is shown in FIGS.
  • the band 144 is guided over two rollers 145. In the area of the rollers, the band 145 is curved, between the rollers 145, the band 144 is linear.
  • the remaining region of the band 144 can have a delivery region 147, analogous to FIGS. 2 or 6, which can be passed on a second carrier 130, not shown, in order to transfer semiconductor chips 110 from the band 144 to the second carrier 130.
  • the belt 144 guided over the rollers 145 forms the transfer unit 140 in this case.
  • the belt 144 can have a transfer region 149, at which the belt 144 can be rolled on a further belt, not shown, or on a roller (not shown) Transfer semiconductor chips 110 on the other band or the roller.
  • the guided over the rollers 145 belt 144, the portion of which is shown in Figures 7 and 8, in this case is part of a first part transfer unit 141, which is part of the transfer unit 140 is.
  • the further band or the roller are then part of a second partial transfer unit 142, which is likewise assigned to the transfer unit 140.
  • Semiconductor chips 110 are arranged on a first carrier 120, which is arranged parallel to the portion of the belt 144 extending between the rollers 145.
  • a receiving region 146 of the belt 144 is rolled on the first carrier 120 between the two rollers 145 shown in FIGS. 7 and 8.
  • the band 144 is guided between the rollers 145 parallel to the first carrier 120.
  • the first carrier 120 thereby moves in the lateral direction at the same speed as the belt 144.
  • the direction of movement is shown in FIGS. 7 and 8 by means of arrows.
  • a preparation unit 160 is arranged with a punch 164.
  • the punch 164 can be moved in the direction of the semiconductor chips 110 in order to press first sections 151 of the band 144, which are arranged above preselected semiconductor chips 110, locally against one or more semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120.
  • the first sections 151 of the band 144 are brought into contact with the preselected semiconductor chips 110 and remain attached to these semiconductor chips 110.
  • the second portions 152 of the band 144 arranged over non-preselected semiconductor chips 110 are not pressed against the semiconductor chip 110 by the punch 164.
  • the punch 164 thus spatially displaces a surface of the band 144 facing the semiconductor chips 110 by mechanical action so that the first portions 151 of the band 144 are raised relative to the normal portions of the receiving portion 146 with respect to the second portions 152.
  • the preselected semiconductor chips 110 are lifted off the first carrier 120. This will make the preselected ones Semiconductor chips 110 from the first carrier 120 on the tape
  • the pre-selection of the semiconductor chips 110 which are transmitted from the first carrier 120 to the belt 144 of the transfer unit 140, can be carried out on the basis of a quality of the semiconductor chips 110 determined in a preceding method step, as will be described below.
  • the stamp 164 may for example comprise a piezo-crystal or be designed as a hydraulic stamp, as a pneumatic stamp, as an electric stamp or as an electromagnetic stamp.
  • the band 144 may be elastically or inelastically deformed by the punch 164. In the case of an elastic deformation of the band 144, unlike in FIG. 8, the first portions 151 ' of the band 144 can return elastically to their initial position even before reaching the rear roller 145 in the direction of the band 144, and thereby the preselected ones Lift semiconductor chips 110 from the first carrier 120.
  • the partial region of the device 100 shown in FIGS. 7 and 8 makes it possible to transfer semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the belt 144 of the transfer unit 140 by rolling the receiving region 146 of the belt 144 of the transfer unit 140 on the first carrier 120. Subsequently, the semiconductor chips 110 picked up by the transfer unit 140 are transported by the movement of the belt 144 from the receiving area 146 to the delivery area 147, not shown, or to the transfer area 149, where they can either be transferred to the second carrier 130 or another band
  • the band 144 between the rollers 145 is in mechanical contact with all the semiconductor chips 110. Initially, there is no sufficient adhesion for transferring the semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the band 144 of the transfer unit 140.
  • the punch 164 may locally press one of the first portions 151 of the band 144 disposed over preselected semiconductor chips 110 to one or more semiconductor chips 110 disposed on the first carrier 120 to increase the adhesion between the band 144 and the preselected semiconductor chips 110 to one for transmission , necessary value increase.
  • the band 144 or the semiconductor chips 110 can have an adhesive coating whose adhesive force can be increased by pressing.
  • the preparation unit 160 may also be made for the preparation unit 160 to be arranged with the punch 164 below the first carrier 120, that is to say on the side of the first carrier 120 facing away from the band 144, and pre-selected semiconductor chip 110 in the direction of the tape 144 and thus enables the transfer of the preselected semiconductor chips 110 from the first carrier 120 onto the belt 144. It is likewise conceivable to provide a preparation unit 160, each with a punch 164, both above and below the band 144.
  • the preparation unit 160 may include a device for locally heating the band 144 instead of the stamp 164.
  • the band 144 between the rollers 145 may be in mechanical contact with all the semiconductor chips 110. Initially, there is no sufficient adhesion for transferring the semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the band 144 of the transfer unit 140.
  • the preparation unit 160 locally heats first portions 151 of the belt 144 disposed over preselected semiconductor chips 110 to enhance the adhesion between the belt 144 and the belt preselected semiconductor chips 110 from a value necessary for the transmission. If necessary, the band 144 or the semiconductor chips 110 can have an adhesive coating whose adhesive force can be increased by the heating.
  • the local heating of the band 144 can be done for example by irradiation with electromagnetic radiation. It is also possible to increase the adhesion between the first portions 151 of the tape 144 and the preselected semiconductor chips 110 other than by heating, for example, by exposure to visible light or UV radiation.
  • the adhesive force with which the semiconductor chips 110 adhere to the first carrier 120 is selectively changed, for example by heating or by irradiation with radiation, for example visible light or UV radiation. Radiation to facilitate transfer of the semiconductor chips 110 to the transfer unit 140 during rolling.
  • the adhesive force of the semiconductor chips 110 on the first carrier 120 is reduced such that the semiconductor chips 110 adhere better to the first portions 151 of the tape than to the first carrier 120.
  • Adhesive force is reduced for example by selective heating or by selective irradiation, for example, in partial areas of the first carrier, which are opposite to the first portions 151 of the belt 144 during the rolling process.
  • FIG. 9 shows a cross section through a further exemplary embodiment of a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130.
  • a transfer unit 140 in turn has a roller 143.
  • the arrangement of the first and second carriers 120, 130 and roller 143 corresponds to FIG. 1.
  • the roller 143 is provided on its lateral surface 148 with various punches 164, which can be extended and retracted in the radial direction.
  • the punches 164 can each occupy a first position away from the lateral surface 148 of the roller and a second position closer to the lateral surface 148 of the roller 143.
  • a surface of the punches 164 associated with the transfer unit 140 can be displaced in the direction of the normal of the lateral surface 148 such that the surface of the punches 164 in first sections 151 is raised relative to the surface of the punches 164 in second sections 152.
  • stamp 164 When extended, the punches 164 mechanically contact the semiconductor chips 110 on the first carrier 120 during rolling of the receiving region 146 on the first carrier 120 and remove them from the first carrier 120 due to the mechanical contact. Stamp 164, which are brought closer to the lateral surface 148 in the second position, do not come into mechanical contact with the semiconductor chips 110 during rolling of the receiving region 146 on the first carrier 120, whereby these punches 164 during the rolling of the receiving region 146 on the first carrier 120 record no semiconductor chips 110. As a result, a selective picking up of the semiconductor chips 110 onto the transfer unit 140 and thus a selective transfer of the semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the second carrier 130 can be achieved.
  • the preparation of the first and second sections 151, 152 takes place in this imple mentation example thus by moving the punch 164 on the lateral surface 148 of the roller 143.
  • the apparatus 100 shown in FIG. 9 makes it possible to carry out a method for mounting semiconductor chips 110, in which semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the transfer unit 140, by the receiving area 146 of the roller 143 of the transfer unit 140 on the first carrier 120 is passed on.
  • the semiconductor chips 110 received by the transfer unit 140 are transported by the movement of the roller 143 from the receiving area 146 to the discharge area 147. Then, the semiconductor chips 110 are transferred from the transfer unit 140 to the second carrier 130 by rolling the delivery area 147 of the roller 143 of the transfer unit 140 on the second carrier 130. First and second sections 151, 152 are thereby prepared by the punches 164, wherein the semiconductor chips 110 adhere only to the first sections 151 and thus a selective transmission of the semiconductor chips 110 is made possible.
  • the roller 143 is formed as part of a first partial transfer unit 141 and has, instead of the delivery area 147, a transfer area 149 which is rolled on a second partial transfer unit 142 analogously to FIG. By rolling over the transfer area 149 on the second subtrans unit 142, the semiconductor chips 110 are transferred to the second subtransfer unit 142 and can be transferred from there analogously to FIG. 2 onto the second carrier 130.
  • the punches 164 may comprise a piezoelectric crystal or may be hydraulic punches, pneumatic punches, electric punches or electromagnetic punches.
  • FIG. 10 shows a cross-section through a device for transferring semiconductor chips 100, which, analogously to FIG. 2, comprises a first partial transfer unit 141 and a second sub-transfer unit 142, which form a transfer unit 140.
  • the first part transfer unit 141 is again a cylindrical roller 143 and the second sub-transfer unit 142 again a closed belt 144 guided over rollers 145.
  • the transfer unit 140 has a movable nozzle 165 and a removal unit 166 on the first sub-transfer unit 141, that is to say on the cylindrical roller 143, which are part of a preparation unit 160.
  • the movable nozzle 165 may be moved perpendicular to the plane of the drawing and is configured to selectively apply an adhesive layer to the cylindrical roller 143 and thereby to prepare the first and second portions 151, 152.
  • the adhesive layer is applied by means of the movable nozzle 165 in the first sections 151 of the roller 143. No adhesive layer is applied in the second sections 152.
  • the semiconductor chips 110 adhere to the selectively applied adhesive layer and thus to the first portions 151 of the roller 143 of the transfer unit 140. At the second portions 152, no semiconductor chips 110 adhere.
  • the removal unit 166 is arranged to strip excess adhesive from the cylindrical roller 143 after the semiconductor chips 110 have been transferred to the belt 144 by rolling the transfer region 149 on the belt 144 of the second transfer unit 142. The removal unit 166 thus returns the cylindrical roller 143 back to the initial state. Subsequently, an adhesive layer can again be applied to the roller 143 by means of the movable nozzle 165 in order to enable a further selective transmission of semiconductor chips 110.
  • the device 100 shown in FIG. 10 makes it possible to carry out a method for mounting semiconductor chips 110, in which semiconductor chips 110 are transferred from the first carrier 120 to the transfer unit 140 by the receiving area 146 of the roller 143 of the first subtrans unit 141 at the first Carrier 120 is rolled off. Then be the semiconductor chips 110 are transferred from the first partial transfer unit 141 to the second partial transfer unit 142 by rolling off a transfer area 149 of the roller 143 of the first partial transfer unit 141 on the belt 144 of the second partial transfer unit 142. As a result, the semiconductor chips 110 are transported from the receiving region 146 to the delivery region 147 of the transfer unit 140.
  • the semiconductor chips 110 are transferred from the transfer unit 140 to the second carrier 130 by rolling the delivery area 147 of the belt 144 of the second transfer unit 142 on the second carrier 130.
  • First and second sections 151, 152 are thereby prepared by the movable nozzle 165, wherein the semiconductor chips 110 adhere only to the first sections 151 and thus a selective transmission of the semiconductor chips 110 is made possible.
  • a delivery region 147 which corresponds to the transfer region 149 of FIG. 10, to be passed on a second carrier 130, and the semiconductor chips 110 being transferred to the second carrier.
  • first and second portions 151, 152 can be prepared on the roller 143 by selectively applying adhesive to the first portions 151.
  • the preparation of the first and second sections 151, 152 can take place on the basis of a preselection of the semiconductor chips 110 on the first carrier 120. Possible methods for pre-selection will be described below.
  • the preparation unit 160 has a device for applying an adhesive layer to the transfer unit 140.
  • the preparation 160 a device for selectively heating the transfer unit 140 such that the adhesive layer has a higher tackiness in the first sections 151 after the selective heating than in the second sections 152.
  • the selective heating device may be disposed near the roller 143 or the belt 144.
  • the selective heating device may also be disposed within a roller 143 or roller 145 of the transfer unit 140.
  • the selective heating device may comprise heating elements or comprise a laser.
  • the apparatus for transferring semiconductor chips 100 in this embodiment is formed as in FIG. 10.
  • tackiness in the first sections 151 of the transfer unit 140 instead of increasing the tackiness in the first sections 151 of the transfer unit 140, provision may also be made for tackiness in the second sections 152 of the transfer unit 140 to be reduced, for example by selective heating of the transfer unit 140 or by selective irradiation of the transfer unit 140.
  • FIG. 11 shows part of a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130 according to another exemplary embodiment. Shown is a cross section through the first carrier 120 with semiconductor chips 110 and a portion of a first
  • Part transfer unit 141 which consists of a guided over rollers 145 belt 144. Shown is a portion of the belt 144, which is guided over a roller 145.
  • a receiving region 146 of the first partial transfer unit 141 is rolled off on the first carrier 120, wherein the rolling-through transfers semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the belt 144.
  • the semiconductor chips 110 accommodated on the band 144 are transported away from the receiving region 146 due to the movement of the band 144 and move in the direction of a delivery region 147 (not shown) analogously to FIGS 6, or in the direction of a transfer area 149, which is passed on at a further partial transfer unit 142 analogous to FIG. 2, whereby the semiconductor chips are transferred to the second transfer unit 142.
  • a sensor 170 is disposed above the first carrier 120 and configured to determine a quality of the semiconductor chips 110.
  • the quality can, for example, a wavelength of the emitted radiation, an energy yield, an operating voltage, an operating current or other technical
  • Parameters of the semiconductor chips 110 include.
  • the quality may also be a functional capability or integrity of the semiconductor chips 110.
  • the sensor 170 can be provided, for example, to detect mechanical damage, such as, for example, cracks or chips of the semiconductor chips 110, which influence the quality of the semiconductor chips 110.
  • the first partial transfer unit 141 has a preparation unit 160, which is set up to prepare the band 144 into first and second sections 151, 152 analogously to the exemplary embodiments already described.
  • the operation of the preparation unit 160 is effected on the basis of the quality of the semiconductor chips 110 determined by the sensor 170.
  • the preparation of the transfer unit 140 by means of the
  • the preparation unit 160 thus takes place on the basis of a preselection of the semiconductor chips 110 to be mounted on the first carrier 120.
  • the pre-selection can serve to sort out semiconductor chips 110 which do not have the required quality. For example, damaged semiconductor chips 110 or semiconductor chips 110 that do not emit in a desired wavelength interval can be sorted out.
  • the quality of the semiconductor chips 110 can also be effected much earlier in the processing process, for example directly after the production of the semiconductor chips 110, on a production wafer.
  • Information about the quality and the position of the semiconductor chips 110 are then stored in a memory. lays and serve the preselection of the semiconductor chips 110 and the preparation of the first and second sections 151, 152.
  • the information stored in the memory about the quality and position of the semiconductor chips 110 can be referred to as wafer map.
  • a spatial orientation of the semiconductor chips 110 is determined by means of the sensor 170. This may be useful, for example, when semiconductor chips 110 are to be transferred in the correct orientation from the first carrier 120 to the second carrier 130 and semiconductor chips 110 that are not oriented correctly should be omitted. Thereby, the semiconductor chips 110 can be easily provided on the first carrier 120 by being sprinkled on the first carrier 120.
  • the first carrier 120 may have recesses whose distances correspond to the distances of the semiconductor chips 110 according to the assembly method.
  • FIG. 12 shows a cross section through a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130, which partially corresponds to the device 100 of FIG. 6. In contrast to FIG.
  • a regeneration unit 168 is set up to return the tape to the original state after the semiconductor chips 110 have been transferred from the first carrier 110 to the second carrier 120. This can be done, for example, by removing the surface charge remaining in the first or second sections 151, 152 by means of irradiation with electromagnetic radiation or by means of electrical contact or by removing the adhesive layer or by heating or irradiation.
  • the transfer unit 140 can be constructed both from a roller 143 or from a belt 144, which is guided over rollers 145.
  • rollers 143 and belts 145 guided over rollers 145 can also be provided, in particular if the rollers 143 or the belts 144 guided via rollers 145 form the partial transfer units 141, 142.
  • both the first partial transfer unit 141 and the second partial transfer unit 142 may include rollers 143, and / or belts 144 and rollers 145.
  • the method is carried out a plurality of times, that is, by means of the transfer unit 140, a plurality of semiconductor chips 110 are transferred from a first carrier 120 to a second carrier 130 several times.
  • the semiconductor chips 110 may in particular be selected according to the quality when passing through the method several times, the semiconductor chips 110 additionally being selected according to whether they are transmitted at a location of the second carrier 130 to which a semiconductor chip 110 due to the second pass of the method would be already present a semiconductor chip 110 due to the first pass of the method.
  • no further semiconductor chip 110 is transmitted in the second pass of the method.
  • the first pass or the second pass of the method correspond to the method described so far.
  • the gaps can be closed, for example, with a conventional pick-and-place method or with a further pass of the method become.
  • 13 shows a cross-section through a further device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130.
  • the transfer unit 140 comprises two first sub-transfer units 141 and a second sub-transfer unit 142.
  • the first partial transfer units 141 in turn comprise in each case a roller 143, a preparation unit 160 and a regeneration unit 168.
  • the second partial transfer unit 142 comprises a belt 144 guided via belt 145.
  • receiving areas 146 of the rollers 143 of the first transfer subunits 141 are each rolled on a first carrier 120 and In this case, semiconductor chips 110 are accommodated, analogously to FIG. 2.
  • Transfer areas 149 of the rollers 143 of the first partial transfer units 141 are fed on the second partial transfer unit 142 in order to transfer the semiconductor chips 110 to the second partial transfer unit 142.
  • a delivery region 147 of the second partial transfer unit 142 is rolled on the second carrier 130, whereby the semiconductor chips 110, analogously to FIG. 2, are transferred to the second carrier.
  • the first partial transfer units 141 are arranged such that the semiconductor chips 110 come to rest on different positions of the band 144 in each case. This arrangement of the first partial transfer units 141 thus corresponds to the result of carrying out the transfer method several times, in which the semiconductor chips 110 are placed in gaps in the first pass of the method during the second pass of the method.
  • the device 100 of FIG. 13 it is possible, for example, to transmit red, green and blue-emitting semiconductor chips 110 from different first carriers 120 to the second carrier 130, so that they form, for example, a display device with colored image output.
  • 14 shows a cross section through a device 100 for transferring semiconductor chips 110 from a first carrier 120 to a second carrier 130 according to a further embodiment.
  • the device 100 corresponds in this case to the device of FIG. 2.
  • first markings 181 are mounted on the side opposite the semiconductor chips 110.
  • second markings 182 on the transfer unit 140.
  • the second carrier 130 has third markings 183.
  • a marking sensor 180 is provided which can read out the first, second and third markings 181, 182, 183.
  • the markers 181, 182, 183 could each be attached to other positions of the respective components, without restricting the operation.
  • the first markers 181 and the second markers 182 are read out from the marking sensors 180.
  • the first carrier 120 and the transfer unit 140 are aligned with each other based on the first marks 181 and the second marks 182.
  • the first carrier 120 can be arranged to be movable relative to the transfer unit 140 and a mechanical controller can move the first carrier 120 relative to the transfer unit 140. This can serve in particular to align semiconductor chips 110 arranged on the first carrier 120 during the rolling of the receiving region 146 of the transfer unit 140 on the first carrier 120 at positions of the first or second sections 151, 152.
  • the third markings 183 of the second carrier 130 are read out with the marking sensor 180 and the second carrier 130 and the
  • Transfer unit 140 to each other by means of the third markers 183 and the second markings 182 are aligned.
  • the second carrier 130 can relative to the transfer unit 140 be designed to be movable.
  • the positions of the semiconductor chips 110 on the second carrier 130 can be adapted to the positions of the semiconductor chips 110 on the transfer unit 140, so that the semiconductor chips, for example, are correctly placed on the second carrier.
  • the reading out of the third markings 183 is advantageous if the method is to be carried out several times in order to align the semiconductor chips 110 transferred in the second pass to the second carrier 130 relative to the semiconductor chips 110 transferred to the second carrier 130 in the first pass.
  • structurings already present on the second carrier 130 can optionally serve, for example already existing electrical conductor tracks.
  • the marking sensor 180 then recognizes the positions of the structuring features of the second carrier 130, the structuring features serving as third markings 183.
  • 15 shows a cross section through a further exemplary embodiment for a partial area of a transfer unit 140 in the area of the delivery area 147.
  • the transfer unit 140 comprises a belt 144 guided via rollers 145. Only a partial area of the belt 144 is shown in FIG. 15.
  • the band 144 is guided over two rollers 145. In the area of the rollers, the band 145 is curved, between the rollers 145, the band 144 is linear.
  • the remaining region (not shown) of the transfer unit 140 can, analogously to FIG. 6, have a receiving region 146, which can be rolled on a first carrier 120, not shown, in order to transfer semiconductor chips 110 from the first carrier 120 to the belt 144.
  • the belt 144 may have a transfer region 149 analogous to FIG. 2, in which another unillustrated belt or roller (not shown) on the belt 144 may be rolled over the semiconductor chips 110 from the further belt or transfer the roller to the belt 144.
  • the belt 144 guided over the rollers 145, the partial region of which is shown in FIG. 15, is in this case part of a second partial transfer unit 142, which is part of the transfer unit 140.
  • the further band or the roller are then part of a first partial transfer unit 141 of the transfer unit 140.
  • the delivery region 147 of the belt 144 is rolled between the two rollers 145 on the second carrier 130.
  • the band 144 is guided between the rollers 145 parallel to the second carrier 130.
  • the second carrier 130 thereby moves in the lateral direction at the same speed as the band 144.
  • the direction of movement is shown in FIG. 15 by means of arrows.
  • the band 144 is transparent to a portion of the electromagnetic spectrum, such as visible
  • An optical sensor 184 is disposed above the belt 144 and operates in the portion of the electromagnetic spectrum for which the belt 144 is transparent.
  • the optical sensor 184 may include an electromagnetic radiation source of radiation of the portion of the electromagnetic spectrum for which the tape 144 is transparent.
  • the positions of the semiconductor chips 110 on the belt 144 relative to the second carrier 130 can be determined. As a result, it is possible to check whether or not the semiconductor chips 110 are transferred to nominal positions on the second carrier 130 before or during the deceleration of the delivery region 147 on the second carrier 130. Should not the position of band 144 and second carrier 130 relative to each other a transfer of the semiconductor chips 110 to the desired positions on the second carrier 130, the relative position of the band 144 and the second carrier 130 may first be changed such that by rolling the delivery region 147 on the second carrier 130, the semiconductor chips 110 to the desired positions on the second Carrier 130 are transmitted.
  • markings analogous to the markers 181, 182, 183 of FIG. 14 are arranged on the band 144 and / or the second carrier 130, that of the optical sensor 184 can be detected.
  • the semiconductor chips 110 are not transparent to the portion of the electromagnetic spectrum for which the band 144 is transparent.
  • Sensor can be used, for example, a camera.
  • An image of the camera can be evaluated by means of image processing to determine whether the semiconductor chips 110 are arranged above conductor tracks on the second carrier 130. If so, the rolling is performed, otherwise the belt 144 and second carrier 130 are moved relative to each other.
  • the transfer unit 140 is stopped during execution of the method.
  • the first carrier 120 is changed in position or replaced by another first carrier 120. This may serve to further conductor chips 110 on another first carrier 120 to provide.
  • semiconductor chips 110 present on first carrier 120 can thereby be arranged at a smaller spacing than the spacing of semiconductor chips 110 on second carrier 130 should be.
  • each second semiconductor chip 110 is then removed from the first carrier 120 and transferred to the second carrier 130.
  • the first carrier 120 can then be moved such that subsequently the semiconductor chips 110 remaining on the first carrier 120 are removed and mounted on the second carrier 130.
  • the first carrier 120 is moved to half the distance between two semiconductor chips 110 on the second carrier 130. Other multiples and distances can be taken into account.
  • spacings of the semiconductor chips 110 are taken into account in two dimensions, that is to say, for example, every tenth semiconductor chip 110 of a row and every eighth row, with which one eightieth of the semiconductor chips 110 of the first carrier 120 are transmitted per stop.
  • the entire area of the first carrier 120 can be transmitted by means of eighty stops.
  • the transfer unit 140 is at least partially moved backwards after the stop. In the case of the embodiment of the device 100 shown in FIG. 2, this can be used, for example, for semiconductor chips 110 by means of the first partial transfer unit 141 from the first
  • Sub-transfer unit 142 are then all semiconductor chips 110, which are on the second sub-transfer unit 142, so the band 144, transferred to the second carrier 130 by the tape 144 is rolled on the second carrier 130.
  • Fig. 16 shows a plan view of a portion of a
  • Bands 144 of a transfer unit 140 First portions 151 and second portions 152 in a matrix arrangement with rows 155 and rows 156, 157, 158 have been prepared on the tape 144 by one of the described methods, for example on the basis of a chip quality pre-selection. By one of the methods already described, semiconductor chips 110 have been transferred to the first portions 151 of the tape 144. No semiconductor chips 110 have been transferred to the second portions 152 of the tape. The semiconductor chips 110 are provided for by rolling the
  • Bands 144 are transferred to a second carrier 130.
  • the rows 155 each have a spacing from each other which already corresponds to the distance that the semiconductor chips 110 should have after their transfer to the second carrier 130.
  • the distances between the semiconductor chips 110 within the rows 155 that is, the distances between the rows 156, 157, 158, are in this For example, less than the distances that the semiconductor chips 110 are to have after the transfer to the second carrier 130.
  • the distances between the lines 156, 157, 158 of semiconductor chips 110 are therefore to be increased when transferred to the second carrier 130.
  • the band 144 and the second carrier 130 are moved relative to one another and readjusted such that semiconductor chips 110 of a second row 157 are subsequently set to desired positions can be transmitted on the second carrier 130.
  • the delivery region 147 of the band 144 is again shifted on the second carrier 130 and thereby the second line 157 of semiconductor chips 110 is transferred to the second carrier 130. Accordingly, each row 156, 157, 158 is moved after transmission.
  • one of the methods described with reference to FIGS. 14 and 15 can be used.
  • rows 155 and rows 156, 157, 158 are second sections 152 without semiconductor chips 110, ie gaps.
  • the lines 156, 157, 158 are transferred by rolling the delivery area 147 of the belt 144 on the second carrier 130, the gaps between the semiconductor chips 110 are also transmitted. It can be provided to close the gaps on the second carrier 130 by a further pass of one of the described methods or by a pick-and-place method.
  • the method described below may be used to transfer the semiconductor chip 110 from the tape 144 to the second carrier 130 without gaps.
  • the band 144 and the second carrier 130 are aligned relative to each other so that the semiconductor chips 110 of the first row 156 at the rolling of the delivery region 147 of the band 144 on second carrier 130 are transmitted to desired positions on the second carrier 130. Since the first row 156 contains a semiconductor chip 110 in each row 155, there is no gap between the semiconductor chips 110 on the second carrier 130. Thereafter, the band 144 and the second carrier are repositioned and the delivery area 147 of the band 144 on the second carrier 130 in order to transfer the semiconductor chips 110 of the second row 157 from the band 144 to the second carrier 130. Since the second row 157 has a gap on the band 144, a gap also arises in the second row on the second carrier 130.
  • the band 144 and the second carrier 130 are relatively moved relative to each other such that a semiconductor chip 110 of the third row 158 of the band is positioned over the gap. Subsequently, the semiconductor chip 110 positioned over the gap is transferred from the band 144 to the second carrier 130 by means of a punch and thus the resulting gap between the semiconductor chips 110 on the second carrier 130 is filled up. This creates a gap in the third line 158 of the tape 144.
  • band 144 and second carrier 130 are moved relative to each other such that the third row 158 can be transferred to nominal positions of a third row of the second carrier 130. Again, a gap is transmitted, which can subsequently be closed with a semiconductor chip 110 from a fourth row of the band 144, analogously to the described method.
  • a transfer unit 140 could include a preparation unit 160 as shown in Figs. 6 or 10, a quality sensor 170 as shown in Fig. 11, a plurality of sub-transfer units 141, 142 as shown in Fig. 13, and both the carriers 120, 130 and the transfer unit 140 markers 181, 182, 183 as shown in FIG. 14.
  • the positions of the elements shown in the figures relative to each other, in particular of the first carrier 120, the second carrier 130, the transfer unit 140, the first partial transfer unit 141 and the second partial transfer unit 142 can be changed and the elements can be arranged differently from one another.
  • the adhesion force of the semiconductor chips 110 to the first carrier 120 is lower than to the transfer unit 140.
  • the semiconductor chips 110 adhere better to the second carrier 130 than to the transfer unit 140.
  • the transfer unit 140 is constructed of sub-transfer units 141, 142 , the adhesion increases with each sub-transfer unit 141, 142 passed through.
  • the adhesion of the semiconductor chips 110 to the carrier 120, 130 or to the transfer unit 140 by changing the temperature, applying or removing a charge or radiation with electromagnetic radiation changed and thereby the transfer of the semiconductor chips 110 is facilitated.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips, bei dem zunächst die Halbleiterchips von einem ersten Träger auf eine Transfereinheit übertragen werden. Die Transfereinheit weist dabei einen Aufnahmebereich auf. Das Übertragen der Halbleiterchips vom ersten Träger auf die Transfereinheit erfolgt durch ein Abwälzen des Aufnahmebereichs der Transfereinheit an dem ersten Träger. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die von der Transfereinheit aufgenommenen Halbleiterchips vom Aufnahmebereich zu einem Abgabebereich der Transfereinheit transportiert. In einem anschließenden Verfahrensschritt werden die Halbleiterchips von der Transfereinheit auf einen zweiten Träger übertragen. Das Übertragen der Halbleiterchips von der Transfereinheit auf den zweiten Träger erfolgt durch ein Abwälzen des Abgabebereichs der Transfereinheit an dem zweiten Träger.

Description

VERFAHREN ZUM MONTIEREN VON HALBLEITERCHIPS UND VORRICHTUNG ZUM ÜBERTRAGEN VON HALBLEITERCHIPS
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halb- leiterchips und eine Vorrichtung zum Übertragen von Halb- leiterchips .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2016 115 186.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Halbleiterchips sind nach ihrer Produktion im Allgemeinen im aferverbund auf einem Träger angeordnet. Für verschiedene Endprodukte ist es notwendig, dass die auf dem Träger angeordneten Halbleiterchips auf einen weiteren Träger übertragen werden. Im Stand der Technik sind Verfahren bekannt, bei denen die Halbleiterchips mittels eines Greifers von dem Träger abgelöst und auf dem weiteren Träger platziert werden (sogenanntes Pick-and-Place-Verfahren) . Dabei wird immer ein einzelner Halbleiterchip gleichzeitig übertragen. Wenn die Anzahl der zu übertragenden Halbleiterchips sehr groß ist, beispielsweise für im Außenbereich angebrachte Anzeigevorrichtungen, ist das aus dem Stand der Technik bekannte Verfahren zu langwierig. Es wird ein Verfahren benötigt, bei dem eine große Anzahl von Halbleiterchips schnell von einem Träger auf einen weiteren Träger übertragen werden kann.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, solch ein schnelleres Verfahren zum Übertragen von Halbleiterchips und eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips bereitzustellen. Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und der Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
In einem Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips werden zunächst die Halbleiterchips von einem ersten Träger auf eine Transfereinheit übertragen. Die Transfereinheit weist dabei einen Aufnahmebereich auf. Das Übertragen der Halbleiterchip vom ersten Träger auf die Transfereinheit erfolgt durch ein Abwälzen des Aufnahmebereichs der Transfereinheit an dem ers ten Träger. Die Transfereinheit und der erste Träger sind da bei eingerichtet, dass während des Abwälzens des Aufnahmebereichs der Transfereinheit an dem ersten Träger mehrere Halb leiterchips gleichzeitig vom ersten Träger auf die Transfereinheit übertragen werden können. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die von der Transfereinheit aufgenomme nen Halbleiterchips vom Aufnahmebereich zu einem Abgabebereich der Transfereinheit transportiert. In einem anschließenden Verfahrensschritt werden die Halbleiterchips von der Transfereinheit auf einen zweiten Träger übertragen. Das Übertragen der Halbleiterchips von der Transfereinheit auf den zweiten Träger erfolgt durch ein Abwälzen des Abgabebereichs der Transfereinheit an dem zweiten Träger. Die Transfereinheit und der zweite Träger sind dabei jeweils so einge richtet, dass mehrere Halbleiterchips durch das Abwälzen des Abgabebereichs der Transfereinheit an dem zweiten Träger gleichzeitig von der Transfereinheit auf den zweiten Träger übertragen werden können. Durch das Abwälzen der Transferein heit sowohl am ersten Träger als auch am zweiten Träger können also jeweils mehrere Halbleiterchips gleichzeitig von de Transfereinheit aufgenommen oder abgegeben werden. Dadurch können mehrere Halbleiterchips gleichzeitig übertragen werden, wodurch Endprodukte, die eine Vielzahl von Halbleiterchips benötigen, zeitlich schneller hergestellt werden können .
Die Transfereinheit kann dabei eine Walze und/oder ein über Rollen geführtes Band aufweisen, wobei die Walze beziehungsweise das Band am ersten und am zweiten Träger abgewälzt wer den kann.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Transfereinheit eine erste Teiltransfereinheit . und eine zweite Teiltransfereinheit auf. Der Aufnahmebereich ist auf der ers ten Teiltransfereinheit ausgebildet, der Abgabebereich ist auf der zweiten Teiltransfereinheit ausgebildet. Zusätzlich umfasst das Verfahren den Schritt des Übertragens der Halbleiterchips von der ersten Teiltransfereinheit auf die zweite Teiltransfereinheit. Dieses Übertragen erfolgt wiederum durch ein Abwälzen, hier der ersten Teiltransfereinheit an der zweiten Teiltransfereinheit oder umgekehrt. Dies ist vorteilhaft, wenn das Abwälzen am ersten Träger zur Aufnahme der Halbleiterchips ein anderes Material der Transfereinheit er- fordert als das Abwälzen der Transfereinheit zum Abgeben der Halbleiterchips am zweiten Träger. Die beiden Teiltransfereinheiten können aus unterschiedlichen oder denselben Materialien gefertigt sein. Die Materialauswahl für die
Teiltransfereinheiten kann an den Aufnahme- beziehungsweise Abgabeschritt angepasst werden.
In einer Aus führungs form des Verfahrens werden die Halbleiterchips beim Übertragen von der ersten Teiltransfereinheit auf die zweite Teiltransfereinheit gewendet. Dadurch wird durch die Verwendung von Teiltransfereinheiten zusätzlich ermöglicht, dass die Halbleiterchips gewendet werden und so nach dem Übertragungsvorgang auf dem zweiten Träger in einer zum ersten Träger verschiedenen Orientierung vorliegen. Vorteilhaft kann dabei auch sein, dass die Halbleiterchips auf dem ersten Träger mit der Seite vom Träger abgewandt sind, die nach dem Übertragen an den zweiten Träger angrenzt. Dadurch kann beispielsweise Klebstoff oder Lot auf die Halbleiterchips aufgebracht werden, wenn diese auf dem ersten Träger angeordnet sind. Nach dem Übertragen ist der Klebstoff beziehungsweise das Lot zwischen den Halbleiterchips und dem zweiten Träger angeordnet und kann eine mechanische Fixierung zwischen dem zweiten Träger und den Halbleiterchips ermöglichen . In einer Ausführungsform des Verfahrens werden erste Abschnitte und zweite Abschnitte der Transfereinheit unterschiedlich präpariert. Die Halbleiterchips werden nur auf die ersten Abschnitte der Transfereinheit übertragen. Die Präpa- rierung der ersten Abschnitte und der zweiten Abschnitte erfolgt dabei derart, dass die Halbleiterchips nur in den ersten Abschnitten an der Transfereinheit haften. Vorteilhaft an dieser Ausführungsform ist, dass dadurch eine selektive Über- tragung von einzelnen Halbleiterchips ermöglicht wird, ohne den Vorteil der gleichzeitigen Übertragung von mehreren Halbleiterchips aufzugeben.
Es kann vorgesehen sein, dass pro erstem Abschnitt ein Halb- leiterchip übertragen wird. Ebenso ist es möglich, dass die Abschnitte so präpariert sind, dass mehrere Halbleiterchips pro erstem Abschnitt übertragen werden.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit ein Aufbringen einer Oberflächenladung auf die Transfereinheit und ein Entfernen der Oberflächenladung durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung in den ersten Abschnitten oder in den zweiten Abschnitten. Die Halbleiterchips haften entweder an den mit der Oberflächenladung beaufschlagten Stellen der Transfereinheit oder an den nicht mit der Oberflächenladung beaufschlagten Stellen der Transfereinheit. Je nachdem, an welchen dieser Stellen die Halbleiterchips haften, ist das selektive Entfernen der Oberflächenladung mittels elektromagnetischer Strahlung in den ersten oder in den zweiten Abschnitten auszuführen .
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die Präparie-" rung der Abschnitte der Transfereinheit das Aufbringen einer Klebeschicht auf die Transfereinheit und die Änderung der
Klebrigkeit der Klebeschicht in den ersten Abschnitten oder in den zweiten Abschnitten durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung. Die Änderung der Klebrigkeit kann dabei entweder eine Verstärkung oder eine Verringerung der Klebrig- keit sein, je nachdem, ob die Bestrahlung in den ersten Abschnitten oder in den zweiten Abschnitten erfolgt und welcher Klebstoff für die Klebeschicht verwendet wird. Durch das selektive Ändern der Klebrigkeit der Klebeschicht kann wiederum erreicht werden, dass eine selektive Auswahl von Halbleiterchips durch das Verfahren übertragen wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit eine Änderung einer Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit durch Bestrahlung der ersten Abschnitte oder der zweiten Abschnitte der Transfereinheit mit elektromagnetischer Strahlung. Dies ist vorteilhaft, wenn durch die Änderung der Dicke der Materialschicht der Transfereinheit die ersten Abschnitte beim Abwälzen der Transfereinheit auf dem ersten Träger in Kontakt mit den Halbleiterchips, die auf dem ersten Träger angeordnet sind, stehen und die zweiten Abschnitte der Transfereinheit nicht in Kontakt mit den Halbleiterchips auf dem ersten Träger während des Abwälzvorgangs stehen. Dadurch erfolgt wiederum vorteilhaferweise eine selektive Auswahl der übertragenen Halbleiterchips .
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Bestrahlung der ersten Abschnitte beziehungsweise der zweiten Abschnitte sequentiell nacheinander. Die jeweils anderen Abschnitte werden nicht bestrahlt. Dabei erfolgt die Bestrahlung der ersten beziehungsweise der zweiten Abschnitte, bevor die Transfereinheit auf dem ersten Träger abgewälzt wird. Durch das sequentiell nacheinander erfolgende Bestrahlen ist nur eine Quelle für elektromagnetische Strahlung notwendig, wodurch eine einfache Präparierung ermöglicht wird.
In einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt die Bestrahlung mittels eines Lasers. Dabei kann es vorgesehen sein, dass der Laser mittels eines Scannerspiegels, also eines rotierenden oder schwingenden Spiegels auf die ersten Abschnitte beziehungsweise die zweiten Abschnitte gelenkt wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens werden mehrere erste Abschnitte beziehungsweise mehrere zweite Abschnitte gleichzeitig bestrahlt. Dies kann beispielsweise durch ein pixel- förmig aufgebautes Array von Strahlungsquellen erfolgen, wodurch eine Verringerung der mechanisch beweglichen Bauteile erreicht werden kann. Dadurch, dass weniger mechanisch bewegliche Bauteile vorgesehen sind, wird das Verfahren vereinfacht. Die Präparierung der ersten beziehungsweise zweiten Abschnitte kann nun mit der Geschwindigkeit erfolgen, mit der auch die Strahlungsquellen geschaltet werden können.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Oberfläche der Transfereinheit in den ersten Abschnitten beziehungsweise den zweiten Abschnitten derart verschoben, dass die ersten Abschnitte im Aufnahmebereich bezüglich der zweiten Abschnitte erhaben sind. Dadurch stehen beim Abwälzen der Transfereinheit auf dem ersten Träger die ersten Abschnitte in Kontakt mit den Halbleiterchips, die zweiten Abschnitte stehen jedoch nicht in Kontakt mit den Halbleiterchips. Dadurch erfolgt ein selektives Übertragen der Halbleiterchips vom ersten Träger auf die Transfereinheit in den ersten Abschnitten, wobei die zweiten Abschnitte der Transfereinheit von Halbleiterchips frei bleiben.
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit eine Veränderung einer Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit durch eine mechanische Einwirkung in den ersten beziehungsweise zweiten Abschnitten. Dadurch kann ebenfalls erreicht werden, dass beim Abwälzen der Transfereinheit auf den ersten Träger nur die ersten Abschnitte der Transfereinheit mit den Halbleiterchips in mechanischem Kontakt stehen. Dies ermöglicht wiederum eine selektive Übertragung der Halbleiterchips auf die ersten Abschnitte der Transfereinheit, während die zweiten Abschnitte der Transfereinheit frei bleiben.
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit eine mechanische Einwirkung auf die Transfereinheit, wodurch die ersten Abschnitte der Transfereinheit, bezogen auf die Normale des Aufnahmebereichs, eine von den zweiten Abschnitten der Transfereinheit unterschiedliche Position aufweisen. Durch die unter- sch edlxche Position bezogen auf die Normale des Aufnahmebereichs werden wiederum Halbleiterchips nur in den ersten Abschnitten der Transfereinheit vom ersten Träger auf die Transfereinheit übertragen.
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit ein Aufbringen einer Klebeschicht auf die Transfereinheit und ein Ändern der Klebrigkeit der Klebeschicht durch Erwärmen der ersten Abschnitte beziehungsweise der zweiten Abschnitte der Transfereinheit. Durch die selektive Änderung der Klebrigkeit der Klebeschicht in den ersten beziehungsweise zweiten Abschnitten durch Erwärmung derselben kann wiederum ein selektives Übertragen von Halbleiterchips ausschließlich in den ersten Abschnitten erreicht werden. Das selektive Erwärmen kann dabei beispielsweise mit Heizelementen erfolgen, wodurch ein einfacher Aufbau der Transfereinheit erreicht wird. Alternativ kann das selektive Erwärmen mittels Bestrahlung mit Licht oder Infrarot-Strahlung erfolgen, beispielsweise durch einen Laser.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Präparierung der Abschnitte der Transfereinheit ein Aufbringen einer Klebeschicht in den ersten Abschnitten der Transfereinheit mittels beweglicher Düse. Durch das Aufbringen der Klebeschicht mittels beweglicher Düse ausschließlich in den ersten Abschnitten kann die Menge des benötigten Klebstoffs für die Klebeschicht reduziert werden, da nicht die gesamte Transfereinheit mit einer Klebeschicht bedeckt wird, sondern nur die Stellen, an denen Halbleiterchips übertragen werden sollen. Dies stellt also vorteilhafterweise ein ressourcenschonendes Vorgehen dar.
Alternativ kann die Klebeschicht in den ersten Abschnitten mittels mehrerer unbeweglicher Düsen erfolgen. Die unbeweglichen Düsen können dabei beispielsweise so nebeneinander angeordnet sein, dass die Transfereinheit mit ersten und zweiten Abschnitten präpariert werden kann. In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren die zusätzlichen Schritte einer Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips auf dem ersten Träger und eines Präparierens der ersten und der zweiten Abschnitte der Transfereinheit anhand dieser Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips. Die Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips kann dabei anhand von Eigenschaften der Halbleiterchips erfolgen. Andererseits ist es ebenso möglich, die Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips danach zu treffen, auf welche Positionen auf dem zweiten Träger Halbleiterchips übertragen werden sollen. Durch die Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips können dabei die notwendigen Präparie- rungsschritte für die ersten beziehungsweise zweiten Abschnitte bestimmt werden. Die Präparierung erfolgt dann nach der Vorauswahl.
Dies hat den Vorteil, dass sowohl qualitativ unzureichende Halbleiterchips nicht übertragen werden, als auch, dass Stellen, an die keine Halbleiterchips übertragen werden sollen, frei bleiben können.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vorauswahl der Halbleiterchips anhand einer mittels eines Sensors ermittelten Qualität der Halbleiterchips getroffen. Dabei bezieht sich die Qualität der Halbleiterchips auf technische Daten der Halbleiterchips wie beispielsweise eine Wellenlänge, eine mindestens vorhandene Abstrahlleistung, einen Stromverbrauch des Halbleiterchips bei einer gegebenen Abstrahlleistung, o- der andere technische Parameter der Halbleiterchips . Ebenso kann die Qualität einen mittels optischem Sensor bestimmten Qualitätszustand des Halbleiterchips umfassen. Beispielsweise können durch den optischen Sensor Halbleiterchips mit mechanischen Defekten (Sprünge, Kratzer) erkannt werden.
In einer Ausführungsform erfolgt die Ermittlung der Qualität der Halbleiterchips bereits im Waferverbund der Halbleiterchips, also noch vor dem Vereinzeln des Produktionswafers zu einzelnen Chips. Die Qualität der Halbleiterchips kann in einem Speicher abgelegt werden. Die spätere Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte der Transfereinheit kann dann anhand der im Speicher abgelegten Qualitäten der Halbleiterchips erfolgen.
Dadurch muss die Durchführung des Verfahrens zum Montieren der Halbleiterchips nicht unmittelbar nach der Herstellung der Halbleiterchips und der Ermittlung der Qualität der Halbleiterchips erfolgen.
In einer Aus führungsform des Verfahrens wird mittels eines Sensors eine räumliche Orientierung der Halbleiterchips er- fasst. Anschließend werden die ersten und zweiten Abschnitte der Transfereinheit anhand der ermittelten räumlichen Orientierung der Halbleiterchips präpariert. Dies ermöglicht beispielsweise, dass die Halbleiterchips auf den ersten Träger aufgestreut werden und anschließend die ersten und zweiten Abschnitte der Transfereinheit so präpariert werden, dass ausschließlich Halbleiterchips, die in der richtigen Orientierung auf dem ersten Träger vorliegen, durch das Verfahren auf den zweiten Träger übertragen werden. Dadurch wird die Bereitstellung der Halbleiterchips auf dem ersten Träger vereinfacht, da diese auf dem ersten Träger nicht in einer bestimmten Orientierung platziert werden müssen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Verfahren mehrmals hintereinander ausgeführt. Dabei ist es möglich, sowohl zur ersten Ausführung des Verfahrens identische Halbleiterchips als auch davon unterschiedliche Halbleiterchips zu übertragen. Beispielsweise könnten für die Herstellung von Anzeigevorrichtungen drei verschiedene Halbleiterchips mit drei verschiedenen Ausführungen des Verfahrens übertragen werden, um so rote, grüne und blaue Pixel auf der Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Es werden dann also rot, grün und blau abstrahlende optoelektronsiche Halbleiterchips übertragen . In einer Ausführungs form des Verfahrens werden bei weiteren Ausführungen des Verfahrens Lücken zwischen bereits vorhandenen Halbleiterchips auf dem zweiten Träger aufgefüllt. Dies ist beispielsweise vorteilhaft, wenn bei der ersten Ausführung des Verfahrens Halbleiterchips aufgrund ihrer verringerten Qualität nicht übertragen wurden. Die dadurch entstehenden Lücken auf dem zweiten Träger können nun bei einer zweiten Ausführung des Verfahrens selektiv mit den Halbleiterchips aufgefüllt werden.
In einer Aus führungs form des Verfahrens werden bei der zweiten Ausführung des Verfahrens Halbleiterchips von weiteren ersten Trägern auf den zweiten Träger übertragen. Die weiteren ersten Träger können dabei identische oder unterschiedliche Halbleiterchips enthalten.
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Transfereinheit nach dem Montieren der Halbleiterchips regeneriert. Dies bedeutet, dass die zur Präparierung der ersten beziehungsweise zweiten Abschnitte der Transfereinheit notwendigen Schritte rückgängig gemacht werden und die Transfereinheit wieder in den Ausgangszustand zurückversetzt wird. Diese in den Ausgangszustand zurückversetzte Transfereinheit steht nun für eine weitere Anwendung des Verfahrens zur Verfügung.
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst das Verfahren die zusätzlichen Schritte des Erkennens einer ersten Markierung auf dem ersten Träger, des Erkennens einer zweiten Markierung auf der Transfereinheit und eines Ausrichtens des ersten Trägers und der Transfereinheit zueinander anhand der ersten und der zweiten Markierung. Dies ist vorteilhaft, wenn exakte Positionen der Halbleiterchips auf der Transfereinheit notwendig sind, um die Halbleiterchips anschließend auf exakte Positionen des zweiten Trägers zu übertragen.
In einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst das Verfahren den zusätzlichen Schritt des Erkennens einer dritten Markierung auf dem zweiten Träger und eines Ausrichtens des zweiten Trägers und der Transfereinheit zueinander anhand der zweiten und der dritten Markierung. Auch hier wird durch diese Verfahrensschritte die Positionssicherheit der übertragenen Halbleiterchips vergrößert, wodurch die Halbleiterchips auf exakte Positionen auf dem zweiten Träger platziert werden können. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn das Verfahren mehrfach durchgeführt werden soll und so sichergestellt werden kann, dass die Halbleiterchips in Lücken zwischen bereits übertragenen Halbleiterchips platziert werden. Außerdem ist dieses Verfahren vorteilhaft, wenn auf dem zweiten Träger bereits Leiterbahnen oder andere elektrische Kontaktierungsmög- lichkeiten vorgesehen sind, und die Halbleiterchips auf diese Kontaktierungsmöglichkeiten ausgerichtet werden sollen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Transfereinheit während der Durchführung des Verfahrens gestoppt. Während des Stopps wird der erste Träger durch einen weiteren ersten Träger ersetzt. Dadurch können identische oder unterschiedliche Halbleiterchips übertragen werden, je nachdem welche Halbleiterchips auf dem weiteren ersten Träger angeordnet sind.
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Transfereinhext gestoppt und der erste Träger während des Stopps in sei- ner Position verändert. Dies kann beispielsweise genutzt wer- den, wenn die Halbleiterchips auf dem ersten Träger mit einem geringeren Abstand angeordnet sind, als der Abstand der Halbleiterchips auf dem zweiten Träger betragen soll.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Transfereinheit nach dem Stopp zumindest teilweise rückwärts bewegt. Dies kann beispielsweise dazu genutzt werden, Halbleiterchips mittels einer ersten Teilt ansfereinheit vom ersten Träger abzunehmen und auf eine zweite Teiltrans fereinheit zu übertragen. Anschließend wird die zweite Teiltransfereinheit rückwärts bewegt. Darauf folgend können vom selben oder von einem weiteren ersten Träger weitere Halbleiterchips mittels der ersten Teiltransfereinheit aufgenommen werden und in Lü- cken zwischen den bereits auf der zweiten Teiltransfereinheit vorliegenden Halbleiterchips platziert werden. Nach optionalen weiteren Stopps und Rückläufen der zweiten Teiltransfereinheit werden dann sämtliche Halbleiterchips, die sich auf der zweiten Teiltransfereinheit befinden, auf den zweiten Träger übertragen.
Eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips weist eine Transfereinheit auf. Die Transfereinheit weist einen Aufnahmebereich und einen Abgabebereich auf. Die Transfereinheit ist eingerichtet, auf einem Träger abgewälzt zu werden, um dabei Halbleiterchips aufzunehmen und abzugeben. Dabei wird die Transfereinheit in einem Aufnahmebereich auf einem Träger abgewälzt, um Halbleiterchips aufzunehmen und in einem Abgabebereich an einem Träger abgewälzt, um Halbleiterchips abzugeben. Mit dieser Vorrichtung können mehrere Halbleiterchips gleichzeitig von einem ersten auf einen zweiten Träger übertragen werden.
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Transfereinheit eine zylindrische Walze auf. Der Aufnahmebereich und der Abgabebereich sind auf einer Mantelfläche der Walze angeordnet. Eine solche Walze stellt eine einfache Transfereinheit für eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips dar, da nur diese Walze mechanisch bewegt werden muss, um Halbleiterchips, die im Aufnahmebereich auf die Walze aufgenommen und im Abgabebereich von der Walze abgegeben werden, von einem ersten Träger auf einen zweiten Träger zu übertragen .
In einer Aus führungs form der Vorrichtung weist die Transfereinheit ein über mehrere Rollen geführtes Band auf. Der Aufnahmebereich und der Abgabebereich sind auf dem Band angeordnet. Dies ist dann vorteilhaft, wenn der Aufnahmebereich und der Abgabebereich weiter räumlich voneinander entfernt angeordnet sein sollen, als dies mit einer einfachen Walze möglich wäre. In einer Ausführungs form der Vorrichtung weist die Transfereinheit zwei Teiltransfereinheiten auf. Die Teiltransfereinheiten wiederum weisen eine zylindrische Walze und/oder ein über mehrere Rollen geführtes Band auf. Die Teiltransfereinheiten können also sowohl zwei Walzen, zwei über mehrere Rollen geführte Bänder oder jeweils eine Walze und ein Band umfassen.
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung zusätzlich eine Präparierungseinheit auf. Diese Präpa- rierungseinheit ist eingerichtet, eine Oberfläche der Transfereinheit zu strukturieren. Diese Strukturierung ist besonders vorteilhaft, wenn dadurch die Haftfähigkeit von Halbleiterchips an der Transfereinheit in unterschiedlichen Abschnitten der Transfereinheit unterschiedlich ausgestaltet wird, derart, dass Halbleiterchips in ersten Abschnitten der Transfereinheit auf der Transfereinheit haften und in zweiten Abschnitten der Transfereinheit nicht auf der Transfereinheit haften. Dadurch können mittels dieser Vorrichtung Halbleiterchips selektiv vom ersten auf den zweiten Träger übertragen werden .
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Präparie- rungseinheit eine Vorrichtung zur Aufbringung einer Oberflächenladung und eine Vorrichtung zum selektiven Entfernen der Oberflächenladung auf. Dadurch ist es möglich, die Transfereinheit so zu präparieren, dass in einzelnen Abschnitten die Halbleiterchips aufgrund der Oberflächenladung an der Transfereinheit haften und in anderen Bereichen aufgrund der entfernten Oberflächenladung die Halbleiterchips nicht an der Transfereinheit haften. Ebenso ist es möglich, dass die Haftung aufgrund der entfernten Oberflächenladung auftritt.
In einer Aus führungs form der Vorrichtung weist die Präparie- rungseinheit eine Vorrichtung zum Aufbringen einer Klebeschicht auf. Ferner weist die Präparierungseinheit eine Vorrichtung zum selektiven Verändern der Klebrigkeit der Klebeschicht auf. Durch die selektiv veränderte Klebrigkeit kann dabei wiederum erreicht werden, dass einzelne Halbleiterchips selektiv mittels der Transfereinheit übertragen werden können und an anderen Stellen keine Halbleiterchips übertragen werden .
In einer Aus führungs form der Vorrichtung weist die Präparie- rungseinheit eine Strahlungsquelle und eine Optik zum selektiven Bestrahlen der Transfereinheit auf. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Entfernung der Oberflächenladung beziehungsweise die Veränderung der Klebrigkeit mittels elektromagnetischer Strahlung erreicht werden können.
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Präparie- rungseinheit eine bewegliche Düse zum Aufbringen von Klebstoff auf. Diese Düse kann dabei gepulst betrieben werden, um in verschiedenen Abschnitten der Transfereinheit entweder eine Klebeschicht aufzubringen oder keine Klebeschicht aufzubringen. Dadurch kann wiederum eine selektive Auswahl der zu übertragenden Halbleiterchips erreicht werden.
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Präparie- rungseinheit eine Vorrichtung zum räumlichen Verschieben einer Oberfläche der Transfereinheit auf. Dadurch kann die Oberfläche der Transfereinheit in einzelnen Abschnitten räumlich verschoben werden, wodurch bei einem Abwälzen der Transfereinheit an einem Träger die Transfereinheit in diesen verschobenen, oder in den nicht verschobenen Abschnitten mit den auf dem Träger angeordneten Halbleiterchips in mechanischem Kontakt steht und in den anderen Abschnitten jeweils nicht in Kontakt mit den Halbleiterchips steht. Dadurch erfolgt eine selektive Auswahl der zu übertragenden Halbleiterchips.
In einer Aus führungs form der Vorrichtung weist die Vorrichtung zum räumlichen Verschieben der Oberfläche einen Piezo- Kristall und/oder einen hydraulischen Stempel und/oder einen pneumatischen Stempel und/oder einen elektrischen Stempel und/oder einen elektromagnetischen Stempel auf. Mit diesen genannten Vorrichtungen ist es möglich, eine Oberfläche der Transfereinheit mechanisch zu verschieben und so einzustellen, welche Teile der Oberfläche mit Halbleiterchips auf einem Träger in Kontakt stehen sollen. In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung zusätzlich einen Sensor auf, wobei dieser Sensor eingerichtet ist, eine Qualität der Halbleiterchips zu ermitteln. Der Betrieb der Pr parierungseinheit kann dann anhand dieser von dem Sensor ermittelten Qualität der Halbleiterchips er- folgen, wobei die Transfereinheit so* präpariert werden kann, dass Halbleiterchips, deren ermittelte Qualität ausreicht, durch die Übertragung ausgewählt werden.
In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrich- tung einen weiteren Sensor auf, mit dem eine Orientierung von Halbleiterchips ermittelt werden kann. Die Präparierungseinheit ist dann eingerichtet, die Transfereinheit anhand der ermittelten Orientierung von Halbleiterchips zu präparieren. In einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung eine weitere Transfereinheit auf. Diese weitere Transfereinheit weist einen weiteren Aufnahmebereich und einen weiteren Abgabebereich auf und ist ebenfalls eingerichtet, auf einem Träger abgewälzt und dabei Halbleiterchips aufzu- nehmen und abzugeben.
Bei einem Aufbau einer oder mehrerer dieser Transfereinheiten aus Teiltransfereinheiten ist es außerdem möglich, dass die zweite Teiltransfereinheit für jede Transfereinheit identisch ist. Die Halbleiterchips werden dann also auf die jeweiligen ersten Teiltransfereinheiten übertragen, von dieser jeweiligen ersten Teiltransfereinheit anschließend auf eine gemeinsame zweite Teiltransfereinheit übertragen und von der zweiten Teiltransfereinheit auf einen zweiten Träger übertragen.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel- lung
Fig. 1 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips ;
Fig. 2 eine weitere Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit Teiltransfereinheiten;
Fig. 3 und 4 unterschiedlich präparierte Abschnitte auf einer Transfereinheit;
Fig. 5 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips, bei der die Transfereinheit strukturiert werden kann;
Fig. 6 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit einem über Rollen geführten Band;
Fig. 7 und 8 einen Aufnahmebereich einer Vorrichtung zum
Übertragen von Halbleiterchips;
Fig. 9 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit piezoelektrischen Stempeln;
Fig. 10 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit einer beweglichen Düse für Klebstoff;
Fig. 11 eine einen Aufnahmebereich einer Vorrichtung zum
Übertragen von Halbleiterchips mit einem Qualitätssensor ;
Fig. 12 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit einer Regenerationseinheit;
Fig. 13 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit zwei Ursprungsträgern;
Fig. 14 eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips mit Positionssensoren;
Fig. 15 einen Abgabebereich einer Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips; und
Fig. 16 eine Draufsicht auf einen Teilbereich einer Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips .
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110. Die Halbleiterchips 110 sind auf einem ersten Träger 120 angeordnet. Die Halbleiter- chips 110 sollen vom ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130 übertragen werden.
Die Halbleiterchips 110 können im Waferverbund oder bereits vereinzelt auf dem ersten Träger 120 angeordnet sein. Wenn die Halbleiterchips 110 im Waferverbund auf dem ersten Träger vorliegen, kann es vorgesehen sein, dass im Waferverbund Sollbruchstellen für die einzelnen Halbleiterchips 110 vorliegen. Wenn die Halbleiterchips 110 bereits vereinzelt auf dem ersten Träger 120 angeordnet sind, können die Halbleiterchips 110 mit oder ohne Zwischenräumen auf dem ersten Träger 120 angeordnet sein. Es kann vorgesehen sein, dass die Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 bereits in den Abständen angeordnet sind, mit denen sie anschließend auf den zweiten Träger 130 übertragen werden sollen.
Die Halbleiterchips 110 können auf dem ersten Träger durch eine Adhäsionskraft fixiert sein. Die Adhäsionskraft kann dabei durch einen Kleber verursacht werden. Ebenso ist eine Ad- häsionskraft aufgrund einer elektrischen Aufladung der Halbleiterchips 110 und/oder des ersten Trägers 120 denkbar. Ferner kann es vorgesehen sein, dass die Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 aufliegen und lediglich durch ihre Gewichtskraft in ihrer Position gehalten werden.
Der erste Träger 120 kann starr ausgebildet sein und beispielsweise einen Wafer oder ein Plättchen umfassen. Der erste Träger 120 kann außerdem eine Folie umfassen. Die Halbleiterchips 110 können dann auf der Folie angeordnet sein. Die Folie kann dabei eine Klebefolie sein.
Der zweite Träger 130 kann ein zu bestückendes Panel, einen Leiterrahmen, einen Wafer, eine Metallkernplatine, einen Nutzen, einen PCB-Träger, eine Leiterplatte oder eine Folie auf- weisen.
Die Halbleiterchips 120 können beispielsweise optoelektronische Halbleiterchips sein, insbesondere beispielsweise Leuchtdiodenchips . Beispielsweise können die Halbleiterchips 120 Leuchtdiodenchips sein, die sich zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung, insbesondere eines Videowand-Moduls , eines Displays oder eines elektronischen Verkehrszeichens, eig- nen .
Es kann vorgesehen sein, dass die Halbleiterchips 110 so ausgebildet sind, dass die Halbleiterchips 110 verglichen mit anderen für den vorgesehenen Einsatzzweck geeigneten Halb- leiterchips dünn sind und ein geringes Gewicht aufweisen.
Die Vorrichtung 100 zum Übertragen der Halbleiterchips 110 umfasst eine Transfereinheit 140, die eine zylindrische Walze 143 mit einer Mantelfläche 148 umfasst. Die Transfereinheit 140 ist eingerichtet, die Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 aufzunehmen und auf den zweiten Träger 130 zu übertragen .
Die Walze 143 rotiert um ihre Symmetrieachse. Der erste Trä- ger 120 bewegt sich in lateraler Richtung relativ zur Walze 143. Mittels Pfeilen ist in Fig. 1 dargestellt, wie sich die genannten Bauteile während des Übertragens der Halbleiterchips 110 bewegen. Der erste Träger 120 bewegt sich relativ so zur Walze 143, dass die Bewegungsgeschwindigkeit der Man- telfläche 148 mit der Geschwindigkeit des ersten Trägers 120 übereinstimmt .
Ein Auf ahmebereich 146 der zylindrischen Walze 143 wird auf dem ersten Träger 120 abgewälzt, wodurch die Halbleiterchips 110 auf die zylindrische Walze 143 aufgenommen werden und sich anschließend auf der Mantelfläche 148 der Walze 143 befinden. Durch das Abwälzen des Aufnahmebereichs 146 der Walze 143 am ersten Träger 120 geraten die auf dem ersten Träger 120 angeordneten Halbleiterchips 110 in mechanischen Kontakt mit der Mantelfläche 148 der Walze 143. Dabei werden die
Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 gelöst und auf die Walze 143 übertragen. Durch die Drehung der Walze 143 werden die von dem ersten Träger 120 aufgenommenen Halbleiterchips 110 von dem Aufnahmebereichs 146 zu einem Abgabebereich 147 der Walze 143 befördert.
Auf einer dem ersten Träger 120 gegenüberliegenden Seite der Walze 143 ist der zweite Träger 130 angeordnet, der sich relativ zur Mantelfläche 148 mit einer der Bewegungsgeschwindigkeit der Mantelfläche 148 entsprechenden Geschwindigkeit bewegt. Die Bewegung des zweiten Trägers 130 ist in Fig. 1 wiederum durch einen Pfeil angedeutet.
Durch Abwälzen des Abgabebereichs 147 der Walze 143 an dem zweiten Träger 130 werden die Halbleiterchips 110 von der Mantelfläche 148 gelöst und auf den zweiten Träger 130 übertragen. Durch das Abwälzen des Abgabebereichs 147 der Walze 143 am zweiten Träger 130 geraten die auf der Mantelfläche 148 der Walze 143 angeordneten Halbleiterchips 110 in mechanischen Kontakt mit dem zweiten Träger 130. Dabei werden die Halbleiterchips 110 von der Walze 143 gelöst und auf den zweiten Träger 130 übertragen.
Die Vorrichtung 100 ermöglicht demnach die Durchführung eines Verfahrens zum Montieren von Halbleiterchips 110, bei dem Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Transfereinheit 140 übertragen werden, indem der Aufnahmebereich 146 der Walze 143 der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die von der Transfereinheit 140 aufgenommenen Halbleiterchips 110 durch die Rotation der Walze 143 vom Aufnahmebereich 146 zum Abgabebereich 147 transportiert. Dann werden die Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zweiten Träger 130 übertragen, indem der Abgabebereich 147 der Walze 143 der Transfereinheit 140 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird.
Der Aufnahmebereich 146 wird dabei zu jedem Zeitpunkt durch den Teil der Mantelfläche 148 gebildet, der gerade am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Der Abgabebereich 147 ist zu jedem Zeitpunkt der Teil der Mantelfläche 148, der gerade am zweiten Träger 130 abgewälzt wird. Beim Abwälzen wird die Mantelfläche 148 mit der Geschwindigkeit des ersten Trägers 120 beziehungsweise des zweiten Trägers 130 an dem ersten Träger 120 beziehungsweise dem zweiten Träger 130 vorbeigeführt.
Damit die Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf den zweiten Träger 130 übertragen werden können, ist es zweckmäßig, dass die Haftkraft der Halbleiterchips 110 auf dem ers- ten Träger 120 kleiner ist als die Haftkraft der Halbleiterchips 110 an der Mantelfläche 148 der zylindrischen Walze 143. Ferner ist es zweckmäßig, dass die Haftkraft der Halbleiterchips 110 am zweiten Träger 130 größer ist als die Haftkraft der Halbleiterchips 110 an der Mantelfläche 148 der zylindrischen Walze 143.
Es kann vorgesehen sein, dass bereits die auf dem ersten Träger 120 angeordneten Halbleiterchips 110 ein Lotmaterial oder einen Klebstoff oder ein anderes Verbindungsmaterial aufwei- sen, mit dem sie anschließend am zweiten Träger 130 befestigt werden können. Dabei ist es zweckmäßig, wenn das Lotmaterial, der Klebstoff oder das andere Verbindungsmaterial auf der Seite der Halbleiterchips 110 angeordnet ist, die nach dem Übertragen der Halbleiterchips 110 auf den zweiten Träger 130 dem zweiten Träger 130 zugewandt ist.
Wenn der zweite Träger 130 als Folie ausgebildet ist, kann es vorgesehen sein, dass die Folie mit den Halbleiterchips 110, nachdem die Halbleiterchips 110 auf die Folie übertragen wur- den, so auf eine Leiterplatte oder einen anderen Träger aufgelegt wird, dass die Halbleiterchips 110 zwischen der Folie und der Leiterplatte oder dem anderen Träger angeordnet sind. Die Folie kann anschließend von den Halbleiterchips 110 abgezogen wird, wobei die Halbleiterchips 110 auf der Leiterplat- te oder dem anderen Träger verbleiben.
Nachfolgend werden weitere Aus führungsbeispiele von Vorrichtungen zum Übertragen von Halbleiterchips beschrieben. Kompo- nenten der nachfolgend beschriebenen Aus führungsbeispiele , die bei der Vorrichtung 100 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in den weiteren Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Fig. 1. Die vorstehende Beschreibung trifft insoweit auch auf die nachfolgenden Aus führungsbeispiele zu. Die im Folgenden beschriebenen Beispiele können untereinander und mit dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 kombiniert werden. Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130. Der erste Träger 120 und der zweite Träger 130 entsprechen dabei den Trägern der Fig. 1. Eine Transfereinheit 140 der weiteren Vorrichtung 100 der Fig. 2 ist aus einer ersten Teiltransfereinheit 141 und einer zweiten Teiltransfereinheit 142 aufgebaut.
Die erste Teiltransfereinheit 141 entspricht dabei der Transfereinheit 140 der Fig. 1, da sie ebenfalls eine zylindrische Walze 143 mit einer Mantelfläche 148 umfasst. Die Walze 143 rotiert um ihre Symmetrieachse. Der erste Träger 120 bewegt sich in lateraler Richtung relativ zur Walze 143. Mittels Pfeilen ist die Bewegung der genannten Bauteile während des Übertragens der Halbleiterchips 110 dargestellt. Der erste Träger 120 bewegt sich relativ so zur Walze 143, dass die Bewegungsgeschwindigkeit der Mantelfläche 148 mit der Geschwindigkeit des ersten Trägers 120 übereinstimmt.
Die zweite Teiltransfereinheit 142 umfasst ein über Rollen 145 in einer geschlossenen Bahn geführtes Band 144. Die Bewegungsrichtungen des ersten Trägers 120, der Walze 143, des Bandes 144, der Rollen 145 und des zweiten Trägers 130 sind in Fig. 2 mit Pfeilen dargestellt. Das Band 144 bewegt sich mit einer Geschwindigkeit relativ zur Walze 143 der ersten Teiltransfereinheit 141, die der Geschwindigkeit der Mantelfläche 148 der Walze 143 entspricht. Außerdem stimmt die Bewegungsgeschwindigkeit des Bands 144 mit der Bewegungsgeschwindigkeit des zweiten Trägers 130 überein. Der Aufnahmebereich 146 der Mantelfläche 148 der Walze 143 wird am ersten Träger 120 abgewälzt, wodurch die Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Mantelfläche 148 übertragen werden und sich anschließend auf der Mantelfläche 148 befinden. Durch das Abwälzen des Aufnahmebereichs 146 der Walze 143 am ersten Träger 120 geraten die auf dem ersten Träger 120 angeordneten Halbleiterchips 110 in mechanischen Kontakt mit der Mantelfläche 148 der Walze 143. Dabei werden die Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 gelöst und auf die Walze 143 übertragen.
Durch die Drehung der Walze 143 werden die von dem ersten Träger 120 aufgenommenen Halbleiterchips 110 von dem Aufnah- mebereichs 146 zu einem Übergabebereich 149 der Walze 143 befördert.
Der Übergabebereich 149 der Walze 143 wird an dem Band 144 abgewälzt. Dabei werden die Halbleiterchips 110 von der Walze 143 auf das Band 144 und damit von der ersten Teiltransfereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 übertragen .
Durch die Bewegung des Bands 144 werden die auf dem Band 144 aufgenommenen Halbleiterchips 110 zu einem Abgabebereich 147 befördert .
An einer der Rollen 145 wird der Abgabebereich 147 an dem zweiten Träger 130 abgewälzt, wobei die Halbleiterchips 110 auf den zweiten Träger 130 übertragen werden. Die Halbleiterchips 110 werden also vom ersten Träger 120 auf die erste Teiltransfereinheit 141, von dort auf die zweite Teiltransfereinheit 142 und von dort auf den zweiten Träger 130 übertragen .
Die in Fig. 2 dargestellte Vorrichtung 100 ermöglicht damit die Durchführung eines Verfahrens zum Montieren von Halbleiterchips 110, bei dem Halbleiterchips 110 vom ersten Trä- ger 120 auf die Transfereinheit 140 übertragen werden, indem der Aufnahmebereich 146 der Walze 143 der ersten Teiltransfereinheit 141 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die Halbleiterchips 110 von der ersten Teiltrans- fereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 übertragen, indem ein Übergabebereich 149 der Walze 143 der ersten Teiltransfereinheit 141 an dem Band 144 der zweiten Teiltransfereinheit 142 abgewälzt wird. Durch die Drehung der Walze 143, die Übertragung der Halbleiterchips 110 von der ersten Teiltransfereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 und die Bewegung des Bands 144 werden die Halbleiterchips 110 vom Aufnahmebereich 146 zum Abgabebereich 147 der Transfereinheit 140 transportiert. Dann werden die Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zwei- ten Träger 130 übertragen, indem der Abgabebereich 147 des Bands 144 der zweiten Teiltransfereinheit 142 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird.
Anstelle der in Fig. 2 dargestellten, kontinuierlichen Über- tragung der Halbleiterchips 110 kann es auch vorgesehen sein, dass nur wenige Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 entnommen werden. In diesem Fall kann die Aufnahme der Halbleiterchips 110 durch die erste Teiltransfereinheit 141 beendet sein, bevor die ersten Halbleiterchips 110 den Abgabebe- reich 147 der zweiten Teiltransfereinheit 142 erreichen.
Die Halbleiterchips 110 werden bei dem anhand der Fig. 2 beschriebenen Verfahren beim Übertragen von der ersten
Teiltransfereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 gewendet. Dies wird in Fig. 2 dadurch deutlich, dass die ursprünglich dem ersten Träger 120 abgewandte Seite der Halbleiterchips 110 nach der Übertragung der Halbleiterchips 110 auf den zweiten Träger 130 die dem zweiten Träger 130 zugewandte Seite der Halbleiterchips 110 bildet. Dies ist beson- ders vorteilhaft, wenn ein eventuell vorgesehener Klebstoff oder ein eventuell vorgesehenes Lot auf die Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 aufgebracht werden soll, da dies auf der freiliegenden Seite der Halbleiterchips 110 erfolgen kann.
Bei den anhand der Figuren 1 und 2 beschriebenen Verfahren kann es vorgesehen sein, dass vor dem Abwälzen der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 eine Haftkraft der Halbleiterchips 110 am ersten Träger 120 reduziert wird, beispielsweise durch Erwärmen des ersten Trägers 120 oder durch Bestrahlen des ersten Trägers 120 mit sichtbarem Licht oder UV-Strahlung. Dadurch haften die Halbleiterchips 110 besser an der Transfereinheit 140 als am ersten Träger 120, wodurch das Übertragen der Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Transfereinheit 140 verbessert wird. Ebenso kann es vorgesehen sein, dass vor dem Abwälzen der
Transfereinheit 140 am zweiten Träger 130 eine Haftkraft der Halbleiterchips 110 an der Transfereinheit 140 reduziert wird, beispielsweise durch Erwärmen der Transfereinheit 140 oder durch Bestrahlen der Transfereinheit 140 mit sichtbarem Licht oder UV-Strahlung. Dadurch haften die Halbleiterchips 110 besser am zweiten Träger 130 als an der Transfereinheit 140, wodurch das Übertragen der Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zweiten Träger 130 verbessert wird .
Bei dem anhand der Figur 2 beschriebenen Verfahren kann eine Verringerung einer Haftkraft zwischen der ersten Teiltransfereinheit 141 und den Halbleiterchips 110 ebenfalls beispielsweise durch Erwärmen der ersten Teiltransfereinheit 141 oder durch Bestrahlen der ersten Teiltransfereinheit 141 mit sichtbarem Licht oder UV-Strahlung erreicht werden und dadurch das Übertragen der Halbleiterchips 110 von der ersten Teiltransfereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 während des Abwälzens der ersten Teiltransfereinheit 141 an der zweiten Teiltransfereinheit 142 verbessert werden.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf einen Ausschnitt der Mantelfläche 148 der zylindrischen Walze 143 der vorherigen Figu- ren. Auf der Mantelfläche sind erste Abschnitte 151 und zweite Abschnitte 152 ausgebildet. Die ersten Abschnitte 151 und die zweiten Abschnitte 152 der Mantelfläche 148 der Transfereinheit 140 werden unterschiedlich präpariert. Beispiele für verschiedene Methoden, die Abschnitte 151, 152 zu präparieren, werden in folgenden Aus führungsbeispielen erläutert. Die Präparierung erfolgt derart, dass Halbleiterchips 110 nur auf die ersten Abschnitte 151 und nicht auf die zweiten Abschnitte 152 übertragen werden können. Dies kann dadurch er- folgen, dass die Haftkraft der Halbleiterchips 110 an den ersten Abschnitten 151 und den zweiten Abschnitten 152 unterschiedlich ist. Solche unterschiedlichen Haftkräfte können beispielsweise aufgrund von Ladungen, Klebstoffschichten oder durch eine mechanische Verschiebung einer Oberfläche der Transfereinheit 140 auftreten.
In Fig. 3 dargestellt sind quadratische erste und zweite Abschnitte 151, 152, die jeweils nicht aneinander angrenzen. Auch andere geometrische Formen der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 sind denkbar, beispielsweise Rechtecke, Rauten, Kreise, Ovale, Dreiecke, Sechsecke und Hexagone .
Ebenso sind aneinander angrenzende Abschnitte 151, 152 denkbar. Formen, Größen und Abstände der Abschnitte 151, 152 können an die Formen, Größen und Abstände der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 angepasst werden. Ferner können sich die Formen der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 an verschiedenen Positionen der Walze 143 voneinander unterscheiden . Fig. 4 zeigt den Ausschnitt der Mantelfläche 148 der Walze
143 der Fig. 3, nachdem die Walze 143 Transfereinheit 140 an dem ersten Träger 120 abgewälzt wurde. In den ersten Abschnitten 151 befinden sich nun Halbleiterchips 110, die beim Abwälzen der Walze 143 an dem ersten Träger 120 von der Walze 143 aufgenommen wurden. In den zweiten Abschnitten 152 befinden sich keine Halbleiterchips 110, da die Haftkraft in den zweiten Abschnitten 152 nicht ausgereicht hat, um Halbleiterchips 110 aufzunehmen. Anstatt auf der Mantelfläche 148 der zylindrischen Walze 143 können die ersten Abschnitte 151 und die zweiten Abschnitte 152 auch auf einem über Rollen 145 geführten Band 144 präpa- riert werden, das einen Teil einer- Transfereinheit 140 bildet .
Die unterschiedliche Präparierung der ersten Abschnitte 151 und der zweiten Abschnitte 152 der Figuren 3 und 4 kann anhand einer Vorauswahl der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 erfolgen. Beim Abwälzen des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger werden dann nur die vorausgewählten Halbleiterchips 110 auf die Transfereinheit 140 übertragen, da die Halbleiterchips 110 nur an den aufgrund der Vorauswahl präparierten ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140 haften. Die Haftung zwischen den Halbleiterchips 110 und den zweiten Abschnitten 152 ist so gering, dass während des Ab- wälzens des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger 120 keine Halbleiterchips 110 auf die aufgrund der Vorauswahl der Halbleiterchips 110 präparierten zweiten Abschnitte 152 übertragen werden.
Die Vorauswahl der Halbleiterchips 110, die von dem ersten Träger 120 auf die ersten Abschnitte 151 übertragen werden, kann auf Grundlage einer in einem vorhergehenden Verfahrensschritt ermittelten Qualität der Halbleiterchips 110 erfolgen, wie nachfolgend noch beschrieben wird.
Alternativ oder zusätzlich zur Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 auf der Transfereinheit 140 kann es vorgesehen sein, dass eine Haftkraft, mit der die Halbleiterchips 110 am ersten Träger 120 anhaften, selektiv verändert wird, beispielsweise durch selektives Erwärmen des ersten Trägers 120 oder durch selektives Bestrahlen des ers- ten Trägers 120 mit sichtbarem Licht oder UV-Strahlung. Die Veränderung kann dabei eine Reduzierung oder eine Erhöhung der Haftkraft sein. Dadurch haften unterschiedliche Halbleiterchips 110 unterschiedlich stark am ersten Träger 120. An ersten Stellen des ersten Trägers 120 haften die Halbleiterchips 110 beispielsweise weniger stark am ersten Träger 120 als an zweiten Stellen des ersten Trägers 120. Die Haftkraft der Halbeiterchips 110 an den ersten Stellen des ersten Trägers 120 ist dabei geringer als die Haftkraft zwischen Halbleiterchips 110 und Transfereinheit 140. Die Haftkraft der Halbeiterchips 110 an den zweiten Stellen des ersten Trägers 120 ist dabei größer als die Haftkraft zwischen Halbleiterchips 110 und Transfereinheit 140.
Wenn die Transfereinheit 140 dann am ersten Träger 120 abgewälzt wird, werden die Halbleiterchips 110 von den ersten Stellen des ersten Trägers 120 aufgrund der größeren Haftkraft zwischen den Halbleiterchips 110 und der Transferein- heit 140 auf die Transfereinheit 140 übertragen, während die Halbleiterchips 110, die an den zweiten Stellen des ersten Trägers 120 angeordnet sind, aufgrund der größeren Haftkraft zwischen Halbleiterchips 110 und erstem Träger 120 am ersten Träger 120 verbleiben. Hierdurch wird eine selektive Übertra- gung der Halbleiterchip 110 auf die Transfereinheit ermöglicht .
Ferner ist es möglich, dass die ersten Stellen des ersten Trägers 120 und erste Abschnitte 151 der Transfereinheit 140, die analog zu den Figuren 3 und 4 erzeugt wurden, einander während des Abwälzens der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 gegenüberliegen und dadurch das selektive Übertragen der Halbleiterchips 110 auf die Transfereinheit 140 weiter verbessert wird.
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130, die in Aufbau und Funktion grundsätzlich der Vorrichtung 100 der Fig. 1 entspricht. Zu- sätzlich umfasst die Vorrichtung 100 eine Präparierungsein- heit 160, die dazu vorgesehen ist, erste Abschnitte 151 und zweite Abschnitte 152, wie in Fig. 3 und Fig. 4 dargestellt, zu präparieren. Die Präparierungseinheit 160 umfasst eine Vorrichtung 161 zur Aufbringung einer Oberflächenladung und eine Vorrichtung 162 zum selektiven Entfernen der Oberflächenladung. Durch die Vorrichtung 161 zur Aufbringung einer Oberflächenladung wird auf die Mantelfläche 148 der zylindrischen Walze 143 eine Oberflächenladung aufgebracht. Die Vorrichtung 162 zum selektiven Entfernen der Oberflächenladung ist als Laser ausgebildet, wobei ein Laserstrahl 167 von der Vorrichtung 162 zum selektiven Entfernen der Oberflächenladung auf die Mantelfläche 148 der Walze gerichtet werden kann.
Mittels einer nicht dargestellten Ablenkeinheit kann der Laserstrahl 167 auf verschiedene Orte der Mantelfläche 148 ge- lenkt werden. Dabei trifft der Laserstrahl 167 nicht auf die gesamte Mantelfläche 148 auf, sondern wird nur auf Teilbereiche der Mantelfläche 148 gelenkt. Die Halbleiterchips 110 können dabei abhängig vom Material der Transfereinheit 140 und vom Material der Halbleiterchips 110 entweder in Teilbe- reichen mit Oberflächenladung oder Teilbereichen ohne Oberflächenladung an der Transfereinheit 140 haften. Je nachdem, an welchen Teilbereichen die Halbleiterchips 110 haften, sind diese die ersten Abschnitte 151, die für die Übertragung der Halbleiterchips 110 eingerichtet sind.
Es ist also möglich, dass die Halbleiterchips 110 in den Teilbereichen der Transfereinheit 140 haften, die weiterhin eine Obe flächenladung aufweisen. In diesem Fall wird der Laserstrahl 167 auf die zweiten Abschnitte 152 gelenkt, um in den zweiten Abschnitten 152 die Oberflächenladung zu entfernen .
Ebenso kann es sein, das die Halbleiterchips 110 in den Teilbereichen der Transfereinheit 140 haften, in denen keine Oberflächenladung vorliegt. In diesem Fall wird der Laserstrahl 167 auf die ersten Abschnitte 151 gelenkt, um in den ersten Abschnitten 151 die Oberflächenladung zu entfernen. In beiden Fällen haften die Halbleiterchips 110 dann an den ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140.
Durch das selektive Entfernen der Oberflächenladung mittels Laserstrahl 167 entsteht also eine Anordnung von ersten und zweiten Abschnitten 151, 152 analog zu den Figuren 3 beziehungsweise 4. Dadurch ergeben sich während des Übertragungsvorganges der Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf den zweiten Träger 130 Lücken an den Stellen, an denen die Mantelfläche 148 während des Übertragungsvorgangs einen zweiten Abschnitt 152 aufgewiesen hat. Es werden somit nicht sämtliche Halbleiterchips 110 des ersten Trägers 120 übertragen. Einige auf dem ersten Träger 120 angeordnete Halbleiterchips 110 können ausgelassen und auf dem ersten Träger 120 belassen werden.
Es kann vorgesehen sein, dass die Halbleiterchips 110 eine Schicht oder einen Bereich aufweisen, der elektrostatisch aufgeladen werden kann. Dadurch kann die Haftung der Halb- leiterchips 110 an der Transfereinheit 140 verbessert werden, insbesondere wenn die Oberflächenladung auf der Transfereinheit 140 in den ersten Abschnitten 151 und die elektrostatische Ladung der Halbleiterchips 110 unterschiedliche Vorzeichen aufweisen. Alternativ dazu kann es vorgesehen sein, dass die zweiten Abschnitte 152 der Transfereinheit 140 eine Oberflächenladung mit einem identischen Vorzeichen zur elektrostatischen Ladung der Halbleiterchips 110 aufweisen und dadurch eine elektrische Abstoßung zwischen den zweiten Abschnitten 152 der Transfereinheit 140 und den Halbleiterchips 110 vorliegt. Zwischen ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140 ohne Oberflächenladung und den Halbleiterchips 110 liegt dann eine elektrische Anziehung zwischen den ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140 und den Halbleiterchips 110 vor, so dass die Halbleiterchips 110 an den ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140 haften. In beiden
Fällen werden die Halbleiterchips 110 selektiv auf die ersten Abschnitte 151 der Transfereinheit 140 beim Abwälzen des Auf- nahmebereichs 146 der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 übertragen.
Fig. 6 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausfüh- rungsbeispiel einer Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130.
Die Transfereinheit 140 weist dabei ein über mehrere Rollen 145 geführtes Band 144 auf. Das Band 144 wird nicht auf einer geschlossenen Bahn geführt. Stattdessen stellt eine Vorratsrolle 153 das Band 144 als Verbrauchsmaterial für den Über- . tragungsvorgang zur Verfügung. Nachdem das Band 144 die
Transfereinheit 140 durchlaufen hat, wird das Band 144 auf einer Aufnahmerolle 154 aufgewickelt. Mit Pfeilen sind die Drehrichtungen der Rollen 145 und die Bewegungsrichtung des Bandes 144 dargestellt, wobei die Relativgeschwindigkeiten von Band 144, erstem Träger 120 und zweitem Träger 130 wiederum übereinstimmen. Selbstverständlich ist alternativ auch die Verwendung eines auf einer geschlossenen Bahn geführten Bands möglich.
Ein Aufnahmebereich 146 des Bands 144 wird an einem ersten Träger 120 abgewälzt. Der Aufnahmebereich 146 ist damit zu jedem Zeitpunkt der Teil des Bandes 144, der gerade am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Beim Abwälzen wird das Band 144 mit der Geschwindigkeit des ersten Trägers 120 am ersten Träger 120 vorbeigeführt. Während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 des Bands 144 am ersten Träger 120 werden Halb- leiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf das Band 144 übertragen, wobei das Band 144 Teil der Transfereinheit 140 ist. Anschließend werden die Halbleiterchips 110 durch eine Bewegung des Bands 144 vom Aufnahmebereich 146 zu einem Abgabebereich transportiert.
Der Abgabebereich 147 des Bands 144 wird an einem zweiten Träger 130 abgewälzt. Der Abgabebereich 147 ist damit zu jedem Zeitpunkt der Teil des Bandes 144, der gerade am zweiten Träger 130 abgewälzt wird. Beim Abwälzen wird das Band 144 mit der Geschwindigkeit des zweiten Trägers 130 am zweiten Träger 130 vorbeigeführt. Während des Abwälzens des Abgabebereichs 147 des Bands 144 am zweiten Träger 130 werden Halb- leiterchips 110 vom Band 144 auf den zweiten Träger 130 übertragen .
Die Vorrichtung 100 der Fig. 6 weist ferner eine Präparie- rungseinheit 160 auf, die eingerichtet ist, das Band 144 se- lektiv aufzuladen. Dies kann beispielsweise analog zur Fig. 5 mittels einer Vorrichtung 161 zur Aufbringung einer Oberflächenladung und einem anschließenden selektiven Entfernen der Oberflächenladung mittels Beleuchtung erfolgen. Sämtliche dazu notwendige Bauteile können in die Präparierungseinheit 160 integriert sein. Durch die Präparierungseinheit 160 werden wiederum erste und zweite Abschnitte 151, 152 auf dem Band 144 präpariert, wobei die Halbleiterchips 110 ausschließlich in den ersten Abschnitten 151 übertragen werden. Die Präparierung der Abschnitte 151, 152 erfolgt dabei analog zu den Figuren 3 und 4 und kann anhand einer Vorauswahl der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 erfolgen. Beim Abwälzen des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger werden dann nur die vorausgewählten Halbleiterchips 110 auf die Transfereinheit 140 übertragen, da die Halbleiterchips 110 nur an den aufgrund der Vorauswahl präparierten ersten Abschnitten 151 der Transfereinheit 140 haften. Die Haftung zwischen den Halbleiterchips 110 und den zweiten Abschnitten 152 ist so gering, dass während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger 120 keine Halbleiterchips 110 auf die auf- grund der Vorauswahl der Halbleiterchips 110 präparierten zweiten Abschnitte 152 übertragen werden.
Die Vorauswahl der Halbleiterchips 110, die von dem ersten Träger 120 auf die ersten Abschnitte 151 übertragen werden, kann auf Grundlage einer in einem vorhergehenden Verfahrensschritt ermittelten Qualität der Halbleiterchips 110 erfolgen, wie nachfolgend noch beschrieben wird. Die in Fig. 6 gezeigte Vorrichtung 100 ermöglicht die Durchführung eines Verfahrens zum Montieren von Halbleiterchips 110, bei dem Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Transfereinheit 140 übertragen werden, indem der Aufnahmebereich 146 des Bands 144 der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die von der Transfereinheit 140 aufgenommenen Halbleiterchips 110 durch die Bewegung des Bands 144 vom Aufnahmebereich 146 zum Abgabebereich 147 transportiert. Dann werden die Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zweiten Träger 130 übertragen, indem der Abgabebereich 147 des Bands 144 der Transfereinheit 140 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird.
In einem weiteren, in den Figuren nicht dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Präparierungseinheit 160 eingerichtet, eine Klebeschicht auf die Transfereinheit 140 aufzubringen und anschließend eine Klebrigkeit der Klebeschicht in den ersten oder in den zweiten Abschnitten 151, 152 durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung relativ zueinander zu ändern. Dies erfolgt derart, dass die Klebrigkeit in den ersten Abschnitten 151 größer ist als die Klebrigkeit in den zweiten Abschnitten 152. Anstelle einer Oberflächenladung wird also eine Klebeschicht auf die Transfereinheit 140 aufgebracht und anschließend selektiv die Klebrigkeit dieser Klebeschicht verändert.
In einem weiteren, in den Figuren nicht dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Präparierungseinheit 160 eingerichtet, durch elektromagnetische Strahlung eine Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit 140 zu verändern. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass eine Materialschicht der Transfereinheit 140 aufquillt und nur die aufgequollenen Bereiche der Materialschicht im Aufnahmebereich 146 in mechanischen Kontakt mit den Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 treten. Aufgequollene Bereiche bilden also die ersten Abschnitte 151. Somit werden nur die Halbleiterchips, die an die aufgequollene Materialschicht angrenzen, übertragen. An den Stellen, an denen die Materialschicht nicht aufgequollen ist, tritt die Transfereinheit 140 nicht in mechanischen Kontakt mit den Halbleiterchips 110, sodass keine Halbleiterchips 110 aufgenommen werden. Damit bilden die nicht aufgequollenen Bereiche die zweiten Abschnitte 152.
Die beiden voranstehenden Ausführungsbeispiele können auch so kombiniert werden, dass durch das Bestrahlen mit elektromagnetischer Strahlung sowohl die Klebrigkeit einer Klebeschicht als auch die Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit 140 verändert werden und die Halbleiterchips 110 in den ersten Abschnitten 151 sowohl aufgrund der veränderten Klebrigkeit als auch aufgrund der veränderten Dicke der Materialschicht haften. In einigen Ausführungsformen ist die Präparierungseinheit 160 eingerichtet, die einzelnen ersten Abschnitte 151 beziehungsweise die einzelnen zweiten Abschnitte 152 sequentiell nacheinander zu präparieren. Dies kann beispielsweise mittels eines Lasers und eines Dreh- oder Kippspiegels erfolgen, wobei der Laser an- und ausgeschaltet wird und durch die Bewegung des Spiegels und das An- und Ausschalten des Lasers selektiert werden kann, auf welche Abschnitte 151, 152 der Laserstrahl auftrifft. In anderen Ausführungsformen werden mehrere erste Abschnitte 151 beziehungsweise mehrere zweite Abschnitte 152 gleichzeitig präpariert. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass mehrere Lichtquellen in einem Array angeordnet sind, und mehrere Lichtquellen parallel gleichzeitig betrieben werden, um die Transfereinheit 140 mit elektromagnetischer Strahlung zu bestrahlen.
In einem Aus führungsbeispiel wird eine Oberfläche der Transfereinheit 140 in den ersten Abschnitten 151 beziehungsweise den zweiten Abschnitten 152 durch die Präparierung derart verschoben, dass die ersten Abschnitte 151 im Aufnahmebereich 146 bezüglich der zweiten Abschnitte 152 erhaben sind. Dies kann beispielsweise mittels einer mechanischen Verschiebung erfolgen. In diesem Fall treten wiederum nur die erhabenen ersten Abschnitte 151 mit den Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 in mechanischen Kontakt. In einem Aus führungsbeispiel wird eine Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit 140 bei der Präparierung durch eine mechanische Einwirkung in den ersten Abschnitten 151 o- der in den zweiten Abschnitten 152 verändert, wodurch wiederum nur die ersten Abschnitte im Aufnahmebereich 146 mit den Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 in mechanischen Kontakt treten. Dies kann beispielsweise durch einen mechanischen Umformprozess wie beispielsweise Schmieden, Eindrücken oder Stauchen, oder durch einen mechanischen Trennprozess wie beispielsweise Fräsen oder Hobeln erfolgen.
Figuren 7 und 8 zeigen Querschnitte durch ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen Teilbereich einer Transfereinheit 140 im Bereich des Aufnahmebereichs 146. Die Transfereinheit 140 umfasst dabei ein über Rollen 145 geführtes Band 144. In den Figuren 7 und 8 ist nur ein Teilbereich des Bandes 144 dargestellt. Das Band 144 ist über zwei Rollen 145 geführt. Im Bereich der Rollen ist das Band 145 gekrümmt, zwischen den Rollen 145 verläuft das Band 144 linear. Der restliche, nicht dargestellte Bereich des Bandes 144 kann analog zu den Figuren 2 oder 6 einen Abgabebereich 147 aufweisen, der an einem nicht dargestellten zweiten Träger 130 abgewälzt werden kann, um Halbleiterchips 110 vom Band 144 auf den zweiten Träger 130 zu übertragen. Das über die Rollen 145 geführte Band 144 bildet in diesem Fall die Transfereinheit 140. Alternativ kann das Band 144 einen Übergabebereich 149 aufweisen, an dem das Band 144 an einem weiteren, nicht dargestellten Band oder an einer nicht dargestellten Walze abgewälzt werden kann, um die Halbleiterchips 110 auf das weitere Band oder die Walze zu übertragen. Das über die Rollen 145 geführte Band 144, dessen Teilbereich in den Figuren 7 und 8 dargestellt ist, ist in diesem Fall Bestandteil einer ersten Teiltransfereinheit 141, die Teil der Transfereinheit 140 ist. Das weitere Band oder die Walze sind dann Bestandteil einer zweiten Teiltransfereinheit 142, die ebenfalls zur Transfereinheit 140 zugeordnet ist. Halbleiterchips 110 sind auf einem ersten Träger 120 angeordnet, der parallel zu dem zwischen den Rollen 145 verlaufenden Abschnitt des Bands 144 angeordnet ist.
Ein Aufnahmebereich 146 des Bandes 144 wird zwischen den zwei in den Figuren 7 und 8 dargestellten Rollen 145 am ersten Träger 120 abgewälzt. Dazu wird das Band 144 zwischen den Rollen 145 parallel zum ersten Träger 120 geführt. Der erste Träger 120 bewegt sich dabei in laterale Richtung mit der gleichen Geschwindigkeit wie das Band 144. Die Bewegungsrich- tung ist in den Figuren 7 und 8 mittels Pfeilen dargestellt.
Zwischen den beiden Rollen ist eine Präparierungseinheit 160 mit einem Stempel 164 angeordnet. Wie Fig. 8 zeigt, kann der Stempel 164 in Richtung der Halbleiterchips 110 bewegt wer- den, um über vorausgewählten Halbleiterchips 110 angeordnete erste Abschnitte 151 des Bands 144 lokal an einen oder mehrere auf dem ersten Träger 120 angeordnete Halbleiterchips 110 anzudrücken. Dadurch werden die ersten Abschnitte 151 des Bands 144 mit den vorausgewählten Halbleiterchips 110 in Kon- takt gebracht und bleiben an diesen Halbleiterchips 110 haften. Die über nicht-vorausgewählten Halbleiterchips 110 angeordneten zweiten Abschnitte 152 des Bands 144 werden nicht durch den Stempel 164 an Halbleiterchips 110 angedrückt. Der Stempel 164 verschiebt also eine den Halbleiterchips 110 zu- gewandte Oberfläche des Bands 144 durch mechanische Einwirkung räumlich so, dass die ersten Abschnitte 151 des Bands 144, bezogen auf die Normale des Aufnahmebereichs 146, gegenüber den zweiten Abschnitte 152 erhaben sind. An der in Verlaufsrichtung des Bands 144 hinteren Rolle 145 werden die vorausgewählten Halbleiterchips 110 von dem ersten Träger 120 abgehoben. Dadurch werden die vorausgewählten Halbleiterchips 110 von dem ersten Träger 120 auf das Band
144 der Transfereinheit 140 übertragen.
Die Vorauswahl der Halbleiterchips 110, die von dem ersten Träger 120 auf das Band 144 der Transfereinheit 140 übertragen werden, kann auf Grundlage einer in einem vorhergehenden Verfahrensschritt ermittelten Qualität der Halbleiterchips 110 erfolgen, wie nachfolgend noch beschrieben wird. Der Stempel 164 kann beispielsweise einen Piezo-Kristall umfassen oder als hydraulischer Stempel, als pneumatischer Stempel, als elektrischer Stempel oder als elektromagnetischer Stempel ausgebildet sein. Das Band 144 kann durch den Stempel 164 elastisch oder inelastisch verformt werden. Im Fall einer elastischen Verformung des Bands 144 können die ersten Abschnitte 151' des Bands 144, anders als in Fig. 8 dargestellt, bereits vor dem Erreichen der in Verlaufsrichtung des Bands 144 hinteren Rol- le 145 elastisch in ihre Ausgangslage zurückkehren und dabei die vorausgewählten Halbleiterchips 110 von dem ersten Träger 120 abheben.
Der in den Figuren 7 und 8 gezeigte Teilbereich der Vorrich- tung 100 ermöglicht das Übertragen von Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf das Band 144 der Transfereinheit 140, indem der Aufnahmebereich 146 des Bands 144 der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die von der Transfereinheit 140 aufgenommenen Halbleiterchips 110 durch die Bewegung des Bands 144 vom Aufnahmebereich 146 zum nicht dargestellten Abgabebereich 147 oder zum Übergabebereich 149 transportiert und können dort entweder auf den zweiten Träger 130 oder ein weiteres Band
145 oder eine Walze 143 übertragen werden, wobei das weitere Band 145 oder die Walze 143 eine zweite Teiltransfereinheit
142 bilden. Abweichend von der Darstellung der Figuren 7 und 8 kann vorgesehen sein, dass das Band 144 zwischen den Rollen 145 mit allen Halbleiterchips 110 in mechanischem Kontakt steht. Dabei besteht zunächst keine zur Übertragung der Halbleiterchips 110 von dem ersten Träger 120 auf das Band 144 der Transfereinheit 140 ausreichende Haftung. In diesem Fall kann der Stempel 164 über vorausgewählten Halbleiterchips 110 angeordnete erste Abschnitte 151 des Bands 144 lokal an einen oder mehrere auf dem ersten Träger 120 angeordnete Halbleiterchips 110 anzudrücken, um die Haftung zwischen dem Band 144 und den vorausgewählten Halbleiterchips 110 auf einen für die Übertragung . notwendigen Wert zu erhöhen. Das Band 144 o- der die Halbleiterchips 110 können hierbei nötigenfalls eine Haftbeschichtung aufweisen, deren Haftkraft durch das Andrücken verstärkt werden kann.
Wenn der erste Träger 120 aus einer dünnen Folie besteht, kann es außerdem vorgesehen sein, dass die Präparierungsein- heit 160 mit dem Stempel 164 unterhalb des ersten Trägers 120, also auf der dem Band 144 abgewandten Seite des ersten Trägers 120, angeordnet ist und die vorausgewählten Halbleiterchips 110 in Richtung des Bandes 144 drückt und so den Transfer der vorausgewählten Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf das Band 144 ermöglicht. Ebenfalls ist es denkbar, sowohl oberhalb als auch unterhalb des Bandes 144 jeweils eine Präparierungseinheit 160 mit jeweils einem Stempel 164 vorzusehen.
In einer weiteren Variante kann die Präparierungseinheit 160 anstelle des Stempels 164 eine Vorrichtung zum lokalen Erwärmen des Bands 144 umfassen. In dieser Variante kann das Band 144 zwischen den Rollen 145 mit allen Halbleiterchips 110 in mechanischem Kontakt stehen. Dabei besteht zunächst keine zur Übertragung der Halbleiterchips 110 von dem ersten Träger 120 auf das Band 144 der Transfereinheit 140 ausreichende Haftung. Die Präparierungseinheit 160 erwärmt über vorausgewählten Halbleiterchips 110 angeordnete erste Abschnitte 151 des Bands 144 lokal, um die Haftung zwischen dem Band 144 und den vorausgewählten Halbleiterchips 110 aus einen für die Übertragung notwendigen Wert zu erhöhen. Das Band 144 oder die Halbleiterchips 110 können hierbei nötigenfalls eine Haftbe- schichtung aufweisen, deren Haftkraft durch das Erwärmen ver- stärkt werden kann. Die lokale Erwärmung des Bands 144 kann beispielsweise durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgen. Es ist auch möglich, die Haftkraft zwischen den ersten Abschnitten 151 des Bands 144 und den vorausgewählten Halbleiterchips 110 auf andere Weise als durch Erwärmung, beispielsweise durch Bestrahlung mit sichtbarem Licht oder UV-Strahlung, zu erhöhen.
Ferner kann es vorgesehen sein, dass vor dem Abwälzen der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 die Haftkraft, mit der die Halbleiterchips 110 am ersten Träger 120 anhaften, selektiv verändert wird, beispielsweise durch Erwärmen oder durch Bestrahlung mit Strahlung, beispielsweise sichtbarem Licht oder UV-Strahlung, um die Übertragung der Halbleiterchips 110 auf die Transfereinheit 140 während des Abwälzens zu erleichtern. In diesem Fall wird die Haftkraft der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 derart reduziert, dass die Halbleiterchips 110 besser an den ersten Abschnitten 151 des Bands haften als am ersten Träger 120. Es ist ebenfalls möglich, dass nur in Teilbereichen des ersten Trägers 120 die Haftkraft beispielsweise durch selektive Erwärmung oder durch selektive Bestrahlung verringert wird, beispielsweise in Teilbereichen des ersten Trägers, die den ersten Abschnitten 151 des Bandes 144 während des Abwälzvorgangs gegenüberliegen .
Fig. 9 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130. Eine Transfereinheit 140 weist wiederum eine Walze 143 auf. Die Anordnung von erstem und zweitem Träger 120, 130 und Walze 143 entspricht dabei der Fig. 1. Die Walze 143 ist allerdings an' ihrer Mantelfläche 148 mit verschiedenen Stempeln 164 ausgestattet, die in radialer Richtung ausgefahren und eingefahren werden können. Die Stempel 164 können jeweils eine erste Position entfernt von der Mantelfläche 148 der Walze und eine zweite Position näher an der Mantelfläche 148 der Walze 143 einnehmen. Dadurch kann eine Oberfläche der Stempel 164, die der Transfereinheit 140 zugeordnet sind, in Richtung der Normalen der Mantelfläche 148 derart verschoben werden, dass die Oberfläche der Stempel 164 in ersten Abschnitten 151 erhaben gegenüber der Oberfläche der Stempel 164 in zweiten Abschnitten 152 ist.
Im ausgefahrenen Zustand treten die Stempel 164 während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger 120 in mechanischen Kontakt mit den Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 und nehmen diese aufgrund des mechanischen Kontakts vom ersten Träger 120 ab. Stempel 164, die in die zweite Position näher an der Mantelfläche 148 gebracht sind, treten während- des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger 120 nicht in mechanischen Kontakt mit den Halbleiterchips 110, wodurch diese Stempel 164 während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 am ersten Träger 120 keine Halbleiterchips 110 aufnehmen. Dadurch kann wiederum ein selektives Aufnehmen der Halbleiterchips 110 auf die Transfereinheit 140 und damit ein selektives Übertragen der Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf den zweiten Träger 130 erreicht werden.
Die Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 erfolgt bei diesem Aus führungsbeispiel also durch Bewegen der Stempel 164 auf der Mantelfläche 148 der Walze 143. Die Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 und damit die Selektion der zu übertragenden Halbleiterchips 110 kann aufgrund einer Vorauswahl der Halbleiterchips 110 erfolgen. Mögliche Methoden, diese Vorauswahl zu treffen, werden im Folgenden noch beschrieben. Die in Fig. 9 gezeigte Vorrichtung 100 ermöglicht die Durchführung eines Verfahrens zum Montieren von Halbleiterchips 110, bei dem Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Transfereinheit 140 übertragen werden, indem der Aufnah- mebereich 146 der Walze 143 der Transfereinheit 140 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die von der Transfereinheit 140 aufgenommenen Halbleiterchips 110 durch die Bewegung der Walze 143 vom Aufnahmebereich 146 zum Abgabebereich 147 transportiert. Dann werden die Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zweiten Träger 130 übertragen, indem der Abgabebereich 147 der Walze 143 der Transfereinheit 140 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird. Durch die Stempel 164 werden dabei erste und zweite Abschnitte 151, 152 präpariert, wobei die Halbleiterchips 110 nur an den ersten Abschnitten 151 haften und somit eine selektive Übertragung der Halbleiterchips 110 ermöglicht wird.
Es kann vorgesehen sein, dass die Walze 143 als Bestandteil einer ersten Teiltransfereinheit 141 ausgebildet ist und an- stelle des Abgabebereichs 147 einen Übergabebereich 149 aufweist, der an einer zweiten Teiltransfereinheit 142 analog zu Fig. 2 abgewälzt wird. Durch das Abwälzen des Übergabebereichs 149 an der zweiten Teiltrans fereinheit 142 werden die Halbleiterchips 110 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 übertragen und können von dort analog zu Fig. 2 auf den zweiten Träger 130 übertragen werden.
Die Stempel 164 können einen Piezo-Kristall umfassen oder hydraulische Stempel, pneumatische Stempel, elektrische Stem- pel oder elektromagnetische Stempel sein.
Fig. 10 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips 100, die, analog zur Fig. 2, eine erste Teiltransfereinheit 141 und eine zweite Teiltrans- fereinheit 142 umfasst, die eine Transfereinheit 140 bilden. Die erste Teiltransfereinheit 141 ist dabei wiederum eine zylindrische Walze 143 und die zweite Teiltrans fereinheit 142 wiederum ein über Rollen 145 geführtes geschlossenes Band 144.
Die Transfereinheit 140 weist an der ersten Teiltrans ferein- heit 141, also an der zylindrischen Walze 143, eine bewegliche Düse 165 und eine Entfernungseinheit 166 auf, die Teil einer Präparierungseinheit 160 sind. Die bewegliche Düse 165 kann senkrecht zur Zeichenebene bewegt werden und ist eingerichtet, eine Klebeschicht selektiv auf die zylindrische Wal- ze 143 aufzubringen und dadurch die ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 zu präparieren. Die Klebeschicht wird mittels der beweglichen Düse 165 in den ersten Abschnitten 151 der Walze 143 aufgebracht. In den zweiten Abschnitten 152 wird keine Klebeschicht aufgebracht.
Während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 der Walze 143 am ersten Träger 120 haften die Halbleiterchips 110 an der selektiv aufgebrachten Klebeschicht und damit an den ersten Abschnitten 151 der Walze 143 der Transfereinheit 140. An den zweiten Abschnitten 152 haften keine Halbleiterchips 110 an.
Die Entfernungseinheit 166 ist eingerichtet, überschüssigen Klebstoff von der zylindrischen Walze 143 abzustreifen, nachdem die Halbleiterchips 110 durch ein Abwälzen des Übergabe- bereichs 149 am Band 144 der zweiten Teiltransfereinheit 142 auf das Band 144 übertragen wurden. Die Entfernungseinheit 166 versetzt somit die zylindrische Walze 143 wieder in den Ausgangs zustand zurück. Anschließend kann erneut eine Klebstoffschicht mittels der beweglichen Düse 165 auf die Walze 143 aufgebracht werden, um eine weitere selektive Übertragung von Halbleiterchips 110 zu ermöglichen.
Die in Fig. 10 dargestellte Vorrichtung 100 ermöglicht die Durchführung eines Verfahrens zum Montieren von Halbleiter- chips 110, bei dem Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf die Transfereinheit 140 übertragen werden, indem der Aufnahmebereich 146 der Walze 143 der ersten Teiltrans fereinheit 141 am ersten Träger 120 abgewälzt wird. Anschließend werden die Halbleiterchips 110 von der ersten Teiltransfereinheit 141 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 übertragen, indem ein Übergabebereich 149 der Walze 143 der ersten Teiltransfereinheit 141 an dem Band 144 der zweiten Teiltrans ferein- heit 142 abgewälzt wird. Hierdurch werden die Halbleiterchips 110 vom Aufnahmebereich 146 zum Abgabebereich 147 der Transfereinheit 140 transportiert. Dann werden die Halbleiterchips 110 von der Transfereinheit 140 auf den zweiten Träger 130 übertragen, indem der Abgabebereich 147 des Bands 144 der zweiten Teiltransfereinheit 142 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird. Durch die bewegliche Düse 165 werden dabei erste und zweite Abschnitte 151, 152 präpariert, wobei die Halbleiterchips 110 nur an den ersten Abschnitten 151 haften und somit eine selektive Übertragung der Halbleiterchips 110 er- möglicht wird.
Anstelle der zweiten Teiltransfereinheit 142 kann ebenfalls vorgesehen sein, dass ein Abgabebereich 147, der dem Übergabebereich 149 der Fig. 10 entspricht, an einem zweiten Träger 130 abgewälzt und dabei die Halbleiterchips 110 auf den zweiten Träger übertragen werden.
Anstelle der beweglichen Düse 165 können auch mehrere unbewegliche Düsen vorgesehen sein, die senkrecht zur Zeichenebe- ne der Fig. 10 nebeneinander angeordnet sind. Mittels dieser Düsen können ebenfalls erste und zweite Abschnitte 151, 152 auf der Walze 143 präpariert werden, indem selektiv Klebstoff auf die ersten Abschnitte 151 aufgebracht wird. Die Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152 kann anhand einer Vorauswahl der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 erfolgen. Mögliche Verfahren zur Vorauswahl werden im Folgenden noch beschrieben. In einem alternativen Aus führungsbeispiel , das in den Figuren nicht dargestellt ist, weist die Präparierungseinheit 160 eine Vorrichtung zum Aufbringen einer Klebeschicht auf die Transfereinheit 140 auf. Ferner umfasst die Präparierungsein- heit 160 eine Vorrichtung zum selektiven Erwärmen der Transfereinheit 140 derart, dass die Klebeschicht nach dem selektiven Erwärmen in den ersten Abschnitten 151 eine höhere Klebrigkeit als in den zweiten Abschnitten 152 aufweist. Die Vorrichtung, zum selektiven Erwärmen kann in der Nähe der Walze 143 oder des Bands 144 angeordnet sein. Die Vorrichtung zum selektiven Erwärmen kann ebenfalls innerhalb einer Walze 143 oder Rolle 145 der Transfereinheit 140 angeordnet sein. Die Vorrichtung zum selektiven Erwärmen kann Heizelemente um- fassen oder einen Laser aufweisen. Im Übrigen ist die Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips 100 bei diesem Ausführungsbeispiel so ausgebildet wie in Fig. 10.
Anstelle der Erhöhung der Klebrigkeit in den ersten Abschnit- ten 151 der Transfereinheit 140 kann auch vorgesehen sein, dass eine Klebrigkeit in den zweiten Abschnitten 152 der Transfereinheit 140 verringert wird, beispielsweise durch selektives Erwärmen der Transfereinheit 140 oder durch selektives Bestrahlen der Transfereinheit 140.
Fig. 11 zeigt einen Teil einer Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130 gemäß eines weiteren Aus führungsbeispiels . Gezeigt ist ein Querschnitt durch den ersten Träger 120 mit Halbleiterchips 110 und einen Teilbereich einer ersten
Teiltransfereinheit 141, die aus einem über Rollen 145 geführten Band 144 besteht. Dargestellt ist ein Teilbereich des Bands 144, das über eine Rolle 145 geführt ist. Ein Aufnahmebereich 146 der ersten Teiltransfereinheit 141 wird am ersten Träger 120 abgewälzt, wobei durch das Abwälzen Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf das Band 144 übertragen werden. Dies erfolgt analog zum Ausführungsbeispiel der Fig. 6. Die auf das Band 144 aufgenommenen Halbleiterchips 110 werden aufgrund der Bewegung des Bandes 144 vom Aufnahmebereich 146 weg transportiert und bewegen sich in Richtung eines nicht dargestellten Abgabebereichs 147 analog zu den Figuren 2 oder 6, oder in Richtung eines Übergabebereichs 149, der an einer weiteren Teiltransfereinheit 142 analog zu Fig. 2 abgewälzt wird, wodurch die Halbleiterchips auf die zweite Teiltransfereinheit 142 übertragen werden.
Ein Sensor 170 ist oberhalb des ersten Trägers 120 angeordnet und eingerichtet, eine Qualität der Halbleiterchips 110 zu ermitteln. Die Qualität kann beispielsweise eine Wellenlänge der emittierten Strahlung, eine Energieausbeute, eine Be- triebsspannung, einen Betriebsstrom oder andere technische
Parameter der Halbleiterchips 110 umfassen. Die Qualität kann auch eine Funktions fähigkeit oder Unbeschädigtheit der Halbleiterchips 110 sein. In diesem Fall kann der Sensor 170 beispielsweise vorgesehen sein, mechanische Beschädigungen wie beispielsweise Sprünge oder Abplatzungen der Halbleiterchips 110, die die Güte der Halbleiterchips 110 beeinflussen, zu detektieren.
Ferner weist die erste Teiltransfereinheit 141 eine Präparie- rungseinheit 160 auf, die eingerichtet ist, das Band 144 analog zu den bereits beschriebenen Ausführungsbeispielen in erste und zweite Abschnitte 151, 152 zu präparieren. Der Betrieb der Präparierungseinheit 160 erfolgt dabei anhand der durch den Sensor 170 ermittelten Qualität der Halbleiterchips 110. Die Präparierung der Transfereinheit 140 mittels der
Präparierungseinheit 160 erfolgt also anhand einer Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120. Die Vorauswahl kann dazu dienen, Halbleiterchips 110, die eine geforderte Qualität nicht aufweisen, auszusortieren. Beispielsweise können beschädigte Halbleiterchips 110 oder Halbleiterchips 110, die nicht in einem gewünschten Wellenlängenintervall emittieren, aussortiert werden.
Die Qualität der Halbleiterchips 110 kann auch schon deutlich früher im Bearbeitungsprozess , beispielsweise direkt nach der Produktion der Halbleiterchips 110, auf einem Produktions- wafer erfolgen. Angaben über die Qualität und die Position der Halbleiterchips 110 werden dann in einem Speicher abge- legt und dienen der Vorauswahl der Halbleiterchips 110 und der Präparierung der ersten und zweiten Abschnitte 151, 152. Die im Speicher abgelegten Informationen über Qualität und Position der Halbleiterchips 110 können als Wafermap bezeich- net werden.
In einem Ausführungsbeispiel wird mittels des Sensors 170 eine räumliche Orientierung der Halbleiterchips 110 ermittelt. Dies kann beispielsweise nützlich sein, wenn Halbleiterchips 110 in der richtigen Orientierung vom ersten Träger 120 auf den zweiten Träger 130 übertragen werden sollen und Halbleiterchips 110, die nicht richtig herum orientiert sind, ausgelassen werden sollen. Dadurch können die Halbleiterchips 110 einfach auf dem ersten Träger 120 bereitgestellt werden, indem sie auf den ersten Träger 120 aufgestreut werden. Der erste Träger 120 kann dabei Vertiefungen aufweisen, deren Abstände den Abständen der Halbleiterchips 110 nach dem Montageverfahren entsprechen. Fig. 12 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130, die teilweise der Vorrichtung 100 der Fig. 6 entspricht. Im Gegensatz zur Fig. 6 ist hier keine Vorratsrolle 153 und keine Aufnahmerolle 154 vorgesehen, sondern das Band 144 ist kontinuierlich über die Rollen 145 geführt. Eine Regenerationseinheit 168 ist eingerichtet, das Band, nachdem die Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 110 auf den zweiten Träger 120 übertragen wurden, wieder in den Ursprungs zustand zurückzuversetzen. Dies kann bei- spielsweise durch eine Entfernung der in den ersten oder zweiten Abschnitten 151, 152 verbliebenen Oberflächenladung mittels Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung oder mittels elektrischem Kontakt oder mittels Entfernen der Klebeschicht oder mittels Erwärmen oder Bestrahlung erfolgen. Nachdem das Band die Regenerationseinheit 168 durchlaufen hat, kann es wiederum mittels der Präparierungseinheit 160 in unterschiedliche Abschnitte 151, 152 präpariert werden. Die Transfereinheit 140 kann sowohl aus einer Walze 143 oder aus einem Band 144, das über Rollen 145 geführt ist, aufgebaut sein. Auch beliebige Kombinationen aus Walzen 143 und über Rollen 145 geführten Bändern 144 können vorgesehen sein, insbesondere wenn die Walzen 143 beziehungsweise die über Rollen 145 geführten Bänder 144 die Teiltransfereinheiten 141, 142 bilden. Dabei kann sowohl die erste Teiltransfereinheit 141 als auch die zweite Teiltransfereinheit 142 Walzen 143, und/oder Bänder 144 und Rollen 145 umfassen.
In einem Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, dass das Verfahren mehrfach ausgeführt wird, also mittels der Transfereinheit 140 mehrmals Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130 übertragen werden. Dabei können insbesondere beim mehrmaligen Durchlaufen des Verfahrens die Halbleiterchips 110 nach der Qualität ausgewählt werden, wobei beim zweiten Durchlauf die Halbleiterchips 110 zusätzlich danach ausgewählt werden, ob an einer Stelle des zweiten Trägers 130, an die ein Halbleiterchip 110 aufgrund des zweiten Durchlauf des Verfahrens übertragen werden würde, bereits ein Halbleiterchip 110 aufgrund des ersten Durchlaufs des Verfahrens vorhanden ist. An eine solche Stelle wird im zweiten Durchlauf des Verfahrens kein weiterer Halbleiterchip 110 übertragen. Im zweiten Durchlauf des Verfahrens können also beispielsweise Lücken, die nach dem ersten Durchlaufen des Verfahrens auf dem zweiten Träger 130 zwischen den Halbleiterchips 110 bestehen, aufgefüllt werden. Der erste Durchlauf beziehungsweise der zweite Durchlauf des Verfahrens entsprechen dabei dem bisher beschriebenen Verfahren.
Wenn nach dem zweiten oder einem daran anschließenden weiteren Durchlauf des Verfahrens aufgrund der Vorauswahl weitere Lücken zwischen Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 auftreten sollten, können die Lücken beispielsweise mit einem konventionellen Pick-and-Place-Verfahren oder mit einem weiteren Durchlauf des Verfahrens geschlossen werden. Fig. 13 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die Transfereinheit 140 zwei ers- te Teiltransfereinheiten 141 und eine zweite Teiltransfereinheit 142.
Die ersten Teiltransfereinheiten 141 umfassen wiederum jeweils eine Walze 143, eine Präparierungseinheit 160 und eine Regenerationseinheit 168. Die zweite Teiltransfereinheit 142 umfasst ein über Rollen 145 geführtes Band 144. Aufnahmebereiche 146 der Walzen 143 der ersten Teiltransfereinheiten 141 werden an jeweils einem ersten Träger 120 abgewälzt und nehmen dabei Halbleiterchips 110 auf, analog zu Fig. 2. Über- gabebereiche 149 der Walzen 143 der ersten Teiltransfereinheiten 141 werden an der zweiten Teiltransfereinheit 142 abgewälzt, um die Halbleiterchips 110 auf die zweite Teiltransfereinheit 142 zu übertragen. Anschließend wird ein Abgabebereich 147 der zweiten Teiltransfereinheit 142 am zweiten Trä- ger 130 abgewälzt, wodurch die Halbleiterchips 110, analog zu Fig. 2, auf den zweiten Träger übertragen werden.
Die ersten Teiltransfereinheiten 141 sind so angeordnet, dass die Halbleiterchips 110 jeweils auf unterschiedlichen Positi- onen des Bandes 144 zum Liegen kommen. Diese Anordnung der ersten Teiltransfereinheiten 141 entspricht vom Ergebnis also einem mehrmaligen Durchführen des Übertragungsverfahrens, bei dem die Halbleiterchips 110 beim zweiten Durchlauf des Verfahrens in Lücken des ersten Durchlaufs des Verfahrens plat- ziert werden.
Mit der Vorrichtung 100 der Fig. 13 ist es beispielsweise möglich, rot, grün und blau emittierende Halbleiterchips 110 von unterschiedlichen ersten Trägern 120 auf den zweiten Trä- ger 130 zu übertragen, sodass diese dort beispielsweise eine Anzeigevorrichtung mit farbiger Bildausgabe bilden. Fig. 14 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung 100 zum Übertragen von Halbleiterchips 110 von einem ersten Träger 120 auf einen zweiten Träger 130 gemäß einer weiteren Aus führungs form. Die Vorrichtung 100 entspricht dabei im e- sentlichen der Vorrichtung der Fig. 2.
Auf dem ersten Träger 120 sind auf der den Halbleiterchips 110 gegenüberliegenden Seite erste Markierungen 181 angebracht. Auf der Transfereinheit 140 befinden sich zweite Markierungen 182. Der zweite Träger 130 weist dritte Markierungen 183 auf. Es ist jeweils ein Markierungssensor 180 vorgesehen, der die ersten, zweiten und dritten Markierungen 181, 182, 183 auslesen kann. Die Markierungen 181, 182, 183 könnten jeweils auch an anderen Positionen der entsprechenden Bauteile angebracht sein, ohne die Funktionsweise einzuschränken .
Während des Übertragens der Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf den zweiten Träger 130 werden von den Markie- rungssensoren 180 die ersten Markierungen 181 und die zweiten Markierungen 182 ausgelesen. Der erste Träger 120 und die Transfereinheit 140 werden zueinander anhand der ersten Markierungen 181 und der zweiten Markierungen 182 ausgerichtet. Dazu kann beispielsweise der erste Träger 120 relativ zur Transfereinheit 140 beweglich angeordnet sein und eine mechanische Steuerung den ersten Träger 120 relativ zur Transfereinheit 140 bewegen. Dies kann insbesondere dazu dienen, auf dem ersten Träger 120 angeordnete Halbleiterchips 110 während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 der Trans- fereinheit 140 am ersten Träger 120 an Positionen der ersten beziehungsweise zweiten Abschnitte 151, 152 auszurichten.
Zusätzlich kann vorgesehen sein, dass mit dem Markierungssensor 180 die dritte Markierungen 183 des zweiten Trägers 130 ausgelesen werden und der zweite Träger 130 und die
Transfereinheit 140 zueinander anhand der dritten Markierungen 183 und der zweiten Markierungen 182 ausgerichtet werden. Der zweite Träger 130 kann dazu relativ zur Transfereinheit 140 bewegbar ausgebildet sein. Dadurch können die Positionen der Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 an die Positionen der Halbleiterchips 110 auf der Transfereinheit 140 angepasst werden, damit die Halbleiterchips beispielsweise korrekt auf dem zweiten Träger vorhandene Leiterbahnen aufgesetzt werden. Ferner ist das Auslesen der dritten Markierungen 183 vorteilhaft, wenn das Verfahren mehrfach durchgeführt werden soll, um die im zweiten Durchgang auf den zweiten Träger 130 übertragenen Halbleiterchips 110 relativ zu den im ersten Durchgang auf den zweiten Träger 130 übertragenen Halbleiterchips 110 auszurichten.
Als dritte Markierungen 183 können wahlweise bereits auf dem zweiten Träger 130 vorhandene Strukturierungen dienen, bei- spielsweise bereits vorhandene elektrische Leiterbahnen. Der Markierungssensor 180 erkennt dann die Positionen der Struk- turierungsmerkmale des zweiten Trägers 130, wobei die Struk- turierungsmerkmale als dritte Markierungen 183 dienen. Fig. 15 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen Teilbereich einer Transfereinheit 140 im Bereich des Abgabebereichs 147. Die Transfereinheit 140 umfasst dabei ein über Rollen 145 geführtes Band 144. In Fig. 15 ist nur ein Teilbereich des Bandes 144 dargestellt. Das Band 144 ist über zwei Rollen 145 geführt. Im Bereich der Rollen ist das Band 145 gekrümmt, zwischen den Rollen 145 verläuft das Band 144 linear.
Der restliche, nicht dargestellte Bereich der Transfereinheit 140 kann, analog zu Fig. 6, einen Aufnahmebereich 146 aufweisen, der an einem nicht dargestellten ersten Träger 120 abgewälzt werden kann, um Halbleiterchips 110 vom ersten Träger 120 auf das Band 144 zu übertragen. Alternativ kann das Band 144 einen Übergabebereich 149 analog zu Fig. 2 aufweisen, in dem ein weiteres, nicht dargestelltes Band oder eine nicht dargestellte Walze am Band 144 abgewälzt werden kann, um die Halbleiterchips 110 von dem weiteren Band oder der Walze auf das Band 144 zu übertragen. Das über die Rollen 145 geführte Band 144, dessen Teilbereich in Fig. 15 dargestellt ist, ist in diesem Fall Bestandteil einer zweiten Teiltransfereinheit 142, die Teil der Transfereinheit 140 ist. Das weitere Band oder die Walze sind dann Bestandteil einer ersten Teiltransfereinheit 141 der Transfereinheit 140.
Auf dem Band 144 sind Halbleiterchips 110 angeordnet. Parallel zum Band 144 ist zwischen den Rollen 145 ein zweiter Trä- ger 130 angeordnet, auf den die Halbleiterchips 110 übertragen werden sollen.
Der Abgabebereich 147 des Bandes 144 wird zwischen den zwei Rollen 145 am zweiten Träger 130 abgewälzt. Dazu wird das Band 144 zwischen den Rollen 145 parallel zum zweiten Träger 130 geführt. Der zweite Träger 130 bewegt sich dabei in laterale Richtung mit der gleichen Geschwindigkeit wie das Band 144. Die Bewegungsrichtung ist in Fig. 15 mittels Pfeilen dargestellt .
Das Band 144 ist transparent für einen Teilbereich des elektromagnetischen Spektrums, beispielsweise für sichtbares
Licht, Infrarotstrahlung, ultraviolette Strahlung und/oder Röntgenstrahlung. Ein optischer Sensor 184 ist oberhalb des Bands 144 angeordnet und arbeitet in dem Teilbereich des elektromagnetischen Spektrums, für den das Band 144 transparent ist. Zusätzlich kann der optische Sensor 184 eine Strahlungsquelle für elektromagnetische Strahlung des Teilbereichs des elektromagnetischen Spektrums, für den das Band 144 transparent ist, aufweisen.
Mittels des optischen Sensors können die Positionen der Halbleiterchips 110 auf dem Band 144 relativ zum zweiten Träger 130 ermittelt werden. Dadurch kann vor oder während dem Ab- wälzen des Abgabebereichs 147 am zweiten Träger 130 überprüft werden, ob die Halbleiterchips 110 auf Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 übertragen werden. Sollte die Position von Band 144 und zweitem Träger 130 relativ zueinander nicht zu einer Übertragung der Halbleiterchips 110 auf die Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 führen, kann zunächst die Relativposition von Band 144 und zweitem Träger 130 derart verändert werden, dass durch das Abwälzen des Abgabebereichs 147 am zweiten Träger 130 die Halbleiterchips 110 auf die Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 übertragen werden.
Um die Relativposition von Band 144 und zweitem Träger zu erkennen, kann es vorgesehen sein, dass Markierungen analog zu den Markierungen 181, 182, 183 der Fig. 14 auf dem Band 144 und/oder dem zweiten Träger 130 angeordnet sind, die vom optischen Sensor 184 erkannt werden können. Außerdem kann es vorgesehen sein, dass die Halbleiterchips 110 nicht transparent für den Teilbereich des elektromagnetischen Spektrums, für den das Band 144 transparent ist, sind. Als optischer
Sensor kann beispielsweise eine Kamera verwendet werden. Ein Bild der Kamera kann mittels Bildbearbeitung dahingehend ausgewertet werden, ob die Halbleiterchips 110 oberhalb von Leiterbahnen auf dem zweiten Träger angeordnet 130 sind. Wenn dies der Fall ist, wird das Abwälzen durchgeführt, ansonsten werden Band 144 und zweiter Träger 130 relativ zueinander bewegt .
Sollte die Transfereinheit anstelle des Bands 144 eine Walze 143 umfassen, wie beispielsweise in Fig. 1 gezeigt, ist es möglich, die Walze 143 transparent für einen Teilbereich des elektromagnetischen Spektrums auszugestalten und den optischen Sensor 184 im Inneren der Walze 143 anzuordnen. Dann können die Walze 143 und der zweite Träger 130 gegebenenfalls relativ zueinander bewegt werden, um eine Übertragung der
Halbleiterchips 110 auf Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 zu erzielen.
In einem Ausführungsbeispiel wird die Transfereinheit 140 während der Ausführung des Verfahrens gestoppt. Während des Stopps der Transfereinheit 140 wird der erste Träger 120 in seiner Position verändert oder durch einen weiteren ersten Träger 120 ersetzt. Dies kann dazu dienen, weitere Halb- leiterchips 110 auf einem weiteren ersten Träger 120 zur Verfügung zu stellen.
Außerdem können dadurch auf dem ersten Träger 120 vorliegende Halbleiterchips 110 mit einem geringeren Abstand angeordnet sein, als der Abstand der Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 betragen soll. Beispielsweise kann es vorgesehen sein, dass der Abstand der Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 das Doppelte des Abstands der Halbleiterchips 110 auf dem ersten Träger 120 betragen soll. Zunächst wird dann jeder zweite Halbleiterchip 110 vom ersten Träger 120 abgenommen und auf den zweiten Träger 130 übertragen. Nach dem Stopp der Transfereinheit 140 kann der erste Träger 120 dann so bewegt werden, dass nachfolgend die auf dem ersten Träger 120 verbliebenen Halbleiterchips 110 abgenommen und auf dem zweiten Träger 130 montiert werden. Der erste Träger 120 wird dazu um die Hälfte des Abstands zwischen zwei Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 bewegt. Es können auch andere vielfache und Abstände berücksichtigt werden.
Ebenso ist es denkbar, dass Abstände der Halbleiterchips 110 in zwei Dimensionen berücksichtigt werden, also beispielsweise jeder zehnte Halbleiterchip 110 einer Zeile und jede achte Zeile, womit pro Stopp ein achtzigstel der Halbleiterchips 110 des ersten Trägers 120 übertragen werden. Durch eine ras- terförmige Bewegung kann mithilfe von achtzig Stopps der gesamte Bereich des ersten Trägers 120 übertragen werden. Diese Vorgehensweise, kann zusätzlich oder alternativ zu der anhand der Figuren 3 und 4 besch iebenen Präparierung der ersten Abschnitte 151 und der zweiten Abschnitte 152 der Transferein- heit 140 gewählt werden.
Ferner ist es möglich, Halbleiterchips 110 nur aus einem ers- - ten Teilbereich des ersten Trägers 120 mittels Transfereinheit 140 aufzunehmen und anschließend zu einem zweiten Teil- bereich des ersten Trägers 120 zu wechseln, um Halbleiterchips 110 aus dem zweiten Teilbereich aufzunehmen. In einem Aus führungsbeispiel wird die Transfereinheit 140 nach dem Stopp zumindest teilweise rückwärts bewegt. Dies kann beispielsweise bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform der Vorrichtung 100 dazu genutzt werden, Halbleiterchips 110 mittels der ersten Teiltransfereinheit 141 vom ersten
Träger 120 abzunehmen und auf die zweite Teiltransfereinheit 142, also das Band 144, zu übertragen. Anschließend wird die zweite Teiltransfereinheit 142, also das Band 144 rückwärts bewegt. Darauffolgend können vom selben oder von einem weite- ren ersten Träger 120 weitere Halbleiterchips 110 mittels der ersten Teiltransfereinheit 141 aufgenommen werden und in Lücken zwischen die bereits auf der zweiten Teiltransfereinheit 142 vorhandenen Halbleiterchips 110 platziert werden. Nach optionalen weiteren Stopps und Rückläufen der zweiten
Teiltransfereinheit 142 werden dann sämtliche Halbleiterchips 110, die sich auf der zweiten Teiltransfereinheit 142, also dem Band 144, befinden, auf den zweiten Träger 130 übertragen, indem das Band 144 am zweiten Träger 130 abgewälzt wird. Fig. 16 zeigt eine Draufsicht auf einen Teilbereich eines
Bands 144 einer Transfereinheit 140. Erste Abschnitte 151 und zweite Abschnitte 152 in einer Matrixanordnung mit Reihen 155 und Zeilen 156, 157, 158 sind durch eines der beschriebenen Verfahren auf dem Band 144 präpariert worden, beispielsweise auf Grundlage einer anhand einer Chipqualität erfolgten Vorauswahl. Durch eines der bereits beschriebenen Verfahren sind Halbleiterchips 110 auf die ersten Abschnitte 151 des Bandes 144 übertragen worden. Auf die zweiten Abschnitte 152 des Bands wurden keine Halbleiterchips 110 übertragen. Die Halb- leiterchips 110 sind dazu vorgesehen, durch Abwälzen des
Bands 144 auf einen zweiten Träger 130 übertragen zu werden.
Die Reihen 155 weisen in diesem Beispiel untereinander jeweils einen Abstand auf, der bereits dem Abstand entspricht, den die Halbleiterchips 110 nach ihrer Übertragung auf den zweiten Träger 130 aufweisen sollen. Die Abstände zwischen den Halbleiterchips 110 innerhalb der Reihen 155, also die Abstände zwischen den Zeilen 156, 157, 158, sind in diesem Beispiel dagegen geringer als die Abstände, die die Halbleiterchips 110 nach der Übertragung auf den zweiten Träger 130 aufweisen sollen. Die Abstände zwischen den Zeilen 156, 157, 158 von Halbleiterchips 110 sollen also beim Übertragen auf den zweiten Träger 130 vergrößert werden.
Dies kann dadurch erreicht werden, dass die Halbleiterchips 110 zeilenweise übertragen werden. Nach dem Übertragen einer ersten Zeile 156 der Halbleiterchips 110 vom Band 144 auf Sollpositionen der Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 werden das Band 144 und der zweite Träger 130 relativ zueinander bewegt und so neu justiert, dass anschließend Halbleiterchips 110 einer zweiten Zeile 157 auf Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 übertragen werden können. Nun wird wiederum der Abgabebereich 147 des Bands 144 am zweiten Träger 130 abgewälzt und dadurch die zweite Zeile 157 von Halbleiterchips 110 auf den zweiten Träger 130 übertragen. Entsprechend wird nach dem Übertragen jeder Zeile 156, 157, 158 verfahren. Um die Justierung vorzunehmen, kann eines der an- hand der Figuren 14 und 15 beschriebenen Verfahren verwendet werden .
Innerhalb der Reihen 155 und Zeilen 156, 157, 158 befinden sich zweite Abschnitte 152 ohne Halbleiterchips 110, also Lü- cken. Wenn die Zeilen 156, 157, 158 durch Abwälzen des Abgabebereichs 147 des Bands 144 am zweiten Träger 130 übertragen werden, werden die Lücken zwischen den Halbleiterchips 110 mitübertragen. Es kann vorgesehen sein, die Lücken auf dem zweiten Träger 130 durch einen weiteren Durchlauf eines der beschriebenen Verfahren oder durch ein Pick-and-Place- Verfahren zu schließen.
Alternativ dazu kan das im Folgenden beschriebene Verfahren verwendet werden, um die Halbleiterchip 110 ohne Lücken vom Band 144 auf den zweiten Träger 130 zu übertragen. Das Band 144 und der zweite Träger 130 werden relativ zueinander so ausgerichtet, dass die Halbleiterchips 110 der ersten Zeile 156 beim Abwälzen des Abgabebereichs 147 des Bands 144 am zweiten Träger 130 auf Sollpositionen auf dem zweiten Träger 130 übertragen werden. Da die erste Zeile 156 einen Halbleiterchip 110 in jeder Reihe 155 enthält, entsteht dabei keine Lücke zwischen den Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130. Danach werden das Band 144 und der zweite Träger neu positionier und der Abgabebereich 147 des Bands 144 am zweiten Träger 130 abgewälzt, um die Halbleiterchips 110 der zweiten Zeile 157 vom Band 144 auf den zweiten Träger 130 zu übertragen. Da die zweite Zeile 157 auf dem Band 144 eine Lü- cke aufweist, entsteht dabei auch eine Lücke in der zweiten Zeile auf dem zweiten Träger 130.
Nun werden das Band 144 und der zweite Träger 130 derart zueinander relativ bewegt, dass ein Halbleiterchip 110 der dritten Zeile 158 des Bands über der Lücke positioniert wird. Anschließend wird der über der Lücke positionierte Halbleiterchip 110 mittels eines Stempels vom Band 144 auf den zweiten Träger 130 übertragen und somit die entstandene Lücke zwischen den Halbleiterchips 110 auf dem zweiten Träger 130 aufgefüllt. Dafür entsteht eine Lücke in der dritten Zeile 158 des Bands 144.
Anschließend werden Band 144 und zweiter Träger 130 derart relativ zueinander bewegt, dass die dritte Zeile 158 auf Sollpositionen einer dritten Zeile des zweiten Trägers 130 übertragen werden kann. Wiederum wird ein Lücke übertragen, die nachfolgend, analog zum beschriebenen Verfahren, mit einem Halbleiterchip 110 aus einer vierten Zeile des Bands 144 geschlossen werden kann.
Die in den Figuren dargestellten Elemente der Transfereinheit 140 können auch miteinander kombiniert werden. Beispielsweise könnte eine Transfereinheit 140 eine Präparierungseinheit 160 wie in Fig. 6 oder 10 gezeigt, einen Qualitätssensor 170, wie in Fig. 11 gezeigt, mehrere Teiltransfereinheiten 141, 142 wie in Fig. 13 gezeigt und sowohl die Träger 120, 130 als auch die Transfereinheit 140 Markierungen 181, 182, 183 wie in Fig. 14 gezeigt, aufweisen. Ferner können die in den Figuren dargestellten Positionen der Elemente zueinander, insbesondere des ersten Trägers 120, des zweiten Trägers 130, der Transfereinheit 140, der ersten Teiltransfereinheit 141 und der zweiten Teiltransfereinheit 142 verändert und die Elemente anders zueinander angeordnet werden .
Es kann vorgesehen sein, dass die Haftkraft der Halbleiterchips 110 am ersten Träger 120 geringer ist als an der Transfereinheit 140. Zusätzlich haften die Halbleiterchips 110 besser am zweiten Träger 130 als an der Transfereinheit 140. Wenn die Transfereinheit 140 aus Teiltransfereinheiten 141, 142 aufgebaut ist, wird die Haftung mit jeder durchlaufenen Teiltransfereinheit 141, 142 größer. Ferner kann es vorgesehen sein, dass während des Abwälzens des Aufnahmebereichs 146 und/oder des Abgabebereichs 147 am ersten Träger 120 und/oder zweiten Träger 130 die Haftung der Halbleiterchips 110 am Träger 120, 130 oder an der Transfereinheit 140 durch Veränderung der Temperatur, Aufbringen oder Entfernen einer Ladung oder Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung verändert und dadurch der Transfer der Halbleiterchips 110 erleichtert wird.
Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . BEZUGSZEICHENLISTE
100 Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips
110 Halbleiterchip
120 erster Träger
130 zweiter Träger
140 Transfereinheit
141 erste Teiltransfereinheit
142 zweite Teiltransfereinheit
143 Walze
144 Band
145" Rolle
146 Aufnahmebereich
147 Abgabebereich
148 Mantelfläche
149 Übergabebereich
151 erster Abschnitt
152 zweiter Abschnitt
153 Vorratsrolle
154 Aufnahmerolle
155 Reihe
156 erste Zeile
157 zweite Zeile
158 dritte Zeile
160 Präparierungseinheit
161 Vorrichtung zur Aufbringung einer Oberflächenladung
162 Vorrichtung zum selektiven Entfernen einer Oberflächenladung
163 Präparierungseinheit
164 Stempel
165 bewegliche Düse
166 Entfernungseinheit
167 Laserstrahl
168 Regenerationseinheit
170 Sensor
180 Markierungssensor
181 erste Markierung
182 zweite Markierung dritte Markierung optischer Sensor

Claims

PATENTANS PRÜCHE
Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips (110) mit den folgenden Schritten:
- Übertragen der Halbleiterchips (110) von einem ersten Träger (120) auf eine Transfereinheit (140), wobei die Transfereinheit (140) einen Aufnahmebereich (146) aufweist, wobei das Übertragen der Halbleiterchips (110) vom ersten Träger (120) auf die Transfereinheit (140) durch ein Abwälzen des Aufnahmebereichs (146) der Transfereinheit (140) an dem ersten Träger (120) erfolgt ;
- Transportieren der von der Transfereinheit (140) aufgenommenen Halbleiterchips (110) vom Aufnahmebereich (146) zu einem Abgabebereich (147);
- Übertragen der Halbleiterchips (110) von der Transfereinheit (140) auf den zweiten Träger (130), wobei das Übertragen der Halbleiterchips (110) von der Transfereinheit (140) auf den zweiten Träger (130) durch ein Abwälzen des Abgabebereichs (147) der
Transfereinheit (140) an dem zweiten Träger (130) erfolgt .
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Transfereinheit (140) eine erste Teiltransfereinheit (141) und eine zweite Teiltransfereinheit (142) aufweist, wobei der Aufnahmebereich (146) auf der ersten Teiltransfereinheit (141) ausgebildet ist, und wobei der Abgabebereich (147) auf der zweiten Teiltransfereinheit (142) ausgebildet ist, wobei das Verfahren den zusätzlichen Schritt umfasst:
- Übertragen der Halbleiterchips (110) von der ersten Teiltransfereinheit (141) auf die zweite Teiltransfereinheit (142), wobei das Übertragen durch ein Abwälzen der ersten Teiltransfereinheit (141) an der zweiten Teiltransfereinheit (142) erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Halbleiterchips (110) beim Übertragen von der ersten Teiltransfereinheit (141) auf die zweite Teiltransfereinheit (142) gewendet werden .
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei erste Abschnitte (151) und zweite Abschnitte (152) der Transfereinheit (140) unterschiedlich präpariert werden, wobei die Halbleiterchips (110) nur auf die ersten Abschnitte (151) der Transfereinheit (140) übertragen werden.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgende Schritte umfasst: 1
- Aufbringen einer Oberflächenladung auf die Transfereinheit (140).;
- Entfernen der Oberflächenladung durch Bestrahlen mit elektromagnetischer Strahlung in den ersten Abschnitten (151) oder in den zweiten Abschnitten (152) .
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgende Schritte umfasst:
- Aufbringen einer Klebeschicht auf die Transfereinheit (140) ;
- Andern der Klebrigkeit der Klebeschicht in den ersten Abschnitten (151) oder in den zweiten Abschnitten (152) durch Bestrahlen mit elektromagnetischer Strahlung.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgenden Schritt umfasst:
- Ändern einer Dicke einer Materialschicht der Transfereinheit (140) durch Bestrahlen der ersten Abschnitte (151) oder der zweiten Abschnitte (152) der Transfereinheit (140) mit elektromagnetischer Strahlung .
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei das Bestrahlen der ersten Abschnitte (151) beziehungsweise der zweiten Abschnitte (152) sequentiell nacheinander erfolgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Bestrahlen mittels eines Lasers erfolgt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei mehrere erste Abschnitte (151) beziehungsweise zweite Abschnitte (152) gleichzeitig bestrahlt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 4, wobei eine Oberfläche der
Transfereinheit (140) in den ersten Abschnitten (151) beziehungsweise zweiten Abschnitten (152) derart verschoben wird, dass die ersten Abschnitte (151) im Aufnahmebereich (146) bezüglich der zweiten Abschnitte (152) erhaben sind .
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgenden Schritt umfasst:
— Verändern einer Dicke einer Materialschicht der
Transfereinheit (140) durch eine mechanische Einwirkung in den ersten Abschnitten (151) beziehungsweise den zweiten Abschnitten (152) .
13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgenden Schritt umfasst:
— Mechanisches Einwirken auf die Transfereinheit (140), wodurch die ersten Abschnitte (151) der Transfereinheit (140), bezogen auf die Normale des Aufnahmebereichs (146), eine von den zweiten Abschnitten (152) der Transfereinheit (140) unterschiedliche Position aufweisen .
14. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgende Schritte umfasst:
- Aufbringen einer Klebeschicht auf die Transfereinheit (140);
— Ändern der Klebrigkeit der Klebeschicht durch Erwärmen der ersten Abschnitte (151) beziehungsweise zweiten Abschnitte (152) der Transfereinheit (140) . 15. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Präparieren der Abschnitte (151, 152) der Transfereinheit (140) folgenden Schritt umfasst:
— Aufbringen einer Klebeschicht in den ersten Abschnitten (151) der Transfereinheit (140) mittels einer Dü- se .
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 15, mit den folgenden zusätzlichen Schritten:
- Vorauswählen der zu montierenden Halbleiterchips
(HO) auf dem ersten Träger (120);
— Präparieren der ersten Abschnitte (151) und zweiten Abschnitte (152) der Transfereinheit (140) anhand der Vorauswahl der zu montierenden Halbleiterchips (110) . 17. Verfahren nach Anspruch 16, mit den folgenden zusätzlichen Schritten:
- Ermitteln einer Qualität der Halbleiterchips (110) mittels eines Sensors;
— Vorauswählen der Halbleiterchips (110) anhand der er- mittelten Qualität.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 17 mit den folgenden zusätzlichen Schritten:
— Erfassen einer räumlichen Orientierung der Halb- leiterchips (110) mittels eines weiteren Sensors;
- Präparieren der ersten Abschnitte (151) und zweiten Abschnitte (152) der Transfereinheit (140) anhand der ermittelten räumlichen Orientierung der Halbleiterchips (110) .
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 18, wobei das Verfahren mehrmals hintereinander ausgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei bei einer zweiten Ausführung des Verfahrens Lücken zwischen bereits vorhandenen Halbleiterchips (110) auf dem zweiten Träger (130) aufgefüllt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 19 oder 20, wobei bei der zweiten Ausführung des Verfahrens Halbleiterchips (110) von weiteren ersten Trägern (120) auf den zweiten Träger (130) übertragen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei die Transfereinheit (140) nach dem Montieren der Halbleiterchips (110) regeneriert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22 mit den folgenden Schritten:
- Erkennen einer ersten Markierung (181) auf dem ersten Träger (120) ;
- Erkennen einer zweiten Markierung (182) auf der
Transfereinheit (140);
- Ausrichten des ersten Trägers (120) und der Transfereinheit (140) zueinander anhand der ersten Markierung (181) und der zweiten Markierung (182) .
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23 mit den folgenden Schritten:
- Erkennen einer dritten Markierung (183) auf dem zweiten Träger (130) ;
- Ausrichten des zweiten Trägers (130) und der Transfereinheit (140) zueinander anhand der dritten Markierung ( 183 ) . Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, mit den zusätzlichen Schritten:
- Stoppen der Transfereinheit (140);
— Ersetzen des ersten Trägers (120) durch einen weiteren ersten Träger (120).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25, mit den zusätzlichen Schritten:
— Stoppen der Transfereinheit (140);
- Verschieben des ersten Trägers (120).
Verfahren nach einem der Ansprüche 25 oder 26, wobei die Transfereinheit (140) nach dem Stoppen zumindest teilweise rückwärts bewegt wird.
Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips (110), aufweisend eine Transfereinheit (140), wobei die Transfereinheit (140) einen Aufnahmebereich (146) und einen Abgabebereich (147) aufweist, wobei die Transfereinheit (140) eingerichtet ist, auf einem Träger (120, 130) abgewälzt zu werden um Halbleiterchips (110) aufzunehmen und abzugeben .
Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Transfereinheit (140) eine zylindrische Walze (143) aufweist, wobei der Aufnahmebereich (146) und der Abgabebereich (147) auf der Mantelfläche (148) der Walze (143) angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Transfereinheit (140) ein über mehrere Rollen geführtes Band (144) aufweist, wobei der Aufnahmebereich (146) und der Abgabebereich (147) auf dem Band (144) angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Transfereinheit (140) zwei Teiltransfereinheiten (141, 142) aufweist, wobei die Teiltransfereinheiten (141, 142) eine zylindrische Walze (143) und/oder ein über mehrere Rollen (145) geführtes Band (144) aufweisen.
32. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 28 bis 31, zusätzlich aufweisend eine Präparierungseinheit (160), wobei die Präparierungseinheit (160) eingerichtet ist, eine Oberfläche der Transfereinheit (140) zu strukturieren.
33. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Vorrichtung (161) zum Aufbringen einer Oberflächenladung aufweist, und wobei die Präparierungseinheit (160) eine Vorrichtung zum selektiven Entfernen der Oberflächenladung aufweist.
34. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Vorrichtung zum Aufbringen einer Klebeschicht aufweist, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Vorrichtung zum selektiven Verändern der Klebrigkeit der Klebeschicht aufweist.
35. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32 bis 34, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Strahlungsquelle und eine Optik zum selektiven Bestrahlen der Transfereinheit (140) aufweist .
36. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Düse (165) zum Aufbringen von Klebstoff aufweist .
37. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Präparierungseinheit (160) eine Vorrichtung zum räumlichen Verschieben einer Oberfläche der Transfereinheit (140) aufweist.
38. Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei die Vorrichtung zum räumlichen Verschieben der Oberfläche einen Piezo- Kristall und/oder einen hydraulischen Stempel und/oder einen pneumatischen Stempel und/oder einen elektrischen Stempel und/oder einen elektromagnetischen Stempel aufweist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 28 bis 38, zusätzlich aufweisend einen Sensor (170), wobei der Sensor (170) eingerichtet ist, eine Qualität von Halblei-terchips (110) zu ermitteln.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 28 bis 39, zusätzlich aufweisend eine weitere Transfereinheit (140), wobei die weitere Transfereinheit (140) einen weiteren Aufnahmebereich (146) und einen weiteren Abgabebereich (147) aufweist, wobei die weitere Transfereinheit (140) eingerichtet ist, auf einem Träger (120, 130) abgewälzt zu werden und dabei Halbleiterchips (110) aufzunehmen und abzugeben .
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