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WO2016208446A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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WO2016208446A1
WO2016208446A1 PCT/JP2016/067572 JP2016067572W WO2016208446A1 WO 2016208446 A1 WO2016208446 A1 WO 2016208446A1 JP 2016067572 W JP2016067572 W JP 2016067572W WO 2016208446 A1 WO2016208446 A1 WO 2016208446A1
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WO
WIPO (PCT)
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bus bar
filter
electrode
filter device
acoustic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/067572
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
英樹 岩本
岡田　圭司
高峰　裕一
努 ▲高▼井
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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Priority to KR1020177031873A priority patent/KR101989462B1/ko
Priority to CN201680030389.1A priority patent/CN107615654B/zh
Priority to JP2017525224A priority patent/JP6424962B2/ja
Publication of WO2016208446A1 publication Critical patent/WO2016208446A1/ja
Priority to US15/830,015 priority patent/US10469055B2/en

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Definitions

  • the present invention relates to a filter device having a piezoelectric film made of LiTaO 3 .
  • Patent Document 1 discloses an acoustic wave device in which a high sound velocity film, a low sound velocity film, a LiTaO 3 film, and an IDT electrode are laminated in this order on a support substrate.
  • a surface acoustic wave propagating through a LiTaO 3 film is used.
  • Patent Document 2 discloses a surface acoustic wave resonator using a 15 ° rotated Y-cut X-propagation LiTaO 3 film.
  • this surface acoustic wave resonator the straight line connecting the tips of the first electrode fingers of the IDT electrode and the straight line connecting the tips of the second electrode fingers are inclined by about 18 ° to 72 ° with respect to the surface wave propagation direction.
  • the elastic wave device described in Patent Document 1 has a problem in that transverse mode ripple appears on the frequency characteristics.
  • An object of the present invention is to provide a filter device that can prevent deterioration of insertion loss, increase the Q value, and effectively suppress transverse mode ripple.
  • the filter device includes a plurality of low sound velocity regions outside the central region of the IDT electrode and a high sound velocity region outside the low sound velocity region in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having a first IDT electrode and functioning as a first bandpass filter; and an acoustic wave resonator electrically connected to the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter;
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the acoustic wave resonator have a piezoelectric film made of LiTaO 3 and the acoustic velocity of the propagating bulk wave is higher than the acoustic velocity of the acoustic wave propagating through the piezoelectric membrane.
  • the pendulum has a second IDT electrode formed on one surface of the piezoelectric film, and the second IDT electrode is inserted between a plurality of first electrode fingers and the first electrode fingers.
  • the wavelength determined by the period of the electrode finger of the second IDT electrode is ⁇
  • the thickness of the piezoelectric film made of LiTaO 3 is 10 ⁇ .
  • the plurality of first electrode fingers With respect to the propagation direction ⁇ of the elastic wave excited by the second IDT electrode defined by the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the LiTaO 3 , the plurality of first electrode fingers The direction connecting the tips and the direction connecting the tips of the plurality of second electrode fingers form an inclination angle ⁇ ( ⁇ is a positive value exceeding 0 °).
  • the piezoelectric film has a thickness of 1.5 ⁇ or less.
  • a plurality of the acoustic wave resonators are provided, and the plurality of the acoustic wave resonators are electrically connected to constitute a second bandpass filter.
  • a composite filter device having a first bandpass filter and a second bandpass filter can be provided.
  • the second band pass filter is a ladder filter.
  • the second bandpass filter it is possible to more effectively suppress the transverse mode ripple while further effectively preventing the deterioration of the insertion loss.
  • a filter device that is a duplexer that includes the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter as a reception filter and includes the second band-pass filter as a transmission filter. Provided.
  • the first band-pass filter and the second band-pass filter are provided in one chip component.
  • the filter device can be easily mounted, and the electronic device in which the filter device is mounted can be downsized.
  • the high sound velocity member is a high sound velocity support substrate.
  • the acoustic wave resonator further includes a support substrate, and the high sound velocity member is a high sound velocity film, and is provided on the support substrate.
  • the acoustic velocity of the propagating bulk wave is lower than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric film between the high acoustic velocity member and the piezoelectric film.
  • a certain low sound velocity film is laminated, and the piezoelectric film is indirectly laminated on the high sound velocity member.
  • the piezoelectric film is directly laminated on the high sound velocity member.
  • the first IDT electrode includes a first bus bar, a second bus bar arranged to be separated from the first bus bar, and the first bus bar.
  • a base end is electrically connected to the bus bar, a plurality of first electrode fingers whose front ends are extended toward the second bus bar, and a base end is connected to the second bus bar.
  • the first IDT electrode of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, wherein the first IDT electrode of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter has a plurality of second electrode fingers whose tips extend toward the first bus bar.
  • the lengthwise center of the first and second electrode fingers in at least one of the first and second electrode fingers is provided on at least one of the base end side and the tip end side from the center in the direction, and at least one of the first and second bus bars is in the length direction of the first or second bus bar.
  • the first and second bus bars are located closer to the first or second electrode finger than the opening, and the first and second bus bars are separated from each other.
  • the inner bus bar portion extending in the length direction of the second bus bar, the central bus bar portion provided with the opening, and the inner bus bar portion are located on opposite sides of the central bus bar portion. And an outer bus bar portion.
  • the inner bus bar portion has a strip shape extending in the elastic wave propagation direction.
  • both the first electrode finger and the second electrode finger are provided with the thick portion. In this case, the transverse mode ripple can be more effectively suppressed.
  • the first IDT electrode includes a first bus bar, a second bus bar disposed apart from the first bus bar, and the first bus bar.
  • a base end is electrically connected to the bus bar, a plurality of first electrode fingers whose front ends are extended toward the second bus bar, and a base end is connected to the second bus bar.
  • a plurality of second electrode fingers extending toward the first bus bar, the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers.
  • the cross region is the central region in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction and the low sound velocity provided outside the central region. And in the low sound velocity region, As the sound velocity is lower than the central region, the first and second thickness of the electrode fingers is thickened.
  • the first IDT electrode includes a first bus bar, a second bus bar disposed apart from the first bus bar, and the first bus bar.
  • a base end is electrically connected to the bus bar, a plurality of first electrode fingers whose front ends are extended toward the second bus bar, and a base end is connected to the second bus bar.
  • a plurality of second electrode fingers whose tips extend toward the first bus bar, and in the low sound velocity region, a sound velocity is provided on the first and second electrode fingers.
  • Dielectric films are stacked in order to lower the relative thickness.
  • the dielectric film laminated on the first and second electrode fingers is extended in a strip shape along the elastic wave propagation direction.
  • a duty of the first IDT electrode of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is 0.46 or less. In this case, the transverse mode ripple can be more effectively suppressed.
  • the inclination angle ⁇ is in the range of 0.4 ° to 15 °. In this case, the insertion loss can be further reduced.
  • the insertion loss can be reduced, the Q value can be increased, and the transverse mode ripple can be suppressed.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of a filter device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave resonator
  • FIG. 2 is a schematic front sectional view of an acoustic wave resonator used in a second bandpass filter in the first embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the propagation direction ⁇ and the inclination angle ⁇ .
  • FIG. 4 is a diagram illustrating impedance characteristics of the elastic wave resonator of Comparative Example 1 in which the inclination angle is 0 °.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of a filter device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave resonator.
  • FIG. 2 is a schematic front sectional view of an acoustic wave resonator used in a second bandpass filter in the first embodiment of the present
  • FIG. 5 is a diagram showing a change in impedance characteristics of the acoustic wave resonator when the inclination angle ⁇ is changed.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the return loss characteristics of the acoustic wave resonator of Comparative Example 1 in which the inclination angle ⁇ is 0 °.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating changes in the return loss characteristics when the inclination angle ⁇ is changed.
  • FIG. 8 is a diagram showing changes in the Q value when the inclination angle ⁇ is changed.
  • FIG. 9 is a diagram showing a change in the return loss characteristic when the inclination angle ⁇ is changed.
  • FIG. 10 is an enlarged view of FIG. 9 and shows changes in the return loss characteristics when the inclination angle ⁇ is changed.
  • FIGS. 11A and 11B are schematic front sectional views showing first and second modifications of the acoustic wave resonator used in the second band-pass filter.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter as a first bandpass filter used in the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic front sectional view for explaining a laminated structure in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter used in the first embodiment.
  • FIG. 14 is a partially cutaway plan view showing an example of an electrode structure for using the piston mode in the first embodiment.
  • FIG. 15 is a partially cutaway plan view for explaining a modification of the main part of the IDT electrode of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • FIG. 16 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of the 1-port elastic wave resonator having the IDT electrode shown in FIG.
  • FIG. 17 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of the 1-port elastic wave resonator having the IDT electrode shown in FIG.
  • FIG. 18 is a circuit diagram of the filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter as Comparative Example 3 in the filter device of Example 1.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter as Comparative Example 3 in the
  • FIG. 20 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the ladder filter in the filter device as the first embodiment and the ladder filter as the comparative example 4.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the duty of the first IDT electrode and the strength of the transverse mode ripple in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • FIG. 22 is a schematic plan view of a filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a schematic plan view showing a first example of the structure of an IDT electrode for using the piston mode.
  • FIG. 24 is a schematic plan view showing a second example of the structure of the IDT electrode for using the piston mode.
  • FIG. 25 is a schematic plan view showing a third example of the structure of the IDT electrode for using the piston mode.
  • FIG. 26 is a schematic plan view showing a fourth example of the structure of the IDT electrode for using the piston mode.
  • FIG. 27 is a diagram showing the relationship between the film thickness of LiTaO 3 and the ratio band.
  • FIG. 28A and FIG. 28B are plan views showing modified examples of the inclined IDT.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 is used as a duplexer of a mobile phone.
  • the filter device 1 includes an antenna terminal 2, a reception terminal 3, and a transmission terminal 4.
  • the antenna terminal 2 is connected to the antenna ANT.
  • a first band-pass filter 5 is connected between the antenna terminal 2 and the reception terminal 3 as a reception filter.
  • a second band-pass filter 6 as a transmission filter is connected between the antenna terminal 2 and the transmission terminal 4.
  • the first band-pass filter 5 has a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 using a piston mode.
  • the piston mode is a technique for suppressing the transverse mode. About the configuration using the piston mode. This will be described more specifically with reference to FIGS.
  • FIGS. 23 to 26 are schematic plan views for explaining a structure using a piston mode.
  • the IDT electrode 201 includes a first bus bar 202 and a second bus bar 203.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 204 is connected to the first bus bar 202.
  • a plurality of second electrode fingers 205 are connected to the second bus bar 203.
  • the plurality of first electrode fingers 204 and the plurality of second electrode fingers 205 are interleaved.
  • the sound speed of each region is shown on the right side, and a plurality of first electrode fingers 204 and a plurality of second electrode fingers 205 overlap in the elastic wave propagation direction.
  • a low sound velocity region is provided in a region outside the central region.
  • a high sound velocity region is provided in a region further outside the low sound velocity region.
  • the piston mode is utilized by providing a low sound velocity region outside the central region of the intersection region and further providing a high sound velocity region outside the low sound velocity region.
  • the transverse mode can be suppressed.
  • the thickness of the metal film is increased in the low sound velocity region in order to reduce the sound velocity in the low sound velocity region.
  • region is not limited to FIG.
  • the low sound velocity region may be provided by providing the wide portions 211 and 212 on the first electrode finger 204 and the second electrode finger 205.
  • a low sound velocity region may be provided by laminating dielectric films 221 and 222 on part of the electrode fingers 204 and 205.
  • the method for forming the high sound velocity region is not particularly limited. As shown in FIG. 23, a method in which no dummy electrode is provided between the tip of the electrode finger and the bus bar on the other side may be used. Or you may arrange
  • the dielectric films 223 and 224 may be provided so as to extend in the elastic wave propagation direction to form a low sound velocity region.
  • the structure in the piston mode may be any means for forming the low sound velocity portion and the high sound velocity portion as long as the sound velocity relationship of FIG. 23 is realized.
  • the electrode finger end may have a wide width portion and may have a thin bus bar structure.
  • the second band pass filter 6 is a ladder filter.
  • This ladder type filter has a plurality of elastic wave resonators 21 and 21 as series arm resonators and a plurality of elastic wave resonators 22 and 22 as parallel arm resonators.
  • FIG. 1A schematically shows the circuit configuration of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 and the ladder type filter. In these circuit configurations, an electrode is formed on the LiTaO 3 film 7. Is provided.
  • the filter device 1 since the first band-pass filter 5 uses the piston mode, the transverse mode ripple can be effectively suppressed.
  • the specific structure of the filter device using the piston mode is not particularly limited. The details of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 will be described later.
  • the plurality of acoustic wave resonators 21 and 22 constituting the second bandpass filter 6 will be described as a representative of the acoustic wave resonator 21.
  • FIG. 2 is a schematic front sectional view of the acoustic wave resonator 21.
  • the acoustic wave resonator 21 has a support substrate 23. Bonding material layers 24 a and 24 b are laminated on the support substrate 23. A high sound velocity film 25 as a high sound velocity member is laminated on the bonding material layers 24a and 24b. A low sound velocity film 26 is laminated on the high sound velocity film 25. A piezoelectric film 27 made of LiTaO 3 is laminated on the low acoustic velocity film 26.
  • the material of the piezoelectric film is not particularly limited, LiTaO 3, LiNbO 3, ZnO , AlN , or can be suitably used either PZT.
  • An IDT electrode 28 is formed on the piezoelectric film 27.
  • the support substrate 23 is made of silicon in this embodiment. But the material which comprises the support substrate 23 is not specifically limited. A semiconductor material other than silicon may be used. Further, an insulating material such as glass or insulating ceramics may be used.
  • the resistivity is desirably 100 ⁇ cm or more, more preferably 1000 ⁇ cm or more, and further preferably 4000 ⁇ cm or more.
  • the resistivity is increased, capacitive coupling between an electrode described later and the support substrate 23 can be effectively suppressed. Therefore, the insertion loss can be further reduced.
  • the thermal expansion coefficient of silicon is small. Therefore, expansion and contraction due to a temperature change of the functional film or the like provided on the support substrate 23 can be suppressed. Thereby, the frequency variation of the heat load can be reduced, and the temperature characteristics can be further enhanced.
  • the thickness of the Si support substrate was 62.5 ⁇ . Furthermore, since the thermal conductivity of silicon is high, the heat generated in the filter device can be efficiently dissipated. As a result, the power durability can be improved.
  • the support substrate 23 made of silicon is excellent in workability. Therefore, it is easy to manufacture. Dicing can also be performed easily. Since the bending strength is high, the filter device can be made thinner.
  • the bonding material layers 24a and 24b are made of silicon oxide. However, a bonding material other than silicon oxide may be used. As long as the high acoustic velocity film 25 can be bonded to the support substrate 23, the material of the bonding material layers 24a and 24b is not particularly limited.
  • the high sound velocity film As a material of the high sound velocity film, various types of ceramics such as aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, DLC film, silicon, sapphire, alumina, cordierite, mullite, steatite, forsterite, magnesia, diamond, Alternatively, any one of a material mainly composed of the above materials and a material mainly composed of a mixture of the above materials can be preferably used.
  • the high acoustic velocity film 25 is made of aluminum nitride.
  • the high acoustic velocity film 25 can be formed of an appropriate material as long as the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the acoustic wave propagating through the piezoelectric film 27 is faster.
  • the sound speed of the bulk wave is a sound speed inherent to the material, and there are a P wave that vibrates in the wave traveling direction, that is, the longitudinal direction, and an S wave that vibrates in the lateral direction that is perpendicular to the traveling direction.
  • the bulk wave propagates in any of the piezoelectric film 27, the high sound velocity film 25, and the low sound velocity film 26.
  • isotropic materials there are P waves and S waves.
  • anisotropic materials there are P waves, slow S waves, and fast S waves.
  • an SH wave and an SV wave are generated as two S waves.
  • the acoustic velocity of the elastic wave of the main mode propagating through the piezoelectric film 27 means the pass band as a filter and the resonance characteristics as a resonator among the three modes of P wave, SH wave and SV wave. Say the mode you are using to get.
  • the low acoustic velocity film suitably uses silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide, or a material mainly composed of the above materials. be able to.
  • the low acoustic velocity film 26 is made of silicon oxide in the present embodiment.
  • the low acoustic velocity film 26 can be formed of an appropriate material as long as the acoustic velocity of the propagating bulk wave is slower than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric film 27.
  • An adhesive layer may be formed between the high sound velocity film 25 and the piezoelectric film 27.
  • the adhesion layer may be a resin or metal, and for example, an epoxy resin or a polyimide resin is used.
  • the energy of the elastic wave can be confined in the portion up to the high acoustic velocity film 25.
  • the IDT electrode 28 is made of an Al film in this embodiment.
  • the IDT electrode 28 may use an alloy film mainly composed of an Al film instead of the Al film.
  • the IDT electrode 28 can be formed of various metal materials other than Al or an alloy mainly composed of Al. Examples of such a metal material include Cu, Mo, W, Ag, Pd, and alloys containing these.
  • the characteristic of the acoustic wave resonator 21 is that the IDT electrode 28 has a positive value greater than 0 ° as described below. Therefore, it is possible to suppress the ripple caused by the transverse mode.
  • ⁇ is in the range of 0.4 ° to 15 °. Thereby, the transverse mode ripple can be more effectively suppressed.
  • the film thickness of LiTaO 3 is preferably 3.5 ⁇ or less. In this case, the Q characteristic can be improved. Moreover, it is preferable that the LiTaO 3 film thickness be 2.5 ⁇ or less. In that case, the frequency temperature coefficient can be reduced. Further, it is preferably 2.0 ⁇ or less, and the absolute value of TCF can be made ⁇ 10 ppm / ° C. or less. Note that the thickness of the LiTaO 3 film is more preferably 1.5 ⁇ or less. FIG.
  • the ratio band is proportional to the electromechanical coupling coefficient.
  • the IDT electrode 28 has a first bus bar 28a extending in a direction inclined with respect to the elastic wave propagation direction.
  • a second bus bar 28b is provided separately from the first bus bar 28a.
  • the second bus bar 28b is also inclined at the same angle as the first bus bar 28a with respect to the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 28a and the second bus bar 28b extend in parallel.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 28c is connected to the first bus bar 28a.
  • the plurality of first electrode fingers 28c are extended toward the second bus bar 28b.
  • the direction orthogonal to the first electrode finger 28c is the elastic wave propagation direction ⁇ .
  • a plurality of second electrode fingers 28d are provided so as to be inserted into the plurality of first electrode fingers 28c.
  • One ends of the plurality of second electrode fingers 28d are connected to the second bus bar 28b.
  • a first dummy electrode finger 28e is provided with a gap from the tip of the first electrode finger 28c.
  • the first dummy electrode finger 28e is connected to the second bus bar 28b.
  • the second dummy electrode finger 28f is arranged with a gap from the tip of the second electrode finger 28d.
  • the second dummy electrode finger 28f is connected to the first bus bar 28a.
  • an imaginary line A1 connecting the tips of the plurality of second electrode fingers 28d forms an angle ⁇ with respect to the elastic wave propagation direction ⁇ .
  • the direction of the imaginary line A2 connecting the tips of the first electrode fingers 28c is the same as the direction A1 connecting the tips of the second electrode fingers 28d.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the relationship between the propagation direction ⁇ and the inclination angle ⁇ .
  • Euler angles of LiTaO 3 be ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ).
  • Broken lines B1 to B4 in the IDT electrodes 10A to 10D are parallel to the direction connecting the tips of the plurality of first electrode fingers in the IDT electrodes 10A to 10D.
  • the direction B1 and the propagation direction ⁇ in which the elastic wave propagates are the same direction.
  • the direction B1 is represented by ( ⁇ , 0 °) where (the propagation direction of each elastic wave, the inclination angle ⁇ with respect to the propagation direction).
  • the IDT electrode 10B it is (0 °, ⁇ ).
  • the IDT electrode 10C ( ⁇ , ⁇ ).
  • the IDT electrode 10D ( ⁇ , ⁇ ).
  • an angle formed by the propagation direction ⁇ and the direction connecting the tip of the first electrode finger 28c of the IDT electrode 28 with respect to the propagation direction is defined as an inclination angle ⁇ .
  • an IDT electrode having an inclination angle ⁇ larger than 0 ° and a positive value may be abbreviated as an inclined IDT.
  • the design parameters of the elastic wave resonator were as follows.
  • an elastic wave resonator of Comparative Example 1 was manufactured with an inclination angle ⁇ of 0 °.
  • FIG. 4 is a diagram showing impedance characteristics of the acoustic wave resonator of Comparative Example 1.
  • FIG. 6 shows the return loss characteristic of the elastic wave resonator of Comparative Example 1 described above.
  • the inclination angle ⁇ 0 °. That is, the propagation direction ⁇ was made to coincide with the elastic wave propagation direction.
  • each elastic wave resonator having an inclination angle ⁇ in the IDT electrode of 2.5 °, 5.0 °, 7.5 °, 10 °, or 15 ° was manufactured.
  • FIG. 5 shows the impedance characteristics of these elastic wave resonators.
  • FIG. 7 shows the return loss characteristics of the acoustic wave resonator when the inclination angle ⁇ is 0.0 °, 2.5 °, 5.0 °, 7.5 °, 10 °, or 15 ° as described above. Indicates.
  • FIG. 8 shows the relationship between the Q value and the frequency of each acoustic wave resonator in which the inclination angle ⁇ is 0.0 °, 2.5 °, 5.0 °, 7.5 °, 10 °, or 15 °. Indicates.
  • each elastic wave resonator having the inclination angle ⁇ of 0 °, 0.4 °, 0.9 °, 1 °, or 1.5 ° was manufactured.
  • the return loss characteristics of these acoustic wave resonators are shown in FIGS.
  • FIG. 10 is an enlarged view of FIG.
  • the transverse mode ripple can be suppressed.
  • ⁇ is 0.4 ° or more.
  • the transverse mode can be further suppressed.
  • the absolute value of the return loss can be made smaller than 1 dB. Therefore, if ⁇ is more preferably 1 ° or more, and most preferably 2.5 ° or more, the transverse mode ripple can be further suppressed.
  • FIG. 8 also shows that it is preferable to set ⁇ to 10 ° or less in order to make the maximum Q value 2500 or more in order to reduce the loss. Therefore, the inclination angle ⁇ is preferably in the range of 1 ° to 10 °. Thereby, the transverse mode ripple can be effectively suppressed and the loss can be reduced. More preferably, the inclination angle ⁇ is in the range of not less than 2.5 ° and not more than 10 °.
  • the inclination angle ⁇ is set to 5 ° or more. Therefore, more preferably, the inclination angle ⁇ is in the range of 5 ° or more and 10 ° or less.
  • the elastic wave resonator 21 can suppress the transverse mode ripple as described above.
  • the plurality of acoustic wave resonators 21 are all configured as described above, and the plurality of acoustic wave resonators 22 have the same structure. Therefore, the second band pass filter 6 can suppress the transverse mode ripple.
  • 11A and 11B are schematic front cross-sectional views showing acoustic wave resonators 21A and 21B according to first and second modifications of the acoustic wave resonator 21, respectively.
  • a structure in which a low sound velocity film 26 and a piezoelectric film 27 are laminated on a high sound velocity support substrate 25A as a high sound velocity member may be used.
  • the piezoelectric film 27 is laminated on the high sound speed member via the low sound speed film 26. That is, the piezoelectric film 27 is indirectly laminated on the high sound velocity member.
  • the high sound velocity film 25 and the piezoelectric film 27 may be laminated. That is, the low sound velocity film 26 may be omitted. In that case, the piezoelectric film 27 is directly laminated on the high sound speed film 25 as a high sound speed member.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 constituting the first band-pass filter 5 in the filter device 1.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 a plurality of first IDT electrodes 31 to 39 are arranged on the piezoelectric film 27 along the acoustic wave propagation direction. Reflectors 40 and 41 are provided on both sides in the elastic wave propagation direction of the region where the first IDT electrodes 31 to 39 are provided.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 is a 9IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • the number of the first IDT electrodes in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 may be an odd number of 3 or more, and is not limited to 9.
  • FIG. 13 is a schematic front sectional view for explaining a laminated structure in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11.
  • a piezoelectric film 27 made of a bonding material layer 24 a, 24 b, a high acoustic velocity film 25, a low acoustic velocity film 26 and LiTaO 3 is formed on a support substrate 23.
  • a first IDT electrode 31 is provided on the piezoelectric film 27.
  • FIG. 13 only the portion where the first IDT electrode 31 is provided is shown, but the portions where the other first IDT electrodes 32 to 39 are formed also have the same laminated structure.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 a laminated structure having a high sound velocity member, a high sound velocity film, and a low sound velocity film is used as described above. Therefore, similarly to the second bandpass filter 6 side, the energy of the elastic wave can be confined in the portion up to the high sound velocity film 25.
  • first IDT electrodes 31 to 39 will be described on behalf of the first IDT electrode 31.
  • the configuration for using the piston mode is particularly limited. It is not a thing.
  • FIG. 14 is a partially cutaway plan view showing an example of an electrode structure for using the piston mode in the present embodiment. That is, in the IDT electrode, a region where an electrode finger connected to one potential and an electrode finger connected to the other potential overlap in the elastic wave propagation direction is defined as an intersecting region. In this intersecting region, the piston mode can be formed by forming edge regions having a sound speed slower than that of the central region on both sides of the central region in the extending direction of the electrode fingers. A mode of forming such a piston mode is not particularly limited.
  • the first IDT electrode 31 is provided with a structure that suppresses transverse mode ripple by forming a piston mode.
  • the first IDT electrode 31 includes a first bus bar 111 and a second bus bar 112 disposed so as to be separated from the first bus bar 111.
  • the first bus bar 111 and the second bus bar 112 extend in parallel to the elastic wave propagation direction.
  • the base ends of a plurality of first electrode fingers 113 are connected to the first bus bar 111.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 113 are extended from the first bus bar 111 toward the second bus bar 112 side. That is, a plurality of first electrode fingers 113 are extended in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the base ends of the plurality of second electrode fingers 114 are connected to the second bus bar 112.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 114 are extended from the second bus bar 112 toward the first bus bar 111 side. That is, the plurality of second electrode fingers 114 also extend in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of first electrode fingers 113 and the plurality of second electrode fingers 114 are interleaved.
  • the first electrode finger 113 is provided with thick portions 113a, 113b, 113c, and 113d.
  • the second electrode finger 114 is also provided with wide portions 114a, 114b, 114c, 114d.
  • the shapes of the wide portions 113a to 113d and 114a to 114d will be described on behalf of the thick portion 113a.
  • the wide width portion 113a is longer in the width direction dimension than the remaining portion of the first electrode finger 113, that is, the dimension along the elastic wave propagation direction.
  • the wide width portion 113 a has an isosceles trapezoidal shape that protrudes from the side edge of the first electrode finger 113 in the elastic wave propagation direction.
  • the shape of the wide width portion is not limited to this, and a protruding portion having various shapes such as a semicircular protruding portion may protrude from the side edge of the first electrode finger 113 in the elastic wave propagation direction.
  • the wide width portions 113a and 113b are provided close to the proximal end side of the first electrode finger 113 in the first electrode finger 113.
  • the wide portions 113a and 113b are formed close to the first bus bar 111 side.
  • the thick portions 113c and 113d are provided close to the distal end side of the first electrode finger 113, that is, the second bus bar 112 side.
  • the second electrode finger 114 is provided with wide portions 114a and 114b on the tip side.
  • the thick width portions 114a and 114b and the thick width portions 113a and 113b are alternately arranged in a region near the first bus bar 111 in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction, that is, in a direction in which the electrode fingers extend.
  • the wide width portions 113c and 113d and the wide width portions 114c and 114d are alternately arranged on the side close to the second bus bar 112 in the extending direction of the electrode fingers.
  • a region V2 shown in FIG. 14 is formed.
  • V1 to V6 on the right side of FIG. 14 indicate regions arranged outward from the center of the first IDT electrode 31 in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • FIG. 14 schematically shows elastic wave velocities (hereinafter referred to as sound speeds) V 1 to V 6 propagating in the regions V1 to V6.
  • the speed of sound region Vn n is a natural number
  • V n is an IDT central region located between the thick portion 113b and the thick portion 113c.
  • the region V2 in which the thick portions 113a, 113b, 114a, and 114b are provided has a lower sound speed than the region V1 in the center of the IDT.
  • a protruding portion 113e protruding in the electrode finger width direction is provided at the base end of the first electrode finger 113. Accordingly, in the region V3 where the protruding portion 113e is provided, the sound velocity is lower than the region V5 of the high sound velocity portion described later. However, in the region V3, since the second electrode fingers 114 are not present, the acoustic velocity V 3 are high acoustic velocity than the acoustic velocity V 2 of the area V2.
  • the second electrode finger 114 is also provided with a protrusion 114e.
  • the first bus bar 111 includes an inner bus bar portion 111A, a central bus bar portion 111B, and an outer bus bar portion 111C.
  • the inner side and the outer side refer to the side where the first and second electrode fingers 113 and 114 are present in the first IDT electrode 31 in the direction in which the electrode fingers of the IDT electrode extend, and the opposite side is the outer side. It is said.
  • the inner bus bar portion 111A is a portion to which the base ends of the plurality of first electrode fingers 113 are connected.
  • the inner bus bar portion 111A has an elongated strip shape extending in the elastic wave propagation direction. Since this is a metallized portion, the inner bus bar portion 111A constitutes a region V4 having a low sound velocity.
  • a plurality of openings 115 are distributed in the central bus bar portion 111B along the elastic wave propagation direction.
  • the opening 115 is located between the connecting portions 116 extending in the direction in which the electrode fingers extend.
  • the connecting portion 116 has the same width as the first electrode finger 113 and is located on the extension of the first electrode finger 113. But the dimension of the connection part 116 and the position to provide are not limited to this.
  • the opening part 115 has a rectangular shape in this embodiment, it is not limited to a rectangular shape.
  • the connecting portions 116 and the opening portions 115 are alternately arranged along the elastic wave propagation direction. Accordingly, since there are many portions that are not metallized, the central bus bar portion 111B constitutes a high sound velocity region V5.
  • the outer bus bar portion 111C does not have an opening. Accordingly, the outer bus bar portion 111C is a metallized region, and this region V6 is a low sound velocity region.
  • an inner bus bar part 112A On the second bus bar 112 side, an inner bus bar part 112A, a central bus bar part 112B, and an outer bus bar part 112C are formed.
  • the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 since the first IDT electrode 31 is configured as described above, a low sound velocity region is provided outside the central region V1, and regions V2 to V4 that are low sound velocity regions are provided. A high sound velocity region V5 exists outside of. Therefore, it is possible to form the piston mode, and the lateral mode ripple can be effectively suppressed.
  • the first IDT electrodes 32 to 39 are configured similarly to the first IDT electrode 31. Therefore, the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 can effectively suppress the transverse mode ripple by forming the piston mode.
  • the transverse mode ripple can be more effectively suppressed and an ideal piston mode can be formed. This will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 16 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of an acoustic wave resonator having the first IDT electrode 31.
  • the IDT electrode 51 of the modification shown in FIG. 15 was prepared.
  • a one-port type acoustic wave resonator having a modified IDT electrode 51 was produced.
  • the first bus bar 152 is configured to have only a thick band-shaped metallized region. Therefore, the portion where the first bus bar 152 is provided is a low sound velocity region indicated by V14.
  • the sound velocities V 11 to V 14 of the regions V11 to V14 in the extending direction of the electrode fingers of the IDT electrode 51 in the elastic wave resonator of the modification are schematically shown on the right side of FIG.
  • FIG. 17 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of a modified one-port elastic wave resonator.
  • ripples appear between the resonance frequency and the anti-resonance frequency and on the higher frequency side than the anti-resonance frequency.
  • This ripple is a transverse mode ripple.
  • the transverse mode ripple is temporarily suppressed by providing the thick portion.
  • FIG. 16 in the structure of the above embodiment, it can be seen that such transverse mode ripple can be effectively suppressed, and almost no transverse mode ripple appears.
  • the sound velocities V 1 to V 6 of the regions V 1 to V 6 are as shown in FIG. That is, by providing the inner bus bar portion 111A in addition to the wide width portions 113a, 113b, 114a, and 114b, the average value of the sound speeds of the regions V2, V3, and V4 that are the low sound velocity regions can be effectively lowered. ing.
  • the sound speed difference ⁇ V between the low sound speed region and the central region is very large. Therefore, it is considered that the transverse mode ripple can be more effectively suppressed. That is, the larger the sound speed difference ⁇ V, the more reliably the piston mode is generated and the transverse mode ripple can be effectively suppressed.
  • the electrode structure for using the piston mode in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter in the present invention is not limited to the above structure. That is, in addition to the method of adjusting the sound speed by providing a thick portion, a method of adjusting the sound speed by stacking a dielectric film on the electrode finger may be employed.
  • the second band-pass filter 6 has the above-described inclined structure in the IDT electrode and an elastic wave confinement structure using a high sound velocity film and a low sound velocity film. Therefore, in the second bandpass filter 6 as well, the insertion loss is hardly deteriorated, and the Q value can be effectively increased.
  • the filter device 1 can effectively increase the Q value in the filter characteristics.
  • FIG. 18 is a circuit diagram of the filter device of Example 1 as an example of the first embodiment.
  • the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
  • the ladder type filter as the second band-pass filter 6 is provided with series arm resonators S1 to S5 and parallel arm resonators P1 to P4.
  • the series arm resonators S 1 to S 5 correspond to the elastic wave resonator 21 described above
  • the parallel arm resonators P 1 to P 4 correspond to the elastic wave resonator 22.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 as the first bandpass filter 5 is a 9IDT type as described in the above embodiment.
  • the electrode finger crossing width was 23 ⁇ m.
  • the wavelength ⁇ ( ⁇ m) determined by the electrode finger pitch of the first IDT electrodes 31 to 39 and the number of pairs of electrode fingers are as shown in Table 1 below.
  • the wavelength determined by the electrode finger pitch of the reflector is also as shown in Table 1 below.
  • narrow pitch means a narrow pitch electrode finger.
  • Main means the remaining electrode finger portions other than the narrow pitch electrode finger portions.
  • the duty ratios of the IDT electrode and the reflector in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 are both 0.5.
  • Distance between reflector 40 and the first IDT electrode 31, the distance between the reflector 41 and the first IDT electrode 39 was set to 0.53 ⁇ R.
  • ⁇ R is a wavelength determined by the electrode finger pitch of the reflector, that is, 1.9759 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers of the reflector was 30.
  • acoustic wave resonators 61 a and 61 c are connected between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 and the antenna terminal 2.
  • the elastic wave resonator 61b is connected between the connection point between the elastic wave resonators 61a and 61c and the ground potential.
  • An elastic wave resonator 61d is connected between the output terminal of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 and the ground potential.
  • the laminated structure of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 is obtained by laminating a SiO 2 film with a thickness of 673 nm and a LiTaO 3 substrate with a thickness of 600 nm on a high acoustic velocity support substrate made of Si.
  • the cut angle of LiTaO 3 was 50 ° Y.
  • the inclination angle ⁇ in each acoustic wave resonator of the ladder type filter was 7.5 °.
  • Al having a thickness of 157 nm was used as the first and second IDT electrodes.
  • the broken line in FIG. 19 shows the attenuation frequency characteristic of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 using the piston mode of the first embodiment.
  • Comparative Example 3 in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, except that the IDT electrode having the same inclined structure as the ladder type filter in Example 1 was used and the piston mode was not used.
  • a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having the same configuration was prepared.
  • the solid line in FIG. 19 shows the result of Comparative Example 3.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 used in Example 1 can effectively suppress the deterioration of insertion loss, as compared with Comparative Example 3 indicated by the solid line. . Therefore, the Q value of the filter device can be increased.
  • each elastic wave resonator of the ladder type filter employs a configuration using a piston mode like the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 of the first embodiment. That is, a ladder filter similar to that of the first embodiment was configured except that the piston type was used without using the inclined IDT having a positive inclination angle ⁇ .
  • the ladder type filter used in Example 1 is less susceptible to deterioration of insertion loss according to Example 1 than with Comparative Example 4. Therefore, the Q value can be increased in the filter device 1.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 uses the piston mode
  • the second bandpass filter 6 that is a ladder type filter uses the inclined IDT.
  • the present invention is characterized in that the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter uses the piston mode without employing the inclined IDT as described above, and on the other hand, is a ladder as a second band-pass filter.
  • the type filter is characterized by adopting the inclined type IDT without adopting the piston mode.
  • the duty of the first IDT electrode in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 using the piston mode is 0.46 or less.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating the relationship between the duty in the first IDT electrode and the ripple strength.
  • the ripple strength means the magnitude of the maximum ripple appearing in the passband.
  • the structure connected to the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 is not limited to the second bandpass filter 6 formed of the ladder type filter. That is, another second bandpass filter having a plurality of acoustic wave resonators may be used.
  • a structure in which an acoustic wave resonator is connected to the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 instead of the second bandpass filter is also included in the present invention.
  • At least one of the acoustic wave resonators 61a to 61d constituting the trap may be configured to have the above-described tilted IDT structure.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 11 has an insertion loss as described above. Degradation can be effectively suppressed, and on the elastic wave resonator side, degradation of insertion loss can be effectively suppressed by the inclined IDT structure.
  • the filter device does not require the second band-pass filter, and has a structure in which the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 11 and at least one elastic wave resonator are connected. Good.
  • the first band-pass filter 5 and the second band-pass filter 6 are arranged on the LiTaO 3 film 7 which is the same piezoelectric film. And integrated. That is, the filter device 1 is configured as one chip component. Therefore, the size can be reduced, and the electronic device on which the filter device 1 is mounted can be reduced.
  • the first band-pass filter 5 and the second band-pass filter 6 are configured as separate chip components as a first chip component 71 and a second chip component 72, respectively. May be.
  • the first chip component 71 and the second chip component 72 are mounted on the mounting substrate 73.
  • the elastic wave resonators 21 and 22 having an inclination angle ⁇ as shown in FIG. 1B are at least one of the elastic wave resonators of the series arm resonators S1 to S5 and the parallel arm resonators P1 to P4. That's all you need.
  • the acoustic wave resonators 21 and 22 having the inclination angle ⁇ as shown in FIG. 1B may be used in the acoustic wave resonators 61a, 61b, 61c, and 61d shown in FIG.
  • the elastic wave resonators 61a, 61b, 61c, 61d may be used in all, or at least one of the elastic wave resonators 61a, 61b, 61c, 61d may be used.
  • the first band-pass filter 5 in FIG. 18 may be a reception filter
  • the second band-pass filter 6 may be a transmission filter
  • 28 (a) and 28 (b) are plan views showing modifications of the inclined IDT.
  • an electrode finger 302 connected to the same potential may be provided between the electrode fingers 303 and 304 connected to the same potential. That is, one electrode finger of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers to be inserted may be partially thinned out.
  • a thick electrode finger 312 may be provided like an inclined IDT 311 shown in FIG.
  • the outer shape of the electrode finger 312 is the same as the outer shape of the portion where the electrode fingers 303 and 304 and the electrode finger 302 are provided. That is, the wide electrode finger 312 is provided so as to fill a region where the electrode fingers 303 and 304 and the electrode finger connected to the other potential are thinned out.
  • first bus bar 201 ... IDT electrodes 202, 203 ... first and second bus bars 204,205 ... first electrode fingers, Second electrode fingers 211, 212... Wide portions 221 to 224... Dielectric films 301, 311. 302 to 304, 312 ... electrode fingers P1 to P4 ... parallel arm resonators S1 to S5 ... series arm resonators

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Abstract

横モードリップルを抑圧でき、挿入損失の劣化が生じ難く、Ｑ値を高め得るフィルタ装置を提供する。　フィルタ装置１は、弾性波伝搬方向と直交する方向において、ＩＤＴ電極の中央領域の外側に低音速領域を有し、かつ、低音速領域の外側に高音速領域を有する、複数の第１のＩＤＴ電極３１～３９を有し、第１の帯域通過型フィルタ５として機能する縦結合共振子型弾性波フィルタ１１と、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１に電気的に接続された弾性波共振子２１，２２とを備える。弾性波共振子２１，２２が、ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜と、伝搬するバルク波の音速が圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である高音速部材と、を有する。圧電膜は、高音速部材上に直接または間接に積層されている。複数の第１のＩＤＴ電極３１～３９は、圧電膜の一方面上で、縦結合接続している。圧電膜の一方面上に第２のＩＤＴ電極が設けられている。第２のＩＤＴ電極の複数本の第１の電極指の先端を結ぶ方向及び複数本の第２の電極指の先端を結ぶ方向が、ＬｉＴａＯ３のオイラー角（φ，θ，ψ）により規定される弾性波伝搬方向ψに対し、傾斜角度ν（νは０°を超える正の値）をなしている。

Description

フィルタ装置
　本発明は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜を有するフィルタ装置に関する。
　下記の特許文献１には、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、ＬｉＴａＯ３膜及びＩＤＴ電極をこの順序で積層してなる弾性波装置が開示されている。特許文献１では、ＬｉＴａＯ３膜を伝搬する弾性表面波が用いられている。
　他方、下記の特許文献２には、１５°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３膜を用いた弾性表面波共振子が開示されている。この弾性表面波共振子では、ＩＤＴ電極の第１の電極指の先端同士を結ぶ直線及び第２の電極指の先端同士を結ぶ直線が、表面波伝搬方向に対して１８°～７２°ほど傾斜されている。
ＷＯ２０１２／０８６６３９　Ａ１ 特開２０００－２８６６６３号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、周波数特性上において、横モードリップルが現れるという問題があった。
　他方、特許文献２では、一方のバスバーで反射された横モードと、他方のバスバーで反射された横モードとが打ち消し合う。それによって、横モードを抑制することができるとされている。
　しかしながら、特許文献１に記載の弾性波装置において、上下のバスバーを弾性波伝搬方向に対して傾斜させると、Ｑ値が劣化するという問題があった。従って、特許文献２に記載のような弾性表面波共振子を用いてフィルタ装置を構成した場合、挿入損失が劣化するおそれがあった。
　本発明の目的は、挿入損失の劣化を防ぎ、Ｑ値を高めることができ、かつ横モードリップルを効果的に抑制し得る、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、弾性波伝搬方向と直交する方向において、ＩＤＴ電極の中央領域の外側に低音速領域を有し、かつ、前記低音速領域の外側に高音速領域を有する、複数の第１のＩＤＴ電極を有し、第１の帯域通過型フィルタとして機能する縦結合共振子型弾性波フィルタと、前記縦結合共振子型弾性波フィルタに電気的に接続された弾性波共振子と、を備え、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振子が、ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜と、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である高音速部材と、を有し、前記圧電膜は、前記高音速部材上に直接または間接に積層されており、前記複数の第１のＩＤＴ電極は、前記圧電膜の一方面上で、縦結合接続しており、前記弾性波共振子が、前記圧電膜の一方面に形成されている第２のＩＤＴ電極を有し、前記第２のＩＤＴ電極が、複数本の第１の電極指と、前記第１の電極指と間挿し合っている複数本の第２の電極指とを有し、前記ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜の膜厚が、前記第２のＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる波長をλとしたときに、１０λ以下であり、前記ＬｉＴａＯ３のオイラー角（φ，θ，ψ）により規定される前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性波の伝搬方向ψに対し、前記複数本の第１の電極指の先端を結ぶ方向及び前記複数本の第２の電極指の先端を結ぶ方向がν（νは０°を超える正の値）の傾斜角度をなしている。
　本発明に係るフィルタ装置のある特定の局面では、前記圧電膜の厚みは、１．５λ以下である。
　本発明に係るフィルタ装置のある特定の局面では、前記弾性波共振子が複数備えられており、複数の前記弾性波共振子が電気的に接続されて、第２の帯域通過型フィルタが構成されている。この場合には、第１の帯域通過型フィルタと第２の帯域通過型フィルタとを有する、複合フィルタ装置を提供することができる。
　本発明に係るフィルタ装置においては、好ましくは、前記第２の帯域通過型フィルタが、ラダー型フィルタである。この場合には、第２の帯域通過型フィルタにおいて、挿入損失の劣化をより一層効果的に防ぎつつ、横モードリップルをより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記縦結合共振子型弾性波フィルタを受信フィルタとして有し、前記第２の帯域通過型フィルタを送信フィルタとして備えるデュプレクサである、フィルタ装置が提供される。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタと、前記第２の帯域通過型フィルタとが１つのチップ部品に設けられている。この場合には、フィルタ装置の実装が容易となり、かつフィルタ装置が搭載される電子機器の小型化を図ることができる。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材が高音速支持基板である。
　本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記弾性波共振子が支持基板をさらに有し、前記高音速部材が高音速膜であり、前記支持基板上に設けられている。
　本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記高音速部材と、前記圧電膜との間に、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜が積層されており、前記圧電膜が前記高音速部材上に間接に積層されている。
　本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記高音速部材上に前記圧電膜が直接積層されている。
　本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記第１のＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１及び第２の電極指の少なくとも一方において、前記第１及び第２の電極指の長さ方向中央に比べて幅方向寸法が大きくされている太幅部が、前記長さ方向中央よりも前記基端側及び前記先端側のうちの少なくとも一方の側に設けられており、前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が前記第１または第２のバスバーの長さ方向に沿って分離配置された複数の開口部を有し、前記第１及び第２のバスバーが、前記開口部よりも前記第１または第２の電極指側に位置しており、かつ前記第１及び第２のバスバーの長さ方向に延びる内側バスバー部と、前記開口部が設けられている中央バスバー部と、前記内側バスバー部に対して、前記中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部とを有する。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記内側バスバー部が、弾性波伝搬方向に延びる帯状の形状を有する。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の双方に前記太幅部が設けられている。この場合には、横モードリップルをより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、前記複数本の第１の電極指と前記複数本の第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている領域を交差領域とした場合、該交差領域が、前記弾性波伝搬方向と直交する方向における前記中央領域と、前記中央領域の外側に設けられた前記低音速領域とを有し、前記低音速領域において、前記中央領域に比べて音速が低くなるように、前記第１及び第２の電極指の厚みが厚くされている。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、前記低音速領域において、前記第１及び第２の電極指上に音速を相対的に低下させるために誘電体膜が積層されている。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の電極指上に積層された前記誘電体膜が、弾性波伝搬方向に沿って帯状に延ばされている。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記第１のＩＤＴ電極におけるデューティが０．４６以下である。この場合には、横モードリップルをより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係るフィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記傾斜角度νが０．４°以上、１５°以下の範囲にある。この場合には、挿入損失をより一層小さくすることができる。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、挿入損失を小さくでき、Ｑ値を高めることができ、かつ横モードリップルを抑圧することが可能となる。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の模式的平面図であり、図１（ｂ）は、弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態において、第２の帯域通過型フィルタに用いられる弾性波共振子の略図的正面断面図である。 図３は、伝搬方向ψと、傾斜角度νを説明するための模式図である。 図４は、傾斜角度が０°である比較例１の弾性波共振子のインピーダンス特性を示す図である。 図５は、傾斜角度νを変化させた場合の弾性波共振子のインピーダンス特性の変化を示す図である。 図６は、傾斜角度νが０°である比較例１の弾性波共振子のリターンロス特性を示す図である。 図７は、傾斜角度νを変化させた場合のリターンロス特性の変化を示す図である。 図８は、傾斜角度νを変化させた場合のＱ値の変化を示す図である。 図９は、傾斜角度νを変化させた場合のリターンロス特性の変化を示す図である。 図１０は、図９の拡大図であり、傾斜角度νを変化させた場合のリターンロス特性の変化を示す図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２の帯域通過型フィルタに用いられる弾性波共振子の第１，第２の変形例を示す略図的正面断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態のフィルタ装置で用いられている第１の帯域通過型フィルタとしての縦結合共振子型弾性波フィルタの模式的平面図である。 図１３は、第１の実施形態で用いられている縦結合共振子型弾性波フィルタにおける積層構造を説明するための略図的正面断面図である。 図１４は、第１の実施形態において、ピストンモードを利用するための電極構造の一例を示す部分切欠き平面図である。 図１５は、縦結合共振子型弾性波フィルタのＩＤＴ電極の要部の変形例を説明するための部分切欠き平面図である。 図１６は、図１４に示したＩＤＴ電極を有する１ポート型弾性波共振子のインピーダンス－周波数特性を示す図である。 図１７は、図１５に示したＩＤＴ電極を有する１ポート型弾性波共振子のインピーダンス－周波数特性を示す図である。 図１８は、実施例１のフィルタ装置の回路図である。 図１９は、実施例１のフィルタ装置における縦結合共振子型弾性波フィルタ及び比較例３としての縦結合共振子型弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図２０は、実施例１としてのフィルタ装置におけるラダー型フィルタ、並びに比較例４としてのラダー型フィルタとしての減衰量周波数特性を示す図である。 図２１は、縦結合共振子型弾性波フィルタにおける第１のＩＤＴ電極のデューティと、横モードリップルの強度との関係を示す図である。 図２２は、本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の模式的平面図である。 図２３は、ピストンモードを利用するためのＩＤＴ電極の構造の第１の例を示す模式的平面図である。 図２４は、ピストンモードを利用するためのＩＤＴ電極の構造の第２の例を示す模式的平面図である。 図２５は、ピストンモードを利用するためのＩＤＴ電極の構造の第３の例を示す模式的平面図である。 図２６は、ピストンモードを利用するためのＩＤＴ電極の構造の第４の例を示す模式的平面図である。 図２７は、ＬｉＴａＯ３の膜厚と、比帯域との関係を示す図である。 図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、傾斜型ＩＤＴの各変形例を示す平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の模式的平面図である。
　フィルタ装置１は、携帯電話機のデュプレクサとして用いられる。フィルタ装置１は、アンテナ端子２と、受信端子３と、送信端子４とを有する。アンテナ端子２はアンテナＡＮＴに接続される。アンテナ端子２と受信端子３との間に受信フィルタとして第１の帯域通過型フィルタ５が接続されている。アンテナ端子２と送信端子４との間に、送信フィルタとしての第２の帯域通過型フィルタ６が接続されている。
　第１の帯域通過型フィルタ５は、ピストンモードを利用している縦結合共振子型弾性波フィルタ１１を有する。なお、ピストンモードとは、横モードを抑制する技術である。ピストンモードを利用する構成について。図２３～図２６を参照してより具体的に説明する。
　図２３～図２６は、それぞれ、ピストンモードを利用する構造を説明するための模式的平面図である。図２３に示す第１の例では、ＩＤＴ電極２０１は、第１のバスバー２０２と、第２のバスバー２０３とを有する。第１のバスバー２０２に、複数本の第１の電極指２０４の一端が接続されている。第２のバスバー２０３に、複数本の第２の電極指２０５が接続されている。複数本の第１の電極指２０４と複数本の第２の電極指２０５とは、間挿し合っている。ここでは、図２３において右側に各領域の音速を示すように、複数本の第１の電極指２０４と複数本の第２の電極指２０５とが弾性波伝搬方向において重なり合っている、交差領域の中央領域よりも外側の領域に、低音速領域が設けられている。低音速領域のさらに外側の領域に、高音速領域が設けられている。
　上記のように、弾性波伝搬方向と直交する方向において、交差領域の中央領域の外側に、低音速領域を設け、さらに低音速領域の外側に高音速領域を設けることにより、ピストンモードを利用して、横モードを抑圧することができる。
　なお、図２３では、低音速領域の音速を低めるために、低音速領域において金属膜の膜厚が厚くされている。もっとも、低音速領域及び高音速領域を設ける方法は、図２３に限定されない。図２４に示す第２の例ように、第１の電極指２０４及び第２の電極指２０５に、太幅部２１１，２１２を設けることにより、低音速領域を設けてもよい。さらに、図２５に示す第３の例のように、電極指２０４，２０５の一部に誘電体膜２２１，２２２を積層することにより低音速領域を設けてもよい。
　なお、高音速領域を形成する方法についても特に限定されない。図２３に示すように、電極指の先端と、相手側のバスバーとの間に、ダミー電極を設けない方法を用いてもよい。あるいは、高音速領域において音速を高める材料を配置してもよい。
　さらに図２６に示す第４の例ように、誘電体膜２２３，２２４を、弾性波伝搬方向に延びるように設け、低音速領域を形成してもよい。
　なお、ピストンモードにおける構造は、図２３の音速関係を実現しさえすれば、低音速部、高音速部を形成する方法については手段を問わない。
　さらに、図１４の内側バスバー部１１１Ａに示されるように、電極指端に太幅部があり、かつ、細バスバー構造を有していてもよい。この構造を採用することにより、製造工程の複雑化及びコストの上昇を招くことなく、横モードリップルを抑制し得る、弾性波装置を提供可能である。
　第２の帯域通過型フィルタ６は、ラダー型フィルタである。このラダー型フィルタは、直列腕共振子としての複数の弾性波共振子２１，２１及び並列腕共振子としての複数の弾性波共振子２２，２２を有する。図１（ａ）では、上記縦結合共振子型弾性波フィルタ１１及び上記ラダー型フィルタの回路構成を模式的に図示しているが、これらの回路構成は、ＬｉＴａＯ３膜７上に電極を形成することにより設けられている。
　フィルタ装置１では、第１の帯域通過型フィルタ５が、ピストンモードを利用しているため、横モードリップルを効果的に抑制することができる。ピストンモードを利用したフィルタ装置の具体的な構造は特に限定されない。後程、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の詳細を説明する。
　第２の帯域通過型フィルタ６を構成している複数の弾性波共振子２１，２２について、弾性波共振子２１を代表して説明する。
　図２は、弾性波共振子２１の略図的正面断面図である。
　図２に示すように、弾性波共振子２１は、支持基板２３を有する。支持基板２３上に、接合材層２４ａ，２４ｂが積層されている。この接合材層２４ａ，２４ｂ上に、高音速部材としての高音速膜２５が積層されている。高音速膜２５上に、低音速膜２６が積層されている。低音速膜２６上に、ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜２７が積層されている。
　なお、圧電膜の材料としては、特に限定されないが、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、または、ＰＺＴのいずれかを好適に用いることができる。圧電膜２７上に、ＩＤＴ電極２８が形成されている。支持基板２３は、本実施形態ではシリコンからなる。もっとも、支持基板２３を構成する材料は、特に限定されない。シリコン以外の半導体材料が用いられてもよい。また、ガラスや絶縁性セラミックスなどの絶縁性材料が用いられてもよい。
　支持基板２３の材料としては本実施形態のようにシリコンが好ましい。特に、抵抗率が１００Ωｃｍ以上、より好ましくは１０００Ωｃｍ以上、さらに好ましくは４０００Ωｃｍ以上であることが望ましい。抵抗率が高くなると、後述の電極と支持基板２３との間の容量結合を効果的に抑制することができる。従って、挿入損失をより一層小さくすることができる。
　さらに、シリコンの熱膨張係数は小さい。従って、支持基板２３上に設けられた機能膜等の温度変化による伸縮を抑制することができる。それによって、熱負荷の周波数変動を小さくすることができ、温度特性をより一層高めることができる。本実施例では、Ｓｉ支持基板の厚みは６２．５λとした。さらに、シリコンの熱伝導性は高いため、フィルタ装置で発生した熱を効率良く放散させることができる。それによって耐電力性を高めることもできる。
　加えて、シリコンからなる支持基板２３は加工性に優れている。従って製造容易である。またダイシングも容易に行い得る。抗折強度が高いため、フィルタ装置の薄型化も進めることができる。
　接合材層２４ａ，２４ｂは、本実施形態では、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素以外の接合材を用いてもよい。高音速膜２５を支持基板２３に接合し得る限り、接合材層２４ａ，２４ｂの材料は特に限定されない。
　なお、高音速膜の材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ＤＬＣ膜、シリコン、サファイア、アルミナ、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかを好適に用いることができる。高音速膜２５は、本実施形態では、窒化アルミニウムからなる。高音速膜２５は、圧電膜２７を伝搬する弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が速い限り、適宜の材料により形成され得る。
　なお、バルク波の音速は材料に固有の音速であり、波の進行方向すなわち縦方向に振動するＰ波と、進行方向に垂直な方向である横方向に振動するＳ波とが存在する。上記バルク波は、圧電膜２７、高音速膜２５、低音速膜２６のいずれにおいても伝搬する。等方性材料の場合には、Ｐ波とＳ波とが存在する。異方性材料の場合、Ｐ波と、遅いＳ波と、速いＳ波とが存在する。そして、異方性材料を用いて弾性表面波を励振した場合、２つのＳ波として、ＳＨ波とＳＶ波とが生じる。本明細書において、圧電膜２７を伝搬するメインモードの弾性波の音速とは、Ｐ波、ＳＨ波及びＳＶ波の３つのモードのうち、フィルタとしての通過帯域や、共振子としての共振特性を得るために使用しているモードを言うものとする。
　なお、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素または炭素またはホウ素を加えた化合物、または、上記各材料を主成分とする材料のいずれかを好適に用いることができる。低音速膜２６は、本実施形態では酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜２６は、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜２７を伝搬する弾性波の音速よりも遅い限り、適宜の材料により形成することができる。
　なお、高音速膜２５と圧電膜２７との間に密着層が形成されていてもよい。密着層を形成すると、高音速膜２５と圧電膜２７との密着性を向上させることができる。密着層は、樹脂や金属であればよく、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が用いられる。
　本実施形態では、低音速膜２６の下側に高音速膜２５が積層されているため、高音速膜２５までの部分に、弾性波のエネルギーを閉じ込めることができる。
　上記ＩＤＴ電極２８は、本実施形態では、Ａｌ膜からなる。もっとも、ＩＤＴ電極２８は、Ａｌ膜に代えて、Ａｌ膜を主体とする合金膜を用いてもよい。さらに、ＩＤＴ電極２８は、ＡｌまたはＡｌを主体とする合金以外の、様々な金属材料により形成することができる。このような金属材料としては、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、またはこれらを含む合金を挙げることができる。
　弾性波共振子２１の特徴は、ＩＤＴ電極２８において、以下に述べる傾斜角度νが０°より大きい正の数値であることにある。そのため、横モードに起因するリップルを抑圧することができる。好ましくは、νは、０．４°以上、１５°以下の範囲にあることが望ましい。それによって、横モードリップルをより一層効果的に抑圧することができる。
　高音速膜２５及び低音速膜２６を有する弾性波共振子２１では、周波数特性上に、横モードに起因するリップルが現れがちである。ここで、特許文献２にあるように、ＬｉＮｂＯ３基板を用いた場合、横モードリップルの発生が顕著であり、他の特性に影響を与える。一方、ＬｉＴａＯ３基板を用いた場合は、横モードリップルは問題とはなっていなかった。しかしながら、ＬｉＴａＯ３膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の構造においては、ＬｉＴａＯ３を用いているにもかかわらず、横モードリップルの発生が顕著となることがわかった。特に、ＬｉＴａＯ３膜の膜厚が１０λ以下となった場合に、この横モードリップルが大きく現れる。本実施形態では、上記傾斜角度νが上記特定の範囲内とされているため、この横モードリップルをより一層効果的に抑圧することができる。これを、以下において詳細に説明する。ＬｉＴａＯ３の膜厚は３．５λ以下が好ましい。この場合には、Ｑ特性を良好とすることができる。また、ＬｉＴａＯ３膜厚を２．５λ以下とすることが好ましい。その場合には、周波数温度係数を小さくすることができる。さらに、好ましくは、２．０λ以下であり、ＴＣＦの絶対値をー１０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。なお、ＬｉＴａＯ３膜の膜厚が１．５λ以下であると、より好ましい。図２７は、ＬｉＴａＯ３膜の膜厚と、比帯域との関係を示す図である。比帯域は電気機械結合係数と比例関係を有する。ＬｉＴａＯ３膜の膜厚を１．５λ以下の範囲内で選択することにより、電気機械結合係数を容易に調整することができる。
　ＩＤＴ電極２８を代表して、上記傾斜角度νを説明することとする。図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極２８は、弾性波伝搬方向と傾斜する方向に延びている第１のバスバー２８ａを有する。第１のバスバー２８ａと隔てられて、第２のバスバー２８ｂが設けられている。第２のバスバー２８ｂも、弾性波伝搬方向に対して第１のバスバー２８ａと同じ角度で傾斜している。第１のバスバー２８ａと第２のバスバー２８ｂとは平行に延びている。
　第１のバスバー２８ａには、複数本の第１の電極指２８ｃの一端が接続されている。複数本の第１の電極指２８ｃは、第２のバスバー２８ｂ側に向かって延ばされている。第１の電極指２８ｃと直交する方向が弾性波伝搬方向ψとなる。また、複数本の第１の電極指２８ｃと間挿し合うように、複数本の第２の電極指２８ｄが設けられている。複数本の第２の電極指２８ｄの一端が第２のバスバー２８ｂに接続されている。
　第１の電極指２８ｃの先端とギャップを隔てて第１のダミー電極指２８ｅが設けられている。第１のダミー電極指２８ｅは、第２のバスバー２８ｂに接続されている。同様に、第２のダミー電極指２８ｆが、第２の電極指２８ｄの先端とギャップを隔てて配置されている。第２のダミー電極指２８ｆは、第１のバスバー２８ａに接続されている。
　ＩＤＴ電極２８では、複数本の第２の電極指２８ｄの先端を結ぶ仮想線Ａ１が、弾性波の伝搬方向ψに対しνの角度をなしている。なお、第１の電極指２８ｃの先端を結ぶ仮想線Ａ２の方向は、第２の電極指２８ｄの先端を結ぶ方向Ａ１と同じである。
　図３は、伝搬方向ψと傾斜角度νとの関係を説明するための模式図である。ＬｉＴａＯ３のオイラー角を（φ，θ，ψ）とする。図３の矢印Ｂで示す方向がψ＝０°の方向である。ＩＤＴ電極１０Ａ～１０Ｄにおける破線Ｂ１～Ｂ４は、各ＩＤＴ電極１０Ａ～１０Ｄにおける複数本の第１の電極指の先端同士を結ぶ方向と平行な方向である。ＩＤＴ電極１０Ａでは、方向Ｂ１と弾性波が伝搬する伝搬方向ψとが同じ方向となる。従って、この場合、（各弾性波の伝搬方向，伝搬方向に対する傾斜角度ν）としたとき、方向Ｂ１は、（ψ，０°）で表される。ＩＤＴ電極１０Ｂでは、（０°，ν）となる。ＩＤＴ電極１０Ｃでは、（ψ，ν）となる。ＩＤＴ電極１０Ｄでは、（ψ，－ν）となる。
　本明細書においては、伝搬方向ψと、伝搬方向に対するＩＤＴ電極２８の第１の電極指２８ｃの先端を結ぶ方向とのなす角度を、傾斜角度νとする。この傾斜角度νが、０°より大きく、正の数値であるＩＤＴ電極を、以下、傾斜型ＩＤＴと略すこともある。
　次に、上記弾性波共振子２１において、１つのＩＤＴ電極２８が設けられている部分により構成される弾性波共振子の特性を説明する。
　上記弾性波共振子の設計パラメータは以下の通りとした。
　圧電薄膜：カット角５５°のＹカットのＬｉＴａＯ３膜
　ＩＤＴ電極の電極指交差幅＝１５λ
　電極指の対数＝８３対
　なお、λ＝２μｍ
　後述するオフセット長Ｌ＝２λ
　ＩＤＴ電極におけるデューティ＝０．５
　ＩＤＴ電極の膜厚＝０．０８λ
　ＬｉＴａＯ３膜の膜厚＝０．３λ
　接合材層を構成している酸化ケイ素膜の膜厚＝０．３５λ
　ギャップ寸法Ｇ＝０．５μｍ
　上記設計パラメータに従って、ただし、傾斜角度νを０°とした比較例１の弾性波共振子を作製した。
　図４は、比較例１の弾性波共振子のインピーダンス特性を示す図である。また、図６は、上記比較例１の弾性波共振子のリターンロス特性を示す。この比較例１の弾性波共振子では、傾斜角度ν＝０°とした。すなわち、伝搬方向ψを、弾性波伝搬方向と一致させた。
　また、比較例１と同様にして、ただし、ＩＤＴ電極における傾斜角度νを２．５°、５．０°、７．５°、１０°または１５°とした各弾性波共振子を作製した。なお、図５には、ν＝０．０°の比較例１の特性も併せて示す。
　図５に、これらの弾性波共振子のインピーダンス特性を示す。
　図７は、上記のように、傾斜角度νが０．０°、２．５°、５．０°、７．５°、１０°または１５°である場合の弾性波共振子のリターンロス特性を示す。
　図８は、上記傾斜角度νが０．０°、２．５°、５．０°、７．５°、１０°または１５°とされた各弾性波共振子のＱ値と周波数との関係を示す。
　図４から明らかなように、傾斜角度νが０°の比較例１では、矢印Ｃ１～Ｃ３で示すリップルが、共振周波数と反共振周波数との間に現れていることがわかる。また、図６の矢印Ｃ１～Ｃ３は、図４のＣ１～Ｃ３で示すリップルに対応しているリップルである。
　他方、図５では必ずしも明確ではないが、図７のリターンロス特性及び図８のＱ値－周波数特性によれば、νが、０°より大きくなると、これらの横モードリップルが抑圧されていることがわかる。
　図７から明らかなように、ν＝０°の場合に比べ、νが０°より大きくなると、横モードリップルが効果的に抑圧されることが分かる。
　また、上記と同様にして、ただし、上記傾斜角度νを０°、０．４°、０．９°、１°または１．５°とされている各弾性波共振子を作製した。これらの弾性波共振子のリターンロス特性を図９及び図１０に示す。図１０は図９の拡大図である。
　図９及び図１０から明らかなように、傾斜角度νが０°、０．４°または０．９°の場合に比べ、傾斜角度νが１°以上になると、横モードリップルの大きさをより一層効果的に抑圧し得ることがわかる。
　従って、上記傾斜角度νが０°より大きければ、横モードリップルを抑圧することができる。また、好ましくは、νが０．４°以上であることが好ましい。それによって、横モードをより一層抑圧することができる。特に、図７に示したように、νが２．５°以上であれば、リターンロスの絶対値を１ｄＢよりも小さくすることができる。よって、νは１°以上がさらに好ましく、最も好ましくは２．５°以上であれば、横モードリップルをより一層抑圧することができる。
　また、図８より、損失を小さくするためにＱ値の最大値を２５００以上とするには、νを１０°以下とすることが好ましいことがわかる。従って、傾斜角度νは１°以上、１０°以下の範囲とすることが好ましい。それによって、横モードリップルを効果的に抑制し、低損失とすることができる。より好ましくは、傾斜角度νは２．５°以上、１０°以下の範囲である。
　また、図８より、損失をより小さくするには、傾斜角度νを５°以上とすることがより好ましい。よって、より好ましくは、傾斜角度νは、５°以上、１０°以下の範囲である。
　弾性波共振子２１では、上記のように横モードリップルを抑圧することができる。複数の弾性波共振子２１はいずれも上記のように構成されており、また複数の弾性波共振子２２も同様の構造を有する。従って、第２の帯域通過型フィルタ６では、横モードリップルを抑圧することができる。
　なお、図１１（ａ），図１１（ｂ）は、上記弾性波共振子２１の第１，第２の変形例に係る弾性波共振子２１Ａ，２１Ｂを示す略図的正面断面図である。
　図１１（ａ）に示すように、高音速部材としての高音速支持基板２５Ａ上に、低音速膜２６及び圧電膜２７を積層した構造を用いてもよい。
　第１の実施形態及び図１１（ａ）では、高音速部材上に、低音速膜２６を介して圧電膜２７が積層されていている。すなわち、圧電膜２７は、高音速部材上に間接に積層されている。
　また、図１１（ｂ）に示す第２の変形例のように、高音速膜２５及び圧電膜２７が積層されていてもよい。すなわち、低音速膜２６を省略してもよい。その場合には、高音速部材としての高音速膜２５上に直接圧電膜２７が積層されている。
　図１２は、フィルタ装置１において、第１の帯域通過型フィルタ５を構成している縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の模式的平面図である。縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、圧電膜２７上に、弾性波伝搬方向に沿って複数の第１のＩＤＴ電極３１～３９が配置されている。第１のＩＤＴ電極３１～３９が設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に反射器４０，４１が設けられている。縦結合共振子型弾性波フィルタ１１は、９ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。なお、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１における第１のＩＤＴ電極の数は３以上の奇数であればよく、９に限定されるものではない。
　図１３は、上記縦結合共振子型弾性波フィルタ１１における積層構造を説明するための略図的正面断面図である。縦結合共振子型弾性波フィルタ１１においては、弾性波共振子２１と同様に、支持基板２３に、接合材層２４ａ，２４ｂ、高音速膜２５、低音速膜２６及びＬｉＴａＯ３からなる圧電膜２７がこの順序で積層されている。そして、圧電膜２７上に、第１のＩＤＴ電極３１が設けられている。図１３では、第１のＩＤＴ電極３１が設けられている部分のみを示しているが、他の第１のＩＤＴ電極３２～３９が形成されている部分も同様の積層構造を有する。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１においても、上記のように、高音速部材、高音速膜及び低音速膜を有する積層構造が用いられている。従って、第２の帯域通過型フィルタ６側と同様に、高音速膜２５までの部分に弾性波のエネルギーを閉じ込めることができる。
　第１のＩＤＴ電極３１を代表して、第１のＩＤＴ電極３１～３９の詳細を説明する。なお、本発明においては、第１の帯域通過型フィルタ５としての縦結合共振子型弾性波フィルタはピストンモードを利用している限り、該ピストンモードを利用するための構成については特に限定されるものではない。
　図１４は、本実施形態においてピストンモードを利用するための電極構造の一例を示す部分切欠き平面図である。すなわち、ＩＤＴ電極において、一方電位に接続される電極指と、他方電位に接続される電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている領域を交差領域とする。この交差領域において、電極指の延びる方向において、中央領域の両側に、中央領域に比べて音速が遅いエッジ領域を形成することにより、ピストンモードを形成することができる。このようなピストンモードを形成する様態は特に限定されるものではない。
　本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、第１のＩＤＴ電極３１において、ピストンモードを形成することにより横モードリップルを抑圧する構造が備えられている。
　第１のＩＤＴ電極３１は、第１のバスバー１１１と、第１のバスバー１１１と隔てられて配置された第２のバスバー１１２とを有する。第１のバスバー１１１と第２のバスバー１１２とは、弾性波伝搬方向に平行に延びている。
　また、第１のバスバー１１１に、複数本の第１の電極指１１３の基端が接続されている。複数本の第１の電極指１１３の先端は、第１のバスバー１１１から第２のバスバー１１２側に向かって延ばされている。すなわち、弾性波伝搬方向と直交する方向に、複数本の第１の電極指１１３が延ばされている。
　他方、複数本の第２の電極指１１４の基端が、第２のバスバー１１２に接続されている。複数本の第２の電極指１１４の先端は、第２のバスバー１１２から第１のバスバー１１１側に向かって延ばされている。すなわち、複数本の第２の電極指１１４も、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。
　複数本の第１の電極指１１３と複数本の第２の電極指１１４とは、間挿し合っている。第１の電極指１１３には、太幅部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１３ｄが設けられている。第２の電極指１１４にも、太幅部１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄが設けられている。太幅部１１３ａを代表して太幅部１１３ａ～１１３ｄ，１１４ａ～１１４ｄの形状を説明する。太幅部１１３ａは、第１の電極指１１３の残り部分よりもその幅方向寸法すなわち弾性波伝搬方向に沿う寸法が長くされている。本実施形態では、太幅部１１３ａは、第１の電極指１１３の側縁から弾性波伝搬方向に突出する等脚台形の形状とされている。もっとも、太幅部の形状はこれに限定されず、半円状の突出部などの様々な形状の突出部を第１の電極指１１３の側縁から弾性波伝搬方向に突出させてもよい。
　太幅部１１３ａ，１１３ｂは、第１の電極指１１３において、第１の電極指１１３の基端側に寄せられて設けられている。言い換えれば、太幅部１１３ａ，１１３ｂは、第１のバスバー１１１側に寄せられて形成されている。他方、太幅部１１３ｃ，１１３ｄは、第１の電極指１１３の先端側に、すなわち第２のバスバー１１２側に寄せられて設けられている。
　他方、第２の電極指１１４においては、先端側に太幅部１１４ａ，１１４ｂが設けられている。太幅部１１４ａ，１１４ｂと、太幅部１１３ａ，１１３ｂとは、第１のバスバー１１１に近い領域で弾性波伝搬方向と直交する方向において、すなわち電極指の延びる方向において交互に配置されている。同様に、太幅部１１３ｃ，１１３ｄと、太幅部１１４ｃ，１１４ｄとは、第２のバスバー１１２に近い側において、上記電極指の延びる方向において交互に配置されている。
　上記太幅部１１３ａ，１１３ｂと太幅部１１４ａ，１１４ｂとが設けられている領域において、図１４に示す領域Ｖ２が形成される。図１４の右側のＶ１～Ｖ６は、第１のＩＤＴ電極３１の中央から弾性波伝搬方向と直交する方向において外側に向かって配置している領域を示す。領域Ｖ１～Ｖ６を伝搬する弾性波の速度（以下、音速とする）Ｖ１～Ｖ６を図１４に模式的に示す。以下、本明細書では、領域Ｖｎ（ｎは自然数）の音速をＶｎとする。ここで、領域Ｖ１は、上記太幅部１１３ｂと、太幅部１１３ｃとの間に位置されているＩＤＴ中央領域である。
　上記太幅部１１３ａ，１１３ｂ，１１４ａ，１１４ｂが設けられている領域Ｖ２は、ＩＤＴ中央の領域Ｖ１よりも音速が低い。
　他方、本実施形態では、第１の電極指１１３の基端において、電極指幅方向に突出している突出部１１３ｅが設けられている。従って、突出部１１３ｅが設けられている領域Ｖ３においては、音速が、後述する高音速部の領域Ｖ５よりも低められている。もっとも、領域Ｖ３では、第２の電極指１１４が存在しないため、音速Ｖ３は領域Ｖ２の音速Ｖ２よりも高音速である。なお、第２の電極指１１４にも突出部１１４ｅが設けられている。
　上記のように太幅部１１３ａ，１１３ｂ，１１４ａ，１１４ｂを設けることにより、より低音速の領域Ｖ２を設ける構成は、特許文献１や特許文献２においても記載されていた。なお、第２のバスバー１１２側においても、同様に、太幅部１１３ｃ，１１３ｄ，１１４ｃ，１１４ｄが設けられている領域も領域Ｖ２となる。
　本実施形態では、第１のバスバー１１１が、内側バスバー部１１１Ａ、中央バスバー部１１１Ｂ及び外側バスバー部１１１Ｃを有する。ここで、内側及び外側とは、第１のＩＤＴ電極３１におけるＩＤＴ電極の電極指の延びる方向において、第１，第２の電極指１１３，１１４が存在している側を内側、反対側を外側としている。
　内側バスバー部１１１Ａは、上記複数本の第１の電極指１１３の基端が接続されている部分である。内側バスバー部１１１Ａは、本実施形態では、弾性波伝搬方向に延びる細長い帯状の形状を有している。ここはメタライズされている部分であるため、この内側バスバー部１１１Ａは、低音速である領域Ｖ４を構成している。
　他方、中央バスバー部１１１Ｂには、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部１１５が分散配置されている。本実施形態では、開口部１１５は、電極指の延びる方向に延びる連結部１１６，１１６間に位置している。連結部１１６は、本実施形態では、第１の電極指１１３と同じ幅を有し、かつ第１の電極指１１３の延長上に位置している。もっとも、連結部１１６の寸法及び設ける位置はこれに限定されるものではない。また、開口部１１５は、本実施形態では矩形の形状を有しているが、矩形の形状に限定されるものでもない。
　中央バスバー部１１１Ｂでは、弾性波伝搬方向に沿って、連結部１１６と開口部１１５とが交互に配置されている。従って、メタライズされていない部分が多いため、中央バスバー部１１１Ｂは、高音速の領域Ｖ５を構成する。外側バスバー部１１１Ｃは、開口部を有しない。従って、外側バスバー部１１１Ｃはメタライズされた領域であり、この領域Ｖ６は、低音速の領域となる。
　第２のバスバー１１２側においても、同様に、内側バスバー部１１２Ａ、中央バスバー部１１２Ｂ及び外側バスバー部１１２Ｃが形成されている。同一部分については同一の参照番号を付することによりその説明を省略する。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、第１のＩＤＴ電極３１が上記のように構成されているため、中央領域Ｖ１の外側に低音速領域が設けられ、低音速領域である領域Ｖ２～Ｖ４の外側に高音速の領域Ｖ５が存在している。従って、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑圧することができる。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、第１のＩＤＴ電極３２～３９も第１のＩＤＴ電極３１と同様に構成されている。従って、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、ピストンモードの形成により、横モードリップルを効果的に抑圧することができる。
　また、本発明においては、好ましくは、上記第１のＩＤＴ電極３１を用いることにより、横モードリップルをより効果的に抑圧し、理想的なピストンモードを形成することができる。これを、図１４～図１７を参照して説明することとする。
　比較を容易とするために、第１のＩＤＴ電極３１の両側に反射器を構成した弾性波共振子の特性を測定した。図１６は、上記第１のＩＤＴ電極３１を有する弾性波共振子のインピーダンス－周波数特性を示す図である。
　また、図１５に示す変形例のＩＤＴ電極５１を用意した。変形例のＩＤＴ電極５１を有する１ポート型弾性波共振子を作製した。この１ポート型弾性波共振子１５１では、第１のバスバー１５２が、太い帯状のメタライズ領域のみを有するように構成されている。従って、第１のバスバー１５２が設けられている部分は、Ｖ１４で示す低音速の領域となる。変形例の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極５１の電極指の延びる方向における各領域Ｖ１１～Ｖ１４の音速Ｖ１１～Ｖ１４を図１５の右側に模式的に示す。
　図１７は、変形例の１ポート型弾性波共振子のインピーダンス－周波数特性を示す図である。
　図１６と図１７とを対比すれば明らかなように、図１７では、共振周波数と反共振周波数との間及び反共振周波数よりも高域側に、リップルが現れている。このリップルは横モードリップルである。図１７に示す特性においても、上記太幅部が設けられていることにより、横モードリップルが一応抑圧されている。もっとも、図１６に示すように、上記実施形態の構造では、このような横モードリップルを効果的に抑圧でき、横モードリップルがほとんど現れていないことがわかる。
　上記実施形態では、各領域Ｖ１～Ｖ６の音速Ｖ１～Ｖ６が、図１４に示すとおりとなっている。すなわち、太幅部１１３ａ，１１３ｂ，１１４ａ，１１４ｂに加えて、内側バスバー部１１１Ａが設けられていることによって、低音速領域である領域Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４の音速の平均値が効果的に低められている。
　従って、低音速領域と中央領域との間の音速差ΔＶが非常に大きくなっている。よって、横モードリップルをより効果的に抑圧することが可能となると考えられる。すなわち、音速差ΔＶが大きいほど、ピストンモードがより確実に発生し、横モードリップルを効果的に抑圧し得ることが可能とされている。
　なお、前述したように、本発明において縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるピストンモードを利用するための電極構造は上記構造に限定されるものではない。すなわち、太幅部を設けて音速を調整する方法の他、電極指に誘電体膜を積層して、音速を調整する方法などを採用してもよい。
　図１に戻り、フィルタ装置１では、第１の帯域通過型フィルタ５が上記ピストンモードを利用しているため、横モードリップルを効果的に抑制することができる。他方、第２の帯域通過型フィルタ６は、上述したＩＤＴ電極における傾斜構造と、高音速膜及び低音速膜を用いた弾性波閉じ込め構造とを有する。従って、第２の帯域通過型フィルタ６においても、挿入損失の劣化が生じ難く、Ｑ値を効果的に高めることができる。
　よって、フィルタ装置１では、フィルタ特性におけるＱ値を効果的に高めることができる。
　図１８～図２０を参照して、上記フィルタ装置１の具体的な実施例を説明する。
　図１８は、第１の実施形態の実施例としての実施例１のフィルタ装置の回路図である。図１と同一部分については同一の参照番号を付することとする。なお、第２の帯域通過型フィルタ６としてのラダー型フィルタにおいては、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５と、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４とが設けられている。上記直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５は、前述した弾性波共振子２１に相当し、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４が、弾性波共振子２２に相当する。
　第１の帯域通過型フィルタ５としての縦結合共振子型弾性波フィルタ１１は、上記実施形態の通り、９ＩＤＴ型とした。
　［縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の設計パラメータ］
　電極指交差幅は２３μｍとした。第１のＩＤＴ電極３１～３９の電極指ピッチで定まる波長λ（μｍ）と、電極指の対数は下記の表１に示す通りとした。また、反射器の電極指ピッチで定まる波長も下記の表１の通りとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１において、「狭ピッチ」は、狭ピッチ電極指部を意味する。「メイン」は、狭ピッチ電極指部以外の残りの電極指部を意味する。
　また、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１におけるＩＤＴ電極及び反射器におけるデューティはいずれも０．５とした。第１のＩＤＴ電極３１と反射器４０との間隔、第１のＩＤＴ電極３９と反射器４１との間隔は、０．５３λＲとした。なお、λＲは、反射器の電極指ピッチで定まる波長、すなわち１．９７５９μｍである。
　反射器の電極指の本数は３０本とした。
　また、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１とアンテナ端子２との間に、弾性波共振子６１ａ，６１ｃが接続されている。この弾性波共振子６１ａ，６１ｃ間の接続点とグラウンド電位との間に、弾性波共振子６１ｂが接続されている。また、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の出力端とグラウンド電位との間に弾性波共振子６１ｄが接続されている。これらの弾性波共振子６１ａ～６１ｄはトラップを構成するものであり、その設計パラメータは下記の表２に示す通りとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　［第２の帯域通過型フィルタ６としてのラダー型フィルタの設計パラメータ］
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の設計パラメータは下記の表３に示す通りとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例１のフィルタ装置１では、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１における積層構造は、Ｓｉからなる高音速支持基板上に６７３ｎｍの厚みのＳｉＯ２膜、６００ｎｍの厚みのＬｉＴａＯ３基板を積層した構造とした。ＬｉＴａＯ３のカット角は５０°Ｙとした。ラダー型フィルタの各弾性波共振子における傾斜角度νは７．５°とした。また、第１，第２のＩＤＴ電極としては、１５７ｎｍの厚みのＡｌを用いた。
　図１９の破線が、実施例１のピストンモードを利用した縦結合共振子型弾性波フィルタ１１の減衰量周波数特性を示す。比較のために比較例３として、縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて、実施例１におけるラダー型フィルタと同様の傾斜構造を有するＩＤＴ電極を用いたこと、ピストンモードを利用していないことを除いては同様に構成された縦結合共振子型弾性波フィルタを用意した。図１９の実線は比較例３の結果を示す。図１９から明らかなように、実線で示す比較例３に比べ、実施例１で用いた縦結合共振子型弾性波フィルタ１１によれば、挿入損失の劣化を効果的に抑制し得ることがわかる。従って、フィルタ装置のＱ値を高めることができる。
　また、図２０の実線は実施例１の第２の帯域通過型フィルタ６としてのラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す。破線は、比較例４として用意したラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す。比較例４では、実施例１とは異なり、ラダー型フィルタの各弾性波共振子において、実施例１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１１のようなピストンモードを利用した構成を採用した。すなわち、傾斜角度νが正の値である傾斜型ＩＤＴを用いずに、ピストンモードを利用したことを除いては、上記実施例１と同様のラダー型フィルタを構成した。
　図２０から明らかなように、実施例１で用いられているラダー型フィルタでは、比較例４に比べ、実施例１によれば、挿入損失の劣化が生じ難いことがわかる。従って、フィルタ装置１においてＱ値を高めることができる。
　図１９及び図２０から明らかなように、実施例１では、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１においてピストンモードを利用し、ラダー型フィルタである第２の帯域通過型フィルタ６において、傾斜型ＩＤＴを採用することにより、第１及び第２の帯域通過型フィルタ５，６のいずれにおいても、挿入損失の劣化を効果的に抑制し、Ｑ値を高め得ることがわかる。
　本発明の特徴は、このように、縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて上記のように傾斜型ＩＤＴを採用せずに、ピストンモードを利用し、他方、第２の帯域通過型フィルタとしてのラダー型フィルタにおいて、ピストンモードを採用せずに、傾斜型ＩＤＴを採用したことに特徴を有する。それによって、第１及び第２の帯域通過型フィルタの双方において、挿入損失の劣化を効果的に抑制することができる。
　なお、好ましくは、ピストンモードを利用した縦結合共振子型弾性波フィルタ１１における第１のＩＤＴ電極のデューティは、０．４６以下であることが望ましい。図２１は、第１のＩＤＴ電極におけるデューティと、リップル強度との関係を示す図である。ここで、リップル強度とは、通過帯域内に現れる最大リップルの大きさをいうものとする。
　図２１から明らかなように、デューティを変化させた場合、デューティが０．４６以下であれば、０．４６を超えた場合に比べて、リップルを効果的に抑制することができる。また、デューティの変化によるリップル強度のばらつきも著しく小さくなる。
　なお、本発明においては、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１に接続される構造は、上記ラダー型フィルタからなる第２の帯域通過型フィルタ６に限定されるものではない。すなわち、複数の弾性波共振子を有する他の第２の帯域通過型フィルタを用いてもよい。あるいは、第２の帯域通過型フィルタに代えて、弾性波共振子を縦結合共振子型弾性波フィルタ１１に接続した構造も、本発明に含まれる。
　例えば、図１８において、トラップを構成している弾性波共振子６１ａ～６１ｄのうち少なくとも１つの弾性波共振子を、前述した傾斜型ＩＤＴ構造を有するように構成してもよい。その場合には、傾斜型ＩＤＴ構造を有する弾性波共振子と、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１との接続構造において、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１では、上記のように挿入損失の劣化を効果的に抑制でき、弾性波共振子側では、傾斜型ＩＤＴ構造により挿入損失の劣化を効果的に抑制することができる。
　よって、本発明に係るフィルタ装置は、第２の帯域通過型フィルタを要せず、縦結合共振子型弾性波フィルタ１１と、少なくとも１個の弾性波共振子が接続された構造であってもよい。
　また、図１に示したように、第１の実施形態では、同一圧電膜であるＬｉＴａＯ３膜７上において、第１の帯域通過型フィルタ５と第２の帯域通過型フィルタ６とが配置されて一体化されていた。すなわち、１つのチップ部品として、フィルタ装置１が構成されていた。従って、小型化を図ることができ、フィルタ装置１が搭載される電子機器の小型化を図ることができる。
　もっとも、図２２に示すように第１の帯域通過型フィルタ５及び第２の帯域通過型フィルタ６を、それぞれ、第１のチップ部品７１及び第２のチップ部品７２として別のチップ部品として構成してもよい。第１のチップ部品７１及び第２のチップ部品７２は、実装基板７３上に実装されている。
　なお、図１（ｂ）に示すような傾斜角度νを持つ弾性波共振子２１，２２は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の弾性波共振子のうち少なくとも１つ以上あればよい。
　また、図１（ｂ）に示すような傾斜角度νを持つ弾性波共振子２１，２２は、図１８で示される弾性波共振子６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄで用いられてもよい。弾性波共振子６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄすべてで用いられてもよいし、弾性波共振子６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄのうち少なくとも１以上で用いられてもよい。
　さらに、図１８の第１の帯域通過型フィルタ５が受信フィルタ、第２の帯域通過型フィルタ６が送信フィルタであってもよい。
　図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、傾斜型ＩＤＴの各変形例を示す平面図である。
　図２８（ａ）に示す傾斜型ＩＤＴ３０１のように、同電位に接続される電極指３０３，３０４間に、同電位に接続される電極指３０２が設けられていてもよい。すなわち、間挿し合う複数本の第１の電極指及び複数本の第２の電極指のうち一方の電極指が、部分的に間引かれてもよい。
　また、図２８（ｂ）に示す傾斜型ＩＤＴ３１１のように、太幅の電極指３１２が設けられていてもよい。この電極指３１２の外形は、前述した電極指３０３，３０４と電極指３０２とが設けられている部分の外形と同じとされている。すなわち、電極指３０３，３０４と、他方側の電位に接続されている電極指が間引かれている領域を埋めるように、太幅の電極指３１２が設けられている。
１…フィルタ装置
２…アンテナ端子
３…受信端子
４…送信端子
５，６…第１，第２の帯域通過型フィルタ
７…ＬｉＴａＯ３膜
１０Ａ～１０Ｄ…ＩＤＴ電極
１１…縦結合共振子型弾性波フィルタ
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２２…弾性波共振子
２３…支持基板
２４ａ，２４ｂ…接合材層
２５…高音速膜
２５Ａ…高音速支持基板
２６…低音速膜
２７…圧電膜
２８…ＩＤＴ電極
２８ａ，２８ｂ…第１，第２のバスバー
２８ｃ，２８ｄ…第１，第２の電極指
２８ｅ，２８ｆ…第１，第２のダミー電極指
３１～３９…第１のＩＤＴ電極
４０，４１…反射器
５１…ＩＤＴ電極
６１ａ～６１ｄ…弾性波共振子
７１，７２…第１，第２のチップ部品
７３…実装基板
１１１…第１のバスバー
１１１Ａ…内側バスバー部
１１１Ｂ…中央バスバー部
１１１Ｃ…外側バスバー部
１１２…第２のバスバー
１１２Ａ…内側バスバー部
１１２Ｂ…中央バスバー部
１１２Ｃ…外側バスバー部
１１３，１１４…第１，第２の電極指
１１３ａ～１１３ｄ，１１４ａ～１１４ｄ…太幅部
１１３ｅ，１１４ｅ…突出部
１１５…開口部
１１６…連結部
１５１…１ポート型弾性波共振子
１５２…第１のバスバー
２０１…ＩＤＴ電極
２０２，２０３…第１，第２のバスバー
２０４，２０５…第１の電極指，第２の電極指
２１１，２１２…太幅部
２２１～２２４…誘電体膜
３０１，３１１…傾斜型ＩＤＴ
３０２～３０４，３１２…電極指
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５…直列腕共振子

Claims (18)

  1. 　弾性波伝搬方向と直交する方向において、ＩＤＴ電極の中央領域の外側に低音速領域を有し、かつ、前記低音速領域の外側に高音速領域を有する、複数の第１のＩＤＴ電極を有し、第１の帯域通過型フィルタとして機能する縦結合共振子型弾性波フィルタと、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタに電気的に接続された弾性波共振子と、
    を備え、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振子が、
    　ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜と、
    　伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である高音速部材と、を有し、
    　前記圧電膜は、前記高音速部材上に直接または間接に積層されており、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極は、前記圧電膜の一方面上で、縦結合接続しており、
    　前記弾性波共振子が、前記圧電膜の一方面に形成されている第２のＩＤＴ電極を有し、
    　前記第２のＩＤＴ電極が、複数本の第１の電極指と、前記第１の電極指と間挿し合っている複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記ＬｉＴａＯ３からなる圧電膜の膜厚が、前記第２のＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる波長をλとしたときに、１０λ以下であり、
    　前記ＬｉＴａＯ３のオイラー角（φ，θ，ψ）により規定される前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性波の伝搬方向ψに対し、前記複数本の第１の電極指の先端を結ぶ方向及び前記複数本の第２の電極指の先端を結ぶ方向がν（νは０°を超える正の値）の傾斜角度をなしている、フィルタ装置。
  2. 　前記圧電膜の厚みは、１．５λ以下である、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記弾性波共振子が複数備えられており、複数の前記弾性波共振子が電気的に接続されて、第２の帯域通過型フィルタが構成されている、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記第２の帯域通過型フィルタが、ラダー型フィルタである、請求項３に記載のフィルタ装置。
  5. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタを受信フィルタとして有し、前記第２の帯域通過型フィルタを送信フィルタとして備えるデュプレクサである、請求項３または４に記載のフィルタ装置。
  6. 　前記第１の帯域通過型フィルタと、前記第２の帯域通過型フィルタとが１つのチップ部品に設けられている、請求項３～５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記高音速部材が高音速支持基板である、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記弾性波共振子が支持基板をさらに有し、前記高音速部材が高音速膜であり、前記支持基板上に設けられている、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  9. 　前記高音速部材と、前記圧電膜との間に、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜が積層されており、前記圧電膜が前記高音速部材上に間接に積層されている、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  10. 　前記高音速部材上に前記圧電膜が直接積層されている、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  11. 　前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記第１のＩＤＴ電極において、
    　前記第１及び第２の電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１及び第２の電極指の少なくとも一方において、前記第１及び第２の電極指の長さ方向中央に比べて幅方向寸法が大きくされている太幅部が、前記長さ方向中央よりも前記基端側及び前記先端側のうちの少なくとも一方の側に設けられており、
    　前記第１及び第２のバスバーの少なくとも一方が前記第１または第２のバスバーの長さ方向に沿って分離配置された複数の開口部を有し、
    　前記第１及び第２のバスバーが、前記開口部よりも前記第１または第２の電極指側に位置しており、かつ前記第１及び第２のバスバーの長さ方向に延びる内側バスバー部と、前記開口部が設けられている中央バスバー部と、前記内側バスバー部に対して、前記中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部とを有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  12. 　前記内側バスバー部が、弾性波伝搬方向に延びる帯状の形状を有する、請求項１１に記載のフィルタ装置。
  13. 　前記第１の電極指及び前記第２の電極指の双方に前記太幅部が設けられている、請求項１１または１２に記載のフィルタ装置。
  14. 　前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記複数本の第１の電極指と前記複数本の第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている領域を交差領域とした場合、該交差領域が、前記弾性波伝搬方向と直交する方向における前記中央領域と、前記中央領域の外側に設けられた前記低音速領域とを有し、前記低音速領域において、前記中央領域に比べて音速が低くなるように、前記第１及び第２の電極指の厚みが厚くされている、請求項１～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  15. 　前記第１のＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が前記第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続されており、先端が前記第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指とを有し、
    　前記低音速領域において、前記第１及び第２の電極指上に音速を相対的に低下させるために誘電体膜が積層されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  16. 　前記第１及び第２の電極指上に積層された前記誘電体膜が、弾性波伝搬方向に沿って帯状に延ばされている、請求項１５に記載のフィルタ装置。
  17. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタの前記第１のＩＤＴ電極におけるデューティが０．４６以下である、請求項１～１６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  18. 　前記傾斜角度νが０．４°以上、１５°以下の範囲にある、請求項１～１７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016208428A1 (ja) * 2015-06-25 2018-02-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2018142794A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 株式会社村田製作所 弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置
WO2018216417A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2019003909A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及び複合フィルタ装置
WO2019059208A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
WO2019065671A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2019065670A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
KR20190056293A (ko) 2017-11-16 2019-05-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
WO2019138813A1 (ja) * 2018-01-12 2019-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
WO2019138812A1 (ja) * 2018-01-12 2019-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
JP2019121879A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
WO2019172374A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019177028A1 (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR20190133052A (ko) * 2017-06-06 2019-11-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치, 멀티플렉서 및 복합 필터 장치
WO2020050402A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 株式会社村田製作所 弾性波装置、弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置
WO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2020262388A1 (ja) * 2019-06-24 2020-12-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置
WO2021039639A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021060150A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
US20210376813A1 (en) * 2016-10-07 2021-12-02 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
WO2023286704A1 (ja) * 2021-07-16 2023-01-19 京セラ株式会社 弾性波装置、フィルタ、分波器及び通信装置
US11588469B2 (en) 2017-10-20 2023-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device
WO2023167034A1 (ja) * 2022-03-03 2023-09-07 京セラ株式会社 弾性波素子、弾性波フィルタ、分波器、および通信装置
WO2024009660A1 (ja) * 2022-07-07 2024-01-11 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015106191A1 (de) * 2015-04-22 2016-10-27 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement mit verbesserter Akustik
CN111919384B (zh) * 2018-04-03 2024-01-30 株式会社村田制作所 弹性波装置
US20210152153A1 (en) * 2018-04-11 2021-05-20 Kyocera Corporation Acoustic wave element, acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
DE102018108961A1 (de) * 2018-04-16 2019-10-17 RF360 Europe GmbH TF-SAW-Resonator mit verbessertem Gütefaktor, HF-Filter und Verfahren zur Herstellung eines TF-SAW-Resonators
DE102018118384B4 (de) * 2018-07-30 2023-10-12 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Hochfrequenzfilter
CN112655150B (zh) * 2018-09-07 2024-02-09 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
WO2020059765A1 (ja) 2018-09-20 2020-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN112805919B (zh) * 2018-10-18 2024-01-19 株式会社村田制作所 弹性波装置、带通型滤波器、双工器以及多工器
WO2020080465A1 (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6856820B2 (ja) * 2018-11-14 2021-04-14 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
US11469735B2 (en) * 2018-11-28 2022-10-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and multiplexer
SG10201911416RA (en) 2018-12-03 2020-07-29 Skyworks Solutions Inc Acoustic Wave Device With Transverse Spurious Mode Suppression
KR102670034B1 (ko) * 2018-12-06 2024-05-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
DE102018131952A1 (de) * 2018-12-12 2020-06-18 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator mit unterdrückter Anregungtransversaler Spaltmoden und verringerten transversalen Moden
US11368137B2 (en) 2018-12-28 2022-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with transverse mode suppression
JP7250533B2 (ja) * 2019-01-21 2023-04-03 京セラ株式会社 弾性波装置
KR102673653B1 (ko) * 2019-02-18 2024-06-12 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
CN113508496B (zh) * 2019-03-06 2023-01-06 株式会社村田制作所 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2020184622A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7078000B2 (ja) * 2019-03-22 2022-05-31 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11606078B2 (en) 2019-07-18 2023-03-14 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave resonator with rotated and tilted interdigital transducer electrode
US11323093B2 (en) * 2019-09-06 2022-05-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk-acoustic wave resonator
JP7458055B2 (ja) * 2019-12-13 2024-03-29 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性表面波素子の製造方法
FR3105894B1 (fr) 2019-12-30 2023-11-03 Frecnsys Structure de transducteur pour résonateur à accès unique
JP7188402B2 (ja) * 2020-01-31 2022-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2021246447A1 (ja) * 2020-06-04 2021-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN112653421A (zh) * 2020-12-18 2021-04-13 广东广纳芯科技有限公司 一种高声速高频高性能的窄带滤波器
WO2022242869A1 (en) * 2021-05-21 2022-11-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Surface acoustic wave device with improved topologies for reduction of transverse spurious modes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011182220A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Panasonic Corp 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ
WO2012086639A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2013544041A (ja) * 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2014196245A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 京セラ株式会社 分波器および通信モジュール

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3226472B2 (ja) * 1996-05-14 2001-11-05 富士通株式会社 弾性表面波多重モードフィルタ
JP3950611B2 (ja) 1999-01-27 2007-08-01 株式会社日立製作所 弾性表面波共振器
DE10331323B4 (de) * 2003-07-10 2013-09-05 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Wandler mit Unterdrückung transversaler Moden
DE102005061800A1 (de) * 2005-12-23 2007-06-28 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Wandler und Filter mit dem Wandler
US7576471B1 (en) * 2007-09-28 2009-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. SAW filter operable in a piston mode
US7939989B2 (en) * 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
DE102010005596B4 (de) 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
EP2613439B1 (en) * 2010-08-31 2019-03-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
WO2012140831A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 パナソニック株式会社 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器
KR20170034939A (ko) * 2013-05-29 2017-03-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터장치
WO2015064238A1 (ja) 2013-10-31 2015-05-07 京セラ株式会社 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011182220A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Panasonic Corp 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ
WO2012086639A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2013544041A (ja) * 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2014196245A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 京セラ株式会社 分波器および通信モジュール

Cited By (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016208428A1 (ja) * 2015-06-25 2018-02-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
US20210376813A1 (en) * 2016-10-07 2021-12-02 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
US11716069B2 (en) * 2016-10-07 2023-08-01 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
WO2018142794A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 株式会社村田製作所 弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置
CN110235364A (zh) * 2017-02-06 2019-09-13 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置
US10924084B2 (en) 2017-02-06 2021-02-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device, duplexer, and filter device
CN110235364B (zh) * 2017-02-06 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置
CN110663175B (zh) * 2017-05-26 2023-11-07 株式会社村田制作所 弹性波装置、滤波器、高频前端电路以及通信装置
US11469736B2 (en) 2017-05-26 2022-10-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device
KR102316353B1 (ko) * 2017-05-26 2021-10-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 필터, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
KR20190135542A (ko) * 2017-05-26 2019-12-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 필터, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN110663175A (zh) * 2017-05-26 2020-01-07 株式会社村田制作所 弹性波装置、滤波器、高频前端电路以及通信装置
WO2018216417A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11496116B2 (en) 2017-06-06 2022-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device, multiplexer and composite filter device
CN110663174B (zh) * 2017-06-06 2023-12-29 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置
CN110663174A (zh) * 2017-06-06 2020-01-07 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置
KR102332100B1 (ko) * 2017-06-06 2021-11-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치, 멀티플렉서 및 복합 필터 장치
KR20190133052A (ko) * 2017-06-06 2019-11-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치, 멀티플렉서 및 복합 필터 장치
US11611326B2 (en) 2017-06-26 2023-03-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device and composite filter device
WO2019003909A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及び複合フィルタ装置
CN110800212A (zh) * 2017-06-26 2020-02-14 株式会社村田制作所 弹性波装置以及复合滤波器装置
CN110800212B (zh) * 2017-06-26 2023-09-26 株式会社村田制作所 弹性波装置以及复合滤波器装置
JPWO2019003909A1 (ja) * 2017-06-26 2020-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及び複合フィルタ装置
JPWO2019059208A1 (ja) * 2017-09-19 2020-10-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
WO2019059208A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
KR20200033319A (ko) * 2017-09-19 2020-03-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서
KR102345526B1 (ko) 2017-09-19 2021-12-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서
US11251777B2 (en) 2017-09-19 2022-02-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device and multiplexer
US11296676B2 (en) 2017-09-29 2022-04-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device
WO2019065671A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11146300B2 (en) 2017-09-29 2021-10-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device
WO2019065670A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11588469B2 (en) 2017-10-20 2023-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device
US10951192B2 (en) 2017-11-16 2021-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication apparatus
KR20190056293A (ko) 2017-11-16 2019-05-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP7055016B2 (ja) 2017-12-28 2022-04-15 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
JP2019121879A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
JPWO2019138812A1 (ja) * 2018-01-12 2020-12-17 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
US11496226B2 (en) 2018-01-12 2022-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
WO2019138812A1 (ja) * 2018-01-12 2019-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
US11115003B2 (en) 2018-01-12 2021-09-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication apparatus
WO2019138813A1 (ja) * 2018-01-12 2019-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
JPWO2019138813A1 (ja) * 2018-01-12 2020-10-22 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
WO2019172374A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019177028A1 (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR20200110412A (ko) 2018-03-14 2020-09-23 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
US11444601B2 (en) 2018-03-14 2022-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device
CN112673570B (zh) * 2018-09-07 2023-10-10 株式会社村田制作所 弹性波装置、弹性波滤波器以及复合滤波器装置
CN112673570A (zh) * 2018-09-07 2021-04-16 株式会社村田制作所 弹性波装置、弹性波滤波器以及复合滤波器装置
US11888461B2 (en) 2018-09-07 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device, acoustic wave filter, and composite filter device
JPWO2020050402A1 (ja) * 2018-09-07 2021-08-30 株式会社村田製作所 弾性波装置、弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置
WO2020050402A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 株式会社村田製作所 弾性波装置、弾性波フィルタ及び複合フィルタ装置
US12021500B2 (en) 2018-11-16 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device
WO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2020100744A1 (ja) * 2018-11-16 2021-09-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2020262388A1 (ja) * 2019-06-24 2020-12-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置
US11996828B2 (en) 2019-06-24 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device
WO2021039639A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2021039639A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04
JP7268747B2 (ja) 2019-08-30 2023-05-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021060150A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
JP7334786B2 (ja) 2019-09-27 2023-08-29 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
JPWO2021060150A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01
WO2023286704A1 (ja) * 2021-07-16 2023-01-19 京セラ株式会社 弾性波装置、フィルタ、分波器及び通信装置
WO2023167034A1 (ja) * 2022-03-03 2023-09-07 京セラ株式会社 弾性波素子、弾性波フィルタ、分波器、および通信装置
WO2024009660A1 (ja) * 2022-07-07 2024-01-11 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

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