WO2015152061A1 - 光変調器 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an optical modulator, and in particular, in an optical modulator having a Mach-Zehnder type optical waveguide, has a configuration in which radiated light emitted from a multiplexing portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide is detected by a light receiving element.
- the present invention relates to an optical modulator.
- various optical modulators such as an intensity modulator having a Mach-Zehnder type optical waveguide are used.
- the intensity change of light output from the Mach-Zehnder type optical waveguide exhibits a sinusoidal characteristic with respect to the voltage applied to the modulation electrode.
- the modulation signal applied to the modulation electrode needs to be set to an appropriate operating bias point.
- a part of the signal light output from the optical modulator or the radiated light emitted from the multiplexing part of the Mach-Zehnder optical waveguide is used as a monitor light by a light receiving element such as a photodetector. Detection and monitoring of the intensity state of the output light of the light modulator are performed. Based on the detection value (monitor output) of the light receiving element, the operation bias point of the modulation signal applied to the modulation electrode is adjusted (bias control).
- Patent Document 1 discloses an optical modulator as shown in FIG. 1 that monitors emitted light with a light receiving element 5 disposed outside a substrate 1.
- an optical waveguide 2 including Mach-Zehnder optical waveguides (21 to 24) is formed on a substrate 1 having an electro-optic effect.
- a modulation electrode for modulating a light wave propagating through the optical waveguide is provided along the two branch waveguides constituting the Mach-Zehnder optical waveguide, but is omitted in the drawing.
- An optical fiber 4 is connected to the output waveguide 24 and is configured to guide outgoing light to the outside.
- the two radiated lights (R1, R2) emitted from the multiplexing unit 23 of the Mach-Zehnder type optical waveguide pass through the inside of the reinforcing capillary 3 for connecting the optical fiber 4 to the end of the substrate 1, and receive the light. Introduced into the element 5.
- two radiated lights are received by one light receiving element, so that the two radiated lights can be monitored in a synthesized state, and the phase difference between the monitor light and the output light S can be determined. It becomes possible to compensate.
- Patent Document 2 discloses a configuration in which a light receiving element 5 is arranged on a substrate 1 constituting an optical modulator, as shown in FIGS. Specifically, an optical waveguide 2 including a Mach-Zehnder type optical waveguide and a modulation electrode (not shown) for modulating a light wave propagating through the optical waveguide are formed on the substrate 1. The light receiving element 5 is disposed so as to straddle the output waveguide 24 constituting the Mach-Zehnder type optical waveguide.
- the light receiving element 5 is configured to receive both two radiated lights emitted from the multiplexing part of the Mach-Zehnder type optical waveguide. Although the emitted light propagates through the substrate 1, in order to accurately control the position where the emitted light propagates, it is possible to provide a emitted light waveguide (25, 26) for guiding the emitted light.
- the light receiving element 5 is disposed so as to cover the two radiated light waveguides (25, 26).
- FIG. 3 is a cross-sectional view taken along one-dot chain line X-X ′ in FIG.
- the configuration in which the light receiving element is arranged on the surface of the substrate 1 as in Patent Document 2 has an advantage that the focused light wave can be received accurately.
- a light receiving area having the same size as or larger than the interval W between the two radiated light waveguides (25, 26) shown in FIG. Is required.
- the enlargement of the area of the light receiving portion causes a problem that the frequency band of the light receiving element is decreased in inverse proportion to the size.
- the problem to be solved by the present invention is to solve the above-described problems, arrange a light receiving element on a substrate constituting an optical modulator, and emit two radiated lights from a multiplexing part of a Mach-Zehnder type optical waveguide.
- An object of the present invention is to provide an optical modulator capable of suppressing a decrease in the frequency band of a light receiving element even when receiving light simultaneously.
- the optical modulator of the present invention has the following technical features.
- the light receiving element includes: The Mach-Zehnder type optical waveguide is disposed so as to straddle the output waveguide, and is configured to receive two radiated lights emitted from the combined portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide. Further, two or more light receiving portions are separately formed on one light receiving element substrate.
- a low refractive index structure is formed between the output waveguide and the light receiving element, and the portion of the substrate on which the radiated light is propagated and the A high refractive index structure is formed between the light receiving element and the light receiving element.
- the interval between the two high-refractive index structures sandwiching the low-refractive index structure is at least twice the mode diameter of the light wave propagating through the output waveguide. It is characterized by that.
- the interval between the two grooves or the two reflecting members sandwiching the output waveguide is at least twice the mode diameter of the light wave propagating through the output waveguide. It is characterized by being.
- a radiation light waveguide for guiding the radiation light is formed on the substrate.
- the thickness of the substrate is 20 ⁇ m or less.
- An optical modulator of the present invention is an optical modulator having a substrate, an optical waveguide including a Mach-Zehnder optical waveguide formed on the substrate, and a modulation electrode for modulating an optical wave propagating through the optical waveguide.
- the light receiving element is arranged so as to straddle the output waveguide constituting the Mach-Zehnder type optical waveguide, and is configured to receive two radiated lights emitted from the multiplexing portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide, In the light receiving element, since two or more light receiving portions are formed apart from each other in one light receiving element substrate, the area of one light receiving portion can be set smaller than the conventional one, and the frequency band of the light receiving element It is possible to provide an optical modulator capable of suppressing a decrease in the above.
- Patent Document 1 It is a prior art example described in Patent Document 1, and is a diagram showing a state in which a light receiving element is arranged outside a substrate constituting an optical modulator. It is a prior art example described in Patent Document 2, and is a diagram showing a state in which a light receiving element is arranged on a substrate constituting an optical modulator.
- FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional view taken along one-dot chain line X-X ′ shown in FIG. 2. It is a figure which shows the outline of the light receiving element used for the optical modulator of this invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view in the direction along the radiation waveguide for the light receiving element in FIG. 4, illustrating how light waves propagate.
- the optical modulator of the present invention includes a substrate 1, an optical waveguide including a Mach-Zehnder optical waveguide formed on the substrate, and a modulation electrode for modulating an optical wave propagating through the optical waveguide.
- the light receiving element 5 is disposed so as to straddle the output waveguide 24 constituting the Mach-Zehnder type optical waveguide, and is emitted from the multiplexing portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide.
- the light receiving element is characterized in that two or more light receiving portions (51, 52) are formed on one light receiving element substrate 55 apart from each other.
- 4 mainly shows an outline of a cross-sectional view of a light receiving element arranged so as to straddle the output waveguide, similarly to FIG.
- the substrate 1 may be any substrate that can form an optical waveguide, such as quartz or semiconductor.
- an optical waveguide such as quartz or semiconductor.
- a substrate suitable for the present invention has a substrate thickness of 20 ⁇ m or less.
- the light wave is easily confined in the substrate, and it is difficult to separate the light wave propagating in the optical waveguide from the light wave propagating in the substrate.
- the light receiving element on the substrate like the optical modulator of the present invention, it becomes possible to efficiently receive the focused light wave.
- unnecessary light propagates in the substrate also increases, as shown in Patent Document 1 or 2, it is possible to obtain a more accurate monitor signal by simultaneously receiving two radiated lights.
- an adhesive layer 10 such as a resin. is doing.
- the optical waveguide formed on the substrate is formed, for example, by thermally diffusing a high refractive index material such as titanium (Ti) on a LiNbO 3 substrate (LN substrate).
- a rib-type optical waveguide in which grooves are formed on both sides of a portion to be an optical waveguide or a ridge-type waveguide in which the optical waveguide portion is convex can be used.
- the present invention can also be applied to an optical circuit in which optical waveguides are formed on different substrates such as PLC and these substrates are bonded and integrated.
- the modulation electrode is composed of a signal electrode and a ground electrode, and can be formed by forming a Ti / Au electrode pattern on the substrate surface and using a gold plating method or the like. Furthermore, a buffer layer such as a dielectric SiO 2 can be provided on the substrate surface after the optical waveguide is formed, if necessary. In the region where the radiated light propagating in the substrate (optical waveguide) is led out to the light receiving element side, it is difficult to efficiently radiate the radiated light when the buffer layer is formed. Is preferably not formed.
- the light modulator of the present invention is characterized in that two or more light receiving parts (51, 52) are separated from one light receiving element substrate 55 in the light receiving element used in the light modulator. It is formed. Thereby, the area of one light-receiving part can be made low, and the fall of the frequency band of a light receiving element can be suppressed.
- Each light receiving unit independently receives the radiated light, but by connecting the wiring of each light receiving unit in parallel, the monitor signal from the light receiving unit is electrically superimposed, so that substantially two radiated lights are united. It is possible to obtain the same effect as that of simultaneously receiving light by the light receiving section. As a result, the two radiated lights can be monitored simultaneously without reducing the frequency band, and the phase difference between the monitor light and the output light propagating through the output waveguide 24 can be more accurately compensated.
- a photodiode As the light receiving element 5, a photodiode (PD) can be suitably used.
- a light receiving layer 53 of InGaAs in the case of a received light wave having a wavelength of 1550 nm) or GaAs (850 nm) is provided above an InP or GaAs substrate (light receiving element substrate) 55 so as to be in contact with the light receiving layer 53.
- Two light receiving parts (51, 52) are arranged independently.
- Two radiated lights (R1, R2) are incident on the respective light receiving sections (51, 52) as monitor lights.
- a light receiving element substrate 55 having a refractive index higher than the refractive index of the radiated light waveguide is brought into contact with the radiated light waveguides (25, 26) that guide the two radiated lights, and the radiated light waveguide.
- the radiated light propagating through the light is sucked up toward the light receiving parts (51, 52).
- a cavity 61 such as an air layer is formed between the output waveguide 24 and the substrate 55.
- the arrangement position of the light receiving unit may be arranged immediately above the radiation waveguide (monitor waveguide) when viewed from the waveguide cross-section direction as shown in FIG. This is because light (evanescent wave) radiated from the waveguide for radiated light into the light receiving element substrate is radiated in the normal direction of the waveguide substrate within the waveguide cross section, and the radiation angle is centered on the normal line. Because it is symmetric.
- the optimum position of the light receiving unit is determined by the emission angle of the monitor light.
- the radiation angle is about 43 degrees from the normal of the waveguide substrate.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the light receiving element in a direction along the radiation waveguide (25, 26) which is a monitoring waveguide, and a part of the light wave (arrow) propagating through the monitoring waveguide is A state in which light enters the light receiving element substrate is illustrated.
- the area of the light receiving part can be set arbitrarily, but the cross-sectional direction of the waveguide may be set to about the beam width of the monitor light at the light receiving part.
- the beam width at the light receiving portion is about 20 ⁇ m under the above refractive index condition.
- the width of the light receiving portion may be about 40 to 80 ⁇ m.
- the monitor light is a parallel beam having a substantially uniform intensity in the traveling direction of the waveguide, there is no particular limitation on the width of the light receiving portion, but the ease of PD fabrication To a square or circular light receiving portion.
- the two light receiving parts are electrically connected in parallel by wire bonding or the like, the two monitor signals are superimposed, and the phase difference from the output light (main light) can be canceled.
- this parallel connection is also possible by forming wiring by patterning on the light receiving element substrate.
- the number of light receiving units is not limited to two, and a light receiving unit that receives one radiated light can be divided into two or more light receiving units.
- the area of the light receiving portion is increased, the frequency band is decreased. Therefore, the area may be divided into a plurality of parts in consideration of the corresponding band.
- dividing into many light receiving parts complicates wire bonding or a wiring pattern, and increases the manufacturing cost. For this reason, the light receiving unit may be limited to a range of 1 to 5 with respect to one radiated light.
- a reflective film such as a dielectric multilayer film or a metal reflective film is disposed at a location where the light wave is reflected, or is totally reflected within the substrate. Also good.
- the reflection efficiency can be increased by reflecting on the lower surface of the metal film constituting the embedded electrode or disposing a dielectric multilayer film or metal film on at least a part of the outer peripheral surface of the substrate.
- a dielectric multilayer film or a metal film stable reflection is possible regardless of the surface state (dirt or the like) of the light receiving element substrate.
- a high refractive index structure (a structure having a higher refractive index than that of the portion where the light wave propagates) is provided between the portion where the light wave to be monitored propagates and the light receiving element, and on the other hand, it should be monitored
- a low refractive index structure (a structure having a lower refractive index than the portion where the light wave is propagating) is provided between the portion where the light wave that cannot be transmitted (the light wave whose incidence on the light receiving element should be suppressed) is propagating ing.
- the low refractive index structure not only a low refractive index film but also an air layer may be interposed.
- Patent Document 2 it is also possible to arrange a groove or a reflecting member on the substrate 1 (or the optical waveguide 25 or the like) to guide a part of the monitor light toward the light receiving element. .
- the interval W between the high refractive index structures is determined by the output waveguide. It is good also as 2 times or more of the mode diameter of the light wave which propagates 24. This is to prevent the light receiving element from sucking light waves propagating through the output waveguide.
- the interval W between the two grooves or the two reflecting members sandwiching the output waveguide 24 is It is good also as 2 times or more of the mode diameter of the light wave which propagates an output waveguide.
- the optical modulator of one embodiment of the present invention similarly to Patent Document 2, by adjusting the arrangement position of the light receiving element 5 with respect to the substrate 1 (or the optical waveguides 25 and 26), the received light amounts of the two radiated lights. It is possible to adjust the ratio.
- the radiated light waveguides (25, 26) that guide the radiated light the radiated light can be more efficiently guided to the light receiving element 5.
- the light receiving element is arranged on the substrate constituting the optical modulator, and the two radiated lights from the multiplexing portion of the Mach-Zehnder type optical waveguide are simultaneously received and monitored. Even in this case, it is possible to provide an optical modulator that can suppress a decrease in the frequency band of the light receiving element.
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Abstract
光変調器を構成する基板上に受光素子を配置し、マッハツェンダー型光導波路の合波部からの2つの放射光を同時に受光モニタする場合でも、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することが可能な光変調器を提供することを目的とする。 基板1と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)とを有する光変調器において、受光素子5が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路24を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板55に2つ以上の受光部(51,52)が離間して形成されていることを特徴とする。
Description
本発明は、光変調器に関するものであり、特に、マッハツェンダー型光導波路を有する光変調器において、マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光を受光素子で検出する構成を有する光変調器に関する。
光通信分野又は光計測分野において、マッハツェンダー型光導波路を有する強度変調器など各種の光変調器が用いられている。マッハツェンダー型光導波路から出力される光の強度変化は、変調電極に印加される電圧に対して正弦関数的な特性を示す。光変調器の用途に応じて、最適な出力光の強度を得るため、変調電極に印加される変調信号は、適切な動作バイアス点に設定することが必要となる。
このため、従来では、光変調器から出力される信号光の一部、あるいはマッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される放射光を、モニタ光として、光検出器のような受光素子で検出し、光変調器の出力光の強度の状態をモニタすることが行われている。そして、受光素子の検出値(モニタ出力)に基づき、変調電極に印加される変調信号の動作バイアス点を調整(バイアス制御)している。
特許文献1には、図1に示すような、基板1の外部に配置された、受光素子5で放射光をモニタする光変調器を開示している。具体的には、電気光学効果を有する基板1には、マッハツェンダー型光導波路(21~24)を含む光導波路2が形成されている。マッハツェンダー型光導波路を構成する2つの分岐導波路に沿って、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極が設けられているが、図面では省略されている。出力導波路24には、光ファイバ4が接続され、出射光を外部に導出するよう構成されている。
マッハツェンダー型光導波路の合波部23から放出される2つの放射光(R1,R2)は、基板1の端部に光ファイバ4を接続するための補強用キャピラリ3の内部を通過し、受光素子5に導入される。特に、図1に示すように、2つの放射光を一つの受光素子で受光するよう構成することで、2つの放射光を合成した状態でモニタでき、モニタ光と出力光Sとの位相差を補償することが可能となる。
モニタ光と出力光の位相差を補償する精度を高めるには、2つの放射光を受光する光量比を最適に設定することが不可欠である。このため、図1のキャピラリ3と受光素子5との間には何らかの光量比調整手段が設けられる。
特許文献2には、図2及び3に示すように、光変調器を構成する基板1上に受光素子5を配置する構成が開示されている。具体的には、基板1には、マッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2及び、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)が形成されている。受光素子5は、マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路24を跨ぐように配置されている。
図2では、受光素子5は、マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を共に受光するよう構成している。放射光は基板1の内部を伝搬するが、放射光の伝搬する位置を精確にコントロールするために、放射光を導波する放射光用導波路(25,26)を設けることが可能である。受光素子5は、2つの放射光用導波路(25,26)にかかるように配置されている。
図3は、図2の一点鎖線X-X’における断面図である。放射光用導波路(25,26)に接触又は近接して高屈折率膜(40、41)を配置することにより、放射光の一部(R1,R2)は受光素子5の方に吸い上げられ、受光部50に入射する。
図2及び3の構成では、2つの放射光を同時に受光することができ、図1の従来例で説明したように、2つの放射光を同時に受光し、両者の受光強度を調整することで、放射光を用いたモニタ光と出力導波路から出射される出力光との間の位相差を補償し、良好なモニタ特性を得ることができる。
特許文献1のように、基板1の外部に受光素子5を配置する場合には、同一基板上に複数のマッハツェンダー型光導波路を集積する場合及び、基板の端面から離れた位置にマッハツェンダー型光導波路が形成され、当該マッハツェンダー型光導波路とキャピラリとの間に他の光導波路が存在する場合などでは、着目する光波のみを受光素子に導くことは極めて困難となる。
これに対し、特許文献2のように、基板1の表面に受光素子を配置する構成は、着目する光波を精確に受光できる利点がある。しかしながら、2つの放射光を同時に受光するためには、図3に示す2つの放射光用導波路(25,26)の間隔Wと同じ位か、それ以上に大きなサイズの受光面積を形成することが必要となる。受光部の面積の拡大は、その大きさに逆比例して、受光素子の周波数帯域が低下するという問題を発生させる。
本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、光変調器を構成する基板上に受光素子を配置し、マッハツェンダー型光導波路の合波部からの2つの放射光を同時に受光モニタする場合でも、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することが可能な光変調器を提供することである。
上記課題を解決するため、本発明の光変調器は以下のような技術的特徴を有している。
(1) 基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、受光素子が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板に2つ以上の受光部が離間して形成されていることを特徴とする。
(1) 基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、受光素子が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板に2つ以上の受光部が離間して形成されていることを特徴とする。
(2) 上記(1)に記載の光変調器において、該出力導波路と該受光素子との間には低屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されていることを特徴とする。
(3) 上記(2)に記載の光変調器において、該低屈折率構造を挟む2つの該高屈折率構造の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。
(4) 上記(1)に記載の光変調器において、該基板の該放射光が伝搬している位置に、溝又は反射部材を配置し、該放射光を該受光素子に導くことを特徴とする。
(5) 上記(4)に記載の光変調器において、該出力導波路を挟む2つの該溝又は2つの該反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。
(6) 上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の光変調器において、該基板には、該放射光を導波する放射光用導波路が形成されていることを特徴とする。
(7) 上記(1)乃至(6)のいずれかに記載の光変調器において、該基板の厚みは20μm以下であることを特徴とする。
本発明の光変調器は、 基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、受光素子が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板内に2つ以上の受光部が離間して形成されているので、一つの受光部の面積を従来より小さく設定することができ、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することが可能な光変調器を提供することができる。
以下、本発明の光変調器について詳細に説明する。
本発明の光変調器は、図4に示すように、基板1と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)とを有する光変調器において、受光素子5が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路24を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板55に2つ以上の受光部(51,52)が離間して形成されていることを特徴とする。なお、図4は、図3と同様に、出力導波路を跨ぐように配置された受光素子の断面図の概略を主に図示している。
本発明の光変調器は、図4に示すように、基板1と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極(不図示)とを有する光変調器において、受光素子5が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路24を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板55に2つ以上の受光部(51,52)が離間して形成されていることを特徴とする。なお、図4は、図3と同様に、出力導波路を跨ぐように配置された受光素子の断面図の概略を主に図示している。
基板1としては、石英、半導体など光導波路を形成できる基板であれば良く、特に、電気光学効果を有する基板である、LiNbO3,LiTaO3又はPLZT(ジルコン酸チタン酸鉛ランタン)のいずれかの単結晶が好適に利用可能である。
特に、本発明に好適な基板は、基板の厚みが20μm以下のものである。このような薄板では、光波が基板内に閉じ込められ易く、光導波路を伝搬する光波と基板内を伝搬する光波の分離が難しい。このため、本発明の光変調器のように基板上に受光素子を配置することで、効率的に着目する光波を受光することが可能となる。しかも、基板内を伝搬する不要光も多くなることから、特許文献1又は2に示すように、2つの放射光を同時に受光することで、より精確なモニタ信号を得ることが可能となる。20μm以下の厚みの基板を使用するには、図4に示すように、基板1を機械的に補強する構成が必要であり、補強基板11を基板1に樹脂等の接着層10を介して接合している。
基板に形成する光導波路は、例えば、LiNbO3基板(LN基板)上にチタン(Ti)などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路又は光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、PLC等の異なる基板に光導波路を形成し、これらの基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。
変調電極は、信号電極及び接地電極から構成され、基板表面に、Ti・Auの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設けることも可能である。なお、基板(光導波路)内を伝搬する放射光を、受光素子側に導出する領域においては、バッファ層を形成すると、放射光を効率良く導出することが難しくなるので、当該領域にはバッファ層を形成しないことが好ましい。
本発明の光変調器の特徴は、図4のように、光変調器に使用される受光素子には、一つの受光素子基板55に2つ以上の受光部(51,52)が離間して形成されていることである。これにより、1つの受光部の面積を低くすることができ、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することができる。
各受光部は独立して放射光を受光するが、各受光部の配線を並列に接続することで、受光部からのモニタ信号を電気的に重畳し、実質的に2つの放射光を単一の受光部で同時に受光するのと同等の効果を得ることができる。その結果、周波数帯域を低下させず、2つの放射光を同時にモニタでき、モニタ光と出力導波路24を伝搬する出力光と間の位相差をより正確に補償することが可能となる。
受光素子5としては、フォトダイオード(PD)が好適に使用できる。図4では、InP又はGaAsの基板(受光素子基板)55の上側に、InGaAs(受光する光波の波長1550nmの場合)又はGaAs(850nm)による受光層53を設け、当該受光層53に接するように2つの受光部(51,52)が独立して配置されている。各受光部(51,52)には、モニタ光として2つの放射光(R1,R2)が各々に入射される。
図4では、2つの放射光を案内する放射光用導波路(25,26)に、放射光用導波路の屈折率より高い屈折率を持つ受光素子基板55を接触させ、放射光用導波路を伝搬する放射光を受光部(51,52)の方に吸い上げている。出力導波路24と基板55との間には、空気層などの空洞61が形成されている。
受光部の配置位置は、図4のように導波路断面方向からみた場合は、放射光用導波路(モニタ用導波路)の直上に配置されてもよい。これは、放射光用導波路から受光素子基板内に放射された光(エバネセント波)は、導波路断面内では、導波路基板の法線方向に放射され、また放射角度が法線を中心として対称だからである。
また、導波光の進行方向に対しては、受光部の最適な位置はモニタ光の放射角度によって決まる。例えば受光素子基板の屈折率が3.16、導波路の実効屈折率を2.15とすると、放射角度は導波路基板の法線から約43度の方向となる。但し、受光素子基板内のモニタ光の多重反射を考慮した場合はこの限りではない。図5は、受光素子に対する、モニタ用導波路である放射光用導波路(25,26)に沿った方向の断面図であり、モニタ用導波路を伝搬する光波(矢印)の一部が、受光素子基板内に入射する様子を図示している。
受光部の面積は、任意に設定することが可能であるが、導波路の断面方向については、受光部でのモニタ光のビーム幅程度に設定すれば良い。例えば、導波光の波長を1.55μm、導波路のモード径を10μm、受光素子基板の高さを150μmとすると、前述の屈折率条件のもとで、受光部におけるビームの幅は20μm程度となる。但し、受光素子の実装位置トレランスを考慮すると、受光部の幅は40~80μm程度としてもよい。
一方で、図5に示すように、導波路の進行方向については、モニタ光はほぼ一様な強度の平行ビームとなるので、受光部の幅に特段の制限はないが、PD作製の容易さから、正方形もしくは円形の受光部としてもよい。
2つの受光部をワイヤーボンディングなどにより電気的に並列接続すれば、2つのモニタ信号は重畳され、出力光(メイン光)との位相差を打ち消すことが可能となる。この並列接続は、ワイヤーボンディング以外には、受光素子基板上でパターニングによる配線を形成することでも可能である。
なお、受光部は2つに限定されるわけではなく、一つの放射光を受光する受光部を2つ以上の受光部に分割して構成することも可能である。一般に、受光部の面積が大きくなると、周波数帯域が低下するので、対応帯域を考慮して複数に分割してもよい。ただし、多くの受光部に分割することは、ワイヤーボンディング又は配線パターンを複雑化することになり、製造コストが高くなる原因となる。このため、一つの放射光に対して、受光部は1~5の範囲に抑制してもよい。
受光面積が少なくなると、逆に、感度が低下する。このため、本出願人が先に行った特許出願(特許文献3参照)で開示した、受光素子内の多重反射を用いる技術も本発明の一態様に組み合わせることは、大変有効である。ただし、放射光用導波路に対する受光素子の配置位置を微調整することで、2つの放射光の受光量のバランスを調整することが可能である。この調整を活かすには、多重反射した光波により、例えば、一方の放射光が、他方の放射光が入るべき受光部に必要以上に入射しないよう、反射を制御することが必要となる。
受光素子5を構成する基板内で放射光を多重反射させるためには、光波が反射する場所に、誘電体多層膜又は金属反射膜などの反射膜を配置したり、基板内で全反射させてもよい。例えば、埋込み電極を構成する金属膜の下面で反射させたり、基板の外周面の少なくとも一部に誘電体多層膜又は金属膜を配置して、反射効率を上げることが可能である。しかも、誘電体多層膜又は金属膜を利用することで、受光素子基板の表面状態(汚れ等)によらず安定した反射が可能となる。
受光素子内にモニタすべき光波を導入するには、特許文献2にも開示されているように、光導波路等の光波を導波している箇所に、受光素子基板55を直接接触させる方法だけでなく、図3のように、光導波路25(26)等と受光素子基板55との間に高屈折率膜(40,41)を介在させる方法もある。この場合は、高屈折率膜の屈折率は、光導波路25(26)(または、光波を導波している基板1)の屈折率よりも高く、受光素子基板55の屈折率よりも低く設定することが必要である。このように、モニタすべき光波が伝搬している部分と受光素子との間には高屈折率構造(光波が伝搬している部分より高い屈折率を有する構造)を設け、他方、モニタすべきできない光波(受光素子への入射を抑制すべき光波)が伝搬している部分と受光素子との間には低屈折率構造(光波が伝搬している部分より低い屈折率を有する構造)を設けている。低屈折率構造としては、低屈折率膜を配置するだけでなく、空気層を介在させる構成であっても良い。
また、特許文献2にも開示されているように、基板1(あるいは光導波路25等)に溝又は反射部材を配置して、モニタ光の一部を受光素子の方に導くことも可能である。
図3又は4に示すように、低屈折率構造60(61)を挟む2つの高屈折率構造(40,41)を配置する場合には、該高屈折率構造の間隔Wは、出力導波路24を伝搬する光波のモード径の2倍以上としてもよい。これは、出力導波路を伝搬する光波まで受光素子に吸い上げることを抑制するためである。また、基板1に溝又は反射部材を配置して、モニタすべき光波を受光素子側に偏向させる場合も、同様に、出力導波路24を挟む2つの溝又は2つの反射部材の間隔Wは、出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上としてもよい。
更に本発明の一態様の光変調器においても、特許文献2と同様に、受光素子5の基板1(又は光導波路25,26)に対する配置位置を調整することで、2つの放射光の受光量の比を調整することが可能となる。また、図2のように、放射光を導波する放射光用導波路(25,26)を設けることにより、放射光を受光素子5へ、より効率的に導くことが可能となる。
以上のように、本発明に係る光変調器によれば、光変調器を構成する基板上に受光素子を配置し、マッハツェンダー型光導波路の合波部からの2つの放射光を同時に受光モニタする場合でも、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することが可能な光変調器を提供することが可能となる。
1 基板
2 光導波路
21 入力導波路
22 分岐導波路
23 合波部
24 出力導波路
25,26 放射光用導波路
3 キャピラリ
5 受光素子
50,51,52 受光部
55 受光素子基板
40,41 高屈折率構造
60,61 低屈折率構造
2 光導波路
21 入力導波路
22 分岐導波路
23 合波部
24 出力導波路
25,26 放射光用導波路
3 キャピラリ
5 受光素子
50,51,52 受光部
55 受光素子基板
40,41 高屈折率構造
60,61 低屈折率構造
Claims (7)
- 基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、
受光素子が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を受光するよう構成されており、
該受光素子には、一つの受光素子基板に2つ以上の受光部が離間して形成されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1に記載の光変調器において、該出力導波路と該受光素子との間には低屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されていることを特徴とする光変調器。
- 請求項2に記載の光変調器において、該低屈折率構造を挟む2つの該高屈折率構造の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする光変調器。
- 請求項1に記載の光変調器において、該基板の該放射光が伝搬している位置に、溝又は反射部材を配置し、該放射光を該受光素子に導くことを特徴とする光変調器。
- 請求項4に記載の光変調器において、該出力導波路を挟む2つの該溝又は2つの該反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする光変調器。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光変調器において、該基板には、該放射光を導波する放射光用導波路が形成されていることを特徴とする光変調器。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の光変調器において、該基板の厚みは20μm以下であることを特徴とする光変調器。
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JP7205317B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-01-17 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びその製造方法 |
JP7435097B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2024-02-21 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、及び光導波路デバイス |
US20220317484A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Tdk Corporation | Optical device and optical system |
WO2024176432A1 (ja) * | 2023-02-24 | 2024-08-29 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006284714A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi Metals Ltd | 光モニタアレイおよびその製造方法 |
JP2008180997A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 放射モード光モニタ付導波路型光変調器 |
JP2010224064A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路デバイス |
JP2013080009A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
JP2015102789A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路デバイス |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5347601A (en) * | 1993-03-29 | 1994-09-13 | United Technologies Corporation | Integrated optical receiver/transmitter |
US6670599B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making |
US7067072B2 (en) * | 2001-08-17 | 2006-06-27 | Nomadics, Inc. | Nanophase luminescence particulate material |
US6795620B2 (en) * | 2002-11-27 | 2004-09-21 | Codeon Corporation | Fiber tail assembly with optical signal tap |
US7327022B2 (en) * | 2002-12-30 | 2008-02-05 | General Electric Company | Assembly, contact and coupling interconnection for optoelectronics |
US7480425B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-01-20 | Oewaves, Inc. | Integrated opto-electronic oscillators |
US7783138B2 (en) * | 2007-11-16 | 2010-08-24 | Jds Uniphase Corporation | Free-space integrated photodetector with reduced phase tracking error |
KR20100005452A (ko) * | 2008-07-07 | 2010-01-15 | 중앙대학교 산학협력단 | 전반사미러의 소산파를 이용한 마이크로 공진기 센서 |
US8977086B2 (en) * | 2009-02-12 | 2015-03-10 | Governors Of The University Of Alberta | Tapered waveguide coupler and spectrometer |
US9164026B2 (en) * | 2009-08-03 | 2015-10-20 | Omega Optics, Inc. | Packaged chip for multiplexing photonic crystal microcavity coupled waveguide and photonic crystal slot waveguide devices for chip-integrated label-free detection and absorption spectroscopy with high throughput, sensitivity, specificity, and wide dynamic range |
GB201020972D0 (en) * | 2010-12-10 | 2011-01-26 | Oclaro Technology Ltd | Assembly for monitoring output characteristics of a modulator |
JP4977789B1 (ja) | 2011-02-23 | 2012-07-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
CN103392146B (zh) * | 2011-02-23 | 2015-05-06 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器 |
JP5660095B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2015-01-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
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JP2006284714A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi Metals Ltd | 光モニタアレイおよびその製造方法 |
JP2008180997A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 放射モード光モニタ付導波路型光変調器 |
JP2010224064A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路デバイス |
JP2013080009A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
JP2015102789A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路デバイス |
Also Published As
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