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WO2014132692A1 - 測定デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

測定デバイスおよびその製造方法 Download PDF

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WO2014132692A1
WO2014132692A1 PCT/JP2014/050649 JP2014050649W WO2014132692A1 WO 2014132692 A1 WO2014132692 A1 WO 2014132692A1 JP 2014050649 W JP2014050649 W JP 2014050649W WO 2014132692 A1 WO2014132692 A1 WO 2014132692A1
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WO
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void
host molecule
measurement device
group
measuring device
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/050649
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English (en)
French (fr)
Inventor
弘一 瀬戸
佳子 三浦
誠治 神波
近藤 孝志
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/49Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
    • G01N21/51Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid inside a container, e.g. in an ampoule

Definitions

  • the present invention relates to a measuring device and a manufacturing method thereof. More specifically, a measurement device for measuring the presence or amount of the measurement object by irradiating the measurement device holding the measurement object with electromagnetic waves and detecting the characteristics of the electromagnetic waves scattered by the measurement device, And it is related with the manufacturing method.
  • an object to be measured is held in a void arrangement structure, an electromagnetic wave is irradiated to the void arrangement structure in which the measurement object is held, and its transmission spectrum is analyzed.
  • a measuring method for detecting the presence or absence or amount of the object to be measured is used.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2008-185552 discloses a void arrangement structure having a void region in which an object to be measured is held (specifically, , Irradiate electromagnetic waves from a direction oblique to the direction perpendicular to the main surface of the gap arrangement structure toward the mesh-shaped conductor plate), and measure the electromagnetic waves transmitted through the gap arrangement structure.
  • a measurement method is disclosed in which the position of a dip waveform generated in the frequency characteristic of a value is moved due to the presence of the object to be measured, thereby detecting the characteristic of the object to be measured.
  • Patent Document 2 International Publication No. 2010/110415
  • an object to be measured is attached to a structure with a diffraction phenomenon (gap arrangement structure), and the structure to which the object to be measured is attached is irradiated with electromagnetic waves.
  • a method for detecting electromagnetic waves scattered by a structure and measuring characteristics of the object to be measured from the frequency characteristics of the detected electromagnetic waves is disclosed.
  • measurement is performed by directly attaching the object to be measured to the surface of the structure. It is carried out.
  • the measurement variation is not affected by the degree of adhesion or the deflection between the gap arrangement structure and the support film.
  • a host molecule for attaching the object to be measured is bonded to the surface of the structure, and the object to be measured is directly attached to the surface of the structure via the host molecule. It is described that the case of attaching is also included.
  • An object of the present invention is to provide a measuring device and a manufacturing method thereof for easily realizing high-sensitivity measurement.
  • the present invention is a measurement for measuring the presence or amount of the measurement object by irradiating the measurement device holding the measurement object with electromagnetic waves and detecting the characteristics of the electromagnetic waves scattered by the measurement device.
  • a device A gap arrangement structure made of metal, having a pair of main surfaces facing each other, and having a plurality of void portions formed so as to penetrate the pair of main surfaces;
  • a host molecule having an adsorption capacity for the object to be measured, In the measuring device, the host molecule is bonded to the surface of the void-arranged structure via an ether bond.
  • the metal preferably includes a base metal.
  • the host molecule is bonded to the surface of the void arrangement structure via a silyl ether bond.
  • the host molecule further includes a maleimide group bonded via an amino bond to a portion including the silyl ether bond.
  • the host molecule preferably further includes a first organic group bonded to the maleimide group via a sulfide bond.
  • the first organic group is a biotin group; And avidin or streptavidin bonded to the first organic group; And a second organic group containing a biotin group bound to the avidin or streptavidin.
  • the second organic group is preferably biotinylated protein A or biotinylated protein G.
  • the host molecule has a specific adsorption ability with respect to an object to be measured.
  • the host molecule preferably includes an antigen or an antibody.
  • the present invention also provides a method for manufacturing the above measuring device, A method for producing a measurement device, comprising the step of forming a hydroxy group on a surface of the void arrangement structure by impregnating the void arrangement structure in a mixed solution of hydrogen peroxide water, ammonia and water and heating the mixture. Also related.
  • the present invention it is possible to provide a measuring device and a method for manufacturing the measuring device for easily realizing highly sensitive measurement.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a measuring apparatus using the measuring device of the present invention.
  • This measuring apparatus uses an electromagnetic wave (for example, terahertz wave having a frequency of 20 GHz to 120 THz) generated by irradiating a semiconductor material with laser light irradiated from a laser 2 (for example, a short light pulse laser). It is.
  • an electromagnetic wave for example, terahertz wave having a frequency of 20 GHz to 120 THz
  • a laser 2 for example, a short light pulse laser
  • the laser beam emitted from the laser 2 is branched into two paths by the half mirror 20.
  • One is irradiated to the photoconductive element 71 on the electromagnetic wave generation side, and the other is the light on the reception side through the time delay stage 26 by using a plurality of mirrors 21 (numbering is omitted for the same function).
  • the conductive element 72 is irradiated.
  • the photoconductive elements 71 and 72 a general element in which a dipole antenna having a gap portion is formed in LT-GaAs (low temperature growth GaAs) can be used.
  • the laser 2 a fiber type laser or a laser using a solid such as titanium sapphire can be used.
  • the semiconductor surface may be used without an antenna, or an electro-optic crystal such as a ZnTe crystal may be used.
  • an appropriate bias voltage is applied by the power source 3 to the gap portion of the photoconductive element 71 on the generation side.
  • the generated electromagnetic wave is made into a parallel beam by the parabolic mirror 22 and irradiated to the measuring device (gap arrangement structure) 1 by the parabolic mirror 23.
  • the terahertz wave transmitted through the measuring device 1 is received by the photoconductive element 72 by the parabolic mirrors 24 and 25.
  • the electromagnetic wave signal received by the photoconductive element 72 is amplified by the amplifier 6 and then acquired as a time waveform by the lock-in amplifier 4. Then, after signal processing such as Fourier transform is performed by a PC (personal computer) 5 including a calculating means, the transmittance spectrum of the measuring device 1 is calculated.
  • the bias voltage from the power source 3 applied to the gap of the photoconductive element 71 on the generation side is modulated (amplitude 5V to 30V) by the signal of the oscillator 8.
  • the S / N ratio can be improved by performing synchronous detection.
  • the measurement method described above is a method generally called terahertz time domain spectroscopy (THz-TDS).
  • FIG. 1 shows a case where scattering is transmission, that is, a case where the transmittance of electromagnetic waves is measured.
  • scattering means a broad concept including transmission that is a form of forward scattering, reflection that is a form of backscattering, and preferably transmission and reflection. More preferably, transmission in the 0th order direction or reflection in the 0th order direction.
  • the grating interval of the diffraction grating is s
  • the incident angle is i
  • the diffraction angle is ⁇
  • the wavelength is ⁇
  • the electromagnetic wave used for the above measurement is not particularly limited as long as it can cause scattering according to the structure of the measurement device (void arrangement structure), and includes radio waves, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, X-rays, Any of gamma rays and the like can be used, and the frequency thereof is not particularly limited, but is preferably 1 GHz to 1 PHz, and more preferably a terahertz wave having a frequency of 20 GHz to 200 THz.
  • a linearly polarized electromagnetic wave (linearly polarized wave) having a predetermined polarization direction or an unpolarized electromagnetic wave (nonpolarized wave) can be used.
  • linearly polarized electromagnetic waves for example, a terahertz wave generated by the optical rectification effect of an electro-optic crystal such as ZnTe using a short light pulse laser as a light source, visible light emitted from a semiconductor laser, or emitted from a photoconductive antenna An electromagnetic wave etc. are mentioned.
  • Non-polarized electromagnetic waves include infrared light emitted from a high-pressure mercury lamp or a ceramic lamp.
  • measuring the presence or amount of the object to be measured is to determine the amount of the compound to be measured, for example, when measuring the content of a small amount of object to be measured such as in solution, For example, the object to be measured is identified.
  • the presence / absence or amount of the object to be measured is measured based on at least one parameter related to the characteristics of the electromagnetic wave scattered in the gap arrangement structure obtained as described above.
  • the dip waveform generated in the frequency characteristic of the electromagnetic wave forward scattered (transmitted) in the void-arranged structure 1 and the peak waveform generated in the frequency characteristic of the electromagnetic wave back scattered (reflected) vary depending on the presence of the object to be measured.
  • the presence or amount of the object to be measured can be measured based on the measurement.
  • the dip waveform refers to the frequency characteristic (for example, transmittance spectrum) of the void-arranged structure in a frequency range in which the ratio of the detected electromagnetic wave to the irradiated electromagnetic wave (for example, the transmittance of the electromagnetic wave) is relatively large. It is the waveform of the part of the valley type (convex downward) seen partially.
  • the peak waveform is a part of the frequency characteristics (for example, reflectance spectrum) of the void-arranged structure in a frequency range where the ratio of the detected electromagnetic wave to the irradiated electromagnetic wave (for example, the reflectance of the electromagnetic wave) is relatively small. It is a mountain-shaped (convex upward) waveform.
  • the measuring device of the present invention is used for the measurement as described above, A void arrangement structure and a host molecule, The host molecule is bonded to the surface of the void arrangement structure via an ether bond.
  • the void arrangement structure used in the present invention is made of metal, has a pair of main surfaces facing each other, and has a plurality of void portions formed so as to penetrate the pair of main surfaces.
  • the plurality of gaps are periodically arranged in at least one direction on the main surface of the gap arrangement structure.
  • all of the gaps may be periodically arranged, and within a range that does not impair the effects of the present invention, some of the gaps are periodically arranged and other gaps are non-periodically. It may be arranged.
  • the void arrangement structure is preferably a quasi-periodic structure or a periodic structure.
  • a quasi-periodic structure is a structure that does not have translational symmetry but is maintained in order. Examples of the quasi-periodic structure include a Fibonacci structure as a one-dimensional quasi-periodic structure and a Penrose structure as a two-dimensional quasi-periodic structure.
  • a periodic structure is a structure having spatial symmetry as represented by translational symmetry, and a one-dimensional periodic structure, a two-dimensional periodic structure, or a three-dimensional periodic structure according to the symmetry dimension. Classified into the body. Examples of the one-dimensional periodic structure include a wire grid structure and a one-dimensional diffraction grating. Examples of the two-dimensional periodic structure include a mesh filter and a two-dimensional diffraction grating. Among these periodic structures, a two-dimensional periodic structure is preferably used.
  • a plate-like structure in which voids are arranged at regular intervals in a matrix shape as shown in FIG. 2A has two arrangement directions (vertical direction and horizontal direction in the drawing) in which the square gap portions 11 are parallel to each side of the square when viewed from the main surface 10a side.
  • the hole size of the gap shown by d in FIG. It is preferable that it is 1/10 or more and 10 times or less of the wavelength. By doing so, the intensity of the scattered electromagnetic wave becomes stronger and the signal can be detected more easily.
  • the specific pore size is preferably 0.15 to 150 ⁇ m, and from the viewpoint of improving measurement sensitivity, the pore size is more preferably 0.9 to 9 ⁇ m.
  • the lattice spacing (pitch) of the gaps indicated by s in FIG. 2B is measured. It is preferable that it is 1/10 or more and 10 times or less of the wavelength of the electromagnetic wave used for. By doing so, scattering is more likely to occur.
  • the specific lattice spacing is preferably 0.15 to 150 ⁇ m, and from the viewpoint of improving measurement sensitivity, the lattice spacing is more preferably 1.3 to 13 ⁇ m.
  • the thickness of the void arrangement structure is preferably 5 times or less the wavelength of the electromagnetic wave used for measurement.
  • the overall size of the gap arrangement structure is not particularly limited, and is determined according to the area of the beam spot of the irradiated electromagnetic wave.
  • the gap arrangement structure is made of metal.
  • the metal preferably contains a base metal.
  • the metal is preferably made of a base metal or an alloy of a base metal and another metal.
  • Examples of such base metal include nickel, stainless steel, titanium, tungsten, iron, chromium, silicon, and germanium, and nickel, stainless steel, and titanium are preferable.
  • nickel or stainless steel is used, a compound having an alkoxysilane group can be easily bonded to the surface of the void-arranged structure, so that the host molecule is bonded to the surface of the void-arranged structure via the silyl ether group. This is advantageous.
  • the host molecule is a molecule including a portion having an adsorption ability for the measurement object, and preferably a molecule including a portion having a specific adsorption ability for the measurement object.
  • the portion of the host molecule that has the ability to adsorb to the object to be measured is not particularly limited as long as it can adsorb the object to be measured, but the combination of the portion having the ability to adsorb to the object to be measured in the host molecule and the object to be measured.
  • Examples include antigen and antibody, sugar chain and protein, lipid and protein, low molecular weight compound (ligand) and protein, protein and protein, single-stranded DNA and single-stranded DNA, and the like.
  • Specific examples of the host molecule include molecules having a biotin group, a carboxyl group, a sulfo group, an amino group, and the like, and proteins such as streptavidin, proteins A and G, and antibodies.
  • the host molecule is preferably an antigen or antibody.
  • the host molecule is bonded to the surface of the void-arranged structure via an ether bond (—O—).
  • the host molecule is bonded to the surface of the void-arranged structure via a silyl ether bond (—Si—O—).
  • the ether bond (—O—) side of the silyl ether bond is bonded to the surface of the void-arranged structure.
  • the host molecule further includes a maleimide group bonded via an amino bond to a portion including a silyl ether group.
  • the portion containing a silyl ether group means a portion in which a divalent group is bonded to the silyl group (—Si—) side of the silyl ether group.
  • a bivalent group For example, an alkylene group is mentioned.
  • Such a moiety containing a silyl ether group and an amino bond are formed, for example, by reacting various known silane coupling agents having an amino group at the terminal with a hydroxy group formed on the surface of the void-arranged structure. Can be done.
  • the silane coupling agent include 3-aminopropyltrimethoxysilane (TMS-NH2).
  • the maleimide group can be formed, for example, by reacting a maleimide derivative with an amino group at the end of a portion containing a silyl ether group.
  • Examples of the maleimide derivative include 3-maleimidopropionic acid N-succinimide.
  • the host molecule preferably further includes a first organic group bonded to the maleimide group via a sulfide bond.
  • the first organic group include a biotin group, an NHS (N-hydroxysuccinimide) ester group, a carboxyl group, an amino group, and a vinyl group, and a biotin group is preferable.
  • the first organic group is a biotin group, And avidin or streptavidin bonded to the first organic group; And a second organic group containing a biotin group bound to the avidin or streptavidin.
  • Examples of the second organic group include biotinylated peptide (biotinylated protein), biotinylated antigen, biotinylated antibody, and biotinylated DNA.
  • biotinylated peptides include biotinylated protein A and biotinylated protein G. Biotinylated protein A and biotinylated protein G are preferred.
  • bond includes, for example, physical bond or chemical bond by intermolecular force (van der Waals force).
  • chemical bonds include covalent bonds (for example, covalent bonds between metal and thiol groups), ionic bonds, metal bonds, hydrogen bonds, and the like.
  • Measurement device manufacturing method Although the method for manufacturing the measurement device is not particularly limited, an embodiment of the measurement device manufacturing method of the present invention will be described below with reference to FIG.
  • the void-arranged structure 1 it is preferable to include a step of forming a hydroxy group on the surface of the void-arranged structure 1.
  • this step it is preferable to form a hydroxy group on the surface of the void-arranged structure by impregnating the void-arranged structure in a mixed solution of hydrogen peroxide, ammonia and water and heating.
  • the hydroxy group formed on the surface of the void-arranged structure 1 is reacted with the silane coupling agent to form a silyl ether bond.
  • a maleimide derivative is reacted with the terminal amino group of the silane coupling agent to form a maleimide group.
  • the maleimide group is reacted with a thiol group of a compound having a biotin group at one end and a thiol group at the other end (first organic group).
  • a sulfide bond is formed and biotin is bonded to the terminal.
  • (strept) avidin is bound to the biotin group, and as shown in FIG. 3 (f), one end is attached to the (strept) avidin.
  • the biotin group of a compound (second organic group: for example, biotinylated protein G) containing a portion having a biotin group at the other end and having a binding ability to the host molecule at the other end is bound.
  • an antibody for example, mouse IgG antibody
  • biotinylated protein G is bound to an antibody (for example, mouse IgG antibody).
  • the measurement device of the present invention in which the host molecule is bonded to the surface of the void-arranged structure via a silyl ether bond can be obtained.
  • the object to be measured is an antigen (eg, FITC (fluorescein isothiocyanate) labeled anti-mouse IgG antigen), and as shown in FIG. 3 (h), the antigen is attached to the antibody.
  • FITC fluorescein isothiocyanate
  • the measurement object is measured by the above-described measurement method while the measurement object is held in the measurement device.
  • the object to be measured can be efficiently held in the measurement device (void arrangement structure).
  • the contaminants contained in the solution of the object to be measured are reduced, so nonspecific adsorption of the contaminants to the void arrangement structure is reduced. The As a result, the measurement sensitivity of the object to be measured can be improved.
  • Example 1 (Preparation of void arrangement structure) First, the void arrangement structure was prepared by the following method.
  • the portion corresponding to the gaps 11 of the photosensitive thick film photoresist was UV cured.
  • the uncured portion of the photosensitive thick film photoresist corresponding to the portion other than the void portion 11 (structure portion) was removed with a rinsing liquid to expose the stainless steel conductor plate.
  • the peeling polymer solution was apply
  • the conductor plate prepared in this manner was placed in a Ni electrolytic plating bath and energized to form a Ni plating film with a thickness of 1.0 ⁇ m only on the release layer formed on the exposed portion of the conductor plate. Thereafter, the cured portion of the photosensitive resin layer remaining on the conductor plate was removed with a solvent, and the Ni plating film was peeled from the conductor plate. In this manner, a void arrangement structure A made of Ni was obtained.
  • the resulting void-arranged structure A had voids with a pore size of 1.8 ⁇ m arranged at a pitch of 2.6 ⁇ m and a thickness of 1.0 ⁇ m.
  • the shape of the void arrangement structure viewed from the main surface direction was a circle with a diameter of 6 mm.
  • the measuring device of the present invention was manufactured in the same manner as the manufacturing method of the measuring device described with reference to FIG.
  • the formation of hydroxy groups on the surface of the void arrangement structure was performed by impregnating the void arrangement structure in a mixed solution of hydrogen peroxide, ammonia and water and heating to 60 ° C.
  • silane coupling agent 3-aminopropyltrimethoxysilane was used.
  • maleimide derivative 3-maleimidopropionic acid N-succinimide was used.
  • first organic group HS- (CH2) 11-NH-C (O) -Biotin, which is a compound having a biotin group at one end and a thiol group at the other end, was used. Streptavidin was used for the biotin group binding.
  • biotinylated protein G manufactured by Thermo Fisher, which is a compound having a biotin group at one end and a portion having a binding ability with a host molecule at the other end, was used. Details of the host molecule binding procedure will be described below.
  • UV light of 172 nm was irradiated on the front and back surfaces of the void-arranged structure for 20 minutes each.
  • TMS-NH2 3-aminopropyltrimethoxysilane
  • Streptavidin adsorption treatment Put a metal mesh in a screw tube bottle, prepare a PBS (phosphate buffered saline) solution of stress toavidin, put 1 mL of streptavidin solution per bottle, and add metal. The mesh was immersed and allowed to stand at 36 ° C. for 2 hours. Next, replacement cleaning was performed 3 times with about 5 mL of ultrapure water to obtain a sample in the state shown in FIG.
  • PBS phosphate buffered saline
  • Biotin-labeled protein G adsorption treatment A PBS solution of biotin-labeled protein G was prepared, 0.5 mL of protein G solution was added per bottle, a metal mesh was immersed therein, and left at 36 ° C. for 2 hours.
  • Adsorption treatment of anti-mouse IgG antigen Well prepared by blocking treatment with PBS solution of BSA (bovine serum albumin) at a concentration of 3 [mg / mL] is prepared, and one metal mesh with jig is put per well. A PBS solution of anti-mouse IgG antigen was prepared, 1 mL of anti-mouse IgG solution was added per well, a metal mesh was immersed, and the plate was allowed to stand at 36 ° C. for 2 hours.
  • BSA bovine serum albumin
  • the concentration of the antigen as the measurement object can be sufficiently measured based on the shift amount of the dip frequency.
  • 1 Gap arrangement structure 10a main surface, 11 gap, 2 laser, 20 half mirror, 21 mirror, 22, 23, 24, 25 parabolic mirror, 26 time delay stage, 3 power supply, 4 lock-in amplifier, 5 PC (personal computer), 6 amplifiers, 71, 72 photoelectric conducting elements, 8 oscillators.

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Abstract

 本発明は、被測定物が保持された測定デバイスに電磁波を照射して、前記測定デバイスで散乱された電磁波の特性を検出することにより、前記被測定物の有無または量を測定するための測定デバイスであって、金属からなり、互いに対向する一対の主面を有し、該一対の主面を貫通するように形成された複数の空隙部を有する空隙配置構造体と、前記被測定物に対する吸着能を有するホスト分子とを含み、前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にエーテル結合を介して結合していることを特徴とする、測定デバイスである。

Description

測定デバイスおよびその製造方法
 本発明は、測定デバイスおよびその製造方法に関する。より詳しくは、被測定物が保持された測定デバイスに電磁波を照射して、測定デバイスで散乱された電磁波の特性を検出することにより、被測定物の有無または量を測定するための測定デバイス、および、その製造方法に関する。
 従来から、物質の特性を分析するために、空隙配置構造体に被測定物を保持して、その被測定物が保持された空隙配置構造体に電磁波を照射し、その透過スペクトル等を解析して被測定物の有無または量を検出する測定方法が用いられている。具体的には、例えば、金属メッシュフィルタに付着したタンパク質などの被測定物に、テラヘルツ波を照射して透過スペクトルを解析する手法が挙げられる。
 このような電磁波を用いた透過スペクトルの解析手法の従来技術として、特許文献1(特開2008-185552号公報)には、被測定物が保持された空隙領域を有する空隙配置構造体(具体的には、メッシュ状の導体板)に向かって、空隙配置構造体の主面に垂直な方向に対して斜めの方向から電磁波を照射して、空隙配置構造体を透過した電磁波を測定し、測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて被測定物の特性を検出する測定方法が開示されている。
 また、特許文献2(国際公開第2010/110415号)には、回折現象を伴う構造体(空隙配置構造体)に被測定物を付着させ、前記被測定物が付着した構造体に電磁波を照射し、構造体で散乱した電磁波を検出して、検出された電磁波の周波数特性から被測定物の特性を測定する方法が開示され、ここでは被測定物を構造体の表面に直接付着させて測定を行っている。これにより、被測定物を支持膜等を介して空隙配置構造体に保持する場合と比べて、空隙配置構造体と支持膜等との密着度合いや撓みなどの影響を受けず、測定のばらつきが抑えられ、測定感度が向上することが記載されている。なお、構造体の表面に直接付着させることには、被測定物を付着させるためのホスト分子を構造体の表面に結合しておき、このホスト分子を介して構造体の表面に直接被測定物を付着させる場合も含まれる旨記載されている。
 しかしながら、このような測定技術において、高感度の測定を可能とするために好適な具体的なホスト分子の検討等の測定デバイスの検討は、必ずしも十分にはなされていなかった。
特開2008-185552号公報 国際公開第2010/110415号
 本発明は、高感度の測定を容易に実現可能とするための測定デバイス、および、その製造方法を提供することを目的とする。
 本発明は、被測定物が保持された測定デバイスに電磁波を照射して、前記測定デバイスで散乱された電磁波の特性を検出することにより、前記被測定物の有無または量を測定するための測定デバイスであって、
 金属からなり、互いに対向する一対の主面を有し、該一対の主面を貫通するように形成された複数の空隙部を有する空隙配置構造体と、
 前記被測定物に対する吸着能を有するホスト分子とを含み、
 前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にエーテル結合を介して結合していることを特徴とする、測定デバイスである。前記金属は卑金属を含むことが好ましい。
 前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にシリルエーテル結合を介して結合していることが好ましい。
 前記ホスト分子は、さらに、前記シリルエーテル結合を含む部分にアミノ結合を介して結合されたマレイミド基を含むことが好ましい。
 前記ホスト分子は、さらに、前記マレイミド基にスルフィド結合を介して結合した第1の有機基を含むことが好ましい。
 前記第1の有機基はビオチン基であり、
 さらに、該第1の有機基に結合したアビジンまたはストレプトアビジンと、
 前記アビジンまたはストレプトアビジンに結合したビオチン基を含む第2の有機基とを備えることが好ましい。
 前記第2の有機基は、ビオチン化プロテインAまたはビオチン化プロテインGであることが好ましい。
 前記ホスト分子は、被測定物に対して特異的な吸着能を有することが好ましい。前記ホスト分子は、抗原または抗体を含むことが好ましい。
 また、本発明は、上記の測定デバイスを製造するための方法であって、
 前記空隙配置構造体を過酸化水素水、アンモニアおよび水の混合液中に含浸させ、加熱することによって、前記空隙配置構造体の表面にヒドロキシ基を形成する工程を含む、測定デバイスの製造方法にも関する。
 本発明によれば、高感度の測定を容易に実現可能とするための測定デバイス、および、その製造方法を提供することができる。
本発明の測定方法の概要を説明するための模式図である。 本発明で用いる空隙配置構造体の構造を説明するための模式図である。 本発明の測定デバイスの製造方法の一実施形態を説明するための模式図である。 実施例1における、各試料の透過スペクトルにおけるディップ点の周波数について、比較試料の透過スペクトルにおけるディップ点の周波数に対するシフト量を示すグラフである。
 まず、本発明の測定デバイスが用いられる測定方法(被測定物が保持された測定デバイスに電磁波を照射して、前記測定デバイスで散乱された電磁波の特性を検出することにより、前記被測定物の有無または量を測定する方法)の一例について、概略を図1を参照して説明する。
 図1は、本発明の測定デバイスを用いた測定装置の一例を模式的に示す図である。この測定装置は、レーザ2(例えば、短光パルスレーザ)から照射されるレーザ光を半導体材料に照射することで発生する電磁波(例えば、20GHz~120THzの周波数を有するテラヘルツ波)パルスを利用するものである。
 図1の構成において、レーザ2から出射したレーザ光を、ハーフミラー20で2つの経路に分岐する。一方は、電磁波発生側の光伝導素子71に照射され、もう一方は、複数のミラー21(同様の機能のものは付番を省略)を用いることで、時間遅延ステージ26を経て受信側の光伝導素子72に照射される。光伝導素子71、72としては、LT-GaAs(低温成長GaAs)にギャップ部をもつダイポールアンテナを形成した一般的なものを用いることができる。また、レーザ2としては、ファイバー型レーザやチタンサファイアなどの固体を用いたレーザなどを使用できる。さらに、電磁波の発生、検出には、半導体表面をアンテナなしで用いたり、ZnTe結晶の様な電気光学結晶を用いたりしてもよい。ここで、発生側となる光伝導素子71のギャップ部には、電源3により適切なバイアス電圧が印加されている。
 発生した電磁波は放物面ミラー22で平行ビームにされ、放物面ミラー23によって、測定デバイス(空隙配置構造体)1に照射される。測定デバイス1を透過したテラヘルツ波は、放物面ミラー24,25によって光伝導素子72で受信される。光伝導素子72で受信された電磁波信号は、アンプ6で増幅されたのちロックインアンプ4で時間波形として取得される。そして、算出手段を含むPC(パーソナルコンピュータ)5でフーリエ変換などの信号処理された後に、測定デバイス1の透過率スペクトルなどが算出される。ロックインアンプ4で取得するために、発振器8の信号で発生側の光伝導素子71のギャップに印加する電源3からのバイアス電圧を変調(振幅5V~30V)している。これにより同期検波を行うことでS/N比を向上させることができる。
 以上に説明した測定方法は、一般にテラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)と呼ばれる方法である。
 図1では、散乱が透過である場合、すなわち電磁波の透過率を測定する場合を示している。本発明において「散乱」とは、前方散乱の一形態である透過や、後方散乱の一形態である反射などを含む広義の概念を意味し、好ましくは透過や反射である。さらに好ましくは、0次方向の透過や0次方向の反射である。
 なお、一般的に、回折格子の格子間隔をs、入射角をi、回折角をθ、波長をλとしたとき、回折格子によって回折されたスペクトルは、
  s(sin i -sin θ)=nλ …(1)
と表すことができる。上記「0次方向」の0次とは、上記式(1)のnが0の場合を指す。sおよびλは0となり得ないため、n=0が成立するのは、sin i- sin θ=0の場合のみである。従って、上記「0次方向」とは、入射角と回折角が等しいとき、つまり電磁波の進行方向が変わらないような方向を意味する。
 上記の測定に用いられる電磁波は、測定デバイス(空隙配置構造体)の構造に応じて散乱を生じさせることのできる電磁波であれば特に限定されず、電波、赤外線、可視光線、紫外線、X線、ガンマ線等のいずれも使用することができ、その周波数も特に限定されるものではないが、好ましくは1GHz~1PHzであり、さらに好ましくは20GHz~200THzの周波数を有するテラヘルツ波である。
 電磁波は、例えば、所定の偏波方向を有する直線偏光の電磁波(直線偏波)や無偏光の電磁波(無偏波)を用いることができる。直線偏光の電磁波としては、例えば、短光パルスレーザを光源としてZnTe等の電気光学結晶の光整流効果により発生するテラヘルツ波や、半導体レーザから出射される可視光や、光伝導アンテナから放射される電磁波等が挙げられる。無偏光の電磁波としては、高圧水銀ランプやセラミックランプから放射される赤外光等が挙げられる。
 上記の測定において、被測定物の有無または量を測定するとは、被測定物となる化合物の定量を行うことであり、例えば、溶液中等の微量の被測定物の含有量を測定する場合や、被測定物の同定を行う場合などが挙げられる。
 上記の測定では、上述のようにして求められる空隙配置構造体において散乱した電磁波の特性に関する少なくとも1つのパラメータに基づいて、被測定物の有無または量が測定される。例えば、空隙配置構造体1において前方散乱(透過)した電磁波の周波数特性に生じたディップ波形や、後方散乱(反射)した電磁波の周波数特性に生じたピーク波形などが、被測定物の存在により変化することに基づいて被測定物の有無または量を測定することができる。
 ここで、ディップ波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率(例えば、電磁波の透過率)が相対的に大きくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性(例えば、透過率スペクトル)に部分的に見られる谷型(下に凸)の部分の波形である。また、ピーク波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率(例えば、電磁波の反射率)が相対的に小さくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性(例えば、反射率スペクトル)に部分的に見られる山型(上に凸)の波形である。
 [測定デバイス]
 本発明の測定デバイスは、上述のような測定に用いられるものであって、
 空隙配置構造体とホスト分子とを含み、
 前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にエーテル結合を介して結合していることを特徴とする。
 (空隙配置構造体)
 本発明で用いられる空隙配置構造体は、金属からなり、互いに対向する一対の主面を有し、該一対の主面を貫通するように形成された複数の空隙部を有する。複数の該空隙部は、例えば、空隙配置構造体の主面上の少なくとも一方向に周期的に配置されている。ただし、空隙部は、その全てが周期的に配置されていてもよく、本発明の効果を損なわない範囲で、一部の空隙部が周期的に配置され、他の空隙部が非周期的に配置されていてもよい。
 空隙配置構造体は、好ましくは準周期構造体や周期構造体である。準周期構造体とは、並進対称性は持たないが配列には秩序性が保たれている構造体のことである。準周期構造体としては、例えば、1次元準周期構造体としてフィボナッチ構造、2次元準周期構造体としてペンローズ構造が挙げられる。周期構造体とは、並進対称性に代表される様な空間対称性を持つ構造体のことであり、その対称の次元に応じて1次元周期構造体、2次元周期構造体、3次元周期構造体に分類される。1次元周期構造体は、例えば、ワイヤーグリッド構造、1次元回折格子などが挙げられる。2次元周期構造体は、例えば、メッシュフィルタ、2次元回折格子などが挙げられる。これらの周期構造体のうちでも、2次元周期構造体が好適に用いられる。
 2次元周期構造体としては、例えば、図2に示すようなマトリックス状に一定の間隔で空隙部が配置された板状構造体(格子状構造体)が挙げられる。図2(a)に示す空隙配置構造体1は、その主面10a側からみて正方形の空隙部11が、該正方形の各辺と平行な2つの配列方向(図中の縦方向と横方向)に等しい間隔で設けられた板状構造体である。
 空隙配置構造体の空隙部の寸法や配置、空隙配置構造体の厚み等は、特に制限されず、測定方法や、空隙配置構造体の材質特性、使用する電磁波の周波数等に応じて適宜設計される。
 例えば、空隙部が図2(a)に示すように縦横に規則的に配置された空隙配置構造体1において、図2(b)にdで示される空隙部の孔サイズは、測定に用いる電磁波の波長の10分の1以上、10倍以下であることが好ましい。このようにすることで、散乱する電磁波の強度がより強くなり、信号をより検出しやすくなる。具体的な孔サイズは0.15~150μmであることが好ましく、測定感度向上の観点からは、孔サイズが0.9~9μmであることがより好ましい。
 また、空隙部が図2(a)に示すように縦横に規則的に配置された空隙配置構造体1において、図2(b)にsで示される空隙部の格子間隔(ピッチ)は、測定に用いる電磁波の波長の10分の1以上、10倍以下であることが好ましい。このようにすることで、散乱がより生じやすくなる。具体的な格子間隔は0.15~150μmであることが好ましく、測定感度向上の観点からは、格子間隔が1.3~13μmであることがより好ましい。
 また、空隙配置構造体の厚みは、測定に用いる電磁波の波長の5倍以下であることが好ましい。このようにすることで、散乱する電磁波の強度がより強くなって信号を検出しやすくなる。
 空隙配置構造体の全体の寸法は、特に制限されず、照射される電磁波のビームスポットの面積等に応じて決定される。
 空隙配置構造体は、金属からなる。該金属は、卑金属を含むことが好ましく、例えば、卑金属からなるか、卑金属と他の金属との合金からなることが好ましい。また、表面にヒドロキシ基を形成することが可能な金属であることが好ましい。このような卑金属としては、例えば、ニッケル、ステンレス、チタン、タングステン、鉄、クロム、シリコン、ゲルマニウムが挙げられ、好ましくはニッケル、ステンレス、チタンである。特に、ニッケル、ステンレスを用いた場合、空隙配置構造体の表面にアルコキシシラン基を有する化合物を容易に結合させることができるため、シリルエーテル基を介してホスト分子を空隙配置構造体の表面に結合する上で有利である。
 (ホスト分子)
 ホスト分子とは、被測定物に対する吸着能を有する部分を含む分子であり、好ましくは被測定物に対して特異的な吸着能を有する部分を含む分子である。
 ホスト分子中の被測定物に対する吸着能を有する部分は、被測定物を吸着できるものであれば特に限定されないが、ホスト分子中の被測定物に対する吸着能を有する部分と被測定物との組み合わせとしては、例えば、抗原と抗体、糖鎖とタンパク質、脂質とタンパク質、低分子化合物(リガンド)とタンパク質、タンパク質とタンパク質、一本鎖DNAと一本鎖DNAなどが挙げられる。ホスト分子の具体例としては、ビオチン基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基等を有する分子や、ストレプトアビジン、プロテインAやG、抗体などのタンパク質が挙げられる。ホスト分子は、好ましくは抗原または抗体である。
 本発明において、ホスト分子は、空隙配置構造体の表面にエーテル結合(-O-)を介して結合している。好ましくは、ホスト分子は、空隙配置構造体の表面にシリルエーテル結合(-Si-O-)を介して結合している。なお、この場合、シリルエーテル結合のエーテル結合(-O-)側が空隙配置構造体の表面に結合している。
 ホスト分子は、さらに、シリルエーテル基を含む部分にアミノ結合を介して結合したマレイミド基を含むことが好ましい。ここで、シリルエーテル基を含む部分とは、シリルエーテル基のシリル基(-Si-)側に2価の基が結合した部分を意味する。2価の基としては、特に限定されないが、例えば、アルキレン基が挙げられる。
 このようなシリルエーテル基を含む部分およびアミノ結合は、例えば、末端にアミノ基を有する種々公知のシランカップリング剤を、空隙配置構造体の表面に形成されたヒドロキシ基と反応させることにより、形成され得る。シランカップリング剤としては、例えば、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(TMS-NH2)が挙げられる。
 マレイミド基は、例えば、シリルエーテル基を含む部分の末端のアミノ基に、マレイミド誘導体を反応させることにより、形成され得る。マレイミド誘導体としては、例えば、3-マレイミドプロピオン酸N-スクシンイミドが挙げられる。
 前記ホスト分子は、さらに、前記マレイミド基にスルフィド結合を介して結合した第1の有機基を含むことが好ましい。第1の有機基としては、例えば、ビオチン基、NHS(N-ヒドロキシスクシンイミド)エステル基、カルボキシル基、アミノ基、ビニル基が挙げられ、好ましくはビオチン基である。
 前記第1の有機基がビオチン基である場合、
 さらに、該第1の有機基に結合したアビジンまたはストレプトアビジンと、
 前記アビジンまたはストレプトアビジンに結合したビオチン基を含む第2の有機基とを備えることが好ましい。
 前記第2の有機基としては、例えば、ビオチン化ペプチド(ビオチン化タンパク)、ビオチン化抗原、ビオチン化抗体、ビオチン化DNAが挙げられる。ビオチン化ペプチドとしては、例えば、ビオチン化プロテインA、ビオチン化プロテインGが挙げられ、好ましくは、ビオチン化プロテインA、ビオチン化プロテインGである。
 なお、本発明において、「結合」には、例えば、分子間力(ファンデルワールス力)による物理的結合や、化学結合が含まれる。化学結合としては、共有結合(例えば、金属―チオール基間の共有結合など)、イオン結合、金属結合、水素結合などが挙げられる。
 (測定デバイスの製造方法)
 上記の測定デバイスを製造するための方法は、特に限定されないが、以下に本発明の測定デバイスの製造方法の一実施形態について、図3を参照して説明する。
 まず、図3(a)に示されるように、空隙配置構造体1の表面にヒドロキシ基を形成する工程を含むことが好ましい。この工程においては、空隙配置構造体を過酸化水素水、アンモニアおよび水の混合液中に含浸させ、加熱することによって、空隙配置構造体の表面にヒドロキシ基を形成することが好ましい。
 次に、図3(b)に示されるように、空隙配置構造体1の表面に形成されたヒドロキシ基に、上述のシランカップリング剤を反応させ、シリルエーテル結合を形成する。次に、図3(c)に示されるように、シランカップリング剤の末端のアミノ基にマレイミド誘導体を反応させ、マレイミド基を形成する。
 次に、図3(d)に示されるように、該マレイミド基に、一方の末端にビオチン基を有し他方の末端にチオール基を有する化合物(第1の有機基)のチオール基を反応させて、スルフィド結合を形成し、末端にビオチンを結合する。次に、図3(e)に示されるように、該ビオチン基に、(ストレプト)アビジンを結合し、さらに、図3(f)に示されるように、該(ストレプト)アビジンに、一方の末端にビオチン基を有し他方の末端にホスト分子との結合能を有する部分を含む化合物(第2の有機基:例えば、ビオチン化プロテインG)のビオチン基を結合する。
 次に、図3(g)に示されるように、抗体(例えば、マウスIgG抗体)をビオチン化プロテインGに結合する。
 以上の工程により、空隙配置構造体の表面にシリルエーテル結合を介してホスト分子が結合された本発明の測定デバイスを得ることができる。
 なお、本実施形態においては、被測定物は抗原(例えば、FITC(フルオレセイン・イソチオシアネート)標識抗マウスIgG抗原)であり、図3(h)に示されるように、抗体に抗原を付着させることで、測定デバイスに被測定物を保持した状態で、上述の測定方法により被測定物の測定が行われる。
 本発明においては、このようなホスト分子を有する測定デバイスを用いることにより、効率的に被測定物を測定デバイス(空隙配置構造体)に保持することができる。また、被測定物をホスト分子に吸着させることで、被測定物の溶液等に含まれる共雑物が低減されるため、空隙配置構造体への共雑物の非特異的吸着等が低減される。これらにより、被測定物の測定感度を向上させることができる。
 以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
 [実施例1]
 (空隙配置構造体の作製)
 まず、空隙配置構造体は、以下の方法で作製した。
 300mm角の平滑面を有するステンレス製導体板を用意し、その一方の主面上に感光性厚膜フォトレジスト(JSR社製)を厚み5μmで塗布し、該感光性樹脂材料を乾燥することで感光性樹脂層を形成した。
 図2の主面10a方向に周期的に配置された空隙部11に対応するフォトマスクを用いて、上記感光性厚膜フォトレジストの空隙部11に相当する部分をUV硬化させた。空隙部11以外の部分(構造体部分)に相当する感光性厚膜フォトレジストの非硬化部分をリンス液で除去し、ステンレス製導体板を露出させた。このようにしてフォトリソグラフィーによるパターニングが終わった面に対して、剥離用のポリマー溶液を塗布し、該ポリマー溶液を乾燥することで、導体板露出部分に極薄い剥離層を形成した。
 このようにして準備した導体板をNi電解めっき浴中に配置し通電することで、導体板露出部分に形成された剥離層上のみにNiめっき膜を厚み1.0μmで形成した。その後、導体板に残る感光性樹脂層の硬化部分を溶剤にて除去し、導体板からNiめっき膜を剥離した。このようにして、Ni製の空隙配置構造体Aを得た。
 得られた空隙配置構造体Aは、孔サイズ1.8μmの空隙部が、2.6μmのピッチで配列されており、厚さは1.0μmであった。該空隙配置構造体を主面方向から見た形状は、直径6mmの円形であった。
 (ホスト分子の結合)
 次に、図2を参照して説明した測定デバイスの製造方法と同様にして、本発明の測定デバイスを作製した。
 なお、空隙配置構造体の表面へのヒドロキシ基の形成は、空隙配置構造体を過酸化水素水、アンモニアおよび水の混合液中に含浸させ、60℃に加熱することにより行った。
 シランカップリング剤としては、3-アミノプロピルトリメトキシシランを使用した。また、マレイミド誘導体としては、3-マレイミドプロピオン酸N-スクシンイミドを使用した。第1の有機基としては、一方の末端にビオチン基を有し他方の末端にチオール基を有する化合物であるHS-(CH2)11-NH-C(O)-Biotinを使用した。ビオチン基の結合には、ストレプトアビジンを使用した。第2の有機基としては、一方の末端にビオチン基を有し他方の末端にホスト分子との結合能を有する部分を含む化合物であるビオチン化proteinG(サーモフィッシャー社製)を使用した。以下に、ホスト分子結合手順の詳細を説明する。
 (1)洗浄
 エキシマランプを用いて、172nmのUV光を空隙配置構造体の表面および裏面に各々20分ずつ照射した。
 (2)容器
 6mLのスクリュー管瓶に空隙配置構造体を1枚入れ、以降の処理はこのスクリュー管瓶中で行った。
 (3)表面ヒドロキシ化処理
 超純水:30%H2O2:10%アンモニア水=3:1:3の割合で混合した溶液を、スクリュー管瓶中に約2mL入れて空隙配置構造体を浸漬し、60℃で20分間の条件で加熱を行った。
 次に、約5mLの超純水で3回の置換洗浄を行い、図3(a)に示される状態の試料を得た。
 (4)アミノ化
 3-アミノプロピルトリメトキシシラン(TMS-NH2)の1wt%水溶液を約2mL入れて空隙配置構造体を浸漬し、60℃で3時間の条件で加熱を行った。
 次に、約5mLの超純水で3回置換洗浄を行い、アルミ箔上に空隙配置構造体を取り出し、110℃で5分間の条件で加熱を行い、図3(b)に示される状態の試料を得た。
 (5)マレイミド化
 スクリュー管瓶に空隙配置構造体を1枚入れ、3-マレイミドプロピオン酸N-スクシンイミドのDMSO溶液(0.5mg/mL)を約2mL入れて空隙配置構造体を浸漬し、暗中室温で16時間放置した。
 次に、約5mLのDMSOで1回置換洗浄した後、約5mLのエタノールで2回置換洗浄を行い、図3(c)に示される状態の試料を得た。
 (6)ビオチン化
 エタノール:クロロホルム=1:1の混合溶媒でチオール末端ビオチン溶液(0.5mg/mL)を作製し、約2mL入れて空隙配置構造体を浸漬し、暗中室温で20時間放置した。
 次に、約5mLのエタノールで3回の置換洗浄を行い、図3(d)に示される状態の試料を得た。
 (7)ストレプトアビジンの吸着処理
 スクリュー管瓶に金属メッシュを1枚入れて、ストレストアビジンのPBS(リン酸緩衝生理食塩水)溶液を用意し、1瓶当たり1mLのストレプトアビジン溶液を入れ、金属メッシュを浸漬させ、36℃で2時間放置した
 次に、約5mLの超純水で3回置換洗浄を行い、図3(e)に示される状態の試料を得た。
 (8)ビオチン標識プロテインGの吸着処理
 ビオチン標識プロテインGのPBS溶液を用意し、1瓶当たり0.5mLのプロテインG溶液を入れ、金属メッシュを浸漬させ、36℃で2時間放置した。
 次に、約5mLの超純水で3回の置換洗浄を行い、図3(f)に示される状態の試料を得た。
 (9)マウスIgGの吸着処理
 マウスIgGのPBS溶液を用意し、1瓶当たり1mLのマウスIgG溶液を入れ、金属メッシュを浸漬させ、4℃で16時間放置した。
 次に、約5mLの超純水で3回の置換洗浄を行い、図3(g)に示される状態の試料を得た。
 (10)初期特性測定
 空隙配置構造体(金属メッシュ)を瓶から取り出し、36℃で2時間の乾燥を行った後、樹脂製測定用冶具に金属メッシュをセットし、FTIR(フーリエ変換赤外分光光度計)で各金属メッシュ(抗マウスIgG抗原が吸着する前の測定デバイス)の初期特性を測定した。
 (11)抗マウスIgG抗原の吸着処理
 濃度3[mg/mL]のBSA(ウシ血清アルブミン)のPBS溶液でブロッキング処理をしたウェルを用意し、1ウェル当たりに1個の冶具付金属メッシュを入れ、抗マウスIgG抗原のPBS溶液を用意し、1ウェル当たり1mLの抗マウスIgG溶液を入れ、金属メッシュを浸漬させ、36℃で2時間放置した。
 次に、約2mLの超純水で3回の置換洗浄を行い、36℃で16時間程度乾燥を行うことで、抗マウスIgG抗原固定化後の特性測定用試料を得た。
 なお、以上の各段階において図3(b)~(g)の各状態の試料が得られていることは、空隙配置構造体の表面分析(X線光電子分光(XPS)分析)により確認した。
 (12)抗マウスIgG抗原吸着後の特性評価
 各濃度の抗マウスIgG抗原が吸着された測定デバイス(各試料)について、FTIRによる透過特性の測定を行った。なお、電磁波は空隙配置構造体の主面に垂直な方向から照射した。図4のグラフに、各試料の透過特性におけるディップ点の周波数について、上記初期特性におけるディップ点の周波数に対するシフト量を示す。
 図4に示される結果から、本発明の測定デバイスを用いた測定では、被測定物である抗原の濃度を、ディップ周波数のシフト量に基づいて十分に測定可能であることが確認された。
 今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 1 空隙配置構造体、10a 主面、11 空隙部、2 レーザ、20 ハーフミラー、21 ミラー、22,23,24,25 放物面ミラー、26 時間遅延ステージ、3 電源、4 ロックインアンプ、5 PC(パーソナルコンピュータ)、6 アンプ、71,72 光電導素子、8 発振器。

Claims (10)

  1.  被測定物が保持された測定デバイスに電磁波を照射して、前記測定デバイスで散乱された電磁波の特性を検出することにより、前記被測定物の有無または量を測定するための測定デバイスであって、
     金属からなり、互いに対向する一対の主面を有し、該一対の主面を貫通するように形成された複数の空隙部を有する空隙配置構造体と、
     前記被測定物に対する吸着能を有するホスト分子とを含み、
     前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にエーテル結合を介して結合していることを特徴とする、測定デバイス。
  2.  前記金属は卑金属を含む、請求項1に記載の測定デバイス。
  3.  前記ホスト分子は、前記空隙配置構造体の表面にシリルエーテル結合を介して結合している、請求項1に記載の測定デバイス。
  4.  前記ホスト分子は、さらに、前記シリルエーテル結合を含む部分にアミノ結合を介して結合されたマレイミド基を含む、請求項3に記載の測定デバイス。
  5.  前記ホスト分子は、さらに、前記マレイミド基にスルフィド結合を介して結合した第1の有機基を含む、請求項4に記載の測定デバイス。
  6.  前記第1の有機基はビオチン基であり、
     さらに、該第1の有機基に結合したアビジンまたはストレプトアビジンと、
     前記アビジンまたはストレプトアビジンに結合したビオチン基を含む第2の有機基とを備える、請求項5に記載の測定デバイス。
  7.  前記第2の有機基は、ビオチン化プロテインAまたはビオチン化プロテインGである、請求項6に記載の測定デバイス。
  8.  前記ホスト分子は、被測定物に対して特異的な吸着能を有する、請求項1~7のいずれかに記載の測定デバイス。
  9.  前記ホスト分子は、抗原または抗体を含む、請求項8に記載の測定デバイス。
  10.  請求項1~9のいずれかに記載の測定デバイスを製造するための方法であって、
     前記空隙配置構造体を過酸化水素水、アンモニアおよび水の混合液中に含浸させ、加熱することによって、前記空隙配置構造体の表面にヒドロキシ基を形成する工程を含む、測定デバイスの製造方法。
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