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WO2014023807A2 - Bauelemente und verfahren zum herstellen von bauelementen - Google Patents

Bauelemente und verfahren zum herstellen von bauelementen Download PDF

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WO2014023807A2
WO2014023807A2 PCT/EP2013/066660 EP2013066660W WO2014023807A2 WO 2014023807 A2 WO2014023807 A2 WO 2014023807A2 EP 2013066660 W EP2013066660 W EP 2013066660W WO 2014023807 A2 WO2014023807 A2 WO 2014023807A2
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
layer
carrier
organic functional
layer structure
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/066660
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English (en)
French (fr)
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WO2014023807A3 (de
Inventor
Thilo Reusch
Philipp SCHWAMB
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to CN201380042541.4A priority Critical patent/CN104521021A/zh
Priority to KR1020157006090A priority patent/KR20150041116A/ko
Priority to US14/420,685 priority patent/US20150207097A1/en
Publication of WO2014023807A2 publication Critical patent/WO2014023807A2/de
Publication of WO2014023807A3 publication Critical patent/WO2014023807A3/de

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    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • components and. Method of manufacturing components are provided.
  • components and a method for their production are provided.
  • Components for example organic optoelectronic components, for example organic light-emitting diodes (OLEDs) or organic solar cells, have a first electrode and a second electrode with an organic functional layer structure therebetween.
  • OLED organic light-emitting diodes
  • organic solar cells have a first electrode and a second electrode with an organic functional layer structure therebetween.
  • charge carriers are produced by means of contact paths with high electrical conductance, for example, metallic contact tracks of a
  • the flat surfaces of the electrodes should have the same surface area as the flat ones
  • a common way of distributing power evenly across the surface is to distribute the power to many across the surface or, more simply, the edges
  • contact paths are often required for distributing the current adjacent to the active area of an OLED.
  • the contact tracks are conventionally applied to a non-active edge of the device.
  • the overall appearance of the component or its size can be impaired, for example, by luminous surfaces with inhomogeneous luminance or increased demands on the conductance of the electrodes.
  • a conventional method for contacting the organic functional layer structure is the formation of
  • an electrode isolated by means of an encapsulation can be used by means of a
  • This method may have the disadvantage that the
  • Organic substance or Organic layers should therefore be protected from water and / or oxygen and are therefore often encapsulated.
  • the vias, for example VIAs, through the encapsulation represent a potential weak point for diffusion currents with respect to water and / or oxygen in the encapsulation and should therefore be avoided.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance may be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • encompassing a first layer of a second layer may be understood as meaning the presence of a common interface of the first layer with the second layer with respect to the lateral interfaces of the first layer.
  • the first layer and the second layer may be in physical contact with each other with respect to the lateral boundaries of the first layer.
  • the degree of physical contact or the proportion of the common interface of the first layer with the second layer with respect to the size of the lateral boundary surfaces of the first substrate may determine the degree of encircling, for example, whether the second layer partially or completely surrounds the first layer.
  • the second layer surrounds the side surfaces of the planar first layer, this can be understood as a lateral surrounding.
  • the side surfaces of the first layer can be understood as a lateral surrounding.
  • first layer having the shortest length of the first layer.
  • second layer the first layer and the second layer
  • a device comprising: a carrier; a first electrode on or above the carrier; an organic functional layer structure on or above the first
  • Electrode a second electrode on or above the
  • first electrode and the second electrode are formed such that an electrical connection of the first electrode to that of the second electrode is established only by the organic functional layer structure; and an encapsulation; wherein the first electrode and / or the second electrode is electrically coupled to the carrier; and where the
  • Encapsulation together with the support forms a structure that the organic functional layer structure as well at least one electrode of the first electrode and the second electrode hermetically with respect to water and / or
  • Oxygen seals In the context of this description, a first electrode and a second electrode, which are interconnected only by means of an organic functional layer structure, i. no direct physical and electrical contact on iron, to be understood as electrically isolated from each other electrodes.
  • Electrodes may be formed such that the first electrode and the second electrode except for the organic functional layer structure no further electrical
  • the optoelectronic component is designed in such a way that the two electrodes are electrically insulated from each other except through the organic functional layer structure, for example they have no physical contact with each other.
  • a hermetic tight encapsulation can be considered as a completely connected, i. circumferential, direct or indirect connection of the encapsulation with the carrier
  • a hermetically sealed layer may be for example a
  • a hermetically sealed cover and / or a hermetically sealed support may, for example, have a diffusion rate with respect to
  • a hermetically sealed substance or a hermetically sealed one may be used
  • a direct link may be formed as a physical contact.
  • An indirect connection may have further layers between the encapsulation and the carrier, which, however, are hermetically hermetic with respect to water and / or
  • Oxygen are dense, for example, an insulating layer or the first electrode or. second electrode.
  • the carrier can be a substance or a mixture of substances on iron or formed from the group of substances: organic matter; inorganic material, for example steel, aluminum, copper; or organo-inorganic hybrid, for example organic
  • modified ceramics for example, an organic material, for example a plastic, for example, polyolefins (for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester, polycarbonate (PC),
  • a plastic for example, polyolefins (for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester, polycarbonate (PC),
  • polyolefins for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • polyester polycarbonate
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • PEN Polyethylene naphthalate
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • PI Polyimide
  • CPI Colorless Polyimide
  • PEEK Polyetherketones
  • the carrier can be flat
  • the carrier may be flexible
  • the carrier may be educated.
  • the carrier may be transparent.
  • the carrier may be electrical
  • the carrier may be formed as an intrinsic electrical conductor, for example as a sheet or a thin foil of aluminum, copper, steel.
  • the intrinsically conductive substance may simultaneously have an intrinsic diffusion barrier with respect to water and / or oxygen on iron. This restricts the thickness of the
  • a carrier such that thin carriers, for example with a thickness of about 10 nm to about 300 nm, can not be reliably hermetically sealed from an organic and / or inorganic substance,
  • the specific thickness is dependent on the specific substance or substance mixture and the structure of the layer cross-section of the carrier
  • the carrier may also have the same substance or the same mixture as the second electrode.
  • the carrier may comprise at least one electrically insulating region and at least one
  • the thickness of the at least one conductive region should be chosen such that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvent or at most to very small proportions kan.
  • OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvent or at most to very small proportions kan.
  • the specific thickness can depend on it.
  • a conductive region can be provided, for example applied to the carrier, if the carrier itself is not electrically conductive or the electrical conductivity the carrier is insufficient or the carrier should not be conductive.
  • a nonconductive support can be used for elements such as conductive
  • the first electrode may be electrically coupled to a different conductive region of the carrier than the second electrode.
  • the electrically conductive region may be formed as a conductor layer on the electrically insulating region, for example a non-conductive film, for example a plastic film with a
  • an adhesion promoter for example a layer of chromium, for example, with a thickness of about 1 nm to about 50 nm are applied.
  • Metallic layers can be applied to the nonconductive region, for example by means of vapor deposition or sputtering.
  • an insulating layer may be formed between the first electrode and the carrier.
  • the insulating layer may be used as an electrical insulator, i. be set up as an electrical insulation layer. Furthermore, the insulating layer for reducing the
  • the insulating layer may be configured such that the layers hermetically above or on the insulating layer with respect to harmful substances, for example
  • the insulation layer may comprise or be formed from the group of substances: a substance or a mixture of substances: organic substance; inorganic
  • a substance for example an idide compound, a nitride compound, and / or a product of a sol-gel process, for example a spin-on glass; or organic-inorganic hybrid, for example, organically modified ceramics; for example, an organic substance, for example a plastic, for example, polyolefins (for example
  • PE Polyethylene with high or low density
  • Polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN),
  • PMMA Polymethyl methacrylate
  • PI polyimide
  • Polyimide colorless polyimide - CPI
  • polyether ketone PEEK
  • an epoxy an acrylate, bitumen, a self-assembled monolayer (seifassembled monolayer - SAM), for example, a silane compound or a thiol compound.
  • the insulating layer may have a thickness in a range of about 0.1 nm to about 1 mm
  • An insulating layer with a thickness of approximately 0.1 nm can be obtained, for example, by means of a self-organized
  • the insulation layer may comprise an organic substance or an organic substance mixture and an inorganic substance or an inorganic substance mixture have or be formed from it. This can be used to train the insulation layer.
  • water that is in the insulation layer For example, water that is in the insulation layer
  • the insulating layer may also comprise or be formed from the same or a similar substance as the organic functional layer structure. In other words, if an insulating layer with an electrically insulating effect with respect to the carrier
  • the first electrode may be completely surrounded by the organic functional layer structure.
  • the insulation layer can be used to planarize the
  • the insulation layer may be transparent or translucent.
  • the insulating layer may at least partially surround the first electrode such that the insulating layer has lateral electrical insulation
  • the organic functional layer structure may be transparent.
  • the second electrode may be transparent.
  • the encapsulation may be transparent.
  • the organic functional layer structure may surround the first electrode such that the organic functional layer structure is the first
  • the encapsulation with the carrier can surround a plurality of layer structures such that the individual layer structures comprise the layers: an insulation layer; a first electrode; an organic functional layer structure; and a second electrode.
  • the insulation layer may be optional, depending on the specific design of the carrier,
  • a first electrode may coincide with the conductive carrier
  • Electrode and / or the common second electrode of the plurality of layer structures have an electrical contact with the common carrier between the plurality of layer structures.
  • the different layer structures can be arranged next to one another.
  • the old version can be arranged next to one another.
  • Layer structures can be arranged one above the other.
  • the first electrode may be formed such that the first electrode is electrically coupled to the carrier and the first electrode the
  • Insulation layer at least partially surrounds laterally.
  • the second electrode may be formed such that the second electrode is electrically coupled to the carrier and the second electrode the
  • organic functional layer structure or the organic functional layer structure and the insulating layer at least partially surrounds.
  • Optoelectronic component preferably be designed as an organic light emitting diode or as an organic solar cell.
  • a method of manufacturing a device comprising: forming a first electrode over or on a carrier; Forming an organic functional
  • Layer structure is set up; and forming one
  • Layer structure and at least one electrode of the first electrode and the second electrode hermetically seals with respect to water and / or oxygen.
  • the "method of the carrier may comprise a substance or Stoffgeraisch or may be formed therefrom from the group of substances; organic substance;
  • the carrier may be formed flat. In yet another embodiment of the method, the carrier may be flexible.
  • the carrier may be transparent.
  • the carrier may be formed electrically conductive.
  • the carrier may be formed as an intrinsic electrical conductor.
  • the carrier in one embodiment, the carrier
  • electrically conductive region may be formed as a conductor layer on the electrically insulating region.
  • Insulation layer are applied to or above the carrier before the first electrode is applied to the carrier.
  • the insulation layer can be used as an example
  • Insulation layer can be set up. Furthermore, the insulating layer for reducing the
  • Surface roughness for example, of the carrier, be set up, i. for planarizing.
  • An insulating layer may additionally be formed such that the layers above or on the
  • Insulating layer hermetically with respect to harmful substances, such as water and / or oxygen seal.
  • Insulation layer have a substance or a mixture of substances or be formed from the group of substances:
  • organic matter for example, an oxide compound, a nitride compound, and / or a product of a sol-gel process, for example, a spin-on glass
  • organic-inorganic hybrid for example organically modified ceramics
  • organic material for example a plastic
  • polyolefins for example, high or low density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)
  • PE high or low density polyethylene
  • PP polypropylene
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC Polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • Polyimide colorless polyimide - CPI
  • PEEK polyether ketone
  • an epoxy an acrylate, bitumen, a self-assembled
  • Monolayer for example a silane compound or a thiol compound.
  • the method the
  • Insulating layer can be formed with a thickness in a range of about 0.1 nm to about 1 mm, for example in a range of about 1 nm to
  • An insulating layer with a thickness of approximately 0.1 nm can be obtained, for example, by means of a self-organized
  • Insulation layer an organic substance or a
  • Insulation layer diffuses, in the organic part of the
  • Insulation layer are included, for example, be stored.
  • Insulation layer are formed by a printing method and / or a coating method
  • a doctor blade for example, by means of a doctor blade, a spray, a flexographic printing, a stencil printing, a screen printing, a curtain coating, a dip coating, a
  • Rotary coating a slot-jet coating, a physical and / or chemical
  • Atomic layer deposition method and / or a
  • Insulation layer are formed transparent or translucent.
  • Insulation layer are applied such that the
  • Insulation layer surrounds the first electrode such that the insulation layer has a lateral electrical insulation
  • the first electrode may be transparent.
  • the second electrode may be transparent.
  • Encapsulation be transparent.
  • organic functional layer structure may be applied such that the organic functional layer structure surrounds the first electrode such that the organic functional layer structure physically laterally isolates the first electrode from the second electrode.
  • Encapsulation can be formed on or above the support so that the encapsulation surrounds several layer structures on a common support, wherein the individual
  • Layer structures comprising the layers: a
  • Insulation layer a first electrode, ⁇ an organic functional layer structure; and a second electrode.
  • different layer structures are applied such that the different layer structures have a common first electrode and / or a common second electrode.
  • the first electrode can be applied such that the first electrode is electrically coupled to the carrier and the first one
  • Electrode laterally surrounds the insulation layer.
  • the second electrode can be applied such that the second
  • Electrode is electrically coupled to the carrier and the second electrode is the organic functional
  • the component can be produced as an optoelectronic component, preferably as an organic light-emitting diode or as an organic solar cell
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 7 is a schematic cross-sectional view of two
  • Figure 8 is a schematic plan view of an optoelectronic
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • the light emitting device 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a carrier 102.
  • the carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material, such as steel, aluminum, copper.
  • the carrier 102 may be a plastic film or a laminate having one or more plastic films
  • the plastic may, for example, one or more Polyolef ine (for example, polyethylene (PE) high or low density or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PI polyimide
  • PES polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • Polyimide (CPI), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), polyether ketones (PEEK) or be formed therefrom.
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned materials.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “transient layer” it can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm). For example, is below the term
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one Structure (for example, a layer) coupled
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and bottom emitter can also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
  • the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally a barrier layer 104 may be arranged.
  • the barrier film 104 may include or include one or more of the following materials alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • Embodiments a layer thickness on iron in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • barrier film 104 may be a
  • Insulation layer 218 may be arranged.
  • the barrier film 104 may be configured as a part of an insulation layer 218 or may be formed as an insulation layer 218. In other words, the barrier film 104 may, in some embodiments, be provided with the isolation layer 218
  • the insulating layer 218 may be used as an electrical insulator, i. be set up as an electrical insulation layer.
  • the insulating layer 218 may be configured to reduce the surface roughness of, for example, the carrier, i. for planarizing.
  • the insulation layer 218 may be configured such that the layers are hermetically sealed over or on the insulation layer 218 with respect to harmful substances, for example, water and / or oxygen.
  • the isolation layer 218 may comprise or be formed of a substance or mixture of substances from the group of substances: organic matter;
  • inorganic matter for example, an oxide compound, a nitride compound, and / or a product of a sol-gel process, for example, a spin-on glass; or organo-inorganic hybrid, for example organic
  • modified ceramics for example, an organic substance, for example a plastic, for example, polyolefins (for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC),
  • a plastic for example, polyolefins (for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS Polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • PEN Polyethylene naphthalate
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • PI polyimide
  • CPI colorless polyimide
  • PEEK polyether ketones
  • an epoxy an acrylate, bitumen, a self-assembled monolayer (SAM), for example a silane Compound or a thiol compound.
  • SAM self-assembled monolayer
  • the isolation layer 218 may have a thickness in a range of about 0.1 nm to about 1 mm, for example, in a range of about 1 nm to about 100 ⁇ m.
  • An insulation layer 218 having a thickness of approximately one
  • the insulation layer 218 can by means of a printing method and / or a
  • Coating process can be formed, for example by means of a doctor blade, a spray, a flexographic printing, a stencil printing, a screen printing, a curtain coating, a dip coating, a rotary coating, a slot nozzle coating, a
  • Atomic layer deposition method and / or a
  • the insulation layer 218 may comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture and an inorganic substance or an inorganic substance mixture. This can
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the insulation layer 218, an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 by applying an electrical current to the operation of the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • 104 ⁇ or when the barrier film 104 is not present can be in various exemplary embodiments to or above the insulation layer 218 (or when the insulation layer 218 is not present or is identical to the barrier film 104, on or over the barrier thin film on or above the carrier 102 ) the first electrode 110
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may consist of a
  • electrically conductive material or be, such as a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a layer stack of several layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or Different TCOs
  • TCO conductive transparent oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2 , or ⁇ 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 0 5 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm, Cu, Cr or Li, and compounds, combinations or alloys thereof
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 provide one or more of the following materials, as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires. Furthermore, the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides on iron. In various embodiments, the first
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 is formed of a metal
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm, for example one
  • Layer thickness of less than or equal to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may be, for example
  • the first electrode 110 may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range from about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have a layer thickness, for example
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon atoms may be used.
  • Nanotubes which may be combined with conductive polymers, or formed by graphene layers and composites
  • the first electrode 110 becomes one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Electrode that is as an electron injecting. Electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • a first electrical potential (provided by a power source (not shown), for example, a power source or a voltage source) can be applied.
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102, and may be indirectly applied to the first electrode 110 thereafter.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • electroluminescent layer structure 112 which is or will be applied to or over the first electrode 110.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 120 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • one or more electron conductive layers 116 also referred to as electron transport layer (s) 116) may be provided.
  • the order of the layers of the electrically active region 106 may be inverted. In other words, the second electrode 114 may be on or above the
  • insulation layer 218 may be applied, one or more hole-line layers 120 may be applied to or over the second electrode 114, one or more emitter layers 118 may be applied to or over the one or more hole-line layers 120 or multiple electron transport layer (s) 116 may be deposited on or over the one or more emitter layer (s) 118, and a thin film encapsulation 108 may be disposed on or over the one or more electron transport layer (s) 116.
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which in particular by means of a wet-chemical method, such as a Spin-on method (also referred to as spin coating), can be deposited.
  • a wet-chemical method such as a Spin-on method (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • the light emitting device 100 may be selected such that the light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-organic polymeric molecules ("small molecules”) or a combination of these materials
  • Organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more electroluminescent layers configured as hole transport layer 120 such that, for example, in the case of an OLED, an effective one
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may include one or more functional layers, referred to as
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • electron transport layer 116 may be on or above the
  • Emitter layer 118 applied, for example, deposited, be.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 (ie.
  • Hole transport layer (s) 120 and emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a layer thickness have a maximum of approximately 1.5 ⁇ , for example a layer thickness of at most approximately 1.2 ⁇ , for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ , for example a layer thickness of approximately approximately 800 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may comprise a stack of
  • a layer thickness on iron can of a maximum of about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of maximally about 800 nm, for example, a layer thickness of about a maximum 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately 300 nm or so.
  • the organic electroluminescent layer structure 112 may comprise, for example, a stack of two, three or four directly stacked OLEDs, in which case, for example organic electroluminescent
  • Layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ⁇ .
  • the light-emitting device 100 may generally comprise further organic functional layers, for example, disposed on or above the one or more
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • Layer structure 110 or optionally on or over the one or more other organic Functional layers may be the second electrode 114
  • the second electrode layer 112 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • the second electrode layer 112 may be applied.
  • Electrode 114 have the same materials or be formed therefrom as the first electrode 110, wherein in
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 in various embodiments, may be formed from one or more of the materials and with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode 110. In different
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both translucent or transparent.
  • the illustrated in Fig. 1 the illustrated in Fig. 1
  • the second electrode 114 may be an anode ; so as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential is in a range from about 1.5 V to about 20 V, for example a value in a range from about 2.5 V to Approximately 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Thin-layer encapsulation 108 may be formed or be.
  • a "thin-layer encapsulation" 108 may in the context of this application, for example, a layer or a
  • the thin-layer encapsulation 108 is designed such that it can be damaged by OLED-damaging substances such as water, oxygen or Solvent can not be penetrated or at most at very low levels.
  • the thin film encapsulation 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the thin-layer encapsulation 108 may have a
  • the thin-layer encapsulation 108 may be formed as a layer stack (stack).
  • the thin-layer encapsulation 108 or one or more sub-layers of the thin-layer encapsulation 108 can be produced, for example, by means of a suitable method
  • Separation process are formed, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition process plasmaless
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Dünntikverkapselung 108 which has a plurality of sub-layers, all sub-layers by means of a
  • a Layers that have only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate”.
  • Thin film encapsulation 108 which has multiple sublayers, one or more sublayers of the
  • Separation method can be deposited as a Atomlagenabscheideclar, for example by means of a
  • the thin-layer confusion 108 may be performed according to a
  • Embodiment a layer thickness of about 0, 1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example about 40 nm according to an embodiment.
  • Thin-layer encapsulation 108 has multiple sub-layers, all sub-layers may have the same layer thickness.
  • At least one of the partial layers may have a different one
  • Partial layers of the thin-layer encapsulation 108 may according to one embodiment be translucent or transparent
  • Thin-film encapsulation 108 (or the individual sub-layers of the thin-layer encapsulation 108) of a translucent or transparent material (or a combination of materials that is translucent or transparent).
  • the thin-layer encapsulation 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of sub-layers) one or more of the sub-layers of the thin-layer encapsulation 108 may be one of the following
  • aiuminium oxide zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanium oxide, silicon oxide, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack having a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the thin-film encapsulation 108 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • an adhesive and / or a protective lacquer 124 may be provided on or above the encapsulation 108, by means of which, for example, a cover 126 (for example a glass cover 126,
  • Encapsulation 108 attached for example, is glued.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 124 have a layer thickness of greater than 1 ⁇
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still scattering particles that contribute to a further improvement of the FarbwinkelVerzugs and the
  • Embodiments may be used as light-attenuating particles
  • be provided as scattering dielectric materials such as metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (Zr02), indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 a )
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • SiK for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 / xm, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • Embodiments also completely on an adhesive 124 can be dispensed with, for example, in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, by means of For example, plasma spraying on the encapsulation 108
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 have a refractive index ⁇ for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the Dünntikverkapselung 108) may be provided in the light-emitting device 100.
  • 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • Clarity are the interfaces of individual
  • the carrier 102 may have an intrinsic electrical
  • the carrier 102 may have a sheet resistance in a range of about 30 ⁇ / / to about 1 ⁇ / ⁇ .
  • the carrier 102 may be hermetically sealed with respect to water and oxygen, i. a diffusion of water
  • the carrier 102 can be flat and mechanically flexible
  • a metallic foil and a flat surface in a size of about 1 m x 100 m, for example in a size of about
  • 0.6 m x 0.6 m for example in a size of about 0, 2 m x 0, 2 m; for example, in a size of about 0, 2 m x 0.05 m; at a thickness in a range of about 10 / im to about 3000 ⁇ , for example i a range of about 20 microns to about 1000 microns, for example in a range of about 50 ⁇ to about 500 microns.
  • the at least one electrically insulating region may comprise the same or a similar substance or the same or a similar substance mixture as the carrier 102 or the insulating layer 218.
  • the at least one electrically conductive region may comprise the same or a similar substance or the same or a similar substance mixture as the first electrode 110 or. the second electrode 114.
  • the insulating layer 218 may be applied to the carrier 102 and may electrically insulate the first electrode 110 from the carrier 102 in the region 216.
  • the insulating rail 218 can reduce the surface roughness of the first electrode 110.
  • the insulating layer 218 may be the surface of the first
  • Planarize electrode 110 Planarize electrode 110.
  • the insulating layer 218 may cover the surface of the carrier 102 except for an edge region 202, wherein the edge region 202 may have an extension in a range of about 50 nm to about 5 mm, for example in a range of about 5 / im to about 2 mm ,
  • the first electrode 110 may be used as a layer
  • Insulating layer 218 to cover a border area 210, wherein the edge portion 210 may have an extent in a range of about 2 ⁇ to about 2 mm.
  • An organic functional layer structure 112 may be applied to the first electrode 110 such that the organically functional layer structure 112 in FIG.
  • Layer cross-section at least partially surrounds the first electrode 110, i. the edge region 210 of
  • Insulation layer 218 covered and the first electrode 110 is physically isolated from the second electrode 114.
  • the lateral surfaces 204 of the first electrode 110 have a physical contact 204 in the layer cross-section 200 ! the organic functional layer structure 112.
  • the organic functional layer structure 112 can not make direct electrical or physical contact with the
  • Carrier 102 have.
  • the first electrode 110 In the layer cross section 200, the first electrode 110
  • the insulating layer 218 may also be made of the fabric or
  • the first electrode 110 may be completely surrounded by the organic functional layer structure 112.
  • the second electrode 114 may be applied as a layer to the organic functional layer structure 112.
  • the second electrode 114 may have a physical and electrical contact 208 with the carrier 102 such that an edge region 206 of the carrier remains uncovered.
  • the second electrode 114 may be the organic functional
  • the second electrode 114 may also comprise the same substance or mixture as the carrier 102.
  • the thin-film encapsulation 108 can be applied to the second
  • Electrode 114 can be applied and can surround or enclose them.
  • the thin-film encapsulation 108 may be in direct physical contact 214 with the support and thus hermetically encapsulate the layers between encapsulation 108 and support 102 with respect to water and oxygen, i. diffusion through the thin film encapsulation 108 may not be possible.
  • the direct physical contact 214 by means of the direct physical contact 214, the common interface of the thin-film encapsulation 108 with the carrier 102 can be hermetically sealed with respect to harmful environmental influences.
  • the edge region 212 of the carrier 102 may have a thickness in a range of 0 mm to about 10 mm, for example be formed about 0.1 mm to about 2 mm, for example about 1 mm, wherein an extension of 0 mm corresponds to a non-presence of the edge region 212.
  • a barrier thin layer 104 is shown on or above the carrier 102, for example according to one
  • the barrier film 104 may be in various ways.
  • Embodiments of the description of FIGS. 3 to 8 may be applied on or above the carrier 102, even if the
  • Barrier thin film 104 is not explicitly shown or explicitly described.
  • 3 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • FIG. 3 differs from the embodiments in FIG. 2 such that the insulation layer 218 on which the first electrode 110 is applied laterally surrounds the first electrode 110, i. the contact 204 may also be formed between the insulating layer 218 and the first electrode 110.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various embodiments
  • the first electrode 110 may surround or enclose the insulation layer 218.
  • Layer structure 112 isolates the second electrode 114 from the The first electrode 114 physically, that is, the second electrode 114 should not project beyond the organic functional layer structure 112 and thus form an electrical contact with the first electrode 110.
  • FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various embodiments
  • FIG. 5 shows a layer sequence similar to FIG. 2 in the layer cross section 500.
  • the carrier 102 may be a
  • conductive region for example a
  • electrically insulating region 502 having an electrically conductive region 504, for example an electrically conductive conductor layer 504.
  • the at least one electrically insulating region may comprise the same or a similar substance or the same or a similar substance mixture as the carrier 102 or the insulating layer 218.
  • the at least one electrically conductive region may comprise the same or a similar substance or the same or a similar substance mixture as the first electrode 110 and the second electrode 114.
  • the conductor layer 504 may be necessary when the
  • Support 502 itself is not electrically conductive or has insufficient electrical conductivity.
  • the conductor layer 504 may be the same or a similar substance or the same or a similar substance mixture have as the first electrode 110 and the second
  • a leakage can be reduced or avoided.
  • System support 502 can be provided an electrical insulation to the environment.
  • An electrically insulated system carrier 502 can be any electrically insulated system carrier 502 .
  • it may also be configured as a mechanical protection and / or for mechanically stabilizing the conductor layer 504.
  • the conductive layer 504 can be applied to the carrier 502.
  • the electrically conductive layer may be formed to a thickness of approximately thicker than approximately 5 ⁇ , for example a copper layer having a thickness in the range of approximately 5 ⁇ to approximately 200 ⁇ , for example 30 ⁇ .
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various embodiments
  • FIG. 6 shows a layer sequence similar to FIG. 5 in the layer cross section.
  • Insulation layer 218 and / or the conductive layer 504 enclose.
  • FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view of two optoelectronic components 702, 704, according to various exemplary embodiments.
  • a layer sequence is similar to FIG. 2 or FIG. 5 with two or more
  • the carrier 102 may have an intrinsic conductivity
  • the first optoelectronic component 702 and the second optoelectronic component 704 may, for example, be arranged next to one another and have a common electrode, for example a common second electrode 11.
  • the second electrode 114 may surround the insulation layer 218 and the organic functional layer structure 112 of the first optoelectronic component 702 and of the second optoelectronic component 704.
  • an electrical contact 706 of the second electrode 114 may be formed with the carrier 102, for example for
  • the current can be supported by the support 102 by the flat side of the second electrode 114, since the carrier 102 has a higher electrical conductivity and / or a lower May have sheet resistance, as the second electrode 114th
  • a current transport next to, for example, perpendicular to the flat surface of the second electrode 114 may be formed.
  • Optoelectronic devices 702, 704 with the common carrier 102, the contact area of one of the common electrodes 110, 114 may be reduced with the electrically conductive carrier 102.
  • the electrical contact 706 may have a width in a range of about 10 nm to about 1 cm, for example in a range of about 200 nm to about 2 mm, for example in a range of about 10 / im to about 500 ⁇ .
  • the distance 706 between the first electrodes 110 between the two optoelectronic devices 702, 704 may have a width in a range of about 10 nm to about 1 cm, for example in a range of about 200 nm to about 2 mm, for example in a range of have about 10 ⁇ to about 500 ⁇ .
  • the electrical contact 706 may be extended in the image plane, i. perpendicular in both directions to the one shown
  • Cutting plane contiguous, for example, continuous, or be formed interrupted.
  • An interruption of the electrical contact 706 in the image plane for example, by means of a compound of the insulating layers 218 of the two optoelectronic
  • Components 702, 704 in the field of electrical contact are Components 702, 704 in the field of electrical contact
  • Optoelectronic components 702, 704 may be such
  • the visible non-radiative region between the two optoelectronic devices 702, 704 may have a width in a range approximately between the amount of the distance 706 and the amount of the distance 708.
  • the encapsulation 108 with the carrier 102 may be the second
  • the optoelectronic components 702, 704 may have the same or different layer cross section 100 with respect to the thickness and the material composition of the individual layers of the layer structure 100 on iron.
  • FIG. 8 shows a plurality of optoelectronic components 802, 804 in plan view 800, for example similar or identical to one of the embodiments of the description of FIG. 7, for example similar or equal to a combination of two or more optoelectronic components of the same or different Ausges aging Descriptions of Fig. 2 to Fig.6, for example, two optoelectronic
  • the electrical feedthrough of the first electrode 110 or second electrode 114 through the encapsulation 108 is also shown. Also shown is the (very small) distance 806 between the organic functional layer structures 112 of the optoelectronic components 802, 804.
  • the width of the distance 806 may be from the widths of the electrical connection widths, in the embodiment of
  • FIG. 2 for example, de distance 208, and the contact surface of the thin-film encapsulation 108 with the carrier 102, in the Ausges tion of Figure 2, for example, the distance 214, the optoelectronic devices 802, 804 result.
  • a device comprising: a carrier; a first electrode on or above the carrier; an organic functional layer structure on or above the first
  • Electrode a second electrode on or above the
  • the organic functional layer structure wherein the first electrode and the second electrode are formed such that an electrical connection of the first electrode to the second electrode is established only by the organic functional layer structure; and a self-supporting cover; wherein the first electrode and / or the second electrode is electrically coupled to the carrier; and wherein the cover together with the carrier forms a structure which hermetically seals the organic functional layer structure as well as at least one electrode of the first electrode and the second electrode with respect to water and / or
  • Oxygen seals the area between the carrier and the cover laterally by means of a metal-containing
  • Structure is hermetically sealed.
  • a self-supporting cover is a cover that no
  • Substrate or support needed to maintain the structural integrity of the cover can be
  • the metal-containing structure may comprise, for example, a metal and / or a metal oxide.
  • the metal-containing structure may for example comprise or be formed from a metal according to one of the embodiments of the first electrode or second electrode.
  • the metal-containing structure may be laterally, i. laterally, applied to the area between the cover and the carrier or formed thereon.
  • the metal-containing structure may be on the side of the
  • Optoelectronic component facing away from the area between the carrier and cover may be formed.
  • the metal-containing structure between the cover and the carrier may be formed as an indirect connection of the carrier and the cover, for example in the edge region of the component.
  • the metal-containing structure may be electrically connected to one of the electrodes of the device and / or electrically insulated from at least one.
  • the metal-containing structure may be connected in at least one area with one of the electrodes of the component and in
  • Component be electrically isolated.
  • the metal-containing structure in at least one
  • the metal-containing structure may be formed for atomically connecting the cover to the carrier, for example as Glue or solder; and / or the area between the carrier and cover hermetically sealed with respect to water and / or
  • the metal-containing structure can - depending on the specific design of the metal-containing structure - sprayed on, evaporated; in a solution, paste, dispersion or emulsion.
  • components and a method for their production are provided with which it is possible to have any thickness, very good processable,
  • organic optoelectronic components can be contacted flat and so not affect the overall appearance of radiation-emitting components and radiation-absorbing component the
  • vias such as VIAs, can be omitted or encapsulated by the encapsulation. the number can be reduced. This can potentially prevent or reduce diffusion currents of water and / or oxygen through the encapsulation.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Bauelement (100) bereitgestellt, das Bauelement aufweisend: einen Träger (102); eine erste Elektrode (110) auf oder über dem Träger (102); eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten Elektrode (110); eine zweite Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), wobei die erste Elektrode (110) und die zweite Elektrode (114) derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode (110) mit der zweiten Elektrode (114) nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eingerichtet ist; und eine Verkapselung (108); wobei die erste Elektrode (110) und/oder die zweite Elektrode (114) mit dem Träger (102) elektrisch gekoppelt ist; und wobei die Verkapselung (108) gemeinsam mit dem Träger (102) eine Struktur bildet, welche die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff abdichtet.

Description

Beschreibung
Bauelemente und. Verfahren zum Herstellen von Bauelementen. In verschiedenen Ausgestaltungen werden Bauelemente und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt.
Bauelemente, beispielsweise organische optoelektronische Bauelemente, beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) oder organische Solarzellen, weisen eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode mit einem organischen funktionellen Schichtenaufbau dazwischen auf » Mittels der Elektroden werden bei einer OLED Ladungsträger mittels Kontaktbahnen mit hohem elektrischen Leitwert , beispielsweise metallische Kontaktbahnen, von einer
Stromversorgung in den organischen funktionellen
Schichtenaufbau transportiert .
Die BeStrömung von OLEDs erfordert eine gleichmäßige
Verteilung des Stroms von Kontaktpunkten am Rande der OLED- Kachel in die Fläche der Elektroden und in die Fläche des Bauteils .
Im Idealfall sollten die flächigen Oberflächen der Elektroden die gleiche Oberflächengröße haben wie die flächigen
Oberflächen der organischen funktioneilen Schichtenstruktur . Zusätzliche Anforderungen an die Elektroden können einer Ausführung mit hohem elektrischem Leitwert entgegenstehen .
Beispielsweise können Anforderungen an die Transparenz der Elektroden und/oder an die Prozesszeit nicht mit j edem
Material und nicht mit j eder Dicke realisiert werden . Dies kann dazu führen, dass mit den flächigen Elektroden häufig ein geringerer Leitwert realisiert wird als
wünschenswert ist, um beispielsweise eine gleichmäßige
Stromverteilung zu realisieren.
Eine übliche Möglichkeit Strom dennoch gleichmäßig in der Fläche zu verteilen, ist den Strom an vielen über die Fläche oder - einfacher umsetzbar - die Kanten verteilte
Kontaktpunkte einzuleiten .
Um die Zahl der Kontaktpunkte zu begrenzen werden häufig Kontaktbahnen zur Verteilung des Stroms neben der aktiven Fläche einer OLED benötigt . Die Kontaktbahnen sind herkömmlich auf einem nicht aktiven Rand des Bauelementes aufgebracht .
In einem weiteren herkömmlichen Bauelement werden
Kontak bahnen in der aktiven Fläche aufgebracht (Busbars) um den Strom von den Bauteilseiten in dessen Fläche zu
transportieren . Bei Verzicht a f diese Kontaktbahnen kann das Gesamterscheinungsbild des Bauelementes oder deren Größe beeinträchtig werden, beispielsweise durch Leuchtflächen mit inhomogener Leuchtdichte oder erhöhte Anforderungen an den Leitwert der Elektroden .
Eine herkömmliche Methode zum Kontaktieren der organischen funktionellen Schichtenstruktur ist das Ausbilden von
Kontaktbahnen neben oder in der aktiven Fläche des
organischen funktione1len Schichtaufbaus , d.h. der
lichtemit ierende oder lichtwandelnde Bereich, und die
Verwendung transparenter Elektroden.
In einer weiteren herkömmlichen Methode kann eine mittels einer Verkapselung isolierte Elektrode mittels eines
Durchkontaktierens der Verkapselung von außen bestromt werden, d.h. elektrisch betrieben werden . Diese Methode kann den Nachteil aufweisen, dass die
schützende Wirkung der Verkapselung für die organische funktionelle Schichtenstruktur bezüglich schädlichen Stoffen reduziert wird, beispielsweise geschädigt wird.
Schädliche Stoffe, beispielsweise Lösungsmittel ,
beispielsweise Wasser; und/oder Sauerstoff , können potentiell zu einem Degradieren bzw. Altern organischer Stoffe führen und damit die Betriebsdauer organischer Bauelemente
begrenzen .
Organische Stoff bzw . organische Schichten sollten daher vor Wasser und/oder Sauerstoff geschützt werden und werden daher häufig verkapselt .
Die Durchkontaktierungen, beispielsweise VIAs , durch die Verkapselung stellen j edoch eine potentielle Schwachstelle für Diffusionsströme bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff in der Verkapselung dar und sollten daher vermieden werden .
Die Forderung nach transparenten Elektroden begrenzt die Auswahl an Stoffen für Elektroden sowie deren Schichtdicken . Dadurch wird der Leitwert beschränkt und damit die flächige Größe einer OLED mit homogener Leuchtdichte begrenzt . Die Kontaktbahnen einer OLED können zudem mit bloßem Auge sichtbar sein und die ästhetische Gesamterscheinung
beeinträchtigen . In verschiedenen Ausführungsformen werden Bauelemente und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt , mit denen es möglich ist, die Anzahl an Durchführungen durch die
Verkapselung zu reduzieren und Strom in der Bauteilfläche zu verteilen .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine , ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. I Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden . Im Rahmen dieser Beschreibung umgeben der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielswei e einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen . Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden . Im Rahmen dieser Beschreibung können unter einem schädlichen Umwelteinfluss alle Einflüsse verstanden werden, die
potentiell zu einem Degradieren bzw. Altern organischer Stoffe führen können und damit die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können, beispielsweise ein schädlicher Stoff , beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise ein Lösungsmittel , beispielsweise Wasser . Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Umgeben einer ersten Schicht von einer zweiten Schicht, das Vorhandensein einer gemeinsamen Grenzfläche der ersten Schicht mit der zweiten Schicht bezüglich der lateralen Grenzflächen der ersten Schicht verstanden werden . Mit anderen Worten : die erste Schicht und die zweite Schicht können bezüglich der lateralen Grenzflächen der ersten Schicht einen körperlichen Kontakt auf eisen.
Der Grad des körperlichen Kontaktes bzw. der Anteil der gemeinsamen Grenzfläche der ersten Schicht mit der zweiten Schicht bezüglich der Größe der lateralen Grenzflächen des ersten Substrates kann den Grad des Umgebens bestimmen, beispielsweise ob die zweite Schicht die erste Schicht teilweise oder vollständig umgibt.
Umgibt die zweite Schicht die Seitenflächen der flächigen ersten Schicht kann das als ein laterales Umgeben verstanden werden. Die Seitenflächen der ersten Schicht können
beispielsweise die Flächen der ersten Schicht sein, die die kürzeste Länge der ersten Schicht aufweisen . Zusätzlich können sich die erste Schicht und die zweite Schicht
gemeinsam beispielsweise eine der flächigen Grenzflächen der ersten Schicht teilen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Bauelement bereitgestellt , das Bauelement aufweisend: einen Träger; eine erste Elektrode auf oder über dem Träger; eine organische funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten
Elektrode ; eine zweite Elektrode auf oder über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode mit der der zweiten Elektrode nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur eingerichtet ist; und eine Verkapselung; wobei die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mit dem Träger elektrisch gekoppelt ist; und wobei die
Verkapselung gemeinsam mit dem Träger eine Struktur bildet , welche die organische funktionelle Schichtenstruktur sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode hermetisch bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff abdichtet. Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die nur mittels einer organischen funktionellen Schichtenstruktur miteinander verbunden sind, d.h. keinen direkten körperlichen und elektrischen Kontakt auf eisen, als elektrisch voneinander isolierte Elektroden verstanden werden.
Mit anderen Worten : Die erste Elektrode und die zweite
Elektrode können derart ausgebildet sein, dass die erste Elektrode und die zweite Elektrode außer durch die organische funktionelle Schichtenstruktur keine weitere elektrische
Verbindung miteinander auf eisen, d.h. das optoelektronische Bauelement ist derart ausgebildet , dass die beiden Elektroden außer durch die organische funktionelle Schichtenstruktur voneinander elektrisch isoliert sind, beispielsweise keinen körperlichen Kontakt miteinander aufweisen.
Eine hermetische dichte Verkapselung kann dabei als eine lückenlos zusammenhängende , d.h. umlaufende , direkte oder indirekte Verbindung der Verkapselung mit dem Träger
ausgebildet sein.
Eine hermetisch dichte Schicht kann beispielsweise eine
Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von
-1 2
kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich
Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d)
-4 aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10
2 -io 2
g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 4 g/ (m2d) bis ungef hr 10 6 g/ (m2d) . In verschiedenen Ausges altungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes
Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
Eine direkte Ver indung kann als ein körperlicher Kontakt ausgebildet sein. Eine indirekte Verbindung kann zwischen Verkapselung und Träger weitere Schichten aufweisen, die jedoch für sich hermetisch bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff dicht sind, beispielsweise eine IsolationsSchicht oder die erste Elektrode bzw . zweite Elektrode aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der Träger einen Stoff oder ein Stoffgemisch auf eisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe : organischer Stoff ; anorganischer Stoff , beispielsweise Stahl , Aluminium, Kupfer; oder organischanorganischer Hybridstoff , beispielsweise organisch
modifizierte Keramik; beispielsweise ein organischer Stoff , beispielsweise ein Kunststoff , beispielsweise , Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester, Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) ,
Polyethylennaphthalat (PEN) , Polymethylmethacrylat ( PMMA) ,
Polyimid (PI) , farbloses Polyimid (colorless Polyimid - CPI) , Polyetherketone (PEEK) .
In noch einer Ausgestal ung kann der Träger flächig
ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger flexibel
ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann der Träger transparent ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann der Träger elektrisch
leitfähig ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger als intrinsischer elektrischer Leiter ausgebildet sein, beispielsweise als ein Blech oder eine dünne Folie aus Aluminium, Kupfer, Stahl .
Der intrinsisch leitfähige Stoff kann gleichzeitig eine intrinsische Diffusionsbarriere bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff auf eisen . Dies schränkt insofern die Dicke des
Trägers ein, als dass dünne Träger, beispielsweise mit einer Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 300 nm, aus einem organischen und/oder anorganischen Stoff nicht zuverlässig hermetisch abgedichtet ausgebildet werden können,
beispielsweise ausgeführt werden können . Die konkrete Dicke ist jedoch abhängig von dem konkreten Stoff oder Stoffgemisch und der Struktur des Schichtquerschnittes des Trägers
abhängig , Der Träger kann auch den gleichen Stoff oder das gleiche Stoffgemisch aufweisen wie die zweite Elektrode .
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger wenigstens einen elektrisch isolierenden Bereich und wenigstens einen
elektrisch leitfähigen Bereich aufweisen.
Die Dicke des mindestens einen leitfähigen Bereiches sollte derart gewählt werden, dass dieser von OLED- schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kan . Die konkrete Dicke kann j edoch abhängig von dem konkreten Stoff oder Stoffgemisch des leitfähigen Bereiches und der Struktur des Schichtquerschnittes des Trägers abhängig sein. Ein leitfähiger Bereich kann vorgesehen sein, beispielsweise auf den Träger aufgebracht sein, wenn der Träger selbst nicht elektrisch leitfähig ist oder die elektrische Leitfähigkeit des Trägers unzureichend ist, oder der Träger nicht leitfähig sein soll. Ein nicht leitfähiger Träger kann beispielsweise verwendet werden um Elemente, beispielsweise leitf hige
Bereiche , auf dem Träger gegen die Umwelt zu isolieren.
Bei mehreren elektrisch leitf higen Bereichen des Trägers , die nicht direkt zusammenhängen, kann die erste Elektrode mit einem anderen leitfähigen Bereich des Trägers elektrisch gekoppelt sein als die zweite Elektrode .
In noch einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Bereich als Leiterschicht auf dem elektrisch isolierenden Bereich ausgebildet sein, beispielsweise eine nichtleitende Folie, beispielsweise eine Kunststofffolie mit einer
leitf higen Beschichtung oder Leiterschichtstruktur,
beispielsweise Kupfer, Silber, Aluminium, Chrom, Nickel, oder d.h.X"l1.1»Ci^ü3
Zum Aufbringen der leitfähigen Beschichtung, beispielsweise Kupfer, kann auf den nichtleitenden, d.h. isolierenden, Bereich ein Haftvermittler, beispielsweise eine Schicht Chrom, beispielsweise mit einer Dicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm aufgebracht werden. Metallische Schichten können auf den nichtleitenden Bereich aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufdampfens oder Sputtern .
In noch einer Ausgestaltung kann eine Isolationsschich , zwischen der ersten Elektrode und dem Träger ausgebildet sein.
Die Isolationsschicht kann als ein elektrischer Isolator, d.h. als eine elektrische Isolationsschicht eingerichtet sein . Weiterhin kann die Isolationsschicht zum Reduzieren der
Oberflächenrauheit , beispielsweise des Trägers , eingerichtet sein, d.h. zum Planarisieren . Weiterhin kann die Isolationsschicht derart eingerichtet sein, dass die Schichten über oder auf der Isolationsschicht hermetisch bezüglich schädlicher Stoffe , beispielsweise
Wasser und/oder Sauerstoff, abgedichtet sind.
In einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe : organischer Stoff ; anorganischer
Stoff , beispielsweise eine O id-Verbindung , eine Nitrid- Verbindung, und/oder ein Produkt eines Sol -Gel -Prozesses , beispielsweise ein Spin-On-Glas ; oder organisch-anorganischer Hybridstoff , beispiels/eise organisch modifizierte Keramik; beispielsweise ein organischer Stoff , beispielsweise ein Kunststoff , beispielsweise , Polyolef ine (beispielsweise
Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester, Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) , Polyethylennaphthalat (PEN) ,
Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI) , farbloses
Polyimid (colorless Polyimid - CPI) , Polyetherketone (PEEK) , ein Epoxid, ein Acrylat , Bitumen, eine selbstorganisierte Monolage (seifassembled monolayer - SAM) , beispielsweise eine Silan-Verbindung oder eine Thiol -Verbindung .
In einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 1 mm
aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 100 μτη.
Eine IsolationsSchicht mit einer Dicke von ungefähr 0 , 1 nm kann beispielsweise mittels einer selbstorganisierten
Monolage ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht einen organischen Stoff bzw . ein organisches Stoffgemisch und einen anorganischer Stoff bzw. ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein. Dadurch kann
beispielsweise Wasser, das in die Isolationsschicht
diffundiert , im organischen Teil der Isolationsschicht eingeschlossen werden, beispielsweise gespeichert werden.
Die Isolationsschicht kann auch den gleichen oder einen ähnlichen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein wie die organische funktionelle Schichtenstruktur . Mit anderen Worten: Wenn eine Isolationsschicht mit einer elektrisch isolierenden Wirkung bezüglich des Trägers
optional ist, kann die erste Elektrode vollständig von der organischen funktionellen Schichtenstruktur umgeben sein. Die Isolationsschicht kann dabei zum Planarisieren des
Trägers und/oder zum elektrischen Isolieren von Träger und erster Elektrode ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht transparent oder transluzent ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht die erste Elektrode wenigstens teilweise umgeben derart , dass die Isolationsschicht eine laterale elektrische Isolation
zwischen erster Elektrode und zweiter Elektrode ausbildet und die erste Elektrode eine elektrische Kopplung mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweist .
In noch einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode
transparent ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die organische funktionelle Schichtenstruktur transparent ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode transparent ausgebildet sein . In noch einer Ausgestaltung kann die Verkapselung transparent ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die organische funktionelle Schichtenstruktur die erste Elektrode umgeben derart, dass die organische funktionelle Schichtenstruktur die erste
Elektrode lateral körperlich von der zweiten Elektrode isoliert . In noch einer Ausgestaltung kann die Verkapselung mit dem Träger mehrere Schichtstrukturen umgeben derart , dass die einzelnen Schichtstrukturen die Schichten aufweisen: eine Isolationsschicht ; eine erste Elektrode; eine organische funktionelle Schichtenstruktur ; und eine zweite Elektrode .
Die Isolationsschicht kann dabei edoch in Abhängigkeit der konkreten Ausgestaltung des Trägers optional sein,
beispielsweise wenn die erste Elektrode im körperlichen
Kontakt mit dem Träger aufgebracht wird oder der Träger oder ein Bereich des Trägers als erste Elektrode ausgebildet wird, d.h. eine erste Elektrode kann mit dem leitfähigen Träger übereinstimmen
In noch einer Ausgestaltung können die mehreren
Schichtenstrukturen derart ausgebildet sein, dass die
unterschiedlichen Schichtstrukturen eine gemeinsame erste Elektrode und/oder eine gemeinsame zweite Elektrode
aufweisen . In noch einer Ausgestaltung kann die gemeinsame erste
Elektrode und/oder die gemeinsame zweite Elektrode der mehreren Schichtstrukturen einen elektrischen Kontakt mit dem gemeinsamen Träger zwischen den mehreren Schichtstrukturen aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung können die unterschiedlichen Schichtenstrukturen nebeneinander angeordnet sein. In noch einer Ausges altung können die unterschiedlichen
Schichtenstrukturen übereinander angeordnet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die elektrische Kopplung der ersten Elektrode mit dem Träger oder die elektrische Kopplung der zweiten Elektrode mit dem Träger eine Durchkontaktierung auf eisen . In noch einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode derart ausgebildet sein, dass die erste Elektrode elektrisch mit dem Träger gekoppelt ist und die erste Elektrode die
Isolationsschicht wenigstens teilweise lateral umgibt . In noch einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode derart ausgebildet sein, dass die zweite Elektrode mit dem Träger elektrisch gekoppelt ist und die zweite Elektrode die
organische funktionelle Schichtenstruktur bzw. die organische funktionelle Schichtenstruktur und die Isolationsschicht wenigstens teilweise umgibt .
In noch einer Ausgestaltung kann das Bauelement als
optoelektronisches Bauelement , vorzugsweise als organische Leuchtdiode oder als organische Solarzelle ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt , das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Elektrode über oder auf einem Träger; Bilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur über oder auf der ersten Elektrode ; Bilden einer zweiten Elektrode über oder auf der organischen
funktionellen Schichtenstruktur ; wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode derart ausgebildet werden, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode mit der zweiten Elektrode nur durch die organische funktionelle
Schichtenstruktur eingerichtet ist ; und Bilden einer
Verka seiung; wobei die Verkapselung gemeinsam mit dem Träger eine Struktur bildet, welche die organisch funktionelle
Schichtenstruktur sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff abdichtet .
In einer Ausgestaltung des "Verfahrens kann der Träger einen Stoff oder ein Stoffgeraisch aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe; organischer Stoff;
anorganischer Stoff ; oder organisch-anorganischer
Hybridstoff .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger flächig ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger flexibel ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger transparent ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger elektrisch leitf hig ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger als intrinsischer elektrischer Leiter ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger
wenigstens einen elektrisch isolierenden Bereich und
wenigstens einen elektrisch leitfähigen Bereich aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
elektrisch leitfähige Bereich als Leiterschicht auf dem elektrisch isolierenden Bereich ausgebildet sein . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine
Isolationsschicht auf oder über dem Träger aufgebracht werden bevor die erste Elektrode auf dem Träger aufgebracht wird . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine
Isolationsschich , zwischen der ersten Elektrode und dem
Träger ausgebildet werden.
Die Isolationsschicht kann beispielsweise als ein
elektrischer Isolator, d.h. als eine elektrische
Isolationsschicht eingerichtet werden . Weiterhin kann die Isolationsschicht zum Reduzieren der
Oberflächenrauheit , beispielsweise des Trägers , eingerichtet werden, d.h. zum Planarisieren .
Eine Isolationsschicht kann zusätzlich derart ausgebildet werden, dass die Schichten über oder auf der
Isolationsschicht hermetisch bezüglich schädlicher Stoffe , beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff , abdichten.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet werden aus der Gruppe der Stoffe :
organischer Stoff ; anorganischer Stoff , beispielsweise eine Oxid-Verbindung , eine Nitrid-Verbindung, und/oder ein Produkt eines Sol- Gel -Prozesses, beispielsweise ein Spin-On-Glas ; oder organisch-anorganischer Hybridstoff, beispielsweise organisch modifizierte Keramik; beispielsweise ein
organischer Stoff , beispielsweise ein Kunststoff ,
beispielsweise , Polyolefine {beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester,
Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) , Polyethylennaphthalat (PEN) ,
Polymethylmethacrylat (P MA) , Polyimid (PI) , farbloses
Polyimid (colorless Polyimid - CPI) , Polyetherketone (PEEK) , ein Epoxid, ein Acrylat , Bitumen, eine selbstorganisierte
Monolage ( seifassembled monolayer - SAM) , beispielsweise eine Silan- erbindung oder eine Thiol -Verbindung . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 1 mm ausgebildet werden, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis
ungefähr 100 μπι .
Eine Isolationsschicht mit einer Dicke von ungefähr 0 , 1 nm kann beispielsweise mittels einer selbstorganisierten
Monolage ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht einen organischen Stoff bzw. ein
organisches Stoffgemisch und einen anorganischer Stoff bzw. ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet werden. Dadurch kann beispielsweise Wasser, das in die
Isolationsschicht diffundiert , im organischen Teil der
Isolationsschicht eingeschlossen werden, beispielsweise gespeichert werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht mittels eines Druckverfahrens und/oder eines Beschichtungsverfahrens ausgebildet werden,
beispielsweise mittels eines Rakelns , eines Sprühens , eines Flexodrucks , eines Schablonendrucks , eines Siebdrucks , einer Vorhang-BeSchichtung, einer Tauch- Beschichtung, einer
Rotations-Beschichtung, einer Schlitzdüsen-Beschichtung , eines physikalischen und/oder chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens , eines
Atomlagenabscheideverfahrens und/oder eines
Moleküllagenabscheideverfahrens .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht transparent oder transluzent ausgebildet werden . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Isolationsschicht derart aufgebracht werden, dass die
Isolationsschicht die erste Elektrode umgibt derart , dass die Isolationsschicht eine laterale elektrische Isolation
zwischen erster Elektrode und zweiter Elektrode ausbildet und die erste Elektrode eine elektrische Kopplung mit der
organischen funktionellen Schichtenstruktur auf eist .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Elektrode transparent ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
organische funktionelle Schichtenstruktur transparent
ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Elektrode transparent ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Verkapselung transparent ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
organische funktionelle Schichtenstruktur derart aufgebracht werden, dass die organische funktionelle Schichtenstruktur die erste Elektrode umgibt derart , dass die organische funktionelle Schichtenstruktur die erste Elektrode lateral körperlich von der zweiten Elektrode isoliert .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Verkapselung derart auf oder über dem Träger ausgebildet werden, sodass die Verkapselung mehrere Schichtstrukturen auf einem gemeinsamen Träger umgibt , wobei die einzelnen
Schichtstrukturen die Schichten aufweisen: eine
Isolationsschicht ; eine erste Elektrode ,· eine organische funktionelle Schichtenstruktur ; und eine zweite Elektrode . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
unterschiedlichen Schichtenstrukturen derart aufgebracht werden, dass die unterschiedlichen Schichtenstrukturen eine gemeinsame erste Elektrode und/oder eine gemeinsame zweite Elektrode aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
unterschiedlichen Schichtenstrukturen nebeneinander
angeordnet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
unterschiedlichen Schichtenstrukturen übereinander angeordnet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektrische Kopplung der ersten Elektrode mit dem Träger oder die elektrische Kopplung der zweiten Elektrode mit dem Träger als eine VIA-Verbindung , beispielsweise eine
Durchkontaktierung der Isolationsschicht , ausgebildet werden .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Elektrode derart aufgebracht werden, dass die erste Elektrode elektrisch mit dem Träger gekoppelt ist und die erste
Elektrode die Isolationsschicht lateral umgibt .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Elektrode derart aufgebracht werden, dass die zweite
Elektrode mit dem Träger elektrisch gekoppelt ist und die zweite Elektrode die organische funktionelle
Schichtenstruktur bzw. die organische funktionelle
Schichtenstruktur und die Isolationsschicht umgibt .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Bauelement als optoelektronisches Bauelement , vorzugsweise als organische Leuchtdiode oder als organische Solarzelle hergestellt
werden . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren
dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ; Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ;
Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispiele ;
Figur 4 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ;
Figur 5 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ;
Figur 6 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ; Figur 7 eine schematische Querschnittsansicht zweier
optoelektronischer Bauelemente , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispiele ,- und
Figur 8 eine schematische Draufsicht eines optoelektronischen
Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispiele . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können , dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfi dung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kop lung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Fig .1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das lichtemittierende Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann einen Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente , dienen . Beispielsweise kann der Träger 102 Glas , Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Stahl , Aluminium, Kupfer.
Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann beispielsweise ein oder mehrere Polyolef ine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyimid (PI) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) , farbloses
Polyimid (CPI) , Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI) , Polyetherketone (PEEK) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen.
Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begri ff „transluzent" bzw. „transiuzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nra bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff
„transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen .
Für den Fall , dass beispielswe se ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll , ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement , beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barrieredünnschicht 104 angeordnet sein . Die Barrieredünnschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid , Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barrieredünnschicht 104 in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 40 nm.
Auf oder über der Barrieredünnschicht 104 kann eine
Isolationsschicht 218 angeordnet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Barrieredünnschicht 104 als ein Teil einer Isolationsschicht 218 eingerichtet sein oder als eine Isolationsschicht 218 ausgebildet sein . Mit anderen Worten : die Barrieredünnschicht 104 kann in einigen Ausgestaltungen mit der Isolationsschicht 218
identisch sein .
Die Isolationsschicht 218 kann als ein elektrischer Isolator, d.h. als eine elektrische Isolationsschicht eingerichtet sein.
Weiterhin kann die Isolationsschicht 218 zum Reduzieren der Oberflächenrauhei , beispielsweise des Trägers , eingerichtet sein, d.h. zum Planarisieren .
Weiterhin kann die Isolationsschicht 218 derart eingerichtet sein, dass die Schichten über oder auf der Isolationsschicht 218 hermetisch bezüglich schädlicher Stoffe, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff , abgedichtet sind. In einer Ausgestal ung kann die IsolationsSchicht 218 einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe : organischer Stoff ;
anorganischer Stoff , beispielsweise eine Oxid-Verbindung, eine Nitrid-Verbindung, und/oder ein Produkt eines Sol-Gel- Prozesses , beispielsweise ein Spin-On-Glas ; oder organischanorganischer Hybridstoff , beispielsweise organisch
modifizierte Keramik; beis ielsweise ein organischer Stoff , beispielsweise ein Kunststoff , beispielsweise, Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) ,
Polystyrol (PS) , Polyester, Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) ,
Polyethylennaphthalat (PEN) , Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI) , farbloses Polyimid (colorless Polyimid - CPI) , Polyetherketone (PEEK) , ein Epoxid, ein Acrylat , Bitumen, eine selbstorganisierte Monolage ( seifassembled monolayer - SAM) , beispielsweise eine Silan-Verbindung oder eine Thiol- Verbindung .
In einer Ausgestaltung kann die IsolationsSchicht 218 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nm bis ungefähr 1 mm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 100 μτη.
Eine IsolationsSchicht 218 mit einer Dicke von ung fähr
0 , 1 nm kann beispielsweise mittels einer selbstorganisierten
Monolage ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des kann die Isolationsschicht 218 mittels eines Druckverfahrens und/oder eines
BeschichtungsVerfahrens ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines Rakelns , eines Sprühens , eines Flexodrucks , eines Schablonendrucks , eines Siebdrucks , einer Vorhang- Beschichtung, einer Tauch- Beschichtung, einer Rotations- Beschichtung, einer Schlitzdüsen-Beschichtung, eines
physikalischen und/oder chemischen Gasphasenabscheideverf hrens , eines
Atomlagenabscheideverfahrens und/oder eines
oleküllagenabscheideverfahrens . In einer Ausgestaltung kann die Isolationsschicht 218 einen organischen Stoff bzw. ein organisches Stoffgemisch und einen anorganischer Stoff bzw. ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein . Dadurch kann
beispielsweise Wasser, das in die Isolationsschicht 218 diffundiert , im organischen Teil der Isolationsschicht 218 eingeschlossen werden, beispielsweise gespeichert werden.
Auf oder über der Isolationsschicht 218 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein . Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, indem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 , eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden .
So kann in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen auf oder über der Isolationsschicht 218 (oder, wenn die Isolationsschicht 218 nicht vorhanden ist oder mit der Barrieredünnschicht 104 identisch ist , auf oder über der Barrieredünnschicht 104■ oder wenn die Barrieredünnschicht 104 nicht vorhanden ist auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110
(beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem
elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide , TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs, Transparente leitfähige Oxide sind transparente , leitfähige Materialien, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder Ιη203 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder
In4Sn30L2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm, Cu, Cr oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
Materialien.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff - Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähte . Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide auf eisen . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall , dass die erste Elektrode 110 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise
Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis
ungefähr 150 nm .
Ferner kann für den Fall , dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff -
Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen- Schichte und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungef hr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende. Elektrode .
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 110 zugeführt werden oder sein . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische
elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder wird.
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 , beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 120 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120) . In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als ElektronentransportSchicht (en) 116) vorgesehen sein. In einer Ausgestaltung kann die Reihenfolge der Schichten des elektrisch aktiven Bereiches 106 invertiert sein. Mit anderen Worten: die zweite Elektrode 114 kann auf oder über der
(optionalen) Isolationsschicht 218 aufgebracht sein, eine oder mehrere Lochleitungsschicht (en) 120 auf oder über der zweiten Elektrode 114 aufgebracht sein, eine oder mehrere Emitterschicht (en) 118 auf oder über der einen oder mehreren Lochleitungsschicht (en) 120 aufgebracht sein, eine oder mehrere Elektronentransportschicht (en) 116 auf oder über der einen oder mehreren Emitterschicht (en) 118 aufgebracht sein, und eine Dünnfilmverkapselung 108 auf oder über der einen oder mehreren Elektronentransportschicht (en) 116 aufgebracht sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen , wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4,4' -di-tert- butyl- { 2 , 2 ' ) -bipyridin] ruthenium ( III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-3is [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [Ν,Ν-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren {auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind .
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
Iichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden EmitterSchicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen . Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere , organische kleine , nicht- polymere Moleküle („small molecules" } oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen . Beispielsweise kann die
organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
ElektronentransportSchicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Material für die LochtransportSchicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine , Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtranspor schicht 120 aufgebracht , beispielsweise
abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann Elektronentransportschicht 116 auf oder über der
Emitterschicht 118 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 (also
beispielsweise die Summe der Dicken von
Lochtransportschicht (en) 120 und Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μτα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μηα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 μτα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von
mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei j ede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke auf eisen kann von maximal ungefähr 1 , 5 μιη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von zwei , drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μχα.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern. Auf oder über der organischen elektrolumineszenten
Schichtenstruktur 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen Funktionsschichten kann die zweite Elektrode 114
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114 ) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110 , oder unterschiedlich zu dieser . Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebilde . Somit kann das in Fig .1 dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter {anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) eingerichtet sein .
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode ; also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninjizierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V auf eist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungef hr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108 , beispielsweise in Form einer
Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine hermetisch dichte Verkapselung eine Abdeckung und/oder eine
Dünnfilmverkapselung aufweisen.
Unter einer „Dünnschichtverkapselung" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine
Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw.
atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser
(Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Dünnschichtverkapselung 108 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie Wasser , Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Dünnschichtverkapselung 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Dünnschichtverkapselung 108 eine
Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten
aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Dünnschichtverkapselung 108 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein . Die Dünnschichtverkapselung 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten
Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ( PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ( PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren .
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden . Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen .
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Dünnschichtverkapselung 108 , die mehrere Teilschichten aufweist , alle Teilschichten mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Dünnschichtverkapselung 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der
Dünnschichtverkapselung 108 mittels eines anderen
Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines
Gasphasenabscheideverfahrens .
Die DünnSchicht erkapseiung 108 kann gemäß einer
Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 10 nm bis ungef hr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die
Dünnschichtverkapselung 108 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen
Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108
unterschiedliche Schichtdicken auf eisen . Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere
Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der
Teilschichte .
Die Dünnschichtverkapselung 108 oder die einzelnen
Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente
Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die
Dünnschichtverkapselung 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108 ) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Dünnschichtverkapselung 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108 eines der nachfolgenden
Materialien aufweisen oder daraus bestehen : Aiuminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Dünnschichtverkapselung 108 oder ( im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 108 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Verkapselung 108 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126,
Kunststoffabdeckung 126 , Metallabdeckung 126 ) auf der
Verkapselung 108 befestigt , beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μχη aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke bis ungefähr 1000 μτη. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch Iichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichts reuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid ( ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium-Zinn-Oxid ( ITO) oder Indium-Zink-Oxid ( IZO) , Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiK, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 /xm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτη, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungef hr 1,3 auf eist . Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausführungsformen, in denen die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Verkapselung 108
aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex {beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108 ,
beispielsweise der Dünnschichtverkapselung 108 ) in dem lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein. Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Dargestellt ist eine erste konkrete Ausgestaltung 200 eines optoelektronischen Bauelementes 100 , mit dem Träger 102 , der Isolationsschicht 218 , der ersten Elektrode 110 , der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 , der zweiten Elektrode 114 und der Verkapselung 108. Ohne Beschränkung der Allgemeinhei ist der dargestellte schematische Schichtenquerschnitt für die Beschreibung der Fig.2 als spiegelsymmetrisch angenommen . Zur besseren
Übersichtlichkeit sind die Grenzflächen einzelner
benachbarter Schichten als Projektionen der Grenzflächen 202 , 206, 208 , 210 , 212 , 214 , 216 dargestellt.
Angaben bezüglich der stofflichen Zusammensetzung und Dicke der einzelnen dargestellten Schichten in Fig .2 bis Fig.8 sind in verschiedenen Ausführungsbeispielen gleich der der
Ausführungsbeispiele, wie sie in Fig .1 beschrieben worden sind . Der Träger 102 kann eine intrinsische elektrische
Leitfähigkeit auf eisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 MS/m bis ungefähr 62 MS/m . Der Träger 102 kann einen Flächenwiderstand, in einem Bereich von ungefähr 30 μθ/ bis ungefähr 1 Ω/ aufweisen.
Weiterhin kann der Träger 102 hermetisch bezüglich Wasser und Sauerstoff dicht sein, d.h. eine Diffusion von Wasser
und/oder Sauerstoff durch den Träger 102 ist nicht möglich .
Der Träger 102 kann flächig und mechanisch flexibel
ausgebildet sein, beispielsweise eine metallische Folie sein und eine flächige Oberfläche in einer Größe von ungefähr 1 m x 100 m, beispielsweise in einer Größe von ungefähr
0,6 m x 0,6 m, beispielsweise in einer Größe von ungefähr 0 , 2 m x 0 , 2 m; beispielsweise in einer Größe von ungefähr 0 , 2 m x 0,05 m; bei einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 10 /im bis ungefähr 3000 μπι, beispielsweise i einem Bereich von ungefähr 20 um bis ungefähr 1000 um, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 μτη bis ungefähr 500 um.
Der mindestens eine elektrisch isolierende Bereich kann den gleichen oder einen ähnlichen Stoff bzw. das gleiche oder ein ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie der Träger 102 oder die Isolationsschicht 218.
Der mindestens eine elektrisch leitfähige Bereich kann den gleichen oder einen ähnlichen Stoff bzw. das gleiche oder ein ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie die erste Elektrode 110 bzw . die zweite Elektrode 114.
Die Isolationsschicht 218 kann auf dem Träger 102 aufgebracht sein und kann die erste Elektrode 110 von dem Träger 102 in dem Bereich 216 elektrisch isolieren. Die Isolationsschient 218 kann die Oberflächenrauheit der ersten Elektrode 110 reduzieren. Mit anderen Worten: die Isolationsschicht 218 kann die Oberfläche der ersten
Elektrode 110 planarisieren.
Die Isolationsschicht 218 kann Oberfläche des Trägers 102 bis auf einen Randbereich 202 bedecken, wobei der Randbereich 202 eine Ausdehnung in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis ungefähr 5 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 /im bis ungefähr 2 mm, aufweisen kann.
Die erste Elektrode 110 kann als Schicht die
Isolationsschicht 218 bis auf einen Randbereich 210 bedecken, wobei der Randbereich 210 eine Ausdehnung in einem Bereich von ungefähr 2 μχη bis ungefähr 2 mm aufweisen kann.
Auf die erste Elektrode 110 kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufgebracht werden derart , dass die organisch funktionelle Schichtenstruktur 112 im
Schichtenquerschnitt die erste Elektrode 110 wenigstens teilweise umgibt , d.h. den Randbereich 210 der
Isolationsschicht 218 bedeckt und die erste Elektrode 110 von der zweiten Elektrode 114 körperlich isoliert wird . Die seitlichen Flächen 204 der ersten Elektrode 110 weisen im Schichtenquerschnitt 200 einen körperlichen Kontakt 204 mit ! der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 auf . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann keinen direkten elektrischen oder körperlichen Kontakt mit dem
Träger 102 aufweisen.
Im Schichtquerschnitt 200 kann die erste Elektrode 110
demnach vollständig mittels der IsolationsSchicht 218 und der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 wenigstens teilweise umgeben sein. Die Isolationsschicht 218 kann auch aus dem Stoff oder
Stoffgemisch sein bzw. einen gleichen oder ähnlichen
Schichtenquerschnitt 112 aufweisen wie die organische
funktionelle Schichtenstruktur 112.
Mit anderen Worten : Wenn eine Isolationsschicht 218 mit einer elektrisch isolierenden Wirkung bezüglich des Trägers 102 optional ist , kann die erste Elektrode 110 vollständig von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 umgeben sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Schicht auf die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufgebracht werden. Die zweite Elektrode 114 kann einen körperlichen und elektrischen Kontakt 208 mit dem Träger 102 aufweisen derart , dass ein Randbereich 206 des Trägers unbedeckt bleibt . Die zweite Elektrode 114 kann dabei die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 und die IsolationsSchicht 218 mittels des körperlichen Kontaktes 208 umgeben .
Die zweite Elektrode 114 kann auch den gleichen Stoff oder das gleiche Stoffgemisch aufweisen wie der Träger 102.
Die Dünnfilmverkapselung 108 kann auf die zweite
Elektrode 114 aufgebracht werden und kann diese umgeben oder umschließen. Die Dünnfilmverkapselung 108 kann dabei im direkten körperlichen Kontakt 214 mit dem Träger stehen und so die Schichten zwischen Verkapselung 108 und Träger 102 hermetisch bezüglich Wasser und Sauerstoff kapseln, d.h. eine Diffusion durch die Dünnfilmverkapselung 108 kann nicht möglich sein. Mit anderen Worten: Mittels des direkten körperlichen Kontaktes 214 kann die gemeinsame Grenzfläche der Dünnfilmverkapselung 108 mit dem Träger 102 , hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abgedichtet sein.
Der Randbereich 212 des Trägers 102 kann mit einer Dicke in einem Bereich von 0 mm bis ungefähr 10 mm, beispielsweise von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 2 mm, beispielsweise ungefähr 1 mm ausgebildet sein, wobei eine Ausdehnung von 0 mm einem nicht Vorhandensein des Randbereiches 212 entspricht . Weiterhin dargestellt ist eine Barrieredünnschicht 104 auf oder über dem Träger 102 , beispielsweise gemäß einer
Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.1.
Die Barrieredünnschicht 104 kann in verschiedenen
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .3 bis Fig .8 auf oder über dem Träger 102 aufgebracht sein, auch wenn die
Barrieredünnschicht 104 nicht explizit dargestellt ist oder explizit beschrieben wird. Fig.3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Fig .3 unterscheidet sich von den Ausführungsbeispielen in Fig .2 derart , dass die Isolationsschicht 218 , auf der die erste Elektrode 110 aufgebracht ist, die erste Elektrode 110 seitlich umgibt, d.h. der Kontakt 204 kann auch zwischen Isolationsschicht 218 und erster Elektrode 110 ausgebildet sein.
Fig .4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen. Im Unterschied zu Fig .2 und Fig .3 kann auch die erste
Elektrode 110 mit dem Träger 102 elektrisch verbunden sein, wie in den Ausführungsb ispielen in Fig. entnommen werden kann . Die erste Elektrode 110 kann die Isolationsschicht 218 umgeben oder umschließen . Die organisch funktionelle
Schichtstruktur 112 isoliert die zweite Elektrode 114 von der ersten Elektrode 114 körperlich, d.h. die zweite Elektrode 114 sollte die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 flächig nicht überragen und damit einen elektrischen Kontakt mit der ersten Elektrode 110 ausbilden. Die
Dünnfilmverkapselung 108 kann in Verbindung mit dem Träger 102 im Raum zwischen Dünnfilmverkapselung 108 und Träger 102 die Schichten im Schichtquerschnitt 400 hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff kapseln. Fig .5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In Fig.5 ist im Schichtquerschnitt 500 eine Schichtenfolge ähnlich Fig.2 dargestellt . Der Träger 102 kann einen
elektrisch isolierenden Bereich und einen elektrisch
leitfähigen Bereich aufweisen, beispielsweise einen
elektrisch isolierenden Bereich 502 mit einem, elektrisch leitfähigen Bereich 504 , beispielsweise einer elektrisch leitfähigen Leiterschicht 504.
Der mindestens eine elektrisch isolierende Bereich kann den gleichen oder einen ähnlichen Stoff bzw. das gleiche oder ein ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie der Träger 102 oder die Isolationsschicht 218.
Der mindestens eine elektrisch leitfähige Bereich kann den gleichen oder einen ähnlichen Stoff bzw. das gleiche oder ein ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie die erste Elektrode 110 bzw. die zweite Elektrode 114.
Die Leiterschicht 504 kann notwendig sein, wenn der
Träger 502 selbst nicht elektrisch leitf hig ist oder eine unzureichende elektrische Leitfähigkeit aufweist .
Die Leiterschicht 504 kann den gleichen oder einen ähnlichen Stoff bzw. das gleiche oder ein ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie die erste Elektrode 110 bzw. die zweite
Elektrode 114 ,
Mit einem elektrisch isolierten Systemträger 502 kann
beispielsweise ein Leckstrom reduziert bzw. vermieden werden.
Mit anderen Worten : Mit einem elektrisch isolierten
Systemträger 502 kann eine elektrische Isolation zur Umwelt bereitgestellt werde .
Ein elektrisch isolierter Systemträger 502 kann
beispielsweise auch als ein mechanischer Schutz und/oder zum mechanischen Stabilisieren der Leiterschicht 504 eingerichtet sein.
Für die elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelementes 100 kann daher die leitfähige Schicht 504 auf den Träger 502 aufgebracht werden. Um einen hermetisch dichten Träger 102 auszubilden, kann die elektrisch leitfähige Schicht in einer Dicke von ungefähr dicker als ungefähr 5 μτα ausgebildet werden, beispielsweise eine Kupferschicht mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 5 μτη bis ungefähr 200 μνη, beispielsweise 30 μχα.
Fig .6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen. In Fig.6 ist im Schichtquerschnitt eine Schichtenfolge ähnlich Fig .5 dargestellt .
Um Diffusionsströme von schädlichen Umwelteinflüssen, beispielsweise schädlichen Stoffen, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff , zu reduzieren, beispielsweise durch die Seiten der elektrisch leitfähigen Schicht 504 bzw. dessen körperlichen Kontakten mit benachbarten Schichten (Diffusionsströme sind mittels Pfeilen 602 angedeutet) , kann die Dünnfilmverkapselung 108 die Seiten 604 der
Isolationsschicht 218 und/oder der leitfähigen Schicht 504 umschließen.
Fig.7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht zweier optoelektronischer Bauelemente 702 , 704 , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. In Fig .7 ist im Schichtquerschnit eine Schichtenfolge ähnlich Fig.2 oder Fig .5 mit zwei oder mehreren
optoelektronischen Bauelementen 702 , 704 umgeben von einer Verkapselung 108 dargestellt . Der Träger 102 kann dabei eine intrinsische Leitfähigkeit
(Fig.2} oder einen isolierenden Bereich mit einem leitfähigem Bereich (Fig .5 ) aufweisen.
Das erste optoelektronische Bauelement 702 und das zweite optoelektronische Bauelement 704 können, beispielsweise nebeneinander angeordnet sein und eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise eine gemeinsame zweite Elektrode 11 . Die zweite Elektrode 114 kann die Isolationsschicht 218 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 des ersten optoelektronischen Bauelementes 702 und des zweiten optoelektronischen Bauelementes 704 umgeben.
Zwischen den optoelektronischen Bauelementen 702 , 704 kann ein elektrischer Kontakt 706 der zweiten Elektrode 114 mit dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise zur
parallelen Stromleitung über das Substrat mit hohem Leitwert und somit geringem Spannungsabfall .
Mittels des elektrischen Kontaktes 706 kann der Strom luss von dem Träger 102 durch die flächige Seite der zweiten Elektrode 114 unterstütz werden, da der Träger 102 eine höhere elektrische Leitfähigkeit und/oder einen geringeren Flächenwiderstand aufweisen kann, als die zweite Elektrode 114.
Im Bereich des elektrischen Kontaktes 706 der gemeinsamen Elektrode 114 kann ein Stromtransport neben, beispielsweise senkrecht , zu der flächigen Fläche der zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden .
Mittels des elektrischen Kontaktes 706 der gemeinsamen ersten Elektrode 110 (nicht dargestellt) und/oder der gemeinsamen zweiten Elektrode 114 (dargestellt) der mehreren
optoelektronischen Bauelemente 702 , 704 mit dem gemeinsamen Träger 102 , kann die Kontaktfläche einer der gemeinsamen Elektroden 110 , 114 mit dem elektrisch leitfähigen Träger 102 reduziert werden .
Der elektrische Kontakt 706 kann eine Breite in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1 cm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 2 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 /im bis ungef hr 500 μτη aufweisen. Der Abstand 706 zwischen den ersten Elektroden 110 zwischen der beiden optoelektronischen Bauelemente 702 , 704 kann eine Breite in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis unge ähr 1 cm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 2 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μν bis ungefähr 500 μτη aufweisen.
Der elektrische Kontakt 706 kann in der Bildebene verlängert, d.h. senkrecht in beide Richtungen zu der dargestellten
Schnittebene , zusammenhängend , beispielsweise durchgehend, oder unterbrochen ausgebildet sein.
Eine Unterbrechung des elektrischen Kontaktes 706 in der Bildebene kann beispielsweise mittels einer Verbindung der Isolationsschichten 218 der beiden optoelektronischen
Bauelemente 702 , 704 im Bereich des elektrischen Kontaktes
706 bz . einer gemeinsame Isolationsschichten 218 der beiden optoelektronischen Bauelemente 702 , 704 mit einer vertikalen Unterbrechungen zur Durchkontaktierung, beispielsweise einem VIA, gebildet sein.
Die Breite des Abstandes 706 zwischen den beiden
optoelektronischen Bauelemente 702, 704 kann derart
eingerichtet sein, dass der Abstand 706 im strahlenden und/oder im nicht-strahlenden Zustand der Bauelemente nicht oder kaum mit dem menschlichen Auge wahrnehmbar ist . Der sichtbare nicht-strahlende Bereich zwischen den beiden optoelektronischen Bauelementen 702 , 704 kann eine Breite in einem Bereich ungefähr zwischen dem Betrag des Abstandes 706 und dem Betrag des Abstandes 708 aufweisen . Die Verkapselung 108 mit dem Träger 102 kann die zweite
Elektrode 114 umgeben, beispielsweise lückenlos
zusammenhängend umschließen.
Die optoelektronischen Bauelemente 702 , 704 können einen gleichen oder unterschiedlichen Schichtenquerschnitt 100 bezüglich der Dicke und der stofflichen Zusammensetzung der einzelnen Schichten der Schichtenstruktur 100 auf eisen .
Fig.8 zeigt eine schematische Draufsicht eines
optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In Fig .8 sind in der Draufsicht 800 mehrere optoelektronische Bauelemente 802 , 804 dargestellt , beispielsweise ähnlich oder gleich einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .7 , beispielsweise ähnlich oder gleich einer Kombination von zwei oder mehr optoelektronischen Bauelementen der gleichen oder unterschiedlichen Ausges altung der Beschreibungen der Fig .2 bis Fig.6 , beispielsweise zwei optoelektronischen
Bauelementen einer Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .2. Dargestellt sind der Träger 102 und die Verkapselung 108 , die zusammen wenigstens die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 und die (optionale) Isolationsschicht 218 lückenlos zusammenhängend umgeben .
Weiterhin dargestellt ist die elektrische Durchführung der ersten Elektrode 110 bzw. zweiten Elektrode 114 durch die Verkapselung 108. Weiterhin dargestellt ist der (sehr geringe) Abstand 806 zwischen den organischen funktionellen Schichtenstrukturen 112 der optoelektronischen Bauelemente 802 , 804.
Die Breite des Abstandes 806 kann sich aus den Breiten der elektrischen Verbindungsbreiten, in der Ausgestaltung der
Fig .2 beispielsweise de Abstand 208 , und der Kontaktfläche der Dünnfilmverkapselung 108 mit dem Träger 102 , in der Ausges altung der Fig.2 beispielsweise der Abstand 214 , der optoelektronischen Bauelemente 802 , 804 ergeben.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Bauelement bereitgestellt , das Bauelement aufweisend: einen Träger; eine erste Elektrode auf oder über dem Träger ; eine organische funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten
Elektrode ; eine zweite Elektrode auf oder über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode mit der zweiten Elektrode nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur eingerichtet ist ; und eine selbsttragende Abdeckung; wobei die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mit dem Träger elektrisch gekoppelt ist ; und wobei die Abdeckung gemeinsam mit dem Träger eine Struktur bildet , welche die organische funktionelle Schichtenstruktur sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode hermetisch bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff abdichtet , wobei der Bereich zwischen dem Träger und der Abdeckung lateral mittels einer metallhaltigen
Struktur hermetisch abgedichtet ist.
Eine selbsttragende Abdeckung ist eine Abdeckung, die kein
Substrat oder Träger benötigt, um die strukturelle Integrität der Abdeckung aufrecht erhalten zu können.
Die metallhaltige Struktur kann beispielsweise ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen. Die metallhaltige Struktur kann beispielsweise ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode oder zweiten Elektrode .
Die metallhaltige Struktur kann lateral , d.h. seitlich, auf den Bereich zwischen Abdeckung und Träger aufgebracht oder darauf ausgebildet werden.
Die metallhaltige Struktur kann auf der Seite des
optoelektronischen Bauelementes und/oder auf der dem
optoelektronischen Bauelement abgewandten Seite des Bereiches zwischen Träger und Abdeckung angeordnet oder ausgebildet sein. Beispielsweise kann die metallhaltige Struktur zwischen der Abdeckung und dem Träger als indirekte Verbindung von Träger und Abdeckung ausgebildet sein, beispielsweise im Randbereich des Bauelementes .
Die metallhaltige Struktur kann mit einer der Elektroden des Bauelementes elektrisch verbunden sein und/oder elektrisch von wenigstens einer isoliert sein. Beispielsweise kann die metallhaltige Struktur in wenigstens einem Bereich mit einer der Elektroden des Bauelementes verbunden sein und in
wenigstens einem Bereich von einer der Elektroden des
Bauelementes elektrisch isoliert sein. Beispielsweise kann die metallhaltige Struktur in wenigstens einem keine
elektrische Verbindung mit einer der Elektroden aufweisen.
Die metallhaltige Struktur kann zum atomaren Verbinden der Abdeckung mit dem Träger ausgebildet sein, beispielsweise als Klebstoff oder Lot ; und/oder den Bereich zwischen Träger und Abdeckung hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff abdichten. Die metallhaltige Struktur kann - in Abhängigkeit von der konkreten Ausgestaltung der metallhaltigen Struktur - aufgesprüht, aufgedampft; in einer Lösung, Paste, Dispersion oder Emulsion aufgetragen werden . In verschiedenen Ausführungsformen werden Bauelemente und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt , mit denen es möglich ist beliebig dicke , sehr gut prozessierbare ,
hermetisch dichte organische optoelektronische Bauelemente herzustellen, die eine größere aktive Fläche auf einem Träger aufweisen als herkömmliche optoelektronische Bauelemente.
Damit können organische optoelektronische Bauelemente flächig kontaktiert werden und so das Gesamterscheinungsbild bei strahlungsemittierenden Bauelementen nicht beeinträchtigen und bei Strahlungsabsorbierenden Bauelement die
Strahlungsabsorbierende Oberfläche vergrößern. Gleichzeitig können Durchkontaktierungen, beispielsweise VIAs , durch die Verkapse1ung entfallen bzw . die Anzahl verringert werden. Dadurch können potentiell Diffusionsströme von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselung verhindert bzw. reduziert werden.

Claims

Patentansprüche
1. Bauelement (100) , aufweisend:
• einen Träger (102)
· eine erste Elektrode (110) auf oder über dem Träger
(102) ;
• eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten Elektrode (110) ;
• eine zweite Elektrode (114) auf oder über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) , wobei die erste Elektrode (110) und die zweite
Elektrode (114) derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode (110) mit der zweiten Elektrode (114) nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eingerichtet ist ; und
• eine Dünnschichtverkapselung (108) ;
• wobei die erste Elektrode (110) und/oder die zweite Elektrode (114) mit dem Träger (102) elektrisch gekoppelt ist ; und
• wobei die Dünnschichtverkapselung (108) gemeinsam mit dem Träger (102) eine Struktur bildet , welche die organische funktionelle Schichtenstruktur ( 112 ) sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114 ) hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff abdichtet .
2. Bauelement (100) gemäß Anspruch 1,
wobei der Träger (102) elektrisch leitfähig ausgebildet ist .
3. Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 ,
wobei der Träger (102 ) wenigstens einen elektrisch isolierenden Bereich und wenigstens einen elektrisch leitfähigen Bereich auf eist .
4. Bauelement (100) gemäß Anspruch 3, wobei der elektrisch leitfähige Bereich als
Leiterschicht (502) auf dem elektrisch isolierenden Bereich (504) ausgebildet ist .
Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Isolationsschicht (218) zwischen der ersten Elektrode (110) und dem Träger (102) ausgebildet ist .
Bauelement (100) gemäß Anspruch 5 ,
wobei die IsolationsSchicht (218) transparent oder transluzent ausgebildet ist .
Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei die Dünnschichtverkapselung (108 ) mit dem Träger (102) mehrere Schichtstrukturen umgibt derart , dass die einzelnen Schichtstrukturen die Schichten aufweisen : eine Isolationsschicht (218) eine erste Elektrode (110) eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) und eine zweite Elektrode ( 114 ) ; wobei die mehreren
Schichtstrukturen derart ausgebildet sind, dass die mehreren Schichtenstrukturen eine gemeinsame erste
Elektrode ( 110 ) und/oder eine gemeinsame zweite
Elektrode { 114 ) aufweisen.
Bauelement (100) gemäß Anspruch 7,
wobei die gemeinsame erste Elektrode (110) und/oder die gemeinsame zweite Elektrode (114) einen elektrischen Kontakt (706) mit dem gemeinsame Träger (102) zwischen den mehreren Schichtstrukturen aufweist .
Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die erste Elektrode (110 ) transparent ausgebildet ist. 10. Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 ,
wobei die zweite Elektrode (114) transparent ausgebildet ist. Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 , wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur
(112) die erste Elektrode (110) umgibt derart , dass die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) die erste Elektrode (110) lateral körperlich vo der zweiten Elektrode (114) isoliert .
Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Bauelement (100) als optoelektronisches
Bauelement (100) , vorzugsweise als organische
Leuchtdiode (100) oder als organische Solarzelle
(100) ausgebildet ist .
Ver ahren zum Herstellen eines Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend:
Bilden einer ersten Elektrode ( 110) über oder auf einem Träger (102) ; Bilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) über oder auf der ersten
Elektrode (110) ,-
Bilden einer zweiten Elektrode (114 ) über oder auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ; und wobei
• die erste Elektrode (110) und die zweite Elektrode (114 ) derart ausgebildet werden, dass eine
elektrische Verbindung der ersten Elektrode (110) mit der zweiten Elektrode (114 ) nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eingerichtet ist ;
• die erste Elektrode (110) oder die zweite Elektrode ( 114 ) mit dem Träger (102) elektrisch gekoppelt ausgebildet wird; und
• Bilden einer Dünnschichtverkapselung ( 108 ) ;
• wobei die Dünnschichtverkapselung (108) gemeinsam mit dem Träger (102) eine Struktur bildet , welche die organische funktionelle Schichtenstruktur ( 112 ) sowie mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet.
Verfahren gemäß Anspruch 13,
wobei eine Isolationsschicht (218) auf oder über dem Träger (102 ) aufgebracht wird bevor die erste Elektrode
(110) auf dem Träger (102) aufgebracht wird,
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 oder 14, wobei die Dünnschichtverkapselung (108) derart auf oder über dem Träger (102) ausgebildet werden, sodass die Dünnschichtverkapselung (108) mehrere Schichtstrukturen (702 , 704) auf einem gemeinsamen Träger (102) umgibt, wobei die einzelnen Schichtstrukturen (702 , 704 ) die Schichten aufweisen: eine Isolationsschicht (218 ) ; eine erste Elektrode (110) ; eine organische funktionelle Schichtenstruktur ( 112 ) ; und eine zweite Elektrode (114) . 16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15 ,
wobei die mehreren Schichtstrukturen (702, 704 ) derart ausgebildet werden, dass die mehreren
Schichtenstrukturen ( 702 , 704 ) eine gemeinsame erste Elektrode (110) und/oder eine gemeinsame zweite
Elektrode (114) aufweisen.
Verfahren gemäß Anspruch 16,
wobei die gemeinsame erste Elektrode (110) und/oder die gemeinsame zweite Elektrode (114) zwischen den mehreren Schichtstrukturen (702 , 704 ) mit einem elektrischen Kontakt (706 ) mit dem gemeinsamen Träger (102)
ausgebildet wird/werden.
Bauelement (100) , aufweisend:
• einen Träger (102) ;
• eine erste Elektrode (110) auf oder über dem Träg (102) ; eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112 ) auf oder über der ersten Elektrode (110) ;
eine zweite Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) , wobei die erste Elektrode (110) und die zweite
Elektrode (114) derart ausgebildet sind, dass eine elektrische Verbindung der ersten Elektrode (110) mit der zweiten Elektrode (114) nur durch die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eingerichtet ist ; und
eine selbsttragende Abdeckung (126) ;
wobei die erste Elektrode (110) und/oder die zweite Elektrode (114) mit dem Träger (102) elektrisch gekoppelt ist ; und
wobei die Abdeckung (126) gemeinsam mit dem Träger (102) eine Struktur bildet, welche die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) sowie
mindestens eine Elektrode der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff abdichtet, wobei der Bereich zwischen dem Träger und der Abdeckung lateral mittels einer metallhaltigen Struktur hermetisch abgedichtet ist .
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