WO2011125651A1 - 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネル - Google Patents
太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネル Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011125651A1 WO2011125651A1 PCT/JP2011/057814 JP2011057814W WO2011125651A1 WO 2011125651 A1 WO2011125651 A1 WO 2011125651A1 JP 2011057814 W JP2011057814 W JP 2011057814W WO 2011125651 A1 WO2011125651 A1 WO 2011125651A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- solar cell
- cell panel
- outer peripheral
- electrode layer
- transparent
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012951 Remeasurement Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/33—Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Definitions
- the present invention relates to a solar cell panel inspection apparatus, a solar cell panel inspection method, a solar cell panel manufacturing method, and a solar cell panel.
- FIG. 18 shows an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the end portion.
- Solar cell panel 100 includes a transparent insulating substrate 2 having a main surface 2 u, a transparent electrode layer 3, a semiconductor photoelectric conversion layer 4, and a back electrode layer 5 that are sequentially stacked on the main surface 2 u of the transparent insulating substrate 2.
- the solar cell panel 100 has an outer peripheral insulating region 21 in the vicinity of the outer periphery of the transparent insulating substrate 2 where the main surface 2u of the transparent insulating substrate 2 is exposed.
- the structure as shown in FIG. 18 is fabricated by patterning with a commonly used laser, blast, or the like after each layer is formed. This structure is sealed entirely with a resin (not shown) and a protective film after being produced.
- the main surface 2u of the transparent insulating substrate 2 should be directly exposed, and there should be nothing on the main surface 2u. However, actually, as shown in FIG. 19, some material residue 23 at the time of patterning may remain in the outer peripheral insulating region 21.
- the present invention provides a solar cell panel inspection apparatus, a solar cell panel inspection method, a solar cell panel manufacturing method, and a solar cell panel for accurately inspecting the insulation state in the outer peripheral insulating region of the solar cell panel. For the purpose.
- a solar cell panel inspection apparatus includes a transparent electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode layer sequentially stacked on the main surface of a transparent insulating substrate, and the outer periphery of the transparent insulating substrate.
- a solar cell panel inspection apparatus for inspecting the insulation performance of the outer peripheral insulating region with respect to a solar cell panel having an outer peripheral insulating region where the main surface of the transparent insulating substrate is exposed in the vicinity,
- a housing for housing the battery panel; a first terminal for contacting the back electrode layer; and a second terminal for contacting the vicinity of the outer peripheral edge of the outer peripheral insulating region.
- a voltage application unit for applying a voltage between the terminal and the second terminal, and a current flowing between the first terminal and the second terminal to which a voltage is applied by the voltage application unit.
- Current detector And means for reducing the moisture content of the casing, the.
- a solar cell panel inspection method includes a transparent electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode layer sequentially stacked on a main surface of a transparent insulating substrate.
- a method for manufacturing a solar cell panel includes a step of laminating a photoelectric conversion layer and a back electrode layer on a transparent electrode layer provided on a transparent insulating substrate, and an outer periphery of the transparent insulating substrate. Removing the transparent electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the back electrode layer stacked in the vicinity to form an outer peripheral insulating region; reducing the moisture content of the atmosphere around the transparent insulating substrate; After the step of reducing the amount of moisture, detecting a current flowing between the back electrode layer and the vicinity of the outer peripheral edge of the outer peripheral insulating region, and inspecting the insulating performance of the outer peripheral insulating region.
- the solar cell panel according to the present invention is manufactured by using the above-described solar cell panel inspection method or the above-described solar cell panel manufacturing method.
- the present invention it is possible to accurately inspect the amount of current flowing by applying a voltage between the terminals, and to accurately inspect the insulation state in the outer peripheral insulating region of the solar cell panel. Therefore, it becomes possible to improve the productivity of the solar cell panel.
- FIG. It is a figure which shows the structure of the solar cell panel inspection apparatus in Embodiment 1.
- FIG. It is a figure which shows the cross-section of a solar cell panel.
- the solar cell panel inspection apparatus in Embodiment 1 it is a partial expanded sectional view in case a terminal is located in the outer periphery insulation area
- FIG. It is sectional drawing explaining the positional relationship and applied voltage of the solar cell panel inspection apparatus and solar cell panel in Example 1.
- FIG. It is a figure showing the relationship between the leakage current produced at the time of 6000V application, and a moisture content. It is a 1st process cross section schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1. FIG. It is a 2nd process cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1. FIG. It is a 3rd process cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1. FIG. It is a 4th process cross section schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1. FIG. It is a 5th process cross-section schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1. FIG.
- FIG. It is a 6th process cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1.
- FIG. It is a 7th process cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1.
- FIG. It is an 8th process cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1.
- FIG. It is a 9th process cross section schematic diagram for demonstrating the manufacturing process of the solar cell panel in Example 1.
- FIG. It is a 1st figure which shows the cross-section of a solar cell panel. It is a 2nd figure which shows the cross-section of a solar cell panel.
- the solar cell panel inspection apparatus, the solar cell panel inspection method, the solar cell panel manufacturing method, and the solar cell panel in each embodiment based on the present invention will be described below with reference to the drawings.
- the following embodiments and examples are merely examples, and various forms and examples can be implemented within the scope of the present invention.
- a solar cell panel 100 to be inspected by the solar cell panel inspection apparatus 50 includes a transparent insulating substrate 2 having a main surface 2 u and a transparent layer sequentially laminated on the main surface 2 u of the transparent insulating substrate 2.
- a transparent insulating substrate 2 having a main surface 2 u and a transparent layer sequentially laminated on the main surface 2 u of the transparent insulating substrate 2.
- an outer peripheral insulating region 21 in which the main surface 2 u of the transparent insulating substrate 2 is exposed is provided near the outer periphery of the transparent insulating substrate 2.
- the solar cell panel inspection device 50 is an inspection device for inspecting the insulation performance of the outer peripheral insulating region 21 with respect to such a solar cell panel 100.
- this solar cell panel inspection apparatus 50 is in contact with the casing 51, the first terminal 31 for making contact with the back electrode layer 5, and the vicinity of the outer peripheral end of the outer peripheral insulating region 21. Voltage is applied between the first terminal 31 and the second terminal 32, and a mechanism (not shown) for raising the first terminal 31 and the second terminal 32 in the vertical direction and the horizontal direction.
- a voltage application unit 34 for detecting the current for detecting the current
- a current detection unit 35 for example, a dielectric strength tester
- a housing Means 36 for example, a temperature / humidity sensor
- means 39 for example, a conveyor
- the moisture amount of the atmosphere around the solar cell panel 100 can be managed by the moisture amount managing means 36 in a state in which the solar cell panel 100 to be inspected is stored.
- the amount of moisture in the atmosphere around the solar cell panel 100 can be reduced by means 37 for reducing the amount of water.
- the voltage application unit 34 and the current detection unit 35 that detects current may be integrated.
- the means 36 for managing the amount of moisture and the means 37 for reducing the amount of moisture in the housing 51 may be integrated. Further, the means 36 for managing the amount of water does not necessarily have to be in the apparatus configuration. For example, the case where the reduction
- the number of the third terminals 33 is set. Too much is inconvenient. Considering this, in reality, it is preferable that the number of the first or more third terminals 33 is 2 or less.
- As a method of managing the amount of moisture in the casing 51 it is possible to accurately grasp the amount of moisture by monitoring the humidity and temperature. For example, as shown in FIG. 4, even when the humidity is the same 50%, when the temperature is 30 ° C., the moisture content is 15.05 g / m 3 , and when the temperature is 25 ° C., the moisture content is 11 .42 g / m 3 resulting in a difference in water content.
- the moisture amount in the housing 51 can be accurately grasped by managing the humidity according to each temperature. At that time, it is possible to measure accurately by determining the upper limit of humidity for each temperature and performing management.
- the amount of water in the enclosure 51 preferably 14.3 g / m 3 or less, more preferably 12.5 g / m 3 or less.
- the moisture content in the housing 51 can be reduced by replacing the housing 51 with dry air.
- the running cost can be reduced by performing control such as introducing dry air. Become.
- the moisture content in the apparatus may be reduced by a dehumidifier.
- a dehumidifier for example, if the temperature is 28 ° C. and the humidity is 50%, the running cost can be reduced by controlling the dehumidifier to start operating when the temperature is 28 ° C. and the humidity is 45% or more. It becomes.
- a system in which a desiccant is placed in the casing 51, and when the humidity exceeds a certain value, a warning sound is emitted from the casing 51 and the desiccant is replaced. It only has to have.
- the desiccant a silica gel-based desiccant that is physical adsorption, a calcium chloride-based desiccant that is chemical adsorption, and a magnesium oxide-based desiccant can be used.
- a desiccant which is chemical adsorption excellent in moisture absorption.
- the board will stand by in the device and measurement will not be performed until the temperature, humidity or moisture content is below the specified value. Is more preferable than waiting on a conveyor or the like in front of the apparatus.
- This solar cell panel inspection apparatus 50A includes a transparent insulating substrate 2 having a main surface 2u shown in FIG.
- a transparent electrode layer 3 which are sequentially stacked on the main surface 2u of the transparent insulating substrate 2, Insulating performance of the outer peripheral insulating region 21 with respect to the solar cell panel 100 including the outer peripheral insulating region 21 where the main surface 2u of the transparent insulating substrate 2 is exposed near the outer periphery of the transparent insulating substrate 2.
- This is an inspection device for inspection.
- This solar cell panel inspection apparatus 50A includes a housing 51A, a first terminal 31 for contacting at least the back electrode layer 5, and a second terminal 32 for contacting the vicinity of the outer peripheral edge of the outer peripheral insulating region 21.
- a mechanism (not shown) for raising the first terminal 31 and the second terminal 32 in the vertical direction and the horizontal direction, and a voltage application unit 34 for applying a voltage between the first terminal 31 and the second terminal 32, respectively.
- a current detection unit 35 (for example, a withstand voltage / insulation resistance tester) that detects a current flowing between the first terminal 31 and the second terminal 32 to which a voltage is applied by the voltage application unit 34, and moisture in the housing 51A
- Means 36 for example, a temperature / humidity sensor
- means 39 for example, a conveyor
- the moisture amount of the atmosphere around the solar cell panel 100 can be managed by the moisture amount managing means 36 in a state in which the solar cell panel 100 to be inspected is stored.
- the amount of moisture in the atmosphere around the solar cell panel 100 can be reduced by means 37 for reducing the amount of water.
- the voltage application unit 34 and the current detection unit 35 that detects current may be integrated.
- the means 36 for managing the amount of moisture and the means 37 for reducing the amount of moisture in the housing 51 may be integrated. Further, the means 36 for managing the amount of water does not necessarily have to be in the apparatus configuration. For example, the case where the reduction
- a third terminal 33 (a plurality of terminals are possible) between the first terminal 31 and the second terminal 32 as shown in FIG. It does not matter.
- a voltage can be applied to each of C1, C2, and C3 by combination.
- the number of the third terminals 33 is increased too much, the structure becomes complicated.
- the number of the third terminals 33 is set. Too much is inconvenient. Considering this, in reality, it is preferable that the number of the first or more third terminals 33 is 2 or less.
- a means 36A for example, a temperature control unit
- a means 37A for example, dry air, dehumidifier, desiccant
- the casing 53 accommodates a control unit 38A for controlling the moisture amount managing means 36A and the moisture amount reducing means 37A, and a means 39A (for example, a conveyor) for conveying the solar cell panel 100A. Yes.
- the means 37A for reducing the amount of water may be combined with the means 37 for reducing the amount of water in the solar cell panel inspection apparatus 50A.
- the solar cell panel inspection apparatus 50A and the apparatus 52 installed on the upstream side may be configured to have means for simultaneously managing the moisture content in both the casings 51A and 53 and reducing the moisture content. More preferably, it is located further upstream than the upstream device 52 in the transport direction, for example, between the downstream side of the device forming the outer peripheral insulating region 21 of the solar cell panel and between the solar cell panel inspection devices 50A. All the conveyors and other devices need only have a function of managing the amount of moisture and a function of reducing the amount of moisture.
- the manufacturing method includes the solar cell panel inspection method using the solar cell panel inspection device 50 according to the first embodiment.
- the manufacturing method of a solar cell panel and the manufacturing method of the thin film solar cell using the solar cell panel are demonstrated.
- the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
- tin oxide as the transparent conductive film 3 is formed on the transparent insulating substrate 2 by a thermal CVD method.
- a method for forming the transparent conductive film 3 for example, a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like can be conventionally used.
- a glass substrate (size 1000 mm ⁇ 1400 mm, thickness 4 mm) was used.
- a light-transmitting substrate that can transmit light such as a resin substrate including a transparent resin such as polyimide resin, or a substrate in which a plurality of these substrates are stacked, can be used.
- the transparent conductive film 3 can transmit light such as an ITO (Indium Tin Oxide) film, a single layer of ZnO (zinc oxide) film, or a plurality of stacked layers of these.
- a conductive film can be used.
- the transparent conductive film 3 is composed of a plurality of layers, all the layers may be formed from the same material, or at least one layer may be formed from a material different from the others.
- the transparent insulating substrate 2 in which the transparent conductive film 3 was formed previously, and in that case, in a manufacturing method The step of forming the transparent electrode film 3 is not included.
- a linear first separation groove 11 for separating the transparent conductive film 3 was formed using a fundamental wave of YAG laser light.
- the laser beam used for forming the first separation groove 11 by the laser scribing method for example, a fundamental wave of YVO 4 laser beam, a fiber laser, or the like can be used.
- the photoelectric conversion layer 4 is formed on the transparent conductive film 2 in which the first separation grooves 11 are formed. It formed using the CVD method.
- a semiconductor photoelectric conversion layer can be used, and a top cell (first photoelectric conversion layer) in which a p layer, an i layer, and an n layer made of an amorphous silicon thin film are stacked in this order from the transparent insulating substrate 2 side. Layer) and a bottom cell (second photoelectric conversion layer) in which a p layer, an i layer, and an n layer made of a microcrystalline silicon thin film are stacked in this order on the top cell.
- a top cell in which ap layer, i layer, and n layer made of an amorphous silicon thin film are stacked in this order
- a middle cell in which ap layer, i layer and n layer made of an amorphous silicon thin film are laminated in this order on the top cell, and a p layer, i layer and n made of a microcrystalline silicon thin film on the middle cell.
- the photoelectric conversion layers from the first photoelectric conversion layer to the third photoelectric conversion layer may all be made of the same type of silicon-based semiconductor, or may be made of different types of silicon-based semiconductor.
- Each photoelectric conversion layer from the first photoelectric conversion layer to the third photoelectric conversion layer includes a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer, and each semiconductor layer is made of a silicon-based semiconductor. May be.
- Each semiconductor layer included in the photoelectric conversion layer may be made of the same kind of silicon semiconductor or may be made of different kinds of silicon semiconductor.
- the p-type semiconductor layer and the i-type semiconductor layer may be formed using amorphous silicon, and the n-type semiconductor layer may be formed using microcrystalline silicon.
- the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer may be formed of silicon carbide or silicon germanium, and the i-type semiconductor layer may be formed of silicon.
- each of the p-type, i-type and n-type semiconductor layers may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
- each layer may be composed of different types of silicon-based semiconductors.
- amorphous silicon is a concept including “hydrogenated amorphous silicon”
- microcrystalline silicon is a concept including “hydrogenated microcrystalline silicon”.
- a linear second separation groove 12 for separating the photoelectric conversion layer 4 of the solar cell substrate 20 was formed using the second harmonic of the YAG laser light.
- a second harmonic of YVO 4 laser light or the like may be used.
- zinc oxide (ZnO) / Ag is formed by sputtering the back electrode layer 5 so as to cover the photoelectric conversion layer 4 in which the second separation grooves 12 are formed.
- the film thickness was 50 nm / 150 nm.
- a method for forming the back electrode layer 5 for example, a conventionally known vapor deposition method or ion plating method can be used.
- the back electrode layer 5 other conductive layers such as an Ag (silver) layer, an Al (aluminum) layer, or a laminate of these layers can be used.
- the back electrode layer 4 is, for example, a SnO 2 film, an ITO film, a ZnO film, or a single layer of a film obtained by adding a trace amount of impurities to these surfaces, or a plurality of these layers. From the viewpoint of improving the conversion efficiency of the thin-film solar cell, it is preferable to have a transparent conductive film that can transmit light such as a plurality of combined layers.
- the transparent conductive film is composed of a plurality of layers, all the layers may be formed from the same material, or at least one layer may be formed from a material different from the others.
- a linear third separation groove 13 that separates the photoelectric conversion layer 4 and the back electrode layer 5 was formed using the second harmonic of the YAG laser light.
- a second harmonic of YVO 4 laser light or the like may be used.
- formation conditions capable of suppressing damage to the transparent electrode layer 3 and suppressing the generation of burrs in the back electrode layer 5 after the formation of the third separation groove 13. Is preferably selected.
- the outer peripheral insulating region 21 was formed using a fundamental wave of YAG laser light.
- the fundamental wave of YVO 4 laser light or the like may be used. Then, the leak in a photovoltaic cell was repaired by applying a reverse voltage with a reverse bias processing apparatus.
- the solar cell panel inspection device 50 corresponding to the first embodiment.
- six cylindrical terminals were provided as the first terminals 31 of the solar cell panel inspection apparatus 50.
- the second terminal 32 is disposed so as to be in close contact with the outer periphery of the solar cell panel 100 to be inspected and surround the outer periphery in a rectangular shape.
- the 1st terminal 31 is each arrange
- the width of the outer peripheral insulating region 21 is 12 mm.
- a voltage of 6000 V was applied between the first terminal 31 and the second terminal 32.
- the dielectric breakdown voltage characteristic means that even if a predetermined high voltage is applied between the frame attached to the outer peripheral edge of the thin film solar cell and the thin film solar cell, no discharge occurs between the frame and the thin film solar cell. Means a characteristic.
- a predetermined insulation withstand voltage is obtained by an insulation withstand voltage test defined in Japanese Industrial Standards (JIS) C8991.
- JIS Japanese Industrial Standards
- the international standard requires an insulation withstand voltage against a lightning surge withstand voltage of 6 KV.
- a voltage of 6000 V is applied, and if the current value is less than 50 ⁇ A, it is judged as acceptable.
- FIG. 8 is a graph showing the relationship between the amount of moisture in the housing 50A and the amount of current when the insulation withstand voltage test of the solar cell panel 100 is performed under the above-described conditions.
- the amount of moisture is preferably 14.3 g / m 3 or less at which the slope of the amount of current flowing changes, and more preferably 12.5 g / m 3 or less, which is the changing point at which the amount of current increases.
- the humidity When the temperature is 24 ° C., the humidity is 57.5% or less, when the temperature is 25 ° C., the humidity is 54.5% or less, and when the temperature is 26 ° C., the humidity is 51 so that the inside of the housing 50A is always 12.5 g / m 3.
- the means 36A for controlling the amount of water and the means 37A for reducing the amount of water are used so that the humidity is 48.5% or less when the temperature is 27% or less, and the humidity is 46% or less when the temperature is 28 ° C.
- the inspection results were not abnormal while the solar battery panel was normally transported by the control unit 38A. Moreover, 100 solar cell panels 100 were extracted, and no difference was found between the first measurement result and the remeasurement result. Next, the characteristics of the solar cell panel 100 were measured with a solar simulator device.
- the solar cell panel 100 (transparent insulating substrate 2) to be inspected is housed in the housing 50A
- the surroundings of the solar cell panel 100 (transparent insulating substrate 2) by the means 36A for managing the amount of moisture.
- the amount of moisture in the atmosphere around the solar cell panel 100 (transparent insulating substrate 2) is reduced by means 37A for managing the amount of moisture in the atmosphere and reducing the amount of moisture.
- the current extraction electrode 7 was formed on the surface of the back electrode layer 5 via the conductive paste 6 such as silver paste.
- EVA ethylene vinyl acetate
- a terminal box (not shown) is adhered to the back surface sealing material 9 of the solar cell panel 100, the inside of the terminal box is filled with a silicone resin, and an aluminum frame (not shown) is attached, whereby the solar cell panel 100 is used.
- the thin film solar cell 100A was completed.
- Example 2 A method for manufacturing a solar cell panel including a solar cell panel inspection method using solar cell panel inspection apparatus 50A in the second embodiment in a manufacturing process and a method for manufacturing a thin film solar cell using the solar cell panel will be described. Only the differences from the first embodiment will be described.
- An upstream side device 52 having a conveyor is provided on the upstream side when viewed from the conveying direction of the solar cell panel 100 of the solar cell panel inspection device 50A.
- means 37A for reducing the amount of water was provided.
- the upstream device 52 When the upstream device 52 is not provided with the means 37A for reducing the amount of water, trouble occurs in the subsequent process of the solar cell panel inspection device 50A, the transport of the solar cell panel 100 stays, and the transport line stops. In addition, there are cases where the inspection cannot be performed accurately, and the possible causes are as follows.
- the measurement value of the solar cell panel inspection apparatus 50A is affected. Gave. Probably, this is because the moisture adsorbed on the outer peripheral insulating region 21 takes time to be removed, so that it is insufficient to manage the amount of moisture only in the solar cell panel inspection apparatus 50A.
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
この太陽電池パネル検査装置は、筐体(51)と、裏面電極層(5)に当接させるための第1端子(31)と、外周絶縁領域(21)の外周端近傍に当接させるための第2端子(32)と、第1端子(31)および第2端子(32)を上下方向および左右方向に起こす機構と、第1端子(31)および第2端子(32)の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部(34)と、電圧印加部(34)によって電圧を印加した第1端子(31)および第2端子(32)の間に流れる電流を検出する電流検出部(35)と、筐体(51)内の水分量を管理する手段(36)と、筐体(51)内の水分量を減少させる手段(37)とを備えている。
Description
本発明は、太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネルに関するものである。
従来の太陽電池パネルは、特開2008-109041号公報(特許文献1)に示される構造を有している。特許文献1に示される太陽電池パネルの一例に注目し、その端部近傍の拡大断面図を図18に示す。太陽電池パネル100は、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4、および裏面電極層5とを含む。太陽電池パネル100は、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有する。
図18に示したような構造は各層を成膜した後に、一般的に用いられているレーザやブラスト等によってパターニングすることによって作製される。この構造は、作製した後に樹脂(図示せず)および保護フィルムで全体を封止される。
外周絶縁領域21においては、図18に示したように、透明絶縁基板2の主表面2uが直接露出しており、主表面2uの上には何もない状態となっているべきである。しかし、実際には、図19に示すように、パターニング時の何らかの材料の残渣23が外周絶縁領域21に残っていることがあり得る。
樹脂で全体が封止される場合には、このような残渣23もともに封止されることになる。このような場合、樹脂や保護フィルムや端子ボックス接続後に、最終の絶縁耐圧性を評価する試験を行い合格品のみを出荷することになり、結局不良品も封止工程までいくことになる。
したがって、このような不良品のリークを避けるためには、外周絶縁領域21が形成された後に、一度検査装置にて検査を行うことが有効である。完成品の前に外周絶縁領域の主表面における残渣の有無を検査することにより、モジュール部材の材料が無駄にならないようにすることが可能である。
製造中に絶縁耐圧試験で不合格になった太陽電池パネルの基板の解析を行なったが、絶縁不良になるような原因が無い基板があることが分かった。又、再度太陽電池パネル検査装置にて検査したところ絶縁状態は良好であることが分かった。そして、原因を究明した結果、太陽電池パネル検査装置内の絶対水分量(本明細書中では水分量と記載)およびラインの水分量との因果関係に注目し、本発明に至った。
そこで、本発明は、太陽電池パネルの外周絶縁領域における絶縁状態を正確に検査するための太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネル検査装置は、透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、上記透明絶縁基板の外周近傍に上記透明絶縁基板の上記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査装置であって、検査対象の太陽電池パネルを収容する筐体と、上記裏面電極層に当接させるための第1端子と、上記外周絶縁領域の外周端近傍に当接させるための第2端子と、を有し、上記第1端子と上記第2端子との端子間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部と、上記電圧印加部によって電圧を印加した上記第1端子と上記第2端子との間に流れる電流を検出する電流検出部と、上記筐体内の水分量を減少させる手段と、を備える。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルの検査方法は、透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、上記透明絶縁基板の外周近傍に上記透明絶縁基板の上記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査方法であって、検査対象の太陽電池パネル周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、該水分量を減少させる工程の後に、上記裏面電極層と上記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出する工程と、を含む。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルの製造方法は、透明絶縁基板に設けられた透明電極層に、光電変換層および裏面電極層を積層する工程と、上記透明絶縁基板の外周近傍に積層された上記透明電極層、上記光電変換層および上記裏面電極層を除去して、外周絶縁領域を形成する工程と、上記透明絶縁基板周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、該水分量を減少させる工程の後に、上記裏面電極層と上記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する工程と、を含む。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルは、上述の太陽電池パネルの検査方法または上述の太陽電池パネルの製造方法を用いて製造される。
本発明によれば、端子間に電圧を印加して流れる電流量を正確に検査することができ、太陽電池パネルの外周絶縁領域における絶縁状態を正確に検査することができる。したがって、太陽電池パネルの生産性の向上を図ることが可能となる。
本発明に基づいた各実施の形態における太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネルについて、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態および実施例は一例であり、種々の形態および実施例での実施が本発明の範囲内で可能である。
また、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
(実施の形態1)
(太陽電池パネル検査装置50の構成)
図1に示すように、本実施の形態における太陽電池パネル検査装置50の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50の検査対象である太陽電池パネル100は、図2に示すように、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有している。太陽電池パネル検査装置50は、このような太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
(太陽電池パネル検査装置50の構成)
図1に示すように、本実施の形態における太陽電池パネル検査装置50の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50の検査対象である太陽電池パネル100は、図2に示すように、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有している。太陽電池パネル検査装置50は、このような太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
再び、図1を参照して、この太陽電池パネル検査装置50は、筐体51と、裏面電極層5に当接させるための第1端子31と、外周絶縁領域21の外周端近傍に当接させるための第2端子32と、第1端子31および第2端子32を上下方向および左右方向に起こす機構(図示せず)と、第1端子31および第2端子32の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部34と、電圧印加部34によって電圧を印加した第1端子31および第2端子32の間に流れる電流を検出する電流検出部35(たとえば、絶縁耐圧試験機)と、筐体51内の水分量を管理する手段36(たとえば、温湿度センサー)と、太陽電池パネル100を搬送する手段39(たとえば、コンベヤー)とを備えている。
筐体51内部においては、検査対象となる太陽電池パネル100が収納された状態で、水分量を管理する手段36によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を管理することができ、水分量を減少させる手段37によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を減少させることができる。
電圧印加部34と電流を検出する電流検出部35は、一体型でも構わない。水分量を管理する手段36と、筐体51内の水分量を減少させる手段37も一体型のものでも構わない。また、水分量を管理する手段36は、必ずしも装置構成上なくても構わない。たとえば、水分量を減少させる手段37の動作が確認できることにより、筺体51内の水分量の減少が確認できる場合等が挙げられる。
また、図1に示す第1端子31および第2端子32とは別に、図3に示すように第1端子31と第2端子32の間に第3端子33(複数でも可能)があっても構わない。組合せにより、C1,C2,C3のそれぞれに電圧を印加することができる。ただし、第3端子33の数を多くしすぎると構造が複雑になってしまう。また、外周絶縁領域の幅に対して第3端子33と第1端子31の隙間、および第3端子33と第2端子32との間隙をうまく配置するためには、第3端子33の数をあまり多くしすぎると不都合である。このようなことを考慮すると、現実的には、上記1以上の第3端子33の数は、2以下であることが好ましい。
水分量を管理する手段36は1つ以上あれば構わないし、好ましくは筐体51内の対角線上の位置に2ヶ所あると良い。筐体51内の水分量を管理する方法としては、湿度・温度をモニタリングすることにより、水分量を正確に把握することが可能となる。たとえば、図4に示したように、同じ湿度50%であった場合でも、温度が30℃の場合、水分量は15.05g/m3であり、温度が25℃の場合、水分量は11.42g/m3となり水分量の相違が生じる。
また、太陽電池パネル(薄膜太陽電池)の製造ラインでは、温度管理もある幅を有して(約5℃程度)おり、さらに湿度管理をしていないのが一般的な製造環境である。従って、それぞれの温度により湿度を管理することにより、正確な筐体51内の水分量を把握することができる。その際、温度ごとに湿度の上限を決めて管理を行なうことにより、測定を正確に行なうことが可能である。
より、簡単な管理方法として、温度管理の上限値がわかっているのであれば、温度が高いほど同じ湿度であれば、水分量が高いので、温度の上限値での湿度を管理しておけば、測定を正しく行なうことが可能となる。
筐体51内の水分量としては、好ましくは14.3g/m3以下、より好ましくは12.5g/m3以下である。
筐体51内の水分量を減少させる手段としては、筐体51内に乾燥エアーにて置換することにより、筐体51内の水分量を減少させることが可能である。その際、たとえば、温度25℃、湿度50%が上限値だとすれば、温度28℃、湿度45%以上になれば、乾燥エアーを導入するなどの制御を行えば、ランニングコスト低減が可能となる。
他の水分量を減少させる手段としては、除湿機にて装置内の水分量を低減すればよい。この際、たとえば、温度28℃、湿度50%が上限値だとすれば、温度28℃、湿度45%以上になれば、除湿機が運転開始するなどの制御を行なえば、ランニングコスト低減が可能となる。
より、簡単な水分量を減少させる手段として、筐体51内に乾燥剤をいれ、湿度がある一定値以上になれば、筐体51内より警告音が発せられ、乾燥剤を交換するシステムを有していれば良い。乾燥剤としては、物理的吸着であるシリカゲル系乾燥剤、化学的吸着である塩化カルシウム系乾燥時剤、酸化マグネシウム系乾燥剤が使用できる。水分量が高い場合は、吸湿に優れた化学的吸着である乾燥剤を使用することが好ましい。
また、装置の筐体51内の湿度、温度または水分量が規定値以上である場合、装置内にて基板が待機し、規定値未満の温度・湿度または水分量になるまで測定を実行しない方が、装置の前のコンベヤー等で待機するより好ましい。
(実施の形態2)
(太陽電池パネル検査装置50Aおよび上流側装置52の構成)
図5に示すように、本実施の形態に使用する太陽電池パネル検査装置50A、および太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側に設置される上流側装置52の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50Aは、図2に示した、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4、および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有する太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
(太陽電池パネル検査装置50Aおよび上流側装置52の構成)
図5に示すように、本実施の形態に使用する太陽電池パネル検査装置50A、および太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側に設置される上流側装置52の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50Aは、図2に示した、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4、および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有する太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
この太陽電池パネル検査装置50Aは、筐体51Aと、少なくとも裏面電極層5に当接させるための第1端子31と、外周絶縁領域21の外周端近傍に当接させるための第2端子32と、第1端子31および第2端子32を上下方向および左右方向に起こす機構(図示せず)と、第1端子31および第2端子32の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部34と、電圧印加部34によって電圧を印加した第1端子31および第2端子32の間に流れる電流を検出する電流検出部35(たとえば、耐電圧・絶縁抵抗試験機)と、筐体51A内の水分量を管理する手段36(たとえば、温湿度センサー)と、太陽電池パネル100を搬送する手段39(たとえば、コンベヤー)とを備えている。
筐体51内部においては、検査対象となる太陽電池パネル100が収納された状態で、水分量を管理する手段36によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を管理することができ、水分量を減少させる手段37によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を減少させることができる。
電圧印加部34と電流を検出する電流検出部35は、一体型でも構わない。水分量を管理する手段36と、筐体51内の水分量を減少させる手段37も一体型のものでも構わない。また、水分量を管理する手段36は、必ずしも装置構成上なくても構わない。たとえば、水分量を減少させる手段37の動作が確認できることにより、筺体51内の水分量の減少が確認できる場合等が挙げられる。
また、図5に示す第1端子31および第2端子32とは別に、図3に示したような、第1端子31と第2端子32の間に第三の端子33(複数でも可能)があっても構わない。組合せにより、C1,C2,C3のそれぞれに電圧を印加することができる。ただし、第3端子33の数を多くしすぎると構造が複雑になってしまう。また、外周絶縁領域の幅に対して第3端子33と第1端子31の隙間、および第3端子33と第2端子32との間隙をうまく配置するためには、第3端子33の数をあまり多くしすぎると不都合である。このようなことを考慮すると、現実的には、上記1以上の第3端子33の数は、2以下であることが好ましい。
太陽電池パネル100Aの搬送方向からみて上流側直前に設置される上流側装置52(たとえば、搬送コンベヤー)の筐体53内には、筐体53内の水分量を管理する手段36A(たとえば、温湿度センサー)と、筐体53内の水分量を減少させる手段37A(たとえば、乾燥エアー、除湿機、乾燥剤)を備えている。また、筐体53内には、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを制御する制御部38Aと、太陽電池パネル100Aを搬送する手段39A(たとえば、コンベヤー)が収容されている。
水分量を減少させる手段37Aは、太陽電池パネル検査装置50Aの水分量を減少させる手段37と兼用でも構わない。太陽電池パネル検査装置50Aと上流側に設置される装置52とに対して、両方の筐体51A,53内の水分量を同時に管理し、水分量を減少させる手段をもつ構成としても構わない。また、より好ましくは、上流側装置52よりもさらに搬送方向の上流側に位置する、たとえば、太陽電池パネルの外周絶縁領域21を形成する装置の後流側から太陽電池パネル検査装置50Aの間にあるすべての搬送コンベヤーや、その他の装置にも、水分量を管理する機能および水分量を減少させる機能があれば良い。
(実施例1)
以下、図9から図17を参照して、本発明の光電変換装置の製造方法の一例として、実施の形態1における太陽電池パネル検査装置50を用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
以下、図9から図17を参照して、本発明の光電変換装置の製造方法の一例として、実施の形態1における太陽電池パネル検査装置50を用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
まず、図9の模式的断面図に示すように、透明絶縁基板2上に透明導電膜3である酸化錫を熱CVD法により形成する。透明導電膜3の形成方法としては、たとえば従来からスパッタリング法、蒸着法、またはイオンプレーティング法などを用いることができる。
ここで、透明絶縁基板2としては、ガラス基板(サイズ1000mm×1400mm、厚み4mm)を用いた。その他、たとえば、ポリイミド樹脂などの透明樹脂を含む樹脂基板、またはこれらの基板の複数を積層した基板などの光を透過させることができる透光性基板を用いることができる。
また、透明導電膜3としては、その他、たとえば、ITO(Indium Tin Oxide)膜、若しくはZnO(酸化亜鉛)膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに導電性である膜を用いることができる。透明導電膜3が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。
なお、ここでは、透明絶縁基板2に透明導電膜3を形成する工程から説明したが、予め透明導電膜3が形成された透明絶縁基板2を用いても良く、その場合には、製造方法に透明電極膜3の形成工程が含まれないことになる。
次に、図10の模式的断面図に示すように、透明導電膜3を分離する直線状の第1の分離溝11をYAGレーザ光の基本波を用いて形成した。なお、レーザスクライブ法による第1の分離溝11の形成に用いられるレーザ光としては、その他、たとえば、YVO4レーザ光の基本波やファイバーレーザなどを用いることができる。
次に、図11の模式的断面図に示すように、純水を用いて超音波洗浄を行なった後、第1の分離溝11が形成された透明導電膜2上に光電変換層4をプラズマCVD法を用いて形成した。
光電変換層4としては、半導体光電変換層を用いることができ、透明絶縁基板2側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル(第1光電変換層)と、トップセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したボトムセル(第2光電変換層)とを成膜した。
また、光電変換層4としては、その他、たとえば、透明絶縁基板2側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル(第1光電変換層)と、トップセル上に、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したミドルセル(第2光電変換層)と、ミドルセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したボトムセル(第3光電変換層)と、をたとえばプラズマCVD法により積層してもよい。なお、光電変換層の数をこれ以上とすることもできる。
第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、それぞれ、p型半導体層、i型半導体層、およびn型半導体層を含んでおり、各半導体層は、シリコン系半導体からなってもよい。
光電変換層に含まれる各半導体層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。たとえば、p型半導体層とi型半導体層を非晶質シリコンで形成し、n型半導体層を微結晶シリコンで形成してもよい。また、たとえば、p型半導体層とn型半導体層をシリコンカーバイドまたはシリコンゲルマニウムで形成し、i型半導体層をシリコンで形成してもよい。
また、p型、i型およびn型の各半導体層は、1層構造であっても複数層構造であってもよい。複数層構造である場合は、各層は、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。なお、本明細書において、「非晶質シリコン」は「水素化非晶質シリコン」を含む概念であり、「微結晶シリコン」は「水素化微結晶シリコン」を含む概念である。
次に、図12の模式的断面図に示すように、太陽電池基板20の光電変換層4を分離する直線状の第2の分離溝12をYAGレーザ光の第2高調波を用いて形成した。YVO4レーザ光の第2高調波などを用いても構わない。
次に、図13の模式的断面図に示すように、第2の分離溝12が形成された光電変換層4を覆うように裏面電極層5をスパッタリング法により、酸化亜鉛(ZnO)/Agを膜厚50nm/150nmで形成した。裏面電極層5の形成方法としては、その他、たとえば従来から公知の、蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いることができる。
ここで、裏面電極層5としては、その他、たとえばAg(銀)層、Al(アルミニウム)層、またはこれらの層の積層体などの導電性を有する層を用いることができる。また、裏面電極層4は、光電変換層4側の表面に、たとえば、SnO2膜、ITO膜、ZnO膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに、導電性である透明導電膜を有していることが薄膜太陽電池の変換効率を向上させる観点から好ましい。透明導電膜が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。
その後、図14の模式的断面図に示すように、光電変換層4および裏面電極層5を分離する直線状の第3の分離溝13をYAGレーザ光の第2高調波を用いて形成した。YVO4レーザ光の第2高調波などを用いても構わない。
この際、第3分離溝13の形成においては、透明電極層3へのダメージを抑え、かつ第3分離溝13の形成後の裏面電極層5のバリの発生を抑制することが可能な形成条件を選択することが好ましい。
次に、図15の模式的断面図に示すように、外周絶縁領域21をYAGレーザ光の基本波を用いて形成した。その他、YVO4レーザ光の基本波などを用いても構わない。その後、逆バイアス処理装置により、逆電圧を印加することにより、太陽電池セル内のリークを修復した。
次に、太陽電池パネル100の外周絶縁領域21の絶縁耐圧性を評価するために、実施の形態1に対応する太陽電池パネル検査装置50を用いて検査を行った。図6に示すように、太陽電池パネル検査装置50の第1端子31として円柱状のものを6本設けた。第2端子32は、検査対象となる太陽電池パネル100の外周に密接してこの外周を矩形状に取囲むように配置されている。第1端子31は、太陽電池パネル20の裏面電極層5の存在する領域の内側において、互いに対向する平行な2辺に沿う位置にそれぞれ配置されている。
図7に示すように、外周絶縁領域21の幅は12mmである。第1端子31と第2端子32との間には、6000Vの電圧を印加した。ここで、絶縁耐電圧特性とは、薄膜太陽電池の外周縁に取り付けられたフレームと薄膜太陽電池との間に所定の高電圧を印加しても、フレームと薄膜太陽電池との間で放電しない特性を意味する。
たとえば、日本工業規格(JIS)のC8991で定められた絶縁耐電圧試験によって所定の絶縁耐電圧性が得られているか調べることができる。システム電圧が1000Vの薄膜太陽電池モジュールの場合、国際規格では雷サージ耐圧6KVに対する絶縁耐電圧性が必要とされている。システム電圧1000Vの薄膜太陽電池である場合は6000Vの電圧を印加し、電流値が50μA未満であれば合格と判断する。
図8は、筐体50A内の水分量と、上述の条件化下において、太陽電池パネル100の絶縁耐電圧試験を行なった際の電流量との関係を示したグラフである。水分量は電流の流れる量の傾きが変化する14.3g/m3以下にすることが好ましく、より好ましくは電流量が増加する変化点である12.5g/m3以下で管理する。
筐体50A内が常に12.5g/m3になるように温度24℃の場合は湿度57.5%以下、温度25℃の場合は湿度54.5%以下、温度26℃の場合は湿度51.5%以下、温度27℃の場合は湿度48.5%以下、温度28℃の場合は湿度46%以下になるように、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを用いて制御部38Aにより管理し、太陽電池パネルが通常搬送している間、検査結果には異常なことになることは無かった。又、太陽電池パネル100を100枚抜き取り、1回目の測定結果と再測定の測定結果には差は見られなかった。次に、ソーラシミュレーター装置により、太陽電池パネル100の特性を測定した。
ここでは、筐体50A内部に検査対象となる太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)が収納された状態で、水分量を管理する手段36Aによりその太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)周囲の雰囲気の水分量を管理し、水分量を減少させる手段37Aによりその太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)周囲の雰囲気の水分量を減少させることになる。
次に、図16の模式的断面図に示すように、裏面電極層5の表面上にそれぞれ、銀ペーストなどの導電性ペースト6を介して電流取り出し用電極7を形成した。その後、図17の模式的断面図に示すように、電極7の形成後の裏面電極層5の表面上に、上記の積層体の裏面側に透明なEVA(エチレンビニルアセテート)からなる透明接着材8を設置し、その後、PET(ポリエステル)/アルミニウム/PETの積層フィルムからなる裏面封止材9設置した後に、真空ラミネート装置によって、裏面封止材9と透明絶縁基板2とを接着した。
その後、太陽電池パネル100の裏面封止材9に端子ボックス(図示省略)を接着し、端子ボックス内をシリコーン樹脂で充填し、アルミニウムフレーム(図示省略)を取り付けることによって、太陽電池パネル100を用いた薄膜太陽電池100Aを完成させた。
上記のようにして作製した薄膜太陽電池100Aについては、上記の太陽電池パネル100の外周絶縁領域21に対応する箇所にアルミニウムフレームを取り付けた後に、アルミニウムフレームと薄膜太陽電池100Aの電極7との間に6000Vを印加し、絶縁耐電圧の最終試験を行った。その結果、全てのセルが合格となった。
(実施例2)
実施の形態2における太陽電池パネル検査装置50Aを用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。説明は実施例1と異なる点のみ説明する。太陽電池パネル検査装置50Aの太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側にコンベヤーを有する上流側装置52を設け、この上流側装置52の筐体53の内部にも、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを設けた。
実施の形態2における太陽電池パネル検査装置50Aを用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。説明は実施例1と異なる点のみ説明する。太陽電池パネル検査装置50Aの太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側にコンベヤーを有する上流側装置52を設け、この上流側装置52の筐体53の内部にも、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを設けた。
上流側装置52に水分量を減少させる手段37Aを設けない場合では、太陽電池パネル検査装置50Aの後の工程にてトラブルが起き、太陽電池パネル100の搬送が滞留し、搬送ラインが停止した際に、検査が正確にできないことがあり、その原因として以下のことが考えられる。
太陽電池パネル検査装置50Aよりも前の工程において、水分量が高い場合には、太陽電池パネル100の外周絶縁領域21上に水分が吸着した場合、太陽電池パネル検査装置50Aの測定値に影響を与えた。おそらく、外周絶縁領域21上に吸着した水分が、除去されるまでに時間がかかるために、太陽電池パネル検査装置50A内だけでの水分量の管理では不十分であるためだと考えられる。
一方、上流側装置52の筐体53の内部にも、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを設けることで、太陽電池パネル検査装置50Aの上流側に位置する上流側装置52の水分量を管理することにより、トラブル発生時でも測定を正確に行なうことができた。
なお、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
2 透明絶縁基板、2u 主表面、3 透明電極層、4 半導体光電変換層、5 裏面電極層、6 導電性ペースト、7 電流取り出し用電極、8 透明接着材、9 裏面封止材、21 外周絶縁領域、31 第1端子、32 第2端子、33 第3端子、34 電圧印加部、35 電流検出部、36,36A 水分量を管理する手段、37,37A 水分量を減少させる手段、38,38A 制御部、39,39A 搬送する手段、50 太陽電池パネル検査装置、50A 太陽電池パネル検査装置、51 筐体、52 上流側装置、100 太陽電池パネル、100A 薄膜太陽電池。
Claims (12)
- 透明絶縁基板(2)の主表面に順次積層された透明電極層(3)、光電変換層(4)、および裏面電極層(5)を含み、前記透明絶縁基板(2)の外周近傍に前記透明絶縁基板(2)の前記主表面が露出する外周絶縁領域(21)を有する太陽電池パネル(100)に対して、前記外周絶縁領域(21)の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査装置であって、
検査対象の前記太陽電池パネル(100)を収容する筐体(51)と、
前記裏面電極層(5)に当接させるための第1端子(31)と、
前記外周絶縁領域(21)の外周端近傍に当接させるための第2端子(32)と、を有し、
前記第1端子(31)と前記第2端子(32)との端子間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部(34)と、
前記電圧印加部(34)によって電圧を印加した前記第1端子(31)と前記第2端子(32)との間に流れる電流を検出する電流検出部(35)と、
前記筐体(51)内の水分量を減少させる手段(37)と、
を備える、太陽電池パネル検査装置。 - 前記水分量を減少させる手段(37)として、乾燥エアーを使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記水分量を減少させる手段(37)として、除湿機を使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記水分量を減少させる手段(37)として、乾燥剤を使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記筐体(51)内の水分量を管理する手段(36)をさらに備える、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記水分量を管理する手段(36)として、前記筐体(51)内の温度と湿度とを管理する、請求項5に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記水分量を管理する手段(36)として、前記筐体(51)内の最高温度時の湿度を管理する、請求項5に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 前記水分量が14.3g/m3以下で管理する、請求項5に記載の太陽電池パネル検査装置。
- 透明絶縁基板(2)の主表面(2u)に順次積層された透明電極層(3)、光電変換層(4)、および裏面電極層(5)を含み、前記透明絶縁基板(2)の外周近傍に前記透明絶縁基板(2)の前記主表面(2u)が露出する外周絶縁領域(21)を有する太陽電池パネル(100)に対して、前記外周絶縁領域(21)の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査方法であって、
検査対象の前記太陽電池パネル(100)周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、
該水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層(5)と前記外周絶縁領域(21)の外周端近傍との間に流れる電流を検出する工程と、を含む太陽電池パネルの検査方法。 - 透明絶縁基板(2)の主表面(2u)に順次積層された透明電極層(3)、光電変換層(4)、および裏面電極層(5)を含み、前記透明絶縁基板(2)の外周近傍に前記透明絶縁基板(2)の前記主表面(2u)が露出する外周絶縁領域(21)を有する太陽電池パネル(100)に対して、前記外周絶縁領域(21)の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査方法を用いて製造された太陽電池パネルであって、
前記太陽電池パネルの検査方法は、
検査対象の前記太陽電池パネル(100)周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、
該水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層(5)と前記外周絶縁領域(21)の外周端近傍との間に流れる電流を検出する工程と、を含む太陽電池パネル。 - 透明絶縁基板(2)に設けられた透明電極層(3)に、光電変換層(4)および裏面電極層(5)を積層する工程と、
前記透明絶縁基板(2)の外周近傍に積層された前記透明電極層(3)、前記光電変換層(4)および前記裏面電極層(5)を除去して、外周絶縁領域(21)を形成する工程と、
前記透明絶縁基板(2)周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、
該水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層(5)と前記外周絶縁領域(21)の外周端近傍との間に流れる電流を検出して、前記外周絶縁領域(21)の絶縁性能を検査する工程と、を含む太陽電池パネルの製造方法。 - 太陽電池パネルの製造方法を用いて製造された太陽電池パネルであって、
前記太陽電池パネルの製造方法は、
透明絶縁基板(2)に設けられた透明電極層(3)に、光電変換層(4)および裏面電極層(5)を積層する工程と、
前記透明絶縁基板(2)の外周近傍に積層された前記透明電極層(3)、前記光電変換層(4)および前記裏面電極層(5)を除去して、外周絶縁領域(21)を形成する工程と、
前記透明絶縁基板(2)周囲の雰囲気の水分量を減少させる工程と、
該水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層(5)と前記外周絶縁領域(21)の外周端近傍との間に流れる電流を検出して、前記外周絶縁領域(21)の絶縁性能を検査する工程と、を含む太陽電池パネル。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/638,092 US20130019942A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-29 | Solar cell panel inspection device, method for inspecting solar cell panel, method for manufacturing solar cell panel, and solar cell panel |
EP11765551A EP2555249A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-29 | Solar panel inspection device, solar panel inspection method, solar panel manufacturing method, and solar panel |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010082942A JP5367630B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法 |
JP2010-082942 | 2010-03-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011125651A1 true WO2011125651A1 (ja) | 2011-10-13 |
Family
ID=44762598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/057814 WO2011125651A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-29 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130019942A1 (ja) |
EP (1) | EP2555249A1 (ja) |
JP (1) | JP5367630B2 (ja) |
WO (1) | WO2011125651A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102721908A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 具有识别功能的绝缘测试机 |
CN102788940A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-11-21 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 输送宽度可调的绝缘测试机 |
CN102788938A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-11-21 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 显示屏可转动的绝缘测试机 |
CN103018643A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-03 | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 | 用于太阳能光伏组件的绝缘耐压自动测试装置 |
CN103063682A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-24 | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 | 太阳能电池组件用冷红外自动测试仪 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9825585B2 (en) * | 2013-12-03 | 2017-11-21 | Lg Electronics Inc. | Solar cell measuring apparatus |
JP6779668B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-11-04 | ソーラーフロンティア株式会社 | 絶縁検査装置 |
CN106026914B (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-26 | 宁夏银星能源光伏发电设备制造有限公司 | 一种通用型多栅线电池片测试装置 |
DE112018006853T5 (de) * | 2018-01-15 | 2020-10-08 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Messanordnung zur sequentiellen Charakterisierung von Solarzellen eines Solarmoduls und Verfahren zur sequentiellen Charakterisierung von Solarzellen eines Solarmoduls mit dieser Messanordnung |
JP7273786B2 (ja) * | 2020-12-28 | 2023-05-15 | プライムプラネットエナジー&ソリューションズ株式会社 | フィルム型電池の検査装置および製造方法 |
IT202200024621A1 (it) * | 2022-11-29 | 2024-05-29 | Ecoprogetti S R L | Apparato simulatore solare |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200865A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Shibafu Engineering Kk | 絶縁基板及び半導体装置 |
JP2008109041A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2009107517A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010082942A patent/JP5367630B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-29 WO PCT/JP2011/057814 patent/WO2011125651A1/ja active Application Filing
- 2011-03-29 EP EP11765551A patent/EP2555249A1/en not_active Withdrawn
- 2011-03-29 US US13/638,092 patent/US20130019942A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200865A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Shibafu Engineering Kk | 絶縁基板及び半導体装置 |
JP2008109041A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2009107517A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
"Japanese Industrial Standard, JIS C 2110-1", KOTAI DENKI ZETSUEN ZAIRYO -ZETSUEN HAKAI NO TSUYOSA NO SHIKEN HOHO- DAI 1 BU: SHOYO SHUHASU KORYU DEN'ATSU INKA NI YORU SHIKEN, 20 January 2010 (2010-01-20), pages 1007 - 1021, XP008161689 * |
"Japanese Industrial Standard, JIS C 2110-2", KOTAI DENKI ZETSUEN ZAIRYO -ZETSUEN HAKAI NO TSUYOSA NO SHIKEN HOHO- DAI 2 BU: CHOKURYU DEN'ATSU INKA NI YORU SHIKEN, 20 January 2010 (2010-01-20), pages 1022 - 1029, XP008161690 * |
"Japanese Industrial Standard, JIS C 2139", KOTAI DENKI ZETSUEN ZAIRYO -TAISEKI TEIKORITSU OYOBI HYOMEN TEIKORITSU NO SOKUTEI HOHO, 20 February 2008 (2008-02-20), pages 7, XP008161691 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102721908A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 具有识别功能的绝缘测试机 |
CN102788940A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-11-21 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 输送宽度可调的绝缘测试机 |
CN102788938A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-11-21 | 苏州晟成新能源科技有限公司 | 显示屏可转动的绝缘测试机 |
CN103018643A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-03 | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 | 用于太阳能光伏组件的绝缘耐压自动测试装置 |
CN103063682A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-24 | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 | 太阳能电池组件用冷红外自动测试仪 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5367630B2 (ja) | 2013-12-11 |
JP2011216645A (ja) | 2011-10-27 |
US20130019942A1 (en) | 2013-01-24 |
EP2555249A1 (en) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5367630B2 (ja) | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法 | |
US6175075B1 (en) | Solar cell module excelling in reliability | |
US7906365B2 (en) | Method of manufacturing solar cell panel | |
WO2009107517A1 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
EP2393120A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing solar cell | |
US20090308428A1 (en) | Solar panel and method of manufacturing solar panel | |
Xiong et al. | PV module durability testing under high voltage biased damp heat conditions | |
WO2008026581A1 (fr) | Module de pile solaire | |
CN104467659A (zh) | 一种可定位光伏阵列异常装置以及光伏组件结构 | |
JP2013120842A (ja) | 光電変換装置の検査方法及び検査装置 | |
Arriaga Arruti et al. | Potential‐induced degradation in bifacial silicon heterojunction solar modules: Insights and mitigation strategies | |
JP2007141967A (ja) | 光起電力素子、光起電力モジュールおよび光起電力素子の製造方法 | |
JP2010092893A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
CN103035766A (zh) | 一种耐酸腐蚀的薄膜太阳能电池组件 | |
JP2012089789A (ja) | 太陽電池アレイの検査装置及びこれを用いた検査方法 | |
CN116435396A (zh) | 光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件 | |
Westin et al. | Damp heat degradation of CIGS-based PV modules | |
JP2011181826A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
WO2012121039A1 (ja) | 薄膜太陽電池の検査装置、薄膜太陽電池の検査方法、薄膜太陽電池の製造方法、および薄膜太陽電池の製造システム | |
US20230275169A1 (en) | Solar cell module and manufacturing method thereof | |
JP2009071192A (ja) | 光電変換装置、及びその製造方法 | |
US20100193007A1 (en) | Thin Film Solar Cell Module And Method For Repairing The Same | |
JP4986087B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
CN103270426B (zh) | 薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池 | |
Segbefia | Solar cell degradation: the role of moisture ingress |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11765551 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13638092 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2011765551 Country of ref document: EP |