WO2010023168A1 - Duplexer und verfahren zum erhöhen der isolation zwischen zwei filtern - Google Patents
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Definitions
- the invention relates to a duplexer, wherein in the transmission path, a transmission signal from a transmission amplifier to the antenna and in the reception path, a reception signal from the antenna is guided to a reception amplifier.
- a transmission signal from a transmission amplifier to the antenna
- a reception signal from the antenna is guided to a reception amplifier.
- different frequency ranges are used for the transmission signal and the reception signal. So that the transmission signal does not disturb the much weaker received signal, a reception filter is provided in the reception path, which transmits the received signal and strongly suppresses the transmission signal.
- an isolation of 50 dB to 60 dB between the receive path and the transmit path is required in the transmit frequency band.
- the isolation in the transmission frequency range is determined by the selection of the reception filter, which is usually designed as a bandpass filter. If the receiving frequency range is above the transmission frequency range, the selection is predetermined by the steepness of the lower receiving filter edges. For a given receive filter bandwidth and the required impedance matching, however, the selection can not be increased arbitrarily due to the design. With the help of inductors one can achieve an improvement of the isolation of approx. 10 dB by pole shifting. However, this method can only be used to a limited extent in the case of duplexers with a short distance between the transmitting and receiving frequency bands of only approximately 20 MHz and at transmitting and receiving frequencies of approximately 1.9 GHz, since the lower receiving filter edge is offset. becomes flat. Furthermore, the inductance values have fluctuations which reduce the transmission range isolation which is specified as typical.
- the object of the invention is therefore to increase the isolation between the transmit and receive paths at transmission frequencies.
- the invention achieves this object by means of a duplexer which comprises an antenna connection, a transmission amplifier connection and a reception amplifier connection.
- the transmit amplifier port is coupled to the antenna port via a transmit filter and the receive amplifier port is coupled to a receive filter.
- the receive filter is coupled to the antenna connector via a band-stop filter. The band-stop filter separates the transmit path from the receive path, increasing the isolation of the duplexer.
- the transmission filter has a passband, while the band-stop filter has a blocking region in the passband of the transmission filter. Since the stopband of the bandstop filter is in the passband of the transmission filter, the isolation in the transmission frequency range is increased.
- the transmission filter comprises at least one resonator and the band-stop filter comprises at least one same resonator as the transmission filter.
- the term "equal resonators" in the application refers to resonators which have the same resonant frequencies and the same layer structure with regard to materials and layer thicknesses, but they can have different areas and thus have different static capacitances can simplify the design effort and the production of the duplexer.
- the transmission filter and the band-stop filter comprise ladder structures which have series resonators or parallel resonators. By means of ladder structures connected in series, the desired transmission properties of the transmission filter and the band-stop filter can be synthesized.
- At least one parallel resonator of the transmission filter has a resonance frequency which is lower than the resonance frequencies of the series resonators. Due to the different resonance frequencies, the bandwidth of the transmission filter and the band-stop filter can be set.
- At least one series resonator of the band-stop filter is the same resonator as a parallel resonator of the transmission filter.
- the same manufacturing process used for the parallel resonator of the transmit filter can thus also be used for the series resonator of the band-stop filter.
- the antiresonance of the parallel resonator is now in series with the receive filter and increases the isolation.
- At least one parallel resonator of the band-stop filter is the same resonator as a series resonator of the transmission filter.
- both the parallel resonator of the band-stop filter and the series resonator of the transmission filter can be realized in a single process.
- the band-stop filter receives a transfer function, which is virtually inverse to the passband of the transmission filter.
- the resonance frequency of at least one series resonator of the band-stop filter differs from the resonance frequencies of the other series resonators of the band-stop filter.
- the resonance frequency of at least one parallel resonator of the band-stop filter differs from the resonance frequencies of the other parallel resonators of the band-stop filter. Due to the different resonance frequencies of the parallel and series resonators, additional degrees of freedom are available with which the duplexer can be optimized with regard to the adaptation and the transfer function and the insulation.
- the resonators whose resonant frequencies differ from the other resonators have an additional mass coating which changes the resonant frequency and which is not present in the other resonators, or not to the same extent. If the additional mass coating can be applied by simple means, it represents a possibility of influencing the resonance frequency without great effort and without complicated process steps.
- the additional mass coating is a titanium layer, an aluminum layer, a molybdenum layer, an iridium layer, a ruthenium layer, a silicon nitride layer, an aluminum nitride layer, a zinc oxide layer, a lead zirconate titanate (PZT) layer, a barium strontium layer.
- Titanat (BST) layer or a layer of another material, which is applied above or below a piezoelectric layer of the resonator, or thickening the piezoelectric layer.
- the resonators of the transmission filter and the resonators of the band-stop filter are BAW resonators and are arranged on the same substrate.
- the resonators of the transmission filter and the band-stop filter can - if they are the same as defined above - be made with the same process, which reduces the number of process steps.
- the resonators of the reception filter and the resonators of the band-stop filter are BAW resonators and are arranged on the same substrate.
- the resonators of the transmission filter, the resonators of the reception filter and the resonators of the band-stop filter are BAW resonators and are arranged on the same substrate.
- the reception filter comprises at least one SAW resonator.
- SAW resonators allow balanced-unbalanced control of the filters. With the SAW technology, very different frequencies can be realized on a substrate.
- the transmission filter and the band-stop filter comprise SAW resonators instead of BAW resonators, and the SAW resonators of the reception filter, the transmission filter and the band-stop filter are constructed on a common substrate.
- SAW resonators with different resonant frequencies can be fabricated together using the same process, which simplifies the manufacture of the duplexer.
- GBAW resonators are used instead of BAW resonators.
- GBAW Guided Bulk Acoustic Waves
- the resonant frequency of a GBAW resonator results, firstly, as in the case of the SAW resonator, from the period of the finger arrangement and, secondly, as in the case of the BAW resonator, from the layer structure.
- the methods for frequency reduction in BAW resonators can also be applied to GBAW resonators.
- a duplexer comprises both BAW and GBAW resonators and is thus designed as a hybrid duplexer.
- the receive filter may include at least one GBAW resonator.
- the transmit filter and the bandstop filter may comprise GBAW resonators, wherein all the GBAW resonators of the receive filter, the transmit filter and the bandstop filter may be constructed on a common substrate.
- At least one of the resonators of the band-stop filter has a first resonant frequency and a first static capacitance. It comprises a number N of resonators, the number N being greater than or equal to two, the N resonators each having a static capacitance N times greater than the first static capacitance, the N resonators connected in series with each other, and at least one of the N resonators, the resonance frequency deviates by up to 3% from the first resonance frequency.
- the multiplication of the resonator results in additional degrees of freedom for the filter design by creating multiple poles due to the frequency deviation.
- At least one of the resonators of the band-stop filter has a first resonant frequency and a first static capacitance. It comprises a number N of resonators, the number N being greater than or equal to two, the N resonators each having a static capacitance N times smaller than the first static capacitance, the N resonators connected in parallel with each other and at least one of N resonators, the resonance frequency deviates by up to 3% from the first resonant frequency.
- the multiplication of the resonator results in further degrees of freedom for the filter design in that multiple poles are generated by the frequency deviation.
- the duplexer further comprises at least one matching circuit, which is designed so that upon receipt of a received signal of the transmission filter from the viewpoint of the reception filter is idle and reflections between the reception filter and the antenna terminal are minimized, and when sending a transmission signal of the reception filter from view the transmission filter is idle and reflections between the transmission filter and the antenna port are minimized.
- the transmit filter, the receive filter and the bandstop filter must be matched to each other and to the antenna connector so that power can be transferred between the connectors with minimal loss and with the necessary isolation.
- the band-stop filter has a first connection and a second connection, the first connection being connected to the antenna connection and the transmission filter. is the and the second port is connected to the receive filter.
- the matching circuit comprises a first inductance and a second inductance, wherein the first inductance connects the first terminal to ground and the second inductance connects the second terminal to ground.
- the first inductance allows the transmission filter to be matched, while the first inductor together with the second inductance and the static capacitance of the band-stop filter form a PI matching network for the reception filter.
- the band-stop filter comprises a first series resonator, which is connected to the first terminal.
- the transmission properties can be specifically influenced to the receive filter.
- the first series resonator has an anti-resonance, which lies in the passband of the transmission filter.
- the first series resonator has a high impedance, so that at frequencies in the passband of the transmission filter, a high isolation to the reception filter arises.
- the band-stop filter further comprises at least one parallel resonator, wherein a first terminal of the at least one parallel resonator is connected to ground and the other terminal of the at least one parallel resonator is connected to the second terminal and the first series resonator.
- the parallel resonator can be used to set the bandwidth of the band-stop filter.
- At least one of the first terminals of the at least one parallel resonator is not direct, but rather via an inductance or capacitance or a combination of an inductance and a capacitance connected to ground.
- the additional inductors allow further degrees of freedom in the adaptation of the duplexer.
- the first series resonator has an antiresonance in the region of the lower passband edge of the transmit filter and the parallel resonator has a resonant frequency which lies in the region of the center of the passband of the transmit filter. Since the antiresonance is in the range of the lower passband edge of the transmit filter, the resonant frequency of the series resonator is below the lower transmit filter passband edge and does not affect it.
- the resonance of the parallel resonator in the middle of the passband of the transmission filter ensures that transmission frequencies are dissipated to ground, thus increasing the isolation.
- the first series resonator is the same as a parallel resonator of the transmit filter, but has an additional ground pad, which reduces the resonant frequency of the first series resonator with respect to the resonant frequency of the parallel resonator, and the parallel resonator, which is connected to the second terminal, is the same like a series resonator of the transmission filter. Since only two resonant frequencies are usually available on a chip in the manufacture of resonators in BAW technology, the use of the same resonators is advantageous both for the band-stop filter and for the transmission filter. By reducing the resonant frequency with an additional ground pad, you get more degrees of freedom in the design.
- the mass coating can be formed as already mentioned above.
- the band-stop filter comprises a first terminal and a second terminal, and two, via a Connection nodes series-connected series resonators, one of which is connected to the first terminal and the other to the second terminal.
- the first port is connected to the transmit filter and the second port is connected to the receive filter.
- the matching circuit comprises a first inductance and a second inductance, wherein the first inductance connects the first terminal to the antenna terminal and the second inductance connects the connection node to ground.
- the first inductor provides the necessary inductive nature at the antenna port, while the second inductor, along with the capacitances of the series resonators, forms a T-network for matching the receive filter.
- the first connection is not connected to the transmission filter, but to the antenna connection and the first inductance is not connected to the antenna connection but to the transmission filter. In this way it is possible to make the adaptation of the transmission filter independent of the adaptation of the reception filter.
- the series resonator connected to the first terminal has an antiresonance in the region of the lower passband of the transmit filter and the series resonator connected to the second terminal has an antiresonance frequency which lies in the region of the center of the passband of the transmit filter.
- the series resonator which is connected to the first terminal the same as a parallel resonator of the transmission filter, but has an additional Ground pad, which reduces the resonant frequency of the series resonator with respect to the resonant frequency of the parallel resonator
- the series resonator, which is connected to the second terminal is the same as a parallel resonator without additional mass coating of the transmission filter. Lowering the resonant frequency will cause it to no longer be directly adjacent to the lower transmit filter passband side, thereby not affecting it.
- Using the same resonators for the bandstop filter and the transmit filter makes it possible to produce these with the same process steps.
- the first series resonator has an anti-resonance, but has no resonance. For isolation, it is sufficient if the first series resonator has a very high impedance at the antiresonant frequency.
- At least one parallel resonator has a resonance, but has no antiresonance. About the resonance, the resonators conduct well. For isolation, it suffices if a parallel resonator has a low impedance at resonance.
- the transmission filter comprises a series resonator, via which it is connected to the first connection. Due to the series resonator, the transmission filter behaves at the antenna port in the receiving frequency range as an idle, if it has an anti-resonance in this frequency range.
- the matching circuit further comprises an inductance which connects the transmission filter to the transmission amplifier connection and an inductance which connects the reception filter to the reception amplifier connection.
- the- Ductivities are used to adapt the transmission filter and the reception filter to the respective connections.
- further connections are provided which are coupled to the antenna connection via respective filters and bandstop filters, the blocking regions of the respective bandstop filters being in the passband of the transmission filter.
- the band-stop filters allow a high isolation between several signal paths.
- the invention further provides a method for increasing the isolation between a first bandpass filter and at least one second bandpass filter, wherein the first bandpass filter and the at least one second bandpass filter are coupled to a common node.
- the at least one second bandpass filter is coupled to the common node via a respective bandstop filter, the respective bandstop filters blocking in a passband of the first bandpass filter.
- the filter function of the first bandpass filter and the bandstop filters are each realized by at least one same resonator.
- the resonators of the first bandpass filter and the resonators of the at least one bandstop filter are realized on the same substrate.
- the same resonators are realized with the same process steps.
- the resonance frequency of at least one resonator of the band-stop filters is lowered relative to the resonance frequency of the same resonator of the first band-pass filter.
- the resonance frequency is lowered by an additional mass coating mounted on the resonator.
- the resonators of the band-stop filters and of the first bandpass filter are BAW resonators.
- the resonators of the band-stop filters are SAW resonators.
- the resonators of the band-stop filters are GBAW resonators.
- the first bandpass filter, the at least one second bandpass filter and an antenna coupled to the common node are matched to each other in impedance such that, at frequencies lying in the passband of the first bandpass filter, the reflection of power between the first bandpass filter and the first bandpass filter Antenna is minimized, and the at least one second band-pass filter represents an open-circuit from the viewpoint of the first band-pass filter, and at frequencies which respectively lie in the pass-bands of the at least one second band-pass filter, the reflection of power between each second bandpass filter and the antenna ne is minimized, and the first bandpass filter in each case from the view of the respective second bandpass filter is an idle.
- the static capacitance of at least one resonator of the band-stop filters is varied for the adaptation.
- At least one of the resonators of the band-stop filters has a first resonant frequency and a first static capacitance and is realized by at least a number N of resonators, the number N of the resonators being greater than or equal to two, the N resonators each having a static capacitance, which is N times larger than the first static capacitance, the N resonators are connected to each other in series, and at least in one of the resonators, the resonance frequency deviates by up to 3% from the first resonant frequency.
- At least one of the resonators of the band-stop filters has a first resonant frequency and a first static capacitance and is realized by at least a number N of resonators, the number N of the resonators being greater than or equal to two, the N resonators each having a static capacitance, which is N times smaller than the first static capacitance, the N resonators are connected in parallel with each other, and at least in one of the resonators, the resonance frequency deviates by up to 3% from the first resonance frequency.
- the resonators of the band-stop filters are SAW resonators.
- FIG. 1 shows an embodiment of a duplexer
- FIG. 2 shows exemplary transfer functions between antenna connection and transmission amplifier connection, and between antenna connection and reception filter or reception filter with band-stop filter,
- FIG. 3 shows exemplary isolation characteristics between the transmitter amplifier connection and the receiver amplifier connection
- FIG. 4 shows exemplary embodiments of ladder structures with series resonators and parallel resonators
- FIG. 5 shows exemplary embodiments of a transmit filter, a bandstop filter and a receive filter
- FIG. 6 shows exemplary embodiments in which resonators of a plurality of resonators comprise
- FIG. 11 shows an exemplary embodiment of a multiband duplexer with a plurality of bandstop filters and bandpass filters.
- FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a duplexer D with a transmission amplifier connection PA, a reception amplifier connection LNA and an antenna connection ANT.
- the transmission amplifier terminal PA is coupled to a transmission filter TX, the reception amplifier connection LNA to a reception filter RX.
- Two matching circuits M1 and M2 are provided, via which the transmission filter TX and the reception filter RX are impedance-matched to the antenna connection ANT so that no power is reflected when transmitting a transmission signal to the antenna and when receiving a reception signal through the antenna.
- the matching circuits M1 and M2 are designed in such a way that the receiving filter RX represents an open circuit at transmission frequencies from the viewpoint of the transmission filter TX and the transmission filter TX also represents an idling at reception frequencies from the point of view of the reception filter RX.
- the band-stop BS which lies in the received signal path, increases the isolation between the transmit and receive paths.
- Such a duplexer D can, for. B. when operating in WCDMA band II for simultaneous transmission and reception of signals are used.
- FIG. 2 and FIG. 3 show exemplary transfer functions, with and without band-stop filter BS, between the antenna terminal ANT, the transmitter amplifier terminal PA and the receiver amplifier terminal LNA.
- the curve T in FIG. 2 shows the transfer function between the transmission amplifier connection PA and the antenna connection ANT.
- the curve RB shows the transfer function between the receiving amplifier terminal LNA and the antenna terminal ANT.
- the curve R shows the transfer function between the receive amplifier terminal LNA and the antenna terminal ANT, but for comparison purposes without band-stop BS.
- the transfer functions shown are already adjusted.
- the passband TP of the transmission signals lies between 1850 and 1910 MHz and is 60 MHz wide.
- the reception band which is also 60 MHz wide and lies between 1930 and 1990 MHz.
- Send and Receive band thus have a distance of only 20 MHz.
- the transfer functions R and RB As the comparison between the transfer functions R and RB shows, a better suppression of transmission signals by the band-stop filter BS takes place in the transmission frequency range than without a band-stop filter. Furthermore, the transfer functions R and RB in the receiving frequency range are almost completely superimposed, which shows that the band-stop filter BS only slightly influences the transfer function. It is also important that the steepness of the left passband edge of the receive filter RX remains unchanged.
- the design of the bandpass lock BS is additionally independent of that of the transmit filter TX and the receive filter RX. It thus represents a new functional element with which the filter design can be simplified by further degrees of freedom.
- FIG. 3 shows the isolation between the transmission amplifier connection PA and the reception amplifier connection LNA.
- the curve I shows the isolation without band-stop filter BS, while the curve IB shows the isolation with the band-stop filter BS. In the transmission frequency range, an improvement in isolation is seen from 40 dB to 60 dB.
- FIGS. 4A to 4E show exemplary embodiments of ladder structures which can be used to construct the transmission filter TX, the band-stop filter BS and the reception filter RX.
- a series resonator S is shown in FIG. 4A, a parallel resonator P in FIG. 4B.
- FIGS. 4C and 4D show a combination of series resonators S and parallel resonators P.
- FIG. 4E shows a T arrangement with two series resonators S1 and S2 and a parallel resonator P.
- the Ladder füren can in a chain circuit with each other be interconnected in order to obtain multi-stage ladder structures. The number of stages as well as the selection of the ladder structures themselves are determined by the requirements for the filter steepness, filter bandwidth and insertion loss.
- the ladder structures shown in FIG. 4 are "single-ended-single-ended".
- An extension for the "balanced-balanced” case is done by mirroring the existing filter part on the ground rail and eliminating access to the original ground node.
- Lattice structures are also possible for the "balanced-balanced” case.
- the resonators of the ladder structures in FIG. 4 can be resonators that can be described using a Butterworth-van Dyke model. These are z.
- FIG. 5 shows exemplary embodiments of the transmission filter TX, the band-stop filter BS and the reception filter RX.
- the transmission filter TX consists of a chain circuit of two ladder structures according to FIG. 4C and a ladder structure according to FIG. 4A. It comprises the series resonators ST1, ST2, ST3 and the parallel resonators PT1, PT2.
- the band-stop filter BS is designed in one stage and has the ladder structure shown in FIG. 4C. It comprises the series resonator SB1 and the parallel resonator PB1.
- the reception filter RX consists of a chain circuit of two ladder structures according to FIG. 4D and a ladder structure according to FIG. 4B.
- the inductance L12 shifts the resonant frequency of PBl.
- the parallel resonators and series resonators are bulk acoustic wave (BAW) resonators.
- BAW resonators have better electrical properties than surface acoustic wave (SAW) resonators with the same dimensions. They consist essentially of a piezoelectric layer, which is arranged between two electrodes and oscillate together at a resonant frequency.
- SAW surface acoustic wave
- the frequency of the antiresonance is above the frequency of the resonance.
- the resonators may be GBAW resonators.
- the parallel resonators have a lower resonance frequency than the series resonators.
- the series resonators form by their antiresonance the upper edge of the passband of the transmit filter and the receive filter, while the parallel resonators divert to ground and their resonance form the lower edge. Due to the differences in the frequencies, the bandwidth can be adjusted.
- the band-stop filter BS is integrated together with the transmission filter TX on the same substrate CT.
- the resonators of the band-stop filter BS are manufactured with the same manufacturing steps as the resonators of the transmission filter TX.
- the band-stop filter and the transmission filter thus have the same resonators. In this way, no additional substrate for the band-stop filter BS is required and it eliminates additional process steps.
- the parallel resonator PB1 of the band-stop filter BS is therefore the same resonator as the series resonators ST1, ST2 or ST3 of the transmission filter TX and conducts at the same resonant frequency over the productivity L12 to ground GND.
- the series resonator SB1 of the band-stop filter BS is the same resonator as a parallel resonator PT1, PT2 of the transmission filter TX.
- band-stop filter BS is integrated in FIG. 5 together with the transmission filter TX on a substrate CT, which results in considerable advantages in the production, the band-stop filter BS can also be produced externally or integrated in the housing by its own components.
- the resonators SB1, PB1 of the band-stop filter BS could also be realized on the substrate CR of the reception filter RX.
- this requires a more complex BAW production process, which makes it possible to produce a third and optionally further resonator types with different resonance frequencies on a single chip.
- the transmission filter begins with a serial resonator, or between the band-stop filter BS and the first parallel resonator PRL of the transmission filter, a series resonator SR is arranged.
- the bandpass BS shown in Figure 5, however, is constructed with acoustic components, which are on the one hand frequency trimmed and on the other hand are very temperature stable at about -20 ppm / K in the case of BAW resonators. The typical insulation can thus be specified with lower deductions, which can reduce demands on the manufacturing process or increase the yield in the same manufacturing process.
- the resonators of the reception filter RX can also be manufactured with SAW resonators instead of BAW resonators.
- SAW resonators have the advantage that they additionally offer an adaptation from "single-ended” to "balanced” and may have better electrical properties.
- the combination of SAW and BAW technology forms a hybrid duplexer.
- the transmission filter TX, the band-stop filter BS and the reception filter RX with SAW resonators.
- the SAW elements can be realized on a single substrate, since in SAW manufacturing technology resonators with different resonance frequencies can be realized without much effort by z.
- suitable finger periods of the interdigital transducer (IDT) can be selected.
- band-stop filter BS is integrated in FIG. 5 together with the transmission filter TX on a substrate CT, which results in considerable advantages in the production, the band-stop filter BS can also be produced externally or integrated in the housing by its own components.
- FIG. 6 shows exemplary embodiments in which a resonator comprises a plurality of resonators, resulting in further degrees of freedom for the duplexer design.
- the series resonator S in FIGS. 6A and 6B is replaced by the series resonators S1 and S2.
- FIG. 6C shows the replacement of the parallel resonator P from FIG. 4C by the parallel resonators P1 and P2.
- the resonators S, P have been replaced by the series resonators S1, S2 and the parallel resonators P1 and P2 in FIG. 6D.
- the replacing resonators In order for the replacing resonators to have the same static capacitance C0 as the original resonators S, P, they must have twice the capacitance, ie twice the area, when connected in series and half the capacitance, ie half the area, if they are are connected in parallel.
- the resonance frequency can be changed as described above by up to 3% compared to the original resonators S, P. With the additional resonant frequency, without introducing a new manufacturing process for BAW resonators with further resonant frequencies, further optimization possibilities will result.
- FIG. 7 shows an exemplary embodiment with a band-stop filter BS which has a first terminal 1 and a second terminal 2 and with a matching network which has a first inductance L 1 and a second inductance L 2.
- the band-stop filter BS consists of a single series resonator SB1 and can again be fabricated together with the resonators of the transmission filter TX on the same substrate CT with the same process steps.
- Ll and L2 and the static capacitance of SBl are designed such that, upon receipt of a received signal, the transmission filter TX is idle from the view of the reception filter RX and reflections between the reception filter RX and the antenna connection ANT are minimized.
- the reception filter RX is to represent an open circuit from the viewpoint of the transmission filter TX and reflections between the transmission filter TX and the antenna connection ANT are to be minimized.
- the first inductance Ll serves to adapt the transmission filter TX to the antenna connection ANT. Together with the static capacitance CO of the series resonator SB1 and the second inductance L2, the first inductance L1 serves to form a PI network with which the receive filter RX is adapted.
- the matching circuit further comprises the inductors L3 and L4.
- the inductors L3 and L4 serve to adapt the transmission filter TX and the reception filter RX to the transmission amplifier connection PA and the reception amplifier connection LNA.
- the transmission filter TX and the reception filter RX can be configured as desired.
- the adaptation can also be done in other ways, for. B. by parallel inductors or a network of predominantly inductive character.
- the band-stop filter BS should have a high-impedance behavior at transmission frequencies, ie form an open circuit, whereby an easier adaptation is possible.
- the first series resonator For this purpose, SB1 has an anti-resonance frequency in the region of the passband TP of the transmission filter TX. From the point of view of the transmission filter TX, the reception filter RX thus always represents an open circuit. The use of a leading parallel resonator is not possible at this point since this would lead to a short circuit in the transmission frequency range.
- the series resonator SB1 may be a parallel resonator of the transmission filter TX, which is optionally lowered in resonance frequency.
- the resonance of the series resonator SB1 is up to 3 percent below the transmit filter passband side, so that there is no impairment of the left transmit filter edge. This can be made possible by lowering the resonant frequency of the series resonator SB1 with the means mentioned above. In general, it is not absolutely necessary that the antiresonance lies exactly in the middle of the passband.
- FIG. 8 shows an extension of FIG. 7 by means of a parallel resonator PB1, which is connected to the second terminal 2 and with its first terminal to ground GND.
- the antiresonance of the first series resonator SB1 is again selected so that it lies in the region of the lower passband filter edge. This can be z. B. by means of an additional Mas- sebelag in frequency lowered resonator in BAW technique done.
- a series resonator of the transmission filter TX can be selected.
- the matching circuit is unchanged in structure compared to FIG.
- the inductance L2 can advantageously be smaller due to the presence of the parallel resonator PB1.
- a leading SB1 resonator decouples the transmit filter TX from the receive filter RX, simplifying the match.
- the anti-resonance lies in the passband of the transmit filter, or up to about 3% below it, and the resonance is below the passband, so that the left passband edge is not affected.
- further parallel resonators can be connected to the second terminal 2 and to ground GND.
- the first terminals of the parallel resonators can also be connected, at least in part, via inductances instead of a direct connection to the ground GND.
- the resonance frequencies of the further parallel resonators can differ by up to 3%.
- FIG. 9 shows a modification of FIG. 7 in which the series resonator SB1 has been replaced by two series resonators SB1 and SB2 connected in series.
- a T-network is used to adapt the receive filter RX.
- the capacities of the T network are formed by the static capacitances of the series resonators SB1 and SB2.
- the inductance necessary for the T-network supplies the coil L2, which connects the connection node A, via which the series resonators SB1 and SB2 are connected to each other, to the ground GND.
- the series resonator SB1 again has the lowered resonance frequency of a parallel resonator of the transmission filter TX, so that its antiresonance at the lower bandpass filter flank of the transmission filter TX is located.
- the predominantly inductive character at the antenna terminal ANT is provided by the first inductance Ll.
- the resonator SB2 is a parallel resonator of the transmission filter.
- FIG. 10 shows a further exemplary embodiment, which is based on FIG.
- the adaptation of the transmission filter TX is not independent of the adaptation of the reception filter RX.
- the matching circuit shown in Figure 10 this disadvantage can be avoided.
- the first inductance L 1 no longer connects the first terminal 1 to the antenna terminal ANT but to the transmission filter TX.
- achieving the idle condition for the receive filter RX is more difficult with the arrangement shown. It is helpful if the transmission filter TX has a series resonator, such as, for example, the ST3 in FIG. 5, via which it is connected to the first inductance. In the reception frequency range, the antenna connection ANT is idle.
- FIG. 11 shows an exemplary embodiment in which a plurality of filters TX1, TX2, TX3, RX1, RX2 are coupled to a common node K.
- Such an arrangement is z. B. present in module applications where multiple transmit and receive paths exist.
- capacitive losses are also to be minimized, which arise because bandpass filters, which have a sufficiently large band gap between them, act on one another like a capacitive load, if they are connected to the common node K.
- the isolation between transmit and receive paths can be achieved as described above.
- band-stop filter BS can be a resonator whose antiresonance lies approximately in the bandpass center of the first bandpass filter TX1.
- the capacitive loading by the other bandpass filters RX1 and RX2 can also be eliminated in the same way.
- the necessary matching circuits are not shown in FIG. All of the above-mentioned steps for adapting and selecting the resonators for the band-stop filter BS and the variations described are also applicable to FIGS. 7 to 11.
- LNA, LNAl, LNA2 receive amplifier connections
- PA, PAl, PA2 transmit amplifier connections
- RX, RXl, RX2 receive filter, second band pass filter
- TX2 TX3 second bandpass filter
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Abstract
Duplexer, umfassend einen Antennenanschluss (ANT), einen Sendeverstärkeranschluss (PA) und einen Empfangsverstärkeranschluss (LNA). Der Sendeverstärkeranschluss (PA) ist über einen Sendefilter (TX) an den Antennenanschluss (ANT) gekoppelt. Der Empfangsverstärkeranschluss (LNA) ist an einen Empfangsfilter (RX) gekoppelt und der Empfangsfilter (RX) ist über eine Bandsperre (BS) an den Antennenanschluss (ANT) gekoppelt.
Description
Beschreibung
Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
Die Erfindung betrifft einen Duplexer, bei dem im Sendepfad ein Sendesignal von einem Sendeverstärker zur Antenne und im Empfangspfad ein Empfangssignal von der Antenne zu einem Empfangsverstärker geführt wird. Um gleichzeitig senden und empfangen zu können, werden für das Sendesignal und das Empfangssignal unterschiedliche Frequenzbereiche benutzt. Damit das Sendesignal das sehr viel schwächere Empfangssignal nicht stört, ist im Empfangspfad ein Empfangsfilter vorgesehen, der das das Empfangssignal durchlässt und das Sendesignal stark unterdrückt. Typischerweise wird im Sendefrequenzband eine Isolation von 50 dB bis 60 dB zwischen dem Empfangspfad und dem Sendepfad gefordert.
Bei eng benachbarten Sende- und Empfangsfrequenzbereichen wird die Isolation im Sendefrequenzbereich durch die Selektion des Empfangsfilters bestimmt, der meistens als Bandpassfilter ausgeführt ist. Liegt der Empfangsfrequenzbereich o- berhalb des Sendefrequenzbereichs, wird die Selektion durch die Steilheit der unteren Empfangsfilterflanken vorgegeben. Bei einer vorgegebenen Empfangsfilterbandbreite und der erforderlichen Impedanzanpassung kann die Selektion jedoch designbedingt nicht beliebig erhöht werden. Mit Hilfe von Induktivitäten kann man durch Polverschiebung eine Verbesserung der Isolation von ca. 10 dB erreichen. Diese Methode kann jedoch bei Duplexern mit geringem Abstand zwischen dem Sende- und dem Empfangsfrequenzband von nur ca. 20 MHz und bei Sende- und Empfangsfrequenzen von ca. 1,9 GHz nur eingeschränkt eingesetzt werden, da die untere Empfangsfilterflanke abge-
flacht wird. Weiter weisen die Induktivitätswerte Schwankungen auf, die die als typisch angegebene Sendebereichsisolati- on reduzieren.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, die Isolation zwischen dem Sende- und Empfangspfad bei Sendefrequenzen zu erhöhen.
Die Erfindung löst diese Aufgabe durch einen Duplexer, der einen Antennenanschluss, einen Sendeverstärkeranschluss und einen Empfangsverstärkeranschluss umfasst. Der Sendeverstärkeranschluss ist über einen Sendefilter an den Antennenanschluss gekoppelt und der Empfangsverstärkeranschluss ist an einen Empfangsfilter gekoppelt. Der Empfangsfilter ist über eine Bandsperre an den Antennenanschluss gekoppelt. Die Bandsperre trennt den Sendepfad von dem Empfangspfad, sodass sich die Isolation des Duplexers erhöht.
Der Sendefilter weist ein Passband aufweist, während die Bandsperre im Passband des Sendefilters einen Sperrbereich aufweist. Da der Sperrbereich der Bandsperre im Passband des Sendefilters liegt, wird die Isolation im Sendefrequenzbereich erhöht.
Der Sendefilter umfasst mindestens einen Resonator und die Bandsperre umfasst mindestens einen gleichen Resonator wie der Sendefilter. Unter dem Begriff „gleiche Resonatoren" sind in der Anmeldung Resonatoren gemeint, die die gleichen Resonanzfrequenzen und den gleichen Schichtaufbau bezüglich Materialien und Schichtdicken aufweisen. Sie können jedoch unterschiedliche Flächen aufweisen und damit unterschiedliche statische Kapazitäten besitzen. Da die Bandsperre und der Sendefilter den gleichen Resonator aufweisen, kann der Designaufwand und die Fertigung des Duplexers vereinfacht werden.
In einer Weiterbildung umfassen der Sendefilter und die Bandsperre Ladderstrukturen, die Serienresonatoren oder Parallelresonatoren aufweisen. Mit Hilfe von hintereinander geschalteten Ladderstrukturen lassen sich die gewünschten Übertragungseigenschaften des Sendefilters und der Bandsperre synthetisieren .
In einer Weiterbildung weist mindestens ein Parallelresonator des Sendefilters eine Resonanzfrequenz auf, die geringer ist als die Resonanzfrequenzen der Serienresonatoren. Durch die unterschiedlichen Resonanzfrequenzen kann die Bandbreite des Sendefilters und der Bandsperre eingestellt werden.
In einer Weiterbildung ist mindestens ein Serienresonator der Bandsperre der gleiche Resonator wie ein Parallelresonator des Sendefilters. Derselbe Fertigungsprozess, der für den Parallelresonators des Sendefilters benutzt wird, kann somit auch für den Serienresonator der Bandsperre eingesetzt werden. Weiter liegt die Antiresonanz des Parallelresonators nun in Serie zum Empfangsfilter und erhöht die Isolation.
In einer Weiterbildung ist mindestens ein Parallelresonator der Bandsperre der gleiche Resonator wie ein Serienresonator des Sendefilters. Auch hier lässt sich in einem Prozess sowohl der Parallelresonator der Bandsperre als auch der Serienresonator des Sendefilters realisieren. Indem der Parallelresonator und der Serienresonator des Sendefilters als Serienresonator bzw. Parallelresonator der Bandsperre eingesetzt wird, erhält die Bandsperre eine Übertragungsfunktion, die quasi invers zu dem Passband des Sendefilters ist. In einer Weiterbildung unterscheidet sich die Resonanzfrequenz von mindestens einem Serienresonator der Bandsperre von
den Resonanzfrequenzen der übrigen Serienresonatoren der Bandsperre .
In einer Weiterbildung unterscheidet sich die Resonanzfrequenz von mindestens einem Parallelresonator der Bandsperre von den Resonanzfrequenzen der übrigen Parallelresonatoren der Bandsperre. Durch die verschiedenen Resonanzfrequenzen der Parallel- und Serienresonatoren stehen zusätzliche Freiheitsgrade zur Verfügung, mit denen der Duplexer bezüglich der Anpassung und der Übertragungsfunktion und der Isolation optimiert werden kann.
In einer Weiterbildung weisen die Resonatoren, deren Resonanzfrequenzen sich von den anderen Resonatoren unterscheiden, einen zusätzlichen Massebelag auf, der die Resonanzfrequenz verändert und der bei den anderen Resonatoren nicht, oder nicht im gleichen Ausmaß, vorhanden ist. Lässt sich der zusätzlichen Massebelag mit einfachen Mitteln aufbringen, so stellt er eine Möglichkeit dar, ohne großen Aufwand und ohne komplizierte Prozessschritte die Resonanzfrequenz zu beeinflussen .
In einer Weiterbildung ist der zusätzliche Massebelag eine Titanschicht, eine Aluminiumschicht, eine Molybdänschicht, eine Iridiumschicht, eine Rutheniumschicht, eine Siliziumnitridschicht, eine Aluminiumnitridschicht, eine Zinkoxidschicht, eine Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) -Schicht, eine Bari- um-Strontium-Titanat (BST) -Schicht, oder eine Schicht aus einem anderem Material, die oberhalb oder unterhalb einer Pie- zoschicht des Resonators aufgebracht ist, oder die die Piezo- schicht verdickt. Diese Schichten lassen sich gezielt auftragen, bzw. lassen sich durch einfache Prozessschritte abtra-
gen, sodass eine Änderung der Resonanzfrequenz ohne großen Aufwand möglich ist.
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren des Sendefilters und die Resonatoren der Bandsperre BAW-Resonatoren und sind auf demselben Substrat angeordnet. Die Resonatoren des Sendefilters und der Bandsperre können - falls sie wie oben definiert, gleich sind - mit demselben Prozess gefertigt werden, wodurch sich die Anzahl der Prozessschritte reduziert.
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren des Empfangsfilters und die Resonatoren der Bandsperre BAW-Resonatoren und sind auf demselben Substrat angeordnet.
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren des Sendefilters, die Resonatoren des Empfangsfilters und die Resonatoren der Bandsperre BAW-Resonatoren und sind auf demselben Substrat angeordnet .
In einer Weiterbildung umfasst das Empfangsfilter mindestens einen SAW-Resonator . SAW-Resonatoren erlauben eine balanced- unbalanced Ansteuerung der Filter. Mit der SAW-Technologie sind stark unterschiedliche Frequenzen auf einem Substrat realisierbar .
In einer Weiterbildung umfassen der Sendefilter und die Bandsperre anstelle von BAW-Resonatoren SAW-Resonatoren, und die SAW-Resonatoren des Empfangsfilters, des Sendefilters und der Bandsperre sind auf einem gemeinsamen Substrat aufgebaut. SAW-Resonatoren mit verschiedenen Resonanzfrequenzen können mit demselben Prozess zusammen gefertigt werden, wodurch sich die Herstellung des Duplexers vereinfacht.
In einer Weiterbildung werden anstelle von BAW-Resonatoren GBAW-Resonatoren eingesetzt. GBAW (Guided-Bulk-Acoustic- Waves, geführte akustische Volumenwellen) sind SAW-ähnliche Bauteile, bei denen die akustische Welle knapp unterhalb der Bauteiloberfläche läuft. Die Resonanzfrequenz eines GBAW- Resonators ergibt zum einen wie beim SAW-Resonator aus der Periode der Fingeranordnung und zum anderen wie beim BAW- Resonator aus dem Schichtaufbau. Damit kann man die Verfahren zur Frequenzabsenkung bei BAW-Resonatoren auch auf GBAW- Resonatoren anwenden.
Es ist auch möglich, dass ein Duplexer sowohl BAW als auch GBAW Resonatoren umfasst und so als Hybridduplexer ausgebildet ist.
Der Empfangsfilter kann mindestens einen GBAW-Resonator umfassen. Ebenso kann der Sendefilter und die Bandsperre anstelle von BAW-Resonatoren GBAW-Resonatoren umfassen, wobei sämtliche GBAW-Resonatoren des Empfangsfilters, des Sendefilters und der Bandsperre auf einem gemeinsamen Substrat aufgebaut sein können.
In einer Weiterbildung weist mindestens einer der Resonatoren der Bandsperre eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität auf. Er umfasst eine Anzahl N von Resonatoren, wobei die Anzahl N größer gleich zwei ist, die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal größer als die erste statische Kapazität ist, die N Resonatoren miteinander in Serie geschaltet sind und zumindest bei einem der N Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht. Durch die Vervielfachung des Resonators ergeben sich weitere Freiheitsgrade
für den Filterentwurf, indem durch die Frequenzabweichung Mehrfachpole erzeugt werden.
In einer Weiterbildung weist mindestens einer der Resonatoren der Bandsperre eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität auf. Er umfasst eine Anzahl N von Resonatoren, wobei die Anzahl N größer gleich zwei ist, die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal kleiner als die erste statische Kapazität ist, die N Resonatoren zueinander parallel geschaltet sind und zumindest bei einem der N Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht. Durch die Vervielfachung des Resonators ergeben sich weitere Freiheitsgrade für den Filterentwurf, indem durch die Frequenzabweichung Mehrfachpole erzeugt werden.
In einer Weiterbildung umfasst der Duplexer weiter mindestens eine Anpassschaltung, die so ausgelegt ist, dass bei Empfang eines Empfangssignals der Sendefilter aus Sicht des Empfangsfilters einen Leerlauf darstellt und Reflexionen zwischen dem Empfangsfilter und dem Antennenanschluss minimiert werden, und beim Senden eines Sendesignals der Empfangsfilter aus Sicht des Sendefilters einen Leerlauf darstellt und Reflexionen zwischen dem Sendefilter und dem Antennenanschluss minimiert werden. Der Sendefilter, der Empfangsfilter und die Bandsperre müssen aneinander und an den Antennenanschluss an- gepasst werden, sodass Leistung mit geringen Verlusten und mit der nötigen Isolation zwischen den Anschlüssen übertragen werden kann.
In einer Weiterbildung weist die Bandsperre einen ersten An- schluss und einen zweiten Anschluss auf, wobei der erste An- schluss mit dem Antennenanschluss und dem Sendefilter verbun-
den ist und der zweite Anschluss mit dem Empfangsfilter verbunden ist. Die Anpassschaltung umfasst eine erste Induktivität und eine zweite Induktivität, wobei die erste Induktivität den ersten Anschluss mit Masse verbindet und die zweite Induktivität den zweiten Anschluss mit Masse verbindet. Die erste Induktivität ermöglicht die Anpassung des Sendefilters, während die erste Induktivität zusammen mit der zweiten Induktivität und der statischen Kapazität der Bandsperre ein PI-Anpassnetzwerk für den Empfangsfilter bildet.
In einer Weiterbildung umfasst die Bandsperre einen ersten Serienresonator, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist. Durch den ersten Serienresonator können die Übertragungseigenschaften zum Empfangsfilter gezielt beeinflusst werden.
In einer Weiterbildung weist der erste Serienresonator eine Antiresonanz auf, die im Passband des Sendefilters liegt. Bei der Antiresonanz weist der erste Serienresonator eine hohe Impedanz auf, sodass bei Frequenzen im Passband des Sendefilters eine hohe Isolation zum Empfangsfilter entsteht.
In einer Weiterbildung umfasst die Bandsperre weiter mindestens einen Parallelresonator, wobei ein erster Anschluss des mindestens einen Parallelresonators mit Masse verbunden ist und der andere Anschluss des mindestens einen Parallelresonators mit dem zweiten Anschluss und dem ersten Serienresonator verbunden ist. Über den Parallelresonator lässt sich die Bandbreite der Bandsperre einstellen.
In einer Weiterbildung ist mindestens einer der ersten Anschlüsse des mindestens einen Parallelresonators nicht direkt, sondern über eine Induktivität oder Kapazität oder einer Kombination aus einer Induktivität und einer Kapazität
mit Masse verbunden. Die zusätzlichen Induktivitäten ermöglichen weitere Freiheitsgrade bei der Anpassung des Duplexers.
In einer Weiterbildung weist der erste Serienresonator eine Antiresonanz im Bereich der unteren Passbandflanke des Sendefilters auf und der Parallelresonator weist eine Resonanzfrequenz auf, die im Bereich der Mitte des Passbands des Sendefilters liegt. Da die Antiresonanz im Bereich der unteren Passbandflanke des Sendefilters liegt, liegt die Resonanzfrequenz des Serienresonators unterhalb der unteren Sendefilter- Passbandflanke und beeinträchtigt diese nicht. Die Resonanz des Parallelresonators im Bereich der Mitte des Passbands des Sendefilters sorgt dafür, dass Sendefrequenzen gegen Masse abgeleitet werden und erhöht so die Isolation.
In einer Weiterbildung ist der erste Serienresonator der gleiche wie ein Parallelresonator des Sendefilters, weist jedoch einen zusätzlichen Massebelag auf, der die Resonanzfrequenz des ersten Serienresonators gegenüber der Resonanzfrequenz des Parallelresonators verringert, und der Parallelresonator, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist, ist der gleiche wie ein Serienresonator des Sendefilters. Da bei der Herstellung von Resonatoren in BAW-Technik üblicherweise nur zwei Resonanzfrequenzen auf einem Chip zur Verfügung stehen, ist die Verwendung der gleichen Resonatoren sowohl für die Bandsperre als auch für den Sendefilter von Vorteil. Durch das Verringern der Resonanzfrequenz durch einen zusätzlichen Massebelag erhält man weitere Freiheitsgrade beim Design. Der Massebelag kann wie bereits weiter oben erwähnt ausgebildet werden .
In einer Weiterbildung umfasst die Bandsperre einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, und zwei, über einen
Verbindungsknoten in Serie geschaltete Serienresonatoren, von denen einer mit dem ersten Anschluss und der andere mit dem zweiten Anschluss verbunden ist. Der erste Anschluss ist mit dem Sendefilter verbunden und der zweite Anschluss mit dem Empfangsfilter. Die Anpassschaltung umfasst eine erste Induktivität und eine zweite Induktivität, wobei die erste Induktivität den ersten Anschluss mit dem Antennenanschluss verbindet und die zweite Induktivität den Verbindungsknoten mit Masse verbindet. Die erste Induktivität liefert den notwendigen induktiven Charakter am Antennenanschluss, während die zweite Induktivität zusammen mit den Kapazitäten der Serienresonatoren ein T-Netzwerk zum Anpassen des Empfangsfilters bildet.
In einer Weiterbildung ist der erste Anschluss nicht mit dem Sendefilter verbunden, sondern mit dem Antennenanschluss und die erste Induktivität ist nicht mit dem Antennenanschluss verbunden, sondern mit dem Sendefilter. Auf diese Weise ist es möglich, die Anpassung des Sendefilters unabhängig von der Anpassung des Empfangsfilters zu gestalten.
In einer Weiterbildung weist der mit dem ersten Anschluss verbundene Serienresonator eine Antiresonanz im Bereich des unteren Passbands des Sendefilters auf und der mit dem zweiten Anschluss verbundene Serienresonator weist eine Antireso- nanzfrequenz auf, die im Bereich der Mitte des Passbandes des Sendefilters liegt. Die Kombination der Antiresonanzen führt zu einer weiteren Erhöhung der Isolation zwischen dem Sende- und dem Empfangsfilter.
In einer Weiterbildung ist der Serienresonator, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, der gleiche wie ein Parallelresonator des Sendefilters, weist jedoch einen zusätzlichen
Massebelag auf, der die Resonanzfrequenz des Serienresonators gegenüber der Resonanzfrequenz des Parallelresonators verringert, und der Serienresonator, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist, ist der gleiche wie ein Parallelresonators ohne zusätzlichen Massebelag des Sendefilters. Das Verringern der Resonanzfrequenz führt dazu, dass diese nicht mehr direkt an der unteren Sendefilter-Passbandseite liegt, wodurch diese nicht beeinträchtigt wird. Das Verwenden der gleichen Resonatoren für die Bandsperre und den Sendefilter ermöglicht es, diese mit denselben Prozessschritten herzustellen.
In einer Weiterbildung weist der erste Serienresonator eine Antiresonanz auf, hat aber keine Resonanz. Zur Isolation reicht es aus, wenn der erste Serienresonator eine sehr hohe Impedanz bei der Antiresonanzfrequenz aufweist.
In einer Weiterbildung weist mindestens ein Parallelresonator eine Resonanz auf, hat aber keine Antiresonanz. Über die Resonanz leiten die Resonatoren gut. Zur Isolation reicht es aus, wenn ein Parallelresonator eine niedrige Impedanz bei der Resonanz aufweist.
In einer Weiterbildung umfasst der Sendefilter einen Serienresonator, über den er mit dem ersten Anschluss verbunden ist. Durch den Serienresonator verhält sich der Sendefilter am Antennenport im Empfangsfrequenzbereich wie ein Leerlauf, falls er in diesem Frequenzbereich eine Antiresonanz aufweist .
In einer Weiterbildung umfasst die Anpassschaltung weiter eine Induktivität, die den Sendefilter mit dem Sendeverstärker- anschluss verbindet und eine Induktivität, die den Empfangsfilter mit dem Empfangsverstärkeranschluss verbindet. Die In-
duktivitäten dienen zur Anpassung des Sendefilters und des Empfangsfilters an die jeweiligen Anschlüsse.
In einer Weiterbildung sind weitere Anschlüsse vorgesehen, die über jeweilige Filter und Bandsperren an den Antennenan- schluss gekoppelt sind, wobei die Sperrbereiche der jeweiligen Bandsperren im Passband des Sendefilters liegen. Durch die Bandsperren kann eine hohe Isolation zwischen mehreren Signalpfaden erreicht werden. Zusätzlich lassen sich kapazitive Verluste minimieren, die entstehen, wenn der Abstand der Durchlassbereiche von einem zum anderen Filter ausreichend groß ist und so der eine auf den anderen Filter als kapazitive Belastung wirkt.
Die Erfindung sieht weiter ein Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen einem ersten Bandpassfilter und mindestens einem zweiten Bandpassfilter vor, wobei der erste Bandpassfilter und der mindestens eine zweite Bandpassfilter an einen gemeinsamen Knoten gekoppelt sind. Der mindestens eine zweite Bandpassfilter ist über eine jeweilige Bandsperre an den gemeinsamen Knoten gekoppelt, wobei die jeweiligen Bandsperren in einem Durchlassbereich des ersten Bandpassfilters sperren. Ein Vorteil dieser Methode ist, dass die kapazitive Belastung des jeweiligen zweiten Filters durch die Bandsperre stark verringert wird. Insbesondere bei Filtern in stark verschiedenen Frequenzbereichen ist diese Eigenschaft vorteilhaft.
In einer Weiterbildung wird die Filterfunktion des ersten Bandpassfilters und die der Bandsperren jeweils durch mindestens einen gleichen Resonator realisiert.
In einer Weiterbildung werden die Resonatoren des ersten Bandpassfilters und die Resonatoren der mindestens einen Bandsperre auf demselben Substrat realisiert.
In einer Weiterbildung werden die gleichen Resonatoren mit denselben Prozessschritten realisiert.
In einer Weiterbildung wird die Resonanzfrequenz von mindestens einem Resonator der Bandsperren gegenüber der Resonanzfrequenz des gleichen Resonators des ersten Bandpassfilters abgesenkt .
In einer Weiterbildung wird die Resonanzfrequenz durch einen zusätzlichen, auf dem Resonator angebrachten Massebelag abgesenkt .
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren der Bandsperren und des ersten Bandpassfilters BAW-Resonatoren .
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren der Bandsperren SAW-Resonatoren .
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren der Bandsperren GBAW-Resonatoren .
In einer Weiterbildung werden der erste Bandpassfilter, der mindestens eine zweite Bandpassfilter und eine an den gemeinsamen Knoten gekoppelte Antenne so aneinander in der Impedanz angepasst, dass bei Frequenzen, die im Durchlassbereich des ersten Bandpassfilters liegen, die Reflexion von Leistung zwischen dem ersten Bandpassfilter und der Antenne minimiert wird, und der mindestens eine zweite Bandpassfilter aus Sicht des ersten Bandpassfilters einen Leerlauf darstellt, und bei Frequenzen, die jeweils in den Durchlassbereichen des mindestens einen zweiten Bandpassfilters liegen, die Reflexion von Leistung zwischen jedem zweiten Bandpassfilter und der Anten-
ne minimiert wird, und der erste Bandpassfilter jeweils aus Sicht des jeweiligen zweiten Bandpassfilters einen Leerlauf darstellt .
In einer Weiterbildung wird für die Anpassung die statische Kapazität von mindestens einem Resonator der Bandsperren variiert .
In einer Weiterbildung weist mindestens einer der Resonatoren der Bandsperren eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität auf und wird durch mindestens eine Anzahl N von Resonatoren realisiert, wobei die Anzahl N der Resonatoren größer gleich zwei ist, die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal größer als die erste statische Kapazität ist, die N Resonatoren zueinander in Serie geschaltet sind, und zumindest bei einem der Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
In einer Weiterbildung weist mindestens einer der Resonatoren der Bandsperren eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität auf und wird durch mindestens eine Anzahl N von Resonatoren realisiert, wobei die Anzahl N der Resonatoren größer gleich zwei ist, die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal kleiner als die erste statische Kapazität ist, die N Resonatoren zueinander parallel geschaltet sind, und zumindest bei einem der Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
In einer Weiterbildung sind die Resonatoren der Bandsperren SAW-Resonatoren .
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe der Figuren beschrieben. Die Figuren zeigen:
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel eines Duplexers,
Figur 2 beispielhafte Übertragungsfunktionen zwischen An- tennenanschluss und Sendeverstärkeranschluss, sowie zwischen Antennenanschluss und Empfangsfilter bzw. Empfangsfilter mit Bandsperre,
Figur 3 beispielhafte Isolationsverläufe zwischen Sendeverstärkeranschluss und Empfangsverstärkeranschluss,
Figur 4 Ausführungsbeispiele von Ladderstrukturen mit Serienresonatoren und Parallelresonatoren,
Figur 5 Ausführungsbeispiele eines Sendefilters, einer Bandsperre und eines Empfangsfilters,
Figur 6 Ausführungsbeispiele, bei denen Resonatoren mehrerer Resonatoren umfassen,
Figur 7 bis 10 Ausführungsbeispiele einer Bandsperre mit Anpassschaltung, und
Figur 11 ein Ausführungsbeispiel eines Multiband-Duplexers mit mehreren Bandsperren und Bandpassfiltern.
Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Duplexers D mit einem Sendeverstärkeranschluss PA, einem Empfangsverstärkeranschluss LNA und einem Antennenanschluss ANT. Der Sendeverstärkeranschluss PA ist an einen Sendefilter TX gekoppelt, der Empfangsverstärkeranschluss LNA an einen Empfangsfilter
RX. Es sind zwei Anpassschaltungen Ml und M2 vorgesehen, über die der Sendefilter TX und der Empfangsfilter RX impedanzmäßig an den Antennenanschluss ANT angepasst werden, sodass beim Senden eines Sendesignals zur Antenne und beim Empfang eines Empfangssignals durch die Antenne keine Leistung reflektiert wird. Die Anpassschaltungen Ml und M2 sind so ausgelegt, dass der Empfangsfilter RX bei Sendefrequenzen aus Sicht des Sendefilters TX einen Leerlauf darstellt und der Sendefilter TX bei Empfangsfrequenzen aus Sicht des Empfangsfilters RX auch einen Leerlauf darstellt. Über die Bandsperre BS, die im Empfangssignalpfad liegt, wird die Isolation zwischen dem Sende- und dem Empfangspfad erhöht. Ein derartiger Duplexer D kann z. B. beim Betrieb im WCDMA-Band II zum gleichzeitigen Senden und Empfangen von Signalen eingesetzt werden .
Figur 2 und Figur 3 zeigen beispielhafte Übertragungsfunktionen, mit und ohne Bandsperre BS, zwischen dem Antennenanschluss ANT, dem Sendeverstärkeranschluss PA und dem Emp- fangsverstärkeranschluss LNA. Die Kurve T in Figur 2 zeigt die Übertragungsfunktion zwischen dem Sendeverstärkeranschluss PA und dem Antennenanschluss ANT. Die Kurve RB zeigt die Übertragungsfunktion zwischen dem Empfangsverstärkeranschluss LNA und dem Antennenanschluss ANT. Die Kurve R zeigt die Übertragungsfunktion zwischen dem Empfangsverstärkeranschluss LNA und dem Antennenanschluss ANT, jedoch für Vergleichszwecke ohne Bandsperre BS. Die gezeigten Übertragungsfunktionen sind bereits angepasst.
Für das WCDMA-Band II liegt das Passband TP der Sendesignale zwischen 1850 und 1910 MHz und ist 60 MHz breit. Oberhalb des Sendebandes liegt das Empfangsband, welches ebenfalls 60 MHz breit ist und zwischen 1930 bis 1990 MHz liegt. Sende- und
Empfangsband weisen somit einen Abstand zueinander von nur 20 MHz auf.
Wie der Vergleich zwischen den Übertragungsfunktionen R und RB zeigt, findet im Sendefrequenzbereich eine bessere Unterdrückung von Sendesignalen durch die Bandsperre BS statt als ohne Bandsperre. Weiter liegen die Übertragungsfunktionen R und RB im Empfangsfrequenzbereich nahezu vollständig übereinander, was zeigt, dass die Bandsperre BS die Übertragungsfunktion nur geringfügig beeinflusst. Weiter wichtig ist, dass die Steilheit der linken Passbandflanke des Empfangsfilters RX unverändert erhalten bleibt. Die Auslegung der Bandpasssperre BS ist zusätzlich unabhängig von der des Sendefilters TX und des Empfangsfilters RX. Sie stellt somit ein neues Funktionselement dar, mit dem der Filterentwurf durch weitere Freiheitsgrade vereinfacht werden kann.
Figur 3 zeigt die Isolation zwischen dem Sendeverstärkeran- schluss PA und dem Empfangsverstärkeranschluss LNA. Die Kurve I zeigt die Isolation ohne Bandsperre BS, während die Kurve IB die Isolation mit der Bandsperre BS zeigt. In dem Sendefrequenzbereich zeigt sich eine Verbesserung der Isolation von 40 dB auf 60 dB.
Die Figuren 4A bis 4E zeigen Ausführungsbeispiele von Ladderstrukturen, die zum Aufbau des Sendefilters TX, der Bandsperre BS und des Empfangsfilters RX eingesetzt werden können. In Figur 4A ist ein Serienresonator S gezeigt, in Figur 4B ein Parallelresonator P. Die Figuren 4C und 4D zeigen eine Kombination von Serienresonatoren S und Parallelresonatoren P. In Figur 4E ist eine T-Anordnung mit zwei Serienresonatoren Sl und S2 und einem Parallelresonator P gezeigt. Die Ladderstrukturen können in einer Kettenschaltung miteinander
verschaltet werden, um mehrstufige Ladderstrukturen zu erhalten. Die Anzahl der Stufen sowie die Auswahl der Ladderstrukturen selbst bestimmt sich aus den Anforderungen an die Filtersteilheit, Filterbandbreite und Einfügedämpfung.
Die in Figur 4 gezeigten Ladderstrukturen sind "single ended- single ended" . Eine Erweiterung für den "balanced-balanced" Fall geschieht, indem der vorhandene Filterteil an der Masseschiene gespiegelt wird und der Zugang zum ursprünglichen Masseknoten beseitigt wird. Für den "balanced-balanced" Fall sind auch Latticestrukturen möglich.
Die Resonatoren der Ladderstrukturen in Figur 4 können Resonatoren sein, die man mit einem Butterworth-van-Dyke-Modell beschreiben kann. Dies sind z. B. Resonatoren in BuIk- Accoustic-Wave (BAW, akustische Volumenwellen) Technologie, Surface-Accoustic-Wave (SAW, akustische Oberflächenwellen) Technologie, Guided-Bulk-Accoustic-Wave (GBAW, geführte akustische Volumenwellen) Technologie, anderen mikroakustischen Technologien, Resonatoren aus konzentrierten Netzwerkelementen wie Induktivitäten und Kapazitäten oder allgemein elektromagnetisch wirksamen Elementen. Diese Resonatoren zeigen eine Resonanz auf bei der sie gut leiten, und eine Antireso- nanz, bei der sie schlecht leiten. Abseits dieser Resonanzen zeigen die Resonatoren typischerweise kapazitives Verhalten.
Für die seriellen Resonatoren der Bandsperre sind Resonatoren ausreichend, die jeweils nur eine Antiresonanz aufweisen. Eine Resonanz ist nicht erforderlich. Ein Beispiel dafür ist ein Parallelschwingkreis aus einer Induktivität und einer Kapazität. Für die parallelen Resonatoren der Bandsperre sind Resonatoren ausreichend, die jeweils nur eine Resonanz auf-
weisen. Eine Antiresonanz ist nicht erforderlich. Ein Beispiel dafür ist eine Stimmgabel oder ein MEMS-Schwinger .
Figur 5 zeigt Ausführungsbeispiele für den Sendefilter TX, die Bandsperre BS und den Empfangsfilter RX. Der Sendefilter TX besteht dabei aus einer Kettenschaltung von zwei Ladderstrukturen gemäß Figur 4C und einer Ladderstruktur gemäß Figur 4A. Er umfasst die Serienresonatoren STl, ST2, ST3 und die Parallelresonatoren PTl, PT2. Die Bandsperre BS ist einstufig ausgeführt und hat die in Figur 4C gezeigte Ladderstruktur. Sie umfasst den Serienresonator SBl und den Parallelresonator PBl. Der Empfangsfilter RX besteht aus einer Kettenschaltung von zwei Ladderstrukturen gemäß Figur 4D und einer Ladderstruktur gemäß Figur 4B. Er umfasst die Serienresonatoren SRI, SR2 und die Parallelresonatoren PRl, PR2 und PR3. Die Induktivität L12 verschiebt die Resonanzfrequenz von PBl. Zusätzlich ist es möglich an den Anschlüssen LNA und PA Anpasselemente vorzusehen. Wenn man berücksichtigt, dass die Anpassschaltung M2 nicht vorhanden ist, entspricht die Anordnung dem in Figur 1 gezeigten Duplexer D.
In einem Ausführungsbeispiel sind die Parallelresonatoren und Serienresonatoren Bulk-Accoustic-Wave (BAW) Resonatoren. Gerade bei höheren Frequenzen von ca. 2 GHz weisen BAW- Resonatoren gegenüber Surface-Accoustic-Wave (SAW) Resonatoren bei gleichen Abmessungen besser elektrische Eigenschaften auf. Sie bestehen im Wesentlichen aus einer piezoelektrischen Schicht, die zwischen zwei Elektroden angeordnet ist und zusammen bei einer Resonanzfrequenz schwingen. Bei BAW- Resonatoren liegt die Frequenz der Antiresonanz oberhalb der Frequenz der Resonanz. Alternative können die Resonatoren auch GBAW-Resonatoren sein.
Die Parallelresonatoren weisen eine geringere Resonanzfrequenz als die Serienresonatoren auf. Da sie im Durchlasspfad liegen, bilden die Serienresonatoren durch ihre Antiresonanz die obere Flanke des Passbands des Sendefilters und des Empfangsfilters, während die Parallelresonatoren gegen Masse ableiten und durch ihre Resonanz die untere Flanke bilden. Durch die Unterschiede in den Frequenzen lässt sich die Bandbreite einstellen.
Bei der BAW-Fertigungstechnik stehen auf einem Chip üblicherweise nur zwei Resonanzen fs und fp zur Verfügung. Mehr als zwei Resonanzfrequenzen sind möglich, bedeuten aber einen höheren Prozessaufwand und damit eine geringere Bauteilausbeute. Da der Sendefilter TX und der Empfangsfilter RX unterschiedliche Mittenfrequenzen aufweisen, sind sie daher auf eigenen Substraten CT und CR gefertigt.
In Figur 5 ist die Bandsperre BS zusammen mit dem Sendefilter TX auf dem gleichen Substrat CT integriert. Die Resonatoren der Bandsperre BS werden mit denselben Fertigungsschritten wie die Resonatoren des Sendefilters TX gefertigt. Die Bandsperre und der Sendefilter weisen somit gleiche Resonatoren auf. Auf diese Weise ist kein zusätzliches Substrat für die Bandsperre BS erforderlich und es entfallen zusätzliche Prozessschritte .
Um mit den gleichen Resonatoren eine Bandsperre BS im Passband des Sendefilters TX zu erreichen, ist es jedoch erforderlich, die Resonatoren anders anzuordnen: Der Parallelresonator PBl der Bandsperre BS ist daher der gleiche Resonator wie die Serienresonatoren STl, ST2 oder ST3 des Sendefilters TX und leitet bei der gleichen Resonanzfrequenz über die In-
duktivität L12 gegen Masse GND ab. Der Serienresonator SBl der Bandsperre BS ist der gleiche Resonator wie ein Parallelresonator PTl, PT2 des Sendefilters TX. Dadurch, dass die gleichen Resonatoren für die Bandsperre BS und den Sendefilter TX verwendet werden, ergeben sich einige Einschränkungen bei Design des Duplexers, die jedoch, wie später beschrieben, umgangen werden können.
Während die Bandsperre BS in Figur 5 zusammen mit dem Sendefilter TX auf einem Substrat CT integriert ist, wodurch sich erhebliche Vorteile bei der Fertigung ergeben, kann die Bandsperre BS auch durch eigene Komponenten extern oder im Gehäuse integriert gefertigt werden.
Die Resonatoren SBl, PBl der Bandsperre BS könnten auch auf dem Substrat CR des Empfangsfilters RX realisiert werden. Dafür ist allerdings ein aufwändigerer BAW-Fertigungsprozess notwendig, der es ermöglicht, einen dritten und gegebenenfalls weitere Resonatortypen mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen auf einem Chip herstellen zu können.
Vorteilhaft ist es, wenn bei der Anordnung - anders als in Figur 5 dargestellt - der Sendefilter mit einem seriellen Resonator beginnt, bzw. zwischen der Bandsperre BS und dem ersten parallelen Resonator PRl des Sendefilters ein Serienresonator SR angeordnet ist.
Ein wesentlicher Vorteil der mit BAW-Resonatoren gefertigten Bandsperre BS gegenüber dem Einsatz von externen Induktivitäten, die im Gehäuse, im Duplexermodul oder auf der Platine angeordnet sind, besteht darin, dass die Induktivitätswerte relativ zur Frequenz- und Fertigungsstabilität der Resonatoren starken Schwankungen unterworfen sind. Die als typisch
spezifizierbare Isolation der Sendefrequenz ist deshalb unnötigerweise verschlechtert. Der in Figur 5 gezeigte Bandpass BS ist dagegen mit akustischen Bauelementen aufgebaut, welche einerseits frequenzgetrimmt sind und andererseits mit ca. -20 ppm/K im Falle von BAW-Resonatoren sehr temperaturstabil sind. Die typische Isolation kann somit mit geringeren Abschlägen spezifiziert werden, wodurch sich Anforderungen an den Fertigungsprozess reduzieren lassen oder sich bei dem gleichen Fertigungsprozess die Ausbeute erhöht.
Die Resonatoren des Empfangsfilters RX können anstelle von BAW-Resonatoren auch mit SAW-Resonatoren gefertigt werden. SAW-Resonatoren haben den Vorteil, dass sie zusätzlich eine Anpassung von "single ended" zu "balanced" bieten und weisen gegebenenfalls bessere elektrische Eigenschaften auf. Die Kombination von SAW- und BAW-Technologie bildet einen Hybrid- duplexer .
Es ist hier möglich, den Sendefilter TX, die Bandsperre BS und den Empfangsfilter RX mit SAW-Resonatoren zu realisieren. Dabei können die SAW-Elemente auf einem einzigen Substrat realisiert werden, da bei der SAW-Fertigungstechnik Resonatoren mit verschiedenen Resonanzfrequenzen ohne größeren Aufwand realisiert werden, indem z. B. geeignete Fingerperioden der Interdigitalwandler (IDT) gewählt werden.
Um die Resonanzfrequenz der Resonatoren der Bandsperre BS zu verändern, um so die elektrischen Eigenschaften zu optimieren, bestehen mehrere Möglichkeiten. Bei einem BAW-Resonator können zusätzliche Massebeläge aufgetragen werden, die die Schwingungsmasse des Resonators erhöhen. Eine Möglichkeit besteht darin, eine Materialschicht aufzubringen, die auch teilweise entfernt werden kann. Die Resonatoren mit dem Mas-
sebelag weisen dann eine geringere Resonanzfrequenz auf als diejenigen, die keine zusätzliche Materialschicht haben oder bei denen die Materialschicht nur teilweise vorhanden ist.
Während die Bandsperre BS in Figur 5 zusammen mit dem Sendefilter TX auf einem Substrat CT integriert ist, wodurch sich erhebliche Vorteile bei der Fertigung ergeben, kann die Bandsperre BS auch durch eigene Komponenten extern oder im Gehäuse integriert gefertigt werden.
Figur 6 zeigt Ausführungsbeispiele, bei denen ein Resonator mehrere Resonatoren umfasst, wodurch weitere Freiheitsgrade für den Duplexerentwurf entstehen. Im Vergleich zu Figur 4A und 4C wird in den Figuren 6A und 6B der Serienresonator S durch die Serienresonatoren Sl und S2 ersetzt. Figur 6C zeigt den Ersatz des Parallelresonators P aus Figur 4C durch die Parallelresonatoren Pl und P2. Im Vergleich mit Figur 4C sind in Figur 6D die Resonatoren S, P durch die Serienresonatoren Sl, S2 und die Parallelresonatoren Pl und P2 ersetzt worden. Damit die ersetzenden Resonatoren die gleiche statische Kapazität CO wie die ursprünglichen Resonatoren S, P aufweisen, müssen diese die doppelte Kapazität, d. h. die doppelte Fläche, haben, wenn sie in Serie geschaltet sind und die halbe Kapazität, d. h. die halbe Fläche haben, wenn sie parallel geschaltet sind. Bei einem der doppelt vorhandenen Resonatoren lässt sich die Resonanzfrequenz wie oben beschrieben um bis zu 3 % gegenüber den ursprünglichen Resonatoren S, P verändern. Mit der zusätzlichen Resonanzfrequenz ergeben sich ohne Einführen eines neuen Fertigungsprozesses für BAW- Resonatoren mit weiteren Resonanzfrequenzen weitere Möglichkeiten für die Optimierung.
Figur 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einer Bandsperre BS, die einen ersten Anschluss 1 und einen zweiten Anschluss 2 aufweist und mit einem Anpassnetzwerk, welches eine erste Induktivität Ll und eine zweite Induktivität L2 aufweist. Die Bandsperre BS besteht aus einem einzelnen Serienresonator SBl und kann wieder zusammen mit den Resonatoren des Sendefilters TX auf dem gleichen Substrat CT mit den gleichen Prozessschritten gefertigt werden. Ll und L2 und die statische Kapazität von SBl sind so ausgelegt, dass bei Empfang eines Empfangssignals der Sendefilter TX aus Sicht des Empfangsfilters RX einen Leerlauf darstellt und Reflektionen zwischen dem Empfangsfilter RX und dem Antennenanschluss ANT minimiert werden. Weiter soll beim Senden eines Sendesignals der Empfangsfilter RX aus Sicht des Sendefilters TX einen Leerlauf darstellen und Reflektionen zwischen dem Sendefilter TX und dem Antennenanschluss ANT minimiert werden. Die erste Induktivität Ll dient dabei zur Anpassung des Sendefilters TX an den Antennenanschluss ANT. Zusammen mit der statischen Kapazität CO des Serienresonators SBl und der zweiten Induktivität L2 dient die erste Induktivität Ll dazu, ein PI-Netzwerk zu bilden, mit dem der Empfangsfilter RX angepasst wird. Die Anpassschaltung umfasst weiter die Induktivitäten L3 und L4. Die Induktivitäten L3 und L4 dienen dabei zur Anpassung des Sendefilters TX und des Empfangsfilters RX an den Sendever- stärkeranschluss PA und den Empfangsverstärkeranschluss LNA. Der Sendefilter TX und der Empfangsfilter RX können dabei beliebig ausgestaltet sein. Die Anpassung kann auch auf andere Weise erfolgen, z. B. durch parallele Induktivitäten oder einem Netzwerk mit überwiegend induktivem Charakter.
Die Bandsperre BS soll bei Sendefrequenzen ein hochohmiges Verhalten aufweisen, d. h. einen Leerlauf bilden, wodurch eine leichtere Anpassung möglich ist. Der erste Serienresonator
SBl weist dazu eine Antiresonanzfrequenz im Bereich des Passbandes TP des Sendefilters TX auf. Aus Sicht des Sendefilters TX stellt der Empfangsfilter RX somit stets einen Leerlauf dar. Der Einsatz eines führenden Parallelresonators ist an dieser Stelle nicht möglich, da dies zu einem Kurzschluss im Sendefrequenzbereich führen würde. Der Serienresonator SBl kann ein Parallelresonator des Sendefilters TX sein, der optional in der Resonanzfrequenz abgesenkt ist.
Die Resonanz des Serienresonators SBl liegt frequenzmäßig bis zu 3 Prozent unterhalb der Sendefilter-Passbandseite, sodass es zu keiner Beeinträchtigung der linken Sendefilterflanke kommt. Dies kann durch eine Absenkung der Resonanzfrequenz des Serienresonators SBl mit den oben genannten Mitteln ermöglicht werden. Allgemein ist es dabei nicht unbedingt notwendig, dass die Antiresonanz genau in der Mitte des Passbandes liegt.
Eine weitere Lösung dieses Problems ist die Verwendung einer Induktivität, die in Serie zu der Bandsperre BS geschaltet ist. Auf diese Weise wird die Resonanz der Bandsperre BS bei gleicher Antiresonanzposition zu tieferen Frequenzen gezogen und die linke Passbandflanke des Sendefilters TX bleibt unbeeinträchtigt. Bei Frequenzen von ca. 2 GHz müsste die Serieninduktivität jedoch größer als 10 nH sein, wodurch diese Lösung auf Anwendungen bei höheren Frequenzen beschränkt wird.
Figur 8 zeigt eine Erweiterung der Figur 7 durch einen Parallelresonator PBl, der mit dem zweiten Anschluss 2 und mit seinem ersten Anschluss mit der Masse GND verbunden ist. Die Antiresonanz des ersten Serienresonators SBl wird wieder so gewählt, dass sie im Bereich der unteren Passbandfilterflanke liegt. Dies kann z. B. durch einen mittels zusätzlichem Mas-
sebelag in der Frequenz abgesenkten Resonator in BAW-Technik erfolgen. Für den Parallelresonator PBl kann ein Serienresonator des Sendefilters TX gewählt werden. Die Anpassschaltung ist gegenüber Figur 7 in ihrer Struktur unverändert. Die Induktivität L2 kann durch das Vorhandensein des Parallelresonators PBl vorteilhafterweise kleiner ausfallen. Ein führender SBl-Resonator entkoppelt den Sendefilter TX vom Empfangsfilter RX, wodurch die Anpassung vereinfacht wird. Die Anti- resonanz liegt im Passband des Sendefilters, oder bis zu ca. 3% darunter, und die Resonanz liegt unterhalb des Passbandes, damit die linke Passbandflanke nicht beeinträchtigt wird. Je nach Anforderung an die Bandsperre können auch noch weitere Parallelresonatoren mit dem zweiten Anschluss 2 und mit Masse GND verbunden werden. Für die Anpassung können die ersten Anschlüsse der Parallelresonatoren zumindest teilweise auch ü- ber Induktivitäten anstelle einer direkten Verbindung mit der Masse GND verbunden werden. Die Resonanzfrequenzen der weiteren Parallelresonatoren können sich bis zu 3 % voneinander unterscheiden .
Figur 9 zeigt eine Abwandlung von Figur 7, in der der Serienresonator SBl durch zwei in Serie geschaltete Serienresonatoren SBl und SB2 ersetzt wurde. Anstelle der Anpassschaltung von Figur 7, die als PI-Netzwerk ausgelegt wird, wird ein T- Netzwerk zum Anpassen des Empfangsfilters RX verwendet. Die Kapazitäten des T-Netzwerks bilden sich aus den statischen Kapazitäten der Serienresonatoren SBl und SB2. Die für das T- Netzwerk notwendige Induktivität liefert die Spule L2, die den Verbindungsknoten A, über welchen die Serienresonatoren SBl und SB2 miteinander verbunden sind, mit der Masse GND verbindet. Der Serienresonator SBl weist wieder die abgesenkte Resonanzfrequenz eines Parallelresonators des Sendefilters TX auf, sodass seine Antiresonanz an der unteren Bandpass-
flanke des Sendefilters TX liegt. Den überwiegend induktiven Charakter an dem Antennenanschluss ANT liefert die erste Induktivität Ll. Der Resonator SB2 ist ein Parallelresonator des Sendefilters.
Figur 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, welches auf Figur 9 basiert. In den Figuren 7 bis 9 ist das Anpassen des Sendefilters TX nicht unabhängig von dem Anpassen des Empfangsfilters RX. Mit der in Figur 10 gezeigten Anpassschaltung lässt sich dieser Nachteil umgehen. Gegenüber Figur 9 verbindet die erste Induktivität Ll den ersten Anschluss 1 nicht mehr mit dem Antennenanschluss ANT, sondern mit dem Sendefilter TX. Allerdings ist mit der gezeigten Anordnung das Erreichen der Leerlaufbedingung für den Empfangsfilter RX schwieriger. Hilfreich ist es, wenn der Sendefilter TX einen Serienresonator, so wie zum Beispiel den ST3 in Figur 5 aufweist, über den er mit der ersten Induktivität verbunden ist. Im Empfangsfrequenzbereich liegt der Antennenanschluss ANT im Leerlauf .
Figur 11 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem mehrere Filter TXl, TX2, TX3, RXl, RX2 an einen gemeinsamen Knoten K gekoppelt sind. Eine derartige Anordnung ist z. B. bei Modulanwendungen vorhanden, bei denen mehrere Sende- und Empfangspfade existieren. Hier ist eine hohe Isolation zwischen jedem Sende- und jedem Empfangspfad, wie bereits zuvor beschrieben, gewünscht. Weiter sollen auch kapazitive Verluste minimiert werden, die dadurch entstehen, dass Bandpassfilter, die zueinander einen ausreichend großen Bandabstand haben, aufeinander wie eine kapazitive Belastung wirken, falls sie an dem gemeinsamen Knoten K angeschlossen sind. Die Isolation zwischen Sende- und Empfangspfaden kann wie oben beschrieben erreicht werden. Um die Einfügedämpfung des Bandpassfilters TXl
durch kapazitive Verluste aufgrund der Bandpassfilter TX2 und TX3 zu reduzieren, wird diesen eine Bandsperre BS vorgeschaltet. Die Bandsperre BS kann ein Resonator sein, dessen Anti- resonanz in etwa in der Bandpassmitte des ersten Bandpassfilters TXl liegt. Auch die kapazitive Belastung durch die weiteren Bandpassfilter RXl und RX2 kann auf die gleiche Weise beseitigt werden. Die erforderlichen Anpassschaltungen sind in Figur 11 nicht gezeigt. Sämtliche oben genannten Schritte zur Anpassung und Auswahl der Resonatoren für die Bandsperre BS sowie die beschriebenen Variationen finden auch auf die Figuren 7 bis 11 Anwendung.
Bezugs zeichenliste
1, 2 Anschlüsse
fp Resonanzfrequenz des Parallelresonators fs Resonanzfrequenz des Serienresonators
A Verbindungsknoten
ANT Antennenanschluss
BS Bandsperre
CO statische Kapazität des BAW-Resonators
CT Substrat des Sendefilters
CS Substrat des Empfangsfilters
D Duplexer
GND Masse
I Isolation ohne Bandsperre
IB Isolation mit Bandsperre
K gemeinsamer Knoten
Ll, L2, L3, L4 Induktivitäten
LNA, LNAl, LNA2 Empfangsverstärkeranschlüsse
Ml, M2 Anpassschaltungen
N Anzahl der Resonatoren
PA, PAl, PA2 Sendeverstärkeranschlüsse
P, Pl, P2 Parallelresonator
PBl Parallelresonator der Bandsperre
PTl, PT2 Parallelresonator des Sendefilters
PRl, PR2, PR3 Parallelresonator des Empfangsfilters
R Übertragungsfunktion Empfangsfilter
RB Übertragungsfunktion Empfangsfilter mit
Bandsperre
RX, RXl, RX2 Empfangsfilter, zweite Bandpassfilter
T Übertragungsfunktion Sendefilter
TP Passband des Sendefilters
TX, TXl Sendefilter, erster Bandpassfilter
TX2, TX3 zweite Bandpassfilter
S, Sl, S2 Serienresonator
SBl, SB2 Serienresonator der Bandsperre
STl, ST2, ST3 Serienresonator des Sendefilters
SRI, SR2 Serienresonator des Empfangsfilters
Claims
1. Duplexer, umfassend
- einen Antennenanschluss (ANT) ,
- einen Sendeverstärkeranschluss (PA), und
- einen Empfangsverstärkeranschluss (LNA) , wobei
- der Sendeverstärkeranschluss (PA) über einen Sendefilter (TX) an den Antennenanschluss (ANT) gekoppelt ist,
- der Empfangsverstärkeranschluss (LNA) an einen Empfangsfilter (RX) gekoppelt ist,
- der Empfangsfilter (RX) über eine Bandsperre (BS) an den Antennenanschluss (ANT) gekoppelt ist, wobei
- der Sendefilter (TX) ein Passband (TP) aufweist, und
- die Bandsperre (BS) im Passband (TP) des Sendefilters (TX) einen Sperrbereich aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
- der Sendefilter (TX) mindestens einen Resonator (PTl, PT2, STl, ST2, ST3) umfasst, und
- die Bandsperre (BS) mindestens einen gleichen Resonator (PBl, SBl, SB2) wie der Sendefilter (TX) umfasst.
2. Duplexer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Sendefilter (TX) und die Bandsperre (BS) Ladderstrukturen umfassen, die Serienresonatoren (S, Sl, S2, STl, ST2, ST3, SBl) oder Parallelresonatoren (P, Pl, P2, PTl, PT2, PBl) aufweisen .
3. Duplexer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Parallelresonator des Sendefilters (P, Pl, P2, PTl, PT2) eine Resonanzfrequenz aufweist, die geringer ist als die Resonanzfrequenzen der Serienresonatoren des Sendefilters (S, Sl, S2, STl, ST2, ST3) .
4. Duplexer nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Serienresonator (SBl, SB2) der Bandsperre (BS) der gleiche Resonator wie ein Parallelresonator (PTl, TP2) des Sendefilters (TX) ist.
5. Duplexer nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Parallelresonator (PBl) der Bandsperre (BS) der gleiche Resonator ist, wie ein Serienresonator (STl, ST2, ST3) des Sendefilters (TX) .
6. Duplexer nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzfrequenz von mindestens einem Serienresonator (SBl) der Bandsperre (BS) sich von den Resonanzfrequenzen der übrigen Serienresonatoren (SB2) der Bandsperre (BS) unterscheidet .
7. Duplexer nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzfrequenz von mindestens einem Parallelresonator der Bandsperre (BS) sich von den Resonanzfrequenzen der übrigen Parallelresonatoren der Bandsperre (BS) unterscheidet.
8. Duplexer nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren (PBl, SBl), deren Resonanzfrequenzen sich von den anderen Resonatoren unterscheiden, einen zusätzlichen Massebelag aufweisen, der die Resonanzfrequenz erniedrigt und der bei den anderen Resonatoren (PB, SB) nicht, oder nicht im gleichen Ausmaß, vorhanden ist.
9. Duplexer nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
- der zusätzliche Massebelag eine Passivierungsschicht, eine Siliziumdioxidschicht, eine Wolframschicht, eine Titanschicht, eine Aluminiumschicht, eine Molybdänschicht, eine Iridiumschicht, eine Rutheniumschicht, eine Siliziumnitridschicht, eine Aluminiumnitridschicht, eine Zinkoxidschicht, eine Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht, eine Barium-Strontium- Titanat-Schicht , oder eine Schicht aus einem anderem Material ist, und
- die Schicht oberhalb oder unterhalb einer Piezoschicht des Resonators aufgebracht ist, oder die Piezoschicht verdickt.
10. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren (PTl, PT2, STl, ST2, ST3) des Sendefilters (TX) und die Resonatoren (PBl, SBl, SB2) der Bandsperre (BS) BAW-Resonatoren sind und auf demselben Substrat (CT) angeordnet sind.
11. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren (PRl, PR2, PR3, SRI, SR2) des Empfangsfilters (RX) und die Resonatoren (PBl, SBl, SB2) der Bandsperre (BS) BAW-Resonatoren sind und auf demselben Substrat (CT) angeordnet sind.
12. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren (PTl, PT2, STl, ST2, ST3) des Sendefilters (TX), die Resonatoren (PRl, PR2, PR3, SRI, SR2) des Empfangsfilters (RX), und die Resonatoren (PBl, SBl, SB2) der Bandsperre (BS) BAW-Resonatoren sind und auf demselben Substrat (CT) angeordnet sind.
13. Duplexer nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Empfangsfilter (RX) mindestens einen SAW-Resonator (PRl, PR2, PR3, SRI, SR2) umfasst.
14. Duplexer nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass
- der Sendefilter (TX) und die Bandsperre (BS) anstelle von BAW-Resonatoren SAW-Resonatoren umfassen, und
- die SAW-Resonatoren (PBl, PRl, PR2, PR3, PTl, PT2, SBl, SB2, SRI, SR2, STl, ST2, ST3) des Empfangsfilters (RX), des Sendefilters (TX) und der Bandsperre (BS) auf einem gemeinsamen Substrat (CT, CR) aufgebaut sind.
15. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass
GBAW-Resonatoren anstelle von BAW-Resonatoren eingesetzt werden .
16. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Resonatoren (PBl, SBl, SB2) der Bandsperre (BS) eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität aufweist, und mindestens eine Anzahl N von Resonatoren (Sl, S2, Pl, P2) umfasst, wobei
- die Anzahl N größer gleich zwei ist, - die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal größer als die erste statische Kapazität ist,
- die N Resonatoren miteinander in Serie geschaltet sind, und
- zumindest bei einem der N Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
17. Duplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Resonatoren (PBl, SBl, SB2) der Bandsperre (BS) eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität aufweist, und mindestens eine Anzahl N von Resonatoren (Sl, S2, Pl, P2) umfasst, wobei
- die Anzahl N größer gleich zwei ist,
- die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal kleiner als die erste statische Kapazität ist,
- die N Resonatoren zueinander parallel geschaltet sind, und
- zumindest bei einem der N Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
18. Duplexer nach einem der vorigen Ansprüche, weiter umfassend mindestens eine Anpassschaltung (Ml, M2), die so ausgelegt ist, dass beim Empfang eines Empfangsignals
- der Sendefilter (TX) aus Sicht des Empfangsfilters (RX) einen Leerlauf darstellt, und
- Reflektionen zwischen dem Empfangsfilter (RX) und dem An- tennenanschluss (ANT) minimiert werden, und beim Senden eines Sendesignals
- der Empfangsfilter (RX) aus Sicht des Sendefilters (TX) einen Leerlauf darstellt, und
- Reflektionen zwischen dem Sendefilter (TX) und dem Anten- nenanschluss (ANT) minimiert werden.
19. Duplexer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Bandsperre (BS) einen ersten Anschluss (1) und einen zweiten Anschluss (2) aufweist, wobei der erste Anschluss (1) mit dem Antennenanschluss (ANT) und dem Sendefilter (TX) verbunden ist und der zweite Anschluss (2) mit dem Empfangsfilter (RX) verbunden ist,
- die Anpassschaltung (Ml, M2) eine erste Induktivität (Ll) und eine zweite Induktivität (L2) umfasst, wobei die erste Induktivität (Ll) den ersten Anschluss (1) mit Masse (GND) verbindet und die zweite Induktivität (L2) den zweiten Anschluss (2) mit Masse (GND) verbindet.
20. Duplexer nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Bandsperre (BS) einen ersten Serienresonator (SBl) umfasst, der mit dem ersten Anschluss (1) verbunden ist.
21. Duplexer nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Serienresonator (SBl) eine Antiresonanz aufweist, die im Passband (TP) des Sendefilters (TX) oder frequenzmäßig bis zu drei Prozent darunter liegt.
22. Duplexer nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Bandsperre (BS) weiter mindestens einen Parallelresonator (PBl) umfasst, wobei
- ein erster Anschluss des mindestens einen Parallelresonators (PBl) mit Masse (GND) verbunden ist, und - der andere Anschluss des mindestens einen Parallelresonators (PBl) mit dem zweiten Anschluss (2) und dem ersten Serienresonator (SBl) verbunden ist.
23. Duplexer nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der ersten Anschlüsse des mindestens einen Parallelresonators (PBl) nicht direkt, sondern über eine Induktivität, oder eine Kapazität, oder einer Kombination aus einer Induktivität und einer Kapazität mit Masse (GND) verbunden ist.
24. Duplexer nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Serienresonator (SBl) eine Antiresonanz im Bereich der unteren Passbandflanke des Sendefilters (TX) aufweist und der Parallelresonator (PBl) eine Resonanzfrequenz aufweist, die im Bereich der Mitte des Passbands (TP) des Sendefilters (TX) liegt.
25. Duplexer nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass
- der erste Serienresonator (SBl) der gleiche wie ein Parallelresonator (PTl, PT2) des Sendefilters (TX) ist, jedoch einen zusätzlichen Massebelag aufweist, der die Resonanzfrequenz des ersten Serienresonators (SBl) gegenüber der Resonanzfrequenz des Parallelresonators (PTl, PT2) verringert, und
- der Parallelresonator (PBl), der mit dem zweiten Anschluss (2) verbunden ist, der gleiche wie ein Serienresonator (STl, ST2) des Sendefilters (TX) ist.
26. Duplexer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Bandsperre (BS) einen ersten Anschluss (1) und einen zweiten Anschluss (2), und zwei, über einen Verbindungsknoten (A) in Serie geschaltete Serienresonatoren (SBl, SB2) um- fasst, von denen einer (SBl) mit dem ersten Anschluss (1) und der andere (SB2) mit dem zweiten Anschluss (2) verbunden ist, wobei
- der erste Anschluss (1) mit dem Sendefilter (TX) verbunden ist und der zweite Anschluss (2) mit dem Empfangsfilter (RX) verbunden ist,
- die Anpassschaltung (Ml, M2) eine erste Induktivität (Ll) und eine zweite Induktivität (L2) umfasst, wobei die erste Induktivität (Ll) den ersten Anschluss (1) mit dem Antennen- anschluss (ANT) verbindet und die zweite Induktivität (L2) den Verbindungsknoten (A) mit Masse (GND) verbindet.
27. Duplexer nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass
- der erste Anschluss (1) nicht mit dem Sendefilter (TX) verbunden ist, sondern mit dem Antennenanschluss (ANT) , und
- die erste Induktivität (Ll) den ersten Anschluss (1) nicht mit dem Antennenanschluss (ANT) verbindet, sondern mit dem Sendefilter (TX) .
28. Duplexer nach einem der Ansprüche 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, dass
- der mit dem ersten Anschluss (1) verbundene Serienresonator (SBl) eine Antiresonanz im Bereich des unteren Passbands des Sendefilters (TX) aufweist, und
- der mit dem zweiten Anschluss (2) verbundene Serienresonator (SB2) eine Antiresonanzfrequenz aufweist, die im Bereich der Mitte des Passbands (TP) des Sendefilters (TX) liegt.
29. Duplexer nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass
- der Serienresonator (SBl), der mit dem ersten Anschluss (1) verbunden ist, der gleiche wie ein Parallelresonator (PTl, PT2) des Sendefilters (TX) ist, jedoch einen zusätzlichen Massebelag aufweist, der die Resonanzfrequenz des Serienresonators (SBl) gegenüber der Resonanzfrequenz des Parallelresonators (PTl, PT2) verringert, und
- der Serienresonator (SB2), der mit dem zweiten Anschluss (2) verbunden ist, der gleiche wie ein Parallelresonator (PT) des Sendefilters (TX) ist.
30. Duplexer nach einem der Ansprüche 20 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Serienresonator (SBl) eine Antiresonanz aufweist aber keine Resonanz hat.
31. Duplexer nach einem der Ansprüche 20 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Parallelresonator (PBl) eine Resonanz aufweist aber keine Antiresonanz hat.
32. Duplexer nach einem der Ansprüche 29 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Sendefilter (TX) einen Serienresonator (ST) umfasst, über den er mit dem ersten Anschluss (1) verbunden ist.
33. Duplexer nach einem der Ansprüche 18 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Anpassschaltung (Ml, M2) weiter
- eine Induktivität (L3) umfasst, die den Sendefilter (TX) mit dem Sendeverstärkeranschluss (PA) verbindet, und - eine Induktivität (L4) umfasst, die den Empfangsfilter (RX) mit dem Empfangsverstärkeranschluss (LNA) verbindet.
34. Duplexer nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass weiter Anschlüsse (PA2, LNAl, LNA2) vorgesehen sind, die über jeweilige Filter (TX2, TX3, RXl, RX2) und Bandsperren (BS) an den Antennenanschluss (ANT) gekoppelt sind, wobei die Sperrbereiche der jeweiligen Bandsperren (BS) im Passband (TP) des Sendefilters (TXl) liegen.
35. Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen einem ersten Bandpassfilter (TX, TXl) und mindestens einem zweiten Bandpassfilter (RX, RXl, RX2, TX2, TX3), wobei
- der erste Bandpassfilter (TX, TXl) und der mindestens eine zweite Bandpassfilter (RX, RXl, RX2, TX2, TX3) an einen gemeinsame Knoten (K) gekoppelt sind,
- der mindestens eine zweite Bandpassfilter (RX, RXl, RX2, TX2, TX3) über eine jeweilige Bandsperre (BS) an den gemeinsamen Knoten (K) gekoppelt ist, wobei die jeweiligen Bandsperren (BS) in einem Durchlassbereich (TP) des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) sperren, und
- die Filterfunktion des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) und die der Bandsperren (BS) jeweils durch mindestens einen gleichen Resonator realisiert wird.
36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) und die Resonatoren der mindestens einen Bandsperre (BS) auf demselben Substrat (CT) realisiert werden.
37. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass die gleichen Resonatoren mit denselben Prozessschritten realisiert werden.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzfrequenz von mindestens einem Resonator der Bandsperren (BS) gegenüber der Resonanzfrequenz des gleichen Resonators des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) abgesenkt wird.
39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzfrequenz durch einen zusätzlichen, auf dem Resonator angebrachten Massebelag abgesenkt wird.
40. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren der Bandsperren (BS) und des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) BAW-Resonatoren sind.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren der Bandsperren (BS) SAW- Resonatoren sind.
42. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatoren der Bandsperren (BS) GBAW- Resonatoren sind.
43. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Bandpassfilter (TX, TXl), der mindestens eine zweite Bandpassfilter (RX, RXl, RX2, TX2, TX3, RX) und eine an den gemeinsamen Knoten (K) gekoppelte Antenne so aneinander in der Impedanz angepasst werden, dass bei Frequenzen, die im Durchlassbereich des ersten Bandpassfilter (TX, TXl) liegen,
- die Reflektion von Leistung zwischen dem ersten Bandpassfilter (TX, TXl) und der Antenne minimiert wird, und
- der mindestens eine zweite Bandpassfilter (RX, RXl, RX2 TX2, TX3) aus Sicht des ersten Bandpassfilters (TX, TXl) einen Leerlauf darstellt, und bei Frequenzen, die jeweils in den Durchlassbereichen des mindestens einen zweiten Bandpassfilters (RX, RXl, RX2, TX2, TX3) liegen,
- die Reflektion von Leistung zwischen jedem zweiten Bandpassfilter (RX, RXl, RX2, TX2, TX3) und der Antenne minimiert wird, und
- der erste Bandpassfilter (TX, TXl) jeweils aus Sicht des jeweiligen zweiten Bandpassfilters (RX, Xl, RX2, TX2, TX3) einen Leerlauf darstellt.
44. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass die statische Kapazität von mindestens einem Resonator der Bandsperren (BS) für die Anpassung variiert wird.
45. Verfahren nach einem der Ansprüche 43 oder 44, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Resonatoren der Bandsperren (BS) eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität aufweist und durch mindestens eine Anzahl N von Resonatoren realisiert wird, wobei
- die Anzahl N der Resonatoren größer gleich zwei ist,
- die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal größer als die erste statische Kapazität ist, - die N Resonatoren zueinander in Serie geschaltet sind, und
- zumindest bei einem der Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
46. Verfahren nach einem der Ansprüche 43 oder 44, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Resonatoren der Bandsperren (BS) eine erste Resonanzfrequenz und eine erste statische Kapazität aufweist und durch mindestens eine Anzahl N von Resonatoren realisiert wird, wobei
- die Anzahl N der Resonatoren größer gleich zwei ist,
- die N Resonatoren jeweils eine statische Kapazität aufweisen, die N-mal kleiner als die erste statische Kapazität ist,
- die N Resonatoren zueinander parallel geschaltet sind, und
- zumindest bei einem der Resonatoren die Resonanzfrequenz um bis zu 3 % von der ersten Resonanzfrequenz abweicht.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011524337A JP5401549B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-21 | デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法 |
US13/033,857 US9160306B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-02-24 | Duplexer and method for increasing the isolation between two filters |
US14/466,885 US9577606B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-08-22 | Duplexer and method for increasing the isolation between two filters |
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---|---|---|---|
DE102008045346.3 | 2008-09-01 | ||
DE102008045346.3A DE102008045346B4 (de) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US13/033,857 Continuation US9160306B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-02-24 | Duplexer and method for increasing the isolation between two filters |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2010023168A1 true WO2010023168A1 (de) | 2010-03-04 |
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ID=41171059
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/060839 WO2010023167A1 (de) | 2008-09-01 | 2009-08-21 | Antennenanpassschaltung |
PCT/EP2009/060841 WO2010023168A1 (de) | 2008-09-01 | 2009-08-21 | Duplexer und verfahren zum erhöhen der isolation zwischen zwei filtern |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/060839 WO2010023167A1 (de) | 2008-09-01 | 2009-08-21 | Antennenanpassschaltung |
Country Status (4)
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---|---|
US (3) | US9214920B2 (de) |
JP (2) | JP5401549B2 (de) |
DE (1) | DE102008045346B4 (de) |
WO (2) | WO2010023167A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013080428A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 高周波フィルタ |
JP2013539308A (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-17 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 非直線性を低減させるための、メタライゼーション比が異なる複数の変換器を有する音波によって動作するフィルタ、及び、その製造方法 |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100825132B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2008-04-24 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 고압 방전 램프 |
DE102008045346B4 (de) * | 2008-09-01 | 2018-06-07 | Snaptrack Inc. | Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern |
WO2011108289A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
DE102010046677B4 (de) | 2010-09-27 | 2017-10-12 | Snaptrack Inc. | Schaltungsanordnung |
DE102011018918B4 (de) * | 2011-04-28 | 2017-01-05 | Epcos Ag | Schaltungsanordnung |
US9190712B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-11-17 | Apple Inc. | Tunable antenna system |
WO2013155495A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods for reducing filter insertion loss while maintaining out-of-band attenuation |
WO2013155494A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods related to improved isolation between transmit and receive radio-frequency signals |
ES2533314T3 (es) * | 2012-06-07 | 2015-04-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Transceptor sin duplexor y aparato de comunicación |
DE102012107244B4 (de) * | 2012-08-07 | 2019-10-31 | Snaptrack, Inc. | Duplexer mit Phasenschieberschaltung |
DE102012108035B4 (de) | 2012-08-30 | 2016-06-16 | Epcos Ag | Kondensator mit verbessertem linearen Verhalten |
DE102012108030B4 (de) * | 2012-08-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Multiplexer mit verringerten Intermodulationsprodukten |
EP2733855B1 (de) | 2012-11-15 | 2016-07-27 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Sender-empfänger-vorderseite |
US9923593B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-03-20 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Transmitter receiver leakage reduction in a full duplex system without the use of a duplexer |
BR112015026916B1 (pt) | 2013-04-26 | 2022-07-05 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Arranjo de transceptor, dispositivo de comunicação, método para controlar um arranjo de transceptor, e, meio de armazenamento legível por computador |
MY185907A (en) | 2013-04-30 | 2021-06-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Transceiver arrangement, communication device, method and computer program |
WO2015045882A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変フィルタ |
US9900044B2 (en) | 2014-01-21 | 2018-02-20 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Transceiver arrangement and communication device |
US9281800B2 (en) | 2014-01-24 | 2016-03-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator filter device having narrow pass-band |
JP6363378B2 (ja) | 2014-04-10 | 2018-07-25 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
GB2526197B (en) | 2014-04-11 | 2020-11-18 | Skyworks Solutions Inc | Circuits and methods related to radio-frequency receivers having carrier aggregation |
DE102014110905A1 (de) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Epcos Ag | Duplexer mit verbesserter Reflektivität |
BR112017008956A2 (pt) | 2014-10-29 | 2017-12-26 | Ericsson Telefon Ab L M | arranjo de transceptor e dispositivo de comunicação |
US10009054B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-06-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Impedance matching integrous signal combiner |
US10707905B2 (en) * | 2015-06-23 | 2020-07-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Wideband multiplexer for radio-frequency applications |
US10541713B2 (en) * | 2015-06-29 | 2020-01-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiplexers having hybrid circuits with resonators |
CN108352827B (zh) * | 2015-10-30 | 2022-06-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP6822764B2 (ja) | 2015-12-17 | 2021-01-27 | Tdk株式会社 | 分波器 |
JP6743396B2 (ja) | 2016-01-25 | 2020-08-19 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタおよび分波器 |
JP6658070B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2020-03-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、送信装置および受信装置 |
US10476532B2 (en) * | 2016-02-24 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multiplexer, transmission apparatus, and reception apparatus |
JP6614329B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-12-04 | 株式会社村田製作所 | 帯域阻止フィルタおよび複合フィルタ |
DE102016111917A1 (de) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | Snaptrack, Inc. | RF Schaltkreis und Verfahren zum Betrieb |
DE102016112984A1 (de) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Snaptrack, Inc. | HF-Filter mit verringerter Einfügedämpfung |
JP6573851B2 (ja) | 2016-08-04 | 2019-09-11 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
KR102565276B1 (ko) * | 2016-11-16 | 2023-08-09 | 삼성전자주식회사 | 코일 공유 구조를 가지는 무선 장치 |
JP2018101943A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP6760480B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2020-09-23 | 株式会社村田製作所 | エクストラクタ |
JP2018157248A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | フロントエンドモジュール |
RU2668312C2 (ru) * | 2017-03-17 | 2018-09-28 | Сергей Александрович Шабад | Музыкальный фильтр |
JP6406482B1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-17 | 株式会社村田製作所 | トラップフィルタおよびフィルタ回路 |
CN109391242B (zh) * | 2017-08-03 | 2022-08-09 | 株式会社村田制作所 | 复合型滤波器装置、高频前端电路以及通信装置 |
DE102017118933B4 (de) * | 2017-08-18 | 2019-10-31 | RF360 Europe GmbH | Duplexer, Duplexer-Bauelement, Quadplexer und Quadplexer-Bauelement |
KR102377662B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-03-23 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
FR3073995B1 (fr) * | 2017-11-17 | 2021-01-08 | Continental Automotive France | Systeme d'au moins deux unites emettrices et/ou receptrices reliees a une antenne commune |
DE102018102832B4 (de) * | 2018-02-08 | 2023-01-05 | RF360 Europe GmbH | Filterschaltung mit einem Notchfilter |
JP2020048067A (ja) | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社村田製作所 | エクストラクタ |
JP6939763B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-09-22 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
JP6889413B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-06-18 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置 |
DE102019119239A1 (de) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | RF360 Europe GmbH | Multiplexer |
CN110535449B (zh) * | 2019-07-23 | 2023-07-28 | 同方电子科技有限公司 | 一种恒阻短波多工器 |
DE102019120312A1 (de) * | 2019-07-26 | 2021-01-28 | RF360 Europe GmbH | Filtervorrichtung umfassend zwei verbundene Filterschaltungen |
JP7352855B2 (ja) * | 2019-08-21 | 2023-09-29 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
CN112073018B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-02-25 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器、多工器以及通信设备 |
KR102482602B1 (ko) * | 2020-08-19 | 2022-12-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 필터 |
US11824522B2 (en) | 2020-11-11 | 2023-11-21 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Electroacoustic filter with modified phase characteristics |
CN112736378B (zh) * | 2020-12-01 | 2021-12-14 | 武汉虹信科技发展有限责任公司 | 一种滤波移相器及天线 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910481A (en) * | 1988-03-07 | 1990-03-20 | Kokusai Denki Kabushiki Kaisha | Branching filter |
US20050174192A1 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter and communication device |
US20060229030A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Simon Harris S | Tunable duplexer with common node notch filter |
US20080116993A1 (en) * | 2005-02-28 | 2008-05-22 | Takehiko Yamakawa | Piezoelectric Filter, and Duplexer and Communications Apparatus Using the Same |
US20080180193A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual mode piezoelectric filter, method of manufacturing the same, high frequency circuit component and communication device using the same |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4559587A (en) * | 1983-11-17 | 1985-12-17 | Harvey Hubbell Incorporated | Wall mounted luminaire |
US4599587A (en) * | 1984-12-03 | 1986-07-08 | R. F. Monolithics, Inc. | Impedance element |
JPH0661783A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH06152299A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP3487692B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2004-01-19 | 富士通株式会社 | 分波器 |
JPH09232909A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
DE69727353T2 (de) | 1996-10-18 | 2004-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Dielektrisches laminiertes Filter und Übertragungsvorrichtung |
JP3554133B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2004-08-18 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
DE19730710C2 (de) * | 1997-07-17 | 2002-12-05 | Epcos Ag | Oberflächenwellenakustikfilter mit verbesserter Flankensteilheit |
JP2000059174A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-02-25 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波分波器及びそれを用いた移動体通信機器 |
US6262637B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
JP2001068965A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ラダー型フィルタ |
JP2001313542A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
US7324493B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 3-frequency branching circuit, branching circuit and radio communication equipment |
JP3414384B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2003-06-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置 |
JP3973915B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
EP1296454B1 (de) * | 2001-09-25 | 2013-05-22 | TDK Corporation | Akustisches Oberflächenwellenelement und akustische Oberflächenwellenvorrichtung |
JP2003283363A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Nrs Technology Kk | アンテナ共用器 |
DE10225202B4 (de) * | 2002-06-06 | 2017-06-01 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk |
US6879224B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter and impedance matching network |
AU2003274553A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Duplexer and method of isolating an rx-band and a tx-band |
KR100517841B1 (ko) | 2003-02-22 | 2005-09-30 | 주식회사 엠에스솔루션 | 체적탄성파 공진기 밴드 패스 필터, 이를 포함하는듀플렉서 및 그 제조 방법 |
US7042311B1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-05-09 | Novellus Systems, Inc. | RF delivery configuration in a plasma processing system |
JP2005160056A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電デバイス及びアンテナ共用器並びにそれらに用いられる圧電共振器の製造方法 |
DE10352642B4 (de) | 2003-11-11 | 2018-11-29 | Snaptrack, Inc. | Schaltung mit verringerter Einfügedämpfung und Bauelement mit der Schaltung |
JP4857538B2 (ja) | 2004-08-25 | 2012-01-18 | Nok株式会社 | 中空糸膜モジュール |
JPWO2006040927A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2008-05-15 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
CN102497172A (zh) * | 2004-10-29 | 2012-06-13 | 北电网络有限公司 | 带阻滤波器 |
JP2006135447A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器 |
DE102004053319A1 (de) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Epcos Ag | Frequenzweiche |
US20060158281A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-07-20 | Steven Garris | SAW ladder filter |
JP4091043B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2008-05-28 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器 |
US7274270B2 (en) * | 2005-04-13 | 2007-09-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator matching network |
DE102005027715B4 (de) * | 2005-06-15 | 2020-01-02 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustischer Resonator, Filter, Duplexer und Verfahren zur Bestimmung von Parametern eines Resonators |
DE102005028927B4 (de) | 2005-06-22 | 2007-02-15 | Infineon Technologies Ag | BAW-Vorrichtung |
JP2007036856A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Fujitsu Media Device Kk | 共振器、フィルタおよびアンテナ分波器 |
JP2007053563A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性表面波フィルタモジュールおよびこのモジュールの製造方法 |
JP5039290B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2012-10-03 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよびアンテナ分波器 |
DE102005043373A1 (de) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit einem Duplexer |
US8064843B2 (en) * | 2005-09-12 | 2011-11-22 | Epcos Ag | Electrical component for the front end circuit of a transceiver |
US7339445B2 (en) * | 2005-10-07 | 2008-03-04 | Infineon Technologies Ag | BAW duplexer without phase shifter |
DE102005051852B4 (de) * | 2005-10-28 | 2021-05-20 | Snaptrack, Inc. | SAW Filter mit breitbandiger Bandsperre |
KR100752280B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-08-28 | 삼성전자주식회사 | 휴대단말기의 안테나주파수 자동매칭 장치 |
DE102006005298B4 (de) * | 2006-02-06 | 2017-05-24 | Epcos Ag | Duplexer |
WO2007119556A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ |
JP2008109413A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
DE102006057340B4 (de) * | 2006-12-05 | 2014-05-22 | Epcos Ag | DMS-Filter mit verbesserter Anpassung |
JP4943137B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-05-30 | 京セラ株式会社 | 分波器および通信装置 |
JP5042663B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-10-03 | 日本碍子株式会社 | ラダー型圧電フィルタ |
US7598913B2 (en) * | 2007-04-20 | 2009-10-06 | Research In Motion Limited | Slot-loaded microstrip antenna and related methods |
DE102008045346B4 (de) * | 2008-09-01 | 2018-06-07 | Snaptrack Inc. | Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern |
DE102009011639B4 (de) | 2009-03-04 | 2013-08-29 | Epcos Ag | Reaktanzfilter mit steiler Flanke und dessen Verwendung als Sendefilter in einem Duplexer |
US8063717B2 (en) * | 2009-07-27 | 2011-11-22 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer having resonator filters |
-
2008
- 2008-09-01 DE DE102008045346.3A patent/DE102008045346B4/de active Active
-
2009
- 2009-08-21 WO PCT/EP2009/060839 patent/WO2010023167A1/de active Application Filing
- 2009-08-21 JP JP2011524337A patent/JP5401549B2/ja active Active
- 2009-08-21 JP JP2011524336A patent/JP5662935B2/ja active Active
- 2009-08-21 WO PCT/EP2009/060841 patent/WO2010023168A1/de active Application Filing
-
2011
- 2011-02-10 US US13/024,943 patent/US9214920B2/en active Active
- 2011-02-24 US US13/033,857 patent/US9160306B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-22 US US14/466,885 patent/US9577606B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910481A (en) * | 1988-03-07 | 1990-03-20 | Kokusai Denki Kabushiki Kaisha | Branching filter |
US20050174192A1 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter and communication device |
US20080116993A1 (en) * | 2005-02-28 | 2008-05-22 | Takehiko Yamakawa | Piezoelectric Filter, and Duplexer and Communications Apparatus Using the Same |
US20060229030A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Simon Harris S | Tunable duplexer with common node notch filter |
US20080180193A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual mode piezoelectric filter, method of manufacturing the same, high frequency circuit component and communication device using the same |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BEAUDIN S ET AL: "A NEW SAW BAND REJECT FILTER AND ITS APPLICATIONS IN WIRELESS SYSTEMS", 2002 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS. MUENCHEN, GERMANY, OCT. 8 20021108 NEW YORK, NY : IEEE, US, vol. 1, 8 November 2002 (2002-11-08), pages 147 - 151, XP001204393, ISBN: 978-0-7803-7582-6 * |
CHUN-YUN JIAN ET AL: "SAW band reject filter performance at 850 MHz", ULTRASONICS SYMPOSIUM, 2005 IEEE ROTTERDAM, THE NETHERLANDS 18-21 SEPT. 2005, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, vol. 4, 18 September 2005 (2005-09-18), pages 2162 - 2165, XP010899300, ISBN: 978-0-7803-9382-0 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013539308A (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-17 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 非直線性を低減させるための、メタライゼーション比が異なる複数の変換器を有する音波によって動作するフィルタ、及び、その製造方法 |
US9231556B2 (en) | 2010-09-28 | 2016-01-05 | Epcos Ag | Acoustic wave filter having reduced non-linearities, and method for production |
WO2013080428A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 高周波フィルタ |
CN103765774A (zh) * | 2011-11-28 | 2014-04-30 | 松下电器产业株式会社 | 高频滤波器 |
JPWO2013080428A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2015-04-27 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 高周波フィルタ |
US9166558B2 (en) | 2011-11-28 | 2015-10-20 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. | High-frequency filter |
CN103765774B (zh) * | 2011-11-28 | 2016-01-13 | 天工松下滤波方案日本有限公司 | 高频滤波器 |
US10141643B2 (en) | 2011-11-28 | 2018-11-27 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | High-frequency filter including matching circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9214920B2 (en) | 2015-12-15 |
US20110210805A1 (en) | 2011-09-01 |
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JP2012501564A (ja) | 2012-01-19 |
DE102008045346B4 (de) | 2018-06-07 |
DE102008045346A1 (de) | 2010-03-04 |
WO2010023167A1 (de) | 2010-03-04 |
US20150130680A1 (en) | 2015-05-14 |
US20110187478A1 (en) | 2011-08-04 |
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