WO2007058179A1

WO2007058179A1 - 非接触ｉｃカード

Info

Publication number: WO2007058179A1
Application number: PCT/JP2006/322677
Authority: WO
Inventors: Minoru Fujita; Haruhiko Osawa; Hajime Tsushio; Akiko Nagumo
Original assignee: Kyodo Printing Co., Ltd.
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2006-11-14
Publication date: 2007-05-24
Also published as: US7931203B2; US20090250521A1; TW200741553A; EP1959377A4; KR20080074126A; EP1959377A1

Abstract

　ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップに対する静電気破壊を防止した非接触ＩＣカードを提供する。　カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層は、導電率が２８．９×１０6／Ωｍよりも低い材質、または、表面抵抗率が７．０２（Ω／□）以上の薄膜から構成されることを特徴とする。

Description

非接触 ICカード

技術分野

[0001] 本発明は、非接触 ICカードに関し、特に、カード基材の少なくとも一方の面に磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が設けられ、尚且つ、カード基材の内部に

、 ICチップと通信用アンテナとが内蔵され、非接触でのデータの送受信が可能な非接触 ICカードに関するものである。

背景技術

[0002] 近年におけるカード技術の発達により、様々な通信システムに用いられている情報記録媒体として、広範囲な用途に適用可能な ICカードがある。この ICカードには、専用の装置に接触させることで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な接触型の ICカードと、専用の装置に近接させるだけで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な非接触型の ICカードがある。

[0003] これらの ICカードは、磁気記録層を有する磁気カードと比較し、セキュリティ性が高く、尚且つ、カード自体に書き込むことができる情報量が多ぐ一枚のカードだけで多面的に使用できることから産業上における普及度は増加の一途を迪つている。

[0004] その中でも特に、非接触型の ICカードは、情報の書き込み処理、あるいは、読み出し処理を行う際に、 ICカード自体を専用の装置に挿入する必要がなぐカード自体の取り扱、が便利なこともあり、産業上で急速に普及して、る。

[0005] また、磁気ストライプ等の磁気記録層を有する ICカードもあり、従来の磁気記録層を利用した通信システムと、 ICチップを利用した通信システムと、を一枚のカードのみで利用することが可能な構造を構成して、る。

[0006] なお、本発明より先に出願された技術文献として、磁気記録層に対し、ホログラムカロェを施し、ホログラムによる視覚効果を奏しつつ、尚かつ、磁気記録層を利用した機能的情報処理を可能とした磁気ストライプ付きプラスチックカードが開示された文献がある (例えば、特許文献 1参照)。

[0007] この上記特許文献 1に開示された磁気ストライプ付きプラスチックカードのように、ホログラムによる視覚効果を奏しつつ、尚かつ、機能的情報処理を可能とするために、ホログラム力卩ェを施した磁気記録層を、非接触 ICカードに適用しょうという試みが現在行われている。

[0008] し力しながら、ホログラム力卩ェを施した磁気記録層を適用した非接触 ICカードに対し、『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IE C 10373-7:2001)』で規定されている静電気試験を行い、ホログラム力卩ェを施した磁気記録層に対し、静電気を放電した場合には、ホログラム加工を施した磁気記録層力非接触 ICカード内に埋設されているアンテナに対し、放電電流が流れ込み、その放電電流が最終的にアンテナと接続された ICチップに流れ込み、 ICチップの静電気破壊が発生することになる。

[0009] また、本発明より先に出願された技術文献として、 ICモジュールが埋め込まれた非接触 icカードに少なくとも片面に絶縁性金属光沢反射層を有する透明 Z不透明型可逆性感熱記録層を設け、前記絶縁性金属光沢反射層はスズの島状蒸着物により形成し、アンテナ又はコイルの汎用性を失うことなぐ透明 Z不透明型可逆性感熱記録層を有する非接触 ICカードが開示された文献がある (例えば、特許文献 2参照)。

[0010] また、反射性薄膜層が、少なくとも一部に設けられたホログラムまたは回折格子バタ一ンの、ずれかの構造体を積層状態で ICモジュールに設けた ICカードであり、該反射性薄膜層には島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄膜を用いることで、 IC チップの電気的特性に悪影響を及ぼさないようにすることを可能とした ICカードが開示された文献がある (例えば、特許文献 3参照)。

特許文献 1 :特許第 3198183号公報

特許文献 2：特開平 11― 353442号公報

特許文献 3：特開平 11― 353447号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0011] なお、上記特許文献 2は、絶縁性金属光沢反射層をスズの島状蒸着物により形成し、アンテナ又はコイルの汎用性を失うことなぐ透明 Z不透明型可逆性感熱記録層を有する非接触 ICカードを構成してヽるが、ホログラム加工を施した磁気記録層を非接触 ICカードに適用した場合に生ずる ICチップの静電気破壊については何ら考慮されたものではない。

[0012] また、上記特許文献 3は、反射性薄膜状には島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄膜を用いることで、 ICチップの電気的特性に悪影響を及ぼさなヽようにしているが、上記特許文献 2と同様に、ホログラム加工を施した磁気記録層を非接触 IC力ードに適用した場合に生ずる ICチップの静電気破壊については何ら考慮されたものではない。

[0013] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、ァンテナと、該アンテナと接続された ICチップと、が埋設されてなる非接触 ICカード〖こおいて、その非接触 ICカード内に埋設される ICチップに対する静電気破壊を防止した非接触 ICカードを提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段

[0014] かかる目的を達成するために、本発明は以下の特徴を有する。

[0015] 本発明にかかる第 1の非接触 ICカードは、カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続された ICチップと、が埋設されてなる非接触 ICカードであって、金属反射層は、導電率が 28. 9 X 10ソ Ω πιよりも低い材質力もなることを特徴とするものである。

[0016] なお、本発明に力かる第 1の非接触 ICカードにおいて、金属反射層は、 Sn, Ti, C r, Fe, In, Ni, Co, Znの少なくとも 1つの材質を用いて構成することが可能である。なお、金属反射層は、 Sn, Ti, Cr, In, Znの材質を用いて構成することが好ましぐ製造コスト、化学的安定性等を考慮した場合には、 Crを用いて構成することが好ましい。また、隠蔽性を考慮した場合には、 Sn, Crを用いて構成することが好ましい。このため、第 1の非接触 ICカードにおいて、金属反射層は、製造コスト、化学的安定性、隠蔽性等を兼ね備えた Crを用いて構成することが最も好ましいことになる。

[0017] また、本発明にかかる第 2の非接触 ICカードは、カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続された ICチップと、が埋設されてなる非接触 ICカードであつて、金属反射層は、表面抵抗率が 7. 02 ( ΩΖ口）以上であることを特徴とするものである。

[0018] なお、本発明にかかる第 2の非接触 ICカードにおいて、金属反射層は、光反射性や、隠蔽性のある材質であればあらゆる材質を用いて構成することが可能である。なお、金属反射層は、表面抵抗率が 7. 02 ( Ω Ζ口）以上となるように構成するのであれば、あらゆる材質を用いて構成することが可能であり、例えば、 Al, Zn, Co, Ni, I n, Fe, Cr, Ti, Snの少なくとも 1つの材質を用いて構成することが可能となる。なお、金属反射層は、加工性、製造コスト等を考慮した場合には、 A1を用いて構成することが好ましい。また、隠蔽性を考慮した場合には、 Al, Sn, Crを用いて構成することが好ましい。このため、第 2の非接触 ICカードにおいて、金属反射層は、加工性、製造コスト、隠蔽性等を兼ね備えた A1を用いて構成することが最も好ましいことになる。

[0019] また、本発明にかかる第 1、第 2の非接触 ICカードにおいて、金属反射層は、連続膜からなることを特徴とするちのである。

[0020] また、本発明にかかる第 1、第 2の非接触 ICカードにおいて、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、は一体ィ匕されてなることを特徴とするものである。

発明の効果

[0021] 本発明に力かる非接触 ICカードは、『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373-6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373-7:2001)』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層からアンテナに対する放電電流の流れ込みを制限することが可能となる。これにより、非接触 IC力ード内に埋設される ICチップに対する静電気破壊を防止することが可能となる。発明を実施するための最良の形態

[0022] まず、図 1、図 2を参照しながら、本実施形態における非接触 ICカードの特徴について説明する。

[0023] 本実施形態における非接触 ICカードは、図 1に示すように、カード基材（1)上に、ホログラム'磁気記録層（2)を有し、カード基材（1)の中に、アンテナ（12)と、該アンテナ（12)と接続された ICチップ（13)と、が埋設されてなる非接触 ICカードである。 [0024] そして、ホログラム '磁気記録層 (2)は、図 2に示すように、少なくとも、磁気記録層 ( 22)と、金属反射層（23)と、ホログラム層（24)と、を有して構成される。

[0025] なお、本実施形態における金属反射層（23)は、導電率が 28. 9 X 10⁶ΖΩπιよりも低い材質、または、表面抵抗率が 7. 02 ( ΩΖ口）以上の薄膜から構成されることを特徴とする。

[0026] これにより、本実施形態における非接触 ICカードは、『JIS X 6305- 6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373- 7:2001)』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層（23)に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層（23)力アンテナ（12)に対する放電電流の流れ込みを制限することが可能となり、 ICカード内に埋設される ICチップ（13)に対する静電気破壊を防止することが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態における非接触 ICカードについて説明する。

[0027] (第 1の実施形態）

く非接触 ICカードの構成〉

まず、図 1を参照しながら、本実施形態における非接触 ICカードの構成について説明する。

[0028] 本実施形態における非接触 ICカードは、図 1に示すように、カード基材（1)と、ホログラム'磁気記録層（2)と、を有して構成される。なお、本実施形態におけるカード基材（1)の中には、図 1に示すように、アンテナ（12)と、 ICチップ（13)と、が埋没されている。なお、 ICチップ（13)は、アンテナ（12)と接続されてカード基材（1)の中に埋没されること〖こなる。

[0029] <カード基材： 1の構造 >

次に、図 1を参照しながら、本実施形態における非接触 ICカードを構成するカード基材（1)の構造にっ、て説明する。

[0030] 本実施形態における非接触 ICカードを構成するカード基材（1)は、図 1に示すように、アンテナ基材 (11)上に螺旋状のアンテナやコンデンサ等のアンテナパターン（ 1 2)を形成し、該形成したアンテナパターン（12)と、 ICチップ（13)と、が接着剤（14) を介して電気的に接続するように、 ICチップ（13)をアンテナ基板（11)に実装し、 IC モジュール（15)を構成し、その ICモジュール（15)を覆うように、 ICモジュール（15) の上下面力もラミネート基材となるコアシート（16)と、オーバーシート（17)と、にて挟持して積層することで構成される。

[0031] <カード基材：1を構成する各部の説明 >

次に、カード基材（1)を構成する各部について説明する。

[0032] <コアシート： 16 >

コアシート（16)は、カード基材（1)の中心部分となる基材であり、カード本体に強度を付与させる基材である。コアシート（16)に適用可能な材質としては、一般用ポリスチレン榭脂、耐衝撃用ポリスチレン榭脂、アクリル-トリルスチレン榭脂、 ABS (アタリ口-トリル—ブタジエン—スチレン共重合体)榭脂、アクリル榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリアミド榭脂、ポリアセタール榭脂、 PC (ポリカーボネート)榭脂、塩化ビニル榭脂、変性 PPO榭脂、ポリブチレンテレフタレート榭脂、ポリフエ-レンサルファルド榭脂等の熱可塑性榭脂、ァロイ系榭脂、ガラス繊維の添カ卩による強化榭脂等の従来力 ICカード本体の中心部分となるカード基材（1)に適用可能な公知の榭脂が挙げられる。なお、塩化ビュル、 PET— G等は、自己融着を行う特性を有することから、ラミネートの際に、接着剤や接着剤シートが不要となるため、塩化ビュル、 P ET—G等をコアシート（16)に適用することが好ましい。

[0033] <オーバーシート： 17>

オーバーシート（17)は、カード基材（1)の外側部分を構成する基材である。オーバ一シート（17)に適用可能な材質としては、上述したコアシート（16)に適用可能な榭脂が挙げられる。

[0034] <アンテナ基板： 11 >

アンテナ基板（11)は、アンテナパターン（12)を形成する絶縁性を有する基材である。アンテナ基板（11)に適用可能な材質としては、例えば、ポリエステル榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリイミド榭脂、 PET、 PEN, PET— G等の榭脂が挙げられる。

[0035] <アンテナパターン： 12の材質 >

アンテナパターン（12)を形成する材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、錫、ニッケル、亜鉛、チタン、タングステン、ハンダ、合金等が適用可能である。なお、アンテナ基板（11)上にアンテナパターン（12)を形成する手法としては、エッチング法や、印刷法 (スクリーン印刷法、オフセット印刷法）が適用可能である。また、巻き線法でアンテナ基板（ 11)上にアンテナパターン（ 12)を形成することも可能である。

[0036] <接着剤： 14>

接着剤（14)は、アンテナ基板（11)に形成されたアンテナパターン（12)と、 ICチップ（13)等の電子部品と、を接続するためのものであり、紫外線硬化榭脂、湿気硬化性榭脂、熱硬化性榭脂などが適用可能である。なお、アンテナパターン（12)と、 IC チップ（13)等の電子部品と、を接続するには、熱硬化性のエポキシ榭脂ゃエポキシ樹脂に対し、数 m程度の微小な導電性粒子を分散させた異方性導電性接着剤 ( A CP)、 ACPをフィルム状にした異方性導電性フィルム (ACF)等の接着剤を介してフリップチップ方法で行うことが好ましい。なお、 ACFは、ニッケル、金属コートされたプラスチック等の導電粒子、あるいは、金属粒子そのものをエポキシ榭脂等の接着剤中に分散した接着剤である。

[0037] <ホログラム '磁気記録層： 2の構造 >

次に、図 2を参照しながら、本実施形態の非接触 ICカードを構成するホログラム'磁気記録層 (2)の構造にっ、て説明する。

[0038] ホログラム '磁気記録層 (2)は、接着層（21)と、磁気記録層 (22)と、金属反射層（2 3)と、ホログラム層 (24)と、保護層（25)と、を有して構成され、このホログラム '磁気記録層 (2)を、離形層 (26)を介して支持層 (27)に積層することで『転写シート』を構成すること〖こなる。

[0039] く接着層：21 >

接着層（21)は、ホログラム '磁気記録層 (2)をカード基材（1)上に接着させるための層である。なお、接着層（21)に適用可能な材質としては、ヒートシール性の良好な塩化ビニル Z酢酸ビニル共重合体等の合成樹脂が挙げられる。接着層（21)の層厚としては、 5 μ m程度が好ましい。

[0040] <磁気記録層： 22 >

磁気記録層 (22)は、情報を記録することが可能な層であり、公知の磁気塗料を用いて印刷もしくは塗布して形成される。なお、磁気塗料としては、例えば、プチラール榭脂、塩ィ匕ビュル Z酢酸ビュル共重合体、ウレタン榭脂、ポリエステル榭脂、セル口一ス系榭脂、アクリル榭脂、スチレン Zマレイン酸共重合榭脂等の合成樹脂をバインダー榭脂とし、必要に応じ、二トリルゴム等のゴム系榭脂、ウレタンエラストマ一を添加し、磁性体としては、 γ— Fe O、 Co含有 Fe 03、 Fe 04、ノリウムフェライト、スト口

2 3 2 3

ンチウムフェライト、 Co 'Ni'Fe'Crの単独もしくは合金、希土類 Co磁性体の他、界面活性剤、シランカップリング剤、可塑剤、ワックス、シリコーンオイノレ、カーボンその他の顔料を必要に応じて添加し、 3本ロール、サンドミル、ボールミル等により混練して作成したものを適用することが可能である。なお、磁気記録層（22)の層厚としては、 10〜15 /ζ πι程度が好ましい。

[0041] <金属反射層： 23 >

金属反射層（23)は、光を反射させるための層である。なお、本実施形態の金属反射層（23)に適用可能な材質としては、 Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Sn,または、それらを各種混合させた合金が挙げられる。また、金属反射層（23)を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、電気メツキ法等が適用可能である。なお、金属反射層（23)の膜厚としては、 30〜： LOOnm程度が好ましぐ 40〜70nm程度がより好ましい。また、金属反射層（2 3)は、光の反射性を考慮し、連続膜から構成されていることが好ましい。

[0042] <ホログラム層： 24 >

ホログラム層 (24)は、ホログラム形成部（30)を形成するための層である。なお、ホログラム層（24)に適用可能な材質としては、ポリ塩化ビニル、アクリル (例、 MMA)、ポリスチレン、ポリカーボネート等の熱可塑性榭脂、不飽和ポリエステル、メラミン、ェポキシ、ポリエステル (メタ）アタリレート、ウレタン (メタ）アタリレート、エポキシ (メタ）ァタリレート、ポリエーテル (メタ）アタリレート、ポリオール (メタ）アタリレート、メラミン (メタ )アタリレート、トリアジン系アタリレート等の熱硬化性榭脂を硬化させたもの、あるいは、上記の熱可塑性榭脂と熱硬化性榭脂との混合物が適用可能である。ホログラム層（ 24)の層厚としては、 2. 5 m程度が好ましい。

[0043] <保護層： 25 > 保護層（25)は、上述したホログラム層（24)を保護するための層である。なお、保護層（25)に適用可能な材質としては、ポリメチルメタタリレート榭脂と他の熱可塑性榭脂、例えば、塩ィ匕ビュル Z酢酸ビュル共重合体もしくは-トロセルロース榭脂との混合物、または、ポリメチルメタタリレート榭脂とポリエチレンワックスとの混合物等が挙げられ、また、酢酸セルロース榭脂と熱硬化性榭脂、例えば、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、熱硬化型アクリル榭脂、もしくは、メラミン榭脂との混合物が挙げられる。保護層（25)の層厚としては、 1〜2 /ζ πι程度が好ましい。

[0044] <離形層： 26 >

離形層 (26)は、上述したホログラム '磁気記録層 (2)と、支持層 (27)と、を剥離するための層である。なお、離形層 (26)に適用可能な材質としては、熱可塑性アクリル榭脂、ポリエステル榭脂、塩ィ匕ゴム系榭脂、塩化ビニル一酢酸ビニル共重合榭脂、セルロース系榭脂、塩素化ポリプロピレン榭脂あるいはこれらにオイルシリコン、脂肪酸アミド、ステアリン酸亜鉛を添加したものが適用可能である。離形層（26)の層厚としては、 0. 5 m程度が好ましい。

[0045] <支持層： 27 >

支持層 (27)は、ホログラム '磁気記録層 (2)を支持する層である。なお、支持層 (2 7)に適用可能な材質としては、透明なポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ塩ィ匕ビュル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン等の合成榭脂、天然榭脂、紙、合成紙などカゝら単独で選択されたもの、または、上記より選択されて組み合わされた複合体が適用可能である。なお、支持層 (27)としては、抗張力、耐熱性を兼ね備えたポリエステルフィルムを適用することが好ましい。支持層（ 27)の層厚としては、 25 μ m程度が好まし!/、。

[0046] なお、上述した図 2に示すホログラム '磁気記録層 (2)の転写シートの形成方法としては、例えば、支持層 (27)に対し、離形層 (26)、保護層（25)を順次塗布し、ホログラム層（24)を形成する榭脂組成物を塗布し、ホログラム形成部（30)を形成する。そして、金属反射層（23)を蒸着法により形成し、磁気記録層 (22)、接着層（21)を順次塗布する方法が挙げられる。これにより、図 2に示すホログラム '磁気記録層（2)の転写シートを形成することが可能となる。なお、上述した形成方法は、一例であり、この形成方法に限定するものではなぐ図 2に示すホログラム '磁気記録層（2)の転写シートを形成できればあらゆる形成方法を適用することは可能である。なお、本実施形態におけるホログラム '磁気記録層 (2)は、保護層（25)と、ホログラム層（24)と、金属反射層（25)と、磁気記録層 (22)と、の合計層厚が、磁気記録に支障がない 20 μ m以下の層厚であることが好ましい。

[0047] 本実施形態における非接触 ICカードは、この上述した図 2に示す、少なくとも、磁気記録層 (22)と、金属反射層（23)と、ホログラム層（24)と、がー体ィ匕されたホログラム •磁気記録層 (2)を、カード基材（1)に貼着することで、ホログラム '磁気記録層 (2)がカード基材（1)に形成された図 1に示す非接触 ICカードを構成することになる。これにより、美麗なホログラムを形成しつつ、機械的な情報処理を行うことが可能なホログラム'磁気記録層 (2)を、非接触 ICカードのカード表面に形成することが可能となる。

[0048] なお、一般的に、非接触 ICカードのアンテナ（12)力リーダ ·ライタのアンテナと比ベて小さい場合には、非接触 ICカードのアンテナ（12)の面積が大きい程、リーダ'ライタのアンテナから多くのエネルギーを得ることが可能となる。このため、非接触 IC力ードの通信距離を長くしたり、あるいは、非接触カードの ICチップ（13)の消費電力を大きくしたりする場合には、非接触 ICカードのアンテナ（12)の開口面積を大きく設計する必要がある。

[0049] このため、本実施形態の非接触 ICカードのアンテナ（12)は、その ICカードの外形に沿って配置されることが設計上、好ましいことになり、図 3に示すように、ホログラム- 磁気記録層（2)と、カード基材（1)に埋設されているアンテナ（12)と、が重複するような位置関係にて設計されることになる。

[0050] し力しながら、図 3に示すように、ホログラム '磁気記録層（2)と、カード基材（1)に埋設されているアンテナ（12)と、が重複するような位置関係にて設計した場合には、 JI S規格の『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『JIS X 6322-1 : 2001(ISO/IEC 14443-1 :2000)』の 4. 3. 7 で規定されている規定値 ±6kVの静電気に耐えることができず、また、 JIS規格の『JI S X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373-7:2001)』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『JIS X 6323-1 : 2001(ISO/IEC 15693- 1:2000)』の 4. 3. 7で規定されている規定値 ±6kVの静電気に耐えることができないという問題を抱えることになる。

[0051] なお、『JIS X 6305- 6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7： 2001(IS O/IEC 10373-7:2001)』で規定されている静電気試験は、図 4に示す静電気放電試験の回路を用、て行うことになる。

[0052] まず、木製の台に敷いた『導電板』上に、厚さ 0. 5mmの『絶縁板』を設置し、その『絶縁板』上に、『非接触 ICカード』を設置する。そして、『ESD試験器』に接続された直径 8mmの『球型プローブ』を『非接触 ICカード』に接触させ、『ESD試験器』から『非接触 ICカード』に対し、静電気を放電し、放電後の『非接触 ICカード』内の ICチップ（ 13)の性能につ、て試験する。

[0053] なお、図 4に示す静電気放電試験は、

電荷蓄積キャパシタ： 150pF ± 10%、

放電抵抗： 330 Ω ± 10%、

充電抵抗： 50〜： LOOM Ω、

立ち上がり時間： 0. 7〜： Lnsで行う。

[0054] まず、図 5に示すように、非接触 ICカードの表裏面をそれぞれ縦横 4列 X 5列に 20 分割し、非接触 ICカードの表面側から順に、 +6kVの静電気を 20箇所に印加し、次に、—6kVの静電気を 20箇所にて印加し、続けて、非接触 ICカードの裏面側にも同様な処理を実施する。なお、図 5に示す『1』〜『20』は、静電気放電試験における力ード上の区分域を示す。

[0055] この図 4に示す静電気放電試験の回路を用!ヽて静電気試験を行うと、カード基材 ( 1)に埋設されている ICチップ（13)の静電気破壊が発生することになる。これは、ホログラム'磁気記録層 (2)と、カード基材（1)に埋設されているアンテナ（12)と、が重複しているため、ホログラム '磁気記録層 (2)に対し、静電気を放電すると、ホログラム' 磁気記録層（2)と重複しているアンテナ（12)に対し、放電電流が流れ込み、その流れ込んだ放電電流が最終的には ICチップ（13)に流れ込むことになり、 ICチップ（13 )に対して過度な負荷を生じさせることになるためである。

[0056] なお、ホログラム '磁気記録層 (2)をカード基材（1)に設ける位置は、カードの用途により規格で定められており、例えば、『JIS X 6302-2 : 2005(ISO/IEC 7811-2:2001)』または『JIS X 6302-6 : 2005(ISO/IEC 7811-6:2001)』の規定では、非接触 ICカードの上端力もホログラム '磁気記録層（2)の手前側までの距離を、最大で 5. 54mmとして定め、また、非接触 ICカードの上端力もホログラム '磁気記録層（2)の奥側までの距離を、 2トラックの場合は、最小で 11. 89mm, 3トラックの場合は、最小で 15. 95mm として定めて設けることが規定されている。このため、非接触 ICカードの通信特性を良好にするように、アンテナ（12)をカード基材（1)に配置した場合には、図 3に示すように、ホログラム '磁気記録層 (2)とアンテナ（12)とが重複すること〖こなる。

[0057] このため、本発明者らは、図 1、図 3に示すホログラム '磁気記録層（2)を有する非接触 ICカードにおいて、上述した静電気試験を満足させるために、様々な改良を試み、鋭意研究を重ねた結果、ホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（23 )の材質を改良することで、上述した静電気試験を満足させることを実験力見出すことを発見した。以下、図 6を参照しながら、金属反射層（23)に適用する材質と、図 4 に示す静電気試験による ICチップ（13)に対する静電気破壊と、の関係について説明する。なお、図 6は、金属反射層（23)に適用した材質の導電率と、その材質を適用した非接触 ICカードの静電気試験〖こよる ICチップ ( 13)に対する静電気破壊の有無と、の関係を示す測定結果を示す。

[0058] なお、図 6に示す測定結果は、図 7に示す非接触 ICカードを製造し、温度条件が 2

0°Cの環境下で、図 4に示す静電気試験を行った場合の測定結果である。

[0059] なお、図 7に示す非接触 ICカードは、以下に示す材料を適用し、厚さ lmmのステンレス板にて挟持し、熱プレスで熱圧着して製造したものである。

[0060] オーバーシート（17— 1)： CGOSOM ^O /z m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 - 1)： PG700M： 125 m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 - 2)： PG700M： 200 m (太平化学製品（株）製）

ICモジュール（15)： RC— S935A (ソニー（株）製）

コアシート (16 - 3)： PG700M： 200 m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 -4)： PG700M： 125 m (太平化学製品（株）製）

オーバーシート (17- 2)： CG030M： 50 m (太平化学製品（株）製）

なお、ホログラム '磁気記録層（2)は、 8. 4mm幅のホログラム '磁気記録層を適用し、『JIS X 6302-2 : 2005(ISO/IEC 7811- 2:2001)』または『JIS X 6302-6 : 2005(ISO/IE C 7811-6:2001)』の規格で規定された位置に配置した。

[0061] なお、図 6に示す測定結果は、ホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（ 23)の材質として、 Ag, Cu, Al, Au, Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Snを適用した場合の ICチップ（13)の静電気破壊の結果が示されており、図 6に示す測定結果から明らかなように、金属反射層（23)の材質として、 Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Sn を適用した場合に、 ICチップ（13)の静電気破壊が発生しないことが測定結果力も判明した。このため、金属反射層（23)の材質として、 Auの導電率： 28. 9 X 10⁶/Qm よりも小さい導電率の材質を適用することで、 ICチップ（13)の静電気破壊が発生しないことになる。

[0062] このため、ホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（23)は、導電率が 28 . 9 Χ 10⁶ΖΩπιよりも低い材質にて構成することが好ましい。これにより、ホログラム' 磁気記録層 (2)を有する非接触 ICカード内に埋設される ICチップ（13)の静電気破壊を回避することが可能となる。

[0063] このように、本実施形態における非接触 ICカードは、カード基材（1)上に、ホロダラム ·磁気記録層 (2)を有し、カード基材（ 1)の中に、アンテナ（ 12)と、該アンテナ（ 12 )と接続された ICチップ（13)と、が埋設され、ホログラム '磁気記録層（2)と、アンテナ (12)と、が重複するように設計した場合でも、ホログラム '磁気記録層（2)を構成する金属反射層（23)を、導電率が 28. 9 X 10ソ Ωπιよりも低い材質で形成することで、『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』で規定されている静電気試験を行つた場合でも、『JIS X 6322-1 : 2001(ISO/IEC 14443- 1:2000)』の規定を満足し、また、『 JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373- 7:2001)』で規定されている静電気試験を行った場合でも、『JIS X 6323-1 : 2001(ISO/IEC 15693- 1:2000)』の規定を満足することが可能となる。

[0064] なお、上述した実施形態における非接触 ICカードを構成するホログラム '磁気記録層（2)は、図 6に示す測定結果から、金属反射層（23)の材質として、 Zn, Co, Ni, I n, Fe, Cr, Ti, Snを適用することにした力金属反射層（23)の材質は、 28. 9 X 10 6ΖΩπιよりも小さい導電率であれば、 Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Snの少なくとも 1つの材質を適用することも可能であることは言うまでもない。

[0065] なお、上述した金属反射層（23)を構成する材質としては、 Sn, Ti, Cr, In, Znが好ましぐ製造コスト、化学的安定性等を考慮した場合には、 Crが好ましいことになる。また、隠蔽性を考慮した場合には、 Sn, Crが好ましいことになる。このため、本実施形態の金属反射層（23)を構成する材質としては、製造コスト、化学的安定性、隠蔽性等を兼ね備えた Crを適用することが最も好ましいことになる。

[0066] (第 2の実施形態）

次に、第 2の実施形態における非接触 ICカードについて説明する。

[0067] 第 2の実施形態における非接触 ICカードは、ホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（23)を、表面抵抗率が 7. 02 ( Ω Ζ口）以上となるように構成したことを特徴とする。これにより、『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373-7:2001)』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層（23)に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層（23)からアンテナ（12 )に対する放電電流の流れ込みを制限することが可能となるため、 ICカード内に埋設される ICチップ（13)に対する静電気破壊を防止することが可能となる。以下、図 8、図 9を参照しながら、第 2の実施形態における非接触 ICカードについて説明する。

[0068] 第 2の実施形態における非接触 ICカードは、図 1に示す第 1の実施形態の非接触 I Cカードと同様な構造にて構成される。但し、第 1の実施形態の非接触 ICカードにおける金属反射層（23)は、 28. 9 Χ 10⁶ΖΩπιよりも小さい導電率となる材質を用いて構成することにしたが、第 2の実施形態の非接触 ICカードにおける金属反射層（23) は、金属反射層（23)の表面抵抗率が 7. 02 ( ΩΖ口）以上となるように構成するのであれば、金属反射層（23)に適用可能な材質は、あらゆる材質が適用可能であり、例えば、 Al, Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Sn,または、それらを各種混合させた合金が適用可能である。

[0069] まず、図 8を参照しながら、所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（23)と、図 4に示す静電気試験における ICチップ（13)に対する静電気破壊の有無と、の関係について説明する。なお、図 8は、所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（23) と、その金属反射層（23)を適用した非接触 ICカードの静電気試験における ICチップ（13)に対する静電気破壊の有無と、の関係を示す測定結果である。

[0070] なお、図 8に示す測定結果は、図 7に示す非接触 ICカードを製造し、温度条件が 2

[0071] なお、図 7に示す非接触 ICカードは、以下に示す材料を適用し、厚さ lmmのステンレス板にて挟持し、熱プレスで熱圧着して製造したものである。

[0072] オーバーシート（17— 1)： CGOSOM ^O /z m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 - 1)： PG700M： 125 m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 - 2)： PG700M： 200 m (太平化学製品（株）製）

ICモジュール（15)： RC— S935A (ソニー（株）製）

コアシート (16 - 3)： PG700M： 200 m (太平化学製品（株）製）

コアシート (16 -4)： PG700M： 125 m (太平化学製品（株）製）

[0073] なお、図 8に示す『表面抵抗率』は、金属反射層（23)の材質として、 A1を適用し、図 9に示すように、カード基材（1)上に、ホログラム '磁気記録層（2)を配置し、その配置したホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（23)の両端に、 IVの低電圧をかけ、電圧降下法にて測定した値である。なお、『表面抵抗率』は、『表面抵抗率』= (V/I) X (W/L)にて算出される。

[0074] 図 8に示す測定結果から明らかなように、表面抵抗率が 7. 02( ΩΖ口）以上の金属反射層（23)を適用してホログラム '磁気記録層 (2)を構成した場合に、 ICチップ（ 13)の静電気破壊が発生しないことが判明した。

[0075] このため、表面抵抗率が 7. 02 ( ΩΖ口）以上の金属反射層（23)を用いて、ホログラム ·磁気記録層（2)を構成することで、『JIS X 6302-2 : 2005(ISO/IEC 7811-2:2001) 』または『JIS X 6302-6 : 2005(ISO/IEC 7811-6:2001)』の規格で規定された位置にホログラム'磁気記録層（2)を配置し、非接触 ICカードを形成し、 OlS X 6305-6:2001(1 SO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373- 7:2001)』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層（23)に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層（23)力アンテナ（12)に対する放電電流の流れ込みを制限し、 I Cカード内に埋設される ICチップ（ 13)の静電気破壊が発生しな！ヽことになる。

[0076] このように、第 2の実施形態における非接触 ICカードは、カード基材（1)上に、ホログラム'磁気記録層（2)を有し、カード基材（1)の中に、アンテナ（12)と、該アンテナ ( 12)と接続された ICチップ（13)と、が埋設され、ホログラム '磁気記録層（2)と、アンテナ（12)と、が重複するように設計した場合でも、ホログラム '磁気記録層（2)を構成する金属反射層（23)を、表面抵抗率が 7. 02 ( Ω Ζ口）以上となるように構成することで、『JIS X 6305-6:2001(ISO/IEC 10373-6:2001)』で規定されている静電気試験を行った場合でも、『JIS X 6322-1 : 2001(ISO/IEC 14443- 1:2000)』の規定を満足し、また、『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/IEC 10373- 7:2001)』で規定されている静電気試験を行った場合でも、『JIS X 6323-1 : 2001(ISO/IEC 15693-1 :2000)』の規定を満足することが可能となる。

[0077] なお、上述した第 2の実施形態におけるホログラム '磁気記録層 (2)を構成する金属反射層（23)は、図 8に示す測定結果から明らかなように、表面抵抗率が 7. 02 ( Ω /□)以上となるように構成するのであれば、あらゆる材質を適用することが可能であり、例えば、 Al, Zn, Co, Ni, In, Fe, Cr, Ti, Snの少なくとも 1つの材質を適用して金属反射層（23)を構成することが可能となる。

[0078] なお、上述した金属反射層（23)を構成する材質としては、加工性、製造コスト等を考慮した場合には、 A1が好ましいことになる。また、隠蔽性を考慮した場合には、 A1, Sn, Crが好ましいことになる。このため、第 2の実施形態の金属反射層（23)を構成する材質としては、加工性、製造コスト、隠蔽性等を兼ね備えた A1を適用することが最も好ましいことになる。

[0079] なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなぐ本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。

[0080] 例えば、上述した実施形態の非接触 ICカードを構成するホログラム '磁気記録層（ 2)は、少なくとも、磁気記録層 (22)と、金属反射層（23)と、ホログラム層 (24)と、を有する層構成であれば、特に限定するものではなぐあらゆる層構成にてホログラム' 磁気記録層 (2)を構成することが可能である。

産業上の利用可能性

[0081] 本発明に力かる非接触 ICカードは、各種交通機関での定期券、回数券、電話カード、特定領域への入退出用のカード、 IDカード、免許証、パチンコ，遊園地，映画館などに使用されるカード、クレジットカード等の非接触にて通信処理を行う情報記録媒体に適用可能である。

図面の簡単な説明

[0082] [図 1]本実施形態における非接触 ICカードの構成を示す図である。

[図 2]本実施形態における非接触 ICカード内に搭載されるホログラム '磁気記録層（2 )の層構成を示す図である。

[図 3]本実施形態における非接触 ICカードを構成するアンテナ（12)と、ホログラム' 磁気記録層 (2)と、の配置位置の関係を示す図である。

[図 4]『JIS X 6305- 6:2001(ISO/IEC 10373- 6:2001)』または『JIS X 6305-7 : 2001(ISO/ IEC 10373-7:2001)』で規定されて、る静電気試験の回路構成を示す図である。

[図 5]静電気放電試験におけるカード上の区分域を示す図であり、非接触 ICカードの表裏面をそれぞれ縦横 4列 X 5列に 20分割した状態を示す図である。

[図 6]金属反射層（23)に適用する材質と、その材質を適用した非接触 ICカードの静電気試験による ICチップ（13)に対する静電気破壊と、の関係を示す図である。

[図 7]図 6、図 8に示す測定結果を行った際に使用した非接触 ICカードを説明するための図である。

[図 8]所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（23)と、その金属反射層（23)を適用した非接触 ICカードの静電気試験における ICチップ（13)に対する静電気破壊の有無と、の関係を示す図である。

[図 9]図 8に示す『表面抵抗率』を測定する測定方法を説明するための図である。符号の説明

[0083] 1 カード基材

2 ホログラム '磁気記録層アンテナ基材アンテナパターン ICチップ接着剤

ICモジユーノレコアシートオーバーシート接着層磁気記録層金属反射層ホログラム層保護層離形層支持層ホログラム形成部

Claims

請求の範囲

[1] カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、前記カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続された ICチップと、が埋設されてなる非接触 ICカードであって、

前記金属反射層は、導電率が 28. 9 Χ 10⁶ΖΩπιよりも低い材質からなることを特徴とする非接触 ICカード。

[2] カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、前記カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続された ICチップと、が埋設されてなる非接触 ICカードであって、

前記金属反射層は、表面抵抗率が 7. 02 ( ΩΖ口）以上であることを特徴とする非接触 ICカード。

[3] 前記材質は、 Sn, Ti, Cr, Fe, In, Ni, Co, Znの少なくとも 1つであることを特徴とする請求項 1記載の非接触 ICカード。

[4] 前記金属反射層は、連続膜からなることを特徴とする請求項 1から 3の何れか 1項に記載の非接触 ICカード。

[5] 前記磁気記録層と、前記金属反射層と、前記ホログラム層と、は一体化されてなることを特徴とする請求項 1または 2記載の非接触 ICカード。