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WO2005053037A1 - Verfahren zur verminderung der reflexion an halbleiteroberflächen - Google Patents

Verfahren zur verminderung der reflexion an halbleiteroberflächen Download PDF

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Publication number
WO2005053037A1
WO2005053037A1 PCT/DE2004/001864 DE2004001864W WO2005053037A1 WO 2005053037 A1 WO2005053037 A1 WO 2005053037A1 DE 2004001864 W DE2004001864 W DE 2004001864W WO 2005053037 A1 WO2005053037 A1 WO 2005053037A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser
semiconductor surface
depressions
etching
semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/DE2004/001864
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Eric SCHNEIDERLÖCHNER
Jochen Rentsch
Ralf Preu
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V
Publication of WO2005053037A1 publication Critical patent/WO2005053037A1/de

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
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    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a method for reducing the reflection on semiconductor surfaces, in which one or more areas of the semiconductor surface are processed with bundled laser radiation in such a way that reflection-reducing depressions with a specific aspect ratio are formed in the semiconductor surface, and the one or more areas subsequently undergo an etching process.
  • One area of application of the present method relates to increasing the coupling of light into
  • Solar cells usually consist of a semiconductor material, in most cases of silicon, which has n- or p-doped semiconductor regions.
  • the semiconductor regions are known in a known manner as an emitter or base.
  • Through on the solar Light incident on the cell surface generates positive and negative charge carriers within the solar cell, which are spatially separated from one another at the interface between the n- (emitter) and p-doped (base) semiconductor region, at the so-called pn junction.
  • These separate charge carriers can be removed by means of metallic contacts which are connected to the emitter and the base.
  • solar cells consist of full-surface base and emitter areas, the emitter being on the side facing the light, the front of the solar cell.
  • FIG. 1 shows an example of the basic structure of a solar cell 1.
  • the rear of the solar cell 1 is usually provided with an all-over metal layer 4 onto which suitable rear-side contact conductor tracks 8 are applied.
  • the emitter region 3 is contacted with a metal grid 6, which has a finger structure in order to cover as little solar cell area as possible for the light coupling.
  • the optical losses due to reflection of the incident light must be kept as small as possible. This can be done by depositing an anti-reflective layer 7 on the front of the solar cell 1.
  • the layer thickness of the antireflection layer 7 is selected such that destructive interference of reflected light results in the most important spectral range. Exemplary materials for these anti-reflective layers are titanium dioxide, silicon nitride and silicon dioxide.
  • a further possibility for reducing the reflection on the front surface of a solar cell consists in the structuring of this surface, as can also be seen in the case of the solar cell 1 shown in FIG. 1 by the textured surface 9.
  • the antireflection layer 7 follows this surface structure.
  • the structuring or texturing of the semiconductor surface makes it possible to increase the coupling probability of the light incident on the surface, as is illustrated by the cross-sectional illustration in FIG. 2, which shows the emitter region 3 and the antireflection layer 7 applied to the emitter show structured form.
  • a vertically incident light beam striking this surface structure, the beam path of which is shown in the figure, is again deflected onto the surface by reflection on the structure. In comparison to a smooth surface, a large proportion of the incident light is reflected several times on the surface, which increases the coupling probability.
  • the semiconductor surface can be provided with a wedge-shaped line structure using a wire saw.
  • the structure sizes that can be achieved with this type of mechanical removal are in the range of approximately
  • anisotropic etching solutions such as a solution mixture of potassium hydroxide solution (KOH) and isopropanol (IPA)
  • KOH potassium hydroxide solution
  • IPA isopropanol
  • isotropic etching solutions for example a mixed solution of nitric acid (HN0 3 ) and hydrofluoric acid (HF), on multicrystalline silicon material is known as a further wet chemical etching technique.
  • HN0 3 nitric acid
  • HF hydrofluoric acid
  • This creates a porous layer on the surface, which must then be removed.
  • a hill structure is formed on the surface when this etching solution is used.
  • the reduction in reflection achieved with this etching technique is relatively limited.
  • Colloid particles are held electrostatically on the silicon surface due to pH-induced hydrogenation and hydroxylation. These layers are usually applied by spin coating. A single-layer surface layer thus created with a randomly distributed one
  • the object of the present invention is to provide a method for reducing the reflection on semiconductor surfaces that can be implemented inexpensively and enables use in industrial production.
  • one or more areas of the semiconductor surface are processed with bundled laser radiation in such a way that reflection-reducing depressions with a specific aspect ratio are formed in the semiconductor surface, and the one or more areas subsequently one directional, ie anisotropic, dry chemical etching process, by which the aspect ratio of the depressions is at least maintained.
  • a plasma etching process or a sputtering process can, for example, be used as the etching process.
  • the method is preferably carried out using a plasma etching process. The following explanations are therefore explained in concrete terms using a plasma etching process, these explanations also being readily transferable to other directed, dry chemical etching processes.
  • the structuring of the semiconductor surface with the present method ensures that part of the incident light is not reflected away from the surface, as in the case of an unstructured surface, but into the surface. In this way, an incident light beam is given multiple opportunities to couple into the surface, so that overall the reflection is reduced compared to that of an unstructured surface.
  • the laser parameters are set so that indentations, i.e. H. Form troughs or trenches in the surface, on the flanks of which the incident light is reflected towards the surface and thus increases the probability of coupling of incident light into the semiconductor material.
  • indentations i.e. H. Form troughs or trenches in the surface, on the flanks of which the incident light is reflected towards the surface and thus increases the probability of coupling of incident light into the semiconductor material.
  • a surface layer remains, which is due to
  • the dry chemical plasma etching step is then carried out.
  • One advantage of plasma etching over chemical etching is the ability to achieve anisotropic etching removal. This is used in the present method in order to etch the texture created by the laser processing at least while maintaining the structure.
  • the plasma etching process is carried out by appropriately selecting the etching parameters such that the
  • the structure created by laser processing is further reinforced, ie the aspect ratio of the recesses produced by the laser processing - in this case the quotient from the depth of the recess to the length x width of the recess - is increased.
  • the etching erosion directed perpendicular to the semiconductor surface is achieved by a physical etching component during plasma etching, which can be generated in that a direct voltage potential is generated between the substrate and the plasma by coupling a high-frequency source to the substrate holder. This direct voltage potential leads to an acceleration of ionized particles from the plasma in the direction of the substrate and thus to a physical, directed etching removal.
  • the anisotropy during the etching is additionally reinforced by a layer which forms and inhibits the etching removal on the flanks of the depressions which are approximately perpendicular to the plasma.
  • fluorine-containing etching gases for example fluorine-containing hydrocarbon compounds as etching gases
  • the anisotropy during the etching is additionally reinforced by a layer which forms and inhibits the etching removal on the flanks of the depressions which are approximately perpendicular to the plasma.
  • the semiconductor surface does not have to be mechanically processed, so that there is a significantly lower risk of breakage, particularly in the case of thinner substrates or wafers, the use of which is desirable due to the lower material costs.
  • the method of the present invention thus leads to a cost-effective reduction in the reflection from semiconductor surfaces, in particular from
  • Silicon surfaces For example, the reflection of a silicon surface can be reduced from above 30% to below 20% compared to a state before the present method was carried out.
  • a corresponding passivation layer can easily be applied to the surface structured in this way, as is required to reduce the surface recombination speed for generating high efficiencies.
  • Layers made of silicon nitride are used as passivation layers, amorphous silicon or silicon dioxide in question. These layers can simultaneously take on the function of an anti-reflective layer.
  • the depressions are produced so close to one another that they abut or overlap at their edges. In this way, smooth intermediate areas with increased reflection are prevented. If an electrode structure, for example a metal grid in the case of a solar cell, is to be applied in the further course of processing the semiconductor surface, then laser processing can be suspended in the contact areas provided for this purpose.
  • Suitable parameters for laser processing and the etching process are known to the person skilled in the art.
  • An important aspect for the industrial feasibility of the process is the speed of laser processing.
  • pulsed lasers that emit individual laser pulses of high intensity should be used to achieve sufficiently high power densities for the efficient removal of semiconductor material.
  • the solid-state lasers that are preferably used nowadays have a maximum repetition rate of approx. 100 kHz, a process time of over 80 s / solar cell results when processing with only one laser beam, one with each laser pulse Depression is generated.
  • Several lasers or laser beams must therefore be used in parallel for industrial production. This can be implemented using different techniques, as are explained in more detail in some of the exemplary embodiments below.
  • FIG. 1 shows an example of the structure of a solarelle with a structured surface (prior art); 2 shows a sketch of the reflection of a light beam on a surface of a solar cell structured according to FIG. 1; 3 shows an example of a surface structure of a solar cell, as can be obtained with the present method; 4 shows a structuring with flat intermediate areas in a schematic sectional illustration; 5 shows an example of the construction of a system for directional plasma etching according to the present method; 6 shows an example of a structural reinforcement, as can be achieved with the directional plasma etching method; 7 shows an example of a laser scanner for surface processing according to the present method; 8 shows an example of an arrangement of microlenses for the simultaneous production of a multiplicity of depressions; FIG.
  • FIG. 9 shows a schematic illustration of the chronological sequence of surface processing with an arrangement according to FIG. 8 in a top view
  • FIG. and FIG. 10 shows an example of a device for surface processing using a fiber array.
  • FIG. 1 shows an example of the structure of a solar cell 1, as was explained in more detail in the introductory part of the description.
  • the surface of the solar cell 1 is already provided with a corresponding texturing 9 in the present example, which leads to a reduction in the reflection compared to a smooth surface.
  • Such structuring is achieved by known methods of the prior art.
  • the cause of the reflex reduction was also in the
  • FIG. 3 shows an example of a structured surface with the resulting depressions 5, as can be produced with the present method.
  • the depressions 5 are arranged in rows lying next to one another, which form corresponding trenches.
  • the depressions are produced closer together in the direction of a row than in the direction perpendicular to this row, so that the structure shown is obtained.
  • FIG. 3 also shows a metal grid 6 applied to the structured surface 9, which is required for contacting the solar cell.
  • FIG. 4 shows an embodiment in which an intermediate region was not machined in order to apply the metal grid 6 to the plateau thus remaining.
  • the emitter 10, 11 is made flatter in the region of the depressions than below the metal grid 6.
  • FIG. 5 shows an example of a plasma system for directional plasma etching of the surface processed in this way with the laser.
  • the substrate 15 to be processed is located in the substrate holder 18 inside the process chamber 19.
  • the magnets 20 and the microwave generator 21 for the plasma generation are arranged in a known manner.
  • the substrate holder 18 is connected to a high-frequency generator 22 in order to generate a DC voltage potential between the substrate 15 and the plasma 24.
  • the high frequency is coupled inductively or capacitively. This DC voltage potential accelerates ionized particles from the plasma 24 in the direction of the substrate 15, so that an etching removal directed perpendicular to the substrate surface is achieved.
  • This directional plasma etching process following the laser processing of the surface removes crystal damage generated by the laser processing on the surface as well as deposited ablation products.
  • the directional etching enables an additional reinforcement of the structure produced with the laser radiation, which leads to a higher aspect ratio of the depressions, as is indicated schematically in FIG. 6.
  • the upper illustration shows the structure after laser processing
  • the lower illustration shows the structure after plasma etching.
  • the stronger expression of the structure after plasma etching can be clearly seen.
  • This structural reinforcement can be additionally supported by the use of fluorine-containing hydrocarbon compounds as etching gases, since when these etching gases are used, an etching-inhibiting protective layer forms on the steep flanks of the depressions 5 during the etching process.
  • FIGS. 1-10 show examples of arrangements for laser processing, with which the Throughput of the semiconductor substrates in laser processing can be increased.
  • Commercially available laser scanners can be used for laser processing, in which the relative movement between the laser beam and the substrate is achieved by moving two rotatable mirrors.
  • Figure 7 shows an example of such a laser scanner.
  • the laser beam emitted by the laser 12 is focused on the substrate 15 via the two mirrors 13 which can be rotated about axes which are perpendicular to one another.
  • the laser beam focused with the lens 14 can be guided very quickly in a grid-like manner over the surface of the substrate 15.
  • FIG. 8 shows a further example of laser processing, in which the laser beam emerging from the laser 12 is widened via a lens system 14 and passed through a microlens array 16.
  • the microlens array 16 has a multiplicity of microlenses arranged at an equidistant distance and having a focal length in the mm range.
  • the arrangement shown forms a plurality of partial beams, each of which is focused next to one another — depending on the distance and the focal length of the microlenses — on the surface of the substrate 15.
  • FIG. 9 shows an example of the result when using a microlens array with 16 spherical microlenses.
  • a step-by-step shifting of the microlens array 16 after each processing step, ie after each laser pulse, can achieve a full-surface structuring, as can be seen from the chronological sequence in FIG. 9.
  • the individual depressions 5 have a diameter of approximately 37 ⁇ m, which depends on the quality and wavelength of the laser 12 and
  • Focal length depends on the optics used.
  • the stepwise shift required for the full-area structuring in this case can also be generated by moving the substrate 15.
  • FIG. 10 shows an example of such an arrangement, in which the laser beam is coupled into a large number of glass fibers 17 with diameters in the desired structure size range, which direct it side by side onto the substrate surface.
  • the desired texturing is also generated by scanning the surface with the glass fibers 17.

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen, bei dem ein oder mehrere Bereiche der Halbleiteroberfläche mit gebündelter Laserstrahlung so bearbeitet werden, dass reflexionsmindernde Vertiefungen (5) mit einem bestimmten Aspektverhältnis in der Halbleiteroberfläche entstehen, und die ein oder mehreren Bereiche anschließend einem Ätzprozess unterzogen werden. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die ein oder mehreren Bereiche einem gerichteten, trockenchemischen Ätzprozess unterzogen werden, durch den das Aspektverhältnis der Vertiefungen (5) zumindest erhalten wird. Das Verfahren ermöglicht eine kostengünstige Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen, insbesondere an Oberflächen von Solarzellen.

Description

Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen
Technisches Anwendungsgebiet Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen, bei dem ein oder mehrere Bereiche der Halbleiteroberflache mit gebündelter Laserstrahlung so bearbeitet werden, dass reflexionsmindernde Vertiefungen mit einem bestimmten Aspektverhältnis in der Halbleiteroberfl che entstehen, und die ein oder mehreren Bereiche anschließend einem Atzprozess unterzogen werden.
Ein Anwendungsgebiet des vorliegenden Verfahrens betrifft die Erhöhung der Lichteinkopplung in
Halbleiteroberflächen im Bereich der Solarzellenfertigung, insbesondere der Einkopplung von Sonnenlicht in Siliziumsolarzellen. Bei der industriellen Fertigung von Solarzellen wird angestrebt, diese mit möglichst hohem Wirkungsgrad, d. h. einer möglichst hohen elektrischen Stromausbeute aus dem auf die Solarzelle eintreffenden solaren Energiefluss, herzustellen und zugleich den Fertigungsaufwand und damit die Herstellungskosten gering zu halten.
Solarzellen bestehen üblicherweise aus einem Halbleitermaterial, in den meisten Fällen aus Silizium, das n- bzw. p-dotierte Halbleiterbereiche aufweist. Die Halbleiterbereiche werden in bekannter Weise als Emitter bzw. Basis bezeichnet. Durch auf die Solar- zellenoberfläche einfallendes Licht werden innerhalb der Solarzelle positive und negative Ladungsträger erzeugt, die an der Grenzfläche zwischen dem n- (Emitter) und p-dotierten (Basis) Halbleiterbereich, am sog. pn-Übergang, räumlich voneinander getrennt werden. Mittels metallischer Kontakte, die mit dem Emitter und der Basis verbunden sind, können diese voneinander getrennten Ladungsträger abgeführt werden. In der einfachsten Form bestehen Solarzellen aus ganzflächigen Basis- und Emitterbereichen, wobei der Emitter auf der dem Licht zugewandten Seite, der Vorderseite der Solarzelle, liegt. Figur 1 zeigt ein Beispiel für den prinzipiellen Aufbau einer Solarzelle 1. Zur elektrischen Kontaktierung der Basis 2 wird für gewöhnlich die Rückseite der Solarzelle 1 mit einer ganzflächigen Metallschicht 4 versehen, auf die geeignete Rückseitenkontakt-Leiterbahnen 8 aufgebracht sind. Der Emitterbereich 3 wird mit einem Metall-Grid 6 kontaktiert, das eine Fingerstruktur aufweist, um möglichst wenig Solarzellenfläche für die Lichteinkopplung zu verdecken. Zur Optimierung der Leistungs- ausbeute der Solarzelle 1 müssen die optischen Verluste aufgrund von Reflexion des einfallenden Lichtes möglichst klein gehalten werden. Dies kann durch die Abscheidung einer Antireflexschicht 7 auf der Vorderseite der Solarzelle 1 erfolgen. Die Schichtdicke der Antireflexschicht 7 ist so gewählt, dass sich im energetisch wichtigsten Spektralbereich gerade destruktive Interferenz es reflektierten Lichtes ergibt. Beispielhafte Materialien für diese Antireflexschichten sind Titandioxid, Siliziumnitrid und Siliziumdioxid. Eine weitere Möglichkeit zur Verringerung der Reflexion an der vorderseitigen Oberfläche einer Solarzelle besteht in der Strukturierung dieser Ober- fläche, wie dies bspw. auch bei der in Figur 1 dargestellten Solarzelle 1 durch die texturierte Oberfläche 9 erkennbar ist . Die Antireflexschicht 7 folgt dabei dieser Oberflächenstruktur. Durch die Strukturierung bzw. Texturierung der Halbleiterober- fläche kann eine Erhöhung der Einkopplungswahrschein- lichkeit des auf die Oberfläche einfallenden Lichtes erreicht werden, wie dies anhand der Querschnittsdarstellung der Figur 2 verdeutlicht wird, die den Emitterbereich 3 sowie die auf den Emitter aufgebrachte Antireflexschicht 7 in strukturierter Form zeigen. Ein senkrecht einfallender, auf diese Oberflächenstruktur auftreffender Lichtstrahl, dessen Strahlengang in der Figur dargestellt ist, wird durch Reflexion an der Struktur nochmals auf die Oberfläche abgelenkt. Somit wird .im Vergleich zu einer glatten Oberfläche ein großer Anteil des einfallenden Lichtes mehrfach an der Oberfläche reflektiert, wodurch sich die Einkopplungs- wahrscheinlichkeit erhöht. Für die Strukturierung der Vorderseite von
Solarzellen sind unterschiedliche Techniken bekannt. So kann die Halbleiteroberflache bspw. mit Hilfe einer Drahtsäge mit einer keilförmigen Linienstruktur versehen werden. Die mit dieser mechanischen Abtragsart erreichbaren Strukturgrößen liegen im Bereich von etwa
100 μm. Nach dem Sägen ist ein nasschemischer Ätzschritt erforderlich, um die durch den Sägeschritt hervorgerufene starke Schädigung der Oberfläche zu beseitigen. Gerade bei dünnen Wafern, wie sie heutzutage im Bereich der Solarzellenfertigung eingesetzt werden, ist dieses Verfahren aufgrund der starken mechanischen Beanspruchung der Wafer während des Sägens jedoch problematisch.
Neben dieser rein mechanischen Technik sind vor allem nasschemische Ätztechniken zur Erzeugung der Oberflächenstrukturierung bekannt . So können anisotrope Ätzlösungen, wie bspw. ein Lösungsgemisch aus Kalilauge (KOH) und Isopropanol (IPA) , eingesetzt werden, um auf einkristallinem Siliziummaterial sog. statistisch verteilte Pyramiden zu erzeugen, wie sie auch in der bereits erläuterten Figur 1 erkennbar sind. Dabei wird ausgenutzt, dass verschiedene Kristallrichtungen im einkristallinen Silizium eine unterschiedliche Ätzwahrscheinlichkeit besitzen. So wird in diesem Fall nur die <100> Kristallebene geätzt, in <111> Kristallebenen stoppt hingegen der Atzprozess aufgrund höherer Si- Bindungsstärken. Dieses Verfahren führt allerdings nur bei monokristallinem Material zu einer effektiven Textur. Auf multikristallinem Ausgangsmaterial kann dagegen aufgrund der unterschiedlichen Kristall- Orientierungen keine ganzflächig homogene Textur erzeugt werden. Zudem entstehen bei der Handhabung und
Entsorgung der verwendeten Chemikalien hohe Kosten.
Als weitere nasschemische Ätztechnik ist der Einsatz von isotropen Ätzlösungen, bspw. einem Lösungsgemisch aus Salpetersäure (HN03) und Flusssäure (HF), auf multikristallinem Siliziummaterial bekannt. Dabei entsteht auf der Oberfläche eine poröse Schicht, die nachfolgend abgenommen werden muss. Im Gegensatz zum vorgenannten Verfahren entsteht bei Einsatz dieser Ätzlδsung eine Hügelstruktur auf der Oberfläche. Die bislang mit dieser Ätztechnik erreichte Reflexionsminderung ist jedoch relativ beschränkt. Auch hier entstehen bei der Prozessierung und Entsorgung der Chemikalien beträchtliche Kosten.
O. Schultz et al . , „Texturing of multicrystalline Silicon with acidic wet chemical etching and plasma etching", 3rd WCPEC Osaka, Mai 2003, to be published, beschreiben eine nasschemische Ätztechnik, bei der eine vorab photolithographisch erzeugte Maske beim Ätzen eingesetzt wird. Durch Belichtung, Entwicklung und Auswaschen eines photosensiblen Filmes, dem sog. Ätκresist, wird zunächst eine Struktur auf der
Halbleiteroberflache definiert. Der anschließende Ätzschritt mit Kalilauge erzeugt auf monokristallinem Silizium sog. invertierte Pyramiden. Dabei werden die unterschiedlichen Ätzraten in den verschiedenen Kristallrichtungen des Siliziums ausgenutzt. Mit dieser Ätztechnik werden zwar hervorragend strukturierte Oberflächen mit sehr niedrigen Reflexionswerten erreicht, aufgrund der hohen Anzahl von Prozessschritten eignet sich diese Technik jedoch weniger für die industrielle Fertigung als vielmehr für den Einsatz im Labormaßstab.
In der gleichen Veröffentlichung wird auch eine trockenchemische Ätztechnik beschrieben, bei der ebenfalls vorab photolithographisch eine Struktur auf der Oberfläche definiert wird. Durch einen anschließenden trockenchemischen Plasmaätzschritt mit Ätzgasen, wie Hexafluorid (SF6) mit geringen Beigaben an Sauerstoff, werden die durch die Ätzmaske definierten Strukturen geätzt. Das Plasmaätzen ist im Gegensatz zu nasschemischen Ätzverfahren unabhängig von der Kristallorientierung, so dass ein isotroper Ätzabtrag erreicht wird. Beim maskierten trockenchemischen Ätzen entsteht somit durch die photolithographisch erzeugte Maske eine Struktur ähnlich einer Honigwabe. Aufgrund der photolithographischen Technik und der damit verbundenen zusätzlichen Prozessschritte eignet sich dieses Verfahren jedoch ebenso wenig für eine industrielle Anwendung wie die vorgenannte Technik.
H. W. Deckman et al . , „Application of surface textures produced with natural lithography" , Journal of Vacuum Science and Technology B, Volume 1, Issue 4 (1983), Seiten 1109 - 1112, setzen eine andere Maskierungstechnik für den nachfolgenden Plasmaätzschritt ein. Bei diesem Verfahren, das auf natürlicher Lithographie basiert, werden wässrige
Kolloidpartikel elektrostatisch aufgrund pH induzierter Hydrierung und Hydroxylierung an der Siliziumoberfläche festgehalten. Aufgebracht werden diese Schichten in der Regel durch Aufschleudern. Eine somit erzeugte, einlagige Oberflächenschicht mit zufällig verteilter
Struktur dient dann als Ätzmaske für den nachfolgenden Plasmaätzschritt, bei dem die gleichen Ätzgase wie bereits weiter oben beschrieben verwendet werden können. Das Aufbringen und nachträgliche Entfernen der Kolloidpartikel macht diesen Prozess für eine industrielle Fertigung jedoch zu aufwendig. Aus M. Schnell et al . , „Plasma surface texturisation for multicrystalline Silicon solar cells", Proc. of the 28th IEEE PVSEC, Anchorage, 2000, ist ein trockenchemisches Ätzverfahren für die Strukturierung von Halbleiteroberflächen bekannt, das vollkommen ohne vorherigen Maskierungsschritt auskommt. Durch Verwendung von Schwefelhexafluorid und Sauerstoff als Ätzgase ist es in einem schmalen Prozessfenster möglich, Selbstmaskierungseffekte durch sich an der Oberfläche bildendes Siliziumdioxid auszunutzen. Neben dem maskierenden Oxid werden zudem die zur Oberfläche vertikalen Flächen durch einen ätzhemmenden Polymerfilm geschützt, so dass eine nadelartige Struktur im Bereich weniger Nanometer Größe entsteht. Die auf diese Weise gefertigten Oberflächen zeigen von allen bisher beschriebenen Verfahren die geringsten Reflexionswerte, da sich durch die feine und tiefe Struktur ein optisches Verhalten ergibt, das dem einer kontinuierlichen Anpassung des Brechungsindexes des umgebenden Mediums an Silizium entspricht. Nachteilig wirkt sich jedoch aus, dass bei Folgeprozessen der Bearbeitung der Halbleiteroberflache die filigrane Struktur leicht zerstört werden kann, das Licht nahezu senkrecht in das Halbleitersubstrat eingekoppelt wird und zudem eine ausreichende Passivierung dieser enorm vergrößerten Oberfläche nicht möglich ist.
Aus J.C. Zolper et al . , „16,7 % efficient, laser textured, buried contact polycrystalline Silicon solar cell", Applied Physics Letters, 55 (22), November 1989, Seiten 2363 - 2365, ist ein Verfahren zur ganzflächigen Strukturierung einer Siliziumoberfläche bekannt, bei dem eine Kombination aus Laserbearbeitung und nasschemischem Reinigen eingesetzt wird. Hierbei wird die Halbleiteroberflache zunächst mit fokussierter Laserstrahlung so bearbeitet, dass sich kreuzende Gräben mit einer Grabenbreite im Bereich von etwa 50 μm und mit einem Abstand von etwa 70 μm entstehen. Durch die Laserbearbeitung bildet sich Ablationsmaterial auf der Oberfläche sowie in den Gräben, das durch eine anschließende nasschemische Nachbehandlung zum einen in einer Ätzlösung aus Kalilauge sowie anschließend mittels einer Mischung aus Flusssäure und Salpetersäure entfernt wird. Die auf diese Weise erzeugte Textur weist eine geringe Reflexion auf und kann auch erfolgreich elektrisch passiviert werden. Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen anzugeben, das sich kostengünstig realisieren lässt und den Einsatz in der industriellen Fertigung ermöglicht.
Darstellung der Erfindung Die Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst . Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche oder lassen sich aus der nachfolgenden Beschreibung sowie den Ausführungsbeispielen entnehmen.
Bei dem vorliegenden Verfahren werden ein oder mehrere Bereiche der Halbleiteroberflache mit gebündelter Laserstrahlung so bearbeitet, dass reflexionsmindernde Vertiefungen mit einem bestimmten Aspektverhältnis in der Halbleiteroberflache entstehen, und die ein oder mehreren Bereiche anschließend einem gerichteten, d. h. anisotropen, trockenchemischen Atzprozess unterzogen, durch den das Aspektverhältnis der Vertiefungen zumindest erhalten wird. Als Atzprozess kann hierbei beispielsweise ein Plasmaätz- oder auch ein Sputterprozess eingesetzt werden. Vorzugsweise wird das Verfahren jedoch mit einem Plasmaätzprozess durchgeführt. Die folgenden Ausführungen werden daher konkret anhand eines Plasmaätzprozesses erläutert, wobei sich diese Ausführungen ohne weiteres auch auf andere gerichtete, trockenchemische Ätzprozesse übertragen lassen.
Durch die Strukturierung der Halbleiteroberflache mit dem vorliegenden Verfahren wird gewährleistet, dass ein Teil des einfallenden Lichtes nicht wie im Falle einer unstrukturierten Oberfläche von der Oberfläche weg sondern in die Oberfläche hinein reflektiert wird. Somit erhält ein einfallender Lichtstrahl mehrmals die Möglichkeit, in die Oberfläche einzukoppeln, so dass insgesamt die Reflexion gegenüber der einer unstrukturierten Oberfläche verringert ist.
Bei der Laserstrukturierung werden die Laserparameter so eingestellt, dass sich Vertiefungen, d. h. Mulden oder Gräben, in der Oberfläche ausbilden, an deren Flanken das einfallende Licht zur Oberfläche hin reflektiert wird und somit die Einkoppelwahrscheinlichkeit von auftreffendem Licht in das Halbleitermaterial vergrößert . Nach der Laserbearbeitung verbleibt eine Oberflächenschicht, die aufgrund von
Ablationsprodukten oder KristallSchädigung die elektrischen Eigenschaften des Halbleitersubstrats negativ beeinflusst . Zur Entfernung dieser Schicht sowie zur weiteren Ausbildung der Textur wird anschließend der trockenchemische Plasmaätzschritt vorgenommen. Ein Vorteil des Plasmaätzens gegenüber dem na.sschemischen Ätzen liegt in der Möglichkeit, einen anisotropen Ätzabtrag zu erreichen. Dies wird beim vorliegenden Verfahren ausgenutzt, um die durch die Laserbearbeitung entstandene Textur zumindest Struktur- eurhaltend zu ätzen. In der bevorzugten Ausgestaltung wird der Plasmaätzprozess durch entsprechende Wahl der Ätzparameter so durchgeführt, dass die durch die
Laserbearbeitung entstandene Struktur noch verstärkt wird, d. h. dass das Aspektverhältnis der durch die Laserbearbeitung erzeugten Vertiefungen - im vorliegenden Fall der Quotient aus Tiefe der Vertiefung zu Länge x Breite der Vertiefung - vergrößert wird. Der senkrecht zur Halbleiteroberflache gerichtete Ätzabtrag wird durch eine physikalische Ätzkomponente beim Plasmaätzen erreicht, die dadurch erzeugt werden kann, dass durch Ankoppeln einer Hochfrequenzquelle an den Substrathalter ein Gleichspannungspotential zwischen dem Substrat und dem Plasma erzeugt wird. Dieses Gleichspannungspotential führt zu einer Beschleunigung von ionisierten Teilchen aus dem Plasma in Richtung des Substrats und somit zu einem physikalischen, gerichteten Ätzabtrag. Bei Verwendung von fluorhaltigen Ätzgasen, bspw. von fluorhaltigen Kohlenwasserstoff- Verbindungen als Ätzgase, wird die Anisotropie beim Ätzen durch eine sich bildende und den Ätzabtrag hemmende Schicht an den zum Plasma annähernd senkrechten Flanken der Vertiefungen zusätzlich verstärkt . Durch den Einsatz einer trockenchemischen Ätztechnik lassen sich die Kosten für die Oberflächenbearbeitung gegenüber nasschemischen Ätztechniken reduzieren. Das vorliegende Verfahren kommt ohne photolithographische Techniken aus, so dass auch die Anzahl der erforderlichen Protzesschritte gegenüber derartigen Techniken deutlich reduziert ist. Durch die Kombination der Laserbearbeitung mit dem gerichteten Trockenätzverfahren lassen sich gegenüber den bekannten Verfahren der Laserstrukturierung deutlich ausgeprägtere Strukturen erzeugen, insbesondere Strukturen mit deutlich steileren Flanken. Die Halbleiteroberflache muss beim vorliegenden Verfahren nicht mechanisch bearbeitet werden, so dass sich eine deutlich geringere Bruchgefahr vor allem bei dünneren Substraten oder Wafern ergibt, deren Verwendung aufgrund der niedrigeren Materialkosten angestrebt wird. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung führt somit zu einer kostengünstigen Verringerung der Reflexion von Halbleiteroberflächen, insbesondere von
Silizium-Oberflächen. So lässt sich bspw. die Reflexion einer Silizium-Oberfläche gegenüber einem Zustand vor der Durchführung des vorliegenden Verfahrens von über 30% auf unter 20% reduzieren.
Ein weiterer Vorteil beim Einsatz des vorliegenden Verfahrens besteht darin, dass auf die derart strukturierte Oberfläche ohne Weiteres eine entsprechende Passivierungsschicht aufgebracht werden kann, wie sie zur Verringerung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit für die Erzeugung hoher Wirkungsgrade erforderlich ist. Als Passivierungs- schichten kommen hierbei Schichen aus Siliziumnitrid, amorphem Silizium oder Siliziumdioxid in Frage. Diese Schichten können gleichzeitig die Funktion einer Antireflexschicht übernehmen. In einer bevorzugten Ausführungsform des vorliegenden Verfahrens werden die Vertiefungen so nahe beieinander erzeugt, dass sie an ihren Rändern aneinander stoßen oder überlappen. Auf diese Weise werden glatte Zwischenbereiche, die eine erhöhte Reflexion aufweisen, verhindert. Falls im weiteren Verlauf der Bearbeitung der Halbleiteroberflache eine Elektrodenstruktur, bspw. im Falle einer Solarzelle ein Metall- Grid, aufgebracht werden soll, so kann in den dafür vorgesehenen Kontaktbereichen die Laserbearbeitung ausgesetzt werden.
Geeignete Parameter für die Laserbearbeitung sowie den Atzprozess sind dem Fachmann bekannt. Ein wesentlicher Aspekt für die industrielle Umsetzbarkeit des Verfahrens ist die Geschwindigkeit der Laserbearbeitung. So müssen bspw. für eine zu bearbeitende Solarzellenoberfläche mit einer Fläche von typischer Weise 200 cm2 8 - 800 Mio. Vertiefungen erzeugt werden, die jeweils in einem Abstand von 10 - 100 μm anzuordnen sind. Prinzipiell sind für die Erzielung hinreichend hoher Leistungsdichten für das effiziente Abtragen von Halbleitermaterial gepulste Laser zu verwenden, die einzelne Laserpulse hoher Intensität emittieren. Da die vorzugsweise eingesetzten Fest- körperlaser heutzutage eine maximale Repetitionsrate von ca. 100 kHz aufweisen, ergibt sich eine Prozesszeit von über 80 s/Solarzelle bei einer Bearbeitung mit nur einem Laserstrahl, wobei mit jedem Laserpuls eine Vertiefung erzeugt wird. Für die industrielle Fertigung müssen daher parallel mehrere Laser bzw. Laserstrahlen zum Einsatz kommen. Dies kann durch unterschiedliche Techniken realisiert werden, wie sie einigen der nachfolgenden Ausführungsbeispiele näher erläutert sind.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Das vorliegende Verfahren wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den
Zeichnungen nochmals kurz erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 ein Beispiel für den Aufbau einer Solarelle mit strukturierter Oberfläche (Stand der Technik) ; Fig. 2 eine Skizze der Reflektion eines Lichtstrahls an einer gemäß Figur 1 strukturierten Oberfläche einer Solarzelle; Fig. 3 ein Beispiel einer Oberflächenstruktur einer Solarzelle, wie sie mit dem vorliegenden Verfahren erhalten werden kann; Fig. 4 eine Strukturierung mit planen Zwischenbereichen in schematischer Schnittdarstellung; Fig. 5 ein Beispiel für den Aufbau einer Anlage zum gerichteten Plasmaätzen gemäß dem vorliegenden Verfahren; Fig. 6 ein Beispiel für eine Strukturverstärkung, wie sie mit dem gerichteten Plasmaätzverfahren erzielt werden kann; Fig. 7 ein Beispiel für einen Laserscanner zur Oberflächenbearbeitung gemäß dem vorliegenden Verfahren; Fig. 8 ein Beispiel für eine Anordnung von Mikrolinsen zur simultanen Erzeugung einer Vielzahl von Vertiefungen; Fig. 9 eine schematische Darstellung der zeitlichen Abfolge der Oberflächenbearbeitung mit einer Anordnung gemäß Figur 8 in Draufsicht; und Fig. 10 ein Beispiel für eine Vorrichtung zur Oberflächenbearbeitung unter Einsatz eines Faserarrays. Wege zur Ausführung der Erfindung Figur 1 zeigt ein Beispiel für den Aufbau einer Solarzelle 1, wie er bereits im einleitenden Teil der Beschreibung näher erläutert wurde. In der Figur ist im vorliegenden Beispiel die Oberfläche der Solarzelle 1 bereits mit einer entsprechenden Texturierung 9 versehen, die zu einer Verminderung der Reflexion gegenüber einer glatten Oberfläche führt . Eine derartige Strukturierung wird durch bekannte Verfahren des Standes der Technik erreicht . Die Ursache für die Reflexminderung wurde ebenfalls bereits in der
Beschreibungseinleitung im Zusammenhang mit dem in Figur 2 beispielhaft dargestellten Strahlengang des Lichtes an einer derart strukturierten Oberfläche erläutert. Die Strukturierung wird hierbei, wie auch beim vorliegenden Verfahren, im Falle einer Solarzelle bereits vor der Bildung der Emitterschicht 3 in die Oberfläche eingebracht. Figur 3 zeigt ein Beispiel einer strukturierten Oberfläche mit den hierbei entstehenden Vertiefungen 5, wie sie mit dem vorliegenden Verfahren erzeugt werden kann. Die Vertiefungen 5 sind hierbei in nebeneinander liegenden Reihen angeordnet, die entsprechende Gräben bilden. Die Vertiefungen werden hierzu jeweils in Richtung einer Reihe näher beieinander erzeugt als in Richtung senkrecht zu dieser Reihe, so dass sich die dargestellte Struktur ergibt. Selbstverständlich ist dies nur beispielhaft zu verstehen, da auch gleichmäßige Abstände in beiden Raumrichtungen möglich sind. In der Figur 3 ist weiterhin ein auf die strukturierte Oberfläche 9 aufgebrachtes Metall-Grid 6 zu erkennen, das für die Kontaktierung der Solarzelle erforderlich ist .
Während bei der Ausgestaltung der Figur 3 die gesamte Oberfläche der Solarzelle 1 strukturiert wurde, zeigt Figur 4 eine Ausgestaltung, bei der ein Zwischen- bereich nicht bearbeitet wurde, um auf dem somit verbleibenden Plateau das Metall-Grid 6 aufzubringen. Der Emitter 10, 11 ist in diesem Beispiel im Bereich der Vertiefungen flacher ausgebildet als unterhalb des Metall-Grids 6.
Figur 5 zeigt beispielhaft eine Plasmaanlage zum gerichteten Plasmaätzen der auf diese Weise mit dem Laser bearbeiteten Oberfläche. Das zu bearbeitende Substrat 15 befindet sich in der Substrathalterung 18 innerhalb der Prozesskammer 19. Oberhalb der Prozesskammer 19 sind in bekannter Weise die Magnete 20 sowie der Mikrowellengenerator 21 für die Plasmaerzeugung angeordnet. Über die seitlichen Zuführungen 23 wird das Ätzgas in die Prozesskammer 19 eingeleitet. Während des Plasmaätzprozesses ist die Substrathalterung 18 mit einem Hochfrequenzgenerator 22 verbunden, um ein Gleichspannungspotential zwischen dem Substrat 15 und dem Plasma 24 zu erzeugen. Die Hochfrequenz wird hierzu induktiv oder kapazitiv eingekoppelt . Durch dieses Gleichspannungspotential werden ionisierte Teilchen aus dem Plasma 24 in Richtung des Substrats 15 beschleunigt, so dass ein senkrecht zur Substratoberfläche gerichteter Ätzabtrag erreicht wird.
Durch diesen gerichteten Plasmaätzprozess im Anschluss an die Laserbearbeitung der Oberfläche werden durch die Laserbearbeitung an der Oberfläche erzeugte Kristallschäden sowie abgeschiedene Ablationsprodukte abgetragen. Das gerichtete Ätzen ermöglicht eine zusätzliche Verstärkung der mit der Laserstrahlung erzeugten Struktur, die zu einem höheren Aspektverhältnis der Vertiefungen führt, wie dies in der Figur 6 schematisiert angedeutet ist. Die obere Darstellung zeigt dabei die Struktur nach der Laserbearbeitung, die untere Darstellung die Struktur nach dem Plasmaätzen. Die stärkere Ausprägung der Struktur nach dem Plasmaätzen ist deutlich zu erkennen. Diese StrukturverStärkung kann durch den Einsatz von fluorhaltigen Kohlenwasserstoffverbindungen als Ätzgase zusätzlich unterstützt werden, da sich bei Einsatz dieser Ätzgase an den steilen Flanken der Vertiefungen 5 während des Ätzprozesses eine ätzhemmende Schutz- Schicht ausbildet .
Die folgenden Figuren zeigen Beispiele für Anordnungen zur Laserbearbeitung, mit denen sich der Durchsatz der Halbleitersubstrate bei der Laserbearbeitung erhöhen lässt . Für die Laserbearbeitung können kommerziell erhältliche Laserscanner eingesetzt werden, bei denen die Relativbewegung zwischen Laserstrahl und Substrat durch das Bewegen zweier drehbarer Spiegel realisiert wird. Figur 7 zeigt ein Beispiel für einen derartigen Laserscanner. Der vom Laser 12 emittierte Laserstrahl wird über die beiden um senkrecht zueinander stehende Achsen drehbaren Spiegel 13 auf das Substrat 15 fokussiert. Durch entsprechende Rotation der beiden Spiegel 13 kann der mit der Linse 14 fokussierte Laserstrahl sehr schnell rasterartig über die Oberfläche des Substrates 15 geführt werden. Durch Verwendung einer hier nicht dargestellten Strahlteilungsoptik können bei ausreichender Laserleistung auch mehrere Laserstrahlen aus dem gleichen Laser 12 mit entsprechenden zusätzlichen Laserscannern für die Bearbeitung eingesetzt werden. Figur 8 zeigt ein weiteres Beispiel für die Laserbearbeitung, bei dem der aus dem Laser 12 austretende Laserstrahl über ein Linsensystem 14 aufgeweitet und durch ein Mikrolinsenarray 16 geleitet wird. Das Mikrolinsenarray 16 weist eine Vielzahl von in äquidistantem Abstand angeordneten Mikrolinsen mit einer Fokuslänge im mm-Bereich auf. Durch die dargestellte Anordnung werden mehrere Teilstrahlen gebildet, die jeweils nebeneinander - abhängig von dem Abstand und der Brennweite der Mikrolinsen - auf die Oberfläche des Substrates 15 fokussiert werden.
Hierdurch wird ein Punktgittermuster oder im Falle von Zylinderlinsen als Mikrolinsen ein Liniengittermuster mit einer Vielzahl von Struktureinheiten in der Fokusebene erzeugt. Figur 9 zeigt beispielhaft das Ergebnis beim Einsatz eines Mikrolinsenarrays mit 16 sphärischen Mikrolinsen. Durch schrittweise Verschiebung des Mikrolinsenarrays 16 nach jedem Bearbeitungsschritt, d. h. nach jedem Laserpuls, kann eine vollflächige Strukturierung erreicht werden, wie sie aus der zeitlichen Abfolge der Figur 9 ersichtlich ist. Die einzelnen Vertiefungen 5 haben in diesem Beispiel einen Durchmesser von ca. 37 μm, der von der Qualität und Wellenlänge des Lasers 12 und der
Brennweite der verwendeten Optik abhängt. Selbstverständlich kann die für die vollflächige Strukturierung in diesem Fall erforderliche schrittweise Verschiebung auch durch Bewegung des Substrates 15 erzeugt werden.
Eine weitere Möglichkeit zur gleichzeitigen Erzeugung einer Vielzahl von Vertiefungen in der Substratoberfläche besteht in der Verwendung einer Vielzahl von Lichtwellenleitern in die der Laserstrahl eingekoppelt wird. Figur 10 zeigt beispielhaft eine derartige Anordnung, bei der der Laserstrahl in eine Vielzahl von Glasfasern 17 mit Durchmessern im gewünschten Strukturgrößenbereich eingekoppelt wird, die ihn nebeneinander auf die Substratoberfläche richten. Die gewünschte Texturierung wird in diesem Fall ebenfalls durch das Abrastern der Oberfläche mit den Glasfasern 17 erzeugt. Bezugszeichenliste
1 Solarzelle 2 Basisbereich
3 Emitterbereich
4 Metallschicht
5 Vertiefungen
6 Metall-Grid 7 Antireflexschicht/Passivierungsschicht
8 Rückseitenkontakte
9 texturierte Oberfläche
10 flacher Emitter
11 tiefer Emitter 12 Laserstrahlquelle
13 Ablenkspiegel
14 Linsensystem
15 Substrat
16 Mikrolinsenarray 17 Glasfasern
18 Substrathalterung
19 Prozesskammer
20 Magnete
21 MW-Generator 22 HF-Generator
23 Zuführung für Ätzgas
24 Plasma

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen, bei dem ein oder mehrere Bereiche der Halbleiteroberflache mit gebündelter Laserstrahlung so bearbeitet werden, dass reflexionsmindernde Vertiefungen (5) mit einem bestimmten Aspektverhältnis in der Halbleiteroberflache entstehen, und die ein oder mehreren Bereiche anschließend einem Atzprozess unterzogen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die ein oder mehreren Bereiche einem gerichteten, trockenchemischen Atzprozess unterzogen werden, durch den das Aspektverhältnis der Vertiefungen (5) zumindest erhalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Atzprozess mit Ätzparametern durchgeführt wird, bei deren Wahl das Aspektverhältnis der Vertiefungen (5) durch den Atzprozess erhöht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet, dass fluorhaltige Ätzgase beim Atzprozess eingesetzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet, dass fluorhaltige Kohlenwasserstoffverbindungen als Ätzgase beim Atzprozess eingesetzt werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Atzprozess so durchgeführt wird, dass in der Kristallstruktur geschädigte Bereiche der Halbleiteroberflache abgetragen und/oder an der Halbleiteroberflache vorhandene Fremdpartikel beseitigt werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefungen (5) so nahe beieinander erzeugt werden, dass sie an ihren Rändern aneinander stoßen oder überlappen.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefungen (5) in einer regelmäßigen Anordnung in der Halbleiteroberflache erzeugt werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefungen (5) mit Abmessungen erzeugt werden, die in zumindest zwei Dimensionen zwischen 1 und 200 μm betragen.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Laserbearbeitung in Zwischenbereichen der Halbleiteroberflache, auf denen eine Elektrodenstruktur (6) aufgebracht werden soll, keine Vertiefungen (5) erzeugt werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlung mit einem gütegeschalteten Laser (12) erzeugt wird, der Laserpulse mit Pulsdauern unter 500 ns emittiert.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlung mit einem gütegeschalteten Festkörperlaser erzeugt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlung mit einem oder mehreren Laserscannern über die Halbleiteroberflache geführt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Laserstrahl aufgeweitet und mittels eines Linsenarrays in mehrere Teilstrahlen zerlegt auf die Halbleiteroberflache gerichtet wird, um gleichzeitig mehrere Vertiefungen (5) zu erzeugen.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Linsenarray ein Array aus Mikrolinsen (16) eingesetzt wird, das nach jedem Bearbeitungsschritt mit der Laserstrahlung relativ zur Halbleiteroberflache verschoben wird, um gegeneinander versetzte Vertiefungen in der Halbleiteroberflache zu erhalten.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Laserstrahl gleichzeitig in mehrere Lichtleitfasern (17) eingekoppelt und mittels der Lichtleitfasern (17) auf die Halbleiteroberflache gerichtet wird, um gleichzeitig mehrere Vertiefungen (5) zu erzeugen.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15 zur Verminderung der Reflexion an Oberflächen von Siliziumsubstraten.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15 zur Verminderung der Reflexion an multikristallin ausgebildeten Oberflächen von Halbleiter- Substraten.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15 zur Verminderung der Reflexion an Oberflächen von Halbleitersubstraten für die Herstellung von Solarzellen, insbesondere von Photovoltaik- Solarzellen aus Siliziummaterial.
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