TWM607350U

TWM607350U - 可攜式電子裝置及其影像擷取模組

Info

Publication number: TWM607350U
Application number: TW109209491U
Authority: TW
Inventors: 李聰結; 林恭安
Original assignee: 海華科技股份有限公司
Priority date: 2020-07-24
Filing date: 2020-07-24
Publication date: 2021-02-11

Abstract

本創作公開一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組。影像擷取模組包括電路基板、影像擷取晶片、多個第一導電材料、濾光元件、多個第二導電材料以及鏡頭組件。電路基板具有多個基板焊墊。影像擷取晶片具有多個晶片焊墊。多個第一導電材料分別設置在多個晶片焊墊上。濾光元件設置在多個第一導電材料上。濾光元件包括透光本體以及分別電性連接於多個第一導電材料的多個導電結構。每一第二導電材料電性連接於相對應的導電結構與相對應的基板焊墊之間。藉此，濾光元件不僅能透過多個導電結構與多個第一導電材料的配合，而電性連接於多個晶片焊墊，並且濾光元件還能透過分別設置在多個晶片焊墊上的多個第一導電材料的支撐，而設置在影像擷取晶片的上方。

Description

可攜式電子裝置及其影像擷取模組

本創作涉及一種電子裝置及其擷取模組，特別是涉及一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組。

現有技術中的可攜式電子裝置都配備有影像擷取模組，然而現有的影像擷取模組仍具有可改善空間。

本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種可攜式電子裝置及其影像擷取模組。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是提供一種影像擷取模組，其包括：一電路基板、一影像擷取晶片、多個第一導電材料、一濾光元件、多個第二導電材料以及一鏡頭組件。電路基板具有多個基板焊墊。影像擷取晶片具有多個晶片焊墊。多個第一導電材料分別設置在影像擷取晶片的多個晶片焊墊上。濾光元件設置在多個第一導電材料上，濾光元件包括一透光本體以及設置在透光本體上的多個導電結構，多個導電結構分別電性連接於多個第一導電材料。每一第二導電材料電性連接於相對應的導電結構與相對應的基板焊墊之間。鏡頭組件設置在電路基板上且對應於影像擷取晶片。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外一技術方案是提供一種可攜式電子裝置，其特徵在於，可攜式電子裝置使用一影像擷取模組，影像擷取模組包括：一電路基板、一影像擷取晶片、多個第一導電材料、一濾光元件、多個第二導電材料以及一鏡頭組件。電路基板具有多個基板焊墊。影像擷取晶片具有多個晶片焊墊。多個第一導電材料分別設置在影像擷取晶片的多個晶片焊墊上。濾光元件設置在多個第一導電材料上，濾光元件包括一透光本體以及設置在透光本體上的多個導電結構，多個導電結構分別電性連接於多個第一導電材料。每一第二導電材料電性連接於相對應的導電結構與相對應的基板焊墊之間。鏡頭組件設置在電路基板上且對應於影像擷取晶片。

本創作的其中一有益效果在於，本創作所提供的可攜式電子裝置及其影像擷取模組，其能通過“多個第一導電材料分別設置在影像擷取晶片的多個晶片焊墊上”、“濾光元件設置在多個第一導電材料上，濾光元件包括一透光本體以及設置在透光本體上的多個導電結構，多個導電結構分別電性連接於多個第一導電材料”以及“每一第二導電材料電性連接於相對應的導電結構與相對應的基板焊墊之間”的技術方案，以使得濾光元件不僅能透過多個導電結構與多個第一導電材料的配合，而電性連接於影像擷取晶片的多個晶片焊墊，並且濾光元件還能透過分別設置在多個晶片焊墊上的多個第一導電材料的支撐，而設置在影像擷取晶片的上方。藉此，影像擷取晶片的影像感測區域的面積就可以被極大化（增加影像感測區域的感測面積）。

為使能進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“可攜式電子裝置及其影像擷取模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

參閱圖1與圖2所示，本創作第一實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像擷取晶片2、多個第一導電材料3、一濾光元件4、多個第二導電材料5以及一鏡頭組件6。更進一步來說，電路基板1具有多個基板焊墊100，影像擷取晶片2具有多個晶片焊墊200，並且多個第一導電材料3分別設置在影像擷取晶片2的多個晶片焊墊200上。濾光元件4設置在多個第一導電材料3上，濾光元件4包括一透光本體40以及設置在透光本體40上的多個導電結構41，並且多個導電結構41分別電性連接於多個第一導電材料3。每一第二導電材料5電性連接於相對應的導電結構41與相對應的基板焊墊100之間，並且鏡頭組件6設置在電路基板1上且對應於影像擷取晶片2。

舉例來說，如圖1所示，電路基板1具有一上表面1001以及相對於上表面1001的一下表面1002，影像擷取晶片2設置在電路基板1的上表面1001上，並且多個基板焊墊100設置在電路基板1的上表面1001上。另外，每一第一導電材料3可為電性連接於相對應的晶片焊墊200與相對應的導電結構41之間的一導電體（例如錫球、錫膏或者任何種類的導電材料），並且每一第二導電材料5可為電性連接於相對應的導電結構41與相對應的基板焊墊100之間的一導電線（例如透過打線方式所形成的金屬線）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

舉例來說，如圖1所示，濾光元件4的每一導電結構41包括貫穿透光本體40的一貫穿孔410以及設置在貫穿孔410內的一導電貫穿層412，導電貫穿層412的兩相反末端分別與透光本體40的一底端4001與一頂端4002相互齊平，並且導電貫穿層412的兩相反末端分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

舉例來說，配合圖1與圖2所示，影像擷取晶片2可以是互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）晶片或者是電荷耦合器件（Charge-coupled Device，CCD）晶片。再者，影像擷取晶片2具有一影像感測區域21以及一晶片焊墊設置區域22，並且影像感測區域21與晶片焊墊設置區域22之間為一無佔有物區域23（或者是無佔有物空間）。也就是說，由於濾光元件4可以透過多個第一導電材料3而得到支撐，所以位於影像感測區域21與晶片焊墊設置區域22之間的無佔有物區域23上不會放置任何用於支撐濾光元件4的支撐物體，以使得影像感測區域21的面積可以被極大化（增加影像感測區域21的感測面積）。另外，多個晶片焊墊200設置在晶片焊墊設置區域22上，並且影像感測區域21被晶片焊墊設置區域22所圍繞，以使得影像感測區域21會被多個晶片焊墊200所圍繞。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

值得注意的是，舉例來說，如圖1所示，影像擷取模組M進一步包括一絕緣填充材料7，並且絕緣填充材料7設置在影像擷取晶片2與濾光元件4之間且圍繞多個第一導電材料3，以使得影像擷取晶片2與濾光元件4之間形成一封閉空間R。藉此，透過絕緣填充材料7的阻隔，以防止影像擷取晶片2的影像感測區域21受到外界微粒或者灰塵的污染。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

值得注意的是，配合圖1與圖3所示，本創作第一實施例進一步提供一種可攜式電子裝置Z，並且可攜式電子裝置Z可以是筆記型電腦、平板電腦或者智慧型行動電話，然而本創作不以此舉例為限。另外，可攜式電子裝置Z可以使用一影像擷取模組M，並且影像擷取模組M包括一電路基板1、一影像擷取晶片2、多個第一導電材料3、一濾光元件4、多個第二導電材料5以及一鏡頭組件6。

[第二實施例]

參閱圖4所示，本創作第二實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖4與圖1的比較可知，本創作第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括貫穿透光本體40的一貫穿孔410、設置在貫穿孔410內的一導電貫穿層412、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，導電貫穿層412電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第二實施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第二實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。

[第三實施例]

參閱圖5所示，本創作第三實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖5與圖1的比較可知，本創作第三實施例與第一實施例最大的差別在於：在第三實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括設置在透光本體40的一側端4003上且裸露在外的一側端導電層415、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，側端導電層415電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第三實施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第三實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。值得注意的是，電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間的側端導電層415可以設置在透光本體40的側端4003上，所以透光本體40就不需要像第一實施例一樣另外增設多個貫穿孔410。值得注意的是，第二導電材料5也可以電性連接於側端導電層415與基板焊墊100之間。

[第四實施例]

參閱圖6所示，本創作第四實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖6與圖1的比較可知，本創作第四實施例與第一實施例最大的差別在於：在第四實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括設置在透光本體40的一側端4003上的一半穿孔411、設置在半穿孔411內的一導電貫穿層412、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，導電貫穿層412電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第四施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第四實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。值得注意的是，第二導電材料5也可以電性連接於導電貫穿層412與基板焊墊100之間。

[第五實施例]

參閱圖7與圖8所示，本創作第五實施例提供一種影像擷取模組M，其包括：一電路基板1、一影像擷取晶片2、多個第一導電材料3、一濾光元件4、多個第二導電材料5以及一鏡頭組件6。更進一步來說，電路基板1具有多個基板焊墊100，影像擷取晶片2具有多個晶片焊墊200，並且多個第一導電材料3分別設置在影像擷取晶片2的多個晶片焊墊200上。濾光元件4設置在多個第一導電材料3上，濾光元件4包括一透光本體40以及設置在透光本體40上的多個導電結構41，並且多個導電結構41分別電性連接於多個第一導電材料3。每一第二導電材料5電性連接於相對應的導電結構41與相對應的基板焊墊100之間，並且鏡頭組件6設置在電路基板1上且對應於影像擷取晶片2。

舉例來說，如圖7所示，電路基板1具有一上表面1001、相對於上表面1001的一下表面1002以及一連接於上表面1001與下表面1002之間的貫穿開口1003（貫穿開口1003貫穿電路基板1），多個基板焊墊100設置在電路基板1的下表面1002上，並且多個第二導電材料5分別設置在多個基板焊墊100上。另外，每一第一導電材料3可為電性連接於相對應的晶片焊墊200與相對應的導電結構41之間的一第一導電體（例如錫球、錫膏或者任何種類的導電材料），並且每一第二導電材料5可為電性連接於相對應的導電結構41與相對應的基板焊墊100之間的一第二導電體（例如錫球、錫膏或者任何種類的導電材料）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

舉例來說，如圖7所示，濾光元件4的每一導電結構41包括貫穿透光本體40的一貫穿孔410以及設置在貫穿孔410內的一導電貫穿層412，導電貫穿層412的兩相反末端分別與透光本體40的一底端4001與一頂端4002相互齊平，並且導電貫穿層412的兩相反末端分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

舉例來說，配合圖7與圖8所示，影像擷取晶片2可以是互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）晶片或者是電荷耦合器件（Charge-coupled Device，CCD）晶片。再者，影像擷取晶片2具有一影像感測區域21以及一晶片焊墊設置區域22，並且影像感測區域21與晶片焊墊設置區域22之間為一無佔有物區域23。也就是說，位於影像感測區域21與晶片焊墊設置區域22之間的無佔有物區域23上不會放置任何用於接觸濾光元件4的支撐物體，以使得影像感測區域21的面積可以被極大化（增加影像感測區域21的感測面積）。另外，多個晶片焊墊200設置在晶片焊墊設置區域22上，並且影像感測區域21被晶片焊墊設置區域22所圍繞，以使得影像感測區域21會被多個晶片焊墊200所圍繞。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

值得注意的是，舉例來說，如圖7所示，影像擷取模組M進一步包括一絕緣填充材料7，並且絕緣填充材料7設置在影像擷取晶片2與濾光元件4之間且圍繞多個第一導電材料3，以使得影像擷取晶片2與濾光元件4之間形成一封閉空間R。藉此，透過絕緣填充材料7的阻隔，以防止影像擷取晶片2的影像感測區域21受到外界微粒或者灰塵的污染。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

值得注意的是，配合圖7與圖9所示，本創作第五實施例進一步提供一種可攜式電子裝置Z，並且可攜式電子裝置Z可以是筆記型電腦、平板電腦或者智慧型行動電話，然而本創作不以此舉例為限。另外，可攜式電子裝置Z可以使用一影像擷取模組M，並且影像擷取模組M包括一電路基板1、一影像擷取晶片2、多個第一導電材料3、一濾光元件4、多個第二導電材料5以及一鏡頭組件6。

[第六實施例]

參閱圖10所示，本創作第六實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖10與圖7的比較可知，本創作第六實施例與第五實施例最大的差別在於：在第六實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括貫穿透光本體40的一貫穿孔410、設置在貫穿孔410內的一導電貫穿層412、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，導電貫穿層412電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第六實施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第六實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。

[第七實施例]

參閱圖11所示，本創作第七實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖11與圖7的比較可知，本創作第七實施例與第五實施例最大的差別在於：在第七實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括設置在透光本體40的一側端4003上且裸露在外的一側端導電層415、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，側端導電層415電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第七實施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第七實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。值得注意的是，電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間的側端導電層415可以設置在透光本體40的側端4003上，所以透光本體40就不需要像第五實施例一樣另外增設多個貫穿孔410。值得注意的是，第二導電材料5也可以電性連接於側端導電層415與基板焊墊100之間。

[第八實施例]

參閱圖12所示，本創作第八實施例提供一種影像擷取模組M以及一種使用影像擷取模組M的可攜式電子裝置（圖未示）。由圖12與圖7的比較可知，本創作第八實施例與第五實施例最大的差別在於：在第八實施例中，濾光元件4的每一導電結構41包括設置在透光本體40的一側端4003上的一半穿孔411、設置在半穿孔411內的一導電貫穿層412、設置在所透光本體40的一底端4001上的一底端導電層413以及設置在所透光本體40的一頂端4002上的一頂端導電層414。另外，導電貫穿層412電性連接於底端導電層413與頂端導電層414之間，並且底端導電層413與頂端導電層414分別電性接觸相對應的第一導電材料3與相對應的第二導電材料5。

藉此，本創作第八施例能夠透過底端導電層413的使用而增加導電結構41與第一導電材料3之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第一導電材料3之間接觸不良而造成斷路的問題，並且本創作第八實施例能夠透過頂端導電層414的使用而增加導電結構41與第二導電材料5之間的接觸面積，以有效降低導電結構41與第二導電材料5之間接觸不良而造成斷路的問題。值得注意的是，第二導電材料5也可以電性連接於導電貫穿層412與基板焊墊100之間。

[實施例的有益效果]

本創作的其中一有益效果在於，本創作所提供的可攜式電子裝置Z及其影像擷取模組M，其能通過“多個第一導電材料3分別設置在影像擷取晶片2的多個晶片焊墊200上”、“濾光元件4設置在多個第一導電材料3上，濾光元件4包括一透光本體40以及設置在透光本體40上的多個導電結構41，多個導電結構41分別電性連接於多個第一導電材料3”以及“每一第二導電材料5電性連接於相對應的導電結構41與相對應的基板焊墊100之間”的技術方案，以使得濾光元件4不僅能透過多個導電結構41與多個第一導電材料3的配合，而電性連接於影像擷取晶片2的多個晶片焊墊200，並且濾光元件4還能透過分別設置在多個晶片焊墊200上的多個第一導電材料3的支撐，而設置在影像擷取晶片2的上方。藉此，影像擷取晶片2的影像感測區域21的面積就可以被極大化（增加影像感測區域21的感測面積）。

以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。

Z:可攜式電子裝置 M:影像擷取模組 1:電路基板 1001:上表面 1002:下表面 1003:貫穿開口 100:基板焊墊 2:影像擷取晶片 200:晶片焊墊 21:影像感測區域 22:晶片焊墊設置區域 23:無佔有物區域 3:第一導電材料 4:濾光元件 40:透光本體 4001:底端 4002:頂端 4003:側端 41:導電結構 410:貫穿孔 411:半穿孔 412:導電貫穿層 413:底端導電層 414:頂端導電層 415:側端導電層 5:第二導電材料 6:鏡頭組件 7:絕緣填充材料 R:封閉空間

圖1為本創作第一實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖2為本創作第一實施例的影像擷取晶片的俯視示意圖。

圖3為本創作第一實施例的可攜式電子裝置的立體示意圖。

圖4為本創作第二實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖5為本創作第三實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖6為本創作第四實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖7為本創作第五實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖8為本創作第五實施例的影像擷取晶片的俯視示意圖。

圖9為本創作第五實施例的可攜式電子裝置的立體示意圖。

圖10為本創作第六實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖11為本創作第七實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

圖12為本創作第八實施例的影像擷取模組的側視示意圖。

M:影像擷取模組

1:電路基板

1001:上表面

1002:下表面

100:基板焊墊

2:影像擷取晶片

200:晶片焊墊

21:影像感測區域

3:第一導電材料

4:濾光元件

40:透光本體

4001:底端

4002:頂端

4003:側端

41:導電結構

410:貫穿孔

412:導電貫穿層

5:第二導電材料

6:鏡頭組件

7:絕緣填充材料

R:封閉空間

Claims

一種影像擷取模組，其包括：一電路基板，所述電路基板具有多個基板焊墊；一影像擷取晶片，所述影像擷取晶片具有多個晶片焊墊；多個第一導電材料，多個所述第一導電材料分別設置在所述影像擷取晶片的多個所述晶片焊墊上；一濾光元件，所述濾光元件設置在多個所述第一導電材料上，所述濾光元件包括一透光本體以及設置在所述透光本體上的多個導電結構，多個所述導電結構分別電性連接於多個所述第一導電材料；多個第二導電材料，每一所述第二導電材料電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間；以及一鏡頭組件，所述鏡頭組件設置在所述電路基板上且對應於所述影像擷取晶片。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面以及相對於所述上表面的一下表面，所述影像擷取晶片設置在所述電路基板的所述上表面上，且多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述上表面上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一導電線；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括貫穿所述透光本體的一貫穿孔以及設置在所述貫穿孔內的一導電貫穿層，且所述導電貫穿層的兩相反末端分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面以及相對於所述上表面的一下表面，所述影像擷取晶片設置在所述電路基板的所述上表面上，且多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述上表面上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一導電線；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括貫穿所述透光本體的一貫穿孔、設置在所述貫穿孔內的一導電貫穿層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述導電貫穿層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面以及相對於所述上表面的一下表面，所述影像擷取晶片設置在所述電路基板的所述上表面上，且多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述上表面上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一導電線；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括設置在所述透光本體的一側端上且裸露在外的一側端導電層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述側端導電層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面以及相對於所述上表面的一下表面，所述影像擷取晶片設置在所述電路基板的所述上表面上，且多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述上表面上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一導電線；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括設置在所述透光本體的一側端上的一半穿孔、設置在所述半穿孔內的一導電貫穿層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述導電貫穿層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面、相對於所述上表面的一下表面以及一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述下表面上，且多個所述第二導電材料分別設置在多個所述基板焊墊上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一第一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一第二導電體；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括貫穿所述透光本體的一貫穿孔以及設置在所述貫穿孔內的一導電貫穿層，且所述導電貫穿層的兩相反末端分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面、相對於所述上表面的一下表面以及一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述下表面上，且多個所述第二導電材料分別設置在多個所述基板焊墊上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一第一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一第二導電體；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括貫穿所述透光本體的一貫穿孔、設置在所述貫穿孔內的一導電貫穿層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述導電貫穿層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面、相對於所述上表面的一下表面以及一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述下表面上，且多個所述第二導電材料分別設置在多個所述基板焊墊上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一第一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一第二導電體；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括設置在所述透光本體的一側端上且裸露在外的一側端導電層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述側端導電層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述電路基板具有一上表面、相對於所述上表面的一下表面以及一連接於所述上表面與所述下表面之間的貫穿開口，多個所述基板焊墊設置在所述電路基板的所述下表面上，且多個所述第二導電材料分別設置在多個所述基板焊墊上；其中，每一所述第一導電材料為電性連接於相對應的所述晶片焊墊與相對應的所述導電結構之間的一第一導電體，且每一所述第二導電材料為電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間的一第二導電體；其中，所述濾光元件的每一所述導電結構包括設置在所述透光本體的一側端上的一半穿孔、設置在所述半穿孔內的一導電貫穿層、設置在所透光本體的一底端上的一底端導電層以及設置在所透光本體的一頂端上的一頂端導電層，所述導電貫穿層電性連接於所述底端導電層與所述頂端導電層之間，且所述底端導電層與所述頂端導電層分別電性接觸相對應的所述第一導電材料與相對應的所述第二導電材料；其中，所述影像擷取晶片具有一影像感測區域以及一晶片焊墊設置區域，且所述影像感測區域與所述晶片焊墊設置區域之間為一無佔有物區域；其中，多個所述晶片焊墊設置在所述晶片焊墊設置區域上，且所述影像感測區域被所述晶片焊墊設置區域所圍繞，以使得所述影像感測區域被多個所述晶片焊墊所圍繞；其中，所述影像擷取模組包括一絕緣填充材料，且所述絕緣填充材料設置在所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間且圍繞多個所述第一導電材料，以使得所述影像擷取晶片與所述濾光元件之間形成一封閉空間。
一種可攜式電子裝置，其特徵在於，所述可攜式電子裝置使用一影像擷取模組，所述影像擷取模組包括：一電路基板，所述電路基板具有多個基板焊墊；一影像擷取晶片，所述影像擷取晶片具有多個晶片焊墊；多個第一導電材料，多個所述第一導電材料分別設置在所述影像擷取晶片的多個所述晶片焊墊上；一濾光元件，所述濾光元件設置在多個所述第一導電材料上，所述濾光元件包括一透光本體以及設置在所述透光本體上的多個導電結構，多個所述導電結構分別電性連接於多個所述第一導電材料；多個第二導電材料，每一所述第二導電材料電性連接於相對應的所述導電結構與相對應的所述基板焊墊之間；以及一鏡頭組件，所述鏡頭組件設置在所述電路基板上且對應於所述影像擷取晶片。