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TWI838470B - 半導體背面密接膜及切晶帶一體型半導體背面密接膜 - Google Patents

半導體背面密接膜及切晶帶一體型半導體背面密接膜 Download PDF

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TWI838470B
TWI838470B TW109106006A TW109106006A TWI838470B TW I838470 B TWI838470 B TW I838470B TW 109106006 A TW109106006 A TW 109106006A TW 109106006 A TW109106006 A TW 109106006A TW I838470 B TWI838470 B TW I838470B
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種適於抑制貼合有半導體背面密接膜之半導體晶圓於半導體裝置製造過程中產生翹曲之半導體背面密接膜、及切晶帶一體型半導體背面密接膜。 本發明之膜10(半導體背面密接膜)於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量與經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量的差為50 J/g以下。本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜X具備膜10及切晶帶20。切晶帶20具有包含基材21與黏著劑層22之積層構造。膜10可剝離地密接於切晶帶20之黏著劑層22。

Description

半導體背面密接膜及切晶帶一體型半導體背面密接膜
本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之半導體背面密接膜及切晶帶一體型半導體背面密接膜。
於具備經覆晶安裝之半導體晶片之半導體裝置之製造中，有時使用用以於該晶片之所謂背面形成保護膜之膜、即半導體背面密接膜。
半導體背面密接膜於具備經覆晶安裝之半導體晶片之半導體裝置之製造過程中貼合於作為工件之半導體晶圓之背面。其後，對應於會被單片化為半導體晶片之晶圓上所形成之各半導體元件，藉由雷射標記對半導體背面密接膜表面(與晶圓相反之側之表面)印上文字資訊或圖形資訊等各種資訊。該半導體晶圓於附帶該膜之狀態下例如藉由刀片切割而被單片化為晶片。會將如此獲得之附保護膜之半導體晶片覆晶安裝於特定之基板。關於此種半導體背面密接膜之技術例如記載於下述之專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/092200號
[發明所欲解決之問題]
處於貼合有半導體背面密接膜之狀態之半導體晶圓於半導體裝置製造過程中經過之步驟中包含將該晶圓置於相對高溫之條件下之步驟。先前之處於貼合有半導體背面密接膜之狀態之半導體晶圓有時於該高溫條件下產生翹曲。該翹曲係晶圓越薄越容易產生。
本發明係基於如上之情況而想出者，其目的在於提供一種適於抑制貼合有半導體背面密接膜之半導體晶圓於半導體裝置製造過程中產生翹曲之半導體背面密接膜、及切晶帶一體型半導體背面密接膜。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之第1態樣，提供一種半導體背面密接膜。該半導體背面密接膜於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第1放熱量)與經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第2放熱量)之差(自第1放熱量減去第2放熱量所得之熱量)為50 J/g以下。上述本半導體背面密接膜可用於在半導體裝置之製造過程中獲得帶晶片背面保護膜之半導體晶片。
本發明中之所謂第1放熱量係關於未經過130℃、2小時之條件下之加熱處理之半導體背面密接膜於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量。本發明中之所謂第2放熱量係關於經過130℃、2小時之條件下之加熱處理之半導體背面密接膜於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量。本發明者等人發現，半導體背面密接膜中之該等放熱量的差(自第1放熱量減去第2放熱量所得之熱量)為50 J/g以下之構成就抑制於將貼合有該膜之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲之方面而言較佳。例如藉由下述之實施例及比較例所示。
關於半導體背面密接膜於示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之上述各放熱量主要由因該膜內之構成成分間之反應產生之放熱量(反應熱量)所佔據。關於未經過上述加熱處理之半導體背面密接膜之上述第1放熱量與關於經過上述加熱處理之半導體背面密接膜之上述第2放熱量的差為50 J/g以下之構成意指藉由上述加熱處理於半導體背面密接膜內進行相當於50 J/g以下之放熱量或反應熱量之程度之反應。即，該構成意指藉由上述加熱處理於半導體背面密接膜內進行之反應越為相當於放熱量50 J/g以下之程度，則越表示於上述加熱處理前之半導體背面密接膜中已經進行反應(該膜中之反應率較高)或藉由上述加熱處理難以於半導體背面密接膜中進行反應。半導體背面密接膜中之此種構成適於降低因將該膜暴露於高溫環境而進行反應而收縮之收縮程度，因此適於抑制於將貼合有該膜之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲。
如以上所述，本發明之第1態樣之半導體背面密接膜適於抑制貼合有半導體背面密接膜之半導體晶圓於半導體裝置製造過程中產生翹曲。就此種翹曲之抑制之觀點而言，上述放熱量差較佳為30 J/g以下、更佳為20 J/g以下、更佳為10 J/g以下。
於本半導體背面密接膜中，相對於在初期夾頭間距離20 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件(彈性模數測定條件)下對寬度10 mm之半導體背面密接膜試樣片測得之150℃下之拉伸儲存模數，經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後之於上述彈性模數測定條件下測得之150℃下之拉伸儲存模數之比率較佳為20以下、更佳為10以下、更佳為5以下、更佳為3以下、更佳為1.5以下。此種構成適於降低因將該膜暴露於高溫環境而進行收縮之收縮程度，因此適於抑制於將貼合有該膜之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲。
本半導體背面密接膜較佳為含有無機填料。於該情形時，半導體背面密接膜之無機填料含有比率較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。該等構成就抑制半導體背面密接膜或貼合有其之半導體晶圓中之上述之翹曲之方面而言較佳。又，就於半導體背面密接膜中確保基於雷射標記之印字性之觀點而言，半導體背面密接膜之無機填料含有比率較佳為未達75質量%。
本半導體背面密接膜之玻璃轉移溫度較佳為100～200℃。此種構成適於在使用半導體背面密接膜之半導體裝置製造過程中對半導體背面密接膜降低由熱收縮引起之產生應力，並且藉由縮小高彈性區域而謀求應力緩和。
本半導體背面密接膜較佳為以2～20質量%之比率含有環氧當量150～900 g/eq之環氧樹脂。此種構成適於在半導體背面密接膜中抑制其構成樹脂材料中之交聯點數且確保良好之黏接著性。於半導體背面密接膜中存在其構成樹脂材料中之交聯點越少，則越抑制經過加熱時之交聯反應之收縮之傾向。
根據本發明之第2態樣，提供一種切晶帶一體型半導體背面密接膜。該切晶帶一體型半導體背面密接膜具備切晶帶與本發明之第1態樣之半導體背面密接膜。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。半導體背面密接膜可剝離地密接於切晶帶之黏著劑層。此種切晶帶一體型半導體背面密接膜可用於在半導體裝置之製造過程中獲得帶晶片背面保護膜形成用之膜之半導體晶片。
本切晶帶一體型半導體背面密接膜如上所述具備本發明之第1態樣之半導體背面密接膜。根據此種切晶帶一體型半導體背面密接膜，適於在半導體裝置製造過程中，對貼合有半導體背面密接膜之半導體晶圓抑制翹曲之產生。
圖1及圖2表示本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜X。圖1係切晶帶一體型半導體背面密接膜X之俯視圖，圖2係切晶帶一體型半導體背面密接膜X之剖面模式圖。切晶帶一體型半導體背面密接膜X係可於用以獲得帶晶片背面保護膜之半導體晶片之過程中使用者，具有包含膜10與切晶帶20之積層構造。膜10係本發明之一實施形態之半導體背面密接膜，係貼合於作為工件之半導體晶圓之電路非形成面即反面或背面之膜。切晶帶20具有包含基材21與黏著劑層22之積層構造。黏著劑層22於膜10側具有黏著面22a。膜10可剝離地密接於黏著劑層22或其黏著面22a。又，切晶帶一體型半導體背面密接膜X具有與作為工件之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀。
作為半導體背面密接膜之膜10具有包含雷射標記層11與接著層12之積層構造。雷射標記層11於膜10中位於切晶帶20側，密接於切晶帶20或其黏著劑層22。對於雷射標記層11中之切晶帶20側之表面，於半導體裝置之製造過程中實施雷射標記。於本實施形態中，雷射標記層11處於熱硬化性之樹脂組合物層已經熱硬化之狀態。接著層12於膜10中位於供貼合工件之側，具有工件密接面12a，於本實施形態中，其係具有熱塑性之非熱硬化型樹脂組合物層。具有包含該等雷射標記層11及接著層12之積層構造之膜10係實質上不具有熱硬化性之非熱硬化型膜。
膜10中之雷射標記層11可具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含可與硬化劑反應而產生鍵結之帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成。
作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。雷射標記層11可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂存在可能造成由膜10以下述方式形成之背面保護膜之保護對象即半導體晶片腐蝕的離子性雜質等之含量較少之傾向，故而作為膜10之雷射標記層11中之熱硬化性樹脂較佳。雷射標記層11以較佳為2～20質量%之比率含有環氧當量較佳為150～900 g/eq、更佳為150～700 g/eq之環氧樹脂。又，作為用以使環氧樹脂表現熱硬化性之硬化劑，較佳為酚系樹脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。作為環氧樹脂，亦可列舉乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、及縮水甘油胺型環氧樹脂。又，雷射標記層11可含有一種環氧樹脂，亦可含有兩種以上之環氧樹脂。
酚系樹脂係可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，作為此種酚系樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚系樹脂。又，作為該酚系樹脂，亦可列舉可溶酚醛型酚系樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為雷射標記層11中之酚系樹脂而尤佳者為苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂。又，雷射標記層11可含有一種酚系樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚系樹脂。
於雷射標記層11含有環氧樹脂與作為其硬化劑之酚系樹脂之情形時，以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚系樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量之比率調配兩樹脂。此種構成就雷射標記層11硬化時使該環氧樹脂及酚系樹脂之硬化反應充分地進行之方面而言較佳。
就使雷射標記層11適當地硬化之觀點而言，雷射標記層11中之熱硬化性樹脂總量之含有比率較佳為15～60質量%、更佳為20～55質量%。
雷射標記層11中之熱塑性樹脂係例如發揮黏合劑功能者，作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。雷射標記層11可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為雷射標記層11中之熱塑性樹脂較佳。
雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。
作為用以形成丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系樹脂之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、第二丁基酯、第三丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊基酯及環己基酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，丙烯酸系樹脂可使用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合手法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。
丙烯酸系樹脂亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而以可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，例如可列舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。
於雷射標記層11具有包含帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以形成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上文中作為雷射標記層11中含有之丙烯酸系樹脂之構成單體所述者同樣之(甲基)丙烯酸酯。用以形成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而包含來自可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可使用上文中作為可與用以形成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體所述者。另一方面，作為用以形成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含有縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含有羧基之丙烯酸系樹脂。又，根據含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其產生反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上文中作為環氧樹脂用硬化劑所述者同樣之酚系樹脂。
用以形成雷射標記層11之組合物於本實施形態中含有熱硬化觸媒。雷射標記層形成用組合物中之熱硬化觸媒之調配就於雷射標記層11之硬化時使樹脂成分之硬化反應充分地進行，或提高硬化反應速度之方面而言較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可列舉：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵素硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、溴化甲基三苯基鏻、氯化甲基三苯基鏻、氯化甲氧基甲基三苯基鏻、及氯化苄基三苯基鏻。於三苯基膦系化合物中亦包含並有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四-對甲苯基硼酸鹽、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，例如可列舉單乙醇胺三氟硼酸酯及雙氰胺。作為三鹵素硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷。雷射標記層形成用組合物可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有兩種以上之熱硬化觸媒。
雷射標記層11亦可含有填料。雷射標記層11中之填料之調配就調整雷射標記層11之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、及非晶質二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可列舉：鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。雷射標記層11可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～1000 nm、更佳為40～800 nm、更佳為50～600 nm。即，雷射標記層11較佳為含有奈米填料。雷射標記層11含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就對會被小片化之膜10確保較高之分斷性之方面而言較佳。填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求出。又，雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之含量較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。該含量較佳為未達75質量%。
雷射標記層11於本實施形態中含有著色劑。著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可列舉：黑色系著色劑、青色系著色劑、洋紅系著色劑、及黃色系著色劑。就關於藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊實現較高之視認性之方面而言，雷射標記層11較佳為含有黑色系著色劑。作為黑色系著色劑，例如可列舉：碳黑、石墨(black lead)、Vantablack、奈米碳管、氧化銅、二氧化錳、甲亞胺偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、及偶氮系有機黑色染料。作為碳黑，例如可列舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、及燈黑。作為黑色系著色劑，亦可列舉：C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、及C.I.溶劑黑70。作為黑色系著色劑，亦可列舉：C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、及C.I.直接黑71。作為黑色系著色劑，亦可列舉：C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、及C.I.酸性黑154。作為黑色系著色劑，亦可列舉：C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、及C.I.分散黑24。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.顏料黑1及C.I.顏料黑7。雷射標記層11可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，雷射標記層11中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上、更佳為1重量%以上、更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下、更佳為8重量%以下、更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成就關於藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊實現較高之視認性之方面而言較佳。
雷射標記層11視需要亦可含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑等。
雷射標記層11之厚度例如為2～100 μm。
膜10中之接著層12可具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有不含熱硬化性樹脂之組成。
作為接著層12具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。接著層12可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂存在可能成為作為基於如下所述由膜10形成之背面保護膜之保護之對象之半導體晶片的腐蝕原因之離子性雜質等之含量較少之傾向，故而作為膜10之接著層12中之熱硬化性樹脂較佳。作為接著層12中之環氧樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之作為該熱硬化性樹脂之環氧樹脂所述者。
接著層12中之熱塑性樹脂係例如發揮黏合劑功能者。作為接著層12具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂所述者。接著層12可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為接著層12中之熱塑性樹脂較佳。
接著層12含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以形成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用上文中作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體所述之(甲基)丙烯酸酯。作為接著層12中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，該丙烯酸系樹脂亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而包含可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用上文中作為可與用以形成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體所述者。
接著層12亦可含有填料。接著層12中之填料之調配就調整接著層12之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為接著層12中之填料，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之填料所述者。接著層12可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。接著層12含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～500 nm、更佳為40～400 nm、更佳為50～300 nm。即，接著層12較佳為含有奈米填料。接著層12含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就避免或抑制貼合或安裝於膜10之工件因接著層12中含有之填料而產生損害之方面而言較佳，又，就對會被小片化之膜10確保較高之分斷性之方面而言較佳。又，接著層12含有填料之情形時之該填料之含量較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。該含量較佳為未達75質量%。
接著層12亦可含有著色劑。作為接著層12中之著色劑，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之著色劑所述者。就於膜10中之雷射標記層11側之基於雷射標記之刻印部位與其以外之部位之間確保較高之對比度而關於該刻印資訊實現良好之視認性之方面而言，接著層12較佳為含有黑色系著色劑。接著層12可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，接著層12中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上、更佳為1重量%以上、更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下、更佳為8重量%以下、更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成就關於基於雷射標記之刻印資訊實現上述之良好之視認性之方面而言較佳。
接著層12視需要亦可含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑等。
接著層12之厚度例如為2～100 μm。
具有以上之構成之作為半導體背面密接膜之膜10於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第1放熱量)、與經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第2放熱量)的差(自第1放熱量減去第2放熱量所得之熱量)為50 J/g以下，較佳為30 J/g以下、更佳為20 J/g以下、更佳為10 J/g以下。
關於膜10，相對於在初期夾頭間距離20 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件(彈性模數測定條件)下對寬度10 mm之膜10試樣片測得之150℃下之拉伸儲存模數，經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後之於上述彈性模數測定條件下測得之150℃下之拉伸儲存模數之比率較佳為20以下、更佳為10以下、更佳為5以下、更佳為3以下、更佳為1.5以下。
膜10整體中之無機填料含有比率較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。又，膜10整體中之無機填料含有比率較佳為未達75質量%。
於膜10具有上述之雷射標記層11(硬化過之熱硬化型層)之情形時，該膜10整體之玻璃轉移溫度較佳為100～200℃。
切晶帶一體型半導體背面密接膜X中之切晶帶20之基材21係於切晶帶20或切晶帶一體型半導體背面密接膜X中作為支持體發揮功能之要素，例如為塑膠膜。作為基材21之構成材料，例如可列舉：聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、聚芳醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，於基材21包含塑膠膜之情形時，可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。於基材21上之黏著劑層22如下所述為紫外線硬化性之情形時，基材21較佳為具有紫外線透過性。
基材21中之黏著劑層22側之表面亦可實施用以提高與黏著劑層22之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、砂墊(sand mat)加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。
就確保用以使基材21作為切晶帶20或切晶帶一體型半導體背面密接膜X中之支持體發揮功能之強度之觀點而言，基材21之厚度較佳為40 μm以上、較佳為50 μm以上、更佳為60 μm以上。又，就於切晶帶20或切晶帶一體型半導體背面密接膜X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材21之厚度較佳為200 μm以下、更佳為180 μm以下、更佳為150 μm以下。
切晶帶20之黏著劑層22含有黏著劑。該黏著劑可為能夠藉由來自外部之作用而刻意地降低黏著力之黏著劑(黏著力可降低型黏著劑)，亦可為黏著力幾乎或完全不會因來自外部之作用而降低之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)。
作為黏著力可降低型黏著劑，例如可列舉可藉由放射線照射而硬化之黏著劑(放射線硬化性黏著劑)。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力可降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力可降低型黏著劑。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之添加型之放射線硬化性黏著劑。
上述之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系聚合物之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具體而言，可列舉與上文中關於膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂所述者同樣之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，就於黏著劑層22中適當地表現基於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之構成單體整體中之(甲基)丙烯酸酯之比率例如為40質量%以上。
丙烯酸系聚合物亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而包含來自可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈，更具體而言，可列舉上文中作為可與用以形成膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體所述者。
丙烯酸系聚合物亦可為了於其聚合物骨架中形成交聯結構而包含來自可與(甲基)丙烯酸酯等單體成分進行共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就於黏著劑層22中適當地表現基於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之構成單體整體中之多官能性單體之比率例如為40質量%以下。
丙烯酸系聚合物可使用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合手法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。
黏著劑層22或用以形成其之黏著劑亦可為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之平均分子量而例如含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物進行反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層22或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.1～5質量份。
作為用以形成放射線硬化性黏著劑之上述之放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化性黏著劑之上述之放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適合為分子量100～30000左右者。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可適當降低所形成之黏著劑層22之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，例如可使用揭示於日本專利特開昭60-196956號公報中者。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如亦可列舉含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物之內在型放射線硬化性黏著劑。此種內在型放射線硬化性黏著劑就抑制由低分子量成分於所形成之黏著劑層22內之移動引起的黏著特性之非意圖之經時變化之方面而言較佳。
作為內在型放射線硬化性黏著劑中所含之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上文中關於添加型放射線硬化性黏著劑所述之丙烯酸系聚合物。作為向丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之手法，例如可列舉如下方法：使包含具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體進行共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與第1官能基之間產生反應而鍵結之特定之官能基(第2官能基)及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，由於製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難易度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於該情形時，作為並有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物、即含有放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦、及醯基膦酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-𠰌啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及大茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫𠮿系化合物，例如可列舉：9-氧硫𠮿、2-氯-9-氧硫𠮿、2-甲基-9-氧硫𠮿、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿、異丙基-9-氧硫𠮿、2,4-二氯-9-氧硫𠮿、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿、及2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿。黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。
作為上述之黏著力非降低型黏著劑，例如可列舉感壓型黏著劑。作為用於黏著劑層22之感壓型黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。
於黏著劑層22含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文中關於放射線硬化性黏著劑所述之丙烯酸系聚合物。
黏著劑層22或用以形成其之黏著劑除了上述之各成分以外，亦可含有交聯促進劑、黏著賦予劑、防老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。
黏著劑層22之厚度例如為2～20 μm。此種構成例如於黏著劑層22包含放射線硬化性黏著劑之情形時就取得該黏著劑層22之放射線硬化之前後之對膜10之黏著力之平衡之方面而言較佳。
具有如以上之構成之切晶帶一體型半導體背面密接膜X例如可以如下方式製造。
於切晶帶一體型半導體背面密接膜X中之膜10之製作中，首先，個別地製作會形成雷射標記層11之膜、及會形成接著層12之膜。會形成雷射標記層11之膜可藉由將雷射標記層形成用之樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，利用加熱使該組合物層進行乾燥及硬化而製作。作為隔離件，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、以及藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈而成之塑膠膜或紙類等。作為樹脂組合物之塗佈手法，例如可列舉：輥式塗覆、網版塗覆、及凹版塗覆。於會形成雷射標記層11之膜之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。另一方面，會形成接著層12之膜可藉由將接著層形成用之樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，利用加熱使該組合物層進行乾燥而製作。於會形成接著層12之膜之製作中，加熱溫度例如為90～150℃，加熱時間例如為1～2分鐘。可以如上方式，以各自附帶隔離件之形態製作上述之兩種膜。並且，將該等膜之露出面彼此貼合。藉此，製作具有雷射標記層11與接著層12之積層構造之膜10(雙面附帶隔離件)。
關於切晶帶一體型半導體背面密接膜X之切晶帶20，可藉由在所準備之基材21上設置黏著劑層22而製作。例如樹脂製之基材21可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜手法而製作。對於製膜後之膜或基材21，視需要實施特定之表面處理。於黏著劑層22之形成中，例如製備黏著劑層形成用之黏著劑組合物後，首先，將該組合物塗佈於基材21上或特定之隔離件上而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈手法，例如可列舉：輥式塗覆、網版塗覆、及凹版塗覆。繼而，於該黏著劑組合物層中，藉由加熱，視需要使之乾燥，又，視需要使之產生交聯反應。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於將黏著劑層22形成於隔離件上之情形時，將附帶該隔離件之黏著劑層22貼合於基材21，其後將隔離件剝離。藉此，製作具有基材21與黏著劑層22之積層構造之切晶帶20。
於切晶帶一體型半導體背面密接膜X之製作中，將附帶隔離件之膜10沖裁加工為特定之直徑之圓盤形後，自膜10之雷射標記層11側將隔離件剝離，於切晶帶20之黏著劑層22側貼合膜10之雷射標記層11側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。繼而，將如此與膜10貼合之切晶帶20以切晶帶20之中心與膜10之中心一致之方式沖裁加工為特定直徑之圓盤形。於黏著劑層22包含如上所述之放射線硬化性黏著劑之情形時，可於該貼合之前對黏著劑層22照射紫外線等放射線，亦可於該貼合之後自基材21之側對黏著劑層22照射紫外線等放射線。或者，於切晶帶一體型半導體背面密接膜X之製造過程中，亦可不進行此種放射線照射(於該情形時，可於切晶帶一體型半導體背面密接膜X之使用過程中使黏著劑層22進行放射線硬化)。於黏著劑層22為紫外線硬化型之情形時，用以使黏著劑層22進行硬化之紫外線照射累計量例如為50～500 mJ/cm2 。
可以如上方式製作切晶帶一體型半導體背面密接膜X。隔離件係於使用切晶帶一體型半導體背面密接膜X時自該膜剝離。
膜10亦可具有單層構成代替如上所述之多層構成。於膜10具有單層構成之情形時，該膜10包含實質上不產生熱硬化之非熱硬化型樹脂組合物。此種膜10可具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成，亦可具有不含熱硬化性樹脂之組成。
作為單層構成之膜10具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。膜10可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。作為膜10中之環氧樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之作為該熱硬化性樹脂之環氧樹脂所述者。單層構成之膜10較佳為以2～20質量%之比率含有環氧當量150～900 g/eq之環氧樹脂。上述環氧當量較佳為150～700 g/eq。又，作為用以使環氧樹脂表現熱硬化性之硬化劑，較佳為酚系樹脂。
單層構成之膜10中之熱塑性樹脂係例如發揮黏合劑功能者。作為膜10具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂所述者。膜10可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。
單層構成之膜10含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以形成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用上文中作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體所述之(甲基)丙烯酸酯。作為膜10中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，該丙烯酸系樹脂亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而包含可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用上文中作為可與用以形成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體所述者。
單層構成之膜10亦可含有填料。膜10中之填料之調配就調整膜10之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為膜10中之填料，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之填料所述者。膜10可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可為球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。膜10含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～1000 nm、更佳為40～800 nm、更佳為50～600 nm。即，膜10較佳為含有奈米填料。膜10含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就避免或抑制貼合或安裝於膜10之工件因膜10中含有之填料而產生損害之方面而言較佳，又，就對會被小片化之膜10確保較高之分斷性之方面而言較佳。又，膜10含有填料之情形時之該填料之含量較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。該含量較佳為未達75質量%。
於膜10具有單層構成之情形時，該膜10含有著色劑。作為膜10中之著色劑，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之著色劑所述者。就於膜10中之雷射標記層11側之基於雷射標記之刻印部位與其以外之部位之間確保較高之對比度而關於該刻印資訊實現良好之視認性之方面而言，膜10較佳為含有黑色系著色劑。膜10可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，膜10中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上、更佳為1重量%以上、更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下、更佳為8重量%以下、更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成就關於基於雷射標記之刻印資訊實現上述之良好之視認性之方面而言較佳。
單層構成之膜10視需要亦可含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑等。
膜10具有單層構成之情形時之該膜10之厚度例如為2～100 μm。
圖3至圖7表示使用上述切晶帶一體型半導體背面密接膜X之半導體裝置製造方法之一例。
於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖3(a)及圖3(b)所示，藉由研削加工使晶圓W薄化(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置而進行。晶圓W為半導體晶圓，具有第1面Wa及第2面Wb。於晶圓W中之第1面Wa之側已經植入各種半導體元件(圖示略)，且於第1面Wa上已經形成該半導體元件所必需之配線構造等(圖示略)。第2面Wb為所謂反面或背面。於本步驟中，將具有黏著面T1a之晶圓加工用膠帶T1貼合於晶圓W之第1面Wa側後，於將晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T1之狀態下自第2面Wb進行研削加工直至晶圓W達到特定之厚度，獲得經薄化之晶圓30。
繼而，如圖4(a)所示，將切晶帶一體型半導體背面密接膜X貼合於晶圓30及環狀框41。具體而言，針對保持於晶圓加工用膠帶T1之晶圓30與以包圍其之方式配置之環狀框41，以切晶帶一體型半導體背面密接膜X之膜10貼合於晶圓30，並且切晶帶20或其黏著劑層22貼合於環狀框41之方式進行切晶帶一體型半導體背面密接膜X之貼合作業。然後，如圖4(b)所示，自晶圓30將晶圓加工用膠帶T1剝離。其後，亦可例如於下述之切割步驟之前之期間進行用以提高膜10對晶圓30之濡濕性或密接性之烘烤步驟。於烘烤步驟中，較佳為於100℃以下之溫度下對保持晶圓30之切晶帶一體型半導體背面密接膜X或其膜10進行數小時以內之加溫。
繼而，隔著切晶帶20(即，自切晶帶20之基材21之側)對切晶帶一體型半導體背面密接膜X中之膜10之雷射標記層11照射雷射而進行雷射標記(雷射標記步驟)。藉由該雷射標記，對其後被單片化為半導體晶片之每一半導體元件刻印文字資訊或圖形資訊等各種資訊。於本步驟中，可於一個雷射標記製程中一次性高效率地對晶圓30內之多個半導體元件進行雷射標記。作為本步驟中使用之雷射，例如可列舉氣體雷射及固體雷射。作為氣體雷射，例如可列舉二氧化碳氣體雷射(CO2 雷射)及準分子雷射。作為固體雷射，例如可列舉Nd：YAG雷射。
繼而，將附帶晶圓30與環狀框41之切晶帶一體型半導體背面密接膜X經由其環狀框41保持於裝置之保持器42，其後如圖5所示，進行利用切晶裝置所具備之切割刀片之切削加工(切割步驟)。於圖5中，以粗實線模式性地表示切削部位。於本步驟中，將晶圓30單片化為晶片31，與此同時將切晶帶一體型半導體背面密接膜X之膜10切斷為小片之膜10'。藉此，獲得附帶用以形成晶片背面保護膜之膜10'之晶片31、即附膜10'之晶片31。
於切晶帶20之黏著劑層22含有放射線硬化性黏著劑之情形時，亦可於上述之切割步驟之後自基材21側對黏著劑層22照射紫外線等放射線來代替切晶帶一體型半導體背面密接膜X之製造過程中之上述放射線照射。照射累計光量例如為50～500 mJ/cm2 。於切晶帶一體型半導體背面密接膜X中，進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域例如圖2所示，為黏著劑層22中之膜10貼合區域內之除其周緣部以外之區域R。
繼而，視需要經過使用水等洗淨液對附帶附膜10'之晶片31之切晶帶20中之晶片31側進行洗淨之清潔步驟、或用以擴大附膜10'之晶片31間之分離距離之擴開步驟之後，如圖6所示，自切晶帶20拾取附膜10'之晶片31(拾取步驟)。例如將附環狀框41之切晶帶一體型半導體背面密接膜X經由其環狀框41保持於裝置之保持器43後，於切晶帶20之圖中下側使拾取機構之頂銷構件44上升，隔著切晶帶20將拾取對象之附膜10'之晶片31頂起後，藉由吸附治具45進行吸附保持。於拾取步驟中，頂銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/s，頂銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。
繼而，如圖7所示，將附膜10'之晶片31覆晶安裝於安裝基板51。作為安裝基板51，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、及配線基板。晶片31經由凸塊52與安裝基板51電性連接。具體而言，晶片31於其電路形成面側具有之電極墊(圖示略)與安裝基板51所具有之端子部(圖示略)經由凸塊52而電性連接。凸塊52例如為焊料凸塊。又，於晶片31與安裝基板51之間介置有熱硬化性之底部填充劑53。
可以如上方式，使用切晶帶一體型半導體背面密接膜X而製造半導體裝置。
如上所述，切晶帶一體型半導體背面密接膜X所具備之作為半導體背面密接膜之膜10於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第1放熱量)與經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量(第2放熱量)的差(自第1放熱量減去第2放熱量所得之熱量)為50 J/g以下。所謂第1放熱量，係關於未經過130℃、2小時之條件下之加熱處理之膜10於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量。所謂第2放熱量，係關於經過130℃、2小時之條件下之加熱處理之膜10於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之放熱量。本發明者等人發現，膜10中之該等放熱量之差(自第1放熱量減去第2放熱量所得之熱量)為50 J/g以下之構成就抑制於將貼合有該膜之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲之方面而言較佳。例如藉由下述之實施例及比較例所示。
關於膜10之示差掃描熱量測定中在50～200℃範圍內之上述各放熱量主要由因該膜內之構成成分間之反應產生之放熱量(反應熱量)所佔據。關於未經過上述加熱處理之膜10之上述第1放熱量與關於經過上述加熱處理之膜10之上述第2放熱量的差為50 J/g以下之構成意指藉由上述加熱處理於膜10內進行相當於50 J/g以下之放熱量或反應熱量之程度之反應。即，該構成意指藉由上述加熱處理於膜10內進行之反應越為相當於放熱量50 J/g以下之程度，則越表示於上述加熱處理前之膜10中已經進行反應(該膜中之反應率較高)或藉由上述加熱處理難以於膜10中進行反應。膜10中之此種構成適於降低因將該膜10暴露於高溫環境而進行反應而收縮之收縮程度，因此適於抑制於將貼合有該膜之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲。於包含硬化過之熱硬化型層(於上述之實施形態中為雷射標記層11)之膜10中，作為半導體背面密接膜之膜10之高反應率化例如可藉由熱硬化型層中之熱硬化觸媒(反應促進劑)之調配量之調整、或膜10製作時之用於熱硬化之加熱溫度及加熱時間之調整而進行。
如以上所述，切晶帶一體型半導體背面密接膜X所具備之膜10適於抑制於半導體裝置製造過程中於貼合有膜10之半導體晶圓產生翹曲。就此種翹曲之抑制之觀點而言，上述放熱量差較佳為30 J/g以下、更佳為20 J/g以下、更佳為10 J/g以下。
如上所述，關於膜10，相對於在初期夾頭間距離20 m、頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件(彈性模數測定條件)下對寬度10 mm之膜10試樣片測得之150℃下之拉伸儲存模數，經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後之於上述彈性模數測定條件下測得之150℃下之拉伸儲存模數之比率較佳為20以下、更佳為10以下、更佳為5以下、更佳為3以下、更佳為1.5以下。此種構成適於降低因將膜10暴露於高溫環境而進行收縮之收縮程度，因此適於抑制於將貼合有膜10之半導體晶圓暴露於高溫環境之情形時於該晶圓產生翹曲。
如上所述，膜10整體之無機填料含有比率較佳為30質量%以上、更佳為40質量%以上、更佳為50質量%以上。此種構成就抑制膜10或貼合有其之半導體晶圓中之上述之翹曲之方面而言較佳。
如上所述，膜10整體之無機填料含有比率較佳為未達75質量%。此種構成就於膜10中確保基於雷射標記之印字性之方面而言較佳。
於切晶帶一體型半導體背面密接膜X之膜10具有上述之雷射標記層11(硬化過之熱硬化型層)之情形時，如上所述，膜10整體之玻璃轉移溫度較佳為100～200℃。此種構成適於在膜10中降低由熱收縮引起之產生應力，並且藉由縮小高彈性區域而謀求應力緩和。
又，如上所述，切晶帶一體型半導體背面密接膜X中之膜10較佳為以2～20質量%之比率含有環氧當量150～900 g/eq之環氧樹脂，上述環氧當量較佳為150～700 g/eq。此種構成適於在膜10中抑制其構成樹脂材料中之交聯點數且確保良好之黏接著性。於膜10中存在其構成樹脂材料中之交聯點越少，則越抑制經過加熱時之交聯反應之收縮之傾向。 [實施例]
[實施例1] 於實施例1之半導體背面密接膜之製作中，首先，個別地製作會形成雷射標記層(LM層)之第1膜與會形成接著層(AH層)之第2膜。
於第1膜之製作中，首先，將第1環氧樹脂(商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)7質量份、第2環氧樹脂(商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)7質量份、酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)15質量份、丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-P3」，Nagase ChemteX股份有限公司製造)15質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)50質量份、熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ」，四國化成工業股份有限公司製造)4質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)2質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。繼而，使用敷料器，將該樹脂組合物塗佈於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。繼而，於130℃下對該組合物層進行2分鐘之加熱使之乾燥，於PET隔離件上製作厚度15 μm之第1膜(會形成作為硬化過之熱硬化型層之雷射標記層之膜)。
於第2膜之製作中，首先，將第1環氧樹脂(商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)7.5質量份、第2環氧樹脂(商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)7.5質量份、酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)16.5質量份、丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-P3」，Nagase ChemteX股份有限公司製造)16.5質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)50質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)2質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。繼而，使用敷料器，將該樹脂組合物塗佈於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。繼而，於130℃下對該組合物層進行2分鐘之加熱使之乾燥，於PET隔離件上製作厚度10 μm之第2膜(會形成非熱硬化型之接著層之膜)。
然後，使用貼合機，將如上所述製作之PET隔離件上之第1膜與PET隔離件上之第2膜進行貼合。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下將第1及第2膜之露出面彼此貼合。以如上方式製作實施例1之半導體背面密接膜。將實施例1以及下述之各實施例及比較例中之各膜之組成揭示於表1(表1中，以成分之質量比表示對應各層之組成)。
[實施例2] 於實施例2之半導體背面密接膜之製作中，首先，將第1環氧樹脂(商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)7.5質量份、第2環氧樹脂(商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)7.5質量份、酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)16.5質量份、丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-P3」，Nagase ChemteX股份有限公司製造)16.5質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)50質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)2質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。繼而，使用敷料器，將該樹脂組合物塗佈於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。繼而，於130℃下對該組合物層進行2分鐘之加熱使之乾燥。以如上方式於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例2之半導體背面密接膜(非熱硬化型之單層構成之膜)。
[實施例3] 於實施例3之半導體背面密接膜之製作中，首先，將酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)25質量份、丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-P3」，Nagase ChemteX股份有限公司製造)13質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)60質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)2質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。繼而，使用敷料器，將該樹脂組合物塗佈於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。繼而，於130℃下對該組合物層進行2分鐘之加熱使之乾燥。以如上方式於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例3之半導體背面密接膜(非熱硬化型之單層構成之膜)。
[實施例4] 將第1環氧樹脂(商品名「JER YL980」)之調配量設為3.5質量份代替7.5質量份、將第2環氧樹脂(商品名「KI-3000-4」)之調配量設為3.5質量份代替7.5質量份、將酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」)之調配量設為8質量份代替16.5質量份、將丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-P3」)之調配量設為8質量份代替16.5質量份、及將填料(商品名「SO-25R」)之調配量設為75質量份代替50質量份，除此以外，以與實施例2之半導體背面密接膜同樣之方式製作實施例4之半導體背面密接膜(厚度25 μm之非熱硬化型之單層構成之膜)。
[比較例1] 將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ」)之調配量設為0.5質量份代替4質量份、及將膜厚度設為25 μm代替12.5 μm，除此以外，以與實施例1之第1膜同樣之方式製作比較例1之半導體背面密接膜(硬化過之熱硬化型單層構成之膜)。
＜放熱量的差＞ 關於實施例1～4及比較例1之各半導體背面密接膜，藉由使用示差掃描熱量計(商品名「DSC Q2000」，TA Instruments公司製造)所進行之示差掃描熱量測定調查放熱量Q1 。又，關於實施例1～4及比較例1之各複合膜之半導體背面密接膜，實施加熱處理(恆溫槽內之130℃下之2小時之靜置)後，藉由使用示差掃描熱量計(商品名「DSC Q2000」，TA Instruments公司製造)所進行之示差掃描熱量測定調查放熱量Q2 。於各示差掃描熱量測定中，將測定環境設為氮氣氛圍下，將測定溫度範圍設為-30℃至300℃，將升溫速度設為10℃/min。並且，關於藉由各測定所得之DSC圖表中出現於50～200℃之範圍之放熱峰，求出該圖表之50～200℃中之基準線以上之熱量之累計值作為放熱量(J/g)。對應各半導體背面密接膜，將放熱量Q1 (J/g)、放熱量Q2 (J/g)、及放熱量差Q1 －Q2 (J/g)揭示於表1。
[拉伸儲存模數] 關於實施例1～4及比較例1之各半導體背面密接膜，基於使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA3」，TA Instruments公司製造)所進行之動態黏彈性測定，求出150℃下之拉伸儲存模數E1 。又，關於實施例1～4及比較例1之各半導體背面密接膜，實施加熱處理(恆溫槽內之130℃下之2小時之靜置)後，基於使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA3」，TA Instruments公司製造)所進行之動態黏彈性測定，求出150℃下之拉伸儲存模數E2 。供於測定之試樣片(寬度10 mm×長度30 mm)係自未經過加熱處理之半導體背面密接膜或經過加熱處理之半導體背面密接膜切出而準備。又，於各測定中，將試樣片保持用夾頭之初期夾頭間距離設為20 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定環境設為氮氣氛圍下，將測定溫度範圍設為0℃至200℃，將頻率設為1 Hz，將動態應變設為0.05%，將升溫速度設為10℃/min。對應各半導體背面密接膜，將拉伸儲存模數E1 (MPa)、拉伸儲存模數E2 (MPa)、及該等拉伸儲存模數之比率E2 /E1 揭示於表1。
＜玻璃轉移溫度＞ 關於實施例1及比較例1之各半導體背面密接膜，藉由使用示差掃描熱量計(商品名「DSC Q2000」，TA Instruments公司製造)所進行之示差掃描熱量測定調查玻璃轉移溫度。於各示差掃描熱量測定中，將測定環境設為氮氣氛圍下，將測定溫度範圍設為-30℃至300℃，將升溫速度設為10℃/min。將實施例1及比較例1之各半導體背面密接膜之玻璃轉移溫度Tg(℃)揭示於表1。
＜晶圓翹曲量＞ 關於實施例1～4及比較例1之各半導體背面密接膜，調查與矽晶圓一起經過加熱試驗之情形時誘發翹曲之程度。具體而言，如下所述。
首先，將半導體背面密接膜貼合於矽晶圓(厚度100 μm，直徑300 mm)。繼而，將附帶半導體背面密接膜之矽晶圓於恆溫槽內以130℃加熱2小時(加熱試驗)。將經過該加熱試驗之附半導體背面密接膜之晶圓以半導體背面密接膜位於上表面側之態樣置於具有水平之台面之實驗台上並靜置2小時。其後，以尺子測定晶圓周緣部之台對向面中位於距台面最高之位置之部位與台面之間之距離。將其測定值設為翹曲量(mm)。將其測定值揭示於表1。
＜印字性評價＞ 關於實施例1～4及比較例1之各半導體背面密接膜，以如下方式調查印字性。首先，使用雷射標記裝置(商品名「MD-S9920」，KEYENCE股份有限公司)，對半導體背面密接膜照射雷射而進行利用雷射標記之印字(對於實施例1之半導體背面密接膜，對其雷射標記層表面進行印字)。於該雷射標記中，雷射功率為0.23 W，標記速度為300 mm/s，雷射之頻率為10 kHz。繼而，使用顯微鏡(商品名「Digital Microscope VHX-500」，KEYENCE股份有限公司製造)，觀察利用雷射標記之印字之部位(明視野觀察)。關於藉由雷射標記所刻印之文字(印字)，將充分滿足對比度明確而能夠容易地視認(第1基準)、及刻印文字之最大深度為1 μm以上(第2基準)之兩者之情形評價為印字性「良」，將不充分滿足第1及第2基準之至少一者之情形評價為印字性「不良」。將其評價結果揭示於表1。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1
半導體背面密接膜之層構成 LM層 AH層 單層 單層 單層 單層
第1環氧樹脂(JER YL980) 7 7.5 7.5 - 3.5 7
第2環氧樹脂(KI-3000-4) 7 7.5 7.5 - 3.5 7
酚系樹脂(MEH-7851SS) 15 16.5 16.5 25 8 15
丙烯酸系樹脂(TEISANRESIN SG-P3) 15 16.5 16.5 13 8 15
填料(SO-25R) 50 50 50 60 75 50
熱硬化觸媒(Curezol 2PHZ) 4 - - - - 0.5
黑色系染料(OIL BLACK BS) 2 2 2 2 2 2
放熱量Q1 (J/g) 13 2 4 1 110
放熱量Q2 (J/g) 4 2 4 1 3
放熱量差Q1 －Q2 (J/g) 9 0 0 1 107
拉伸儲存模數E1 (MPa) 8 0.04 0.06 0.8 0.3
拉伸儲存模數E2 (MPa) 8 0.04 0.06 0.8 200
E2 /E1 1.0 1 1 1 667
玻璃轉移溫度Tg(℃) 120 - - - 120
晶圓翹曲量 1 mm以下 1 mm以下 1 mm以下 1 mm以下 7 mm
印字性評價 良 良 良 不良 良
10,10':膜(半導體背面密接膜) 11:雷射標記層 12:接著層 12a:工件密接面 20:切晶帶 21:基材 22:黏著劑層 22a:黏著面 30,W:晶圓 31:晶片 41:環狀框 42,43:保持器 44:頂銷構件 45:吸附治具 51:安裝基板 52:凸塊 53:底部填充劑 R:區域 T1:晶圓加工用膠帶 T1a:黏著面 Wa:第1面 Wb:第2面 X:切晶帶一體型半導體背面密接膜
圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜之俯視圖。 圖2係本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜之剖面模式圖。 圖3(a)、(b)表示使用圖1及圖2所示之切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體裝置製造方法中之一部分之步驟。 圖4(a)、(b)表示繼圖3所示之步驟之後之步驟。 圖5表示繼圖4所示之步驟之後之步驟。 圖6表示繼圖5所示之步驟之後之步驟。 圖7表示繼圖6所示之步驟之後之步驟。
10:膜(半導體背面密接膜)
11:雷射標記層
12:接著層
12a:工件密接面
20:切晶帶
21:基材
22:黏著劑層
22a:黏著面
R:區域
X:切晶帶一體型半導體背面密接膜

Claims (7)

  1. 一種半導體背面密接膜，其於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50~200℃範圍內之放熱量與經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於升溫速度10℃/min之示差掃描熱量測定中在50~200℃範圍內之放熱量的差為20J/g以下。
  2. 如請求項1之半導體背面密接膜，其中經過130℃、2小時之條件下之加熱處理後於初期夾頭間距離20mm、頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10mm之半導體背面密接膜試樣片測得之150℃下之拉伸儲存模數相對於在初期夾頭間距離20mm、頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10mm之半導體背面密接膜試樣片測得之150℃下之拉伸儲存模數的比率為20以下。
  3. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其以30質量%以上之比率含有無機填料。
  4. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其以75質量%以下之比率含有無機填料。
  5. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其玻璃轉移溫度為100~200℃。
  6. 如請求項1或2之半導體背面密接膜，其以2~20質量%之比率含有環 氧當量150~900g/eq之環氧樹脂。
  7. 一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶之上述黏著劑層之如請求項1至6中任一項之半導體背面密接膜。
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