TWI856117B

TWI856117B - 螢光板及使用其之發光裝置

Info

Publication number: TWI856117B
Application number: TW109121500A
Authority: TW
Inventors: 山浦太陽; 久保田雄起; 伊藤和弘; 江本秀幸
Original assignee: 日商電化股份有限公司
Priority date: 2019-06-28
Filing date: 2020-06-24
Publication date: 2024-09-21

Abstract

本發明之螢光板，具備：包含母材以及分散於該母材中之螢光體的板狀之複合體；母材之主成分為氧化鋁，螢光體含有α型矽鋁氮氧化物螢光體，依據JIS Z 8781-4而進行測定時，L^* a^* b^* 色座標中，符合：L^* 值為73.5以上且85.0以下、a^* 值為4.4以上且8.0以下、及b^* 值為10.8以上且13.0以下。

Description

螢光板及使用其之發光裝置

本發明係關於螢光板及使用其之發光裝置。

至今已開發出各式各樣的螢光板。就此種之技術而言，例如，已知有專利文獻1記載之技術。專利文獻1，就一例而言，記載了關於有YAG：Ce結晶粒及氧化鋁結晶粒混雜存在的螢光板(專利文獻1之段落0055等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-9470號公報

[發明所欲解決之課題]

惟，經本案發明人探討，結果發現上述專利文獻1記載之螢光板，其在螢光強度之方面還有改善之餘地。 [解決課題之手段]

上述專利文獻1，針對含有將氧化鋁作為主成分之母材以及螢光體的複合體所成之螢光板，尚未充分的探討。經本案發明人探討，發現氧化鋁以及α型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光板，色調越黑色化的話，伴隨著螢光強度也會降低。

更進行探討，得知藉由抑制螢光板之黑色化，可抑制螢光強度的降低、及藉由將L^* a^* b^* 色座標作為指標，可穩定地測定黑色化的程度。基於如此之知識見解並更深入研究，發現藉由將作為指標之L^* a^* b^* 色座標設定在適當的範圍內，可提升螢光板之螢光強度，從而完成本發明。

依據本發明，可提供一種螢光板，具備：包含母材以及分散於該母材中之螢光體的板狀之複合體；該母材之主成分為氧化鋁，該螢光體含有α型矽鋁氮氧化物螢光體，依據JIS Z 8781-4而進行測定時，該螢光板之L^* a^* b^* 色座標中，符合： L^* 值為73.5以上且85.0以下、 a^* 值為4.4以上且8.0以下、及 b^* 值為10.8以上且13.0以下。

再者，依據本發明，可提供一種發光裝置，具備： III族氮化物半導體發光元件、以及設置於該III族氮化物半導體發光元件之一面上之上述螢光板。 [發明之效果]

依據本發明，可提供螢光強度優異之螢光板、以及使用其之發光裝置。

以下，針對本發明之實施形態，利用圖式進行說明。又，全部的圖式中，同樣的構成要件標示同樣的符號，並適當的省略說明。此外，圖式為概略圖，和實際之尺寸比率並非一致。

說明本實施形態之螢光板之概要。

本實施形態之螢光板，係由板狀構件構成，且該板狀構件具備：包含母材以及分散於母材中之螢光體的板狀之複合體。

螢光板中，母材之主成分為氧化鋁，螢光體含有α型矽鋁氮氧化物螢光體。如此之螢光板，可發揮將經照射之藍色光轉換為橙色光而發光之波長轉換體之功能。

本實施形態之螢光板，依據JIS Z 8781-4而進行測定時，該螢光板之L^* a^* b^* 色座標符合下列之L^* 、a^* 、b^* 之條件。

･L^* 值為73.5以上且85.0以下。･a^* 值為4.4以上且8.0以下。･b^* 值為10.8以上且13.0以下。

依據本案發明人之知識見解，發現藉由將L^* a^* b^* 色座標作為指標，可穩定地測定螢光板之黑色化的程度，且藉由將作為指標之L^* a^* b^* 色座標之L^* 值、a^* 值、b^* 值設定在上述範圍內，可提升螢光板之螢光強度。

表示明度之L^* 之下限，為73.5以上，宜為74.0以上較理想，75.0以上更理想。另一方面，L^* 之上限，為85.0以下，宜為84.5以下較理想，84.0以下更理想。

表示紅色之色度之+側的a^* 之值之下限，為4.4以上，宜為4.5以上較理想，4.6以上更理想。另一方面，a^* 之上限，為8.0以下，宜為7.8以下較理想，7.5以下更理想。

表示黃色之色度之+側的b^* 之值之下限，為10.8以上，宜為10.9以上較理想，11.0以上更理想。另一方面，b^* 之上限，為13.0以下，宜為12.9以下較理想，12.8以下更理想。

藉由將L^* 、a^* 、b^* 之值各自設為上述下限以上，可提升螢光板之螢光強度。雖詳細之機制尚未確定，但可認為係由於可抑制含有α型矽鋁氮氧化物螢光體及氧化鋁之螢光板之黑色化，故可抑制其之螢光強度的降低。

藉由將L^* 、a^* 、b^* 之值各自設為上述上限以下，能夠提升將經照射之藍色光轉換為橙色光而發光之波長轉換體之功能。

本實施形態，例如，藉由適當地選擇螢光板中所含的各成分之種類、摻合量、螢光板之製造方法等，從而可控制上述L^* a^* b^* 色座標。它們之中，就將上述L^* a^* b^* 色座標設定在預期之數值範圍內的要件而言，可列舉例如：適當地調整原料即氧化鋁粉之比表面積、煅燒步驟中之加熱溫度、複合體中之螢光體之含有比率等。

此外，依據本實施形態，對於含有α型矽鋁氮氧化物螢光體及氧化鋁之螢光板照射波長455nm之藍色光時，宜為使螢光板發出之波長轉換光的峰部波長成為585nm以上且605nm以下之方式來構成較理想。藉由如此之螢光板及發出藍色光之發光元件的組合，可得到能夠發出高亮度橙色光之發光裝置。

以下，針對本實施形態之螢光板進行詳述。

構成上述螢光板之複合體中，有螢光體(α型矽鋁氮氧化物螢光體)及母材(氧化鋁)混雜存在。混雜存在，意指成為母材(基質相)之氧化鋁中分散有螢光體(α型矽鋁氮氧化物螢光體)之狀態。亦即，複合體也可具有α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子分散於母材構成之(多)結晶體之結晶粒間及/或結晶粒內之結構。此α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子亦可均勻地分散於母材(氧化鋁燒結體)中。

螢光體，亦可含有下述通式(1)表示之α型矽鋁氮氧化物螢光體。 (M)_m(1-x)/p (Eu)_mx/2 (Si)_12-(m+n) (Al)_m+n (O)_n (N)_16-n ･･通式(1)

上述通式(1)中，M表示選自於由Li、Mg、Ca、Y及鑭系元素(排除La和Ce)構成之群組中之1種以上之元素，p表示M元素之價數，0＜x＜0.5，1.5≦m≦4.0，0≦n≦2.0。n，例如可為2.0以下，亦可為1.0以下，還可為0.8以下。

α型矽鋁氮氧化物之固溶組成，α型氮化矽之晶胞(Si₁₂ N₁₆ )的m個Si-N鍵被Al-N鍵取代，n個Si-N鍵被Al-O鍵取代，且為了保持電中性，m/p個之陽離子(M、Eu)侵入至結晶格子內並固溶，如上述通式所表示。尤其就M而言，使用Ca的話，α型矽鋁氮氧化物能夠於廣泛的組成範圍來讓穩定化，藉由其一部分被成為發光中心之Eu取代，可得到能夠被紫外至藍色之寬廣波長域之光激發，發出黃至橙色之可見光的螢光體。

一般而言，α型矽鋁氮氧化物會因其係與該α型矽鋁氮氧化物螢光體不同的第二結晶相、不可避免存在的非晶質相而無法藉由組成分析等來將固溶組成嚴格地規定。就α型矽鋁氮氧化物之結晶相而言，宜為α型矽鋁氮氧化物單相較理想，就其它之結晶相而言，亦可含有β型矽鋁氮氧化物、氮化鋁或其類多型體(polytypoid)、Ca₂ Si₅ N₈ 、CaAlSiN₃ 等。

此處，若如YAG螢光體和氧化鋁之組合般，折射率差過小的話，會難以光散射，故為了防止藍色光的透過，必須提高螢光體含有率。反觀，可認為α型矽鋁氮氧化物螢光體和氧化鋁之折射率差適當加大，促進藍色光的散射，能夠以低的螢光體含有率即可效率良好地抑制藍色光的透過，可發出高亮度之橙色光。就各成分之折射率之代表值而言，已知α型矽鋁氮氧化物螢光體：約2.0、YAG螢光體：約1.8、Al₂ O₃ ：約1.7、SiO₂ ：約1.4。

就α型矽鋁氮氧化物螢光體之製造方法而言，有將由氮化矽、氮化鋁及侵入固溶元素之化合物所成之混合粉末在高溫之氮氣環境中進行加熱而反應之方法。以加熱步驟讓構成成分之一部份形成液相，再藉由物質在此液相中移動而產生α型矽鋁氮氧化物固溶體。合成後之α型矽鋁氮氧化物螢光體係多數個等軸狀之一次粒子燒結而形成塊狀之二次粒子。本實施形態中之一次粒子，意指粒子內之結晶方位相同，可單獨存在的最小粒子。

α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑之下限，宜為5μm以上較理想，10μm以上更理想。另一方面，α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑之上限，宜為40μm以下較理想，30μm以下更理想。α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑係上述二次粒子中之尺寸。藉由將α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑設為5μm以上，可更提高複合體之透明性。另一方面，藉由將α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑設為40μm以下，在利用切塊機等對於螢光板進行切斷加工時，可抑制切屑的產生。

此處，α型矽鋁氮氧化物螢光體之平均粒徑，意指利用雷射繞射散射式粒度分布測定法(貝克曼庫爾特股份有限公司製，LS13-320)而進行測定而得到的體積基準粒度分布中之由小粒徑側之通過部分累積(累積通過分率)50%之粒徑D₅₀ 。

α型矽鋁氮氧化物螢光體之含量之下限，在複合體整體中，按體積換算計，例如，為5Vol%以上，宜為10Vol%以上較理想，20Vol%以上更理想。藉此，可提升薄層之螢光板中之螢光強度。再者，可提升螢光板之光轉換效率。另一方面，α型矽鋁氮氧化物螢光體之含量之上限，在複合體整體中，按體積換算計，例如，為60Vol%以下，宜為55Vol%以下較理想，50Vol%以下更理想。藉此，可抑制螢光板之熱傳導性的降低。螢光體之含量，亦可落在與α型矽鋁氮氧化物螢光體之含量之上述上限、上述下限相同的範圍內。

複合體含有的母材，亦可由氧化鋁之燒結體構成。燒結體中之氧化鋁，由於可見光的吸收較少，故可提升螢光板之螢光強度。又，由於氧化鋁之熱傳導性高，故可提升含有氧化鋁之螢光板的耐熱性。進一步，由於氧化鋁還有優異的機械性強度，故可提升螢光板的耐久性。

燒結體中之氧化鋁，考量光之提取效率的觀點，雜質少較理想。例如，燒結體中之氧化鋁中，Al₂ O₃ 化合物之純度，例如，為98%wt以上，宜設定為99%wt以上較理想。

燒結體中之氧化鋁，可含有選自於由α氧化鋁及γ氧化鋁構成之群組中之一種以上。藉此，可提升螢光板之光轉換效率。

α型矽鋁氮氧化物螢光體及氧化鋁之含量之下限，例如，在複合體整體中，按體積換算計，為95Vol%以上，宜為98Vol%以上較理想，99Vol%以上更理想。也就是說，藉此不僅可提升耐熱性、耐久性，還可達成穩定的發光效率。另一方面，α型矽鋁氮氧化物螢光體及氧化鋁之含量之上限，無特別限制，例如，在複合體整體中，按體積換算計，可為100Vol%以下。螢光體及氧化鋁之含量，亦可落在與α型矽鋁氮氧化物螢光體及氧化鋁之含量的上述上限、上述下限相同的範圍內。

螢光板之熱傳導率之下限，例如，為10W/m･K以上，宜為15W/m･K較理想，20W/m･K以上更理想。藉此，可達成高熱傳導率，從而可得到耐熱性優異之螢光板。另一方面，上述螢光板之熱傳導率之上限，無特別限制，例如，亦可設為40W/m･K以下。

近年來，已知由於光源之高亮度化會使螢光體有高溫化之傾向。即便為如此之情形，藉由使用熱傳導率優異之螢光板，仍可穩定地發出高亮度之橙色光。

螢光板之至少主面、或主面及背面之兩面中之表面可經表面處理。就表面處理而言，可列舉例如：使用鑽石磨輪等之研削、磨光、拋光等研磨等。

針對本實施形態之螢光板之製造步驟之一例進行說明。

本實施形態之螢光板之製造方法，可具有下列步驟：步驟(1)，將氧化鋁粉、至少含有Eu元素作為發光中心之α型矽鋁氮氧化物螢光體粉末混合；及步驟(2)，將氧化鋁粉和α型矽鋁氮氧化物螢光體粉末之混合物進行加熱而鍛燒出緻密之複合體。

步驟(1)中，就原料而言，所使用的氧化鋁粉及α型矽鋁氮氧化物螢光體粉末，宜盡可能為高純度較理想，構成元素以外之元素之雜質為0.1%以下較理想。原料粉末之混合，可適用乾式、濕式之各種方法，宜盡可能地不粉碎作為原料而使用的α矽鋁氮氧化物螢光體粒子之方法、且盡可能地避免在混合時混入來自裝置的雜質之方法較理想。

此外，作為原料使用的氧化鋁粉之BET比表面積之上限，例如，為10.0m² /g以下，宜為9.0m² /g以下較理想，8.0m² /g以下更理想，6.0m² /g還更理想。藉此，可抑制螢光板黑色化。另一方面，氧化鋁粉之BET比表面積之下限，例如，為0.1m² /g以上，宜為0.5m² /g以上較理想，1.0m² /g以上更理想，2.0m² /g還更理想。藉此，可提升氧化鋁粉的燒結性，可形成緻密的複合體。

步驟(2)中，以1300℃以上且1700℃以下對於氧化鋁粉與α矽鋁氮氧化物螢光體粉末的混合物進行煅燒。燒結步驟中之加熱溫度，宜為1500℃以上較理想。為了讓複合體緻密化，煅燒溫度較高較理想，惟煅燒溫度過高的話，螢光體會與氧化鋁進行反應而導致螢光板之螢光強度降低，故宜落在前述範圍較理想。

煅燒方法，不論常壓燒結或加壓燒結皆可，為了抑制α矽鋁氮氧化物螢光體的特性降低並可得到緻密的複合體，比起常壓燒結，宜為容易緻密化的加壓燒結較理想。

就加壓燒結方法而言，可列舉如：熱壓燒結、火花電漿燒結(SPS)、熱等靜壓燒結(HIP)等。為熱壓燒結或SPS燒結時，壓力為10MPa以上，宜為30MPa以上較理想，100MPa以下更理想。

就煅燒氣體環境而言，為了防止α矽鋁氮氧化物的氧化之目的，宜為在氮氣或氬氣等非氧化性之惰性氣體環境下、抑或在真空氣體環境下較理想。

依據上述，得到本實施形態之螢光板。得到的螢光板中之板狀之複合體的表面，可在不妨礙本發明之效果之範圍內施予研磨處理、電漿處理或表面塗布處理等公知的表面處理等。

針對本實施形態之發光裝置進行說明。

本實施形態之發光裝置具備：III族氮化物半導體發光元件(發光元件20)、及設置於III族氮化物半導體發光元件之一面上之上述之螢光板10。III族氮化物半導體發光元件，例如，係由AlGaN、GaN、InAlGaN系材料等III族氮化物半導體構成，且具備n層、發光層、及p層。就III族氮化物半導體發光元件而言，可使用發出藍色光之藍色LED。螢光板10，可直接配置於發光元件20之一面上，亦可介隔光透過性構件或間隔件而配置。

配置於發光元件20上之螢光板10，可使用如圖1所示之圓板形狀之螢光板100(螢光體晶片)，亦可使用將螢光板100予以單片化而成者。圖1係表示螢光板之構成之一例之示意圖。就圖1表示之螢光板100之厚度而言，例如，可為100μm以上且1mm以下。螢光板100之厚度，可藉由在經上述之製造步驟而得到後，進行研削等而適當地調整。又，圓板形狀之螢光板100比起為四角形狀，由於可抑制角部缺陷或破裂的發生，故耐久性、搬運性優異。

上述之半導體裝置之一例如圖2(a)、(b)所示。圖2(a)係示意性表示倒裝晶片型之發光裝置110之構成之剖面圖，圖2(b)係示意性表示引線鍵合型之發光裝置120之構成之剖面圖。

圖2(a)之發光裝置110具備：基板30、介隔了焊料40(晶片接合材)而和基板30電連接的發光元件20、及設置在發光元件20之發光面上的螢光板10。倒裝晶片型之發光裝置110亦可任意為正裝(Face up)型或覆晶(倒裝)型之結構。又，圖2(b)之發光裝置120具備：基板30、介隔了合接線60及電極50而和基板30電連接的發光元件20、及設置在發光元件20之發光面上的螢光板10。圖2中，發光元件20和螢光板10可利用公知的方法予以貼附，例如，可利用聚矽氧(silicone)系黏接劑或熱融著等方法予以貼合。此外，發光裝置110、發光裝置120之整體也可利用透明密封材料予以密封。

又，也可對於安裝在基板30之發光元件20貼附經單片化之螢光板10。也可先將多數個發光元件20貼附於大面積之螢光板100，再藉由切割將附螢光板10之發光元件20逐個予以單片化。又，亦可將大面積的螢光板100貼附在表面形成了多數個發光元件20的半導體晶片，之後，再將半導體晶片和螢光板100一起予以單片化。

以上，針對本發明之實施形態進行敘述，惟該等僅為本發明之例示，可採用上述以外之各種構成。又，本發明不受限於上述實施形態，只要在可達成本發明之目的之範圍內進行的變形、改良等亦包含在本發明中。 [實施例]

以下，參照實施例針對本發明進行詳細地說明，但本發明不受限於該等實施例之任何記載。

＜螢光板之製作＞ (試驗例1) 就試驗例1之螢光板之原料而言，係使用氧化鋁粉(AHP200，日本輕金屬股份有限公司製，BET比表面積：6.0m² /g)、Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體(ALON BRIGHT YL-600B，電化股份有限公司製，平均粒徑D₅₀ ：15μm)。

稱量氧化鋁粉7.857g、Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體粉末2.833g，並利用瑪瑙研缽進行乾式混合。將混合後之原料通過網目75μm之尼龍製網目篩而解開凝集，得到原料混合粉末。又，從原料之真密度(氧化鋁：3.97g/cm³ 、Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體：3.34g/cm³ )算出之摻合比為氧化鋁：Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體=70：30體積%。

將約11g之原料混合粉末填充至安裝有碳製下沖床之內徑30mm之碳製模具中，再安裝碳製上沖床，並夾入原料粉末。又，為了防止原料混合粉末與碳治具之間的固著，故安裝厚度0.127mm之碳墊片(GraTech股份製，GRAFOIL)。

將填充了此原料混合粉末之熱壓治具安裝在碳加熱器之多功能高溫爐(富士電波工業股份有限公司製，HIMULTI 5000)。將爐內進行真空排氣至0.1Pa以下為止，持續維持在減壓狀態，利用55MPa之壓力對於上下沖床加壓。持續維持加壓狀態，以每分鐘5℃之速度升溫至1600℃為止。到達1600℃後，停止加熱，慢慢冷卻至室溫為止，再進行除壓。之後，回收外徑30mm之煅燒物，使用平面研削盤及圓筒研削盤研削外周部，從而得到直徑25mm、厚度2mm之圓板狀之螢光板。

又，對於氧化鋁粉之BET比表面積，依據JIS Z 8830：2013而進行測定。藉由依據JIS-R1634：1998的方法測定試驗例1之螢光板之體密度時，得到3.729g/cm³ 。由於從原料之真密度及摻合比而算出之混合物的理論密度為3.781g/cm³ ，故試驗例1之螢光板之相對密度為99.9%。研磨試驗例1之螢光板並實施SEM觀察，結果可觀察到氧化鋁基質相之間有Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體粒子呈分散的狀態。

(試驗例2) 將氧化鋁粉變更為AKP-3000(住友化學股份有限公司製，BET比表面積：4.5m² /g)，除此之外，與試驗例1同樣地得到厚度2mm之圓板狀之螢光板。

(試驗例3) 將氧化鋁粉變更為AKP-20(住友化學股份有限公司製，BET比表面積：4.3m² /g)，除此之外，與試驗例1同樣地得到厚度2mm之圓板狀之螢光板。

(試驗例4) 將氧化鋁粉變更為AA-03(住友化學股份有限公司製，BET比表面積：5.2m² /g)，除此之外，與試驗例1同樣地得到厚度2mm之圓板狀之螢光板。

(試驗例5) 將氧化鋁粉變更為TM-DAR(大明化學工業股份有限公司製，BET比表面積：14.5m² /g)，除此之外，與試驗例1同樣地得到厚度2mm之圓板狀之螢光板。

(試驗例6) 將氧化鋁粉變更為AKP-53(住友化學股份有限公司製，BET比表面積：11.7m² /g)，除此之外，與試驗例1同樣地得到厚度2mm之圓板狀之螢光板。

[色調] 利用將積分球裝置(ISV-469)安裝在日本分光股份有限公司製紫外可見分光光度計(V-550)的裝置測定各試驗例得到的螢光板的色調。使用標準白板(Labsphere社製，spectralon)進行基線校正。安裝螢光板，以300~850nm之波長範圍進行測定，依據JIS Z 8781-4：2013而算出色調(L^* 、a^* 、b^* )。結果如表1所示。

依據表1之色調的結果，將試驗例1~4作為實施例1~4，試驗例5、6作為比較例1、2。

[表1]

	螢光體	氧化鋁	板厚	色調	標準化螢光強度
種類	濃度	種類	(mm)	L^*	a^*	b^*
實施例1	YL-600B	30vol%	AHP200	0.227	81.9	5.9	12.4	100.0%
實施例2	YL-600B	30vol%	AKP-3000	0.222	78.7	5.9	11.7	104.4%
實施例3	YL-600B	30vol%	AKP-20	0.221	78.2	6.2	11.4	104.8%
實施例4	YL-600B	30vol%	AA-03	0.217	82.0	7.0	12.4	107.4%
比較例1	YL-600B	30vol%	TM-DAR	0.232	73.3	4.2	10.6	96.4%
比較例2	YL-600B	30vol%	AKP-53	0.237	73.1	3.7	10.3	88.5%

針對得到的螢光板，基於以下之評價項目進行評價。

[結晶結構解析] 使用X射線繞射裝置(製品名：UltimaIV，理學股份有限公司製)測定實施例1~4之螢光板之繞射圖案，結果可確認到氧化鋁燒結體中存在有結晶相。可知其結晶相包含作為主相之α氧化鋁及Ca-α矽鋁氮氧化物螢光體，且混有少量γ氧化鋁。

[光學特性之評價] 針對各實施例、各比較例得到的螢光板，藉由平面研削盤而更進行研削，得到具有表1記載之板厚之圓板狀之螢光板後，依據以下的程序測定螢光強度。螢光板之光學特性，係使用晶片板型(COB型)之LED封裝體130進行測定。圖3係表示測定螢光板100之發光光譜的裝置(LED封裝體130)之概略圖。首先，準備各實施例、各比較例之螢光板100、及形成有凹部70之鋁基板(基板30)。將凹部70之底面之半徑φ設為13.5mm，凹部70之開口部之半徑φ設為16mm。接著，在基板30之凹部70之內部安裝藍色LED(發光元件20)作為藍色發光光源。之後，以塞住基板30之凹部70之開口部之方式，在藍色LED之上部設置圓形狀之螢光板100，製造出如圖3表示之裝置(晶片板型(COB型)之LED封裝體130)。

使用總光通量測量系統(HalfMoon/φ1000mm積分球系統，大塚電子股份有限公司製)，測定製作出的LED封裝體130之藍色LED點亮時之螢光板100之表面的發光光譜。

由得到的發光光譜中，求出波長為585nm以上且為605nm即橙色光(Orange)之螢光強度之最大值(W/nm)。表1表示針對螢光強度之最大值將實施例1作為100%而標準化時，其它實施例、比較例之相對值(%)。

實施例1~4之螢光板，相較於比較例1、2，顯示出優異螢光強度。

本申請案係主張以在2019年6月28日申請之日本申請案特願2019-120859號為基礎之優先權，其完整內容係全部納入本發明。

10:螢光板 20:發光元件 30:基板 40:焊料 50:電極 60:合接線 70:凹部 100:螢光板 110:發光裝置 120:發光裝置 130:LED封裝體

[圖1]表示本實施形態之螢光板之構成之一例之示意圖。 [圖2](a)為示意性表示倒裝晶片型之發光裝置之構成之剖面圖，(b)為示意性表示引線鍵合型之發光元件之構成之剖面圖。 [圖3]用以測定複合體之發光光譜之裝置之概略圖。

100:螢光板

Claims

一種螢光板，具備：包含母材以及分散於該母材中之螢光體的板狀之複合體；該母材之主成分為氧化鋁，該螢光體含有α型矽鋁氮氧化物螢光體，該α型矽鋁氮氧化物螢光體之含量為該複合體整體中之20Vol%以上且60Vol%以下；該α型矽鋁氮氧化物螢光體含有下述通式(1)表示之α型矽鋁氮氧化物螢光體；依據JIS Z 8781-4而進行測定時，該螢光板之L^*a^*b^*色座標中，符合：L^*值為73.5以上且85.0以下、a^*值為4.4以上且8.0以下、及b^*值為10.8以上且13.0以下；(M)_m(1-x)/p(Eu)_mx/2(Si)_12-(m+n)(Al)_m+n(O)_n(N)_16-n‥通式(1)上述通式(1)中，M表示選自於由Li、Mg、Ca、Y及排除La和Ce的鑭系元素構成之群組中之1種以上之元素，p表示M元素之價數，0<x<0.5，1.5≦m≦4.0，0≦n≦2.0。
如請求項1之螢光板，其中，該α型矽鋁氮氧化物螢光體及該氧化鋁之含量之合計值為該複合體整體中之95Vol%以上且100Vol%以下。
如請求項1之螢光板，其中，該螢光板之熱傳導率為10W/m．K以上且40W/m．K以下。
如請求項1至3中任一項之螢光板，係作為將經照射之藍色光轉換為橙色光而發光之波長轉換體使用。
一種發光裝置，具備：III族氮化物半導體發光元件、以及設置於該III族氮化物半導體發光元件之一面上之如請求項1至4中任一項之螢光板。