TWI711852B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
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- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
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- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
一種顯示面板,包括陣列基板、畫素單元、資料線、共通線、扇出走線及對向基板。陣列基板包括基板。基板包括第一、二顯示區及非顯示區。第二顯示區包括第一側及與第一側連接之第二側,非顯示區及第一顯示區分別鄰接第一、二側,第一顯示區具有與第二側相對且實質上切齊基板邊緣之第三側。畫素單元配置於第一顯示區上。資料線配置於第一顯示區上並電性連接畫素單元。共通線配置於第一、二顯示區上且相交及電性連接資料線。扇出走線配置於非顯示區上並連接資料線。扇出走線具有與基板之邊緣實質上切齊之一端。對向基板與陣列基板相對設置。
Description
本揭露是關於一種顯示面板及其製造方法。
就顯示器而言,具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之薄膜電晶體液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)已逐漸成為市場之主流。
薄膜電晶體陣列基板上配置有以陣列排列之多個畫素單元、多條掃描線(scan line)與資料線(data line),其中每一個畫素單元之薄膜電晶體由對應之掃描線與資料線所控制。資料線及掃描線分別透過扇出走線連接源極驅動電路以及閘極驅動電路。
一般而言,製作不同尺寸之薄膜電晶體陣列液晶顯示器的方法例如為透過裁切大尺寸顯示器或是透過設計光罩,然而,設計光罩的成本高昂,裁切大尺寸顯示器可能導致扇出走線被截斷而使得畫素單元無法被控制。
本揭露之實施例提供一種顯示面板,顯示面板包括陣列基板及對向基板,陣列基板包括第一資料線及與第一資料線連接之第一畫素單元,透過使陣列基板之第一資料線電性連接共通線,使得第一資料線可以接收共通電位,藉由控制對向基板之共通電位與陣列基板之共通電位等電位,可使第一畫素單元呈現暗態,如此一來,第一畫素單元所構成之第一顯示區因此可呈現黑色畫面,可避免顯示面板之裁切處的顯示品質降低的問題。
於一實施例中,一種顯示面板包括陣列基板、第一畫素單元、第一資料線、共通線以及第一扇出走線。陣列基板包括基板。基板包括第一顯示區、第二顯示區及非顯示區。第一顯示區包括第一側及與第一側連接之第二側,非顯示區鄰接第一側,第二顯示區鄰接第二側,第二顯示區具有與第二側相對之第三側,第三側實質上切齊基板之邊緣。第一畫素單元配置於第二顯示區上。第一資料線配置於第二顯示區上,並電性連接第一畫素單元。共通線配置於第一顯示區及第二顯示區上,並與第一資料線相交,其中共通線電性連接第一資料線。第一扇出走線配置於非顯示區上,並連接第一資料線,第一扇出走線具有與基板之邊緣實質上切齊之一端。對向基板與陣列基板相對設置。
一種顯示面板之製造方法包括以下步驟。提供母板及與母板相對設置之對向基板,母板包括基板,基板包括顯示區及非顯示區,母板包括配置於顯示區之第一資料線、第二資料線、共通線、第一畫素單元及第二畫素單元及配置於非顯
示區之驅動電路、第一扇出走線及第二扇出走線,共通線分別與第一資料線及第二資料線相交,第一資料線及第二資料線分別電性連接第一畫素單元及第二畫素單元,第一資料線及第二資料線分別透過第一扇出走線及第二扇出走線與驅動電路電性連接。裁切母板,使第一扇出走線具有與基板實質上切齊之一端。使第一資料線與共通線電性連接。
10‧‧‧顯示面板
100‧‧‧母板
100a‧‧‧陣列基板
101‧‧‧陣列單元
102‧‧‧對向基板
104‧‧‧液晶層
106‧‧‧對向電極
108‧‧‧基板
110‧‧‧源極驅動電路
112‧‧‧閘極驅動陣列電路
114‧‧‧第一側
116‧‧‧第二側
118‧‧‧第三側
120‧‧‧第一子畫素
122‧‧‧第二子畫素
AA‧‧‧顯示區
AA1‧‧‧第一顯示區
AA2‧‧‧第二顯示區
AA2a‧‧‧主顯示區
AA2b‧‧‧次顯示區
A-A’‧‧‧剖線
BA‧‧‧接合區
B-B’‧‧‧剖線
CH1、CH2‧‧‧通道層
CL‧‧‧共通線
CL01‧‧‧第一部
CL02‧‧‧第二部
CL02p‧‧‧凸出部
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DE1、DE2‧‧‧汲極
DL‧‧‧資料線
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
FL‧‧‧扇出走線
FL1‧‧‧第一扇出走線
FL2‧‧‧第二扇出走線
GE1、GE2‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘極絕緣層
L1‧‧‧第一切割線
L2‧‧‧第二切割線
NA‧‧‧非顯示區
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
SE1、SE2‧‧‧源極
SL‧‧‧掃描線
P‧‧‧畫素單元
P1‧‧‧第一畫素單元
P2‧‧‧第二畫素單元
P2a‧‧‧第一群
P2b‧‧‧第二群
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE2‧‧‧第二畫素電極
R1、R2、R3、R4、R5‧‧‧區域
閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式,可了解本揭露之多個樣態。需留意的是,圖式中的多個特徵並未依照該業界領域之標準作法繪製實際比例。事實上,所述之特徵的尺寸可以任意的增加或減少以利於討論的清晰性。
第1圖為根據本發明之一實施例之一種顯示面板的剖面示意圖;第2A圖為第1圖之母板的俯視示意圖;第2B圖為陣列單元的俯視示意圖;第3圖為第2B圖之區域R1的放大示意圖;第4圖為畫素單元的示意圖;第5圖為根據第4圖的剖線A-A’所繪之共通線及資料線的剖面示意圖;第6圖為陣列基板的俯視示意圖;第7圖為第6圖之區域R3的放大示意圖;第8圖為第6圖之區域R4的放大示意圖;以及第9圖為根據第8圖的剖線B-B’所繪之共通線及資料線的
剖面示意圖。
以下將以圖式及詳細說明清楚說明本揭露之精神,任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭露之實施例後,當可由本揭露所教示之技術,加以改變及修飾,其並不脫離本揭露之精神與範圍。舉例而言,敘述「第一特徵形成於第二特徵上方或上」,於實施例中將包含第一特徵及第二特徵具有直接接觸;且也將包含第一特徵和第二特徵為非直接接觸,具有額外的特徵形成於第一特徵和第二特徵之間。此外,本揭露在多個範例中將重複使用元件標號以和/或文字。重複的目的在於簡化與釐清,而其本身並不會決定多個實施例以和/或所討論的配置之間的關係。
此外,方位相對詞彙,如「在...之下」、「下面」、「下」、「上方」或「上」或類似詞彙,在本文中為用來便於描述繪示於圖式中的一個元件或特徵至另外的元件或特徵之關係。方位相對詞彙除了用來描述裝置在圖式中的方位外,其包含裝置於使用或操作下之不同的方位。當裝置被另外設置(旋轉90度或者其他面向的方位),本文所用的方位相對詞彙同樣可以相應地進行解釋。
第1圖為根據本發明之一實施例之一種顯示面板10的剖面示意圖。請參照第1圖,顯示面板10包括母板100、對向基板102及液晶層104。於本實施例中,對向基板102為包括對向電極106的基板。液晶層104配置於母板100及對向基板
102之間。本發明之顯示面板10可為任何種類之液晶顯示面板,例如聚合物穩定配向液晶顯示面板,但不限於此。對向基板102可包括彩色濾光片基板,但不限於此。
第2A圖為第1圖之母板100的俯視示意圖。母板100上形成有多個陣列單元101,第2B圖為陣列單元101的俯視示意圖。第3圖為第2B圖之區域R1的放大示意圖。請一併參照第2A圖、第2B圖及第3圖。雖然本實施例是在母板100上設置了四個陣列單元101,但本實施例不限制母板100上之陣列單元101的數目。一般而言,母板100上之陣列單元101的數目與母板100的尺寸以及陣列單元101的尺寸有關。母板100包括基板108及設置於基板108上之多個畫素單元P、資料線DL、扇出走線FL、掃描線SL、源極驅動電路110及閘極驅動陣列電路(Gate Driver on Array,GOA)112。資料線DL及掃描線SL相交且電性耦接畫素單元P,資料線DL用以傳遞資料訊號至畫素單元P,掃描線SL用以傳輸掃描訊號至畫素單元P。扇出走線FL連接資料線DL,源極驅動電路110透過扇出走線FL電性耦接資料線DL,閘極驅動陣列電路112電性耦接掃描線SL,進而使源極驅動電路110與閘極驅動陣列電路112電性耦接畫素單元P。
基板108具有顯示區AA及非顯示區NA。於部分實施例中,源極驅動電路110及閘極驅動陣列電路112配置於非顯示區NA上。非顯示區NA位於顯示區AA之周邊,例如包括顯示區AA和源極驅動電路110的接合區(bonding area)BA。扇出走線FL位於接合區BA。在一些實施例中,基板108可為透明基板,例如玻璃基板、塑膠基板、石英基板、或其他合適材質,
但本發明並非僅限於此。
為了方便說明,第2B圖及第3圖中繪示了第一方向D1與第二方向D2,且第一方向D1與第二方向D2相異,例如第一方向D1與第二方向D2分別為第2B圖及第3圖的縱向方向與橫向方向,且其彼此呈正交關係。於一實施例中,資料線DL沿第一方向D1延伸,且沿第二方向D2排列於基板108之顯示區AA上,掃描線SL沿第二方向D2延伸,且沿第一方向D1排列於基板108之顯示區AA上。
於本實施例中,沿第一切割線L1及第二切割線L2裁切顯示面板10,以得到具有想要的尺寸的顯示面板10a。第一切割線L1實質上平行於第一方向D1,第二切割線L2實質上平行於第二方向D2。第一切割線L1及第二切割線L2通過顯示區AA。裁切的方法例如為使用刀輪、鑽石刀或雷射。於本實施例中,由於是使用裁切的方法來得到想要的尺寸的顯示面板10a,因此可藉由移動第一切割線L1及第二切割線L2的位置,來獲得具有想要的尺寸的顯示面板10a,而毋須設計新的光罩圖案,如此一來,可同時達到顯示面板尺寸彈性化及節省成本的優點。於本實施例中,第一切割線L1的一端及第二切割線L2的一端通過基板108之邊緣,第一切割線L1的另一端及第二切割線L2的另一端不通過基板108之邊緣,但本揭露不以此為限,於其他實施例中,第一切割線L1的兩端及第二切割線L2的兩端皆通過基板108之邊緣。
值得注意的是,被斷開與源極驅動電路110之連接之畫素單元P視為是第一畫素單元P1,與第一畫素單元P1電
性連接的資料線DL視為是第一資料線DL1,與第一資料線DL1連接的扇出走線FL視為是第一扇出走線FL1。在裁切母板100之前,第一資料線DL1透過第一扇出走線FL1與源極驅動電路110電性連接。換句話說,具有被第一切割線L1通過之扇出走線FL之畫素單元P視為是第一畫素單元P1。仍與源極驅動電路110電性連接之畫素單元P視為是第二畫素單元P2。與第二畫素單元P2電性連接的資料線DL視為是第二資料線DL2,與第二資料線DL2連接的扇出走線FL視為是第二扇出走線FL2。於其他實施例中,裁切顯示面板10可在液晶層104未設置於母板100及對向基板102之間的狀態下執行,在裁切之後才設置液晶層104於兩者之間。第4圖為畫素單元P的示意圖。請參照第4圖,每一畫素單元P包括第一子畫素120及第二子畫素122。第一子畫素120包括第一主動元件T1及第一畫素電極PE1。第一主動元件T1例如是包括閘極GE1、通道層CH1、源極SE1以及汲極DE1。閘極GE1與掃描線SL電性連接,源極SE1與資料線DL電性連接。通道層CH1例如是配置於閘極GE1上方且位於源極SE1與汲極DE1之間。第一畫素電極PE1與汲極DE1電性連接。第二子畫素122包括第二主動元件T2及第二畫素電極PE2。第二主動元件T2例如是包括閘極GE2、通道層CH2、源極SE2以及汲極DE2。閘極GE2與掃描線SL電性連接,源極SE2與資料線DL電性連接,源極SE2與資料線DL電性連接。通道層CH2例如是配置於閘極GE2上方且位於源極SE2與汲極DE2之間。第二畫素電極PE2與汲極DE2電性連接。本發明的第一主動元件T1及第二主動元件T2是以底閘型電晶體為實施範
例,但不限於此。在本實施例中,對向電極106(見第1圖)具有一固定電位,即彩色濾光共通電位(CF VCOM),且當一不同於彩色濾光共通電位(CF VCOM)的畫素電壓(Vp)被施加於第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2時,第一、第二畫素電極PE2以及對向電極106之間會產生垂直電場,使第一、第二畫素電極PE2及對向電極106之間形成一液晶電容,以驅動在母板100以及對向電極106之間的液晶層104的液晶分子。
在本實施例中,第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2例如為透明導電層,其包括金屬氧化物,例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。然而,本發明不限於此,在其他實施例中,第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2也可為不透明/反射導電層,其包括金屬、其它適當材料或其組合。
母板100還包括配置於基板108的顯示區AA上的共通線CL(或稱為儲存電容線),共通線CL具有一固定電位,即陣列共通電位(Array VCOM)。儲存電容可形成於第一畫素電極PE1與共通線CL之間及於第二畫素電極PE2與共通線CL之間,並用以穩定第一及第二主動元件T2關閉期間所被寫入第一及第二畫素電極PE2之資料電壓的準位,以維持顯示品質,但本發明不以此為限。
於本實施例中,共通線CL為網狀,在大尺寸顯示面板10中可以有效避免電阻-電容延遲(RC delay)之問題。舉例而言,共通線CL具有沿第一方向D1延伸之第一部CL01及沿
第二方向D2延伸之第二部CL02。共通線CL之第一部CL01實質上平行於資料線DL,共通線CL之第二部CL02實質上平行於掃描線SL。換言之,共通線CL之第二部CL02與資料線DL相交。於一實施例中,共通線CL之第二部CL02與資料線DL實質上垂直。區域R2為共通線CL之第二部CL02及資料線DL的局部放大示意圖,第5圖為根據第4圖的剖線A-A’所繪之共通線CL之第二部CL02及資料線DL的剖面示意圖。請參照第5圖,共通線CL之第二部CL02在基板108上之垂直投影部分重疊於資料線DL在基板108上之垂直投影。於部分實施例中,母板100包括設置於基板108上之閘極絕緣層GI,閘極絕緣層GI接觸基板108並位於共通線CL、閘極GE1及掃描線SL之上,資料線DL位於閘極絕緣層GI上。閘極絕緣層GI位於資料線DL及共通線CL之間。舉例而言,閘極絕緣層GI之材料包括無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述之組合)。
共通線CL、閘極GE1及掃描線SL例如是由相同的膜層圖案化而形成,舉例而言,可由第一導電層所形成,且共通線CL與閘極GE1彼此分離,且亦與掃描線SL彼此分離。資料線DL、扇出走線FL、汲極DE1及源極SE1例如是由相同的膜層圖案化而形成,舉例而言,可由第二導電層所形成。在本實施例中,基於導電性的考量,第一導電層與第二導電層可使用金屬材料。然而,本發明不限於此,在其他實施例中,第一導電層與第二導電層也可使用其他導電材料,例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化
物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
裁切顯示面板10後,顯示面板10可包括具有想要的尺寸的陣列基板100a及對向基板(未繪示)。第6圖繪示根據本發明之一實施例之陣列基板100a經修補後的俯視示意圖。第7圖為第6圖之區域R3的放大示意圖,第8圖為第6圖之區域R4的放大示意圖,第9圖為根據第8圖的剖線B-B’所繪之共通線CL及資料線DL的剖面示意圖,請一併參照第6圖至第9圖,由於第一切割線L1通過第一扇出走線FL1,因此第一扇出走線FL1具有與基板108之邊緣實質上切齊之一端。換言之,第一扇出走線FL1具有斷開部。
如前所述,在此將連接至被切斷的第一扇出走線FL1(即具有斷開部的第一扇出走線FL1)的畫素單元定義為第一畫素單元P1,連接至未被切斷之第二扇出走線FL2的畫素單元定義為第二畫素單元P2,即藉由第二扇出走線FL2仍與源極驅動電路110連接的畫素單元定義為第二畫素單元P2。第一畫素單元P1構成第一顯示區AA1,第二畫素單元P2構成第二顯示區AA2。換言之,顯示區AA可具有第一顯示區AA1及第二顯示區AA2,第一畫素單元P1位於第一顯示區AA1。第二畫素單元P2位於第二顯示區AA2。具體而言,第一顯示區AA1包括第一側114及與第一側114相連接之第二側116,非顯示區NA鄰接第一顯示區AA1之第一側114,第二顯示區AA2鄰接第一顯示區AA1之第二側116。第二顯示區AA2具有與第二側116相對之第三側118。第二顯示區AA2之第三側118實質上切齊基板108之邊緣。於一實施例中,第一側114實質上垂直於第二側
116。詳細而言,位於第二顯示區AA2的第二畫素單元P2可接收源極驅動電路110所傳遞之資料訊號而顯示畫面,位於第一顯示區AA1的第一畫素單元P1被切斷與源極驅動電路110之間的連接而無法接收來自源極驅動電路110之資料訊號,使第一顯示區AA1所呈現之畫面無法受到控制。換言之,由於第一扇出走線FL1與源極驅動電路110之間的連結被截斷,使源極驅動電路110無法藉由與第一扇出走線FL1連接的第一資料線DL1提供資料訊號給第一畫素單元P1,而使源極驅動電路110無法控制第一畫素單元P1呈現的灰階。
區域R5為共通線CL之第二部CL02及資料線DL的局部放大示意圖。在一實施例中,使第一資料線DL1與共通線CL的第二部CL02相互熔接,以使第一資料線DL1及共通線CL電性連接。於一實施例中,以雷射從基板108之底面射入顯示面板10a使第一資料線DL1及共通線CL的第二部CL02相互熔接,以修補顯示面板10a的第一顯示區AA1。於其他實施例中,使第一資料線DL1及共通線CL的第二部CL02相互熔接的製程包括氣焊、電阻焊、電弧焊、感應焊接或其它合適的製程。於一實施例中,熔接第一資料線DL1及共通線CL之第二部CL02使得共通線CL之第二部CL02具有凸出部CL02p,凸出部CL02p朝第一資料線DL1延伸並接觸第一資料線DL1,使得第一資料線DL1及共通線CL電性連接,換言之,使共通線CL及第一資料線DL1等電位,因第一資料線DL1提供第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2電位,使得第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2具有陣列共通電位(Array VCOM),如此一來,
第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2之電位與對向電極106所具有之彩色濾光共通電位(CF VCOM)相同,換言之,第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2分別與對向電極106之間無電壓差。在顯示裝置具有常態黑模式(normally black)之實施例中,可以使第一畫素單元P1呈現暗態。具體而言,即使第一畫素單元P1之第一扇出走線FL1被斷開與源極驅動電路110之間的連接,第一畫素單元P1仍可呈現暗態,第一畫素單元P1所構成之第一顯示區AA1因此可呈現黑色畫面,可避免陣列基板100a之被裁切處之顯示品質降低的問題。於一實施例中,第二顯示區AA2之面積實質上大於第一顯示區AA1之面積,如此一來,可提供足夠面積的顯示畫面。
第二畫素單元P2具有第一群P2a及第二群P2b,第二畫素單元P2的第一群P2a與共通線CL被與第一資料線DL1熔接的第一畫素單元P1不同列,第二畫素單元P2的第二群P2b與共通線CL被第一資料線DL1熔接的第一畫素單元P1同列(例如:受同一條掃描線SL所控制),第二畫素單元P2的第一群P2a構成第二顯示區AA2的主顯示區AA2a,作為提供顯示面板10a之顯示畫面之用途,第二畫素單元P2的第二群P2b呈現暗態,因此,第二畫素單元P2的第二群P2b構成第二顯示區AA2的次顯示區AA2b,並呈現黑色畫面。
顯示面板10a具有配置於非顯示區NA之第一扇出走線FL1及配置於顯示區AA之第一資料線DL1及第一畫素單元P1,第一畫素單元P1透過第一資料線DL1連接第一扇出走線FL1,第一扇出走線FL1的一端與基板108之邊緣切齊,透過
使第一資料線DL1電性連接共通線CL,使得第一資料線DL1可以接收共通電位,藉由控制對向基板102之彩色濾光共通電位與共通電位等電位,可使第一畫素單元P1呈現暗態,如此一來,第一畫素單元P1所構成之第一顯示區AA1因此可呈現黑色畫面,可避免顯示面板10a之裁切處的顯示品質降低的問題。
以上概述數個實施方式或實施例的特徵,使所屬領域中具有通常知識者可以從各個方面更加瞭解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解,且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構,並以此達到相同的目的及/或達到在此介紹的實施方式或實施例相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的揭露精神與範圍。在不背離本揭露的精神與範圍之前提下,可對本揭露進行各種改變、置換或修改。
100a‧‧‧陣列基板
108‧‧‧基板
110‧‧‧源極驅動電路
112‧‧‧閘極驅動陣列電路
114‧‧‧第一側
116‧‧‧第二側
118‧‧‧第三側
AA‧‧‧顯示區
AA1‧‧‧第一顯示區
AA2‧‧‧第二顯示區
AA2a‧‧‧主顯示區
AA2b‧‧‧次顯示區
BA‧‧‧接合區
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
FL1‧‧‧第一扇出走線
FL2‧‧‧第二扇出走線
NA‧‧‧非顯示區
SL‧‧‧掃描線
P1‧‧‧第一畫素單元
P2‧‧‧第二畫素單元
P2a‧‧‧第一群
P2b‧‧‧第二群
R3‧‧‧區域
R4‧‧‧區域
Claims (10)
- 一種顯示面板,包含:一陣列基板,包含一基板,該基板包含一第一顯示區、一第二顯示區及一非顯示區,其中該第二顯示區包含一第一側及與該第一側連接之一第二側,該非顯示區鄰接該第一側,該第一顯示區鄰接該第二側,該第一顯示區具有與該第二側相對之一第三側,該第三側實質上切齊該基板之邊緣;一第一畫素單元,配置於該第一顯示區上;一第一資料線,配置於該第一顯示區上,並電性連接該第一畫素單元;一共通線,配置於該第一顯示區及該第二顯示區上,並與該第一資料線相交,其中該共通線電性連接該第一資料線;一第一扇出走線,配置於該非顯示區上,並連接該第一資料線,其中該第一扇出走線具有與該基板之邊緣實質上切齊之一端;以及一對向基板,與該陣列基板相對設置。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中該共通線具有一凸出部,該凸出部朝該第一資料線延伸並接觸該第一資料線。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中該第一側實質上垂直於該第二側。
- 如請求項1所述之顯示面板,其中該第二顯示區之面積實質上大於該第一顯示區之面積。
- 如請求項1所述之顯示面板,更包含:一第二畫素單元,配置於該第二顯示區上;一第二資料線,配置於該第二顯示區上,並電性連接該第二畫素單元;以及一第二扇出走線,配置於該非顯示區上,並連接該第二資料線。
- 如請求項5所述之顯示面板,更包含:一驅動電路,配置於該非顯示區上,其中該第二扇出走線與該驅動電路電性連接。
- 一種顯示面板之製造方法,包含:提供一母板及與該母板相對設置之一對向基板,該母板包含一基板,該基板包含一顯示區及一非顯示區,該母板包含配置於該顯示區之一第一資料線、一第二資料線、一共通線、一第一畫素單元及一第二畫素單元及配置於該非顯示區之一驅動電路、一第一扇出走線及一第二扇出走線,其中該共通線分別與該第一資料線及該第二資料線相交,該第一資料線及該第二資料線分別電性連接該第一畫素單元及該第二畫素單元,該第一資料線及該第二資料線分別透過該第一扇 出走線及該第二扇出走線與該驅動電路電性連接;裁切該母板,使該第一扇出走線具有與該基板之邊緣實質上切齊之一端;以及使該第一資料線與該共通線電性連接。
- 如請求項7所述之製造方法,其中使該第一資料線及該共通線電性連接之步驟包含藉由雷射使該共通線形成一凸出部,該凸出部朝該第一資料線延伸並接觸該第一資料線。
- 如請求項7所述之製造方法,其中裁切該母板包含沿一切割線裁切該母板,該切割線通過該顯示區。
- 如請求項7所述之製造方法,更包含:在使該第一資料線及該共通線電性連接之後,使該第一畫素單元及該第二畫素單元呈現暗態。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108116784A TWI711852B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 顯示面板及其製造方法 |
US16/699,844 US10852608B1 (en) | 2019-05-15 | 2019-12-02 | Display panel and manufacturing method thereof |
CN201911232421.6A CN111221192B (zh) | 2019-05-15 | 2019-12-05 | 显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108116784A TWI711852B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 顯示面板及其製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI711852B true TWI711852B (zh) | 2020-12-01 |
TW202043859A TW202043859A (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=70829097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108116784A TWI711852B (zh) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | 顯示面板及其製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10852608B1 (zh) |
CN (1) | CN111221192B (zh) |
TW (1) | TWI711852B (zh) |
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TW202043859A (zh) | 2020-12-01 |
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CN111221192B (zh) | 2022-06-14 |
CN111221192A (zh) | 2020-06-02 |
US20200363688A1 (en) | 2020-11-19 |
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