TWI797919B

TWI797919B - 波束成型裝置及波束控制方法

Info

Publication number: TWI797919B
Application number: TW110149040A
Authority: TW
Inventors: 張書維
Original assignee: 稜研科技股份有限公司
Priority date: 2021-09-07
Filing date: 2021-12-28
Publication date: 2023-04-01
Also published as: TWI804141B; TW202307449A; TW202312558A

Abstract

本發明實施例提供一種波束成型裝置及波束控制方法。波束成型裝置包括非平面基板、天線陣列及調整電路。天線陣列包括數個天線單元，並設於非平面基板。調整電路耦接天線陣列，並用以依據該非平面基板的形狀及給定信號角度調整那些天線單元中的至少一者的訊號。藉此，可靈活地應用在多種情境。

Description

波束成型裝置及波束控制方法

本發明是有關於一種波束成型技術，且特別是有關於一種波束裝置及波束控制方法。

在高頻應用中，可利用波束成型器來改進天線系統的指向性。一般而言，天線陣列會設置在平面基板上。然而，這樣的設計可能會不符合一些應用需求。例如，由於毫米波(mmWave)的小波長度所造成的高路徑損失(path loss)，因此毫米波天線陣列有設置在車輛外殼的需求。然而，車輛外殼通常是非平面。由此可知，有需要用於非平面的天線陣列的設計。

有鑑於此，本發明實施例提供一種波束裝置及波束控制方法，並可實現非平面天線陣列系統。

本發明實施例的波束成型裝置包括(但不僅限於)非平面基板、天線陣列(antenna array)及調整電路。天線陣列包括數個天線單元，並設於非平面基板。調整電路耦接天線陣列，並用以依據該非平面基板的形狀及給定信號角度(predetermined signal angle)調整那些天線單元中的至少一者的訊號。

本發明實施例的波束控制方法包括(但不僅限於)下列步驟：提供非平面基板及天線陣列。天線陣列包括數個天線單元。依據該非平面基板的形狀及給定信號角度調整那些天線單元中的至少一者的訊號。

基於上述，依據本發明實施例的波束成型裝置及波束控制方法，提供設置於曲面的天線陣列，並可調整個天線單元的訊號，使天線陣列依據所欲的轉向角度輻射電磁波。藉此，可靈活地應用在更多情境中。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依據本發明一實施例的波束成型裝置100的元件方塊圖。請參照圖1，波束成型裝置100包括(但不僅限於)非平面基板50、天線陣列110、調整電路120、記憶體130及控制器150。

非平面基板50可以是均勻曲面或任意曲面。例如，圖2A是依據本發明一實施例的天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈與非平面基板50-1的示意圖。請參照圖2A，非平面基板50-1的弧面有共同的中心點C，且弧面上的任兩點分別至中心點C的距離R相等(即，均勻曲面)。又例如，圖2B是依據本發明另一實施例的天線單元113 ₁~113 ₈與非平面基板50-2的示意圖。請參照圖2B，非平面基板50-2可能有多個曲率。然而，非平面基板50的表面形狀還可能有其他變化，且本發明實施例不加以限制。

天線陣列110包括數個天線單元110 ₁~110 _J(J為正整數，並為天線單元的總數)。天線陣列110的天線單元110 ₁~110 _J設於非平面基板50上。以圖2A為例，天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈設於非平面基板50-1的內凹面。另以圖2B為例，天線單元113 ₁~113 ₈設於非平面基板50-2的外凸面。

調整電路120耦接天線陣列110。在一實施例中，調整電路120包括一個或更多個移相器(phase shifter)，且每一個移相器用以調整一個天線單元110 ₁、110 ₂、…、或110 _J的傳送或接收訊號的相位。在一些實施例中，那些天線單元110 ₁、110 ₂、…、及/或110 _J的傳送或接收訊號具有不同相位。在另一實施例中，調整電路120包括一個或更多個放大器及/或振幅衰減器(attenuator)，且一個放大器用以調整一個或更多個天線單元110 ₁、110 ₂、…、及/或110 _J的傳送或接收訊號的振幅。在一些實施例中，調整電路120包括一個或更多個移相器及一個或更多個放大器，並依據需求而調整一個或更多個天線單元110 ₁、110 ₂、…、及/或110 _J的傳送或接收訊號的相位及/或振幅。

記憶體130可以是任何型態的固定或可移動隨機存取記憶體(Radom Access Memory，RAM)、唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)、快閃記憶體(flash memory)、傳統硬碟(Hard Disk Drive，HDD)、固態硬碟(Solid-State Drive，SSD)或類似元件。在一實施例中，記憶體130用以記錄程式碼、軟體模組、組態配置、資料(例如，天線單元110 ₁~110 _J的位置、這些位置與非平面基板50的關係、等)或檔案，並待後文詳述其實施例。

控制器150耦接調整電路120及記憶體150。控制器150可以是晶片、特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、現場可程式化邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array，FPGA)、微控制器或其他類型電路。在一實施例中，控制器150決定所欲的離開方向(direction of departure，DoD)及/或半功率束寬(Half-Power Beam Width，HPBW)。在另一實施例中，已給定的離開方向及/或半功率束寬透過指令傳送給控制器150。在一實施例中，控制器150可輸出調整訊號/指令，使調整電路120受控於控制器150，並據以依據離開方向及/或半功率束寬啟用一個或更多個天線單元110 ₁~110 _J，且/或改變所啟用的天線單元110 ₁、110 ₂、…、及/或110 _J的傳送或接收訊號的相位延遲及/或振幅。在一實施例中，控制器150自記憶體130載入程式碼及/或資料。

須說明的是，藉由改變天線單元110 ₁、110 ₂、…、及/或110 _J對應的相位及振幅，電磁波可基於建設性干涉和破壞性干涉在特定方向上疊加並在部分方向抵銷，使天線陣列110輻射所形成的一個遠場場型(far field pattern)等同於一種特定波束場型(相關於主波束方向、波束寬度、方向增益、旁波束準位等參數所形成的場型)。

調整電路120依據非平面基板50的形狀及給定信號角度(predetermined signal angle)調整天線單元110 ₁~110 _J中的至少一者的訊號。天線陣列110中的多個天線單元110 ₁~110 _J輻射電磁波所形成的波束可能會因不同相位或與相鄰天線單元110 ₁~110 _J的相位差而有不同的場型(例如，不同輻射方向、增益或形狀)。而非平面基板50的形狀反映出天線單元110 ₁~110 _J的設置位置不同。信號角度可能是離開方向/離開角度(angle of departure，AoD)，也可能是到達方向(direction of arrival，DoA)/到達角度(angle of arrival，AoA)。

在一些實施例中，為了使天線陣列110達到特定指向或增益(即，振幅)，各天線單元110 ₁~110 _J的對應相位(或是，延遲時間)可能會不同，因此調整電路120可分別對全部或部分天線單元110 ₁~110 _J的傳送或接收訊號調整相位。藉此，可延遲訊號，使不同天線單元110 ₁~110 _J的訊號的相位不同，從而形成相位差，進而達成不同指向或不同形狀的波束場型。

在一實施例中，控制器150依據給定信號角度對應的半功率束寬(Half-Power Beam Width，HPBW)自天線單元110 ₁~110 _J中選擇至少二個第一單元以進行電磁波輻射。例如，部分或全部的天線單元110 ₁~110 _J作為第一單元。在一實施例中，這些天線單元110 ₁~110 _J中的未受選者作為第二單元。在一實施例中，控制器150透過調整電路120啟用那些第一單元，且禁能那些第二單元。藉此，控制器150可進一步透過那些第一單元輻射電磁波，但中斷第二單元輻射。

具體而言，以圖2A為例，假設天線陣列110的轉向角度(例如，0度)相同於參考線Z(例如，設置位置的法線方向)並垂直於參考平面XY ₀。若轉向角度為零度，則信號方向(Direction of Signal，DoS)(對應於信號角度)平行於參考線Z。圖3是依據本發明一實施例的半功率束寬(Half-Power Beam Width，HPBW)的示意圖。請參照圖3，假設轉向角度是零度，且半功率束寬HPBW大約介於15度至15度之間。

值得注意的是，半功率束寬HPBW的大小相關於第一單元的數量。這些第一單元啟用後將用於形成具有所欲半功率束寬及信號角度的波束。

圖2A中的那些天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈呈直線排列。例如，形成一列。天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈中的任兩個相鄰者之間有一個間距。例如，天線單元111 ₅與天線單元112 ₃之間有間距d。這些天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈所形成的半功率束寬可決定為：

…(1)

是轉向角度為0度時的半功率束寬(或稱本質(intrinsic)半功率束寬)，λ是天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈的傳送或接收訊號的波長，M是同一列的第一單元的數量，且

為間距。

從此公式(1)，半功率束寬與(被啟用的)第一單元的數量M、以及間距d與訊號的波長λ的比值有關。那些第一單元的數量M可決定於：

…(2)

是半功率束寬。

例如，如果根據需求本質半功率束寬要小於25度，則根據上式可以得到：若第一單元的數量為5個時，則本質半功率束寬為20.3度。控制器150可依據天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈的位置選擇第一單元。例如，所欲的信號角度對應於天線單元111 ₃周邊區域(例如在天線單元111 ₃與天線單元111 ₄之間並且更靠近天線單元111 ₃，或是在天線單元111 ₃與天線單元111 ₂之間並且更靠近天線單元111 ₃)，則天線單元111 ₁~111 ₅作為第一單元(受啟用)，且天線單元112 ₁~112 ₈作為第二單元(受禁能)。因此，天線單元111 ₁~111 ₅可輻射，且天線單元112 ₁~112 ₈中斷輻射。

藉此，若信號方向(DoS)與所選第一單元的群組的中心區域的法線之間的差異不為零，則可最小化這差異。換句話說，受啟用的第一單元111 ₁~111 ₅所對應需要的轉向角度(Steering Angle)趨近於零，從而實際上訊號收發的能量效率得以提高。

在一實施例中，控制器150可依據給定訊號方向選擇參考點。對應於這參考點及其非平面基板50上所處表面的切面垂直於給定信號方向。

例如，圖4是依據本發明一實施例的參考點決定的示意圖。請參照圖4，信號方向DOS1與參考平面XY ₂垂直。這參考平面XY ₂是天線單元113 ₁所處表面的切面。因此，參考點位於天線單元113 ₁上。此外，信號方向DOS2與參考平面XY ₃垂直。這參考平面XY ₃是曲面上的切面。然而，信號方向DOS2的延伸線與參考平面XY ₃的交界處位於天線單元113 ₂與天線單元113 ₃所處表面之間。因此，參考點位於天線單元113 ₂與天線單元113 ₃之間。圖4中的範例，控制器150可視為參考點位於天線陣列110所處區域之內。

又例如，圖5是依據本發明另一實施例的參考點決定的示意圖。請參照圖5，信號方向DOS3與參考平面XY ₄垂直。這參考平面XY ₄是曲面上的切面。然而，信號方向DOS3的延伸線與參考平面XY ₃的交界處位於天線單元113 ₄的一側但並未位於另一個天線單元之間。因此，控制器150可視為參考點位於天線陣列110所處區域之外。

在一實施例中，若參考點位於天線陣列10所處的區域時(如圖4所示)，則控制器150可依據半功率束寬決定位於同一直列(straight row/straight line)上的第一單元(也就是被啟用的天線單元)的數量。例如，使用公式(2)來推算第一單元的數量。

在一實施例中，若參考點未位於天線陣列10所處的區域(如圖5所示)，則控制器150可依據天線陣列10的轉向角度(steering angle)決定半功率束寬改變比例，並依據這半功率束寬及半功率束寬改變比例選擇那些第一單元。轉向角度是位於最接近參考點的天線單元的切面的法線與給定信號角度之間的差異。以圖5為例，由最接近參考點的天線單元113 ₄所處表面的切面垂直延伸的法線N ₄與信號角度DOS3之間的夾角可以被定義為轉向角度。接著以下列算式計算數量M：

…(3) 其中

為轉向角度。換句話說，上列公式(3)中的cos

(或者其倒數，sec

)可視為是半功率束寬改變比例。

若已決定第一單元，則可進一步決定這些第一單元收發信號時額外提供的相位延遲。以圖2A為例，假設受選的第一單元是五個天線單元111 ₁~111 ₅。這些的天線單元111 ₁~111 ₅的中心為天線單元111 ₃，且天線111 ₃在非平面基板50-1的法線Z’垂直於天線單元111 ₃。法線Z’垂直於參考平面XY ₁，並可據以決定這些天線單元111 ₁~111 ₅的相位延遲。

在一實施例中，調整電路120可依據那些天線單元110 ₁~110 _J中的至少兩個第一單元在非平面基板50上的位置及給定信號角度補償那些第一單元中的任一者在接收或發射訊號時所需要的相位差異。具體而言，當天線陣列10要朝向信號方向(DoS)收發信號時，一個天線單元(例如，圖2的天線單元111 ₁)所需要的相位差異直接關聯於此天線單元與一個正交於此信號方向(DoS)的參考平面的距離。以圖2A為例，當信號方向(DoS)平行於法線Z’時(即，參考位置位於受啟用的第一單元)，則被啟用的各天線單元所需要的補償的相位差異關聯於各天線單元與參考平面XY ₁的距離。

具體而言，以圖2A為例，假設有一個待測裝置(Device-Under-Test，DUT)位於中心點C。各天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈可分開或整合在一起以形成陣列天線110，因此得以在佈有天線單元111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈的方向範圍內，以任意方向接收來自DUT的發射訊號或是發射訊號給DUT。

在此一實施例(例如，均勻弧面)中，相位差異可理解為相關於依據兩個第一單元的法線之間的角度差異及間距所導致沿給定信號角度的路徑差異。這路徑差異是指，基於非平面基板的形狀，DUT的電磁波以平行於信號角度的方位而到達這些第一單元的群組的假想平面(例如，參考平面XY ₁)，則實際上電磁波訊號到達每一個天線單元之間存在的路程差異。

圖6A是圖2A的局部放大圖。請參照圖2A及圖6A，假設在非平面基板50-1的一個弧形面中，兩個天線單元111 ₃與111 ₄之間的間距可表示為：

…(4) ，

為兩個天線單元111 ₃與111 ₄的法線之間的角度差異。

若弧面的半徑(例如，R)等於m倍的遠場距離(例如，FR=2D ²/λ)(即， m是由那些第一單元於非平面基板50上所佔據區域定義的弧面的半徑對應相對於遠場距離的倍數)，則角度差異可表示為：

…(5) N是那些第一單元所定義的第一陣列的孔徑(aperture)相對於間距的倍數。那些第一單元的整體視為第一陣列。

圖6A中所示的兩個天線單元111 ₄與111 ₅之間的路徑差異

可以估測為：

…(6) ，

是給定信號角度(或是離開/接收角度)。若

很大(使得

很小)，則對天線單元111 ₄所增加的相位差異

可表示為：

…(7)

藉此，可透過調整電路120針對特定第一單元補償這相位差異。

在一實施例中，若給定信號角度使得所需的轉向角度為

，則相位差異可表示為：

…(8) ， n是第一單元的排列序號，

是第 n個第一單元的相位差異，

是對應於給定信號角度的第一單元的排列序號。以圖2A為例，天線單元111 ₁的排列序號為1，天線單元111 ₂的排列序號為2，其餘依此類推。而這些天線單元111 ₁~111 ₅的中心(即，天線單元111 ₃)的排列序號為3。若給定信號角度為0度，則發射方向是朝向弧面的中心(例如，天線單元111 ₃的所處位置)。即，給定信號角度對應於天線單元111 ₃的法線方向。其中，公式(8)中的

，依照第一單元於非平面基板50上所佔據的弧面的內凹(中心凹陷，使用正號)或外凸(中心凸起，使用負號)形狀而選用對應的正負號。換句話說，對於控制器150控制每一個第一單元所電性連接的調整電路120以使收發的信號被賦予上式計算得到的相位差異，從而等效而言使得信號可視為是諸多第一單元在參考平面收到的。

須說明的是，若受選的第一單元改變，則對應於這些第一單元的群組的假想法線、假想平面、相對轉向角度及所欲補償的相位差異也會改變。

在一實施例中，當參考點位於兩第一單元之間時，控制器150可依據接近的第一單元或參考點決定用於補償的相位差異。

若選擇參考點最接近的第一單元，則控制器150可依據前述公式(4)~(8)決定相位差異。依據這相位差異補償僅會有較小但可容許的缺陷。

以圖6B為例，圖6B是圖4的局部放大圖。請參照圖4及圖6B，圖4所示的天線單元113 ₃與113 ₄是設於外凸弧面，因此選擇公式(8)中的

。假設參考點較接近天線單元113 ₂。因此，由天線單元111 ₄所處作為修改的參考點。而

。若給定信號角度使得所需的轉向角度為

，則相位差異可表示為：

…(9)。

若欲維持參考點，則控制器150可參考點或其所處表面的切面決定用於補償的相位差異。

以圖6C為例，圖6C是圖4的另一局部放大圖。請參照圖4及圖6C，圖6C中所示的兩個天線單元113 ₂與113 ₃與信號方向DOS2的延伸線(假設位於天線單元113 ₂與113 ₃中間)之間的路徑差異

和

可以估測為：

…(10)

…(11) 。此外，由於天線單元113 ₂與113 ₃是設於外凸弧面，因此相位差異的決定也選擇公式(8)中的

(例如，公式(9))。

在一實施例中，控制器150可依據那些天線單元110 ₁~110 _J在非平面基板50上的位置透過調整電路120補償天線單元110 ₁~110 _J中的至少一者的元素因子(element factor)。由於天線單元110 ₁~110 _J中的部分或全部並未處於相同平面或相互平行的平面，因此各天線單元110 ₁~110 _J的輻射場型(即，元素因子)的朝向可能不同。控制器150可依據天線單元110 ₁~110 _J在非平面基板50上的位置所造成朝向的差異、轉向角度及輻射場型補償至少一個天線單元110 ₁~110 _J。

舉例而言，圖7是依據本發明一實施例的兩天線單元110 ₁、110 ₂的輻射場型501、503的示意圖。請參照圖7，假設轉向角度是0度，並對應於天線單元110 ₁的輻射場型501的朝向。而天線單元110 ₂的輻射場型505的朝向是5度。由於兩天線單元110 ₁、110 ₂並未處於相同平面，因此對於天線單元110 ₂而言，在0度上的增益可能不及天線單元110 ₁。因此，控制器150可對天線單元110 ₂的訊號補償增益差異△G。

在一實施例中，控制器150可依據那些天線單元110 ₁~110 _J在非平面基板50上的位置透過調整電路120補償天線單元110 ₁~110 _J中的至少一者的路徑損失(path loss)。以圖5為例，天線單元110 ₁、110 ₂相距一段距離造成相位差。而相位差更造成路徑損失。因此，控制器150可對天線單元110 ₂的訊號補償路徑損失的增益。

另一方面，圖8是依據本發明一實施例的波束控制方法的流程圖。請參照圖8，提供非平面基板50及天線陣列110 ₁~110 _J(步驟S610)。依據非平面基板50的形狀及天線陣列110的轉向角度調整那些天線單元110 ₁~110 _J中的至少一者的訊號(步驟S620)。

關於圖8中的各步驟的實施細節在前述的實施例及實施方式都有詳盡的說明，於此不再贅述。在一實施例中，步驟S620可藉由控制器150協同調整電路120實現。除了以電路的形式實施，本發明實施例的各步驟與實施細節亦可由控制器以軟體的方式實施，本發明實施例並不加以限制。

綜上所述，在本發明實施例的波束成型裝置及波束控制方法中，提供設於非平面基板的天線陣列，並依據所欲的轉向角度調整天線單元的訊號。本發明實施例可依據所欲的波束場型選擇啟用的第一單元，並對所選第一單元的振幅及/相位的補償。藉此，可將非平面設計的天線陣列應用在更多情境中。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

50、50-1、50-2:非平面基板 100:波束成型裝置 110:天線陣列 110 ₁~110 _J、111 ₁~111 ₅、112 ₁~112 ₈、113 ₁~113 ₈:天線單元 120:調整電路 130:記憶體 150:控制器 Z:參考線 Z’:法線 XY ₀、XY ₁、XY ₂、XY ₃、XY ₄:參考平面 HPBW:半功率束寬 d:間距 R:距離 DOS1~DOS3:信號角度

、

、

、

:角度差異

、

、

3、

:路徑差異 501、503:輻射場型 S610~S620:步驟

圖1是依據本發明一實施例的波束成型裝置的元件方塊圖。圖2A是依據本發明一實施例的天線單元與非平面基板的示意圖。圖2B是依據本發明另一實施例的天線單元與非平面基板的示意圖。圖3是依據本發明一實施例的半功率束寬(Half-Power Beam Width，HPBW)的示意圖。圖4是依據本發明一實施例的參考點決定的示意圖。圖5是依據本發明另一實施例的參考點決定的示意圖。圖6A是圖2A的局部放大圖。圖6B是圖4的局部放大圖。圖6C是圖4的另一局部放大圖。圖7是依據本發明一實施例的兩天線單元的輻射場型的示意圖。圖8是依據本發明一實施例的波束控制方法的流程圖。

111 ₃、111 ₄:天線單元 d:間距

:角度差異

:路徑差異

Claims

一種波束成型(beamforming)裝置，包括：一非平面基板；一天線陣列，包括多個天線單元，並設於該非平面基板；一調整電路，耦接該天線陣列，並用以依據該非平面基板的形狀及一給定信號角度(predetermined signal angle)調整該些天線單元中的至少一者的訊號，其中該調整電路更用以依據該些天線單元中的至少二第一單元在該非平面基板上的位置及該給定信號角度補償該至少二第一單元中的一者的訊號的一相位差異，且該相位差異相關於該至少二第一單元中的二者在該非平面基板的法線之間的一角度差異；以及一控制器，耦接該調整電路，並經配置用以：反應於一參考點位於該至少二第一單元的二相鄰單元之間，依據接近的第一單元或該參考點決定該相位差異，其中對應於該參考點及其所處表面的切面垂直於該給定信號方向。
如請求項1所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：依據該給定信號角度與一半功率束寬(Half-Power Beam Width，HPBW)自該些天線單元中選擇至少二第一單元以進行電磁波收發。
如請求項2所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：依據該給定訊號方向選擇一參考點，其中對應於該參考點及其於該非平面基板上所處表面的切面垂直於該給定信號方向。
如請求項2所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：反應於該參考點位於該天線陣列所處的一區域，依據該半功率束寬決定一列上的至少二第一單元的數量；以及反應於該參考點未位於該區域，依據該天線陣列的一轉向角度(steering angle)決定一半功率束寬改變比例，並依據該半功率束寬及該半功率束寬改變比例選擇該至少二第一單元，其中該轉向角度是位於最接近該參考點的天線單元的切面的法線與該給定信號角度之間的差異。
如請求項2所述的波束成型裝置，更包括：一記憶體，耦接該控制器，並用以儲存該些天線單元在該非平面基板上的位置，其中該控制器依據該些天線單元的位置選擇該至少二第一單元。
如請求項1所述的波束成型裝置，其中該至少二第一單元呈一列，該至少二第一單元中的任二相鄰者之間有一間距，且該相位差異更相關於依據該角度差異及該間距所導致沿該給定信號角度的一路徑差異。
如請求項6所述的波束成型裝置，其中該相位差異△ψ為：
△L是該路徑差異，且λ是該訊號的波長；其中，
d為該間距，且△θ是該角度差異。
如請求項6所述的波束成型裝置，其中若該給定信號角度使得所需的轉向角度為θ_S，則每一該第一單元對應的相位差異為：
n是該至少二第一單元的排列序號，ψ _n是第n個第一單元的該相位差異，
是對應於該給定信號角度的第一單元的排列序號，m是由該至少二第一單元於該非平面基板上所佔據區域定義的一弧面的半徑對應相對於遠場(far field)距離的倍數，且N是該至少二第一單元所定義的一第一陣列的孔徑(aperture)相對於該間距的倍數。
如請求項1所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：決定該調整電路對該些天線單元的相位延遲。
如請求項1所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：依據該些天線單元在該非平面基板上的位置透過該調整電路補償該些天線單元中的至少一者的一元素因子(element factor)。
如請求項1所述的波束成型裝置，其中該控制器更經配置用以：依據該些天線單元在該非平面基板上的位置透過該調整電路補償該些天線單元中的至少一者的一路徑損失(path loss)。
一種波束控制方法，包括：提供一非平面基板及一天線陣列，其中該些天線陣列包括多個天線單元並設於該非平面基板；依據該非平面基板的形狀及一給定信號角度調整該些天線單元中的至少一者的訊號，包括：依據該些天線單元中的至少二第一單元在該非平面基板上的位置及該給定信號角度補償該至少二第一單元中的一者的訊號的一相位差異，其中該相位差異相關於該至少二第一單元中的二者在該非平面基板的法線之間的一角度差異；以及反應於一參考點位於該至少二第一單元的二相鄰單元之間，依據接近的第一單元或該參考點決定該相位差異，其中對應於該參考點及其所處表面的切面垂直於該給定信號方向。
如請求項12所述的波束控制方法，更包括：依據該給定信號角度與一半功率束寬自該些天線單元中選擇至少二第一單元以進行電磁波收發。
如請求項13所述的波束控制方法，更包括：依據該給定訊號方向選擇一參考點，其中對應於該參考點及其於該非平面基板上所處表面的切面垂直於該給定信號方向。
如請求項13所述的波束控制方法，更包括：反應於該參考點位於該天線陣列所處的一區域，依據該半功率束寬決定一列上的該至少二第一單元的數量；以及反應於該參考點未位於該區域，依據該天線陣列的一轉向角度(steering angle)決定一半功率束寬改變比例，並依據該半功率束寬及該半功率束寬改變比例選擇該至少二第一單元，其中該轉向角度是位於最接近該參考點的天線單元的切面的法線與該給定信號角度之間的差異。
如請求項12所述的波束控制方法，其中該至少二第一單元呈一列，該至少二第一單元中的任二相鄰者之間有一間距，且該相位差異更相關於依據該角度差異及該間距所導致沿該給定信號角度的一路徑差異。
如請求項16所述的波束控制方法，其中該相位差異△ψ為：
△L是該路徑差異，且λ是該訊號的波長；其中，
d為該間距，且△θ是該角度差異。
如請求項16所述的波束控制方法，其中若該給定信號角度使得所需的轉向角度為θ_S，則每一該第一單元對應的相位差異為：
n是該至少二第一單元的排列序號，ψ _n是第n個第一單元的該相位差異，
是對應於該給定信號角度的第一單元的排列序號，m是該至少二第一單元於該非平面基板上所佔據區域定義的一弧面的半徑對應相對於遠場距離的倍數，且N是該至少二第一單元所定義的一第一陣列的孔徑相對於該間距的倍數。
如請求項12所述的波束控制方法，更包括：依據該些天線單元在該非平面基板上的位置補償該些天線單元中的至少一者的一元素因子。
如請求項12所述的波束控制方法，更包括：依據該些天線單元在該非平面基板上的位置補償該些天線單元中的至少一者的一路徑損失。