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TWI772964B - 氣相沉積裝置 - Google Patents

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TWI772964B
TWI772964B TW109139698A TW109139698A TWI772964B TW I772964 B TWI772964 B TW I772964B TW 109139698 A TW109139698 A TW 109139698A TW 109139698 A TW109139698 A TW 109139698A TW I772964 B TWI772964 B TW I772964B
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wafer
holder
vapor deposition
deposition apparatus
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南出由生
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日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
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Abstract

本發明的課題係在於提供在以平面視觀看氣相沉積裝置1時，可修正載體C的旋轉方向的位置對晶圓WF的偏移的氣相沉積裝置1。 本發明的解決手段係一種氣相沉積裝置1，其具備：設有支持載體C的夾持具17的裝載室13；在載體C與夾持具17，以平面視觀看氣相沉積裝置1時，設有修正載體C的旋轉方向的位置的修正機構。

Description

氣相沉積裝置
本發明是關於可用製造磊晶晶圓等的氣相沉積裝置。
在用於在基板上沉積膜的多腔體處理系統的裝載腔體，已知使用對位環及對位銷等定位機構，對用於移送基板的載體將基板對位(專利文獻1)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］美國專利第9,929,029號說明書
［發明所欲解決的課題］
上述定位機構，在將氣相沉積裝置以平面視觀看時，會對基板(晶圓)做以載體的上下及左右方向的位置為基準的對位，惟晶圓的旋轉方向的位置並未修正。為在晶圓沉積均勻的膜，載體在晶圓的旋轉方向具有週期性變化的形狀時，當載體的旋轉方向的位置沒有與晶圓對位，則會對所處理的晶圓品質造成不良影響。但是，在上述先前技術，將氣相沉積裝置以平面視觀看時，並沒有揭示任何關於載體的旋轉方向位置對晶圓的修正。
本發明所欲解決的課題，係以提供在以平面視觀看氣相沉積裝置時，可修正載體的旋轉方向的位置對晶圓的偏移的氣相沉積裝置。 ［用於解決課題的手層］
本發明係一種氣相沉積裝置，其係使用支持晶圓的環狀載體，在上述晶圓形成CVD膜的氣相沉積裝置，其具備： 設有支持上述載體的夾持具的裝載室， 在上述載體與上述夾持具，設有沿著上述晶圓的圓周方向修正上述載體的旋轉方向的位置的修正機構。
在本發明，上述修正機構，包含限制上述載體的順時針轉動及逆時針轉動的一對修正機構為更佳。
在本發明，上述修正機構，將裝置以平面視時，包含修正上述載體的上下方向及左右方向的位置的修正機構為更佳。
在本發明，上述修正機構，包含設在上述載體的第1扣合部及設在上述夾持具的第2扣合部為更佳。
在本發明，上述第2扣合部，具備：與上述第1扣合部扣合的扣合面；使上述載體對上述夾持具正相對旋轉的旋轉面；及決定上述載體對上述夾持具的修正位置的定位面為更佳。
在本發明，上述第1扣合部，具備：與上述第2扣合部扣合的扣合面；使上述載體對上述夾持具正相對旋轉的旋轉面；及決定上述載體對上述夾持具的修正位置的定位面為更佳。
在本發明，上述扣合面與上述旋轉面，以同一面為更佳。
在本發明，上述夾持具係至少上下支持兩個上述載體的夾持具，在最上層的夾持具沒有設置上述修正機構為更佳。
在本發明，上述CVD膜以矽磊晶膜為更佳。
在本發明，將複數處理前的上述晶圓，從晶圓收納容器，依序經由工廠介面、上述裝載室及晶圓移載室搬送到對上述晶圓形成上述CVD膜的上述反應室的同時， 將複數處理後的上述晶圓，從上述反應室，依序經由上述晶圓移載室、上述裝載室及上述工廠介面，搬送到上述晶圓收納容器， 上述裝載室，經由第1門與上述工廠介面連通的同時，經由第2門與上述晶圓反應室連通， 上述晶圓移載室，經由閘閥與上述反應室連通， 在上述晶圓移載室，設有將搬送到上述裝載室的處理前的上述晶圓，以支持在載體的狀態投入上述反應室的同時，將在上述反應室結束處理的處理後的上述晶圓，以支持在載體的狀態從上述反應室取出搬送到上述裝載室的第1機器人， 在上述工廠介面，設有將處理前的上述晶圓從上述收納容器取出，以在上述裝載室待命的載體支持的同時，將搬送到上述裝載室的支持在載體的處理後的上述晶圓，收納到上述晶圓收納容器的第2機器人， 在上述裝載室，設有支持載體的夾持具為更佳。 ［發明的效果］
根據本發明，在以平面視觀看氣相沉積裝置時，在支持載體的夾持具，修正沿著晶圓的圓周方向的載體的旋轉方向的位置。藉此，可修正載體對晶圓在旋轉方向的位置偏移。
以下根據圖面說明關於本發明的實施形態。 氣相沉積裝置1，係用於對晶圓WF上供給由構成薄膜材料的元素所組成的1種以上的化合物氣體、單體氣體，藉由氣相或在晶圓WF表面的化學反應形成所期望的薄膜的裝置(即，CVD裝置)。圖1係將關於本發明的一實施形態的氣相沉積裝置1，以平面圖表示的區塊圖。本實施形態的氣相沉積裝置1，具備：一對反應爐11、11；晶圓移載室12；一對裝載室13；工廠介面14；設置收納複數片晶圓WF的晶圓收納容器15(晶舟盒：Cassette Box)的晶圓裝卸機(Load Port)；及管理氣相沉積裝置1全體的控制的管理控制器16。
反應爐11，係用於藉由CVD法在單結晶矽晶圓等的晶圓WF表面形成CVD膜(例如，矽磊晶膜)的裝置。反應爐11，具備：用於進行形成CVD膜的化學反應的反應室111；在反應室111內將晶圓WF載置旋轉的基座112；對反應室111供給氫氣及用於生成CVD膜的原料氣體的氣體供給裝置113；及用於確保反應室111的氣密性的閘閥114。此外，雖省略圖示，惟在反應室111周圍，設有用於將晶圓WF升溫到既定溫度的加熱燈。加熱燈的起動與停止，係藉由管理控制器16的指令訊號控制。再者，在圖1表示具備一對反應爐11、11的氣相沉積裝置1，惟反應爐的數量並無特別限制，可為一個，亦可為三個以上。
反應室111，係為在進行形成CVD膜的化學反應時，阻斷外氣保持氣氛而設的腔體。反應室111的腔體，並無特別限制。
基座112係用於搭載加熱晶圓WF的晶圓WF的支持體。在關於本實施形態的氣相沉積裝置1，基座112設在反應室111內，將晶圓WF載置旋轉。藉由旋轉基座112，可抑制在晶圓WF表面形成不均勻的CVD膜。基座的材料，並無特別限制，例如塗層碳化矽(SiC)的碳(C)、如SiC或SiO2 等的陶瓷、玻璃狀碳等。包含旋轉與停止基座112的驅動，係藉由管理控制器16的指令訊號控制。
氣體供給裝置113，係用於對反應室111供給，如氫氣或原料氣體等，形成CVD膜的化學反應所需氣體的裝置。CVD膜為矽磊晶膜時，供給例如，二氯矽烷(SiH2 Cl2 )，三氯矽烷(SiHCl3 )等氣體。關於氣體的供給方法，並無特別限制，可使用習知的供給系統。從氣體供給裝置113供給反應室111的氣體，在形成CVD膜的反應後，藉由氣體供給裝置113所供給的氫氣置換。被置換的反應後氣體，藉由設在連接反應室111的排氣口的滌氣器(洗淨集塵裝置)淨化之後，排放到系外。此種滌氣器，雖省略詳細圖示，例如可使用先前習知的加壓水式滌氣器。藉由氣體供給裝置113的氣體供給與停止、滌氣器的起動等，係藉由管理控制器16的指令訊號控制。
閘閥114，係用於隔開氣相沉積裝置1的反應室111、晶圓移載室12及裝載室13的閥。閘閥114，設在反應室111與晶圓移載室12之間。藉由將閘閥114的關閉，可確保反應室111與晶圓移載室12間的氣密性。閘閥114的開閉動作係藉由管理控制器16的指令訊號控制。
晶圓移載室12，係用於將晶圓WF從裝載室13搬送到反應爐11的反應室111而密閉的腔體。關於晶圓移載室12的腔體，並無特別限制，可使用習知的腔體。晶圓移載室12，係位在反應爐11的反應室111與裝載室13之間的位置。反應爐11的反應室111與裝載室13，經由晶圓移載室12連通。晶圓移載室12的一方，經由可開閉的具有氣密性的第2門132，連接裝載室13。相對於此，晶圓移載室12的另一方，經由具有氣密性的可開閉的閘閥114，與反應室111連接。
晶圓移載室12，具備搬運晶圓WF的第1機器人121。第1機器人121，係將處理前的晶圓WF從裝載室13搬送到反應室111的同時，將處理後的晶圓WF從反應室111搬送到裝載室13。第1機器人121，係藉由第1機器人控制器122控制，安裝在機械手前端的第1載盤123，沿著預先教導的動作軌跡移動。
晶圓移載室12，具備未示於圖的惰性氣體供給裝置。從惰性氣體供給裝置供給惰性氣體，將晶圓移載室12內的氣體置換。被惰性氣體置換的氣體，藉由連接在排氣口的滌氣器(洗淨集塵裝置)淨化之後，排放到系外。此種滌氣器，雖省略詳細圖示，例如可使用先前習知的加壓水式滌氣器。藉由惰性氣體供給裝置的惰性氣體的供給與停止、滌氣器的起動係藉由管理控制器16的指令訊號控制。
裝載室13，係在惰性氣體氣氛的晶圓移載室12，與大氣氣氛的工廠介面14之間，用於置換氣氛氣體的空間。裝載室13，與工廠介面14之間，具備具有氣密性的可開閉的第1門131。另一方面，裝載室13與晶圓移載室12之間，同樣地具備具有氣密性的可開閉的第2門132。即，工廠介面14與晶圓移載室12，係經由裝載室13連通。當開放第1門131，則裝載室13會成為大氣氣氛。此時，將第1門131及第2門132關閉，將裝載室13的大氣氣體以惰性氣體置換，使裝載室13成為惰性氣體氣氛。為以惰性氣體置換，裝載室13，具備：將裝載室13內部真空排氣的排氣裝置；及對裝載室13供給惰性氣體的供給裝置。
工廠介面14，係用於在裝載室13與晶圓收納容器15之間搬送晶圓WF的區域，作成與無塵室相同的大氣氣氛。工廠介面14，具備搬運晶圓WF的第2機器人141。第2機器人141，一方面取出收納在晶圓收納容器15的處理前晶圓WF，投入裝載室13，另一方面將搬送到裝載室13的處理後晶圓WF收納在晶圓收納容器15。第2機器人141，係藉由第2機器人控制器142控制，安裝在機器手前端的第2載盤143，沿著預先教導的動作軌跡移動。本實施形態的第2載盤143，並無特別限制，可使用可搬送晶圓WF的習知的載盤。
晶圓收納容器15(晶舟盒)，係用於收納晶圓WF在裝置間搬送的容器，載置在與無塵室相同的大氣氣氛。載置晶圓收納容器15的晶圓裝卸機，係在氣相沉積裝置1，用於進行投入．退出晶圓收納容器15(晶舟盒)，進行外部機器與晶圓收納容器15的交付的裝置部分。晶圓收納容器15及晶圓裝卸機，並無特別限制。
管理控制器16，管理氣相沉積裝置1全體的控制。管理控制器16，互相收發第1機器人控制器122及第2機器人控制器142的控制訊號。當來自管理控制器16的動作指令訊號，發送到第1機器人控制器122，則第1機器人控制器122控制第1機器人121的動作。第1機器人121的動作結果，將從第1機器人控制器122發送到管理控制器16。藉此，管理控制器16，辯識第1機器人121的動作狀態。同樣地，當來自管理控制器16的動作指令訊號，發送到第2機器人控制器142，則第2機器控制器142控制第2機器人141的動作。第2機器人141的動作結果，將從第2機器人控制器142發送到管理控制器16。藉此，管理控制器16，辯識第2機器人141的動作狀態。
本實施形態的氣相沉積裝置1，藉由將隔開反應爐11的反應室111與晶圓移載室的閘閥114；隔開裝載室13與工廠介面14的第1門131；隔開晶圓移載室12與裝載室13的第2門132；在晶圓移載室12搬運晶圓WF的第1機器人121；及在工廠介面14搬運晶圓WF的第2機器人141的各動作，以管理控制器16控制，在氣相沉積裝置1內，將晶圓WF依序搬送，進行CVD膜的形成處理。
例如，在本實施形態的氣相沉積裝置1，將處理前的晶圓WF，從晶圓收納容器15向反應爐11的反應室111搬送時，首先關上第1門131與第2門132，使裝載室13呈惰性氣體氣氛的狀態。接著，使用第2機器人141，取出晶圓收納容器15的晶圓WF，打開第1門131，將晶圓WF送到裝載室13。然後，關上第1門131，使裝載室13再度呈惰性氣體氣氛之後，打開第2門132，使用第1機器人121，將晶圓WF搬送到晶圓移載室12。最後，關上第2門132，打開閘閥114，使用第1機器人121，將搬送到晶圓移載室12的晶圓WF搬送到反應爐11的反應室111。
與此相反地，在本實施形態的氣相沉積裝置1，將處理後的晶圓WF，從反應爐11的反應室111搬送到晶圓收納容器15時，首先打開閘閥114，使用第1機器人121，從反應爐11的反應室111取出形成CVD膜的處理後晶圓WF，關上閘閥114。接著，打開第2門132，使用第1機器人121，將晶圓移載室12的晶圓WF搬送到裝載室13。最後，關上第2門132，使裝載室13再度呈惰性氣體氣氛後，打開第1門131，使用第2機器人141，將晶圓WF收納在晶圓收納容器15。
在本實施形態的氣相沉積裝置1，在反應爐11的反應室111與裝載室13之間搬送晶圓WF時，使用支持晶圓WF的環狀載體C。圖2A係表示關於本實施形態的載體C的一例的平面圖，圖2B係包含晶圓WF及反應爐11的基座112，將圖2A的載體C以正面視時的縱剖面圖。
本實施形態的載體C，係例如由塗層碳化矽的碳、如SiC或SiO2 等的陶瓷、玻璃狀碳等材料組成，形成為環狀。本實施形態的載體C，例如，具有：載置在圖2B所示基座112的上面的底面C11；與晶圓WF的背面的外周部接觸支持的上面C12；外周側牆面C13；及內周側牆面C14。
再者，本實施形態的載體C，在將本實施形態的氣相沉積裝置1以平面視觀看時，至少具備1個沿著晶圓WF的圓周方向，用於修正載體C的旋轉方向的位置的修正機構。圖2A的第1扣合部C15，係本實施形態的修正機構的一例。圖2A的第1扣合部C15，係設在外周側牆面C13的半橢圓形突起。本實施形態的修正機構的形狀，並不限於圖2A所示半橢圓形的突起，亦可例如為圓形的突起、矩形的突起、或凸形狀。在本實施形態的載體C，設置修正機構的位置，並不限於圖2A所示外周側牆面C13，亦可例如為底面C11或內圓周側牆面C14。
此外，圖3A係表示關於本實施形態的載體C的其他例的平面圖，圖3B係包含晶圓WF及反應爐11的基座112，以圖3A的載體C為正面觀看時的縱剖面圖。圖3A的第1扣合部C15’，係本實施形態的修正機構的其他例，設在外周側牆面C13的圓形缺角。本實施形態的修正機構的形狀，並不限於圖3A所示圓形缺角，亦可例如為橢圓形缺角、矩形缺角、凹形狀或溝形狀。在本實施形態的載體C，設置修正機構的位置，並不限於圖3A所示外周牆面C13，亦可例如為底面C11或內圓周側牆面C14。
圖4(A)~圖4(E)係表示在反應室111內的晶圓WF及載體C的移載程序的平面圖及垂直方向的縱剖面圖。將支持晶圓WF的載體C搬入反應爐11的反應室111時，如圖4(A)的平面圖所示，將載體C以載置在第1機器人121的第1載盤123的狀態，如圖4(B)所示搬送到基座112的上方。接著，如圖4(C)所示，藉由設置成可相對於基座112上下移動的三個以上的載體升降頂針115，暫時將載體C舉起，如圖4(D)所示，使第1載盤123後退。然後，如圖4(E)所示，使基座112上升，將載體C載置在基座112表面。
相反地，將在反應爐11的反應室111結束CVD膜形成處理的晶圓WF，以搭載於載體C的狀態取出時，首先，從圖4(E)所示狀態，如圖4(D)所示，使基座112下降，僅以升降頂針115支持載體C。接著，如圖4(C)所示，使第1載盤123在載體C與基座112之間前進，如圖4(B)所示，使3個升降頂針115下降，將載體C載置在第1載盤123，使第1機器人121的手動作。藉此，可將結束CVD膜形成的處理的晶圓WF，以搭載於載體C的狀態取出。
在實施形態的氣相沉積裝置1，晶圓WF，係以載體C支持的狀態搬送到裝載室13與反應室111之間。在氣相沉積裝置1，為對晶圓WF依序進行CVD膜形成處理，需要將處理後的晶圓WF從載體C取出，對該載體C載置處理前的晶圓WF。為此，在裝載室13設置夾持具17。
夾持具17，係在裝載室13，將載體C上下2層支持的支持體。在夾持具17支持的載體C，可載置晶圓WF，亦可沒有載置。本實施形態的氣相沉積裝置1，晶圓WF，係以載置在載體C的狀態，在裝載室13與反應室111之間搬送。因此，處理前的晶圓WF，在裝載室13載置在以夾持具17支持的載體C。此外，處理後的晶圓WF，在裝載室13從夾持具17所支持的載體C取出。
圖5A係表示設在裝載室13的本實施形態的夾持具17的一例的平面圖，圖5B係包含晶圓WF及載體C的圖5A的夾持具17以正面觀看時的縱剖面圖。本實施形態的夾持具17，具備：夾持具基盤171；第1夾持具172；第2夾持具173；及晶圓升降頂針174。
夾持具基盤171，係用於支持夾持具17的基部。夾持具基盤171，係固定在裝載室13。
第1夾持具172及第2夾持具173，係用於支持載體C的支持體。第1夾持具172及第2夾持具173，將2個載體C以上下2層支持，可對夾持具基盤171上下升降。第1夾持具172及第2夾持具173(在圖5A的平面圖，由於第2夾持具173被第1夾持具172隱蔽，故僅圖示第1夾持具172。)，具有用於以4點支持載體C的突起。第1夾持具172及第2夾持具173，支持載體C的點的數量，並無特別限制，亦可為4點以上。在第1夾持具172載置一個載體C，在第2夾持具173亦載置一個載體C。載置在第2夾持具173的載體C，插入第1夾持具172與第2夾持具173之間的空隙。
晶圓升降頂針174，係用於支持晶圓WF的支持體。晶圓升降頂針174，可對夾持具基盤171上下升降，以夾持具17為正面觀看時，將以載體C支持的晶圓WF，對載體C上下移動。圖5A所示夾持具17，具備3個晶圓升降頂針174，惟晶圓升降頂針174的數量並無特別限制，亦可為4個以上。晶圓升降頂針174的形狀並無特別限制，亦可較圖5B所示頂針粗，亦可較細。晶圓升降頂針174與晶圓WF相接的前端部的形狀，可較圖5B所示頂針的前端圓，亦可較尖。
再者，本實施形態的夾持具17，以平面視觀看本實施形態的氣相沉積裝置1時，至少具備一個沿著上述晶圓的圓周方向的，用於修正載體C的旋轉方向的位置的修正機構。圖5A的第2扣合部177，係本實施形態的修正機構的一例。第2扣合部177，係如圖5A所示，設在第1夾持具支持體175的突起。將圖5A的第2扣合部177的平面圖示於圖5C(A)，縱剖面圖示於圖5C(B)。如圖5C(A)及(B)所示，第2扣合部177具備基部177a及突起177b。基部177a為圓柱形，突起177b係較基部177a更細的前端為圓的圓柱形。基礎177a及突起177b的形狀，並不限於圖5C(A)及(B)所示，亦可例如為橢圓形或矩形。此外，突起177b可與基部177a為一體。
此外，本實施形態的修正機構的形狀，並不限於圖5C(A)及(B)的突起，亦可為例如凸形狀、凹形狀或溝形狀。如第2扣合部177，本實施形態的修正機構的數量及配置，只要可決定將載體C以平面觀看時的旋轉方向的位置，並無特別限制。例如圖6A係表示關於本實施形態的夾持具17的其他例的平面圖，圖6B係將包含晶圓WF及載體C的圖6A的夾持具17以正面觀看時的縱剖面圖。圖6A的夾持具17的第2扣合部177’的形狀與圖5C(A)及(B)所示者相同，惟其配置相對於圖5A以平面觀看時形成略梯形的配置，圖6A係形成略等腰三角形的配置。
此外，在圖5A，第2扣合部177係設在第1夾持具支持體175，惟亦可設在第1夾持具支持體175及第2夾持具支持體176的雙方，亦可只設在第2夾持具支持體176。如第2扣合部177等本實施形態的修正機構，只設在第2夾持具支持體176時，載體C載置在下層夾持具的第2夾持具173時，進行以平面視時的旋轉方向的定位。在此，第1夾持具支持體175及第2夾持具支持體176，分別是用於支持第1夾持具172及第2夾持具173的支持體，與第1夾持具172及第2夾持具173一起，對夾持具基盤171上下升降。
第1扣合部C15、C15’及第2扣合部177、177’等本實施形態的修正機構的數量，並無特別限制，使用一對的修正機構，為沿著上述晶圓的圓周方向，限制載體C在順時針轉動及逆時針轉動，至少設置兩個為佳。此外，本實施形態的修正機構，在以平面視觀看氣相沉積裝置1時，修正載體C的上下方向及左右方向的位置為佳。若能夠以一個修正機構，修正上下、左右及旋轉方向的位置，則可抑制用於修正載體C的位置所需修正機構的數量。
圖7係表示在裝載室13的晶圓WF及載體C的移載程序的平面圖及縱剖面圖，如圖7(B)所示以載體C被第1夾持具172支持的狀態，將處理前晶圓WF搭載到載體C的程序。即，設在工廠介面14的第2機器人141，將收納在晶圓收納容器15的1片晶圓WF放在第2載盤143，經由裝載室13的第1門131，如圖7(B)所示，搬送到夾持具17的上部。接著，如圖7(C)所示，使3個晶圓升降頂針174相對於夾持具基盤171上升，暫時舉起晶圓WF，如圖7(D)所示，使第2載盤143後退。再者，3個晶圓升降頂針174，如圖7(A)的平面圖所示，設在不會干涉第2載盤143的位置。接著，如圖7(D)及圖7(E)所示，藉由使3個晶圓升降頂針174下降的同時，使第1夾持具172及第2夾持具173上升，將晶圓WF搭載到載體C。
相反地，將以載置在載體C的狀態搬送到裝載室13的處理後晶圓WF，搬送到晶圓收納容器15時，從圖7(E)所示狀態，如圖7(D)所示使3個晶圓升降頂針174上升的同時，使第1夾持具172及第2夾持具173下降，藉由僅以晶圓升降頂針174支持晶圓WF，如圖7(C)所示，使第2載盤143在載體C與晶圓WF之間前進之後，如圖7(B)所示，使三個晶圓升降頂針174下降，將晶圓WF放在第2載盤143，使第2機器人141的手動作。藉此，可將結束處理的晶圓WF從載體C取出到晶圓收納容器15。再者，圖7(E)表示狀態，係結束處理的晶圓WF以搭載於載體C的狀態搬送到第1夾持具172，惟搬送到第2夾持具173時，亦可以同樣的程序，將晶圓WF從載體C取出到晶圓收納容器15。
在本實施形態的氣相沉積裝置1，在第1機器人121的手前端，安裝第1載盤123。在第1載盤123，形成有用於搬送載放晶圓WF的或空的載體C的第1凹部124。在本實施形態的氣相沉積裝置1，第1載盤123及第1凹部124，具有對應第1扣合部C15、C15’及第2扣合部177、177’等修正機構的形狀及其配置的形狀。
例如，圖8(A)係表示第1載盤123的一例的平面圖，如圖4(A)所示，係表示用於搬送圖2A所示載體C的第1載盤123的一例的平面圖。圖8(B)，係包含圖2A所示載體C及晶圓WF，從第1載盤123的側面方向的縱剖面圖。本實施形態的第1載盤123，係在長條板狀本體的一面，形成對應載體C的外周側牆面C13及第1扣合部C15的形狀的第1凹部124。第1凹部124的形狀，係將載體C的外周側牆面C13及第1扣合部C15，以平面視觀看時，形成較外周部稍大而可使載體C嵌合在第1載盤123的第1凹部124。然後，第1機器人121，在搬送載放晶圓WF或空的載體C時，將載體C載放在第1凹部124。
本實施形態的第1扣合部C15與第2扣合部177，藉由在載體C載置在夾持具17時互相扣合，修正沿著晶圓WF的圓周方向的載體C旋轉方向的位置。例如，如圖2A所示載體C的第1扣合部C15，係藉由與圖5A所示夾持具17的第2扣合部177扣合，修正載體C旋轉方向的位置。圖9A，係在圖5A所示夾持具17載置圖2A所示載體C，第1扣合部C15與第2扣合部177扣合，修正載體C旋轉方向的位置時的載體C與夾持具17的平面圖。此外，例如，圖3A所示載體C的第1扣合部C15’，係載體C載置在夾持具17時，藉由與圖6A所示夾持具17的第2扣合部177’扣合，修正沿著WF的圓周方向的，載體C旋轉方向的位置。圖9B，係在圖6A所示夾持具17載置圖3A所示載體C，第1扣合部C15’與第2扣合部177’扣合，修正載體C旋轉方向的位置時的載體C與夾持具17的平面圖。
再者，本實施形態的第2扣合部177，係載體C的第1扣合部C15，與夾持具17的第2扣合部177扣合修正載體C旋轉方向的位置時，具備：用於扣合第1扣合部C15的扣合面Fa；用於使載體C對夾持具17相對旋轉的旋轉面Fb；及決定載體C對夾持具17的修正位置的定位面Fc。藉由設置扣合面Fa及旋轉面Fb，只要第1扣合部C15與第2扣合部177遊合，即可將載體C導向定位面Fc，而可更加抑制載體C從既定位置偏移。
圖10(A)係表示本實施形態的第2扣合部177的平面圖，圖10(B)係縱剖面圖。例如，圖10(B)所示第2扣合部177，可在突起177b，具備扣合面Fa及旋轉面Fb，在基部177a的上面具備定位面Fc。本實施形態的旋轉面Fb，以載體C可對夾持具17相對充分旋轉，可修正以平面視觀看氣相沉積裝置1時的旋轉方向的位置的大小為佳。此外，將本實施形態的第2扣合部177以側面視時，旋轉面Fb的傾角，具有載體C可對夾持具17相對旋轉的角度為佳。本實施形態的扣合面Fa與旋轉面Fb所形成的傾角α，可例如為105°~165°、120°~150°、或130°~140°。
圖11~圖13，係表示載體C載置在夾持具17時，圖2A所示載體C的第1扣合部C15與圖10(A)及(B)所示第2扣合部177扣合，修正載體C旋轉方向的位置時的第1扣合部C15與第2扣合部177的位置關係。圖11(A)、圖12(A)及圖13(A)，係表示圖2A所示載體C與圖10(A)及(B)所示第2扣合部177的平面圖，圖11(B)、圖12(B)及圖13(B)係將夾持具17以正面視時的縱剖面圖。
載體C，係藉由安裝第1載盤123的第1機器人121，載置在夾持具17。如圖5(B)所示，載體C，在載置在夾持具17時，對夾持具17從上方接近。因此，第1扣合部C15，例如，如圖11(B)所示，首先與第2扣合部177的扣合面Fa扣合。在圖11(B)，第1扣合部C15與第2扣合部177遊合，即使是與第2扣合部177的扣合面Fa扣合的狀態，載體C可在上下方向移動。此外，即使是第1扣合部C15與第2扣合部177的扣合面Fa相接，第1扣合部C15藉由在扣合面Fa上滑動，載體C可在上下方向移動。
當載體C的位置降下，則第1扣合部C15，會超過第2扣合部177的扣合面Fa，例如圖12(B)所示，與第2扣合部177的旋轉面Fb扣合。在圖12(B)，第1扣合部C15的左側端部，與配置在左側的第2扣合部177的旋轉面Fb相接。在旋轉面Fb有傾斜，第1扣合部C15的左側端部沿著該傾斜在旋轉面Fb上滑動，而載體C向下方移動。此時，載體C，在圖12(A)向箭頭A的方向(順時針的方向)旋轉。藉由載體C以該旋轉面Fb的傾斜的轉動，本實施形態的載體C，可修正旋轉方向的位置。
第1扣合部C15的左側端部，邊與配置在左側的第2扣合部177扣合，在旋轉面Fb上滑動，沿著旋轉面Fb移動。藉此，載體C，在圖13(A)邊向箭頭A的方向旋轉，邊向既定位置移動。然後，第1扣合部C15超過第2扣合部177的旋轉面Fb，載體C載置在夾持具17時，本實施形態的載體C，例如圖13(A)及(B)所示，載置在載體C的既定位置的定位面Fc。
如圖10所示，可在第2扣合部177的扣合面Fa，設旋轉面Fb及定位面Fc，惟亦可在第1扣合部C15設與該等面相同的面。例如，圖14(A)，係本實施形態的載體C的進一步其他一例的底面圖，圖14(B)係縱剖面圖。示於圖14(A)的載體C，設有第1扣合部C15’。第1扣合部C15’，具有：使扣合面Fa與旋轉面Fb為同一平面的扣合旋轉面Fa’；及定位面Fc’。如此，在本實施形態的修正機構，可使扣合面Fa與旋轉面Fb為同一面。藉此，可抑制修正機構的大小對載體C相對變大。
本實施形態的扣合旋轉面Fa’，以載體C可對夾持具17相對充分旋轉，可修正將氣相沉積裝置1平面視觀看時的旋轉方向的位置的大小為佳。此外，將本實施形態的載體C側面視時，扣合旋轉面Fa’的傾斜角，以具有載體C可對夾持具17相對旋轉的角度為佳。本實施形態的扣合旋轉面Fa’與定位面Fc’所形成的傾斜角α’，可例如為105°~165°、120°~150°、或130°~140°。
圖15~圖17係表示載體C載置在夾持具17時，示於圖14的載體C的第1扣合部C15’，與對應第1扣合部C15’的形狀的第2扣合部177”扣合，修正載體C旋轉方向的位置時的第1扣合部C15’與第2扣合部177”的位置關係。圖15(A)、圖16(A)及圖17(A)係表示示於圖14的載體C與第2扣合部177”的底面圖，圖15(B)、圖16(B)及圖17(B)係正面圖。
載體C，係藉由安裝第1載盤123的第1機器人121，載置在夾持具17。如圖5(B)所示，載體C，在載置在夾持具17時，係對夾持具17從上方接近。因此，第2扣合部177”，例如圖15(A)及(B)所示，首先與第1扣合部C15’左側的扣合旋轉面Fa’扣合。在圖15(B)，第2扣合部177”與第1扣合部C15’遊合，即使是在第1扣合部C15’與旋轉面Fa’扣合的狀態，載體C亦可在上下方向移動。此外，第2扣合部177”，即使與第1扣合部C15’的扣合旋轉面Fa’相接，藉由第2扣合部177”在扣合旋轉面Fa’上滑動，載體C可在上下方向移動。
此外，在本實施形態的載體C的第1扣合部C15’，由於扣合面Fa與旋轉面Fb形成為同一扣合旋轉面Fa’，故在第1扣合部C15’與第2扣合部177”扣合的階層，載體C開始轉動。例如，載體C，在圖15(A)，藉由向夾持具向下方向移動，如圖15(B)所示，第2扣合部177”在第1扣合部C15’左側的扣合旋轉面Fa’上滑動。藉由該扣合旋轉面Fa’上的第2扣合部177”的滑動，載體C，在圖15(A)開始向A’的方向轉動。
當載體C的位置下降，則例如圖16(A)所示，第2扣合部177”藉由與載體C的外周側牆面C13相接，載體C向箭頭A’方向的轉動會停止。如圖16(A)所示，箭頭A’方向的轉動停止的載體C，例如圖16(B)所示，第2扣合部177”藉由在扣合旋轉面Fa’上滑動而向下方移動。然後，第2扣合部177”，超過扣合旋轉面Fa’，則例如圖17(A)及(B)所示，與定位面Fc’嵌合。藉由使第2扣合部177”與定位面Fc’嵌合，載體C會載置在夾持具17的既定位置。
接著，說明在本實施形態的氣相沉積裝置1，在磊晶膜的生成前(以下，亦單稱為處理前)及磊晶膜生成後(以下，亦單稱為處理後)的晶圓WF、處理載體C的程序。圖18A~圖18D係表示本實施形態的氣相沉積裝置的晶圓及載體的處理程序的示意圖，圖1的一方的晶圓收納容器15、對應裝載室13及反應爐11，在晶圓收納容器15，收納複數片晶圓W1、W2、W3…(例如共計25片)，以此順序開始處理。
圖18A的步驟S0，係表示從此使用氣相沉積裝置1開始處理的待命狀態，在晶圓收納容器15，收納複數片晶圓W1、W2、W3…(例如，共計25片)，在裝載室13的第1夾持具172支持空的載體C1，第2夾持具173支持空的載體C2，在裝載室13呈惰性氣體氣氛。
在下一步驟S1，第2機器人141，將收納在晶圓收納容器15的晶圓W1載放在第2載盤143，打開裝載室13的第1門131，移載到第1夾持具172支持的載體C1。該移載程序係如參照圖7所說明。
在下一步驟S2，關閉裝載室13的第1門131，以關閉第2門132的狀態，將裝載室13的內部再度置換成惰性氣體氣氛。然後，打開第2門132，將載體C1載放在第1機器人121第1載盤123，開始反應爐11的閘閥114，經由該閘閥114將搭載晶圓W1的載體C1移載到基座112。該移載程序係如參照圖4所說明。在步驟S2~S4，在反應爐11，進行對晶圓W1的CVD膜生成處理。
即，將搭載處理前晶圓W1的載體C1移載到反應室111的基座112，關閉閘閥114，待命既定時間之後，由氣體供給裝置113對反應室111供給氫氣，使反應室111呈氫氣氣氛。接著，以加熱燈將反應室111的晶圓W1升溫到既定溫度，按照需要施以蝕刻或熱處理等前處理之後，由氣體供給裝置113邊控制原料氣體或摻雜物氣體的流量及/或供給時間而供給。藉此，在晶圓W1的表面，生成CVD膜。形成了CVD膜，則由氣體供給裝置113對反應室111再度供給氫氣置換成氫氣氣氛之後，待命既定時間。
如此在步驟S2~S4，藉由反應爐11對晶圓WI進行處理時，第2機器人141，從晶圓收納容器15取出下一個晶圓W2，做下一處理的準備。在此之前，在本實施形態，在步驟S3，關閉裝載室13的第2門132，以關閉第1門131的的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開第2門132，以第1機器人121，將第2夾持具173支持的載體C2，移載到第1夾持具172，關閉第2門132。接著，在步驟S4，第2機器人141，將收納在晶圓收納容器15的晶圓W2載放到第2載盤143，打開第1門131，將支持在裝載室13的第1夾持具172的載體C2移載。
在如此的本實施形態，追加步驟S3，將收納在晶圓收納容器15的處理前晶圓WF，搭載到裝載室13的夾持具17的最上層的夾持具的第1夾持具172。此係根據如下理由。即，如步驟S2所示，搭載下一晶圓W2的空的載體C2係以第2夾持具173支持時，若將晶圓W2搭載於此，則有搭載處理後晶圓W1的載體C1移載到第1夾持具172的可能性。由於本實施形態的氣相沉積裝置1的載體C，會被送到反應室111，故載體C會成為產生粒子的主要原因，載體C1被支持在處理前晶圓W2的上部，則有塵埃掉到處理前晶圓W2之虞。因此，將處理前晶圓WF搭載於裝載室13的夾持具17的最上層的夾持具(第夾持具172)，追加步驟S3，將空的載體C2移載到第1夾持具172。在夾持具17的上層夾持具的第1夾持具172，設置本實施形態的修正機構時，在步驟S3，將第2夾持具173移載到第1夾持具172時，修正載體C的旋轉方向的位置。
在步驟S5，以關閉裝載室13的第1門131，關閉第2門132的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開反應爐11的閘閥114，將第1機器人121的第1載盤123插入反應室111，將搭載處理後晶圓W1的載體C1載放，從反應室111取出，關上閘閥114之後，打開第2門132，將裝載室13的第2夾持具173移載。將本實施形態的修正機構設在夾持具17的下層夾持具的第2夾持具173時，在步驟S5，將載體C從反應室111移載到第2夾持具173時，修正載體C的旋轉方向的位置。然後，在第1機器人121的第1載盤123，載放第1夾持具172支持的載體C2，將搭載該處理前晶圓W2的載體C2，如步驟S6所示，經由晶圓移載室12，打開閘閥114，將反應爐11的基座112移載。
在步驟S6~S9，在反應爐11，進行對晶圓W2生成CVD膜的處理。即，將搭載處理前晶圓W2的載體C2移載到反應室111的基座112，關閉閘閥114，待命既定時間之後，由氣體供給裝置113對反應室111供給氫氣，使反應室111呈氫氣氣氛。接著，以加熱燈將反應室111的晶圓W2升溫到既定溫度，按照需要進行蝕刻或熱處理等前處理之後，由氣體供給裝置113邊控制原料氣體或摻雜物氣體的流量及/或供給時間而供給。藉此在晶圓W2的表面生成CVD膜。形成CVD膜，則由氣體供給裝置113對反應室111再度供給氫氣氫，將反應室111置換成氣體氣氛之後，待命既定時間。
如此在步驟S6~S9，藉由反應爐11對晶圓W2進行處理時，第2機器人141，將處理後的晶圓W1收納在晶圓收納容器15的同時，從晶圓收納容器15取出下一晶圓W3，做下一處理的準備。即，在步驟S7，以關閉裝載室13的第2門132，亦關閉第1門131的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開第1門131，藉由第2機器人141，將處理後晶圓W1，從支持在第2夾持具173的載體C1，載放到第2載盤143，如步驟S8所示，將該處理後的晶圓W1收納在晶圓收納容器15。接著，與上述步驟S3同樣，在步驟S8，以關閉裝載室13的第1門131，關閉第2門132的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開第2門132，藉由第1機器人121，將支持在第2夾持具173的載體C1移載到第1夾持具172。在夾持具17的上層夾持具的第1夾持具172設置本實施形態的修正機構時，在步驟S8，將載體C移載到第1夾持具172時，修正載體C的旋轉方向的位置。
接著，在步驟S9，以關閉裝載室13的第2門132，亦關閉第1門131的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，藉由第2機器人141，將收納在晶圓收納容器15的晶圓W3載放到第2載盤143，如步驟S9所示，打開第1門131，移載到裝載室13的支持在第1夾持具172的載體C1。
在步驟S10，與上述步驟S5同樣，以關閉裝載室13的第1門131，亦關閉第2門132的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開反應爐11的閘閥114，將第1機器人121的第1載盤123插入反應室111，將搭載處理後晶圓W2的載體C2載放，關閉閘閥114之後，打開第2門132，將第2夾持具173從反應室111移載到裝載室13。接著，將支持在第1夾持具172的載體C1，移載到第1機器人121的第1載盤123，將搭載該處理前晶圓W3的載體C1，如步驟S11所示，經由晶圓移載室12，移載到反應爐11的基座112。
在步驟S10，與上述步驟S7同樣，以關閉裝載室13的第2門132，亦關閉第1門131的狀態，將裝載室13內部置換成惰性氣體氣氛。然後，打開第1門131，藉由第2機器人141，將處理後晶圓W2從支持在第2夾持具173的載體C2載放到第2載盤143，如步驟S11所示，將該處理後晶圓W2收納在晶圓收納容器15。以下，直到收納在晶圓收納容器15的所有處理前晶圓WF的處理結束，重複以上的步驟。
如以上，在本實施形態的氣相沉積裝置1，藉由在載體C與夾持具17設置沿著晶圓WF的圓周方向修正載體C的旋轉方向的位置的修正機構，可修正晶圓對載體的旋轉方向的位置偏移。此時，藉由設置限制載體C的順時針轉動及逆時針轉動的一對修正機構，可更加修正載體C的旋轉方向的位置偏移。此外，本實施形態的修正機構，在以平面視觀看氣相沉積裝置1時，藉由將載體C的上下方向及左右方向的位置修正，可抑制修正載體C的位置所需的修正機構的數量。再者，藉由在夾持具17，在最上層的夾持具不設置修正機構，從第2層以下的層之中的至少一層設置修正機構，已經藉由修正機構修正旋轉方向的位置的載體C，可避免再度在最上層的夾持具修正位置。
此外，藉由本實施形態的修正機構，包含設在載體C的第1扣合部C15、C15’、及設在夾持具17的第2扣合部177、177’，177”，可更加修正載體C的旋轉方向的位置偏移。再者，藉由具備：第2扣合部177，與第1扣合部C15扣合的扣合面Fa；對夾持具17使載體C相對旋轉的旋轉面Fb；及決定載體C對夾持具17的修正位置的定位面Fc，使第1扣合部C15與第2扣合部177遊合，則可將載體C導向定位面Fc，而可更加修正載體C從既定位置的偏移。再者，藉由第1扣合部C15’，與第2扣合部177”扣合，具備使載體C對夾持具17相對旋轉的扣合轉動面Fa’，及決定載體C對夾持具17的的修正位置的定位面Fc’，只要第1扣合部C15’與第2扣合部177”遊合，則可將載體C導向定位面Fc’，而可更加修正載體C從既定位置的偏移。此時，藉由作成扣合面Fa與旋轉面Fb在同一面的扣合旋轉面Fa’，可抑制本實施形態的修正機構對載體C變大，而可抑制對載體C的溫度或形成的CVD膜的品質量造成影響。
1:氣相沉積裝置 11:反應爐 111:反應室 112:基座 113:氣體供給裝置 114:閘閥 115:載體升降頂針 12:晶圓移載室 121:第1機器人 122:第1機器人控制器 123:第1載盤 124:第1凹部 13:裝載室 131:第1門 132:第2門 14:工廠介面 141:第2機器人 142:第2機器人控制器 143:第2載盤 15:晶圓收納容器 16:管理控制器 17:夾持具 171:夾持具基盤 172:第1夾持具 173:第2夾持具 174:晶圓升降頂針 175:第1夾持具支持體 176:第2夾持具支持體 177,177’,177”:第2扣合部 177a’:基部 177b:突起 Fa:扣合面 Fb:旋轉面 Fe:定位面 α:傾角 C:載體 C11:底面 C12:表面 C13:外周側牆面 C14:內周側牆面 C15,C15’:第1扣合部 Fa’:扣合旋轉面 Fc’:定位面 α’:傾角 WF:晶圓
［圖1］係表示關於本發明的實施形態的氣相沉積裝置的區塊圖。 ［圖2A］係表示關於本發明的實施形態的載體及設在載體的第1扣合部的一例的平面圖。 ［圖2B］係包含在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及反應爐的基座的圖2A的載體的縱剖面圖。 ［圖3A］係本發明的實施形態的載體及設在載體的第1扣合部的其他例的平面圖。 ［圖3B］係包含在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及反應爐的基座的圖3A的載體的縱剖面圖。 ［圖4］係表示在圖1的氣相沉積裝置的反應室內的晶圓及載體的移載程序的平面圖及縱剖面圖。 ［圖5A］係表示設在圖1的氣相沉積裝置的裝載室的夾持具的一例的平面圖。 ［圖5B］係包含在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的圖5A的夾持具的縱剖面圖。 ［圖5C］圖5C(A)係表示設在圖5A的載體的第2扣合部的平面圖，圖5C(B)係縱剖面圖。 ［圖6A］係表示設在圖1的氣相沉積裝置的裝載室的夾持具的其他例的平面圖。 ［圖6B］係包含在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的圖6A的夾持具的縱剖面圖。 ［圖7］係表示在圖1的氣相沉積裝置的裝載室的晶圓及載體的移載程序的平面圖及縱剖面圖。 ［圖8］圖8(A)係表示安裝在圖1的氣相沉積裝置的第1機器人的手臂前端的第1載盤的一例的平面圖，圖8(B)係包含在圖1的氣相沉積裝置的載體及晶圓的第1載盤的縱剖面圖。 ［圖9A］係將支持晶圓的圖2A的載體載置在圖5A的夾持具時的載體及夾持具的平面圖。 ［圖9B］係將支持晶圓的圖3A的載體載置在圖6A的夾持具時的載體及夾持具的平面圖。 ［圖10］係表示在圖1的氣相沉積裝置，設在裝載室的夾持具的第2扣合部的其他例的平面圖(圖10(A))與縱剖面圖(圖10(B))。 ［圖11］係表示使用圖2A所示載體的第1扣合部與圖10的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖11(A))及縱剖面圖(圖11(B))(其1)。 ［圖12］係表示使用圖2A所示載體的第1扣合部與圖10的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖12(A))及縱剖面圖(圖12(B))(其2)。 ［圖13］係表示使用圖2A所示載體的第1扣合部與圖10的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖13(A))及縱剖面圖(圖13(B))(其3)。 ［圖14］係表示關於本發明的實施形態的設在載體的第1扣合部的進一步其他例的平面圖。 ［圖15］係表示使用圖14所示載體的第1扣合部與對應該第1扣合部的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖15(A))及縱剖面圖(圖15(B))(其1)。 ［圖16］係表示使用圖14所示載體的第1扣合部與對應該第1扣合部的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖16(A))及縱剖面圖(圖16(B))(其2)。 ［圖17］係表示使用圖14所示載體的第1扣合部與對應該第1扣合部的第2扣合部的載體旋轉方向的位置修正的一例的平面圖(圖17(A))及縱剖面圖(圖17(B))(其3)。 ［圖18A］係表示在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的處理程序之圖(其1)。 ［圖18B］係表示在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的處理程序之圖(其2)。 ［圖18C］係表示在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的處理程序之圖(其3)。 ［圖18D］係表示在圖1的氣相沉積裝置的晶圓及載體的處理程序之圖(其4)。
1:氣相沉積裝置
11:反應爐
111:反應室
112:基座
113:氣體供給裝置
114:閘閥
12:晶圓移載室
121:第1機器人
122:第1機器人控制器
123:第1載盤
13:裝載室
131:第1門
132:第2門
14:工廠介面
141:第2機器人
142:第2機器人控制器
143:第2載盤
15:晶圓收納容器
16:管理控制器
WF:晶圓

Claims (12)

  1. 一種氣相沉積裝置，其係使用支持晶圓的環狀載體，在上述晶圓形成CVD膜的氣相沉積裝置，其具備：設有支持上述環狀載體的夾持具的裝載室，在上述環狀載體與上述夾持具，設有沿著上述晶圓的圓周方向修正上述環狀載體的旋轉方向的位置的修正機構。
  2. 如請求項1之氣相沉積裝置，其中上述修正機構，包含限制上述環狀載體的順時針轉動及逆時針轉動的一對修正機構。
  3. 如請求項1之氣相沉積裝置，其中上述修正機構，將裝置以平面視觀看時，包含修正上述環狀載體的上下方向及左右方向的位置的修正機構。
  4. 如請求項2之氣相沉積裝置，其中上述修正機構，將裝置以平面視觀看時，包含修正上述環狀載體的上下方向及左右方向的位置的修正機構。
  5. 如請求項1至4之任何一項之氣相沉積裝置，其中上述修正機構，包含設在上述環狀載體的第1扣合部及設在上述夾持具的第2扣合部。
  6. 如請求項5之氣相沉積裝置，其中上述第2扣合部，具備：與上述第1扣合部扣合的扣合面；使上述環狀載體對上述夾持具正相對旋轉的旋轉面；及決定上述環狀載體對上述夾持具的修正位置的定位面。
  7. 如請求項5之氣相沉積裝置，其中上述第1扣合部，具備：與上述第2扣合部扣合的扣合面；使上述環狀載體對上述夾持具正相對旋轉的旋轉面；及決定上述環狀載體對上述夾持具的修正位置的定位面。
  8. 如請求項6之氣相沉積裝置，其中上述扣合面與上述旋轉面係同一面。
  9. 如請求項7之氣相沉積裝置，其中上述扣合面與上述旋轉面係同一面。
  10. 如請求項1至4之任何一項之氣相沉積裝置，其中上述夾持具係至少上下支持兩個上述環狀載體的夾持具，在最上層的夾持具沒有設置上述修正機構。
  11. 如請求項1至4之任何一項之氣相沉積裝置，其中上述CVD膜係矽磊晶膜。
  12. 如請求項1至4之任何一項之氣相沉積裝置，其中將複數處理前的上述晶圓，從晶圓收納容器，依序經由工廠介面、上述裝載室及晶圓移載室搬送到對上述晶圓形成上述CVD膜的上述反應室的同時，將複數處理後的上述晶圓，從上述反應室，依序經由上述晶圓移載室、上述裝載室及上述工廠介面，搬送到上述晶圓收納容器，上述裝載室，經由第1門與上述工廠介面連通的同時，經由第2門與上述晶圓反應室連通，上述晶圓移載室，經由閘閥與上述反應室連通，在上述晶圓移載室，設有將搬送到上述裝載室的處理前的上述晶圓，以支持在載體的狀態投入上述反應室的同時，將在上述反應室結束處理的處理後的上述晶圓，以支持在載體的狀態從上述反應室取出送到上述裝載室的第1機器人，在上述工廠介面，設有將處理前的上述晶圓從上述收納容器取出，以在上述裝載室待命的載體支持的同時，將搬送到上述裝載室的支持在上述環狀載體的處理後的上述晶圓，收納到上述晶圓收納容器的第2機器人。
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