Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI765160B - 控制設備、曝光設備和物品的製造方法 - Google Patents

控制設備、曝光設備和物品的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI765160B
TWI765160B TW108121930A TW108121930A TWI765160B TW I765160 B TWI765160 B TW I765160B TW 108121930 A TW108121930 A TW 108121930A TW 108121930 A TW108121930 A TW 108121930A TW I765160 B TWI765160 B TW I765160B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
stage
feedforward
substrate stage
drive
substrate
Prior art date
Application number
TW108121930A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202006485A (zh
Inventor
栗原孝史
Original Assignee
日商佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商佳能股份有限公司 filed Critical 日商佳能股份有限公司
Publication of TW202006485A publication Critical patent/TW202006485A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI765160B publication Critical patent/TWI765160B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/19—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by positioning or contouring control systems, e.g. to control position from one programmed point to another or to control movement along a programmed continuous path
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70766—Reaction force control means, e.g. countermass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00—Automatic controllers
    • G05B11/01—Automatic controllers electric
    • G05B11/32—Automatic controllers electric with inputs from more than one sensing element; with outputs to more than one correcting element
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/41—Servomotor, servo controller till figures
    • G05B2219/41427—Feedforward of position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Control Of Multiple Motors (AREA)

Abstract

本發明揭露了控制設備、曝光設備、以及物品的製造方法。本發明提供了一種用於執行同步控制的控制設備，該同步控制用於同步第二移動部件的驅動以便跟隨第一移動部件的驅動，該控制設備包括前饋控制系統，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得彼此同步地驅動該第一移動部件和該第二移動部件時該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差、以及該第二移動部件的輸入/輸出回應，並且基於該第一移動部件與該第二移動部件之間的同步誤差以及該第二移動部件的該輸入/輸出回應計算前饋操縱變數，該第一移動部件與該第二移動部件之間的同步誤差是從該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差獲得的。

Description

控制設備、曝光設備和物品的製造方法
本發明涉及控制設備、曝光設備和物品的製造方法。
作為用於製造半導體裝置等的微影設備的一種的曝光設備需要抑制在向目標位置移動諸如保持光罩(reticle)(原版(original))或基板的載台的移動部件(控制目標)時的位置偏差。為了實現這一點，日本專利No. 5968017提出了一種向移動部件應用基於移動部件的控制回應和位置偏差產生的前饋表以抑制基於其產生前饋表的位置偏差的技術。 步進掃描曝光設備(掃描器)採用同步地驅動光罩載台和基板載台的主(master)-從(slave)方法作為驅動光罩載台(第一移動部件)和基板載台(第二移動部件)的方法。即使日本專利No. 5968017中揭露的技術被應用於這樣的曝光設備並且基於每個載台的位置偏差產生的前饋表被應用於每個載台，也不可能抑制從設備側的載台的位置偏差。另外，作為光罩載台的位置偏差與基板載台的位置偏差之間的差值的同步誤差也變大。
本發明提供了一種在抑制第一移動部件與第二移動部件之間的同步誤差上有利的控制設備。 根據本發明的第一態樣，提供一種用於執行同步控制的控制設備，該同步控制用於同步第二移動部件的驅動以便跟隨第一移動部件的驅動，該控制設備包括：回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該第一移動部件和該第二移動部件中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該第二移動部件提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該第一移動部件與該第二移動部件之間的同步誤差，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得彼此同步地驅動該第一移動部件和該第二移動部件時該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差、以及該第二移動部件的輸入/輸出回應，並且基於該第一移動部件與第二移動部件之間的同步誤差以及該第二移動部件的該輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該第一移動部件與第二移動部件之間的同步誤差是從該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差獲得的。 根據本發明的第二態樣，提供一種用於控制包括複數個驅動軸的移動部件的驅動的控制設備，該控制設備包括：回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該移動部件沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該移動部件與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該移動部件沿該第二驅動軸的驅動向該移動部件提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該移動部件沿該第一驅動軸的驅動對該移動部件沿該第二驅動軸的驅動的影響，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該移動部件的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該移動部件的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該移動部件的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。 根據本發明的第三態樣，提供一種用於曝光基板的曝光設備，該曝光設備包括：基板載台，該基板載台經組態為保持基板；光罩載台，該光罩載台經組態為保持光罩，該光罩具有要被轉印到該基板的圖案；以及控制設備，該控制設備經組態為執行同步控制，該同步控制用於同步該基板載台的驅動以便跟隨該光罩載台的驅動，該控制設備包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該光罩載台和基板載台中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該基板載台提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得彼此同步地驅動該光罩載台和該基板載台時該光罩載台和該基板載台的位置偏差、以及該基板載台的輸入/輸出回應，並且基於該光罩載台與基板載台之間的同步誤差以及該基板載台的輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差是從該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得的。 根據本發明的第四態樣，提供一種用於曝光基板的曝光設備，該曝光設備包括：基板載台，該基板載台經組態為保持基板；以及控制設備，該控制設備經組態為控制包括複數個驅動軸的該基板載台的驅動，該基板載台包括該複數個驅動軸，並且該控制設備包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該基板載台沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該基板載台與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該基板載台沿該第二驅動軸的驅動向該基板載台提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該基板載台沿該第一驅動軸的驅動對該基板載台沿該第二驅動軸的驅動的影響，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該基板載台的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。 根據本發明的第五態樣，提供一種物品的製造方法，該方法包括：使用曝光設備曝光基板；顯影經曝光的該基板；以及從經顯影的該基板製造該物品，其中，該曝光設備包括基板載台，該基板載台經組態為保持該基板，光罩載台，該光罩載台經組態為保持光罩，該光罩具有要被轉印到該基板的圖案，以及控制設備，該控制設備經組態為執行同步控制，該同步控制用於同步該基板載台的驅動以便跟隨該光罩載台的驅動，該控制設備包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該光罩載台和該基板載台中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該基板載台提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差，並且該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得彼此同步地驅動該光罩載台和該基板載台時該光罩載台和基板載台的位置偏差、以及該基板載台的輸入/輸出回應，並且基於該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差以及該基板載台的輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差是從該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得的。 根據本發明的第六態樣，提供一種物品的製造方法，該方法包括：使用曝光設備曝光基板；顯影經曝光的該基板；以及從經顯影的該基板製造該物品，其中，該曝光設備包括基板載台，該基板載台經組態為保持該基板，以及控制設備，該控制設備經組態為控制包括複數個驅動軸的該基板載台的驅動，該基板載台包括該複數個驅動軸， 該控制設備包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該基板載台沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該基板載台與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該基板載台沿該第二驅動軸的驅動向該基板載台提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該基板載台沿該第一驅動軸的驅動對該基板載台沿該第二驅動軸的驅動的影響，並且該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該基板載台的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。 從以下參考所附圖式對示例性實施例的描述，本發明的進一步的特徵將變得清楚。
下面將參考所附圖式描述本發明的較佳實施例。注意，在整個圖式中，相同的元件編號表示相同的部件，並且將不給出其重複描述。 ＜第一實施例＞ 圖1是示出根據本發明的一個態樣的曝光設備1的配置的示意圖。曝光設備1是在作為半導體裝置等的製造步驟的微影步驟中被採用以在基板上形成圖案的微影設備。在本實施例中，曝光設備1通過步進掃描方法曝光基板以將光罩的圖案轉印到基板上。 曝光設備1包括利用來自光源2的光照明光罩4的照明光學系統3、保持和移動光罩4的光罩載台10、以及將光罩4的圖案投影到基板6上的投影光學系統5。另外，曝光設備1包括保持和移動基板6的基板載台20、鏡子7、雷射干涉儀8、以及控制單元9。 光源2使用準分子雷射器，諸如具有大約248nm的波長的KrF準分子雷射器或具有大約193nm的波長的ArF準分子雷射器。然而，光源2的類型和光源2的數量不被特別限制，例如，可以使用具有大約157nm的波長的F2 雷射器作為光源2。 照明光學系統3是利用來自光源2的光照明光罩4的光學系統。照明光學系統3包括對來自光源2的光的形狀進行整形的射束整形光學系統、以及形成用於以均勻的照度分佈照明光罩4的複數個二次光源的光學積分器(integrator)。 光罩4具有要被轉印到基板6上的圖案，並且由光罩載台10保持和驅動。由光罩4(的圖案)衍射的光經由投影光學系統5投影到基板6上。光罩4和基板6以光學共軛關係被配置。由於曝光設備1是步進掃描曝光設備，因此它通過同步掃描光罩4和基板6將光罩4的圖案轉印到基板6上。 光罩載台10包括用於保持(吸住)光罩4的吸盤，並且經組態為在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、以及軸的旋轉方向上可移動。假設光罩4或基板6的平面中的掃描方向被設定為Y軸，垂直於Y軸的方向被設定為X軸，並且垂直於光罩4或基板6的平面的方向被設定為Z軸。 投影光學系統5是將光罩4的圖案投影到基板6上的光學系統。作為投影光學系統5，可以使用折射系統、反射折射系統、或者反射系統。 基板6是光罩4的圖案被投影(轉印)其上的基板。抗蝕劑(感光劑)被應用於基板6。基板6包括矽基板、玻璃板、或者任何其它基板。 基板載台20包括用於保持(吸住)基板6的吸盤，並且經組態為在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、以及軸的旋轉方向上可移動。鏡子7被固定到基板載台20，並且雷射干涉儀8通過使用鏡子7檢測基板載台20的位置和速度。 控制單元9由包括CPU和記憶體的電腦形成，並且通過根據儲存在儲存單元中的程式全面地控制曝光設備1的單元來操作曝光設備1。例如，控制單元9控制光罩載台10和基板載台20的同步驅動。在本實施例中，控制單元9將光罩載台10和基板載台20設定為控制目標。更具體地，控制單元9執行用於同步基板載台20(第二移動部件)的驅動以便跟隨光罩載台10(第一移動部件)的驅動的同步驅動，即，執行同步控制(用作控制設備)。 圖2是同步地驅動(同步地控制)光罩載台10和基板載台20的控制單元9的控制方塊圖。參考圖2，為了控制光罩載台10(的驅動)，配置控制器11、電流驅動器12、以及充當驅動光罩載台10的驅動單元的線性馬達13。類似地，為了控制基板載台20(的驅動)，配置控制器21、電流驅動器22、以及充當驅動基板載台20的驅動單元的線性馬達23。 如圖2中所示，回饋控制環路(回饋控制系統)FBR 和FBW 分別被配置在載台的控制塊中。回饋控制環路FBR 和FBW 分別對光罩載台10和基板載台20執行回饋控制以減小與目標位置的位置偏差。光罩載台10的回饋控制環路FBR 向電流驅動器12提供由控制器11基於作為光罩載台10的檢測位置15與位置命令值16之間的差值的位置偏差14決定(計算)的電流命令值。電流驅動器12向線性馬達13提供與電流命令值對應的電流值，由此驅動光罩載台10。類似地，基板載台20的回饋控制環路FBW 向電流驅動器22提供由控制器21基於作為基板載台20的檢測位置25與位置命令值26之間的差值的位置偏差24決定(計算)的電流命令值。電流驅動器22向線性馬達23提供與電流命令值對應的電流值，由此驅動基板載台20。 當通過主-從方法同步地驅動光罩載台10和基板載台20時，光罩載台10的位置偏差14經由同步濾通器(pass filter)30被加到基板載台20的位置偏差24。這控制基板載台20以便跟隨光罩載台10的驅動。同步濾通器30考慮充當從設備的基板載台20的控制帶執行濾波(例如，低通濾波)。 參考圖2，同步誤差41指示光罩載台10的位置偏差14與基板載台20的位置偏差24之間的差值。注意，如果投影光學系統5的倍率(光罩4的圖案的縮放)是1/N，則同步驅動載台時光罩載台10的驅動行程是基板載台20的驅動行程的N倍。因此，獲得作為基板載台20的位置偏差24與通過將光罩載台10的位置偏差14乘以1/N獲得的值之間的差值的同步誤差41。 圖3是在應用日本專利No. 5968017中揭露的技術時同步地驅動(同步地控制)光罩載台10和基板載台20的控制單元9的控制方塊圖。參考圖3，計算器17、前饋表18、以及轉換開關100被添加到光罩載台10的控制塊。換句話說，執行前饋控制以減小與目標位置的位置偏差的前饋控制系統FCR 被配置在光罩載台10的控制塊中。計算器17基於光罩載台10的位置偏差14計算(產生)前饋表18。轉換開關100是用於切換是否將前饋表18應用於對於電流驅動器12的電流命令值的開關。類似地，計算器27、前饋表28、以及轉換開關200被添加到基板載台20的控制塊。換句話說，執行前饋控制以減小與目標位置的位置偏差的前饋控制系統FCW 被配置在基板載台20的控制塊中。計算器27基於基板載台20的位置偏差24計算(產生)前饋表28。轉換開關200是用於切換是否將前饋表28應用於對於電流驅動器22的電流命令值的開關。 將參考圖4描述日本專利No. 5968017中揭露的技術中計算前饋表18和28的處理。在該處理中，計算器17和27分別基於載台的位置偏差計算前饋表18和28。 在步驟S11中，轉換開關100和200被關斷以設定前饋表18和28分別不被應用於電流驅動器12和22的電流命令值的狀態。 在步驟S12中，在與實際使用時(曝光基板6的曝光處理時)的軌道相同的軌道上同步地驅動光罩載台10和基板載台20的同時，測量載台的位置偏差14和24。在該示例中，eRSt 表示光罩載台10的測量位置偏差，eWSt 表示基板載台20的測量位置偏差。對於位置偏差eRSt 和eWSt 中的每一個，在期望抑制位置偏差的採樣時間區間(t=1至M)中提取資料。提取的載台的位置偏差ERRRS 和ERRWS 由下式給出：
Figure 02_image001
在步驟S13中，測量每個載台的控制回應(輸入/輸出回應)。更具體地，在光罩載台10保持靜止的狀態(位置命令值16為零)下，轉換開關100被接通以代替前饋表18而將圖5中所示的操縱變數FF∆應用於電流驅動器12的電流命令值。然後，測量光罩載台10的控制回應rRSt 。注意，在本實施例中，由於操縱變數FF∆是脈衝信號，因此光罩載台10的控制回應rRSt 是脈衝回應。然而，可以應用階梯信號作為操縱變數FF∆。在這種情況下，光罩載台10的控制回應rRSt 是階梯回應。類似地，在基板載台20保持靜止的狀態(位置命令值26為零)下，轉換開關200被接通以代替前饋表28而將圖5中所示的操縱變數FF∆應用於電流驅動器22的電流命令值。然後，測量基板載台20的控制回應rWSt 。此外，在任意區間中從測量的控制回應rRSt 和rWSt 提取資料。為了方便起見，設定t=1至M。然而，可以設定t=T+1至T+M(T表示任意採樣時間)。提取的載台的控制回應RSPRS 和RSPWS 由下式給出：
Figure 02_image003
在步驟S14中，計算關於每個載台的前饋表(前饋操縱變數)。令FFRS 是關於光罩載台10的前饋表並且FFWS 是關於基板載台20的前饋表。關於光罩載台10，從在步驟S12中測量的位置偏差ERRRS 和在步驟S13中測量的控制回應RSPRS ，基於抑制位置偏差ERRRS 的位置偏差計算前饋表FFRS 。類似地，關於基板載台20，從在步驟S12中測量的位置偏差ERRWS 和在步驟S13中測量的控制回應RSPWS ，基於抑制位置偏差ERRWS 的位置偏差計算前饋表FFWS 。 將詳細描述前饋表FFRS 和FFWS 的計算。假設即使在一次採樣操作之後應用操縱變數FF∆時也對各個載台獲得控制回應RSPRS 和RSPWS ，並且控制回應由RSPRS1 和RSPWS1 表示。類似地，兩次、三次、......、N次採樣操作之後的控制回應由RSPRS2 和RSPWS2 、RSPRS3 和RSPWS3 、......、RSPRSN 和RSPWSN 表示。在這種情況下，光罩載台10的控制回應RSPRS0 、RSPRS1 、......、RSPRSN 由下式給出：
Figure 02_image005
注意，基板載台20與光罩載台10類似，並且下面將省略其描述。 如果光罩載台10的控制回應具有線性，則對於通過將操縱變數FF∆乘以任意增益g獲得的g・FF∆光罩載台10的控制回應由g・RSPRS 給出。因此，令gN為N次採樣操作之後的操縱變數FF∆的增益，則滿足等式(6)。
Figure 02_image007
注意，應用N次採樣操作之後的所有操縱變數FF∆時光罩載台10的回應R等於N個回應之和，其由下式給出：
Figure 02_image009
為了通過將前饋表FFRS 應用於光罩載台10(電流驅動器12的電流命令值)來去除(消除)位置偏差ERRRS ，回應資料R僅需要等於位置偏差ERRRS 。因此，可以通過使用如由下式給出的偽逆矩陣獲得增益gN ：
Figure 02_image011
通過使用由此獲得的增益gN ，獲得基於抑制光罩載台10的位置偏差ERRRS 的位置偏差的前饋表FFRS (通過將操縱變數FF∆乘以增益gN 獲得的gN ・FF∆)。 由此獲得的前饋表FFRS 和FFWS 分別作為前饋表18和28儲存在光罩載台10和基板載台20的控制塊的儲存單元中。然後，在曝光處理中的光罩載台10和基板載台20的驅動期間，前饋表18和28分別根據載台的檢測位置15和25被應用於載台。此時，通過應用前饋表18抑制光罩載台10的位置偏差14。因此，應用於基板載台20以跟隨光罩載台10的驅動的光罩載台10的位置偏差14不同於前饋表18應用於光罩載台10之前的位置偏差。然而，前饋表28是為了抑制包括前饋表18應用於光罩載台10之前的位置偏差14的位置偏差而獲得的表。因此，如果前饋表28應用於基板載台20，則不能精確地校正基板載台20的位置，並且基板載台20的位置偏差24變大。作為結果，光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41變大，從而降低曝光精度。 為了解決該問題，在本實施例中，如圖6中所示，在基板載台20的控制塊中提供計算器51以代替計算器27。換句話說，執行前饋控制的前饋控制系統FCCW 被配置在基板載台20的控制塊中。如稍後將描述的那樣，與前饋控制系統FCW 不同，前饋控制系統FCCW 執行前饋控制以減小在回饋控制被執行的狀態下光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差。圖6是根據本實施例的同步地驅動(同步地控制)光罩載台10和基板載台20的控制單元9的控制方塊圖。 計算器51基於光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41以及基板載台20的控制回應RSPWS 計算(產生)前饋表52。然後，通過將前饋表52應用於對於電流驅動器22的電流命令值可以抑制基板載台20的位置偏差24，由此抑制光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41。 將參考圖7描述根據第一實施例的計算前饋表52的處理。在該處理中，計算器51基於光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41計算前饋表52。 在步驟S21中，轉換開關100和200被關斷以設定載台的前饋表18和52不被應用於電流驅動器12和22的電流命令值的狀態。 在步驟S22中，在與實際使用時(曝光基板6的曝光處理時)的軌道相同的軌道上同步地驅動光罩載台10和基板載台20的同時，測量(獲得)載台的位置偏差14和24。然後，與日本專利No. 5968017中揭露的技術類似，在期望抑制載台的位置偏差的採樣時間區間中提取資料，並且ERRRS 和ERRWS 分別表示提取的光罩載台10和基板載台20的位置偏差。 在步驟S23中，測量基板載台20的控制回應。更具體地，在基板載台20保持靜止的狀態(位置命令值26為零)下，將圖5中所示的操縱變數FF∆應用於電流驅動器22的電流命令值。然後，測量基板載台20的控制回應以在任意區間中提取資料，並且RSPWS 表示提取的基板載台20的控制回應。 在步驟S24中，從在步驟S22中測量的位置偏差ERRRS 和ERRWS 之間的差值計算同步誤差SYN，其由下式給出：
Figure 02_image013
在步驟S25中，計算關於基板載台20的前饋表。關於基板載台20的前饋表由FFSYN 表示。更具體地，與等式(8)類似，從在步驟S24中計算的同步誤差SYN和在步驟S23中測量的控制回應RSPWS 獲得增益gN ，其由下式給出：
Figure 02_image015
然後，基於抑制同步誤差SYN的同步誤差計算前饋表FFSYN 。 由此獲得的前饋表FFSYN 作為前饋表52儲存在基板載台20的控制塊的儲存單元中。然後，在曝光處理中的光罩載台10和基板載台20的驅動期間(當執行同步驅動時)，前饋表52根據基板載台20的檢測位置25被應用於基板載台20。注意，前饋表18不被應用於光罩載台10。這可以抑制光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41，從而抑制由同步誤差41引起的曝光精度的下降。 注意，在本實施例中，如圖8中所示，可以基於在前饋表18被應用於光罩載台10的狀態下光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差計算前饋表52。圖8是用於解釋根據第一實施例的計算前饋表52的處理的流程圖。 在步驟S31中，轉換開關100和200被關斷以設定載台的前饋表18和52不被應用於電流驅動器12和22的電流命令值的狀態。 在步驟S32中，在與實際使用時(曝光基板6的曝光處理時)的軌道相同的軌道上同步地驅動光罩載台10和基板載台20的同時，測量光罩載台10的位置偏差14。然後，與日本專利No. 5968017中揭露的技術類似，在期望抑制光罩載台10的位置偏差的採樣時間區間中提取資料，並且ERRRS 表示提取的光罩載台10的位置偏差。 在步驟S33中，測量光罩載台10的控制回應。更具體地，在光罩載台10保持靜止的狀態(位置命令值16為零)下，將圖5中所示的操縱變數FF∆應用於電流驅動器22的電流命令值。然後，測量光罩載台10的控制回應以在任意區間中提取資料，並且RSPRS 表示提取的光罩載台10的控制回應。 在步驟S34中，計算關於光罩載台10的前饋表。關於光罩載台10的前饋表由FFRS 表示。更具體地，從在步驟S32中測量的位置偏差ERRRS 和在步驟S33中測量的控制回應RSPRS ，根據等式(8)基於抑制位置偏差ERRRS 的位置偏差計算前饋表FFRS 。由此獲得的前饋表FFRS 作為前饋表18儲存在光罩載台10的控制塊的儲存單元中。 在步驟S35中，轉換開關100被接通以設定前饋表18被應用於電流驅動器12的電流命令值(光罩載台10)的狀態。 在步驟S36中，在與實際使用時(曝光基板6的曝光處理時)的軌道相同的軌道上同步地驅動光罩載台10和基板載台20的同時，測量載台的位置偏差14和24。然後，與日本專利No. 5968017中揭露的技術類似，在期望抑制載台的位置偏差的採樣時間區間中提取資料，並且ERRRS' 和ERRWS 分別表示提取的光罩載台10和基板載台20的位置偏差。 在步驟S37中，從在步驟S36中測量的位置偏差ERRRS' 和ERRWS 之間的差值計算同步誤差SYN'。 在步驟S38中，測量基板載台20的控制回應。更具體地，在基板載台20保持靜止的狀態(位置命令值26為零)下，將圖5中所示的操縱變數FF∆應用於電流驅動器22的電流命令值。然後，測量基板載台20的控制回應以在任意區間中提取資料，並且RSPWS 表示提取的基板載台20的控制回應。 在步驟S39中，計算關於基板載台20的前饋表。關於基板載台20的前饋表由FFSYN' 表示。更具體地，從在步驟S37中計算的同步誤差SYN'和在步驟S38中測量的控制回應RSPWS ，根據等式(10)基於抑制同步誤差SYN'的同步誤差計算前饋表FFSYN' 。 由此獲得的前饋表FFSYN' 作為前饋表52儲存在基板載台20的控制塊的儲存單元中。然後，在曝光處理中的光罩載台10和基板載台20的驅動期間，前饋表18和52根據載台的檢測位置15和25被應用於載台。與僅將前饋表52應用於基板載台20的情況相比，這可以抑制光罩載台10的位置偏差14以及光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差41，從而提高曝光精度。 本實施例假設光罩載台10充當主設備，並且基板載台20充當從設備。然而，主設備與從設備之間的關係可以反過來。另外，本實施例不限於曝光設備，並且還可應用於包括移動部件和使用主-從方法的設備。 ＜第二實施例＞ 本實施例將描述考慮基板載台20的驅動軸之間的干涉關係計算前饋表的情況。基板載台20是包括複數個驅動軸的移動部件，並且在本實施例中，如圖9中所示，具有六個驅動軸(驅動方向X、Y、Z、wX、wY、以及wZ)。 圖10是控制單元9的控制方塊圖，該控制單元9控制基板載台20的驅動，更具體地，關於驅動軸wZ和X的驅動。參考圖10，為了控制基板載台20的關於驅動軸wZ的驅動，配置控制器71、電流驅動器72、以及線性馬達73。類似地，為了控制基板載台20的關於驅動軸X的驅動，配置控制器81、電流驅動器82、以及線性馬達83。注意，圖10中所示的虛線箭頭表示驅動軸wZ干涉驅動軸X(wZ→X)。這意味著，即使僅關於驅動軸wZ驅動基板載台20，也出現關於沒有被驅動的驅動軸X的位置偏差。 如圖10中所示，回饋控制環路(回饋控制系統)FBwZ 和FBX 分別被配置在基板載台20的驅動軸wZ和X的控制塊中。回饋控制環路FBwZ 和FBX 對基板載台20的驅動軸wZ和X的驅動分別執行回饋控制以減小與目標位置的位置偏差。基板載台20的關於驅動軸wZ的回饋控制環路FBwZ 向電流驅動器72提供由控制器71基於作為關於驅動軸wZ的基板載台20的檢測位置75與位置命令值76之間的差值的位置偏差74決定(計算)的電流命令值。電流驅動器72向線性馬達73提供與電流命令值對應的電流值，由此關於驅動軸wZ驅動基板載台20。類似地，基板載台20的關於驅動軸X的回饋控制環路FBX 向電流驅動器82提供由控制器81基於作為關於驅動軸X的基板載台20的檢測位置85與位置命令值86之間的差值的位置偏差84決定(計算)的電流命令值。電流驅動器82向線性馬達83提供與電流命令值對應的電流值，由此關於驅動軸X驅動基板載台20。 圖11是控制單元9的控制方塊圖，該控制單元9在應用日本專利No. 5968017中揭露的技術時控制基板載台20的關於驅動軸wZ和X的驅動。參考圖11，計算器77、前饋表78、以及轉換開關700被添加到基板載台20的關於驅動軸wZ的控制塊。換句話說，執行前饋控制以減小與目標位置的位置偏差的前饋控制系統FCwZ 被配置在基板載台20的關於驅動軸wZ的控制塊中。計算器77基於基板載台20的關於驅動軸wZ的位置偏差74計算(產生)前饋表78。轉換開關700是用於切換是否將前饋表78應用於對於電流驅動器72的電流命令值的開關。類似地，計算器87、前饋表88、以及轉換開關800被添加到基板載台20的關於驅動軸X的控制塊。換句話說，執行前饋控制以減小與目標位置的位置偏差的前饋控制系統FCX 被配置在基板載台20的關於驅動軸X的控制塊中。計算器87基於基板載台20的關於驅動軸X的位置偏差84計算(產生)前饋表88。轉換開關800是用於切換是否將前饋表88應用於對於電流驅動器82的電流命令值的開關。 將參考圖12描述根據日本專利No. 5968017中揭露的技術計算前饋表78和88的處理。在該處理中，計算器77和87分別基於基板載台20的關於驅動軸wZ和X的位置偏差計算前饋表78和88。 在步驟S41中，轉換開關700和800被關斷以設定基板載台20的關於驅動軸的前饋表78和88分別不被應用於電流驅動器72和82的電流命令值的狀態。 在步驟S42中，在關於驅動軸wZ和X同時地驅動基板載台20的同時，測量基板載台20的關於驅動軸wZ和X的位置偏差74和84。然後，在期望抑制基板載台20的關於驅動軸的位置偏差的採樣時間區間中提取資料。提取的基板載台20的關於驅動軸wZ的位置偏差由ERRwZ → wZ 表示，提取的基板載台20的關於驅動軸X的位置偏差由ERRX → X 表示。 在步驟S43中，測量基板載台20的關於每個驅動軸的控制回應。更具體地，在基板載台20關於所有驅動軸保持靜止的狀態(位置命令值76和86為零)下，將圖5中所示的操縱變數FF∆作為關於驅動軸wZ的驅動的操縱變數應用於電流驅動器72的電流命令值。然後，測量基板載台20的關於驅動軸wZ的控制回應rwZt 以在任意區間中提取資料，並且RSPwZ → wZ 表示提取的基板載台20的關於驅動軸wZ的控制回應。類似地，在基板載台20關於所有驅動軸保持靜止的狀態(位置命令值76和86為零)下，將圖5中所示的操縱變數FF∆作為關於驅動軸X的驅動的操縱變數應用於電流驅動器82的電流命令值。然後，測量基板載台20的關於驅動軸X的控制回應rXt 以在任意區間中提取資料，並且RSPX → X 表示提取的基板載台20的關於驅動軸X的控制回應。 在步驟S44中，計算基板載台20的關於每個驅動軸的前饋表。基板載台20的關於驅動軸wZ的前饋表由FFwZ → wZ 表示，基板載台20的關於驅動軸X的前饋表由FFX → X 表示。關於基板載台20的驅動軸wZ，通過使用等式(8)，基於在步驟S42中測量的位置偏差ERRwZ → wZ 和在步驟S43中測量的控制回應RSPwZ → wZ 獲得增益gwZ → wZN 。然後，基於增益gwZ → wZN 和抑制基板載台20的關於驅動軸wZ的位置偏差ERRwZ → wZ 的位置偏差計算基板載台20的關於驅動軸wZ的前饋表FFwZ → wZ 。類似地，關於基板載台20的驅動軸X，通過使用等式(8)，基於在步驟S42中測量的位置偏差ERRX → X 和在步驟S43中測量的控制回應RSPX → X 獲得增益gX → XN 。然後，基於增益gX → XN 和抑制基板載台20的關於驅動軸X的位置偏差ERRX → X 的位置偏差計算基板載台20的關於驅動軸X的前饋表FFX → X 。 由此獲得的前饋表FFwZ → wZ 和FFX → X 作為前饋表78和88儲存在基板載台20的驅動軸的控制塊的儲存單元中。然後，當同時關於驅動軸wZ和X驅動基板載台20時，前饋表FFwZ → wZ 和FFX → X 根據關於驅動軸的檢測位置75和85被應用於基板載台20的驅動軸。這可以抑制基板載台20的關於驅動軸wZ和X的位置偏差ERRwZ → wZ 和ERRX → X 。然而，由於前饋表FFwZ → wZ 干涉基板載台20的驅動軸X，因此由於干涉在驅動軸X上出現位置偏差ERRwZ → X ，由此增大關於驅動軸X的位置偏差。 在本實施例中，如圖13中所示，在基板載台20的關於驅動軸X的控制塊中提供計算器801以代替計算器87。換句話說，執行前饋控制的前饋控制系統FCCX 被配置在基板載台20的關於驅動軸X的控制塊中。如稍後將描述的那樣，與前饋控制系統FCX 不同，前饋控制系統FCCX 執行前饋控制以減小在回饋控制被執行的狀態下關於驅動軸wZ的驅動對關於驅動軸X的驅動的影響。圖13是根據本實施例的控制單元9的控制方塊圖，該控制單元9控制基板載台20的關於驅動軸wZ和X的驅動。 計算器801考慮基板載台20的驅動軸wZ和X之間的干涉關係計算前饋表802。然後，前饋表802被應用於基板載台20的關於驅動軸X的控制塊。這可以抑制由來自驅動軸wZ的干涉引起的關於驅動軸X的位置偏差ERRwZ → X ，並且還抑制關於驅動軸X的位置偏差ERRX → X 。 將參考圖14描述根據第二實施例的計算前饋表802的處理。執行步驟S41至S44以計算基於抑制位置偏差ERRwZ → wZ 的位置偏差的前饋表FFwZ → wZ 和基於抑制位置偏差ERRX → X 的位置偏差的前饋表FFX → X 。注意，如圖13中所示，在計算前饋表FFwZ → wZ 時獲得的增益gwZ → wZN 作為增益91儲存在基板載台20的控制塊的儲存單元中。 在步驟S55中，當向基板載台20的驅動軸wZ(干涉源的驅動軸)輸入操縱變數時，測量關於驅動軸X(干涉目的地的驅動軸)的控制回應。更具體地，在基板載台20關於所有驅動軸保持靜止的狀態下，轉換開關700被接通以將前饋表FFwZ → wZ 應用於基板載台20的驅動軸wZ。在該狀態下，將圖5中所示的操縱變數FF∆作為基板載台20的關於驅動軸Z的驅動的操縱變數應用於電流驅動器72的電流命令值。然後，測量基板載台20的關於驅動軸X的控制回應rwZ → Xt 以在任意區間中提取資料，並且RSPwZ → X 表示基板載台20的關於驅動軸X的控制回應92。 在步驟S56中，在前饋表FFwZ → wZ 被應用於基板載台20的驅動軸wZ的狀態下獲得關於驅動軸X的位置偏差ERRwZ → X 。更具體地，基於增益gwZ → wZN 和在步驟S55中測量的控制回應RSPwZ → X 獲得基板載台20的關於驅動軸X的位置偏差ERRwZ → X ，其由下式給出：
Figure 02_image017
在步驟S57中，基於由基板載台20的驅動軸的干涉引起的位置偏差計算前饋表FFwZ → X 。更具體地，從在步驟S56中獲得的位置偏差ERRwZ → X 和在步驟S43中測量的控制回應RSPX → X ，基於抑制位置偏差ERRwZ → X 的位置偏差計算前饋表FFwZ → X 。在本實施例中，通過由下式獲得增益gwZ → X 來計算前饋表FFwZ → X ：
Figure 02_image019
在步驟S58中，基於基板載台20的驅動軸之間的干涉關係計算前饋表FFX 。更具體地，對在步驟S44中計算的前饋表FFX → X 和在步驟S57中計算的前饋表FFwZ → X 進行相加，其由下式給出：
Figure 02_image021
這計算基板載台20的關於驅動軸X的前饋表FFX 。 由此獲得的前饋表FFX → X 作為前饋表802儲存在基板載台20的驅動軸X的控制塊的儲存單元中。然後，當同時關於驅動軸wZ和X驅動基板載台20時，前饋表FFwZ → wZ 和FFX → X 分別根據關於驅動軸的檢測位置75和85被應用於基板載台20的驅動軸。這可以抑制當前饋表FFwZ → wZ 被應用於基板載台20的驅動軸wZ時引起的驅動軸X上的位置偏差ERRwZ → X ，並且還抑制驅動軸X上的位置偏差ERRX → X 。 在本實施例中，驅動軸wZ和X之間的干涉關係已作為基板載台20的驅動軸之間的干涉關係被例示。然而，對於驅動軸的另一組合能夠獲得相同的效果。 將參考圖15描述當在基板載台20中驅動軸具有多對一干涉關係時計算前饋表802的處理。當基板載台20的驅動軸Ai(i=1至n)干涉驅動軸X時，基於干涉關係的前饋表FFX 由下式給出：
Figure 02_image023
在等式(14)中，右手邊的第一項指示基於位置偏差的前饋表FFX → X ，該位置偏差抑制基板載台20的關於干涉目的地的驅動軸X的位置偏差ERRX → X 。右手邊的第二項指示基於位置偏差的前饋表FFAi → X ，該位置偏差抑制當前饋表FFAi → Ai 被應用於基板載台20的干涉源的驅動軸Ai時引起的干涉目的地的驅動軸X上的位置偏差ERRAi → X 。 將參考圖16描述當在基板載台20中複數個驅動軸Ai(i=1至n)彼此干涉時計算基於多對多干涉關係的前饋表的處理。在這種情況下，可以通過對基板載台20的每個驅動軸假設多對一干涉關係，使用等式(14)計算前饋表。這是因為用於計算由等式(14)指示的前饋表FFX 的控制回應RSPX → X 和RSPwZ → wZ 以及位置偏差ERRwZ → wZ 和ERRAi → X 在驅動軸彼此干涉的狀態下被測量。 本實施例已解釋了基於基板載台20的驅動軸之間的干涉關係的前饋表。然而，該前饋表可以與基於光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差的前饋表(第一實施例)組合。在這種情況下，由於能夠不僅抑制光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差而且還抑制由每個載台的驅動軸之間的干涉引起的位置偏差，因此可以進一步提高曝光精度。 如圖17中所示，在第一和第二實施例中的每一個中描述的前饋表可以被更新。在第一和第二實施例中的每一個中描述的前饋表由FF表示。 在步驟S61中，測量在應用前饋表FF時引起的基板載台20的每個驅動軸上的位置偏差或者光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差。然後，在期望抑制位置偏差或同步誤差的採樣時間區間中提取資料。 在步驟S62中，根據在第一或第二實施例中描述的過程計算用於抑制在步驟S61中測量的位置偏差或同步誤差的前饋表FF'。 在步驟S63中，在步驟S62中計算的前饋表FF'被加到前饋表FF，由此將前饋表更新為新的前饋表FF。 注意，可以重複步驟S61至S63，直到基板載台20的每個驅動軸上的位置偏差或者光罩載台10與基板載台20之間的同步誤差落入允許的範圍內。 ＜第三實施例＞ 根據本發明的實施例的物品的製造方法較佳製造諸如設備(半導體裝置、磁儲存媒體、液晶顯示元件等)、濾色器、光學組件或MEMS的物品。該製造方法包括通過使用上述曝光設備1曝光塗有感光劑的基板的步驟和顯影經曝光的感光劑的步驟。使用經顯影的感光劑的圖案作為遮罩(mask)對基板執行蝕刻步驟和離子佈植步驟，由此在基板上形成電路圖案。通過重複諸如曝光、顯影、以及蝕刻步驟的步驟，在基板上形成由複數個層形成的電路圖案。在後續步驟中，對其上已形成電路圖案的基板執行切割(處理)，並且執行晶片的安裝、鍵合、以及檢查步驟。製造方法還可以包括其它已知步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、抗蝕劑去除等)。根據本實施例的物品的製造方法在物品的性能、品質、生產率、以及生產成本中的至少一個上優於傳統的方法。 本實施例已例示了曝光設備的基板載台。然而，例如，本發明可應用於曝光設備的光罩載台或具有另一移動部件的設備。 雖然已參考示例性實施例描述了本發明，但是要理解的是，本發明不限於所揭露的示例性實施例。以下申請專利範圍的範圍要被賦予最廣泛的解釋，以便涵蓋所有這樣的修改以及等同的結構和功能。
1‧‧‧曝光設備 2‧‧‧光源 3‧‧‧照明光學系統 4‧‧‧光罩 5‧‧‧投影光學系統 6‧‧‧基板 7‧‧‧鏡子 8‧‧‧雷射干涉儀 9‧‧‧控制單元 10‧‧‧光罩載台 11、21、71、81‧‧‧控制器 12、22、72、82‧‧‧電流驅動器 13、23、73、83‧‧‧線性馬達 14、24、74、84‧‧‧位置偏差 15、25、75、85‧‧‧檢測位置 16、26、76、86‧‧‧位置命令值 17、27、51、77、87、801‧‧‧計算器 18、28、52、78、88、802‧‧‧前饋表 20‧‧‧基板載台 30‧‧‧同步濾通器 41‧‧‧同步誤差 91‧‧‧增益 92‧‧‧控制回應 100、200、700、800‧‧‧轉換開關 S11、S12、S13、S14、S21、S22、S23、S24、S25、S31、S32、S33、S34、S35、S36、S37、S38、S39、S41、S42、S43、S44、S55、S56、S57、S58、S61、S62、S63‧‧‧步驟
圖1是示出根據本發明的一個態樣的曝光設備的配置的示意圖。 圖2是同步地驅動光罩載台和基板載台的控制單元的控制方塊圖。 圖3是同步地驅動光罩載台和基板載台的控制單元的控制方塊圖。 圖4是用於解釋計算前饋表的處理的流程圖。 圖5是示出要被應用於電流驅動器的電流命令值的操縱變數的示例的定時圖。 圖6是根據第一實施例的同步地驅動光罩載台和基板載台的控制單元的控制方塊圖。 圖7是用於解釋根據第一實施例的計算前饋表的處理的流程圖。 圖8是用於解釋根據第一實施例的計算前饋表的處理的流程圖。 圖9是示出基板載台的驅動軸的視圖。 圖10是控制基板載台的驅動的控制單元的控制方塊圖。 圖11是控制基板載台的驅動的控制單元的控制方塊圖。 圖12是用於解釋計算前饋表的處理的流程圖。 圖13是根據第二實施例的控制基板載台的驅動的控制單元的控制方塊圖。 圖14是用於解釋根據第二實施例的計算前饋表的處理的流程圖。 圖15是用於解釋根據第二實施例的計算前饋表的處理的視圖。 圖16是用於解釋根據第二實施例的計算前饋表的處理的視圖。 圖17是用於解釋前饋表的更新的流程圖。
10‧‧‧光罩載台
11、21‧‧‧控制器
12、22‧‧‧電流驅動器
13、23‧‧‧線性馬達
14、24‧‧‧位置偏差
15、25‧‧‧檢測位置
16、26‧‧‧位置命令值
17、51‧‧‧計算器
18、52‧‧‧前饋表
20‧‧‧基板載台
30‧‧‧同步濾通器
41‧‧‧同步誤差
100、200‧‧‧轉換開關

Claims (15)

  1. 一種用於執行同步控制的控制設備，該同步控制用於同步第二移動部件的驅動以跟隨第一移動部件的驅動，該控制設備包括：回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該第一移動部件和該第二移動部件中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該第二移動部件提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該第一移動部件與該第二移動部件之間的同步誤差，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態以：在該第二移動部件保持靜止並提供前饋操縱變數的狀態下，獲得該第二移動部件的輸入/輸出回應；在同步地驅動該第一移動部件和該第二移動部件時獲得該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差；基於該第一移動部件與第二移動部件之間的同步誤差以及該第二移動部件的該輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該第一移動部件與第二移動部件之間的同步誤差是從該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差獲得的；在對該第一移動部件執行該回饋控制以及沒有對該第一移動部件執行該前饋控制的狀態下，通過在驅動該第一 移動部件時測量該第一移動部件的位置偏差獲得第一資料；在對該第一移動部件和該第二移動部件中的每一個執行該回饋控制並且通過向該第一移動部件提供基於該獲得的第一資料計算的操縱變數及該第一移動部件的輸入/輸出回應來執行該前饋控制的狀態下，通過在彼此同步地驅動該第一移動部件和該第二移動部件的同時測量該第一移動部件和該第二移動部件的位置偏差獲得第二資料；以及從該獲得的第二資料計算該第一移動部件與該第二移動部件之間的該同步誤差。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，該前饋控制系統包括經組態為儲存由該計算器計算的該前饋操縱變數的儲存單元，並且在執行該同步控制時向該第二移動部件提供儲存在該儲存單元中的該前饋操縱變數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的設備，其中，該前饋控制系統包括經組態為驅動該第二移動部件的驅動單元以及該驅動單元的驅動器，並且該驅動單元向該驅動器的輸入提供儲存在該儲存單元中的該前饋操縱變數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，在執行該同步控制時，該前饋控制系統向該第一移動部件提供該操縱變數，並且執行該前饋控制以減小該第一移動部件的位 置偏差。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，該第二移動部件的該輸入/輸出回應包括脈衝回應或階梯回應中的一個。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，該第二移動部件包括經組態為保持基板的基板載台，並且該第一移動部件包括經組態為保持光罩的光罩載台，該光罩具有要被轉印到該基板的圖案。
  7. 一種用於控制包括複數個驅動軸的移動部件的驅動的控制設備，該控制設備包括：回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該移動部件沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該移動部件與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該移動部件沿該第二驅動軸的驅動向該移動部件提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該移動部件沿該第一驅動軸的驅動對該移動部件沿該第二驅動軸的驅動的影響，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態 為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該移動部件的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該移動部件的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該移動部件的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該前饋控制系統包括經組態為儲存由該計算器計算的該第一前饋操縱變數的儲存單元，並且在沿該第一驅動軸和第二驅動軸驅動該移動部件時關於該移動部件沿該第二驅動軸的驅動向該移動部件提供儲存在該儲存單元中的該第一前饋操縱變數。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該計算器獲得資料以及對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該移動部件的該第一驅動軸上的第三輸入/輸出回應，並且基於該資料和該第三輸入/輸出回應計算該第二前饋操縱變數，該資料是在對該移動部件僅執行該回饋控制的狀態下，通過在沿該第一驅動軸和該第二驅動軸驅動該移動部件的同時測量該移動部件沿該第一驅動軸的位置偏差獲得的。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該第一輸入/輸出回應和該第二輸入/輸出回應中的每一個包括脈衝回應和階梯回應中的一個。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該移動部件包括經組態為保持基板的基板載台，光罩的圖案被轉印到該基板上。
  12. 一種用於曝光基板的曝光設備，該曝光設備包括：基板載台，該基板載台經組態為保持基板；光罩載台，該光罩載台經組態為保持光罩，該光罩具有要被轉印到該基板的圖案；以及控制設備，該控制設備經組態為執行同步控制，該同步控制用於同步該基板載台的驅動以便跟隨該光罩載台的驅動，並且包括：回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該光罩載台和基板載台中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該基板載台提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態 以：在該基板載台保持靜止並提供該前饋操縱變數的狀態下，獲得該基板載台的輸入/輸出回應；在同步地驅動該光罩載台和該基板載台時獲得該光罩載台和該基板載台的位置偏差；基於該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差以及該基板載台的輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該光罩載台與基板載台之間的同步誤差是從該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得的；在對該光罩載台執行該回饋控制以及沒有對該光罩載台執行該前饋控制的狀態下，通過在驅動該光罩載台時測量該光罩載台的位置偏差獲得第一資料；在對該光罩載台和該基板載台中的每一個執行該回饋控制並且通過向該光罩載台提供基於該獲得的第一資料計算的操縱變數及該光罩載台的輸入/輸出回應來執行該前饋控制的狀態下，通過在彼此同步地驅動該光罩載台和該基板載台的同時測量該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得第二資料；以及從該獲得的第二資料計算該光罩載台和該基板載台之間的該同步誤差。
  13. 一種用於曝光基板的曝光設備，該曝光設備包括：基板載台，該基板載台經組態為保持基板；以及控制設備，該控制設備經組態為控制包括複數個驅動 軸的該基板載台的驅動，該基板載台包括該複數個驅動軸，並且該控制設備包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該基板載台沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該基板載台與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸；以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該基板載台沿該第二驅動軸的驅動向該基板載台提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該基板載台沿該第一驅動軸的驅動對該基板載台沿該第二驅動軸的驅動的影響，其中，該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該基板載台的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。
  14. 一種物品的製造方法，該方法包括：使用曝光設備曝光基板； 顯影經曝光的該基板；以及從經顯影的該基板製造該物品，其中，該曝光設備包括基板載台，該基板載台經組態為保持該基板，光罩載台，該光罩載台經組態為保持光罩，該光罩具有要被轉印到該基板的圖案，以及控制設備，該控制設備經組態為執行同步控制，該同步控制用於同步該基板載台的驅動以便跟隨該光罩載台的驅動，並且包括回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為對該光罩載台和該基板載台中的每一個執行回饋控制，以減小與目標位置的位置偏差，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過向該基板載台提供前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差，其中該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態以：在該基板載台保持靜止並提供該前饋操縱變數的狀態下，獲得該基板載台的輸入/輸出回應；在同步地驅動該光罩載台和該基板載台時獲得該光罩載台和該基板載台的位置偏差；基於該光罩載台與該基板載台之間的同步誤差以及該基板載台的輸入/輸出回應計算該前饋操縱變數，該光罩 載台與該基板載台之間的同步誤差是從該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得的；在對該光罩載台執行該回饋控制以及沒有對該光罩載台執行該前饋控制的狀態下，通過在驅動該光罩載台時測量該光罩載台的位置偏差獲得第一資料；在對該光罩載台和該基板載台中的每一個執行該回饋控制並且通過向該光罩載台提供基於該獲得的第一資料計算的操縱變數及該光罩載台的輸入/輸出回應來執行該前饋控制的狀態下，通過在彼此同步地驅動該光罩載台和該基板載台的同時測量該光罩載台和該基板載台的位置偏差獲得第二資料；以及從該獲得的第二資料計算該光罩載台和該基板載台之間的該同步誤差。
  15. 一種物品的製造方法，該方法包括：使用曝光設備曝光基板；顯影經曝光的該基板；以及從經顯影的該基板製造該物品，其中，該曝光設備包括基板載台，該基板載台經組態為保持該基板，以及控制設備，該控制設備經組態為控制包括複數個驅動軸的該基板載台的驅動，該基板載台包括該複數個驅動軸，該控制設備包括 回饋控制系統，該回饋控制系統經組態為關於該基板載台沿第一驅動軸和第二驅動軸中的每一個的驅動執行回饋控制，以減小該基板載台與目標位置的位置偏差，該第二驅動軸不同於該第一驅動軸，以及前饋控制系統，該前饋控制系統經組態為通過關於該基板載台沿該第二驅動軸的驅動向該基板載台提供第一前饋操縱變數來執行前饋控制，以減小在該回饋控制被執行的狀態下該基板載台沿該第一驅動軸的驅動對該基板載台沿該第二驅動軸的驅動的影響，並且該前饋控制系統包括計算器，該計算器經組態為獲得關於沿該第一驅動軸的驅動要被提供給該基板載台的第二前饋操縱變數、對關於沿該第一驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第一輸入/輸出回應、以及對關於沿該第二驅動軸的驅動的操縱變數的輸入的該基板載台的該第二驅動軸上的第二輸入/輸出回應，並且基於該第二前饋操縱變數、該第一輸入/輸出回應、以及該第二輸入/輸出回應計算該第一前饋操縱變數。
TW108121930A 2018-07-04 2019-06-24 控制設備、曝光設備和物品的製造方法 TWI765160B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018127798A JP7148295B2 (ja) 2018-07-04 2018-07-04 制御装置、露光装置及び物品の製造方法
JP2018-127798 2018-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202006485A TW202006485A (zh) 2020-02-01
TWI765160B true TWI765160B (zh) 2022-05-21

Family

ID=67060313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108121930A TWI765160B (zh) 2018-07-04 2019-06-24 控制設備、曝光設備和物品的製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10969698B2 (zh)
EP (1) EP3591471A3 (zh)
JP (2) JP7148295B2 (zh)
KR (1) KR102451339B1 (zh)
CN (1) CN110687756B (zh)
SG (2) SG10202102082UA (zh)
TW (1) TWI765160B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020124010A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 キヤノン株式会社 制御装置、露光装置、および物品の製造方法
JP2022129161A (ja) * 2021-02-24 2022-09-05 キヤノン株式会社 制御装置、位置決め装置、リソグラフィー装置および物品製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060238739A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, position quantity controller and control method
US20130265558A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Control apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
TWM497772U (zh) * 2014-10-13 2015-03-21 Cheng Shi Entpr Co Ltd 水平量測裝置及使用其之半導體製程機台
TWI511179B (zh) * 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US20180164701A1 (en) * 2015-06-19 2018-06-14 Asml Netherlands B.V. Control system, positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877845A (en) * 1996-05-28 1999-03-02 Nippon Kogaku Kk Scanning exposure apparatus and method
JP2003264133A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Nikon Corp ステージ制御装置、露光装置、デバイス製造方法、及びステージ制御方法
JP2003264134A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Nikon Corp ステージ制御装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI242490B (en) 2003-12-12 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Servo motor control apparatus for electric injection molding machine
US7446854B2 (en) 2006-02-07 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7576832B2 (en) 2006-05-04 2009-08-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7630059B2 (en) 2006-07-24 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009088018A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
US8853988B2 (en) 2009-03-18 2014-10-07 Nikon Corporation Control systems and methods for compensating for effects of a stage motor
JP5375323B2 (ja) 2009-05-15 2013-12-25 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、及び移動体制御方法
US8278940B2 (en) * 2009-09-30 2012-10-02 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having a compensation digital filter
JP2011086892A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Canon Inc 位置制御装置、露光装置およびデバイス製造方法
US9465305B2 (en) 2010-05-18 2016-10-11 Nikon Corporation Method for determining a commutation offset and for determining a compensation map for a stage
CN103293861B (zh) 2012-02-22 2015-07-22 上海微电子装备有限公司 工件台和掩模台的同步控制方法及其系统
NL2010456A (en) 2012-04-18 2013-10-21 Asml Holding Nv Lithographic apparatuses and methods for compensating for eigenmode coupling.
US10759519B2 (en) * 2017-10-31 2020-09-01 The Boeing Company Adaptive feedback control of force fighting in hybrid actuation systems

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI511179B (zh) * 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US20060238739A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, position quantity controller and control method
US20130265558A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Control apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
TWM497772U (zh) * 2014-10-13 2015-03-21 Cheng Shi Entpr Co Ltd 水平量測裝置及使用其之半導體製程機台
US20180164701A1 (en) * 2015-06-19 2018-06-14 Asml Netherlands B.V. Control system, positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP7371190B2 (ja) 2023-10-30
US20200012200A1 (en) 2020-01-09
JP2020008652A (ja) 2020-01-16
US11630398B2 (en) 2023-04-18
JP2022188045A (ja) 2022-12-20
KR102451339B1 (ko) 2022-10-07
CN110687756A (zh) 2020-01-14
EP3591471A3 (en) 2020-06-10
US20210191281A1 (en) 2021-06-24
TW202006485A (zh) 2020-02-01
US10969698B2 (en) 2021-04-06
JP7148295B2 (ja) 2022-10-05
SG10202102082UA (en) 2021-04-29
KR20200004759A (ko) 2020-01-14
EP3591471A2 (en) 2020-01-08
CN110687756B (zh) 2022-08-23
SG10201905706WA (en) 2020-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5235707B2 (ja) 制御装置
KR100869308B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP7371190B2 (ja) 制御装置、露光装置及び物品の製造方法
JP2004342082A (ja) 特にリソグラフ装置における質量の位置の制御
WO2005036620A1 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4729065B2 (ja) 座標変換を伴う駆動システムを有するリソグラフィ装置および方法
JP2013247258A (ja) アライメント方法、露光方法、及びデバイス製造方法、並びにデバイス製造システム
TWI711879B (zh) 控制裝置、微影蝕刻設備和物件的製造方法
JP2003264134A (ja) ステージ制御装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP6760975B2 (ja) 制御システム、位置決めシステム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US6567154B2 (en) Step and scan projection exposure apparatus, maintenance method therefor, and semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing factory using the apparatus
JP2009088018A (ja) ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP7536626B2 (ja) 制御装置、調整方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP4251295B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005322720A (ja) ステージ制御装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP2007049056A (ja) ステージ制御方法及び装置、ステージ制御プログラム、露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI537691B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TW202340873A (zh) 微影成像之方法及設備
KR20240131892A (ko) 스테이지 장치, 리소그래피 장치, 기판 전달방법, 및 물품의 제조방법
TW202305878A (zh) 處理裝置和物品製造方法